JP2001332958A - 表面波共振子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 第２の表面波の端面部の反射によってもスプ
リアスが生じ難く、良好な共振特性を有する表面振動子
及びその製造方法を提供すること 【解決手段】 第１の表面波と、前記第１の表面波の伝
播方向とほぼ直交する方向の変位を主体とする第２の表
面波と、を発生し、前記第２の表面波を反射させるため
の端面部１１１，１１１が形成されてなる表面波共振子
であって、前記端面部がエッチング加工により形成され
たエッチング端面部により形成されるように表面波振動
子１００，２００を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面波の伝播方向
とほぼ直交する方向の変位を主体とする表面波を反射さ
せるための端面部が形成されてなる表面波共振子及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来よりＳＨタイプの表面波を利用した
表面波振動子が用いられている。このような表面波振動
子は、表面波の伝播方向とほぼ直交する方向の変位を主
体とするＳＨ波が生じ、このＳＨ波がこの表面波振動子
の両端面で完全に反射するようになっている。したがっ
て、レイリー波を利用する表面波振動子と異なり、この
反射する端面に別体で反射器を設ける必要がなく、表面
波振動子を有する表面波装置を小型化することができる
ようになっている。

【０００３】このように前記ＳＨ波が反射する端面は、
以下のように形成される。すなわち、図６に示すよう
に、比較的大きな圧電基板のウエハ１０の上面にフォト
リソグラフィ法により導電膜をパターニングし、一対の
くし歯電極１１、１２からなるＩＤＴ（インターデジタ
ルトランスデューサ）電極を形成する。

【０００４】その後、これら、くし歯電極１１，１２の
両端部に設けられた破線１３、１４に沿って、切断機、
例えばダイシング・ソーで圧電基板のウエハ１０を厚み
方向に切断し、個々の圧電振動子毎に分離すると共に、
圧電振動子のＳＨ波が反射する端面を形成していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
ダイシング・ソーで切断された圧電振動子のＳＨ波の反
射端面は、このダイシング・ソーのブレードの厚みのバ
ラツキや摩耗による厚みの変動等により変化し、これに
よって、この反射端面が粗くなって、反射係数が低くな
っていた。

【０００６】また、このＳＨ波の反射端面の精度が安定
しないと、図７で丸印で示すようにスプリアスが生じ、
このような圧電振動子を例えば発振子等として使用した
場合、異常発振等を起こし共振特性が悪化するという問
題があった。

【０００７】そこで、本発明は、前記第２の表面波の端
面部の反射によってもスプリアスが生じ難く、良好な共
振特性を有する表面振動子及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的は、請求項１の
発明によれば、第１の表面波と、前記第１の表面波の伝
播方向とほぼ直交する方向の変位を主体とする第２の表
面波と、を発生し、前記第２の表面波を反射させるため
の端面部が形成されてなる表面波共振子であって、前記
端面部がエッチング加工により形成されたエッチング端
面部により形成されている表面波振動子により、達成さ
れる。

【０００９】前記構成によれば、前記端面部がエッチン
グ加工により形成されたエッチング端面部により形成さ
れているので、端面部の面粗度が小さくなり、この端面
部における前記反射が良くなり、スプリアスが生じ難く
なる。

【００１０】好ましくは、請求項２の発明によれば、請
求項１の構成において、前記第２の表面波が、ＳＨタイ
プの表面波である表面波振動子である。

【００１１】前記構成によれば、前記第２の表面波が、
ＳＨタイプの表面波であるので、ＳＨタイプの表面波の
前記端面部の反射を良くすることができる。

【００１２】好ましくは、請求項３の発明によれば、請
求項２の構成において、前記ＳＨ波が、ＢＧＳ波である
表面振動子である。

【００１３】前記構成によれば、前記ＳＨ波が、ＢＧＳ
波であるので、ＢＧＳ波の前記端面部における反射を良
くすることができる。

【００１４】好ましくは、請求項４の発明によれば、請
求項１乃至請求項３のいずれかの構成において、前記エ
ッチング加工がウエットエッチング加工である表面波振
動子である。

