JP2001332810A

JP2001332810A - レーザ装置

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Publication number: JP2001332810A
Application number: JP2000151469A
Authority: JP
Inventors: Kenji Matsumoto; 研司松本
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2000-05-23
Filing date: 2000-05-23
Publication date: 2001-11-30

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザ装置において、基本横モードで安定
に、かつ高出力でレーザ光を発振させる。【解決手段】電流注入により光利得を発生する活性層
を含む複数の半導体層からなる利得媒質１０と、その利
得媒質に対向して設置させた光学部材である凹レンズ２
０とを備え、利得媒質１０の活性層に垂直な一端面に形
成されている第一の反射面１７と凹レンズ２０の凹面に
形成された第二の反射面２１とによりレーザ共振器を構
成する。利得媒質内には屈折率段差による導波路はな
く、共振器面である第一および第二の反射面１７，２１
により共振器内における光ビームの導波路が決定される
ため、利得媒質１０の光出射端面１８における光密度が
大きくなりすぎないように、かつ、基本横モード発振す
るように、共振器長および第二の反射面２１の曲率によ
りビーム径を調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ装置に関
し、詳細には、活性層を備えた半導体素子を利得媒質と
し、該利得媒質の一端面と外部に設けられた反射面とに
よる外部共振器構造を備えたレーザ装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体レーザは、レーザ光が回折
限界まで集光可能である性質を用い、光通信用光源、ま
た光ディスク装置用光源として広く用いられるに至って
いる。しかしながら、半導体レーザから放射される光な
らば全て回折限界まで集光可能であるわけではなく、半
導体レーザの出射端面において、位相が揃っている光、
すなわち基本横モードで発光している光のみが回折限界
まで集光可能である。一方、基本横モードのみでなく、
高次の横モードが混在して発光している、様々な位相の
光が混在している状態では、回折限界まで集光できな
い。

【０００３】一般に、基本横モード動作は、発光断面積
を小さくすればするほど、安定となることが広く知られ
ている。そのため、基本横モード発振する半導体レーザ
を構成する際には、導波路のサイズは厚さ方向に１μｍ
以下、発光層の幅方向に２〜４μｍ程度で設計されて製
造されている。特に、導波路のサイズとして発光層の幅
方向の幅を狭めれば狭めるほど、安定に基本横モードで
発光する素子を高い歩留まりで製造可能となることは、
経験的にも広く知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基本横
モード発振させるために幅方向を狭め発光断面積を狭く
することは、半導体レーザの出射端面における光密度の
上昇を必然的に招くこととなる。この出射端面における
光密度の増大は半導体レーザの構成材料の劣化を招き、
素子の寿命を短くする一要因となる。すなわち、光密度
の増大により端面劣化が生じるため、発光断面積の狭い
半導体レーザにおいては高出力を得ることが困難であ
る。

【０００５】一方、高出力動作を達成するための一つの
方法として、活性層の幅方向に５０−１００μｍの幅の
広い導波路を備えた構造とすることが挙げられる。導波
路の断面積が広くなるため、端面における光密度は低く
なり素子端面の劣化が抑えられて高出力が可能となる。
しかしながら、このように幅広の導波路とすると、基本
横モード発振とはならず、多モード発振となる。

【０００６】上述のように、基本横モードでの安定動作
は活性領域の断面積を小さくすることにより得られ、一
方、光出力の増大化は活性領域の断面積を広くすること
によって得られる。したがって、基本横モードの安定化
と光出力の高出力化とを同時に達成することは非常に困
難であった。

【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、基本横モードで安定に、かつ高出力でレーザ
光を発振するレーザ装置を提供することを目的とするも
のである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のレーザ装置は、
電流注入により光利得を生じる活性層を含む複数の半導
体層からなり、前記活性層に垂直な一端面に第一の反射
面を備えた利得媒質と、前記利得媒質の前記一端面と対
向する他端面側の外部に配置された、前記第一の反射面
と共に基本横モード発振せしめる共振器を構成する反射
光を集束せしめる第二の反射面を有する光学ユニットと
を備え、前記光利得により生じた誘導光の導波路が、前
記共振器により決定されるものであることを特徴とする
ものである。

