JP2001335542A - 新規なトリフェニルアミン類とその利用 - Google Patents
新規なトリフェニルアミン類とその利用Info
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
- C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
- C07C211/58—Naphthylamines; N-substituted derivatives thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】１００℃以上のガラス転移温度を有しながら、
安定なアモルファスを有し、更に、有機溶媒への溶解性
にもすぐれ、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素
子における有機正孔（電荷）輸送剤として好適に用いる
ことができる新規なトリフェニルアミン類を提供する。 【解決手段】本発明によるトリフェニルアミン類は、 （式中、Ａは１−ナフチル基又は２−ナフチル基を示
す。）で表わされる。
安定なアモルファスを有し、更に、有機溶媒への溶解性
にもすぐれ、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素
子における有機正孔（電荷）輸送剤として好適に用いる
ことができる新規なトリフェニルアミン類を提供する。 【解決手段】本発明によるトリフェニルアミン類は、 （式中、Ａは１−ナフチル基又は２−ナフチル基を示
す。）で表わされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファス電子
材料として有用な新規なトリフェニルアミン類に関し、
詳しくは、常温でアモルファス状態を保持することがで
きるので、それ自体で薄膜化することができ、しかも、
耐熱性にすぐれるので、種々の電子デバイス素子、例え
ば、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機感光体素
子、有機太陽電池素子、電界効果型トランジスタ等にお
ける有機正孔（電荷）輸送剤として好適に用いることが
できる新規で有用なトリフェニルアミン類に関する。
材料として有用な新規なトリフェニルアミン類に関し、
詳しくは、常温でアモルファス状態を保持することがで
きるので、それ自体で薄膜化することができ、しかも、
耐熱性にすぐれるので、種々の電子デバイス素子、例え
ば、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機感光体素
子、有機太陽電池素子、電界効果型トランジスタ等にお
ける有機正孔（電荷）輸送剤として好適に用いることが
できる新規で有用なトリフェニルアミン類に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光を照射することによって導電性
や電荷生成等を生じる所謂光・電子機能を有する低分子
量有機化合物は、それ自体では、薄膜形成能をもたない
ので、薄膜を形成するためには、バインダー樹脂に分散
させて（即ち、希釈した状態で）、基材上に塗布し、薄
膜化することが必要である。従って、従来の光・電子機
能を有する低分子量有機化合物は、マトリックスである
バインダー樹脂の影響を受けると共に、希釈されている
ので、その本来の特性を十分に発揮することができな
い。更に、従来の光・電子機能を有する低分子量有機化
合物は、バインダーの助けを借りて、常温で比較的安定
な膜を形成させることができても、ガラス転移温度が低
いので、耐熱性に劣り、実用的なデバイスに用いること
が困難である。
や電荷生成等を生じる所謂光・電子機能を有する低分子
量有機化合物は、それ自体では、薄膜形成能をもたない
ので、薄膜を形成するためには、バインダー樹脂に分散
させて（即ち、希釈した状態で）、基材上に塗布し、薄
膜化することが必要である。従って、従来の光・電子機
能を有する低分子量有機化合物は、マトリックスである
バインダー樹脂の影響を受けると共に、希釈されている
ので、その本来の特性を十分に発揮することができな
い。更に、従来の光・電子機能を有する低分子量有機化
合物は、バインダーの助けを借りて、常温で比較的安定
な膜を形成させることができても、ガラス転移温度が低
いので、耐熱性に劣り、実用的なデバイスに用いること
が困難である。
【０００３】そこで、近年、常温でアモルファス性を有
し、それ自体で薄膜を形成することができるアモルファ
ス電子材料の開発が進められた結果、例えば、4,4',4"
−トリス（Ｎ,Ｎ−フェニル−ｍ−トリルアミノ）トリ
フェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）（１）
し、それ自体で薄膜を形成することができるアモルファ
ス電子材料の開発が進められた結果、例えば、4,4',4"
−トリス（Ｎ,Ｎ−フェニル−ｍ−トリルアミノ）トリ
フェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）（１）
【０００４】
【化２】
【０００５】（特開平１−２２４３５３号公報）や、ま
た、4,4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（２−ナフチル）フェ
ニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）
（２）
た、4,4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（２−ナフチル）フェ
ニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）
（２）
【０００６】
【化３】
【０００７】（特開平８−２９１１１５号公報）や4,
4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（１−ナフチル）フェニルア
ミノ）トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等が提案
