JP2001334386A - 電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ - Google Patents

電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ

Info

Publication number
JP2001334386A
JP2001334386A JP2000152740A JP2000152740A JP2001334386A JP 2001334386 A JP2001334386 A JP 2001334386A JP 2000152740 A JP2000152740 A JP 2000152740A JP 2000152740 A JP2000152740 A JP 2000152740A JP 2001334386 A JP2001334386 A JP 2001334386A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mass
strength
solder
hitachi
electronic apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000152740A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Serizawa
弘二 芹沢
Tasao Soga
太佐男 曽我
Hideyoshi Shimokawa
英恵 下川
Tetsuya Nakatsuka
哲也 中塚
Hiroaki Okudaira
弘明 奥平
Kazuma Miura
一真 三浦
Toshiharu Ishida
寿治 石田
Kosuke Yamada
浩介 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000152740A priority Critical patent/JP2001334386A/ja
Publication of JP2001334386A publication Critical patent/JP2001334386A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、低温はんだにおける機械的強
度を向上させることにある。 【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、Ａｇ
が０．５〜３質量％、Ｂｉが５７〜５９質量％、Ｇｅが
０．０１〜０．０３あるいはＳｅが０．０１〜０．１質
量％、残部がＳｎからなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】地球環境に優しいＰｂを含ま
ない新規な電子機器用はんだとそれを用いて接続した電
子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、種々のＰｂフリー材料が提案され
てきている。
【０００３】この中で、Ｐｂ−Ｓｎよりは低温度で接続
できるＰｂフリーはんだ材料として、Ｓｎ−Ｂｉの共晶
（５７質量％Ｂｉ）がある。この材料は、低温で接続で
きることから、モジュールや部品等には融点が高いはん
だを用い、これらをプリント基板等の母基板にはんだ付
けする際の材料として使用することを期待されている。
【０００４】しかし、この材料は、製品として稼動した
場合の温度上昇によって、組織が粗大化して、機械的な
性質が劣化することが指摘され、１質量％Ａｇを添加す
ることで組織中にＡｇ３Ｓｎの金属間化合物を微細に析
出させることで、組織の安定性を確保した材料が提案さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの対策
によっても、この系では以下の問題点がある。すなわ
ち、接続後の継ぎ手の電極やリードとの界面にＢｉが偏
析して継ぎ手強度が低下することがある。特に高温放置
すると強度が低下することが大きな問題点で、これはＡ
ｇの添加では十分に防止できない。したがって、Ｓｎ−
Ｂｉ共晶系の低温Ｐｂフリーはんだを使いこなすために
は、信頼性に直結する強度の改善が極めて重要になっ
た。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためのもの
であり、機械的強度を向上させたはんだ材料を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、特許請求の範囲の通りに構成したもので
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の１実施例を示し
た。Ｓｎに１質量％のＡｇ，５７質量％のＢｉを含むは
んだ合金に、０．０２質量％のＧｅおよび０．０４質量
％のＳｅを含有するはんだ合金継ぎ手の、１２５℃で放
置した場合の強度変化を示したものである。Ｇｅあるい
はＳｅを含まない合金は、放置により、組織の粗大化や
Ｂｉの界面への偏席が顕著になり、強度は低下する。
しかし、材料として、Ｓｎ−約５７〜５９質量％Ｂｉに
約０．５〜３質量％のＡｇからなる組成にＧｅあるいは
Ｓｅを加えた場合、約０．０２質量％の添加で初期的な
強度の向上があり、結果として高温放置後の強度も高
い。この理由は、十分に解析できていないが、活性度の
強いＧｅやＳｅが界面反応に関与して、結果的に強度が
向上したと推定している。
【０００９】一方、Ｓｎ−約５７〜５９質量％Ｂｉに約
０．５〜３質量％のＡｇからなる組成にＳｂを０．５質
量％含有することで、強度は約１０％程度向上し、高温
放置によっても強度の低下が少なく、明らかな効果がみ
られた。これは、ＳｂがＢｉを捕捉して、Ｂｉの界面へ
の析出を妨げていることによると考えられる。
【００１０】さらに、Ｓｎ−約５７〜５９質量％Ｂｉ
に、ＧｅとＳｂの両者を含有した場合、両元素を含むは
んだ組成は、ほぼ加算的に強度向上に寄与し、高接続強
度を得ることができた。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、Ｂｉを多量に含有する
Ｐｂフリーはんだ材料で解決困難であった接続界面での
強度の低下を、有効に抑制できることがわかった。これ
によって、製品の信頼性向上が図れ、Ｐｂフリー化が促
進され、地球環境の改善に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｇｅ、Ｓｅを含有させたはんだ合金継ぎ手強度
変化を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下川 英恵 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 中塚 哲也 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 奥平 弘明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 三浦 一真 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 石田 寿治 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山田 浩介 茨城県日立市東多賀町一丁目１番１号 株 式会社日立製作所電化機器事業部内 Ｆターム(参考） 5E319 BB01

