JP2001344763A - 光記録方法、光記録装置および光記録媒体 - Google Patents

光記録方法、光記録装置および光記録媒体

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 相変化型光記録媒体において、未記録領域へ
の記録に要する時間を短縮すると共に、その場合のジッ
ターを低減する。 【解決手段】 相変化型の記録層を有する光記録媒体に
記録を行う方法であって、記録層の未記録領域に記録を
行う際に使用する線速度をVw、消去パワーをPewと
し、オーバーライトの際に使用する線速度をVo、消去
パワーをPeoとしたとき、 Vw/Vo>1、かつ 0.3<Pew/Peo<1 とする光記録方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体と、これに記録する方法および装置とに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
【0003】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ge−Sb−Te系等の
カルコゲナイド系材料が用いられることが多い。
【0004】相変化型光記録媒体において情報を記録す
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー(記録パワー)のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー(消去パワー)のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。ただし、特定の線速度で用いるように媒体構
造や記録層の組成が最適化された媒体に対し、より速い
線速度でオーバーライトを行うと、消去パワーが同じで
あっても記録マークを結晶化できなくなる。すなわち、
消去できなくなる。
【0005】特開2000−11380号公報に記載さ
れた発明は、相変化型光記録媒体に対する記録処理、特
にフォーマットを高速で行うことを目的としている。同
公報記載の発明では、オーバーライト可能な相変化型光
記録媒体にデータを記録するに際し、未記録部にデータ
を記録する際の初期記録線速度を、データをオーバーラ
イトする際のオーバーライト線速度よりも速くする。同
公報には、相変化型光記録媒体は作製後には全面が初期
化(結晶化)されているため、フォーマットを行う際に
は消去を行う必要がなく、したがってオーバーライト時
の線速度よりも高線速で記録を行っても問題はない、旨
が記載されている。また、同公報には、フォーマットの
際には消去が不要であるから、記録パワーおよび再生パ
ワーの2値で記録することも可能である、旨が記載され
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の発明者らは、
上記特開2000−11380号公報記載の発明と同様
に、未記録部への初回の記録の際に、オーバーライト時
の最適線速度よりも速い線速度で記録する実験を行っ
た。その結果、未記録部への初回記録の際に、消去パワ
ーを加えない場合、および、通常の消去パワー(オーバ
ーライト時の消去パワー)を加える場合のいずれにおい
ても、ジッターが大きくなることを見いだした。
【0007】本発明は、相変化型光記録媒体において、
未記録領域への記録に要する時間を短縮すると共に、そ
の場合のジッターを低減することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(11)のいずれかの構成により達成される。 (1) 相変化型の記録層を有する光記録媒体に記録を
行う方法であって、記録層の未記録領域に記録を行う際
に使用する線速度をVw、消去パワーをPewとし、オー
バーライトの際に使用する線速度をVo、消去パワーを
Peoとしたとき、 Vw/Vo>1、かつ 0.3<Pew/Peo<1 とする光記録方法。 (2) 2≦Vw/Vo≦20 とする上記(1)の光記録方法。 (3) 0.5≦Pew/Peo≦0.9 とする上記(1)または(2)の光記録方法。 (4) 記録層の未記録領域に記録を行う際に使用する
記録パワーをPwwとし、オーバーライトの際に使用する
記録パワーをPwoとしたとき、 Pww/Pwo>1 とする上記(1)〜(3)のいずれかの光記録方法。 (5) 1.1≦Pww/Pwo≦2 とする上記(4)の光記録方法。 (6) オーバーライトの際に使用する記録条件と、未
記録領域に記録する際に使用する記録条件とが保持され
ている光記録媒体を用いる上記(1)〜(5)のいずれ
かの光記録方法。 (7) 前記未記録領域が、初期化後に1回も記録され
ていない領域であるか、記録後に消去された領域である
上記(1)〜(6)のいずれかの光記録方法。 (8) 前記線速度Voが、オーバーライトしたときの