されるに至っている。これらのトリフェニルアミン類
は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子におけ
る正孔輸送剤として有用であることが知られている
（「月刊ディスプレイ」年１９９８年１０月号別冊第２
８〜３５頁、特開平５−２３４６８１号公報等）。
4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（１−ナフチル）フェニルア
ミノ）トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等が提案
されるに至っている。これらのトリフェニルアミン類
は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子におけ
る正孔輸送剤として有用であることが知られている
（「月刊ディスプレイ」年１９９８年１０月号別冊第２
８〜３５頁、特開平５−２３４６８１号公報等）。
【０００８】上述した種々の電子デバイスのなかでも、
特に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、低電圧直
流駆動、高効率、高輝度を有し、また、薄型化できるの
で、近年、バックライトや照明装置のほか、ディスプレ
イ装置として、その実用化が進められている。
特に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、低電圧直
流駆動、高効率、高輝度を有し、また、薄型化できるの
で、近年、バックライトや照明装置のほか、ディスプレ
イ装置として、その実用化が進められている。
【０００９】この有機エレクトロルミネッセンス素子
は、代表的には、透明基板、例えば、ガラス基板上にＩ
ＴＯ膜（酸化インジウム−酸化スズ膜）のような透明電
極からなる陽極が積層されており、この陽極上に有機正
孔輸送層、有機発光層及び金属電極からなる陰極がこの
順序にて積層されてなるものであり、上記陽極と陰極は
外部の電源に接続されている。場合によっては、有機発
光層と陰極との間に有機電子輸送層が積層されることも
ある。このほか、有機エレクトロルミネッセンス素子の
層構成は、例えば、特開平６−１９７２号公報に記載さ
れているように、種々のものが知られている。
は、代表的には、透明基板、例えば、ガラス基板上にＩ
ＴＯ膜（酸化インジウム−酸化スズ膜）のような透明電
極からなる陽極が積層されており、この陽極上に有機正
孔輸送層、有機発光層及び金属電極からなる陰極がこの
順序にて積層されてなるものであり、上記陽極と陰極は
外部の電源に接続されている。場合によっては、有機発
光層と陰極との間に有機電子輸送層が積層されることも
ある。このほか、有機エレクトロルミネッセンス素子の
層構成は、例えば、特開平６−１９７２号公報に記載さ
れているように、種々のものが知られている。
【００１０】このような有機エレクトロルミネッセンス
素子においては、上記有機正孔輸送層は、陽極に密着し
ていて、この陽極から正孔を有機発光層に輸送すると共
に、電子をブロックし、他方、有機電子輸送層は、陰極
に密着していて、この陰極から電子を有機発光層に輸送
し、そこで、有機発光層において、陰極から注入した電
子と陽極から有機発光層に注入した正孔とが再結合する
ときに発光が生じ、これが透明電極（陽極）と透明基板
を通して外部に放射される。
素子においては、上記有機正孔輸送層は、陽極に密着し
ていて、この陽極から正孔を有機発光層に輸送すると共
に、電子をブロックし、他方、有機電子輸送層は、陰極
に密着していて、この陰極から電子を有機発光層に輸送
し、そこで、有機発光層において、陰極から注入した電
子と陽極から有機発光層に注入した正孔とが再結合する
ときに発光が生じ、これが透明電極（陽極）と透明基板
を通して外部に放射される。
【００１１】しかし、このような有機エレクトロルミネ
ッセンス素子等の電子デバイスへの利用において、上述
した4,4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−フェニル−ｍ−トリル
アミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）は、
ガラス転移温度が約７７℃であり、実用的な電子テバイ
スに用いるには、耐熱性に難がある。他方、上記4,4',
4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（２−又は１−ナフチル）フェニ
ルアミノ）トリフェニルアミン（２−又は１−ＴＮＡＴ
Ａ）は、１１０℃前後のガラス転移温度を有し、耐熱性
にすぐれたアモルファス膜を形成するが、比較的結晶し
やすい性質を有しており、安定なアモルファス性を有す
るとはいい難い。更に、従来より知られているこのよう
なトリフェニルアミン類は、通常、多くの有機溶媒に難
溶性であるので、原料の反応によって得られた粗製品を
精製するために多量の有機溶媒を必要とし、工業的に製
造するには問題である。
ッセンス素子等の電子デバイスへの利用において、上述
した4,4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−フェニル−ｍ−トリル
アミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）は、
ガラス転移温度が約７７℃であり、実用的な電子テバイ
スに用いるには、耐熱性に難がある。他方、上記4,4',
4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（２−又は１−ナフチル）フェニ
ルアミノ）トリフェニルアミン（２−又は１−ＴＮＡＴ
Ａ）は、１１０℃前後のガラス転移温度を有し、耐熱性
にすぐれたアモルファス膜を形成するが、比較的結晶し
やすい性質を有しており、安定なアモルファス性を有す
るとはいい難い。更に、従来より知られているこのよう
なトリフェニルアミン類は、通常、多くの有機溶媒に難
溶性であるので、原料の反応によって得られた粗製品を
精製するために多量の有機溶媒を必要とし、工業的に製
造するには問題である。
【００１２】本発明は、従来のアモルファス電子材料と
