JP2001335543A - 新規なトリフェニルアミンとその利用 - Google Patents
新規なトリフェニルアミンとその利用Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】100℃以上のガラス転移温度を有しながら、
安定なアモルファス性を有する新規なトリフェニルアミ
ンを提供することを目的とする。 【解決手段】本発明によれば、新規な4,4',4" −トリス
〔N,N−(9−フェナンスリル)−m−トリルアミ
ノ〕トリフェニルアミンが提供される。この化合物は、
例えば有機エレクトロルミネッセンス素子における有機
正孔(電荷)輸送剤として好適に用いることができる。
安定なアモルファス性を有する新規なトリフェニルアミ
ンを提供することを目的とする。 【解決手段】本発明によれば、新規な4,4',4" −トリス
〔N,N−(9−フェナンスリル)−m−トリルアミ
ノ〕トリフェニルアミンが提供される。この化合物は、
例えば有機エレクトロルミネッセンス素子における有機
正孔(電荷)輸送剤として好適に用いることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファス電子
材料として有用な新規なトリフェニルアミン類に関し、
詳しくは、常温でアモルファス状態を保持することがで
きるので、それ自体で薄膜化することができ、しかも、
耐熱性にすぐれるので、種々の電子デバイス素子、例え
ば、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機感光体素
子、有機太陽電池素子、電界効果型トランジスタ等にお
ける有機正孔(電荷)輸送剤として好適に用いることが
できる新規で有用なトリフェニルアミンに関する。
材料として有用な新規なトリフェニルアミン類に関し、
詳しくは、常温でアモルファス状態を保持することがで
きるので、それ自体で薄膜化することができ、しかも、
耐熱性にすぐれるので、種々の電子デバイス素子、例え
ば、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機感光体素
子、有機太陽電池素子、電界効果型トランジスタ等にお
ける有機正孔(電荷)輸送剤として好適に用いることが
できる新規で有用なトリフェニルアミンに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光を照射することによって導電性
や電荷生成等を生じる所謂光・電子機能を有する低分子
量有機化合物は、それ自体では、薄膜形成能をもたない
ので、薄膜を形成するためには、バインダー樹脂に分散
させて(即ち、希釈した状態で)、基材上に塗布し、薄
膜化することが必要である。従って、従来の光・電子機
能を有する低分子量有機化合物は、マトリックスである
バインダー樹脂の影響を受けると共に、希釈されている
ので、その本来の特性を十分に発揮することができな
い。更に、従来の光・電子機能を有する低分子量有機化
合物は、バインダーの助けを借りて、常温で比較的安定
な膜を形成させることができても、ガラス転移温度が低
いので、耐熱性に劣り、実用的なデバイスに用いること
が困難である。
や電荷生成等を生じる所謂光・電子機能を有する低分子
量有機化合物は、それ自体では、薄膜形成能をもたない
ので、薄膜を形成するためには、バインダー樹脂に分散
させて(即ち、希釈した状態で)、基材上に塗布し、薄
膜化することが必要である。従って、従来の光・電子機
能を有する低分子量有機化合物は、マトリックスである
バインダー樹脂の影響を受けると共に、希釈されている
ので、その本来の特性を十分に発揮することができな
い。更に、従来の光・電子機能を有する低分子量有機化
合物は、バインダーの助けを借りて、常温で比較的安定
な膜を形成させることができても、ガラス転移温度が低
いので、耐熱性に劣り、実用的なデバイスに用いること
が困難である。
【0003】そこで、近年、常温でアモルファス性を有
し、それ自体で薄膜を形成することができるアモルファ
ス電子材料の開発が進められた結果、例えば、4,4'−ビ
ス(N,N−フェニル−m−トリルアミノ)ジフェニル
アミン(TPD)(1)
し、それ自体で薄膜を形成することができるアモルファ
ス電子材料の開発が進められた結果、例えば、4,4'−ビ
ス(N,N−フェニル−m−トリルアミノ)ジフェニル
アミン(TPD)(1)
【0004】
【化1】
【0005】や、4,4',4" −トリス(N,N−(フェニ
ル−m−トリルアミノ)トリフェニルアミン(m−MT
DATA)(2)
ル−m−トリルアミノ)トリフェニルアミン(m−MT
DATA)(2)
【0006】
【化2】
【0007】(特開平8−291115号公報)等の芳
香族アミン類が提案されるに至っている。これらの芳香
族アミン類は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス
素子における有機正孔輸送剤として有用であることが知
られている(「月刊ディスプレイ」年1998年10月
号別冊第28〜35頁、特開平5−234681号公報
等)。
香族アミン類が提案されるに至っている。これらの芳香
族アミン類は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス
素子における有機正孔輸送剤として有用であることが知
られている(「月刊ディスプレイ」年1998年10月
号別冊第28〜35頁、特開平5−234681号公報
等)。
