JP2001352019A - 粘性魂状物の転写方法 - Google Patents
粘性魂状物の転写方法Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【課題】支持板２に載せて搬送してきた粘性魂状物３を
被転写体１に円滑に転写できる方法を提供し、半導体装
置に放熱板をグリ−ススペ−サを介して当接固定する際
のそのグリ−ススペ−サの半導体装置または放熱板への
円滑な転写を可能とする。 【解決手段】含水可能で、かつ加圧されて含水を滲出す
る多孔質支持板２に粘性魂状物３を乗せて搬送し、多孔
質支持板２を含水状態にしたうえで、粘性魂状物３に被
転写体１を押圧し、次いで脱離させることにより粘性魂
状物３を被転写体１に移着させる。
被転写体１に円滑に転写できる方法を提供し、半導体装
置に放熱板をグリ−ススペ−サを介して当接固定する際
のそのグリ−ススペ−サの半導体装置または放熱板への
円滑な転写を可能とする。 【解決手段】含水可能で、かつ加圧されて含水を滲出す
る多孔質支持板２に粘性魂状物３を乗せて搬送し、多孔
質支持板２を含水状態にしたうえで、粘性魂状物３に被
転写体１を押圧し、次いで脱離させることにより粘性魂
状物３を被転写体１に移着させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、粘性魂状物を被転
写体に転写する方法に関し、例えば、半導体装置に放熱
板をグリ−ススペ−サを介して当接固定する場合に半導
体装置または放熱板にグリ−ススペ−サを転写するのに
有用なものである。
写体に転写する方法に関し、例えば、半導体装置に放熱
板をグリ−ススペ−サを介して当接固定する場合に半導
体装置または放熱板にグリ−ススペ−サを転写するのに
有用なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の発生熱の放熱を促して半導
体装置の熱的破壊を防止するために、半導体装置に放熱
板を当接固定することがある。図５の（イ）は、積層式
マルチチップモジュ−ル型半導体装置を示し、ＴＳＯＰ
チップ（Thin Small Outline Package チップ)１１’〜
１３’を上下に間隔を隔てて配し、各ＴＳＯＰチップの
リ−ドピン１０１’を両サイドのプリント配線基板１
０’に接続し、このプリント配線基板１０’内の電気配
線層を介して各ＴＳＯＰチップの各リ−ド１０１’を外
部リ−ド１０３’に導通してある。この積層式マルチチ
ップモジュ−ル型半導体装置では、ＴＳＯＰで半導体集
積回路チップが封止されていてその集積回路の発生熱に
対する放熱抵抗が高いうえに、空隙の厚みがモジュ−ル
の小型化のために制限され空隙部での空気対流による放
熱性も低いので、全体としての放熱性がさして高くな
い。この積層式マルチチップモジュ−ルのＴＳＯＰチッ
プ中、中央ＴＳＯＰチップの温度が最も高くなり、この
中央チップ温度が積層数の増加に伴いアップされるか
ら、チップの積層数、従ってモジュ−ル全体のメモリ容
量が中央チップの温度で律せられることになる。
体装置の熱的破壊を防止するために、半導体装置に放熱
板を当接固定することがある。図５の（イ）は、積層式
マルチチップモジュ−ル型半導体装置を示し、ＴＳＯＰ
チップ（Thin Small Outline Package チップ)１１’〜
１３’を上下に間隔を隔てて配し、各ＴＳＯＰチップの
リ−ドピン１０１’を両サイドのプリント配線基板１
０’に接続し、このプリント配線基板１０’内の電気配
線層を介して各ＴＳＯＰチップの各リ−ド１０１’を外
部リ−ド１０３’に導通してある。この積層式マルチチ
ップモジュ−ル型半導体装置では、ＴＳＯＰで半導体集
積回路チップが封止されていてその集積回路の発生熱に