【００１５】前記構成によれば、前記エッチング加工が
ウエットエッチング加工であるので、例えばドライエッ
チングに比べ装置コストが小さく、生産性が良く、表面
波振動子の大量生産が容易となる。

【００１６】好ましくは、請求項５の発明によれば、請
求項１乃至請求項３のいずれかに記載の構成において、
前記エッチング加工がドライエッチング加工である表面
波振動子である。

【００１７】前記構成によれば、前記エッチング加工が
ドライエッチング加工であるので例えばイオン等の粒子
の異方性エッチングができ、端面部を精度良く加工する
ことができる。したがって、この端面部の面粗度をより
小さくすることができ、この端面部における前記反射も
より良くすることができ、これによって、スプリアスも
より生じ難くなる。

【００１８】好ましくは、請求項６の発明によれば、請
求項１乃至請求項５の構成において、前記エッチング加
工が、圧電基板を他の圧電基板から切り離すための貫通
エッチング加工である表面波振動子である。

【００１９】前記構成によれば、前記エッチング加工
が、圧電基板を他の圧電基板から切り離すための貫通エ
ッチング加工であるので、前記圧電基板の前記表面波を
反射させるための端面部側を、例えばダイシング・ソー
等で切断する必要がない。したがって、従来と異なり、
ダイシング・ソーを２軸方向に動かして圧電基板を切断
する必要がなく、１軸方向のみ切断すればよく加工コス
トを低減することができる。

【００２０】好ましくは、請求項７の発明によれば、請
求項１乃至請求項５の構成において、前記エッチング加
工が、圧電基板をその表面から厚み方向に略半分程エッ
チングするハーフエッチング加工である表面波振動子で
ある。

【００２１】前記構成によれば、前記エッチング加工
が、圧電基板をその表面から厚み方向に略半分程エッチ
ングするハーフエッチング加工であるので、前記表面波
が反射する端面部のみ精度良くエッチングした後、その
他の部分は、コストのかからない例えばブレーキングで
割ることができる。したがって、不必要な部分にエッチ
ングを行わないので、コストダウンを図ることができ
る。

【００２２】好ましくは、請求項８の発明によれば、請
求項６又は請求項７の構成において、前記圧電基板が水
晶で形成されている表面波振動子である。

【００２３】前記構成によれば、前記圧電基板が水晶で
形成されているので、加工が容易となる。例えばウエッ
トエッチングを行う場合は、エッチング液としてフッ酸
やフッ酸とフッ化アンモニウム混合液を用いることで容
易にエッチング加工を行うことができる。

【００２４】好ましくは、請求項９の発明によれば、請
求項８の構成において、前記水晶が、ＡＴカットもしく
はＳＴカットである表面波振動子である。

【００２５】前記構成によれば、前記水晶が、ＡＴカッ
トもしくはＳＴカットされているので、前記ＳＨ波の生
じる方向に水晶も振動する。

【００２６】前記目的は、請求項１０の発明によれば、
第１の表面波と、前記第１の表面波の伝播方向とほぼ直
交する方向の変位を主体とする第２の表面波と、を発生
し、前記第２の表面波を反射させるための端面部が形成
されてなる表面波共振子の製造方法であって、前記端面
部をエッチング加工により形成する表面波振動子の製造
方法である。

【００２７】前記構成によれば、前記端面部をエッチン
グ加工により形成するので、前記端面部の面粗度が小さ
くなり、この端面部における前記反射が良くなり、スプ
リアスが生じ難くなる。

【００２８】好ましくは、請求項１１の発明によれば、
請求項１０の構成において、前記第２の表面波が、ＳＨ
タイプの表面波である表面波振動子の製造方法である。

【００２９】前記構成によれば、前記第２の表面波が、
ＳＨタイプの表面波であるので、ＳＨタイプの表面波の
前記端面部の反射を良くすることができる。

【００３０】好ましくは、請求項１２の発明によれば、
請求項１１の構成において、前記ＳＨ波が、ＢＧＳ波で
ある表面振動子の製造方法である。

【００３１】前記構成によれば、前記ＳＨ波が、ＢＧＳ
波であるので、ＢＧＳ波の前記端面部における反射を良
くすることができる。

【００３２】好ましくは、請求項１３の発明によれば、
請求項１０乃至請求項１２のいずれかの構成において、
前記エッチング加工がウエットエッチング加工である表
面波振動子の製造方法である。

