JP2001334385A - 電子機器用Sn−Ag−Cu−Bi−In系はんだ - Google Patents
電子機器用Sn−Ag−Cu−Bi−In系はんだInfo
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- JP2001334385A JP2001334385A JP2000154360A JP2000154360A JP2001334385A JP 2001334385 A JP2001334385 A JP 2001334385A JP 2000154360 A JP2000154360 A JP 2000154360A JP 2000154360 A JP2000154360 A JP 2000154360A JP 2001334385 A JP2001334385 A JP 2001334385A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、酸化を抑制し、強度の改善を図っ
た、電子機器用はんだを提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、A
gが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.0質量%、Bi
を0.5〜3質量%、Inが0.5〜3質量%を含むは
んだにGeを0.01〜0.03質量%あるいはSeを
0.01〜1質量%、Sbを0.5〜1.5質量%、残
部がSnからなるものである。
た、電子機器用はんだを提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、A
gが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.0質量%、Bi
を0.5〜3質量%、Inが0.5〜3質量%を含むは
んだにGeを0.01〜0.03質量%あるいはSeを
0.01〜1質量%、Sbを0.5〜1.5質量%、残
部がSnからなるものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子・電機機器用
に用いるはんだ材料の組成に関するものであり、実装技
術分野に属する。
に用いるはんだ材料の組成に関するものであり、実装技
術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】近年、種々のPbフリー材料が提案され
てきている。
てきている。
【0003】この中で、Sn―Agを基本にした組成
は、融点は従来のPb−Sn共晶(183℃)と比較す
ると高い(約220℃)が、比較的信頼性に優れた材料
として、種々の組成が提案されている。例えば、Snに
数質量%のAgを添加した組成を基本にして、少量のC
uを添加した系が提案されている。Cuは、融点の低下
の効果と、組織的な改善効果があると言われており、有
望な代替材料と言われている。
は、融点は従来のPb−Sn共晶(183℃)と比較す
ると高い(約220℃)が、比較的信頼性に優れた材料
として、種々の組成が提案されている。例えば、Snに
数質量%のAgを添加した組成を基本にして、少量のC
uを添加した系が提案されている。Cuは、融点の低下
の効果と、組織的な改善効果があると言われており、有
望な代替材料と言われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この系は基本
的に融点が高く、低耐熱性部品や基板の使用には、限界
がある。
的に融点が高く、低耐熱性部品や基板の使用には、限界
がある。
【0005】この問題を解決するために、Biの添加が
試みられたが、Biの添加で融点は下がるが、強度低下
がおこり、Biの添加量には限界が生じた。このため、
Biの添加量を少なくして、代わりに強度が低下しない
Inを添加する系が提案されているが、Bi添加による
強度低下を補うものでは無い。さらに、このはんだ組成
では、Snの量が90質量%以上になるのが一般的であ
り、はんだ付け時の溶融はんだのSnの酸化が激しいこ
とが問題になっている。
試みられたが、Biの添加で融点は下がるが、強度低下
がおこり、Biの添加量には限界が生じた。このため、
Biの添加量を少なくして、代わりに強度が低下しない
Inを添加する系が提案されているが、Bi添加による
強度低下を補うものでは無い。さらに、このはんだ組成
では、Snの量が90質量%以上になるのが一般的であ
り、はんだ付け時の溶融はんだのSnの酸化が激しいこ
とが問題になっている。
【0006】本発明は、これらの問題点を解決するもの
であり、酸化を抑制した信頼性の高い電子機器用はんだ
を提供することを目的とする。
であり、酸化を抑制した信頼性の高い電子機器用はんだ
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために特許請求の範囲の通りに構成したものであ
る。この耐酸化性の向上によって、はんだのSnの消耗
量を減らし、Bi添加によって強度の減少を防止する。