してのトリフェニルアミン類におけるこのような問題を
解決するためになされたものであって、１００℃以上の
ガラス転移温度を有しながら、安定なアモルファス性を
有し、更に、有機溶媒への溶解性にもすぐれる新規なト
リフェニルアミン類を提供することを目的とする。
してのトリフェニルアミン類におけるこのような問題を
解決するためになされたものであって、１００℃以上の
ガラス転移温度を有しながら、安定なアモルファス性を
有し、更に、有機溶媒への溶解性にもすぐれる新規なト
リフェニルアミン類を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一般式
（Ｉ）
（Ｉ）
【００１４】
【化４】
【００１５】（式中、Ａは１−ナフチル基又は２−ナフ
チル基を示す。）で表わされるトリフェニルアミン類が
提供される。
チル基を示す。）で表わされるトリフェニルアミン類が
提供される。
【００１６】
【発明の実施の形態】かかる本発明によるトリフェニル
アミン類は、目的とするトリフェニルアミン類に応じ
て、4,4',4"-トリヨードトリフェニルアミンとｍ−トリ
ル−１−又は２−ナフチルアミンとを塩基及び銅粉の存
在下に溶剤中で反応させることによって得ることができ
る。
アミン類は、目的とするトリフェニルアミン類に応じ
て、4,4',4"-トリヨードトリフェニルアミンとｍ−トリ
ル−１−又は２−ナフチルアミンとを塩基及び銅粉の存
在下に溶剤中で反応させることによって得ることができ
る。
【００１７】塩基としては、水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましく用いら
れ、また、溶剤としては、炭化水素、例えば、メシチレ
ンが好ましく用いられるが、これらに限定されるもので
はない。
トリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましく用いら
れ、また、溶剤としては、炭化水素、例えば、メシチレ
ンが好ましく用いられるが、これらに限定されるもので
はない。
【００１８】本発明による新規なトリフェニルアミン類
は、分子の中心にあるトリアミノトリフェニルアミン構
造が酸化電位を低くする役割を果たし、電荷注入効率及
び電荷輸送効率を向上させ、分子の外縁をなすｍ−トリ
ル基及びナフチル基の非対称構造がアモルファス膜の形
成能を向上させ、更に、ナフチル基の剛直性によって、
ガラス転移温度が１００℃以上の高い温度であり、かく
して、耐熱性にすぐれる。
は、分子の中心にあるトリアミノトリフェニルアミン構
造が酸化電位を低くする役割を果たし、電荷注入効率及
び電荷輸送効率を向上させ、分子の外縁をなすｍ−トリ
ル基及びナフチル基の非対称構造がアモルファス膜の形
成能を向上させ、更に、ナフチル基の剛直性によって、
ガラス転移温度が１００℃以上の高い温度であり、かく
して、耐熱性にすぐれる。
【００１９】本発明による化合物が異方性をもたないア
モルファス状態にあることは、例えば、ガラス転移温度
を有することや、粉末Ｘ線回折において明確なピークを
示さないこと等によって立証される。
モルファス状態にあることは、例えば、ガラス転移温度
を有することや、粉末Ｘ線回折において明確なピークを
示さないこと等によって立証される。
【００２０】本発明によるトリフェニルアミン類は、例
えば、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機
正孔輸送剤として有用であり、単独で用いてもよく、ま
た、前述した4,4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（２−ナフチ
ル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡ
ＴＡ）や4,4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（１−ナフチル）
フェニルアミノ）トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴ
Ａ）との混合物として用いてもよい。
えば、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機
正孔輸送剤として有用であり、単独で用いてもよく、ま
た、前述した4,4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（２−ナフチ
ル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡ
ＴＡ）や4,4',4" −トリス（Ｎ,Ｎ−（１−ナフチル）
フェニルアミノ）トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴ
Ａ）との混合物として用いてもよい。
【００２１】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げる。
【００２２】実施例１ （4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（１−ナフチル）−ｍ−
トリルアミノ〕トリフェニルアミン（１−ＭＴＮＡＴ
Ａ）の合成）ｍ−トリル−１−ナフチルアミン１5.０
ｇ、4,4',4"−トリヨードトリフェニルアミン8.１ｇ、
水酸化カリウム7.２ｇ、銅粉5.０ｇ及びメシチレン３０
ｍＬを三つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気下、１８０
℃の温度にて２４時間反応させた。この後、得られた反
応混合物にエタノールを加えて再沈殿させ、得られた沈
殿をトルエンに溶解させ、この溶液をシリカゲルクロマ
トグラフィーに付して、反応生成物を分取した。この反
応生成物をトルエン−エタノール混合溶媒から２回再結
晶を行なって、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（１−ナフ
チル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン6.９ｇ
を黄色固体として得た。収率５6.４％。