【００３３】前記構成によれば、前記エッチング加工が
ウエットエッチング加工であるので、例えばドライエッ
チングに比べ装置コストが小さく、生産性が良く、表面
波振動子の大量生産が容易となる。

【００３４】好ましくは、請求項１４の発明によれば、
請求項１０乃至請求項１２のいずれかの構成において、
前記エッチング加工がドライエッチング加工である表面
波振動子の製造方法である。

【００３５】前記構成によれば、前記エッチング加工が
ドライエッチング加工であるので、例えばイオン等の粒
子の異方性エッチングができ、端面部を精度良く加工す
ることができる。したがって、この端面部の面粗度をよ
り小さくすることができ、この端面部における前記反射
もより良くすることができ、これによって、スプリアス
もより生じ難くなる。

【００３６】好ましくは、請求項１５の発明によれば、
請求項１０乃至請求項１４のいずれかの構成において、
前記エッチング加工が、圧電基板を、他の圧電基板と切
り離すための貫通エッチング加工である表面波振動子の
製造方法である。

【００３７】前記構成によれば、前記エッチング加工
が、圧電基板を、他の圧電基板と切り離すための貫通エ
ッチング加工であるので、前記圧電基板の前記表面波を
反射させるための端面部側を、例えばダイシング・ソー
等で切断する必要がない。したがって、従来と異なり、
ダイシング・ソーを２軸方向に動かして圧電基板を切断
する必要がなく、１軸方向のみ切断すればよく加工コス
トを低減することができる。

【００３８】好ましくは、請求項１６の発明によれば、
請求項１０乃至請求項１４のいずれかの構成において、
前記エッチング加工が、圧電基板をその表面から厚み方
向に略半分程エッチングするハーフエッチング加工であ
る表面波振動子の製造方法である。

【００３９】前記構成によれば、前記エッチング加工
が、圧電基板をその表面から厚み方向に略半分程エッチ
ングするハーフエッチング加工であるので、前記表面波
が反射する端面部のみ精度良くエッチングした後、その
他の部分は、コストのかからない例えばブレーキングで
割ることができる。したがって、不必要な部分にエッチ
ングを行わないので、コストダウンを図ることができ
る。

【００４０】前記目的は、請求項１７の発明によれば、
圧電基板上を伝播する第１の表面波と、前記第１の表面
波伝播方向とほぼ直交する方向の変位を主体とする第２
の表面波と、を発生し、前記第２の表面波を反射させる
ための端面部が形成されてなる表面波共振子の製造方法
であって、前記圧電基板に前記端面部を形成するための
溝又は貫通孔をエッチングにより設け、その後、この圧
電基板上に電極を形成することを特徴とする表面波振動
子の製造方法により、達成される。

【００４１】前記構成によれば、前記圧電基板に前記端
面部を形成するための溝又は貫通孔をエッチングにより
設け、その後、この圧電基板上に電極を形成するので、
前記貫通孔又は溝を基準にフォトマスクの精度を調整す
ることができ、個々の圧電基板毎に微調整が可能とな
る。特にウエットエッチングを効果的に行うことができ
る。

【００４２】前記目的は、請求項１８の発明によれば、
圧電基板上を伝播する第１の表面波と、前記第１の表面
波の伝播方向とほぼ直交する方向の変位を主体とする第
２の表面波と、を発生し、前記第２の表面波を反射させ
るための端面部が形成されてなる表面波共振子の製造方
法であって、前記圧電基板上に前記電極を形成し、その
後、この圧電基板に前記端面部を形成するための溝又は
貫通孔をエッチングにより設ける表面波振動子の製造方
法により、達成される。

【００４３】前記構成によれば、前記圧電基板上に前記
電極を形成し、その後、この圧電基板に前記端面部を形
成するための溝又は貫通孔をエッチングにより設けるの
で、前記電極を微細化して配置しやすくなる。

【００４４】好ましくは、請求項１９の発明によれば、
請求項１５乃至請求項１８のいずれかの構成において、
前記圧電基板が水晶で形成されている表面波振動子の製
造方法である。

