JP2001332748A - 太陽電池モジュールの製造方法 - Google Patents
太陽電池モジュールの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 太陽電池モジュールの歩留りを高めて廃棄物
処理の問題を減らすとともに、各工程におけるタクト時
間を短縮して太陽電池モジュールのスループットを向上
する。 【解決手段】 基板上にそれぞれストリング状にスクラ
イブされた第１電極層、光電変換半導体層および第２電
極層を形成して互いに直列に接続された複数の太陽電池
セルを形成した後、アニールする工程と、各太陽電池セ
ルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する工程
と、基板の両端部近傍のバス領域に点状に予備半田を付
ける工程と、基板の周縁部に形成された薄膜の少なくと
も一部をサンドブラストにより除去する工程と、基板を
洗浄する工程と、ソーラーシミュレーターにより太陽電
池セルの電圧−電流測定を行う工程と、バス領域の予備
半田上にバスバー電極を形成する工程とを有する太陽電
池モジュールの製造方法。
処理の問題を減らすとともに、各工程におけるタクト時
間を短縮して太陽電池モジュールのスループットを向上
する。 【解決手段】 基板上にそれぞれストリング状にスクラ
イブされた第１電極層、光電変換半導体層および第２電
極層を形成して互いに直列に接続された複数の太陽電池
セルを形成した後、アニールする工程と、各太陽電池セ
ルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する工程
と、基板の両端部近傍のバス領域に点状に予備半田を付
ける工程と、基板の周縁部に形成された薄膜の少なくと
も一部をサンドブラストにより除去する工程と、基板を
洗浄する工程と、ソーラーシミュレーターにより太陽電
池セルの電圧−電流測定を行う工程と、バス領域の予備
半田上にバスバー電極を形成する工程とを有する太陽電
池モジュールの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池モジュール
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜太陽電池モジュールは以下の
ような工程により製造されている。まず、ガラス基板上
にそれぞれストリング状にスクライブされた第１電極層
（透明電極層）、光電変換半導体層および第２電極層
（裏面電極層）を形成して互いに直列に接続された複数
の太陽電池セルを形成する。また、ガラス基板の両端部
の活性領域のすぐ外側に成膜されている半導体層および
裏面電極層を所定の幅で除去し、出力取り出し用の配線
を形成するためのバス領域を形成する。その後、アニー
ルを行い、光電変換半導体層を活性化させる。
ような工程により製造されている。まず、ガラス基板上
にそれぞれストリング状にスクライブされた第１電極層
（透明電極層）、光電変換半導体層および第２電極層
（裏面電極層）を形成して互いに直列に接続された複数
の太陽電池セルを形成する。また、ガラス基板の両端部
の活性領域のすぐ外側に成膜されている半導体層および
裏面電極層を所定の幅で除去し、出力取り出し用の配線
を形成するためのバス領域を形成する。その後、アニー
ルを行い、光電変換半導体層を活性化させる。
【０００３】次に、各太陽電池セルに逆バイアス処理を
行う。この工程は、太陽電池セルに発生した短絡部を除
去して、発電特性の低下を抑えるために行われる。すな
わち、上記の工程において光電変換半導体層にピンホー
ルが生じると、第２電極層が第１電極層まで達して短絡
することがある。短絡が生じた太陽電池セルは発電に寄
与しなくなるため、太陽電池の発電特性が低下する。そ
こで、太陽電池セルに逆バイアス電圧を印加し、短絡部
に電流を流してジュール熱を発生させ、短絡部において
第２電極層の金属を飛散させたり金属を酸化して絶縁膜
に変換する。こうして短絡部をなくすと、動作時の発電
特性の低下を抑えることができる。
行う。この工程は、太陽電池セルに発生した短絡部を除
去して、発電特性の低下を抑えるために行われる。すな
わち、上記の工程において光電変換半導体層にピンホー
ルが生じると、第２電極層が第１電極層まで達して短絡
することがある。短絡が生じた太陽電池セルは発電に寄
与しなくなるため、太陽電池の発電特性が低下する。そ
こで、太陽電池セルに逆バイアス電圧を印加し、短絡部
に電流を流してジュール熱を発生させ、短絡部において
第２電極層の金属を飛散させたり金属を酸化して絶縁膜
に変換する。こうして短絡部をなくすと、動作時の発電
特性の低下を抑えることができる。
【０００４】次に、上記の工程で形成したバス領域に点
（バンプ）状に予備半田を付ける。また、予備半田上に
半田めっき銅箔を取り付けてバスバー電極を形成する。
（バンプ）状に予備半田を付ける。また、予備半田上に
半田めっき銅箔を取り付けてバスバー電極を形成する。
【０００５】次に、ガラス基板の周縁部に成膜されてい
る薄膜の少なくとも一部をサンドブラストにより除去し
て、ガラス基板または第１電極層を露出させる。この工
程は、太陽電池モジュールの耐候性を向上させるために
行われるものである。すなわち、太陽電池モジュールの