最適線速度であり、前記Peoが、オーバーライトしたと
きの最適消去パワーである上記(1)〜(7)のいずれ
かの光記録方法。 (9) 前記線速度Vwにおいて書き換えが不可能であ
る光記録媒体に適用される上記(1)〜(8)のいずれ
かの光記録方法。 (10) 上記(1)〜(9)のいずれかの光記録方法
を実施する光記録装置。 (11) 上記(1)〜(9)のいずれかの光記録方法
が適用される光記録媒体であって、 オーバーライトの際に使用する記録条件と、未記録領域
に記録する際に使用する記録条件とを保持する光記録媒
体。
【0009】
【発明の実施の形態】記録方法 本発明では、記録層の未記録領域に記録を行うときの線
速度、すなわち初回記録時の線速度Vwを、オーバーラ
イト時の線速度Voよりも速く、すなわち Vw/Vo>1 とし、好ましくは Vw/Vo≧2 とする。これにより、初回記録を高速に行うことができ
る。ただし、Vw/Voが大きすぎると、後述する消去パ
ワー制御がジッター低減に対し有効に働きにくくなり、
また、記録機がその線速度に対応できなくなることもあ
るので、好ましくは Vw/Vo≦20 とし、より好ましくは Vw/Vo≦10 とする。
【0010】本発明において、初回記録時およびオーバ
ーライト時の線速度の具体値は特に限定されないが、通
常、オーバーライト時の線速度は0.8〜20m/s、好
ましくは1.2〜16m/sである。
【0011】本発明は、Vw/Vo>1とする点で前記特
開2000−11380号公報記載の発明と同様であ
る。しかし、本発明では同公報の記載とは異なり、初回
記録の際の消去パワーPewを、オーバーライト時の消去
パワーPeoに対し 0.3<Pew/Peo<1 となるように、好ましくは 0.5≦Pew/Peo≦0.9 となるように設定する。これにより、初回記録の際のジ
ッターを低くできる。Pew/Peoが小さすぎても大きす
ぎても、ジッターが臨界的に大きくなってしまう。消去
パワーをこのように制御することによってジッターが低
減する理由は明らかではないが、消去パワーの値が非晶
質記録マークの形状に影響を与えるためと考えられる。
なお、上記限定範囲内のVw/Voに対応して、Pew/P
eoを上記限定範囲内で制御することが好ましく、Vw/
Voが大きいほどPew/Peoを小さくすることが好まし
い。
【0012】本発明では、記録層の未記録領域に記録を
行う際に使用する記録パワーPwwが、オーバーライトの
際に使用する記録パワーPwoに対し Pww/Pwo>1 となるように設定することが好ましい。PwwをPwoより
大きくすることにより、初回記録の際のジッターを小さ
くすることができる。Pww/PwoはVw/Voの増減に応
じて増減させることが好ましく、例えばVw/Voを上記
した好ましい範囲内に設定する場合には、Pww/Pwoを 1.01≦Pww/Pwo≦2 の範囲内に設定することが好ましい。
【0013】本発明において、初回記録時の線速度Vw
を決定する際に用いるVoは、上記したようにオーバー
ライト時の線速度である。ただし、例えば4〜10倍速
対応のCD−RWのように、適用されるオーバーライト
線速度が1つに決まらない場合もある。そのような場合
には、適用されるオーバーライト線速度のうち最も速い
線速度をVoとする。また、消去パワーPewおよび記録
パワーPwwをそれぞれ決定するために用いるPeoおよび
Pwoは、通常、オーバーライト時の最適値とされる。本
明細書において最適値とは、いずれもジッターが最も小
さくなる値であるか、媒体メーカー推薦の値であるか、
その媒体が属する規格において定められた最適値であ
る。ただし本発明では、PeoおよびPwoとして最適値を
採用することは必須ではなく、ジッターが許容範囲内に
収まる値であれば、これらの少なくとも1つが最適値か
ら外れていてもよい。なお、PeoおよびPwoそれぞれの
最適値を測定するに際しては、未記録領域に1回記録
し、その上から再び1回記録すればよいが、初期化直後
に記録する場合のように、初回のオーバーライトにおい
て安定した特性が得られない場合には、オーバーライト
を複数回繰り返し、特性が安定したところで最適値を求
めることが好ましい。
【0014】本発明において初回記録およびオーバーラ
イトに使用するレーザービームの変調パターンは特に限
定されず、少なくとも記録パワーレベルおよび消去パワ
ーレベルを有するパターンであればよいが、オーバーラ
イトの際には、通常、以下に説明するように記録パルス
ストラテジを適宜設定する。ここで、記録パルスストラ
テジについて説明する。一般に、相変化型光記録媒体に
記録する際には、記録パワーを記録マークの長さに対応
して連続的に照射するのではなく、例えば特開平9−7
176号公報に記載されているように、記録マーク形状
の制御のため、複数のパルスからなるパルス列として照
射する場合が多い。この場合のパルス分割の具体的構成
を、一般に記録パルスストラテジと呼ぶ。記録パルスス