【０００９】すなわち、本発明のレーザ装置は、利得媒
質として半導体素子を利用し、その半導体素子の一端面
と外部に設けられた外部ミラー（第二の反射面を有する
光学ユニット）とにより共振器を構成するものである。

【００１０】なお、前記利得媒質の前記導波路となる領
域は、発振するレーザ波長に対して透過性を有するもの
であることが望ましい。

【００１１】また、前記利得媒質の前記導波路となる領
域には、屈折率差による導波路構造が形成されていない
ことが望ましく、このように利得媒質の内部構造による
屈折率導波路を形成しない構造とするために、例えば、
前記活性層と該活性層を挟む前記半導体層との屈折率の
差による効果を打ち消すための層を設けるとよい。

【００１２】また、前記光学ユニットは、前記活性層の
幅方向よりも厚み方向に光を集束させる機能を有するも
のであることが望ましく、単一の光学部材からなるもの
であってもよいし、いかなる光学部材の組合せからなる
ものであってもよい。具体的には、前記第二の反射面の
曲率を、該第二の反射面で反射される光を前記活性層の
幅方向よりも厚み方向に集束させるもの、前記利得媒質
と前記第二の反射面との間にシリンドリカルレンズを備
え、前記第二の反射面の曲率が等方的であるものさら
に、前記利得媒質と前記第二の反射面との間に円柱状面
を備え、前記第二の反射面の曲率が等方的であるもの等
が挙げられる。

【００１３】なお、前記活性層のうち前記導波路に対応
する領域に対してのみ電流を注入する構造を備えること
が望ましい。「前記導波路に対応する領域に対してのみ
・・」とは、導波路と完全に一致する領域だけでなく、
その周囲を一部含むものであってもよいが、活性層全体
に電流を注入するものではないことを意味する。

【００１４】

【発明の効果】本発明のレーザ装置は、活性層を備えた
半導体素子からなる利得媒質と、その利得媒質の一端面
と外部に配された光学ユニットの反射面とにより共振器
を構成し、この共振器により基本横モードで発振し、ま
た、共振器内部において光利得により生じた誘導光の導
波路もこの共振器により決定されるものであるため、従
来の半導体レーザ素子のように、半導体内部構造により
導波路および横モードが決定される場合と比較して、基
本横モードを一義的に容易に発振可能であり、また、光
出射端面における導波路の断面積を容易に広げることが
できるため、高出力の発振をすることができる。

【００１５】前記利得媒質の前記導波路となる領域が発
振するレーザ波長に対して透過性を有するものであるこ
とにより、内部構造により導波路が限定されることな
く、光密度を低く維持しつつ基本横モード発振を可能と
する。

【００１６】前記利得媒質の前記導波路となる領域には
屈折率差による導波路構造が形成されていないことによ
り、利得媒質内部の構造により導波路が決定されないた
め、光密度を低く維持しつつ基本横モード発振を可能と
する。

【００１７】また、前記光学ユニットが、前記活性層の
幅方向よりも厚み方向に光を集束させる機能を有するも
のであることにより、一般に非常に薄く形成される活性
層に対して光を集中させることができるので、効率よく
光利得を得ることができ、高出力発振がより容易に可能
となる。

【００１８】前記活性層のうち前記導波路に対応する領
域に対してのみ電流を注入する構造を備えたことによ
り、電流を活性層全体に注入する場合と比較して、導波
路となる領域で効率よく光利得を生じさせることができ
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の具
体的な実施の形態を説明する。

【００２０】図１は本発明の第一の実施の形態であるレ
ーザ装置の概略構成を示す斜視図である。本レーザ装置
は、電流注入により光利得を発生する活性層を含む複数
の半導体層からなる利得媒質１０と、その利得媒質に対
向して設置させた光学部材である凹レンズ２０とを備
え、利得媒質１０の活性層に垂直な一端面に形成されて
いる反射面１７と凹レンズ２０の凹面状の反射面２１と
によりレーザ共振器が構成されている。