【0008】上述した種々の電子デバイスのなかでも、
特に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、低電圧直
流駆動、高効率、高輝度を有し、また、薄型化できるの
で、近年、バックライトや照明装置のほか、ディスプレ
イ装置として、その実用化が進められている。
特に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、低電圧直
流駆動、高効率、高輝度を有し、また、薄型化できるの
で、近年、バックライトや照明装置のほか、ディスプレ
イ装置として、その実用化が進められている。
【0009】この有機エレクトロルミネッセンス素子
は、代表的には、透明基板、例えば、ガラス基板上にI
TO膜(酸化インジウム−酸化スズ膜)のような透明電
極からなる陽極が積層されており、この陽極上に有機正
孔輸送層、有機発光層及び金属電極からなる陰極がこの
順序にて積層されてなるものであり、上記陽極と陰極は
外部の電源に接続されている。場合によっては、有機発
光層と陰極との間に有機電子輸送層が積層されることも
ある。このほか、有機エレクトロルミネッセンス素子の
層構成は、例えば、特開平6−1972号公報に記載さ
れているように、種々のものが知られている。
は、代表的には、透明基板、例えば、ガラス基板上にI
TO膜(酸化インジウム−酸化スズ膜)のような透明電
極からなる陽極が積層されており、この陽極上に有機正
孔輸送層、有機発光層及び金属電極からなる陰極がこの
順序にて積層されてなるものであり、上記陽極と陰極は
外部の電源に接続されている。場合によっては、有機発
光層と陰極との間に有機電子輸送層が積層されることも
ある。このほか、有機エレクトロルミネッセンス素子の
層構成は、例えば、特開平6−1972号公報に記載さ
れているように、種々のものが知られている。
【0010】このような有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記有機正孔輸送層は、陽極に密着し
ていて、この陽極から正孔を有機発光層に輸送すると共
に、電子をブロックし、他方、有機電子輸送層は、陰極
に密着していて、この陰極から電子を有機発光層に輸送
し、そこで、有機発光層において、陰極から注入した電
子と陽極から有機発光層に注入した正孔とが再結合する
ときに発光が生じ、これが透明電極(陽極)と透明基板
を通して外部に放射される。
素子においては、上記有機正孔輸送層は、陽極に密着し
ていて、この陽極から正孔を有機発光層に輸送すると共
に、電子をブロックし、他方、有機電子輸送層は、陰極
に密着していて、この陰極から電子を有機発光層に輸送
し、そこで、有機発光層において、陰極から注入した電
子と陽極から有機発光層に注入した正孔とが再結合する
ときに発光が生じ、これが透明電極(陽極)と透明基板
を通して外部に放射される。
【0011】しかし、このような有機エレクトロルミネ
ッセンス素子等の電子デバイスへの利用において、上述
した芳香族アミン類はいずれも、ガラス転移温度が低
く、実用的な電子テバイスに用いるには、耐熱性に難が
ある。
ッセンス素子等の電子デバイスへの利用において、上述
した芳香族アミン類はいずれも、ガラス転移温度が低
く、実用的な電子テバイスに用いるには、耐熱性に難が
ある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のアモ
ルファス電子材料としての芳香族アミン類におけるこの
ような問題を解決するためになされたものであって、1
00℃以上のガラス転移温度を有しながら、安定なアモ
ルファス性を有する新規なトリフェニルアミンを提供す
ることを目的とする。
ルファス電子材料としての芳香族アミン類におけるこの
ような問題を解決するためになされたものであって、1
00℃以上のガラス転移温度を有しながら、安定なアモ
ルファス性を有する新規なトリフェニルアミンを提供す
ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、次式
(3)
(3)
【0014】
【化3】
【0015】で表わされる4,4',4" −トリス〔N,N−
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン(m−MTPPATA)が提供される。
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン(m−MTPPATA)が提供される。
【0016】
【発明の実施の形態】かかる本発明によるトリフェニル
アミンは、4,4',4"−トリヨードトリフェニルアミンと
m−トリル−9−フェナンスリルアミンとを塩基及び銅
粉の存在下に溶剤中で反応させることによって得ること
ができる。
アミンは、4,4',4"−トリヨードトリフェニルアミンと
m−トリル−9−フェナンスリルアミンとを塩基及び銅
粉の存在下に溶剤中で反応させることによって得ること
ができる。
【0017】塩基としては、水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましく用いら
れ、また、溶剤としては、炭化水素、例えば、メシチレ
ンが好ましく用いられるが、これらに限定されるもので
はない。
トリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましく用いら
れ、また、溶剤としては、炭化水素、例えば、メシチレ
ンが好ましく用いられるが、これらに限定されるもので