トラテジを説明するための記録波形の例を、図3に示
す。なお、本明細書において記録波形とは、記録光を強
度変調するための駆動信号パターンを意味する。図3に
示される記録波形は、NRZI信号の5T信号に対応す
る記録パルス列を有する。図3において、横方向は時
間、縦方向はレーザービームのパワーレベルである。各
パルスの幅は、通常、基準クロック幅(1T)で規格化
した値で表示される。図示する記録パルスストラテジに
おけるパワーレベルは、Pw(記録パワー)と、Pwより
も低いPe(消去パワー)と、Peよりも低いPb(バイ
アスパワー)との3値である。図示する記録波形では、
記録パルス列における上向きパルスの強度がPwであ
り、下向きパルスの強度がPbであり、隣り合う記録パ
ルス列間を接続する直流部の強度がPeである。
【0015】初回記録時の記録パルスストラテジは、オ
ーバーライトの際の記録パルスストラテジと同一である
必要はない。また、パルス分割を行うことも必須ではな
い。
【0016】初回記録時には記録層に記録マークが存在
しないため、消去を行う必要がない。したがって本発明
では、線速度Vwにおいて書き換えが不可能であっても
よい。すなわち、本発明に用いる媒体は、線速度Vwに
おいて書き換え型媒体として機能せず、追記型媒体とし
て機能するものであってよい。ただし、初回記録時の線
速度Vwにおいて書き換えが不可能であっても、初回記
録時の消去パワーPewを本発明にしたがって制御しない
限り、ジッタを十分に小さくすることはできない。すな
わち、消去が必要ないからといって未記録部への初回記
録の際に消去パワーを加えないと、ジッターが大きくな
ってしまう。なお、追記型の記録においては、通常、消
去パワーという概念は存在しない。しかし、本明細書で
は、図3に示すような記録波形における直流部の強度P
eを、追記型記録であっても消去パワーと呼ぶ。
【0017】なお、本発明において、オーバーライトを
行うことは必須ではない。すなわち本発明の記録方法
は、初回記録だけが行われる追記型媒体に適用すること
もできる。
【0018】追記型として機能する相変化型媒体が満足
すべき条件としては、下記の第1〜第4の条件が挙げら
れる。相変化型媒体を追記型媒体として用いるために
は、下記4条件のうちの少なくとも1つを満足する必要
がある。
【0019】第1の条件は、相変化型の記録層を有する
光記録媒体に対し、最短信号のCNR(carrier to noi
se ratio)が45dB以上、好ましくは48dB以上となる
ように記録を行い、かつ、最短信号記録後、記録時と同
じ線速度でその上から記録層を溶融させないパワーレベ
ルのレーザー光を照射する消去動作を行った後におい
て、最短信号のキャリアの低下が20dB以下、好ましく
は18dB以下であることを意味する。キャリアの低下が
この範囲であれば、消去動作後に再び記録した信号の読
み取りが不可能となる。従来、相変化型媒体を追記型と
して利用できることは知られている。しかし、追記型と
して使用するために満足すべき条件は明確になっていな
かった。書き換え可能な相変化型媒体では、消去率が2
5dB以上であれば、消去後に再記録可能であること、す
なわち書き換えが可能であることが知られている。した
がって、消去率が25dB未満であれば、書き換えが不可
能、すなわち記録データを改竄できない、と推定され
る。しかし、本発明者らの研究によれば、消去率が25
dB未満であっても最短信号のキャリアの低下が20dB以
下でないと、消去動作後に再記録した信号が読み取れて
しまうことがわかった。
【0020】本発明では、結晶質記録層に非晶質記録マ
ークを形成する必要があり、一方、スパッタ法等の気相
成長法により形成する場合、通常、相変化型記録層は非
晶質層として形成される。そのため、記録前に、あらか
じめ記録層の少なくとも記録対象領域を結晶化しておく
必要がある。この結晶化は、一般に初期化と呼ばれる。
しかし、形成直後の記録層は極めて結晶化しにくい。そ
のため、本発明において最短信号のキャリアの低下が著
しく小さくなる設計とすると、すなわち、記録層の再結
晶化が著しく困難となる設計とすると、初期化を極めて
遅い線速度で行う必要が生じ、生産性が著しく低くなっ
てしまう。この点を考慮すると、第1の条件において、
消去動作による最短信号のキャリアの低下は5dB以上で
あることが好ましく、記録線速度が比較的遅い場合には
前記キャリアの低下が10dB以上であることが好まし
い。
【0021】第2の条件は、相変化型の記録層を有する
光記録媒体に対しランダム信号を記録し、このランダム
信号の記録領域において再生動作を行ったときに得られ
る最も高い反射レベルをRiniとし、前記ランダム信号
の記録領域に、前記ランダム信号記録時と同じ線速度で
直流レーザー光を照射して消去動作を行った後、その照
射領域において再生動作を行ったときに得られる最も高
い反射レベルをRtop、最も低い反射レベルをRbottom