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】Ａｇが０．５〜３質量％、Ｂｉが５７〜５
    ９質量％、Ｇｅが０．０１〜０．０３あるいはＳｅが
    ０．０１〜０．１質量％、残部がＳｎからなることを特
    徴とする電子機器用はんだ。
  2. 【請求項２】Ａｇが０．５〜３質量％、Ｂｉが５７〜５
    ９質量％、Ｓｂが０．５〜１．５質量％、残部がＳｎか
    らなることを特徴とする電子機器用はんだ。
  3. 【請求項３】Ａｇが０．５〜３質量％、Ｂｉが５７〜５
    ９質量％、Ｇｅが０．０１〜０．０３あるいはＳｅが
    ０．０１〜０．１質量％、Ｓｂが０．５〜１．５質量
    ％、残部がＳｎからなることを特徴とする電子機器用は
    んだ。
  4. 【請求項４】請求項１〜３に記載したはんだを用いるこ
    とを特徴とした電子機器。
JP2000152740A 2000-05-19 2000-05-19 電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ Pending JP2001334386A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000152740A JP2001334386A (ja) 2000-05-19 2000-05-19 電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000152740A JP2001334386A (ja) 2000-05-19 2000-05-19 電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001334386A true JP2001334386A (ja) 2001-12-04

Family

ID=18658121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000152740A Pending JP2001334386A (ja) 2000-05-19 2000-05-19 電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001334386A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1381066A2 (en) * 2002-07-11 2004-01-14 Uchihashi Estec Co., Ltd. Alloy type thermal fuse and wire member for a thermal fuse element
WO2013017883A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Fry's Metals, Inc. High impact toughness solder alloy
CN102990242A (zh) * 2011-09-13 2013-03-27 郴州金箭焊料有限公司 一种低温无卤无铅焊锡膏
US8673762B2 (en) 2011-01-31 2014-03-18 Fujitsu Limited Solder, soldering method, and semiconductor device
CN105562872A (zh) * 2016-03-09 2016-05-11 付雁力 一种led灯金属基底低温焊接获得高温使用性能的方法
JP2017051984A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 株式会社弘輝 はんだ合金及びはんだ組成物
JP2018122322A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 株式会社タムラ製作所 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト、電子回路基板及び電子制御装置
JP7262695B1 (ja) * 2023-01-24 2023-04-21 株式会社タムラ製作所 はんだ合金、接合部、接合材、ソルダペースト、接合構造体および電子制御装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1381066A2 (en) * 2002-07-11 2004-01-14 Uchihashi Estec Co., Ltd. Alloy type thermal fuse and wire member for a thermal fuse element
EP1381066A3 (en) * 2002-07-11 2004-01-28 Uchihashi Estec Co., Ltd. Alloy type thermal fuse and wire member for a thermal fuse element
US6963264B2 (en) 2002-07-11 2005-11-08 Uchihashi Estec Co., Ltd. Alloy type thermal fuse and wire member for a thermal fuse element
US8673762B2 (en) 2011-01-31 2014-03-18 Fujitsu Limited Solder, soldering method, and semiconductor device
WO2013017883A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Fry's Metals, Inc. High impact toughness solder alloy
EP3907037A1 (en) * 2011-08-02 2021-11-10 Alpha Assembly Solutions Inc. High impact toughness solder alloy
CN102990242A (zh) * 2011-09-13 2013-03-27 郴州金箭焊料有限公司 一种低温无卤无铅焊锡膏
JP2017051984A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 株式会社弘輝 はんだ合金及びはんだ組成物
CN105562872A (zh) * 2016-03-09 2016-05-11 付雁力 一种led灯金属基底低温焊接获得高温使用性能的方法
JP2018122322A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 株式会社タムラ製作所 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト、電子回路基板及び電子制御装置
JP7262695B1 (ja) * 2023-01-24 2023-04-21 株式会社タムラ製作所 はんだ合金、接合部、接合材、ソルダペースト、接合構造体および電子制御装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1999048639A1 (fr) Soudure sans plomb
JPH1133775A (ja) 錫含有鉛フリーはんだ合金及びそのクリームはんだ並びにその製造方法
JP5069725B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物及び回路基板
JP2008031550A (ja) ＰｂフリーのＳｎ系材料及び配線用導体並びに端末接続部並びにＰｂフリーはんだ合金
JPH08206874A (ja) はんだ材料
JP2020124747A5 (ja)
EP0953400A1 (en) Fatigue-resistant lead-free alloy
JP3682654B2 (ja) 無電解Ｎｉメッキ部分へのはんだ付け用はんだ合金
JP2001334386A (ja) 電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ
JP2011138968A5 (ja)
JP2013045650A (ja) 異方性導電性ペースト
JP2011156558A (ja) 鉛フリーはんだ合金
JP4198692B2 (ja) 非鉛系接合材及び接合体
CN103302422A (zh) 无卤素低温锡焊膏
JP2001334385A (ja) 電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだ
JP4338854B2 (ja) スズ−ビスマス系無鉛はんだ
JPS6158542B2 (ja)
JP2002185130A (ja) 電子回路装置及び電子部品
JP2004358539A (ja) 高温ろう材
JPH09174278A (ja) 無鉛はんだ合金およびそれを用いた電子回路装置
JP3107483B2 (ja) 無ないし低含鉛半田合金
JP2000126890A (ja) はんだ材料
JP5827522B2 (ja) 配線基板の接続方法
JP2002321084A (ja) 電子部品接合用はんだ合金
JP2001321981A (ja) 電子機器用Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系はんだ