【００４５】前記構成によれば、前記圧電基板が水晶で
形成されているので、加工が容易となる。例えばウエッ
トエッチングを行う場合は、エッチング液としてフッ酸
を用いることで容易にエッチング加工を行うことができ
る。

【００４６】好ましくは、請求項２０の発明によれば、
請求項１９の構成において、前記水晶が、ＡＴカット又
はＳＴカットされている表面波振動子の製造方法であ
る。

【００４７】前記構成によれば、前記水晶が、ＡＴカッ
トされているので、水晶の振動が「厚みすべり」等とな
り、前記ＳＨ波の生じる方向に水晶も振動し、このＳＨ
波により対応する水晶となる。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図面に基づき説明する。

【００４９】図１は、本発明の表面波共振子の実施の形
態に係るＢＧＳ波表面共振子１００、２００を示す図で
ある。

【００５０】このＢＧＳ波表面共振子１００、２００
は、圧電基板である例えば水晶ＡＴ板１１０とその上面
に形成された電極であるＩＤＴ（インターデジタルトラ
ンスデューサ）電極１２０とを有している。ここでは、
水晶ＡＴ板を用いているが水晶ＳＴ板を用いても構わな
い。

【００５１】この水晶ＡＴ板１１０は、圧電材料である
水晶の結晶を一定の角度でカットしたもので、振動モー
ドが厚みすべりとなるという特徴を有するものである。
この厚みすべりは、図１において矢印Ａ方向の振動姿態
となる。また、この水晶ＡＴ板１１０の分極方向は図１
の矢印Ｐに示す方向となっている。

【００５２】このような水晶ＡＴ板１１０の上面には、
図１に示すようにくし歯状にすだれ電極であるＩＤＴ電
極１２０が配置されている。このＩＤＴ電極１２０は、
具体的には、一対となって配置されており、それぞれ複
数本の電極指１２０ａを有し、これら複数本の電極指１
２０ａが互いに間挿し合うように配置されている。

【００５３】このようなＢＧＳ波表面振動子１００、２
００は、図示しない電極によって電圧が印加されると、
先ずこのＢＧＳ波表面振動子１００、２００の表面を分
極方向Ｐに向かって第１の表面波が伝播することにな
る。

【００５４】そして、次に前記ＩＤＴ電極１２０に、図
示しない電源より電圧を印加すると、この第１の表面波
が変位する。この変位は、第１の表面波とほぼ直交する
方向の変位を主体とする変位で、図１に示す矢印Ａ方向
の変位である。この変位した表面波が第２の表面波であ
る例えばＢＧＳ波である。

【００５５】このように第１の表面波とほぼ直交する方
向に変位する表面波を一般には、ＳＨ波と呼び、このＳ
Ｈ波には、上述のＢＧＳ波を含み、その他にラム波等が
存在する。そして、特にＢＧＳ波は、第１の表面波とほ
ぼ直交する方向にのみ変位するという特性を有してい
る。すなわち、ＢＧＳ波は、図２に示すように、水晶Ａ
Ｔ板１１０の表面に沿って、且つ矢印Ａ方向に沿って、
矢印Ｂ分だけ変位することになる。

【００５６】このように第１の表面波が変位して生じた
ＢＧＳ波は、水晶ＡＴ板１１０の両端面１１１，１１１
の間で反射し、共振するようになっている。このときＢ
ＧＳ波は、第１の表面波とほぼ直交する方向にのみ変位
する表面波、すなわち横波成分しか有しない表面波であ
るため、水晶ＡＴ板１１０の両端面１１１、１１１で反
射する。したがって、他のレイリー波を利用した表面振
動子と異なり別体で反射器を前記反射端面に設置する必
要がない。

【００５７】このようにＢＧＳ波が生じるＢＧＳ波表面
共振子１００の水晶ＡＴ板１１０の両端面１１１、１１
１は、その加工度合いによって、ＢＧＳ波の端面反射効
率が変化するため、極めて重要となる。

【００５８】そこで、本実施の形態に係るＢＧＳ波表面
共振子１００、２００の両端面１１１、１１１は、ウエ
ットエッチング又はドライエッチング等のエッチング加
工によって形成されている。