としたとき、 (Rtop+Rbottom)/2Rini<1 を満足することであり、好ましくは (Rtop+Rbottom)/2Rini≦0.95 を満足することである。なお、上記反射レベルとは、光
学ヘッドへの戻り光量である。また、上記Riniは、記
録マーク間に存在する結晶質領域の反射レベルである。
【0022】第2の条件は、上記直流レーザー光のパワ
ーレベルによらず満足される必要がある。すなわち、上
記直流レーザー光が記録層を溶融させないものであって
も溶融させるものであっても、(Rtop+Rbottom)/
2Riniが上記範囲内に存在している必要がある。直流
レーザー光が記録層を溶融させない場合において第2の
条件が満足される場合、直流レーザー光照射により記録
層の固相での結晶化が不可能であることを意味する。一
方、溶融させる場合において第2の条件が満足される場
合、溶融状態から冷却したときに記録層が非晶質化する
ことを意味する。これに対し書き換え可能な相変化型媒
体に、パワーレベルを徐々に増大させながら直流レーザ
ー光を照射すると、記録層が固相で結晶化ないし液相か
ら結晶化するため、(Rtop+Rbottom)/2Rini≧1
となるパワーレベルが存在することになる。
【0023】第3の条件は、相変化型の記録層を有する
光記録媒体に対しランダム信号を記録し、前記ランダム
信号に重ねて、前記ランダム信号記録時と同じ線速度で
再びランダム信号を記録した後、再生動作を行ったとき
に、信号再生が不可能であることである。なお、上記ラ
ンダム信号は、最適記録条件で記録することが好まし
い。この場合の最適記録条件とは、初期化直後の記録層
に記録したときにジッタが最小となる記録条件である
か、媒体メーカ推薦の最適記録条件であるか、その媒体
が属する規格において定められた最適記録条件である。
【0024】第4の条件は、相変化型の記録層を有する
光記録媒体に対し、ランダム信号を記録し、前記ランダ
ム信号の記録領域に前記ランダム信号記録時と同じ線速
度で直流レーザー光を照射して消去動作を行い、その照
射領域に再びランダム信号を記録した後、再生動作を行
ったときに、信号再生が不可能であることである。な
お、上記ランダム信号は、上記した最適記録条件で記録
することが好ましい。
【0025】第4の条件は、上記直流レーザー光のパワ
ーによらず満足される必要がある。すなわち、上記直流
レーザー光が記録層を溶融させないものであっても溶融
させるものであっても、上記直流レーザー光照射後に記
録したランダム信号の再生が不可能である必要がある。
直流レーザー光が記録層を溶融させない場合において第
4の条件が満足される場合、直流レーザー光照射により
記録層の固相での結晶化が不可能であることを意味す
る。一方、溶融させる場合において第4の条件が満足さ
れる場合、溶融状態から冷却したときに記録層が非晶質
化することを意味する。これに対し書き換え可能な相変
化型媒体では、直流レーザー光照射により記録層が固相
で結晶化ないし液相から結晶化するため、どちらの場合
でも直流レーザー光照射領域に対し再記録が可能であ
る。
【0026】なお、本明細書において信号再生が不可能
であるとは、クロックジッタが好ましくは13%超、よ
り好ましくは15%超となることである。
【0027】本明細書において初回記録とは、記録層の
未記録領域、すなわち、非晶質の記録マークが存在しな
い結晶質領域に記録する場合を意味する。また、未記録
領域とは、初期化(結晶化)後に1回も記録されていな
い領域であるか、記録後に消去(結晶化)された領域を
意味する。
【0028】媒体構成 本発明が適用される光記録媒体の構成例を、図1に示
す。この光記録媒体は、透光性基体2上に第1誘電体層
31、相変化型の記録層4、第2誘電体層32、反射層
5および保護層6をこの順に設けた片面記録型(単板
型)媒体である。なお、この片面記録型媒体を2枚用
い、保護層6が内側になるように接着層により接着した
両面記録型の媒体にも、本発明は適用できる。また、上
記片面記録型媒体と保護基体とを接着層により接着した
媒体にも、本発明は適用できる。
【0029】透光性基体2 この光記録媒体では透光性基体2を通して記録層4に記
録再生光が照射されるので、透光性基体2は、記録再生
光に対して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガ
ラスなどから構成されることが好ましい。樹脂として
は、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、
ポリオレフィン等を用いればよい。
【0030】透光性基体2は、ランド22を挟んでグル
ーブ21を有する。光入射側(透光性基体2側)から見
たとき、ランド22の表面に対しグルーブ21の表面は
相対的に手前側に存在する。ランド22およびグルーブ
21は、いずれか一方または両方が記録トラックとして