するために特許請求の範囲の通りに構成したものであ
る。この耐酸化性の向上によって、はんだのSnの消耗
量を減らし、Bi添加によって強度の減少を防止する。
【0008】
【発明の実施の形態】材料として、Snに約1〜3質量
%のAgを含み、約0.5〜1.0質量%のCu、約
0.5〜3質量%のBi、約0.5〜3質量%のIn
に、GeあるいはSeを添加した。両元素とも0.02
質量%程度の微量の含有でも十分な効果があった。これ
は、GeやSeが優先的にわずかに酸化して表面を覆う
ことで、Snなどの酸化を抑止する為と考えられる。
%のAgを含み、約0.5〜1.0質量%のCu、約
0.5〜3質量%のBi、約0.5〜3質量%のIn
に、GeあるいはSeを添加した。両元素とも0.02
質量%程度の微量の含有でも十分な効果があった。これ
は、GeやSeが優先的にわずかに酸化して表面を覆う
ことで、Snなどの酸化を抑止する為と考えられる。
【0009】一方、図1に一実施例を示したが、Snに
約1〜3質量%のAgを含み、約0.5〜1.0質量%
のCu、約0.5〜3質量%のBi、約0.5〜3質量
%のInに、Sbを添加することではんだの強度を改善
した。0.5質量%の含有で、強度は10%程度増加し
て、顕著な改善の効果が見られた。これは、SnとSb
の微細な金属間化合物が組織中に分散することで、強度
が増加したものと考えられる。また、1.5質量%を超
えるSbを含むと、析出する金属間化合物の析出が多く
なり、はんだ材料としての伸びが低下する傾向が現れ
る。これが、Sbの上限を定めた理由である。
約1〜3質量%のAgを含み、約0.5〜1.0質量%
のCu、約0.5〜3質量%のBi、約0.5〜3質量
%のInに、Sbを添加することではんだの強度を改善
した。0.5質量%の含有で、強度は10%程度増加し
て、顕著な改善の効果が見られた。これは、SnとSb
の微細な金属間化合物が組織中に分散することで、強度
が増加したものと考えられる。また、1.5質量%を超
えるSbを含むと、析出する金属間化合物の析出が多く
なり、はんだ材料としての伸びが低下する傾向が現れ
る。これが、Sbの上限を定めた理由である。
【0010】さらに、Snに約1〜3質量%のAgを含
み、約0.5〜1.0質量%のCu、約0.5〜3質量
%のBi、約0.5〜3質量%のInに、Geあるいは
SeとSbの両者を含有すると、両元素を含むはんだ組
成は、強度低下および表面酸化の2つの欠点を解決でき
た。
み、約0.5〜1.0質量%のCu、約0.5〜3質量
%のBi、約0.5〜3質量%のInに、Geあるいは
SeとSbの両者を含有すると、両元素を含むはんだ組
成は、強度低下および表面酸化の2つの欠点を解決でき
た。
【0011】なお、多元形にした場合、Cuによる効果
が薄れるので、Cuを除いた組成であっても前述の効果
は得られる。
が薄れるので、Cuを除いた組成であっても前述の効果
は得られる。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、Pbフリーはんだ材料
で解決困難であった、強度の改善と酸化の抑制が同時に
行えることがわかった。これによって、使い勝手が向上
し、Pbフリー化で予想される設備の更新・改良やプロ
セス欠陥増加によるコストアップを抑制して、Pbフリ
ー化が促進される。
で解決困難であった、強度の改善と酸化の抑制が同時に
行えることがわかった。これによって、使い勝手が向上
し、Pbフリー化で予想される設備の更新・改良やプロ
セス欠陥増加によるコストアップを抑制して、Pbフリ
ー化が促進される。
【図1】Sbの添加によるはんだの強度を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下川 英恵 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 中塚 哲也 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 奥平 弘明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 三浦 一真 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 石田 寿治 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山田 浩介 茨城県日立市東多賀町一丁目1番1号 株 式会社日立製作所電化機器事業部内 Fターム(参考) 5E319 BB01 BB08 BB10
Claims (4)
- 【請求項1】Agが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.
0質量%、Biが0.5〜3.0質量%、Inが0.5
〜3質量%、Geが0.01〜0.03あるいはSeが
0.01〜0.1質量%、残部がSnからなることを特
徴とする電子機器用はんだ。 - 【請求項2】Agが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.