トリルアミノ〕トリフェニルアミン（１−ＭＴＮＡＴ
Ａ）の合成）ｍ−トリル−１−ナフチルアミン１5.０
ｇ、4,4',4"−トリヨードトリフェニルアミン8.１ｇ、
水酸化カリウム7.２ｇ、銅粉5.０ｇ及びメシチレン３０
ｍＬを三つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気下、１８０
℃の温度にて２４時間反応させた。この後、得られた反
応混合物にエタノールを加えて再沈殿させ、得られた沈
殿をトルエンに溶解させ、この溶液をシリカゲルクロマ
トグラフィーに付して、反応生成物を分取した。この反
応生成物をトルエン−エタノール混合溶媒から２回再結
晶を行なって、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（１−ナフ
チル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン6.９ｇ
を黄色固体として得た。収率５6.４％。
【００２３】元素分析値（％）： ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外線吸収分析法、ＫＢｒ錠
剤法）：スペクトルを図１に示す。 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）:ＤＳＣチャートを図２に
示すように、結晶化のピークがみられず、非常に安定な
アモルファス性を有する。また、ガラス転移点（Ｔｇ）
は１０６℃であって、耐熱性にもすぐれる。 サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）：ＣＶチャート
を図３に示す。酸化電位0.０７Ｖ（ｖｓ Ａｇ／Ａ
ｇ+）であり、正孔輸送剤として好適に用いることがで
きることが示される。
剤法）：スペクトルを図１に示す。 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）:ＤＳＣチャートを図２に
示すように、結晶化のピークがみられず、非常に安定な
アモルファス性を有する。また、ガラス転移点（Ｔｇ）
は１０６℃であって、耐熱性にもすぐれる。 サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）：ＣＶチャート
を図３に示す。酸化電位0.０７Ｖ（ｖｓ Ａｇ／Ａ
ｇ+）であり、正孔輸送剤として好適に用いることがで
きることが示される。
【００２４】実施例２ （4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（２−ナフチル）−ｍ−
トリルアミノ〕トリフェニルアミン（２−ＭＴＮＡＴ
Ａ）の合成）ｍ−トリル−２−ナフチルアミン１5.２
ｇ、4,4',4"−トリヨードトリフェニルアミン8.３ｇ、
水酸化カリウム7.５ｇ、銅粉3.０ｇ及びメシチレン３０
ｍＬを三つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気下、１８０
℃の温度にて２４時間反応させた。この後、得られた反
応混合物にエタノールを加えて再沈殿させ、得られた沈
殿をトルエンに溶解させ、この溶液をシリカゲルクロマ
トグラフィーに付して、反応生成物を分取した。この反
応生成物をトルエン−エタノール混合溶媒から２回再結
晶を行なって、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（２−ナフ
チル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン9.６ｇ
を黄色固体として得た。収率７6.９％。元素分析値
（％）：
トリルアミノ〕トリフェニルアミン（２−ＭＴＮＡＴ
Ａ）の合成）ｍ−トリル−２−ナフチルアミン１5.２
ｇ、4,4',4"−トリヨードトリフェニルアミン8.３ｇ、
水酸化カリウム7.５ｇ、銅粉3.０ｇ及びメシチレン３０
ｍＬを三つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気下、１８０
℃の温度にて２４時間反応させた。この後、得られた反
応混合物にエタノールを加えて再沈殿させ、得られた沈
殿をトルエンに溶解させ、この溶液をシリカゲルクロマ
トグラフィーに付して、反応生成物を分取した。この反
応生成物をトルエン−エタノール混合溶媒から２回再結
晶を行なって、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（２−ナフ
チル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン9.６ｇ
を黄色固体として得た。収率７6.９％。元素分析値
（％）：
【００２５】 ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外線吸収分析法、ＫＢｒ錠
剤法）：スペクトルを図４に示す。 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）:ＤＳＣチャートを図５に
示すように、結晶化のピークがみられず、非常に安定な
アモルファス性を有する。また、ガラス転移点（Ｔｇ）
は１０５℃であって、耐熱性にもすぐれる。 サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）：ＣＶチャート
を図６に示す。酸化電位0.１１Ｖ（ｖｓ Ａｇ／Ａ
ｇ+）であり、有機正孔輸送剤として好適に用いること
ができることが示される。
剤法）：スペクトルを図４に示す。 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）:ＤＳＣチャートを図５に
示すように、結晶化のピークがみられず、非常に安定な
アモルファス性を有する。また、ガラス転移点（Ｔｇ）
は１０５℃であって、耐熱性にもすぐれる。 サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）：ＣＶチャート
を図６に示す。酸化電位0.１１Ｖ（ｖｓ Ａｇ／Ａ
ｇ+）であり、有機正孔輸送剤として好適に用いること
ができることが示される。