利用される。グルーブ幅とランド幅とは同一であっても
よく異なってもよい。
【0031】透光性基体2の厚さは、好ましくは2mm以
下、より好ましくは0.2〜1.5mmである。透光性基
体2が厚すぎると、チルトマージンが小さくなってしま
い、透光性基体2が薄すぎると、透光性基体が変形しや
すくなってエラーが多くなってしまう。透光性基体の形
状は特に限定されないが、通常、ディスク状とし、その
場合の直径は、50〜360mm程度とする。
【0032】なお、図1に示す構成例は、他部材で支持
することなく形状の維持が可能な程度の厚さを有する樹
脂板やガラス板を透光性基体2として利用するが、本発
明は、記録密度向上のために透光性基体をさらに薄くし
た光記録媒体にも適用することができる。その場合の構
成例を図2に示す。
【0033】図2に示す光記録媒体は、支持基体20上
に、反射層5、第2誘電体層32、記録層4、第1誘電
体層31および透光性基体2をこの順で設けた片面記録
型のものである。図2における支持基体20は、図1に
示す透光性基体2と同様に、それ自体で形状維持な可能
な程度の厚さをもつ樹脂板やガラス板から構成される。
支持基体20上の反射層5から第1誘電体層31までの
積層順は、記録再生光入射側(透光性基体2側)から見
て、図1に示す構成例と同じである。
【0034】図2における透光性基体2は、記録再生光
を透過するために透光性を有する。例えば、支持基体2
0と同程度の厚さの樹脂板やガラス板を透光性基体2と
して用いてもよい。
【0035】ただし、高記録密度達成のためにNA(開
口率)の高い記録再生光学系を用いる場合には、例えば
特開平11−7658号公報に記載された光透過層と同
様に、透光性基体2を薄型化することが好ましい。この
場合の透光性基体2の厚さは、30〜300μmの範囲
から選択することが好ましい。透光性基体2が薄すぎる
と、透光性基体2表面に付着した塵埃による光学的な影
響が大きくなる。一方、透光性基体2が厚すぎると、高
NA化による高記録密度達成が難しくなる。
【0036】透光性基体2を薄型化するに際しては、例
えば、透光性樹脂からなる光透過性シートを各種接着剤
や粘着剤により第1誘電体層31に貼り付けて透光性基
体としたり、塗布法を利用して透光性樹脂層を第1誘電
体層31上に直接形成して透光性基体としたりすればよ
い。
【0037】図2に示す透光性基体2においても図1と
同様に、記録再生光入射側から見て、グルーブ21表面
はランド22表面に対し相対的に手前側に存在する。透
光性基体2がもつランド22およびグルーブ21は、そ
のネガパターンである凹凸パターンを支持基体20表面
に設け、その上に誘電体層、記録層等および透光性基体
2を設けて前記凹凸パターンを転写することにより形成
できる。
【0038】第1誘電体層31および第2誘電体層32 これらの誘電体層は、記録層の酸化、変質を防ぎ、ま
た、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向
に逃がすことにより、支持基体20や透光性基体2を保
護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、
変調度を向上させることができる。各誘電体層は、組成
の相異なる2層以上の誘電体層を積層した構成としても
よい。
【0039】これらの誘電体層に用いる誘電体として
は、例えば、Si、Ge、Zn、Al、希土類元素等か
ら選択される少なくとも1種の金属成分を含む各種化合
物が好ましい。化合物としては、酸化物、窒化物または
硫化物が好ましく、これらの化合物の2種以上を含有す
る混合物を用いることもできる。具体的には、例えば硫
化亜鉛と酸化ケイ素との混合物(ZnS−SiO2)、
窒化アルミニウム、酸化アルミニウムなどが好ましい。
第1誘電体層および第2誘電体層の厚さは、保護効果や
変調度向上効果が十分に得られるように適宜決定すれば
よいが、通常、第1誘電体層31の厚さは好ましくは3
0〜300nm、より好ましくは50〜250nmであり、
第2誘電体層32の厚さは好ましくは10〜50nm、よ
り好ましくは13〜45nmである。各誘電体層は、スパ
ッタ法により形成することが好ましい。
【0040】記録層4 記録層の組成は特に限定されず、各種相変化材料から適
宜選択すればよいが、少なくともSbおよびTeを含有
するものが好ましい。SbおよびTeだけからなる記録
層は、結晶化温度が130℃程度と低く、保存信頼性が
不十分なので、結晶化温度を向上させるために他の元素
を添加することが好ましい。この場合の添加元素として
は、In、Ag、Au、Bi、Se、Al、P、Ge、
H、Si、C、V、W、Ta、Zn、Ti、Sn、P
b、Pdおよび希土類元素(Sc、Yおよびランタノイ
ド)から選択される少なくとも1種が好ましい。これら
のうちでは、保存信頼性向上効果が特に高いことから、
希土類元素、Ag、InおよびGeから選択される少な