はない。
【0018】本発明による新規なトリフェニルアミン
は、分子の中心にあるトリアミノトリフェニルアミン構
造が酸化電位を低くする役割を果たし、電荷注入効率及
び電荷輸送効率を向上させ、分子の外縁をなすm−トリ
ル基と9−フェナンスリル基の非対称構造がアモルファ
ス膜の形成能を向上させ、更に、フェナンスリル基の剛
直性によって、ガラス転移温度が148℃もの高い温度
であり、かくして、耐熱性に非常にすぐれる。
は、分子の中心にあるトリアミノトリフェニルアミン構
造が酸化電位を低くする役割を果たし、電荷注入効率及
び電荷輸送効率を向上させ、分子の外縁をなすm−トリ
ル基と9−フェナンスリル基の非対称構造がアモルファ
ス膜の形成能を向上させ、更に、フェナンスリル基の剛
直性によって、ガラス転移温度が148℃もの高い温度
であり、かくして、耐熱性に非常にすぐれる。
【0019】本発明によるトリフェニルアミンが異方性
をもたないアモルファス状態にあることは、例えば、ガ
ラス転移温度を有することや、粉末X線回折において明
確なピークを示さないこと等によって立証される。
をもたないアモルファス状態にあることは、例えば、ガ
ラス転移温度を有することや、粉末X線回折において明
確なピークを示さないこと等によって立証される。
【0020】本発明によるトリフェニルアミンは、例え
ば、有機エレクトロルミネッセント素子における有機正
孔輸送剤として有用であり、単独で用いてもよく、ま
た、イオンポテンシャルが5.0〜5.2eVである材料と
共に共蒸着して用いてもよい。
ば、有機エレクトロルミネッセント素子における有機正
孔輸送剤として有用であり、単独で用いてもよく、ま
た、イオンポテンシャルが5.0〜5.2eVである材料と
共に共蒸着して用いてもよい。
【0021】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げる。
【0022】実施例1 (4,4',4" −トリス〔N,N−(9−フェナンスリル)
−m−トリルアミノ〕トリフェニルアミン(m−MTP
PATA)の合成)m−トリル−9−フェナンスリルア
ミン4.0g、4,4',4"−トリヨードトリフェニルアミン
1.8g、水酸化カリウム0.8g、銅粉2.0g及びメシチ
レン10mLを三つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気
下、180℃の温度にて30時間反応させた。この後、
得られた反応混合物にエタノールを加えて再沈殿させ、
得られた沈殿をトルエンに溶解させ、この溶液をシリカ
ゲルクロマトグラフィーに付して、反応生成物を分取し
た。この反応生成物をトルエン−エタノール混合溶媒か
ら2回再結晶を行なって、4,4',4" −トリス〔N,N−
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン1.97gを黄色固体として得た。収率64
%。
−m−トリルアミノ〕トリフェニルアミン(m−MTP
PATA)の合成)m−トリル−9−フェナンスリルア
ミン4.0g、4,4',4"−トリヨードトリフェニルアミン
1.8g、水酸化カリウム0.8g、銅粉2.0g及びメシチ
レン10mLを三つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気
下、180℃の温度にて30時間反応させた。この後、
得られた反応混合物にエタノールを加えて再沈殿させ、
得られた沈殿をトルエンに溶解させ、この溶液をシリカ
ゲルクロマトグラフィーに付して、反応生成物を分取し
た。この反応生成物をトルエン−エタノール混合溶媒か
ら2回再結晶を行なって、4,4',4" −トリス〔N,N−
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン1.97gを黄色固体として得た。収率64
%。
【0023】融点: 196.1℃ 元素分析値(%): FT−IR(フーリエ変換赤外線吸収分析法、KBr錠
剤法):スペクトルを図1に示す。 示差走査熱量測定(DSC):DSCチャートを図2に
示すように、結晶化のピークがみられず、非常に安定な
アモルファス性を有する。また、ガラス転移点(Tg)
は148℃であって、耐熱性にもすぐれる。 サイクリックボルタンメトリー(CV):CVチャート
を図3に示す。酸化電位0.066(vs Ag/A
g+)であり、有機正孔輸送剤として好適に用いること
ができることが示される。
剤法):スペクトルを図1に示す。 示差走査熱量測定(DSC):DSCチャートを図2に
示すように、結晶化のピークがみられず、非常に安定な
アモルファス性を有する。また、ガラス転移点(Tg)
は148℃であって、耐熱性にもすぐれる。 サイクリックボルタンメトリー(CV):CVチャート
を図3に示す。酸化電位0.066(vs Ag/A
g+)であり、有機正孔輸送剤として好適に用いること
ができることが示される。
【0024】実施例2 ITO透明電極(陽極)上に有機正孔輸送層としてm−
MTPPATA層(膜厚50nm)と4,4'−ビス(N,
N−α−ナフチル−m−トリルアミノ)ジフェニルアミ
ン(α−NPD)層(膜厚10nm)と発光層としてト
リス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3 )層
(膜厚50nm)をこの順序で真空蒸着法によって積層
し、この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を共蒸着