【００２１】まず、半導体素子である利得媒質１０につ
いて説明する。該利得媒質１０はｎ−ＧａＡｓ基板１
１、波長980nmにて光利得を発生するInGaAs量子井戸活
性層からなる利得層１２、 p−GaAs上部層１３および該
上部層１３の間に形成されたn-GaAs電流阻止層１４から
なる。なお、利得層１２は活性層以外に歪緩和層等を備
えていてもよい。基板上に各層を積層するにあたっては
気相成長法およびフォトリソグラフィ工程を用いる。な
お、基板１１、上部層１３および電流阻止層１４は、レ
ーザ発振波長に対して透明な材料とする。

【００２２】上記のような半導体層を形成後、利得層１
２に電流を注入するため基板１１側および上部層１３側
にそれぞれｎ側電極１５、ｐ側電極１６を形成する。ま
た、基板１１および上部層１３の厚みは、後述のレーザ
共振器により形成される光ビームが電極１５，１６に散
乱されて光損失を生じないような値とする。例えば光ビ
ームの直径が100 μｍならば、それぞれの厚さを100 μ
ｍ程度とする。

【００２３】次に、結晶の劈開性を利用して劈開により
素子を切り出す。この際、対向する二端面を構成する劈
開面のうち一端面にレーザ光に対応した波長における高
反射膜、他端面に無反射膜を形成することにより、一端
面をレーザ共振器を構成する第一の反射面１７とし、他
端面を光出射端面１８とする。また、この利得媒質１０
は電流注入により発熱するため、導電性のろう材（In
等）を用い、図示しないヒートシンクに基板１１側を実
裝する。そして、素子に対してワイヤーボンドを行い電
流注入可能な構造とする。

【００２４】図２は、図１に示すＩ−Ｉ線断面図であ
り、電流阻止層１４が形成された箇所での断面図であ
る。ここでは共振器により形成される光ビームの導波路
を示すビームパターン100 も示されている。電流阻止層
１４は、導波路中で効率よく利得を発生させるべく電流
注入領域を限定するために設けられるものであり、この
電流注入のための電流注入窓を有する。この窓は、スト
ライプ状であってもよいし、ビームパターン100 に沿う
ように末広がりに形成されていてもよいが、特にビーム
パターン100 に略一致するように末広がり形状のほうが
より効率よく利得を発生させることができるので好まし
い。

【００２５】一方、凹レンズ２０は、レーザ共振器の第
二の反射面となる凹面２１にはレーザ光に対応した波長
における高反射膜、もしくは低反射膜が形成されてお
り、レーザ光出射面となる他面２２にはレーザ光に対応
した波長における無反射膜が形成されている。なお、凹
面２１に形成される反射膜の反射率は利得媒質で発生す
る利得に応じて決められるもので、利得が大きくない場
合には、高い反射率とする必要がある。

【００２６】本レーザ装置は、利得層１２に電流を注入
することにより、InGaAsからなる量子井戸活性層におい
て利得が発生し、この利得により生じた誘導光が共振器
内で増幅されてレーザ発振する。

【００２７】本レーザ装置においては、利得媒質１０の
一端面に形成された平面（第一の反射面）１７と、この
利得媒質１０の外部に設けられた凹面（第二の反射面）
２１とにより共振器が構成されており、この外部に設け
られた第二の反射面２１の位置により容易に共振器長を
調節することができ、凹レンズ２０としても種々の曲率
のものを適宜選択して利用することができる。

【００２８】前述のように利得媒質１０を構成する各層
は、レーザ発振波長に対し透明な材料からなっており、
内部に屈折率段差による屈折率導波構造も備えていない
ため、光ビームの導波路は２枚の反射面からなる共振
器、特に共振器長と凹レンズ２０の凹面２１の曲率によ
り決定されるものとなる。

【００２９】従来の屈折率導波構造を備えた半導体レー
ザ素子においては、光ビームが狭い導波路内に限定され
るが、上述のように本発明のレーザ装置においては導波
路が共振器構造にのみ依存して形成されるため、利得媒
質１０の光出射端面１８における光密度は低くなる。光
密度が低いため利得媒質構成材料の劣化を引き起こさ
ず、高出力の光が出力可能となる。

【００３０】また、従来より、横モードは導波路により
制御されており、ここでは導波路を共振器長および凹面
の曲率により定めることができるので、この共振器長お
よび凹面の曲率として基本横モードによる発光を行うよ
うにそれぞれの値を選択する。これにより容易に基本横
モード発振が可能となる。