【００５９】本実施の形態に係るＢＧＳ波表面振動子１
００、２００は、以上のように構成されるが、以下にそ
の製造方法等についてウエットエッチングとドライエッ
チングとで分けて、説明する。

【００６０】（ウエットエッチングによる製造方法）先
ず、図３（Ａ）に示すように水晶ＡＴ板１１０を例えば
ウエハ状にして載置する。そして、この水晶ＡＴ板のウ
エハ上にエッチングマスクとしてＣｒ／Ａｕのクロム合
金を配置し、レジストの後、ウエットエッチングする。

【００６１】このウエットエッチングは、エッチング液
として例えば、ＨＦ（フッ酸）／ＮＨ₄ Ｆ（フッ化アン
モニウム）の混合液を用いる。このように水晶ＡＴ板１
１０が水晶で形成されているため、ウエットエッチング
をフッ酸で容易に行うことができる。

【００６２】そして、エッチングレートは、６０度Ｃに
て、ＨＦ（フッ酸）／ＮＨ₄ Ｆ（フッ化アンモニウム）
の混合液を５０対５０の割合で混合し、約１μｍ／１分
の速度とした。

【００６３】このエッチンングを図３（Ｂ）に示すよう
に、水晶ＡＴ板１１０が貫通するまで行う。これによ
り、水晶ＡＴ板１１０の図２における両端面１１１，１
１１が形成されることになる。

【００６４】このようにして形成され水晶ＡＴ板１１０
の両端面１１１、１１１は、ダイシング・ソー等で切断
した端面と異なり表面粗さが小さく、精度良く両端面１
１１、１１１を構成することができるため、ＢＧＳ波の
反射係数を高くすることができることになる。

【００６５】貫通孔を形成した後、図３（Ｃ）に示すよ
うに、水晶ＡＴ板１１０上にアルミニウム（Ａｌ）膜１
３０を形成する。そして、このアルミニウム膜１３０の
上に、図３（Ｄ）に示すように、レジストを塗布し、図
１のＩＤＴ電極１２０のパターンを有するフォトマスク
を介して紫外線を照射し、露光及び現像等を行い、再び
ウエットエッチングする。このとき、貫通孔の部分を基
準として、フォトマスク精度を考えて、個々の水晶ＡＴ
板１１０毎に対応することができるため、より正確にＩ
ＤＴ電極を形成することができることになる。

【００６６】このような工程を経て、図３（Ｅ）に示す
ようにＩＤＴ電極１２０を形成する。

【００６７】この状態では、水晶ＡＴ板１１０は、図２
の両端面１１１、１１１側は他の水晶ＡＴ板１１０と分
離されているが、図２における他の端面１１２，１１２
は、未だウエハにおいて、他の水晶ＡＴ板１１０と接続
されている。

【００６８】そこで、この図２における他の端面１１
２、１１２を例えばダイシング・ソーで切断して、個々
のＢＧＳ波表面共振子１００として完成させる。

【００６９】このとき、他の端面１１２，１１２側は、
図２に示すように反射端面ではないため、表面が比較的
粗く形成されるダイシング・ソーによる切断であっても
構わない。

【００７０】以上のように形成されたＢＧＳ波表面共振
子１００の共振特性、すなわちインピーダンスー周波数
特性を測定したところ、図４に示すようにスプリアス振
動が発生し難く、共振特性が良好であることが確認され
た。また、本実施の形態に係るＢＧＳ波表面共振子１０
０は、水晶ＡＴ板１１０を用いているため、上述のよう
に厚みすべりの方向と上述の横波（ＢＧＳ波）が一致し
ているため、より共振特性が良好となっている。

【００７１】なお、上述のウエットエッチングの場合
は、後述するドライエッチングと比べ装置コストを低く
抑えられるため、生産性が良く、且つ大量生産も可能と
なるという利点を有している。

【００７２】（ドライエッチングによる製造方法）先
ず、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、水晶ＡＴ板１
１０のウエハ上に、アルミニウム膜１３０を成膜する。
そして、レジストの塗布等を行った後、図１のＩＤＴ電
極１２０のパターンを有するフォトマスクを介して紫外
線を照射し、露光及び現像等を行い、ウェットエッチン
グすることによりＩＤＴ電極１２０を形成する。そし
て、図５（Ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極１２０を正確
に形成することができる。