対する放熱抵抗が高いうえに、空隙の厚みがモジュ−ル
の小型化のために制限され空隙部での空気対流による放
熱性も低いので、全体としての放熱性がさして高くな
い。この積層式マルチチップモジュ−ルのＴＳＯＰチッ
プ中、中央ＴＳＯＰチップの温度が最も高くなり、この
中央チップ温度が積層数の増加に伴いアップされるか
ら、チップの積層数、従ってモジュ−ル全体のメモリ容
量が中央チップの温度で律せられることになる。
【０００３】そこで、図５の（ロ）に示すように、ＴＳ
ＯＰチップ間に放熱板１１０’を挿入し、ＴＳＯＰチッ
プ両端から放熱板両端部を突出させ、チップ発生熱を放
熱板の熱伝導で放熱板両端部に伝達し、この伝達熱を放
熱板両端部より空気中に放熱させることが知られてい
る。この場合、放熱板とＴＳＯＰとの接触界面を固定す
ると、両者の熱膨張収縮係数の差のためにその界面に剪
断熱応力が発生し、界面剪断破壊が生じ、界面の接触熱
抵抗が増大し、放熱効果の低下が惹起されるので、前記
接触界面にグリ−ススペ−サ３’を介在させることが知
られている。
ＯＰチップ間に放熱板１１０’を挿入し、ＴＳＯＰチッ
プ両端から放熱板両端部を突出させ、チップ発生熱を放
熱板の熱伝導で放熱板両端部に伝達し、この伝達熱を放
熱板両端部より空気中に放熱させることが知られてい
る。この場合、放熱板とＴＳＯＰとの接触界面を固定す
ると、両者の熱膨張収縮係数の差のためにその界面に剪
断熱応力が発生し、界面剪断破壊が生じ、界面の接触熱
抵抗が増大し、放熱効果の低下が惹起されるので、前記
接触界面にグリ−ススペ−サ３’を介在させることが知
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このグリ−ススペ−サ
に要求される特性は、固化されずに流失しない程度の粘
性を有する半固体性である。従って、ディスペンサ塗布
が難しく、シ−ト状に塊状成形したグリ−スを転写する
方法によらざるを得ない。しかしながら、グリ−ススペ
−サがある程度の粘着性を有するために、その転写も容
易ではない。
に要求される特性は、固化されずに流失しない程度の粘
性を有する半固体性である。従って、ディスペンサ塗布
が難しく、シ−ト状に塊状成形したグリ−スを転写する
方法によらざるを得ない。しかしながら、グリ−ススペ
−サがある程度の粘着性を有するために、その転写も容
易ではない。
【０００５】本発明の目的は、支持板に載せて搬送して
きた粘性魂状物を被転写体に円滑に転写できる方法を提
供し、半導体装置に放熱板をグリ−ススペ−サを介して
当接固定する際のそのグリ−ススペ−サの半導体装置ま
たは放熱板への円滑な転写を可能とすることにある。
きた粘性魂状物を被転写体に円滑に転写できる方法を提
供し、半導体装置に放熱板をグリ−ススペ−サを介して
当接固定する際のそのグリ−ススペ−サの半導体装置ま
たは放熱板への円滑な転写を可能とすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る粘性魂状物
の転写方法は、含水可能で、かつ加圧されて含水を滲出
する多孔質支持板に粘性魂状物を乗せて搬送し、多孔質
支持板を含水状態にしたうえで、粘性魂状物に被転写体
を押圧し、次いで脱離させることにより粘性魂状物を被
転写体に移着させることを特徴とする構成であり、粘性
魂状物に被転写体を押圧する直前に、多孔質支持板を含
水状態にするか、または多孔質支持板を含水状態にし
て、多孔質支持板に載せての粘性魂状物の搬送を行うこ
とができ、後者の場合、多孔質支持板に載せての粘性魂
状物の搬送を密封包装状態で行うことができる。
の転写方法は、含水可能で、かつ加圧されて含水を滲出
する多孔質支持板に粘性魂状物を乗せて搬送し、多孔質
支持板を含水状態にしたうえで、粘性魂状物に被転写体