【００３１】なお、本レーザ装置においては、利得部の
共振器長方向の長さを１ｍｍとし、発振波長980nmで１
Ｗまで光出力-電流特性上異常なく発振することができ
た。また、近視野像の乱れもなく、良好な光出力が得ら
れ、実際にシステム搭載時においても安定な光出力を得
ることができた。

【００３２】上記第一の実施の形態においては光学部材
として凹レンズ２０を利用し、そのの凹面を共振器面と
したものを利用したが、レーザ光を基本横モードで共振
できる光学ユニットであればこれに限るものではない。
例えば別の光学部材として平凸レンズを利用することも
できる。図３に平凸レンズ１２０を用いた場合の利得媒
質１０および平凸レンズの断面図を示す。平凸レンズ１
２０の平面１２１側を利得媒質１０に近い側に配し、こ
の面にレーザ光の波長に対する無反射膜を形成する。一
方、凸面１２２にはレーザ光の波長に対する低反射もし
くは高反射膜を形成してこの面を共振器の第二の反射面
とする。凸面１２２は利得媒質１０からみると凹面であ
り上述の凹レンズ２０を用いた場合と同じ効果が得られ
る。

【００３３】次に、本発明の第二の実施の形態のレーザ
装置について説明する。図４は、本発明の第二の実施の
形態であるレーザ装置の概略構成を示す斜視図である。
ここでは、第一の実施形態のレーザ装置と同等の要素に
は同符合を付し詳細な説明を省略する。

【００３４】本レーザ装置は、電流注入により光利得を
発生する活性層を含む複数の半導体層からなる利得媒質
３０と、その利得媒質に対向して設置させた光学部材で
ある凹レンズ４０とを備え、利得媒質３０の活性層に垂
直な一端面に形成されている第一の反射面と凹レンズ４
０の凹面に形成された第二の反射面とによりレーザ共振
器が構成されている。

【００３５】利得媒質３０は上記第一の実施形態におい
て用いられた利得媒質１０とほぼ同様であるが、上部層
１３’の厚みが10μｍ程度と薄く形成される。また、利
得媒質３０をヒートシンク５０に実装する際、上部層１
３’側を実装する。ここで、上部層１３’の厚みは10μ
ｍであり、第一の実施形態の場合と比較しても非常に薄
いため利得層１２がヒートシンク５０に近くなり効率よ
く放熱できる。したがって、発熱による特性劣化を抑制
することができる。

【００３６】凹レンズ４０は、その縦方向と横方向とで
異なる曲率を有し、利得層１２を中心として利得層１２
の幅方向よりも厚み方向に光を集束せしめるように配置
される。この凹レンズ４０の凹面４１にはレーザ光の波
長に対する低反射もしくは高反射膜が形成されており、
この凹面４１が共振器の第二の反射面を構成し、光出射
面となる他面４２にはレーザ光の波長に対する無反射膜
が形成されている。この凹レンズ４０により、利得媒質
の光出射端面１８において扁平な光ビーム形状を形成す
ることができ、ここでは光出射端面１８において利得層
１２の幅方向に100μｍ、厚み方向に10μｍ程度の扁平
な光ビーム形状になるような曲率を備えるものとする。

【００３７】上述のようにして、利得層１２に対しその
厚み方向に薄い光ビーム径となるため、上部層１３’の
厚みが10μｍ程度の薄いものであっても、電極による光
の散乱による光出力の低下は生じない。また、光ビーム
が利得層１２の厚み方向に10μｍ以下と薄いために、利
得の発生源である薄い活性層とも十分な相互作用するこ
とができるため、十分な利得を得ることができさらに高
出力の光が出力可能となる。なお、上部層を薄く形成す
ることにより、その結晶成長にかかる時間も短縮でき、
材料ガスのコストも安価に抑えることができる。

【００３８】次に、第三の実施の形態のレーザ装置につ
いて図６を参照して説明する。本発明のレーザ装置は第
二の実の施形態と光学ユニットの構成が異なる。同等の
要素には同符合を付し詳細な説明を省略する。