【００２６】実施例３ ＩＴＯ透明電極（陽極）上に有機正孔輸送層として１−
ＭＴＮＡＴＡ層（膜厚５０ｎｍ）と4,4'−ビス（Ｎ,Ｎ
−α−ナフチル−ｍ−トリルアミノ）ジフェニルアミン
（α−ＮＰＤ）層（膜厚１０ｎｍ）と発光層としてトリ
ス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）層
（膜厚５０ｎｍ）をこの順序で真空蒸着法によって積層
し、この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を共蒸着
して、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
上記電極間に電圧を印加して、上記素子の輝度を測定し
た。結果を表１に示す。
ＭＴＮＡＴＡ層（膜厚５０ｎｍ）と4,4'−ビス（Ｎ,Ｎ
−α−ナフチル−ｍ−トリルアミノ）ジフェニルアミン
（α−ＮＰＤ）層（膜厚１０ｎｍ）と発光層としてトリ
ス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）層
（膜厚５０ｎｍ）をこの順序で真空蒸着法によって積層
し、この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を共蒸着
して、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
上記電極間に電圧を印加して、上記素子の輝度を測定し
た。結果を表１に示す。
【００２７】実施例４ 実施例３において、有機正孔輸送層の１−ＭＴＮＡＴＡ
層を２−ＭＴＮＡＴＡ層（膜厚５０ｎｍ）とした以外
は、実施例３と同様にして有機エレクトロルミネッセン
スを作製し、電極間に電圧を印加して、この素子の輝度
を測定した。結果を表１に示す。
層を２−ＭＴＮＡＴＡ層（膜厚５０ｎｍ）とした以外
は、実施例３と同様にして有機エレクトロルミネッセン
スを作製し、電極間に電圧を印加して、この素子の輝度
を測定した。結果を表１に示す。
【００２８】比較例１ 4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（フェニル−ｍ−トリルア
ミノ〕トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）のＤＳ
Ｃチャートを図７に示すように、ガラス転移温度は約７
７℃である。
ミノ〕トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）のＤＳ
Ｃチャートを図７に示すように、ガラス転移温度は約７
７℃である。
【００２９】比較例２ 4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（１−ナフチル）フェニル
アミノ〕トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）のＤＳ
Ｃチャートを図８に示すように、ガラス転移温度は１１
３℃であるが、結晶化の大きいピークを有することか
ら、結晶化しやすいことが示される。
アミノ〕トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）のＤＳ
Ｃチャートを図８に示すように、ガラス転移温度は１１
３℃であるが、結晶化の大きいピークを有することか
ら、結晶化しやすいことが示される。
【００３０】比較例３ 4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（２−ナフチル）フェニル
アミノ〕トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）のＤＳ
Ｃチャートを図９に示すように、ガラス転移温度は１０
７℃であるが、結晶化の大きいピークを有することか
ら、結晶化しやすいことが示される。
アミノ〕トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）のＤＳ
Ｃチャートを図９に示すように、ガラス転移温度は１０
７℃であるが、結晶化の大きいピークを有することか
ら、結晶化しやすいことが示される。
【００３１】比較例４ 実施例３において、有機正孔輸送層の１−ＭＴＮＡＴＡ
層を２−ＴＮＡＴＡ層（膜厚５０ｎｍ）とした以外は、
実施例３と同様にして有機エレクトロルミネッセンスを
作製し、電極間に電圧を印加して、この素子の輝度を測
定した。結果を表１に示す。
層を２−ＴＮＡＴＡ層（膜厚５０ｎｍ）とした以外は、
実施例３と同様にして有機エレクトロルミネッセンスを
作製し、電極間に電圧を印加して、この素子の輝度を測
定した。結果を表１に示す。
【００３２】比較例５ ＩＴＯ透明電極（陽極）上に有機正孔輸送層としてα−
ＮＰＤ層（膜厚６０ｎｍ）と発光層としてＡｌｑ3 層
（膜厚５０ｎｍ）をこの順序で真空蒸着法によって積層
し、この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を共蒸着
して、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
上記電極間に電圧を印加して、上記素子の輝度を測定し
た。結果を表１に示す。
ＮＰＤ層（膜厚６０ｎｍ）と発光層としてＡｌｑ3 層
（膜厚５０ｎｍ）をこの順序で真空蒸着法によって積層
し、この上に陰極としてマグネシウム−銀合金を共蒸着
して、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
上記電極間に電圧を印加して、上記素子の輝度を測定し
た。結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】このように、本発明による新規なトリフェ
ニルアミン類、即ち、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（１
−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン
（１−ＭＴＮＡＴＡ）と4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−