くとも1種が好ましい。
【0041】SbおよびTeを含有する組成としては、
以下のものが好ましい。SbおよびTeをそれぞれ除く
元素をMで表し、記録層構成元素の原子比を 式I (SbxTe1-x1-yy で表したとき、好ましくは 0.2≦x≦0.9、 0≦y≦0.4 であり、より好ましくは 0.5≦x≦0.85、 0.01≦y≦0.2 である。具体的には、媒体を書き換え型として用いるか
追記型として用いるかに応じ、かつ、記録線速度や媒体
の熱設計に応じ、xを適宜決定すればよい。
【0042】書き換え型である場合、上記式Iにおいて
Sbの含有量を表すxが小さすぎると、結晶化速度が遅
くなるため、比較的速い線速度での記録マークの消去が
困難となる。また、記録層の結晶質領域での反射率が低
くなるため、再生信号出力が低くなる。また、xが著し
く小さいと、記録も困難となる。一方、xが大きすぎる
と、結晶状態と非晶質状態との間での反射率差が小さく
なるため、再生信号出力が低くなってしまう。
【0043】追記型である場合、xが小さすぎると、結
晶化速度が遅くなりすぎるため、記録層の初期化が困難
となる。また、記録層の結晶質領域での反射率が低くな
るため、再生出力が低くなる。また、xが著しく小さい
と、記録も困難となる。一方、xが大きすぎると、結晶
化速度が速くなりすぎるため、追記型媒体の記録層とし
ては不適当となる。また、xが大きすぎると、結晶状態
と非晶質状態との間での反射率差が小さくなるため、再
生出力が低くなってしまう。
【0044】元素Mは特に限定されないが、保存信頼性
向上効果を示す上記元素のなかから少なくとも1種を選
択することが好ましい。元素Mの含有量を表すyが大き
すぎると、結晶化速度が速くなりすぎたり、再生出力が
低くなったりする。
【0045】記録層の厚さは、好ましくは4nm超50nm
以下、より好ましくは5〜30nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、結晶化が困難とな
る。一方、記録層が厚すぎると、記録層の熱容量が大き
くなるため記録が困難となるほか、再生信号出力の低下
も生じる。
【0046】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。
【0047】なお、本発明は、特開平8−221814
号公報に記載されている相変化型光記録媒体にも適用で
きる。この光記録媒体は、組成の異なる薄膜を積層して
記録層とすることにより、初期化(結晶化)処理を不要
としたものである。また、本発明は、特開平10−22
6173号公報に記載された相変化型光記録媒体にも適
用できる。この光記録媒体は、組成の異なる薄膜を積層
して記録層とすることにより、初期化処理の迅速化を図
ったものである。また、この光記録媒体は、追記型とし
て用いる場合には、初期化処理を不要とできるものであ
る。
【0048】反射層5 反射層5の材質は特に限定されないが、通常、Al、A
u、Ag、Pt、Cu等の単体あるいはこれらの1種以
上を含む合金などの高反射率金属から構成すればよい。
反射層は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形
成することが好ましい。
【0049】保護層6 保護層は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられ
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、0.1〜100μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
【0050】接着層 図1に示す構成例を両面記録型の光記録媒体に適用する
際には、接着層を設ける。この接着層を構成する接着剤
は特に限定されず、例えば、ホットメルト型接着剤、紫
外線硬化型接着剤、常温硬化型接着剤等のいずれであっ
てもよく、粘着剤であってもよい。
【0051】
【実施例】実施例1 射出成形によりグルーブ(幅0.2μm、深さ20nm、
ピッチ0.74μm)を同時形成した直径120mm、厚
さ0.6mmのディスク状ポリカーボネート透光性基体2
の表面に、第1誘電体層31、記録層4、第2誘電体層
32、反射層5および保護層6を以下に示す手順で形成
し、図1の構成を有する光記録ディスクサンプルとし
た。
【0052】第1誘電体層31は、Ar雰囲気中におい
てスパッタ法により形成した。ターゲットには、ZnS
(80モル%)−SiO2(20モル%)を用いた。第
1誘電体層の厚さは90nmとした。
【0053】記録層4は、スパッタ法により形成した。
記録層の組成(原子比)は Ag6In4Sb60Te30 とした。記録層の厚さは20nmとした。
【0054】第2誘電体層32は、第1誘電体層と同様
にして形成した。第2誘電体層の厚さは30nmとした。
【0055】反射層5は、ターゲットとしてAl−1.