【００３９】本レーザ装置における光学ユニット６０
は、共振器の第二の反射面となる面を備えた凹レンズ６
１とシリンドリカルレンズ６４とからなる。

【００４０】凹レンズ６１は、等方的な曲率を備えた共
振器の第二の反射面となる凹面６２とレーザ出射面とな
る他面６３とを備え、凹面６２にはレーザ光に対応した
波長における高反射膜もしくは低反射膜が形成されてお
り、他面６３にはレーザ光に対応した波長における無反
射膜が形成されている。

【００４１】また、シリンドリカルレンズ６４は、各面
にレーザ光に対応した波長における無反射膜が形成され
ている。

【００４２】凹レンズ６１の凹面６２の曲率とシリンド
リカルレンズの曲率は、それぞれを組み合わせた光学系
において、利得層１２に対し幅方向よりも厚み方向に光
を集束せしめる曲率を選択する。ここでは、利得媒質１
０’の光出射端面１８において、利得層１２の厚み方向
には10μｍ前後、幅方向には100μｍ程度の光ビーム径
となるような曲率とする。

【００４３】凹レンズ６１とシリンドリカルレンズ６４
からなる光学ユニット６０は、第二の実施の形態と同様
の扁平な光ビーム径を形成するものであるが、前述の縦
横で曲率の異なる凹レンズを用いる場合と比較して安価
に構成することができる。

【００４４】なお、扁平な光ビーム形状を形成するため
の光学ユニット（光学部材）は、上述の例に限るもので
はない。例えば、円柱面と球面とを有するレンズを用い
てもよい。

【００４５】図６，７に球、円柱面を有するレンズを適
用した場合のレーザ装置の利得層１２における横断面図
（ａ）およびそれを上方から見た図（ｂ）を示す。

【００４６】図６に示す光学部材１５０は、円柱の一部
のような断面（円柱面）１５１と等方的な曲率の凹面１
５２を有しており、円柱面１５１が利得媒質３０側とな
るように配されている。円柱面１５１にはレーザ光に対
応した波長における無反射膜が形成されており、シリン
ドリカルレンズと同等な役割を果たす。また、凹面１５
２にはレーザ光に対応した波長における高反射膜もしく
は低反射膜が形成されており、この凹面１５２が共振器
の第二の反射面となる。

【００４７】図６（ａ），（ｂ）に示すように、円柱面
１５１は利得層１２の幅方向にのみ曲率を有し、この曲
率は凹面１５２の曲率より小さい。凹面１５２によりビ
ーム径を利得媒質端面における利得層１２の厚み方向に
10μｍ程度となるように成形し、円柱面１５１によりそ
のビーム径を幅方向に広がりを持たせるようにして、幅
方向には100μｍ程度とする。

【００４８】図７に示す光学部材１６０は、円柱の一部
のような断面（円柱面）１６１と等方的な曲率の凹面１
６２を有しており、円柱面１６１が利得媒質３０側とな
るように配されている。円柱面１６１にはレーザ光に対
応した波長における無反射膜が形成されており、シリン
ドリカルレンズと同等な役割を果たす。また、凹面１６
２にはレーザ光に対応した波長における高反射膜もしく
は低反射膜が形成されており、この面１６２が共振器の
第二の反射面となる。

【００４９】図７（ａ），（ｂ）に示すように、円柱面
１６１は利得層１２の厚み方向にのみ曲率を有し、この
曲率は利得層１２側からみると凸状の曲率となってい
る。凹面１６２によりビーム径を利得媒質端面における
利得層１２の幅方向に100μｍ程度となるように成形
し、円柱面１６１によりそのビーム径を利得層１２厚み
方向にさらに集束させて厚み方向に10μｍ程度となるよ
うにする。

【００５０】これらのように球面と円柱面を有するレン
ズは、凹レンズにおいて縦横の曲率を変化させたものと
比較して安価に構成することができる。

【００５１】さて、上記の各実施の形態においては、屈
折率差よる影響はないものとしているが、一般には、活
性層とそれを支持する基板、上部層では屈折率が異な
る。また、レーザ発振において発生した熱や、活性層へ
の電流注入により屈折率は変化するために、活性層とそ
れを支持する基板、上部層との間に屈折率差が生じる場
合もある。