して、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
上記電極間に電圧を印加して、上記素子の輝度を測定し
た。結果を表1に示す。
MTPPATA層(膜厚50nm)と4,4'−ビス(N,
N−α−ナフチル−m−トリルアミノ)ジフェニルアミ
ン(α−NPD)層(膜厚10nm)と発光層としてト
リス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3 )層
(膜厚50nm)をこの順序で真空蒸着法によって積層
し、この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を共蒸着
して、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
上記電極間に電圧を印加して、上記素子の輝度を測定し
た。結果を表1に示す。
【0025】比較例1 4,4',4" −トリス〔N,N−(フェニル−m−トリルア
ミノ〕トリフェニルアミン(m−MTDATA)のDS
Cチャートを図4に示すように、ガラス転移温度は約7
7℃である。
ミノ〕トリフェニルアミン(m−MTDATA)のDS
Cチャートを図4に示すように、ガラス転移温度は約7
7℃である。
【0026】比較例2 ITO透明電極(陽極)上に有機正孔輸送層としてα−
NPD層(膜厚60nm)と発光層としてAlq3 層
(膜厚50nm)をこの順序で真空蒸着法によって積層
し、この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を共蒸着
して、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
上記電極間に電圧を印加して、上記素子の輝度を測定し
た。結果を表1に示す。
NPD層(膜厚60nm)と発光層としてAlq3 層
(膜厚50nm)をこの順序で真空蒸着法によって積層
し、この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を共蒸着
して、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
上記電極間に電圧を印加して、上記素子の輝度を測定し
た。結果を表1に示す。
【0027】
【表1】
【0028】このように、本発明による新規なトリフェ
ニルアミン、即ち、4,4',4" −トリス〔N,N−(9−
フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン(m−MTPPATA)は、有機正孔輸送剤として
有効に機能し、例えば、このトリフェニルアミンからな
る有機正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセン
ス素子によれば、比較例2によるα−NPDからなる有
機正孔層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子と
比較して明らかなように、駆動電圧の低下に大きく寄与
することができる。
ニルアミン、即ち、4,4',4" −トリス〔N,N−(9−
フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン(m−MTPPATA)は、有機正孔輸送剤として
有効に機能し、例えば、このトリフェニルアミンからな
る有機正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセン
ス素子によれば、比較例2によるα−NPDからなる有
機正孔層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子と
比較して明らかなように、駆動電圧の低下に大きく寄与
することができる。
【0029】更に、本発明による新規なトリフェニルア
ミンは、耐熱性やアモルファス安定性にすぐれるので、
電子デバイスの信頼性の向上に有用である。
ミンは、耐熱性やアモルファス安定性にすぐれるので、
電子デバイスの信頼性の向上に有用である。
【0030】
【発明の効果】本発明によって、新規なトリフェニルア
ミン、即ち、4,4',4" −トリス〔N,N−(9−フェナ
ンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェニルアミン
(m−MTPPATA)が提供される。このようなトリ
フェニルアミンは、従来、知られているトリフェニルア
ミン類に比べて、常温にてより安定なアモルファス状
態、即ち、ガラス状態を保持することができ、しかも、
148℃もの高いガラス転移温度を有する。
ミン、即ち、4,4',4" −トリス〔N,N−(9−フェナ
ンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェニルアミン
(m−MTPPATA)が提供される。このようなトリ
フェニルアミンは、従来、知られているトリフェニルア
ミン類に比べて、常温にてより安定なアモルファス状
態、即ち、ガラス状態を保持することができ、しかも、
148℃もの高いガラス転移温度を有する。
【0031】従って、本発明によるトリフェニルアミン
のアモルファス状態を利用することによって、それ自体
で容易に薄膜化することができ、例えば、キャステイン
グ法や真空蒸着等によって容易に薄膜化でき、また、大
面積の薄膜も容易に得ることができる。従って、本発明
による化合物は、アモルファス電子材料として、種々の