7モル%Cr合金を用い、Ar雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。反射層5の厚さは100nmとし
た。
【0056】保護層6は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは5μm であった。
【0057】このようにして作製したサンプルをバルク
イレーザーにより初期化した後、光記録媒体評価装置
(パルステック社製DDU−1000)に載せ、 レーザー波長:635nm、 開口数NA:0.6、 記録信号:EFMのランダム信号、 の条件で記録および再生を行い、最適オーバーライト条
件を求めた。なお、記録パルスストラテジは、図3に例
示されるものとした。その結果、 オーバーライト線速度の最適値(Vo):3.5m/s、 消去パワーの最適値(Peo):6mW、 記録パワーの最適値(Pwo):12.5mW、 であった。また、最適バイアスパワーは0.5mWであっ
た。また、この条件でオーバーライトしたとき、再生信
号のクロックジッターは8%であった。なお、クロック
ジッターは、再生信号をタイムインターバルアナライザ
により測定し、ウインドウ幅をTwとして σ/Tw (%) により算出した。クロックジッターは、基準クロック幅
(1T)に対応する周波数に対する再生信号の時間的揺
らぎである。チルトマージンを考慮しても、すなわちデ
ィスクのチルトによるジッター増大を見込んでも、無チ
ルト時のクロックジッターが9%以下であれば信号品質
に問題はないといえる。なお、クロックジッターが13
%を超えると、使用不可能である。
【0058】次に、初期化直後の上記サンプルに、下記
表1〜表3にそれぞれ示す条件で初回記録を行った。各
表には、初回記録時の線速度Vw、消去パワーPewおよ
び記録パワーPwwを、それぞれ上記Vo、PeoおよびPw
oを用いて相対的に示してある。各表における記録パワ
ーPwwは、線速度をVwに固定し、かつ消去パワーをPe
oに固定した状態において、ジッタが最も小さくなる記
録パワーである。また、各表におけるPewの最適値は、
線速度をVwに固定し、かつ記録パワーをPwwに固定し
た状態において、ジッタが最も小さくなる消去パワーで
ある。なお、記録に際し、記録パルスストラテジは図3
に例示されるものとし、バイアスパワーは0.5mWに固
定した。
【0059】記録後、再生信号のクロックジッターを求
めた。結果を各表に示す。なお、ジッター測定は、いず
れの場合も線速度3.5m/sで行った。
【0060】
【表1】
【0061】
【表2】
【0062】
【表3】
【0063】上記各表から、本発明の効果が明らかであ
る。すなわち、上記各表では、 Vw/Vo>1 とした場合において、 0.3<Pew/Peo<1 とすることにより、ジッターが臨界的に小さくなってい
る。
【0064】実施例2 実施例1で作製したサンプルについて、以下の実験を行
った。なお、以下の記載において、実施例1における初
回記録条件とは、ケースNo.103、No.203およびN
o.303のそれぞれにおける線速度Vw、消去パワーPe
wおよび記録パワーPwwの組み合わせである。
【0065】まず、初期化後のサンプルに、実施例1に
おける初回記録と同条件で初回記録を行った後、初回記
録と同条件でオーバーライトを行った。その結果、初回
記録条件をケースNo.103、No.203およびNo.30
3のそれぞれと同じとした場合のいずれにおいても、ジ
ッターが15%を超えていた。この結果から、このサン
プルは、これら各ケースにおける初回記録時の線速度V
wにおいて、追記型媒体に必要とされる前記第3の条件
を満足することがわかる。
【0066】また、初期化後のサンプルに、実施例1に
おける初回記録と同条件で初回記録を行った後、前記第
2の条件におけるRiniを測定した。次いで、初回記録
時と同じ線速度で出力4mWの直流レーザー光を照射する
消去動作を行った。次いで、直流レーザー光照射領域に
おいてRtopおよびRbottomを測定し、(Rtop+Rbott
om)/2Riniを求めた。なお、反射レベルの測定は、
光記録媒体評価装置(パルステック社製DDU−100
0)により行った。また、直流レーザー光照射後にジッ
ターを測定した。その結果、初回記録条件をケースNo.