を押圧し、次いで脱離させることにより粘性魂状物を被
転写体に移着させることを特徴とする構成であり、粘性
魂状物に被転写体を押圧する直前に、多孔質支持板を含
水状態にするか、または多孔質支持板を含水状態にし
て、多孔質支持板に載せての粘性魂状物の搬送を行うこ
とができ、後者の場合、多孔質支持板に載せての粘性魂
状物の搬送を密封包装状態で行うことができる。
【０００７】本発明に係る粘性魂状物の転写方法は、グ
リ−ススペ−サ等の粘性魂状物を介して半導体装置に放
熱板を当接する工程での半導体装置または放熱板への粘
性魂状物の転写に使用することができる。
リ−ススペ−サ等の粘性魂状物を介して半導体装置に放
熱板を当接する工程での半導体装置または放熱板への粘
性魂状物の転写に使用することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）〜（ニ）は
本発明に係る粘性魂状物の転写方法を示すための図面で
ある。図１において、１は被転写体である。２は含水可
能で、かつ加圧されて含水を滲出する多孔質支持板であ
る。３はシ−ト状の粘性魂状物である。４は後述するテ
−プキヤリア等のキャリアであり、多孔質支持板２とキ
ャリア４との間が粘着剤等で固定され、キャリア４の走
行で搬送が行われる。本発明によりシ−ト状粘性魂状物
を被転写体に転写するには、図１の（イ）に示すよう
に、粘性魂状物３を多孔質支持板２に載せて転写位置に
向け搬送し、図１の（ロ）に示す転写位置またはそれ以
前に、多孔質支持板２を含水させ、次いで、被転写体１
を降下させて図１の（ハ）に示すように、被転写体１を
粘性魂状物３に押し付け、而るのち、図１の（ニ）に示
すように、被転写体１を上昇させる。
実施の形態について説明する。図１の（イ）〜（ニ）は
本発明に係る粘性魂状物の転写方法を示すための図面で
ある。図１において、１は被転写体である。２は含水可
能で、かつ加圧されて含水を滲出する多孔質支持板であ
る。３はシ−ト状の粘性魂状物である。４は後述するテ
−プキヤリア等のキャリアであり、多孔質支持板２とキ
ャリア４との間が粘着剤等で固定され、キャリア４の走
行で搬送が行われる。本発明によりシ−ト状粘性魂状物
を被転写体に転写するには、図１の（イ）に示すよう
に、粘性魂状物３を多孔質支持板２に載せて転写位置に
向け搬送し、図１の（ロ）に示す転写位置またはそれ以
前に、多孔質支持板２を含水させ、次いで、被転写体１
を降下させて図１の（ハ）に示すように、被転写体１を
粘性魂状物３に押し付け、而るのち、図１の（ニ）に示
すように、被転写体１を上昇させる。
【０００９】上記図１の（イ）に示す搬送中、粘性魂状
物３がその粘着性で多孔質支持板２に固定されているか
ら、粘性魂状物３を位置ずれなく安定に移送できる。上
記図１の（ハ）に示すように、被転写体１を粘性魂状物
３に押し付けると、含水多孔質支持板２０が加圧され、
含水が滲出されて粘性魂状物３と含水多孔質支持板２０
との接触界面に水膜が形成される。一方、被転写体１と
粘性魂状物３との接触界面が、粘性魂状物３の粘着性の
ために粘着される。而して、図１の（ハ）において、被
転写体１と粘性魂状物３との粘着界面の粘着強度が、上
記の水膜形成により粘着強度が低下された粘性魂状物３
と含水多孔質支持板２０との界面のその粘着強度よりも
強くなる結果、図１の（ニ）に示すように、被転写体１
を上昇させると、粘性魂状物３と含水多孔質支持板２０
との界面が剥離され粘性魂状物３が被転写体１と共に上
昇されて被転写体１に移着される。
物３がその粘着性で多孔質支持板２に固定されているか
ら、粘性魂状物３を位置ずれなく安定に移送できる。上
記図１の（ハ）に示すように、被転写体１を粘性魂状物
３に押し付けると、含水多孔質支持板２０が加圧され、
含水が滲出されて粘性魂状物３と含水多孔質支持板２０