（２−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（２−ＭＴＮＡＴＡ）は、いずれも有機正孔輸送剤
として有効に機能し、例えば、このようなトリフェニル
アミン類からなる有機正孔輸送層を有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子によれば、比較例５によるα−Ｎ
ＰＤからなる有機正孔層を有する有機エレクトロルミネ
ッセンス素子と比較して明らかなように、駆動電圧の低
下に大きく寄与することができる。
ニルアミン類、即ち、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（１
−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン
（１−ＭＴＮＡＴＡ）と4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−
（２−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（２−ＭＴＮＡＴＡ）は、いずれも有機正孔輸送剤
として有効に機能し、例えば、このようなトリフェニル
アミン類からなる有機正孔輸送層を有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子によれば、比較例５によるα−Ｎ
ＰＤからなる有機正孔層を有する有機エレクトロルミネ
ッセンス素子と比較して明らかなように、駆動電圧の低
下に大きく寄与することができる。
【００３５】更に、本発明による新規なトリフェニルア
ミン類は、例えば、２−ＴＮＡＴＡからなる有機正孔層
を有する比較例４による有機エレクトロルミネッセンス
素子と同等の性能を有し、しかも、２−ＴＮＡＴＡに比
べて、アモルファス性にすぐれており、電子デバイスの
信頼性の向上に有用である。
ミン類は、例えば、２−ＴＮＡＴＡからなる有機正孔層
を有する比較例４による有機エレクトロルミネッセンス
素子と同等の性能を有し、しかも、２−ＴＮＡＴＡに比
べて、アモルファス性にすぐれており、電子デバイスの
信頼性の向上に有用である。
【００３６】
【発明の効果】本発明によって、新規なトリフェニルア
ミン類、即ち、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（１−ナフ
チル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン（１−
ＭＴＮＡＴＡ）又は4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（２−
ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン
（２−ＭＴＮＡＴＡ）が提供される。このようなトリフ
ェニルアミン類は、従来、知られているトリフェニルア
ミン類に比べて、常温にてより安定なアモルファス状
態、即ち、ガラス状態を保持することができ、しかも、
１００℃以上の高いガラス転移温度を有する。
ミン類、即ち、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（１−ナフ
チル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン（１−
ＭＴＮＡＴＡ）又は4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（２−
ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン
（２−ＭＴＮＡＴＡ）が提供される。このようなトリフ
ェニルアミン類は、従来、知られているトリフェニルア
ミン類に比べて、常温にてより安定なアモルファス状
態、即ち、ガラス状態を保持することができ、しかも、
１００℃以上の高いガラス転移温度を有する。
【００３７】従って、本発明によるトリフェニルアミン
類のアモルファス状態を利用することによって、それ自
体で容易に薄膜化することができ、例えば、キャステイ
ング法や真空蒸着等によって容易に薄膜化でき、また、
大面積の薄膜も容易に得ることができる。従って、本発
明による化合物は、アモルファス電子材料として、種々
の電子デバイス素子、例えば、有機エレクトロルミネッ
センス素子、有機感光体素子、有機太陽電池素子、電界
効果型トランジスタ等における有機正孔（電荷）輸送剤
等として、好適に用いることができる。
類のアモルファス状態を利用することによって、それ自
体で容易に薄膜化することができ、例えば、キャステイ
ング法や真空蒸着等によって容易に薄膜化でき、また、
大面積の薄膜も容易に得ることができる。従って、本発
明による化合物は、アモルファス電子材料として、種々
の電子デバイス素子、例えば、有機エレクトロルミネッ
センス素子、有機感光体素子、有機太陽電池素子、電界
効果型トランジスタ等における有機正孔（電荷）輸送剤
等として、好適に用いることができる。
【図１】は、本発明による4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−
（１−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（１−ＭＴＮＡＴＡ）のＦＴ−ＩＲスペクトルであ
る。
（１−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（１−ＭＴＮＡＴＡ）のＦＴ−ＩＲスペクトルであ
る。
【図２】は、本発明による4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−
（１−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（１−ＭＴＮＡＴＡ）のＤＳＣチャートである。
（１−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（１−ＭＴＮＡＴＡ）のＤＳＣチャートである。
【図３】は、本発明による4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−