【００７３】次に、図５（Ｄ）に示すように、Ｃｒ／Ａ
ｕ等のクロム合金によるエッチングマスク１５０を設け
た後、再び、前記反応性（ＲＩＥ）イオンエッチングを
行い、図５（Ｅ）に示すように、ハーフエッチングを行
う。このとき、ハーフエッチングによって、図２の両端
面１１１，１１１を形成する溝が１６０が形成される。
この溝１６０の深さは、少なくとも、図２におけるＢＧ
Ｓ波の変位の深さＣと同じ深さ又はもっと深くなってい
る。このＣは、例えば１０μｍ程度である。

【００７４】このように、図２の両端面１１１，１１１
において、ＢＧＳ波の端面反射が生じる範囲の端面１１
１，１１１にはドライエッチング加工が施されることに
なる。上述のように、反応性（ＲＩＥ）イオンエッチン
グは、微細加工に優れた特性を示すため、前記両端面１
１１，１１１の表面粗さをより小さくすることができ、
両端面１１１，１１１を精度良く加工することができこ
とになる。

【００７５】その後、この溝１６０をダイシング・ソー
やブレーキング等で貫通孔とすることで、図２に示す両
端面１１１、１１１が形成される。このとき、ダイシン
グ・ソーやブレーキングで切断した、両端面１１１，１
１１の図において下の部分は、上述のように、ＢＧＳ波
の反射端面とはならないため、端面の表面粗さが大きく
てもＢＧＳ波表面振動子２００の性能上何ら問題はな
い。

【００７６】したがって、図５（Ｅ）において貫通エッ
チングをする場合に比べ、コストを下げることが可能と
なる。

【００７７】ところで、上述のように、図２の両端面１
１１，１１１を切断した後は、ウエットエッチングと同
様に、図２の他の端面１１２，１１２に相当する部分を
ダイシング・ソー等で切断し、個々のＢＧＳ波表面共振
子２００が完成することになる。

【００７８】このように製造されるＢＧＳ波表面振動子
２００は、前記ウエットエッチングで製造されるＢＧＳ
波表面振動子１００と同様に、スプリアス振動が発生し
難く、共振特性が良好であることが確認された。また、
本実施の形態に係るＢＧＳ波表面共振子２００は、水晶
ＡＴ板１１０を用いているため、上述のように厚みすべ
りの方向と上述の横波（ＢＧＳ波）が一致しているた
め、より共振特性が良好となっている。

【００７９】なお、本実施の形態では、水晶ＡＴ板１１
０という水晶を用いたが、圧電材料として他の電気機械
結合係数（Ｋ²)がより高い材料を用いれば、上述のハー
フエッチングで形成される溝が、より浅くなることは明
らかである。

【００８０】ところで、本発明は、前記実施の形態等に
限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の
変更を行うことができる。また、前記各実施の形態等の
各構成は、その一部を省略したり、上述していない他の
任意の組み合わせに変更することもできる。

【００８１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、第
２の表面波の端面部の反射によってもスプリアスが生じ
難く、良好な共振特性を有する表面振動子及びその製造
方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るＢＧＳ波表面共振子
を示す概略斜視図である。

【図２】図１のＢＧＳ波の変位状態を示す概略斜視図で
ある。

【図３】ウエットエッチングによる製造工程を示す概略
図である。

【図４】ＢＧＳ波表面共振子の共振特性を示す図であ
る。

【図５】ドライエッチングによる製造工程を示す概略図
である。

【図６】従来の表面共振子を示す概略図である。

【図７】従来の表面共振子の共振特性を示す図である。

【符号の説明】

１００、２００・・・ＢＧＳ波表面共振子 １１０・・・水晶ＡＴ板 １１１・・・端面 １１２・・・他の端面 １２０・・・ＩＤＴ電極 １３０・・・アルミニウム膜 １４０・・・レジスト １５０・・・エッチング用マスク １６０・・・溝