0質量%、Biが0.5〜3.0質量%、Inが0.5
〜3質量%、Sbが0.5〜1.5質量%、残部がSn
からなることを特徴とする電子機器用はんだ。 - 【請求項3】Agが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.
0質量%、Biが0.5〜3.0質量%、Inが0.5
〜3質量%、Geが0.01〜0.03あるいはSeが
0.01〜0.1質量%、Sbが0.5〜1.5質量
%、残部がSnからなることを特徴とする電子機器用は
んだ。 - 【請求項4】請求項1〜3に記載した電子機器用はんだ
を用いることを特徴とした電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000154360A JP2001334385A (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 電子機器用Sn−Ag−Cu−Bi−In系はんだ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000154360A JP2001334385A (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 電子機器用Sn−Ag−Cu−Bi−In系はんだ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001334385A true JP2001334385A (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=18659465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000154360A Pending JP2001334385A (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 電子機器用Sn−Ag−Cu−Bi−In系はんだ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001334385A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009011341A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | 車載実装用鉛フリーはんだと車載電子回路 |
EP2177305A1 (en) * | 2007-07-18 | 2010-04-21 | Senju Metal Industry Co., Ltd | In-containing lead-free solder for on-vehicle electronic circuit |
JP5287852B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2013-09-11 | 千住金属工業株式会社 | 引け巣が抑制された鉛フリーはんだ合金 |
US20140141273A1 (en) * | 2011-03-23 | 2014-05-22 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-Free Solder Alloy |
KR20160006667A (ko) | 2013-05-10 | 2016-01-19 | 후지 덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
CN107097015A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-08-29 | 廊坊邦壮电子材料有限公司 | 一种锡银合金焊料及其制备工艺 |
JP6230737B1 (ja) * | 2017-03-10 | 2017-11-15 | 株式会社タムラ製作所 | 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト及び電子回路基板 |
CN111390424A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-07-10 | 深圳市唯特偶新材料股份有限公司 | 镀锡铜带镀层防氧化焊料合金及其制备方法 |
-
2000
- 2000-05-22 JP JP2000154360A patent/JP2001334385A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5024380B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2012-09-12 | 千住金属工業株式会社 | 車載実装用鉛フリーはんだと車載電子回路 |
US8845826B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-09-30 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder for vehicles and a vehicle-mounted electronic circuit using the solder |
WO2009011341A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | 車載実装用鉛フリーはんだと車載電子回路 |
EP2177305A1 (en) * | 2007-07-18 | 2010-04-21 | Senju Metal Industry Co., Ltd | In-containing lead-free solder for on-vehicle electronic circuit |
EP2177305A4 (en) * | 2007-07-18 | 2011-01-19 | Senju Metal Industry Co | LEAD-FREE SOLDER IN CONTAINER FOR ELECTRONIC ON-BOARD CIRCUIT |
US8888932B2 (en) | 2007-07-18 | 2014-11-18 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Indium-containing lead-free solder for vehicle-mounted electronic circuits |
JP5287852B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2013-09-11 | 千住金属工業株式会社 | 引け巣が抑制された鉛フリーはんだ合金 |
US9844837B2 (en) * | 2011-03-23 | 2017-12-19 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder alloy |
US20140141273A1 (en) * | 2011-03-23 | 2014-05-22 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-Free Solder Alloy |
KR20160006667A (ko) | 2013-05-10 | 2016-01-19 | 후지 덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
US10157877B2 (en) | 2013-05-10 | 2018-12-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP6230737B1 (ja) * | 2017-03-10 | 2017-11-15 | 株式会社タムラ製作所 | 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト及び電子回路基板 |
WO2018164171A1 (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-13 | 株式会社タムラ製作所 | 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト及び電子回路基板 |
JP2018149558A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 株式会社タムラ製作所 | 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト及び電子回路基板 |
CN107097015A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-08-29 | 廊坊邦壮电子材料有限公司 | 一种锡银合金焊料及其制备工艺 |
CN111390424A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-07-10 | 深圳市唯特偶新材料股份有限公司 | 镀锡铜带镀层防氧化焊料合金及其制备方法 |
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