との接触界面に水膜が形成される。一方、被転写体１と
粘性魂状物３との接触界面が、粘性魂状物３の粘着性の
ために粘着される。而して、図１の（ハ）において、被
転写体１と粘性魂状物３との粘着界面の粘着強度が、上
記の水膜形成により粘着強度が低下された粘性魂状物３
と含水多孔質支持板２０との界面のその粘着強度よりも
強くなる結果、図１の（ニ）に示すように、被転写体１
を上昇させると、粘性魂状物３と含水多孔質支持板２０
との界面が剥離され粘性魂状物３が被転写体１と共に上
昇されて被転写体１に移着される。
【００１０】上記多孔質支持板２への含水は、被転写体
１を粘性魂状物３に押し付ける直前に行うことができ
る。また、含水多孔質支持板上にシ−ト状粘性魂状物を
載置し、この状態で保存しておいたものを使用すること
もでき、この場合、保存中に含水が蒸発飛散するのを防
止するために密封包装して取り扱うことが好ましい。こ
の密封包装には、例えば、図２に示すように、一定間隔
ごとにワ−クピ−ス収容凹部４１を設けたエンボスプラ
スチックテ−プ４０にプラスチックカバ−テ−プ４２を
粘着剤等４３で貼着して包装するテ−プキャリア４をリ
−ルに巻回するリ−ル方式の外、トレ−方式、ステック
方式等の電子部品用キャリアを使用できる。
１を粘性魂状物３に押し付ける直前に行うことができ
る。また、含水多孔質支持板上にシ−ト状粘性魂状物を
載置し、この状態で保存しておいたものを使用すること
もでき、この場合、保存中に含水が蒸発飛散するのを防
止するために密封包装して取り扱うことが好ましい。こ
の密封包装には、例えば、図２に示すように、一定間隔
ごとにワ−クピ−ス収容凹部４１を設けたエンボスプラ
スチックテ−プ４０にプラスチックカバ−テ−プ４２を
粘着剤等４３で貼着して包装するテ−プキャリア４をリ
−ルに巻回するリ−ル方式の外、トレ−方式、ステック
方式等の電子部品用キャリアを使用できる。
【００１１】上記多孔質支持板２には、その多孔空間に
水を保持させ易いような適度の親水性と、加圧圧縮によ
るこの含水の滲出を容易に生じさせ得るような適度の柔
らかさ及び適度の疎水性乃至は撥水性を付与することが
好ましく、水溶性物質の使用は不可である。この多孔質
支持板２には、例えば、無機繊維紙、例えば、ガラス繊
維不織布、セラミックスペ−パ等や連続発泡プラスチッ
クシ−トを使用できる。上記粘性魂状物３には、水に対
して安定であり、水との接触で変性しない物質、例え
ば、耐水性に優れた金属石ケン系のグリ−ス（例えば、
リチウム石ケン系グリ−ス）、未加硫ブチルゴム等を使
用でき、通常、撥水性のものが使用される。
水を保持させ易いような適度の親水性と、加圧圧縮によ
るこの含水の滲出を容易に生じさせ得るような適度の柔
らかさ及び適度の疎水性乃至は撥水性を付与することが
好ましく、水溶性物質の使用は不可である。この多孔質
支持板２には、例えば、無機繊維紙、例えば、ガラス繊
維不織布、セラミックスペ−パ等や連続発泡プラスチッ
クシ−トを使用できる。上記粘性魂状物３には、水に対
して安定であり、水との接触で変性しない物質、例え
ば、耐水性に優れた金属石ケン系のグリ−ス（例えば、
リチウム石ケン系グリ−ス）、未加硫ブチルゴム等を使
用でき、通常、撥水性のものが使用される。
【００１２】本発明に係る粘性魂状物の転写方法は、半
導体装置に放熱板を当接固定する場合に、半導体装置と
放熱板との間にグリ−ススペ−サを形成するのに好適に
使用できる。この放熱板には、アルミニウムのような熱
良伝導性金属が用いられ、グリ−ススペ−サには、剪断
弾性係数が実質的に０で、かつ長期にわたり放熱板と半
導体装置との間に安定に保持できる可及的に高粘性の物
質が用いられる。従って、半導体装置が発熱して放熱板
と半導体装置との熱膨張収縮係数の差により、その接触