電子デバイス素子、例えば、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子、有機感光体素子、有機太陽電池素子、電界効
果型トランジスタ等における有機正孔(電荷)輸送剤等
として、好適に用いることができる。
のアモルファス状態を利用することによって、それ自体
で容易に薄膜化することができ、例えば、キャステイン
グ法や真空蒸着等によって容易に薄膜化でき、また、大
面積の薄膜も容易に得ることができる。従って、本発明
による化合物は、アモルファス電子材料として、種々の
電子デバイス素子、例えば、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子、有機感光体素子、有機太陽電池素子、電界効
果型トランジスタ等における有機正孔(電荷)輸送剤等
として、好適に用いることができる。
【図1】は、本発明による4,4',4" −トリス〔N,N−
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン(m−MTPPATA)のFT−IRスペク
トルである。
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン(m−MTPPATA)のFT−IRスペク
トルである。
【図2】は、本発明による4,4',4" −トリス〔N,N−
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン(m−MTPPATA)のDSCチャートで
ある。
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン(m−MTPPATA)のDSCチャートで
ある。
【図3】は、本発明による4,4',4" −トリス〔N,N−
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン(m−MTPPATA)のCVチャートであ
る。
(9−フェナンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェ
ニルアミン(m−MTPPATA)のCVチャートであ
る。
【図4】は、4,4',4" −トリス〔N,N−(フェニル−
m−トリルアミノ〕トリフェニルアミン(m−MTDA
TA)のDSCチャートである。
m−トリルアミノ〕トリフェニルアミン(m−MTDA
TA)のDSCチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲田 宏 神戸市兵庫区明和通3丁目2番15号 バン ドー化学株式会社内 (72)発明者 亀野 功 神戸市兵庫区明和通3丁目2番15号 バン ドー化学株式会社内 (72)発明者 城田 靖彦 大阪府豊中市大黒町3丁目5番7号 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB14 FA01 4H006 AA01 AA03 AB92 4K029 BA62 BC07 BD00 CA01
Claims (4)
- 【請求項1】4,4',4" −トリス〔N,N−(9−フェナ
ンスリル)−m−トリルアミノ〕トリフェニルアミン。 - 【請求項2】請求項1に記載のトリフェニルアミンから
なる有機正孔輸送剤。 - 【請求項3】請求項2に記載の正孔輸送剤からなる有機
正孔輸送層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項4】請求項1に記載のトリフェニルアミンをイ
オンポテンシャルが5.0〜5.2eVである材料と共に共
蒸着してなる層を正孔輸送層として備えた有機エレクト
ロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000164765A JP2001335543A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 新規なトリフェニルアミンとその利用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000164765A JP2001335543A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 新規なトリフェニルアミンとその利用 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001335543A true JP2001335543A (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=18668347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000164765A Pending JP2001335543A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 新規なトリフェニルアミンとその利用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001335543A (ja) |
-
2000
- 2000-05-30 JP JP2000164765A patent/JP2001335543A/ja active Pending
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