103のそれと同じとした場合には (Rtop+Rbottom)/2Rini=0.9 であり、ジッターは15%を超えていた。また、初回記
録条件をケースNo.203のそれと同じとした場合には (Rtop+Rbottom)/2Rini=0.7 であり、ジッターは15%を超えていた。また、初回記
録条件をケースNo.303のそれと同じとした場合には (Rtop+Rbottom)/2Rini=0.6 であり、直流レーザー光照射の前後で再生信号出力にほ
とんど変化は認められなかった。この結果から、このサ
ンプルは、これら各ケースにおける初回記録時の線速度
Vwにおいて、追記型媒体に必要とされる前記第2の条
件を満足することがわかる。
【0067】また、直流レーザー光照射後に、実施例1
における初回記録と同条件で記録を行い、ジッターを測
定した。その結果、ジッターはいずれも15%を超えて
いた。この結果から、このサンプルは、これら各ケース
における初回記録時の線速度Vwにおいて、追記型媒体
に必要とされる前記第4の条件を満足することがわか
る。
【0068】なお、照射する直流レーザー光のパワーを
4mWより高くしていくと、最終的に記録層が溶融してし
まい、レーザー光照射後に非晶質となった。すなわち、
レーザーパワーを高くしても、記録層の再結晶化は不可
能であった。
【0069】
【発明の効果】本発明では、相変化型記録層の未記録部
に初回の記録を行うに際して、オーバーライト時よりも
速い線速度を利用する。そのため、初回記録を高速に行
うことができる。しかも本発明では、高線速度で初回記
録を行う際に消去パワーがオーバーライト時よりも小さ
くなるように制御するので、高線速度記録に伴うジッタ
ーの増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】光記録媒体の構成例を示す部分断面図である。
【図2】光記録媒体の構成例を示す部分断面図である。
【図3】記録パルスストラテジの一例を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
2 透光性基体 20 支持基体 31 第1誘電体層 32 第2誘電体層 4 記録層 5 反射層 6 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴原 正典 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 青井 利樹 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 5D090 AA01 BB05 CC01 CC02 CC06 DD03 EE01 FF21 KK03 KK07 5D119 AA24 BA01 BB04 EC09

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 相変化型の記録層を有する光記録媒体に
    記録を行う方法であって、 記録層の未記録領域に記録を行う際に使用する線速度を
    Vw、消去パワーをPewとし、オーバーライトの際に使
    用する線速度をVo、消去パワーをPeoとしたとき、 Vw/Vo>1、かつ 0.3<Pew/Peo<1 とする光記録方法。
  2. 【請求項2】2≦Vw/Vo≦20 とする請求項1の光記録方法。
  3. 【請求項3】0.5≦Pew/Peo≦0.9 とする請求項1または2の光記録方法。
  4. 【請求項4】 記録層の未記録領域に記録を行う際に使
    用する記録パワーをPwwとし、オーバーライトの際に使
    用する記録パワーをPwoとしたとき、 Pww/Pwo>1 とする請求項1〜3のいずれかの光記録方法。
  5. 【請求項5】1.1≦Pww/Pwo≦2 とする請求項4の光記録方法。
  6. 【請求項6】 オーバーライトの際に使用する記録条件
    と、未記録領域に記録する際に使用する記録条件とが保
    持されている光記録媒体を用いる請求項1〜5のいずれ
    かの光記録方法。
  7. 【請求項7】 前記未記録領域が、初期化後に1回も記
    録されていない領域であるか、記録後に消去された領域
    である請求項1〜6のいずれかの光記録方法。
  8. 【請求項8】 前記線速度Voが、オーバーライトした
    ときの最適線速度であり、前記Peoが、オーバーライト
    したときの最適消去パワーである請求項1〜7のいずれ
    かの光記録方法。
  9. 【請求項9】 前記線速度Vwにおいて書き換えが不可
    能である光記録媒体に適用される請求項1〜8のいずれ
    かの光記録方法。
  10. 【請求項10】 請求項1〜9のいずれかの光記録方法
    を実施する光記録装置。
  11. 【請求項11】 請求項1〜9のいずれかの光記録方法
    が適用される光記録媒体であって、オーバーライトの際
    に使用する記録条件と、未記録領域に記録する際に使用
    する記録条件とを保持する光記録媒体。
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