界面に剪断歪が発生し、この剪断歪の発生が半導体装置
のオン・オフ通電により繰り返されても、グリ−ススペ
−サの無応力剪断変形により、実質的に剪断応力が発生
されない結果、放熱板と半導体装置との接触界面が隙間
の発生なく初期の密接状態に保たれ、半導体装置の温度
上昇を放熱板の放熱作用により効果的に防止できる。
導体装置に放熱板を当接固定する場合に、半導体装置と
放熱板との間にグリ−ススペ−サを形成するのに好適に
使用できる。この放熱板には、アルミニウムのような熱
良伝導性金属が用いられ、グリ−ススペ−サには、剪断
弾性係数が実質的に０で、かつ長期にわたり放熱板と半
導体装置との間に安定に保持できる可及的に高粘性の物
質が用いられる。従って、半導体装置が発熱して放熱板
と半導体装置との熱膨張収縮係数の差により、その接触
界面に剪断歪が発生し、この剪断歪の発生が半導体装置
のオン・オフ通電により繰り返されても、グリ−ススペ
−サの無応力剪断変形により、実質的に剪断応力が発生
されない結果、放熱板と半導体装置との接触界面が隙間
の発生なく初期の密接状態に保たれ、半導体装置の温度
上昇を放熱板の放熱作用により効果的に防止できる。
【００１３】図３の（イ）は、放熱板を装着した積層式
マルチチップモジュ−ル型半導体装置を示す断面図、図
３の（ロ）は同じく側面図である。図３において、１１
〜１３はＴＳＯＰチップ、１１０，１２０はＴＳＯＰチ
ップ間に挾持された放熱板、３，…はＴＳＯＰチップと
放熱板との間に介在されたグリ−ススペ−サである。１
０はプリント配線基板であり、各ＴＳＯＰチップの各リ
−ドを挿入接合する各導体ランド１０２と、各リ−ド１
０１に対応して設けられた外部リ−ド１０３と、各導体
ランド１０２と各外部リ−ド１０３との間を導通する内
部配線（図示せず）等を備えている。この積層式マルチ
チップモジュ−ル型半導体装置の製作は、第１ＴＳＯＰ
チップ１１へのグリ−ススペ−サ３の転写、この転写グ
リ−ススペ−サ３への第１放熱板１１０の粘着、この第
１放熱板１１０へのグリ−ススペ−サ３の転写、この転
写グリ−ススペ−サ３への第２ＴＳＯＰチップ１２の粘
着、この第２ＴＳＯＰチップ１２へのグリ−ススペ−サ
３の転写、この転写グリ−ススペ−サへの第２放熱板１
２０の粘着、第２放熱板１２０へのグリ−ススペ−サ３
の転写、この転写グリ−ススペ−サへの第３ＴＳＯＰチ
ップ１３の粘着、これらの積層マルチチップへのプリン
ト配線基板１０，１０の接続等の過程を経て行われ、Ｔ
ＳＯＰチップへのグリ−ススペ−サの転写や放熱板への
グリ−ススペ−サの転写に本発明に係る粘性魂状物の転
写方法が使用される。
マルチチップモジュ−ル型半導体装置を示す断面図、図
３の（ロ）は同じく側面図である。図３において、１１
〜１３はＴＳＯＰチップ、１１０，１２０はＴＳＯＰチ
ップ間に挾持された放熱板、３，…はＴＳＯＰチップと
放熱板との間に介在されたグリ−ススペ−サである。１
０はプリント配線基板であり、各ＴＳＯＰチップの各リ
−ドを挿入接合する各導体ランド１０２と、各リ−ド１
０１に対応して設けられた外部リ−ド１０３と、各導体
ランド１０２と各外部リ−ド１０３との間を導通する内
部配線（図示せず）等を備えている。この積層式マルチ
チップモジュ−ル型半導体装置の製作は、第１ＴＳＯＰ
チップ１１へのグリ−ススペ−サ３の転写、この転写グ
リ−ススペ−サ３への第１放熱板１１０の粘着、この第
１放熱板１１０へのグリ−ススペ−サ３の転写、この転
写グリ−ススペ−サ３への第２ＴＳＯＰチップ１２の粘
着、この第２ＴＳＯＰチップ１２へのグリ−ススペ−サ
３の転写、この転写グリ−ススペ−サへの第２放熱板１
２０の粘着、第２放熱板１２０へのグリ−ススペ−サ３
の転写、この転写グリ−ススペ−サへの第３ＴＳＯＰチ
ップ１３の粘着、これらの積層マルチチップへのプリン