【００５２】そこで、これらの屈折率の差を見込んで、
あらかじめ、その効果を打ち消すための層設けておくこ
とが好ましい。図８に屈折率の差による効果を打ち消す
ための層を設けた場合の利得媒質の例を屈折率分布とと
もに示す。図示のように、基板１４６、上部層１４０に
比べ活性層１４３の屈折率が大きい場合、屈折率の低い
層１４１、１４５をそれぞれの層の間に設けることによ
り、屈折率を平均的にならして屈折率の差により生じる
効果を打ち消すようにする。なお、図中、１４０’およ
び１４６’の各層は、それぞれ上部層１４０、基板１４
６と同等の組成の層である。

【００５３】なお、上述の各実施の形態においては、電
流阻止層を上部層と逆極性の層とする半導体のPN接合を
利用した内部電流阻止方式を採用したが、例えば高抵抗
層を形成することにより電流の流れを制限するような方
式をとってもよい。

【００５４】また、量子井戸構造において、複数の井戸
からなるキャリアの閉じ込め層、歪み補償層を設ける等
の従来の半導体レーザ素子における性能向上にかかわる
施策は本発明のレーザ装置における利得媒質に適用する
ことができる。

【００５５】また、上記利得媒質である半導体素子の構
造は、ｎ型基板を用いた場合について記述しているが、
ｐ型基板を用いてもよく、この場合上記すべての導電性
を反転すればよい。

【００５６】さらに、上記実施の形態においてはGaAs系
半導体についてのみ記述しているが、GaN 系、InP 系、
またその他の半導体を用いてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施形態のレーザ装置の概略構
成を示す斜視図

【図２】図１のＩ−Ｉ線断面図

【図３】第一の実施形態において共振器の別の態様を示
す図

【図４】本発明の第二の実施形態のレーザ装置の概略構
成を示す斜視図

【図５】本発明の第三の実施形態のレーザ装置の概略構
成を示す斜視図

【図６】第三の実施形態において共振器の別の態様を示
す図

【図７】第三の実施形態において共振器のさらに別の態
様を示す図

【図８】屈折率差を打ち消すための構造を備えた利得媒
質の断面図

【符号の説明】

１０利得媒質１１基板１２利得層１３上部層１４電流阻止層１７第一の反射面１８光出射端面２０凹レンズ２１第二の反射面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電流注入により光利得を生じる活性層を
含む複数の半導体層からなり、前記活性層に垂直な一端
面に第一の反射面を備えた利得媒質と、前記利得媒質の前記一端面と対向する他端面側の外部に
配置された、前記第一の反射面と共に基本横モード発振
せしめる共振器を構成する、反射光を集束せしめる第二
の反射面を有する光学ユニットとを備え、前記光利得により生じた誘導光の導波路が、前記共振器
により決定されるものであることを特徴とするレーザ装
置。
【請求項２】前記利得媒質の前記導波路となる領域
が、発振するレーザ波長に対して透過性を有するもので
あることを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
【請求項３】前記利得媒質の前記導波路となる領域に
は、屈折率差による導波路構造が形成されていないこと
を特徴とする請求項１または２記載のレーザ装置。
【請求項４】前記活性層と該活性層を挟む前記半導体
層との屈折率の差による効果を打ち消すための層を設け
たことを特徴とする請求項３記載のレーザ装置。
【請求項５】前記光学ユニットが、前記活性層の幅方
向よりも厚み方向に光を集束させる機能を有するもので
あることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載
のレーザ装置。
【請求項６】前記第二の反射面の曲率が、該第二の反
射面で反射される光を前記活性層の幅方向よりも厚み方
向に集束させるものであることを特徴とする請求項５記
載のレーザ装置。
【請求項７】前記光学ユニットが、前記利得媒質と前
記第二の反射面との間にシリンドリカルレンズを備え、
前記第二の反射面の曲率が等方的であることを特徴とす
る請求項５記載のレーザ装置。
【請求項８】前記光学ユニットが、前記利得媒質と前
記第二の反射面との間に円柱状面を備え、前記第二の反
射面の曲率が等方的であることを特徴とする請求項５項
記載のレーザ装置。
【請求項９】前記活性層のうち前記導波路に対応する
領域に対してのみ電流を注入する構造を備えたことを特
徴とする請求項１から８いずれか１項記載のレーザ装
置。