（１−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（１−ＭＴＮＡＴＡ）のＣＶチャートである。
（１−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（１−ＭＴＮＡＴＡ）のＣＶチャートである。
【図４】は、本発明による4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−
（２−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（２−ＭＴＮＡＴＡ）のＦＴ−ＩＲスペクトルであ
る。
（２−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（２−ＭＴＮＡＴＡ）のＦＴ−ＩＲスペクトルであ
る。
【図５】は、本発明による4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−
（２−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（２−ＭＴＮＡＴＡ）のＤＳＣチャートである。
（２−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（２−ＭＴＮＡＴＡ）のＤＳＣチャートである。
【図６】は、本発明による4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−
（２−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（２−ＭＴＮＡＴＡ）のＣＶチャートである。
（２−ナフチル）−ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルア
ミン（２−ＭＴＮＡＴＡ）のＣＶチャートである。
【図７】は、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（フェニル−
ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡ
ＴＡ）のＤＳＣチャーである。
ｍ−トリルアミノ〕トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡ
ＴＡ）のＤＳＣチャーである。
【図８】は、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（１−ナフチ
ル）フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（１−ＴＮＡ
ＴＡ）のＤＳＣチャートである。
ル）フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（１−ＴＮＡ
ＴＡ）のＤＳＣチャートである。
【図９】は、4,4',4" −トリス〔Ｎ,Ｎ−（２−ナフチ
ル）フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（２−ＴＮＡ
ＴＡ）のＤＳＣチャートである。
ル）フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（２−ＴＮＡ
ＴＡ）のＤＳＣチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 佳子 神戸市兵庫区明和通３丁目２番15号 バン ドー化学株式会社内 (72)発明者 亀野 功 神戸市兵庫区明和通３丁目２番15号 バン ドー化学株式会社内 (72)発明者 城田 靖彦 大阪府豊中市大黒町３丁目５番７号 Ｆターム(参考） 3K007 AB14 DB03 EB00 4H006 AA01 AA03 AB92
Claims (3)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ａは１−ナフチル基又は２−ナフチル基を示
す。）で表わされるトリフェニルアミン類。 - 【請求項２】請求項１に記載のトリフェニルアミン類か
らなる有機正孔輸送剤。 - 【請求項３】請求項２に記載の有機正孔輸送剤からなる
有機正孔輸送層を備えた有機エレクトロルミネッセンス
素子。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000164764A JP2001335542A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 新規なトリフェニルアミン類とその利用 |
| US10/296,549 US20040049080A1 (en) | 2000-05-30 | 2001-05-25 | Novel triphenylamines and use thereof |
| EP01934359A EP1300390A4 (en) | 2000-05-30 | 2001-05-25 | NEW TRIPHENYLAMINE AND ITS USE |
| PCT/JP2001/004424 WO2001092203A1 (fr) | 2000-05-30 | 2001-05-25 | Nouvelles triphenylamines et leur utilisation |
| CN01810200A CN1430598A (zh) | 2000-05-30 | 2001-05-25 | 新型三苯胺类及其用途 |
| CNA2008100930556A CN101289402A (zh) | 2000-05-30 | 2001-05-25 | 新型三苯胺类及其用途 |