ト配線基板１０，１０の接続等の過程を経て行われ、Ｔ
ＳＯＰチップへのグリ−ススペ−サの転写や放熱板への
グリ−ススペ−サの転写に本発明に係る粘性魂状物の転
写方法が使用される。
【００１４】図４は放熱板を装着した半導体装置の別例
を示し、回路基板１００のチップ実装部位に熱伝達継手
１０４，…を貫設し、回路基板１００にチップ１を実装
し、樹脂封止１０５を行ったのち、熱伝達継手貫設部位
にグリ−ススペ−サ３を転写し、この転写グリ−ススペ
−サ３に放熱板１１０の凸部１１０１を当接粘着してあ
り、グリ−ススペ−サの転写に本発明に係る粘性魂状物
の転写方法が使用される。
を示し、回路基板１００のチップ実装部位に熱伝達継手
１０４，…を貫設し、回路基板１００にチップ１を実装
し、樹脂封止１０５を行ったのち、熱伝達継手貫設部位
にグリ−ススペ−サ３を転写し、この転写グリ−ススペ
−サ３に放熱板１１０の凸部１１０１を当接粘着してあ
り、グリ−ススペ−サの転写に本発明に係る粘性魂状物
の転写方法が使用される。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る粘性魂状物の転写方法で
は、多孔質支持板に粘性魂状物を乗せて搬送しており、
粘性魂状物の粘着性のために粘性魂状物を位置ずれなく
安定に搬送できる。また、粘性魂状物の粘着性にもかか
わらず、粘性魂状物の被転写体への転写時には、粘性魂
状物と多孔質支持板との界面の粘着力を水膜の形成によ
り低減でき、その界面の粘着力を粘性魂状物と被転写体
との接触界面の粘着力よりも低くできるから、粘性魂状
物の被転写体への確実・円滑な転写を保証できる。更
に、デスペンサ−では、粘度上円滑に、かつ定量にて塗
布できないような高粘度のグリ−スでも、多孔質支持板
に定量の粘性魂状物として載せておくことにより被転写
体に円滑に転写できるから、半導体装置にグリ−ススペ
−サを介して放熱板を当接固定する半導体装置製造装置
の製造工程での半導体装置または放熱板へのグリ−スス
ペ−サの転写を円滑に行うことができる。
は、多孔質支持板に粘性魂状物を乗せて搬送しており、
粘性魂状物の粘着性のために粘性魂状物を位置ずれなく
安定に搬送できる。また、粘性魂状物の粘着性にもかか
わらず、粘性魂状物の被転写体への転写時には、粘性魂
状物と多孔質支持板との界面の粘着力を水膜の形成によ
り低減でき、その界面の粘着力を粘性魂状物と被転写体
との接触界面の粘着力よりも低くできるから、粘性魂状
物の被転写体への確実・円滑な転写を保証できる。更
に、デスペンサ−では、粘度上円滑に、かつ定量にて塗
布できないような高粘度のグリ−スでも、多孔質支持板
に定量の粘性魂状物として載せておくことにより被転写
体に円滑に転写できるから、半導体装置にグリ−ススペ
−サを介して放熱板を当接固定する半導体装置製造装置
の製造工程での半導体装置または放熱板へのグリ−スス
ペ−サの転写を円滑に行うことができる。
【図１】本発明に係る粘性魂状物の転写方法を示す図面
である。
である。
【図２】本発明において使用するキャリアの一例を示す
図面である。
図面である。
【図３】本発明に係る粘性魂状物の転写方法によりグリ
−ススペ−サを介しての放熱板の装着を行う半導体装置
の一例を示す図面である。
−ススペ−サを介しての放熱板の装着を行う半導体装置
の一例を示す図面である。
【図４】本発明に係る粘性魂状物の転写方法によりグリ
−ススペ−サを介しての放熱板の装着を行う半導体装置
の別例を示す図面である。
−ススペ−サを介しての放熱板の装着を行う半導体装置
の別例を示す図面である。
【図５】積層式マルチチップモジュ−ル型半導体装置を
示す図面である。
示す図面である。