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の表面波と、 前記第１の表面波の伝播方向とほぼ直交する方向の変位
   を主体とする第２の表面波と、を発生し、 前記第２の表面波を反射させるための端面部が形成され
   てなる表面波共振子であって、 前記端面部がエッチング加工により形成されたエッチン
   グ端面部により形成されていることを特徴とする表面波
   振動子。
2. 【請求項２】 前記第２の表面波が、ＳＨタイプの表面
   波であることを特徴とする請求項１に記載の表面波振動
   子。
3. 【請求項３】 前記ＳＨ波が、ＢＧＳ波であることを特
   徴とする請求項２に記載の表面振動子。
4. 【請求項４】 前記エッチング加工がウエットエッチン
   グ加工であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
   いずれかに記載の表面波振動子。
5. 【請求項５】 前記エッチング加工がドライエッチング
   加工であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のい
   ずれかに記載の表面波振動子。
6. 【請求項６】 前記エッチング加工が、圧電基板を他の
   圧電基板から切り離すための貫通エッチング加工である
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記
   載の表面波振動子。
7. 【請求項７】 前記エッチング加工が、圧電基板をその
   表面から厚み方向に略半分程エッチングするハーフエッ
   チング加工であることを特徴とする請求項１乃至請求項
   ５に記載の表面波振動子。
8. 【請求項８】 前記圧電基板が水晶で形成されているこ
   とを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の表面波振
   動子。
9. 【請求項９】 前記水晶が、ＡＴカットもしくはＳＴカ
   ットであることを特徴とする請求項８に記載の表面波振
   動子。
10. 【請求項１０】 第１の表面波と、前記第１の表面波の
    伝播方向とほぼ直交する方向の変位を主体とする第２の
    表面波と、を発生し、 前記第２の表面波を反射させるための端面部が形成され
    てなる表面波共振子の製造方法であって、 前記端面部をエッチング加工により形成することを特徴
    とする表面波振動子の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第２の表面波が、ＳＨタイプの表
    面波であることを特徴とする請求項１０に記載の表面波
    振動子の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記ＳＨ波が、ＢＧＳ波であることを
    特徴とする請求項１１に記載の表面振動子の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記エッチング加工がウエットエッチ
    ング加工であることを特徴とする請求項１０乃至請求項
    １２のいずれかに記載の表面波振動子の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記エッチング加工がドライエッチン
    グ加工であることを特徴とする請求項１０乃至請求項１
    ２に記載の表面波振動子の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記エッチング加工が、圧電基板を、
    他の圧電基板と切り離すための貫通エッチング加工であ
    ることを特徴とする請求項１０乃至請求項１４のいずれ
    かに記載の表面波振動子の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記エッチング加工が、圧電基板をそ
    の表面から厚み方向に略半分程エッチングするハーフエ
    ッチング加工であることを特徴とする請求項１０乃至請
    求項１４に記載の表面波振動子の製造方法。
17. 【請求項１７】 圧電基板上を伝播する第１の表面波
    と、 前記第１の表面波の伝播方向とほぼ直交する方向の変位
    を主体とする第２の表面波と、を発生し、前記第２の表
    面波を反射させるための端面部が形成されてなる表面波
    共振子の製造方法であって、 前記圧電基板に前記端面部を形成するための溝又は貫通
    孔をエッチングにより設け、 その後、この圧電基板上に電極を形成することを特徴と
    する表面波振動子の製造方法。
18. 【請求項１８】 圧電基板上を伝播する第１の表面波
    と、 前記第１の表面波の伝播方向とほぼ直交する方向の変位
    を主体とする第２の表面波と、を発生し、前記第２の表
    面波を反射させるための端面部が形成されてなる表面波
    共振子の製造方法であって、 前記圧電基板上に前記電極を形成し、 その後、この圧電基板に前記端面部を形成するための溝
    又は貫通孔をエッチングにより設けることを特徴とする
    表面波振動子の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記圧電基板が水晶で形成されている
    ことを特徴とする請求項１５乃至請求項１８のいずれか
    に記載の表面波振動子の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記水晶が、ＡＴカットもしくはＳＴ
    カットであることを特徴とする請求項１９に記載の表面
    波振動子の製造方法。