| KR1020027016025A KR20030058941A (ko) | 2000-05-30 | 2001-05-25 | 신규한 트리페닐아민류 및 이의 용도 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000164764A JP2001335542A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 新規なトリフェニルアミン類とその利用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001335542A true JP2001335542A (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=18668346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000164764A Pending JP2001335542A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 新規なトリフェニルアミン類とその利用 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1300390A4 (ja) |
| JP (1) | JP2001335542A (ja) |
| KR (1) | KR20030058941A (ja) |
| CN (2) | CN1430598A (ja) |
| TW (1) | TWI289549B (ja) |
| WO (1) | WO2001092203A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1553079A2 (en) | 2003-12-03 | 2005-07-13 | Orient Chemical Industries, Ltd. | Triarylamine dimer derivative having amorphous phase |
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|---|---|---|---|---|
| KR100704655B1 (ko) * | 2004-06-19 | 2007-04-10 | 부산대학교 산학협력단 | 발광 고분자 또는 그 유도체 및 이를 이용한 전기 발광 소자 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3016896B2 (ja) * | 1991-04-08 | 2000-03-06 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3179234B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-06-25 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH09222741A (ja) * | 1995-12-11 | 1997-08-26 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 正孔輸送材料およびその用途 |
| JP2001213851A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-07 | Hodogaya Chem Co Ltd | トリフェニルアミン化合物 |
-
2000
- 2000-05-30 JP JP2000164764A patent/JP2001335542A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-25 CN CN01810200A patent/CN1430598A/zh active Pending
- 2001-05-25 CN CNA2008100930556A patent/CN101289402A/zh active Pending
- 2001-05-25 US US10/296,549 patent/US20040049080A1/en not_active Abandoned
- 2001-05-25 EP EP01934359A patent/EP1300390A4/en not_active Withdrawn
- 2001-05-25 KR KR1020027016025A patent/KR20030058941A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-05-25 WO PCT/JP2001/004424 patent/WO2001092203A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2001-05-29 TW TW090112861A patent/TWI289549B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1553079A2 (en) | 2003-12-03 | 2005-07-13 | Orient Chemical Industries, Ltd. | Triarylamine dimer derivative having amorphous phase |
| US7598010B2 (en) | 2003-12-03 | 2009-10-06 | Orient Chemical Industries, Ltd. | Triarylamine dimer derivative having amorphous phase |
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|---|---|
| WO2001092203A1 (fr) | 2001-12-06 |
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| CN101289402A (zh) | 2008-10-22 |
| KR20030058941A (ko) | 2003-07-07 |
| US20040049080A1 (en) | 2004-03-11 |
| EP1300390A1 (en) | 2003-04-09 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060124 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060801 |