１ 被転写体 ２ 多孔質支持板 ３ 粘性魂状物 ４ キャリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 豪 佐賀県神崎郡三田川町大字吉田2307番地の ２ 九州日東電工株式会社内 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB21
Claims (5)
- 【請求項１】含水可能で、かつ加圧されて含水を滲出す
る多孔質支持板に粘性魂状物を乗せて搬送し、多孔質支
持板を含水状態にしたうえで、粘性魂状物に被転写体を
押圧し、次いで脱離させることにより粘性魂状物を被転
写体に移着させることを特徴とする粘性魂状物の転写方
法。 - 【請求項２】粘性魂状物に被転写体を押圧する直前に、
多孔質支持板を含水状態にする請求項１記載の粘性魂状
物の転写方法。 - 【請求項３】多孔質支持板を含水状態にして、多孔質支
持板に載せての粘性魂状物の搬送を行う請求項１記載の
粘性魂状物の転写方法。 - 【請求項４】多孔質支持板に載せての粘性魂状物の搬送
を密封包装状態で行う請求項３記載の粘性魂状物の転写
方法。 - 【請求項５】グリ−ススペ−サ等の粘性魂状物を介して
半導体装置に放熱板を当接する工程での半導体装置また
は放熱板への粘性魂状物の転写に使用する請求項１〜４
記載の粘性魂状物の転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000172957A JP2001352019A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 粘性魂状物の転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000172957A JP2001352019A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 粘性魂状物の転写方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001352019A true JP2001352019A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18675266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000172957A Pending JP2001352019A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 粘性魂状物の転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001352019A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2014126041A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2017-02-02 | 株式会社ニコン | 薄膜の転写方法、薄膜トランジスタの製造方法、液晶表示装置の画素電極形成方法 |
-
2000
- 2000-06-09 JP JP2000172957A patent/JP2001352019A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2014126041A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2017-02-02 | 株式会社ニコン | 薄膜の転写方法、薄膜トランジスタの製造方法、液晶表示装置の画素電極形成方法 |
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