裏面は、最終的にはＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重
合体）などからなる充填材および背面カバーフィルムに
より封止される。太陽電池モジュールの耐候性を低下さ
せる原因の１つとして、太陽電池モジュールの周縁部に
おいて充填材との境界から水分が侵入することが挙げら
れる。こうした水分の侵入を防止するためには、周縁部
での充填材の密着性を向上させる必要がある。ここで、
充填材に対する密着性は、第１の電極またはガラス基板
の方が、第２の電極層または光電変換半導体層よりも優
れているため、上記のようにサンドブラストによりガラ
ス基板または第１電極層を露出させる。その後、サンド
ブラストにより発生した粉塵を除去するために、ガラス
基板を洗浄する。
る薄膜の少なくとも一部をサンドブラストにより除去し
て、ガラス基板または第１電極層を露出させる。この工
程は、太陽電池モジュールの耐候性を向上させるために
行われるものである。すなわち、太陽電池モジュールの
裏面は、最終的にはＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重
合体）などからなる充填材および背面カバーフィルムに
より封止される。太陽電池モジュールの耐候性を低下さ
せる原因の１つとして、太陽電池モジュールの周縁部に
おいて充填材との境界から水分が侵入することが挙げら
れる。こうした水分の侵入を防止するためには、周縁部
での充填材の密着性を向上させる必要がある。ここで、
充填材に対する密着性は、第１の電極またはガラス基板
の方が、第２の電極層または光電変換半導体層よりも優
れているため、上記のようにサンドブラストによりガラ
ス基板または第１電極層を露出させる。その後、サンド
ブラストにより発生した粉塵を除去するために、ガラス
基板を洗浄する。
【０００６】次いで、ソーラーシミュレーターにより太
陽電池セルの電圧−電流（ＶＩ）測定を行う。
陽電池セルの電圧−電流（ＶＩ）測定を行う。
【０００７】さらに、バスバー電極に出力取り出し用の
配線を接続し、太陽電池モジュールの裏面にＥＶＡシー
トと背面カバーフィルムを重ねて真空ラミネータを用い
て封止し、配線の取り出し部にシリコーン樹脂を充填
し、最後に端子の取り付けとフレームの取り付けを行
う。
配線を接続し、太陽電池モジュールの裏面にＥＶＡシー
トと背面カバーフィルムを重ねて真空ラミネータを用い
て封止し、配線の取り出し部にシリコーン樹脂を充填
し、最後に端子の取り付けとフレームの取り付けを行
う。
【０００８】ところで、ソーラーシミュレーターによる
ＶＩ測定で不良と判定された太陽電池モジュールはアウ
ト品として製造工程から排除される。しかし、不良と判
定された太陽電池モジュールにはすでに半田めっき銅箔
が接続されており、半田は鉛を含むため廃棄物処理に問
題が生じる。したがって、製品歩留りを高めて廃棄物処
理の問題を減らすために、不良の発生を極力なくすよう
に製造工程を工夫する必要がある。これとともに、各工
程におけるタクト時間を短縮して製品のスループットを
向上させるために、特に各工程における基板の位置合わ
せ操作を簡略化することが望まれている。
ＶＩ測定で不良と判定された太陽電池モジュールはアウ
ト品として製造工程から排除される。しかし、不良と判
定された太陽電池モジュールにはすでに半田めっき銅箔
が接続されており、半田は鉛を含むため廃棄物処理に問
題が生じる。したがって、製品歩留りを高めて廃棄物処
理の問題を減らすために、不良の発生を極力なくすよう
に製造工程を工夫する必要がある。これとともに、各工
程におけるタクト時間を短縮して製品のスループットを
向上させるために、特に各工程における基板の位置合わ
せ操作を簡略化することが望まれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、太陽
電池モジュールの歩留りを高めて廃棄物処理の問題を減
らすことができる方法を提供することにある。本発明の
他の目的は、各工程における基板の位置合わせ操作を簡
略化することにより、各工程におけるタクト時間を短縮
して太陽電池モジュールのスループットを向上できる方
法を提供することにある。
電池モジュールの歩留りを高めて廃棄物処理の問題を減
らすことができる方法を提供することにある。本発明の
他の目的は、各工程における基板の位置合わせ操作を簡
略化することにより、各工程におけるタクト時間を短縮
して太陽電池モジュールのスループットを向上できる方
法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池モジュ
ールの製造方法は、基板上にそれぞれストリング状にス
クライブされた第１電極層、光電変換半導体層および第
２電極層を形成して互いに直列に接続された複数の太陽
電池セルを形成した後、アニールする工程と、前記各太
陽電池セルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去す
る工程と、前記基板の両端部近傍のバス領域に点状に予
備半田を付ける工程と、前記基板の周縁部に形成された
薄膜の少なくとも一部をサンドブラストにより除去する
と、前記基板を洗浄する工程と、ソーラーシミュレータ
ーにより前記太陽電池セルの電圧−電流測定を行う工程
と、前記バス領域の予備半田上にバスバー電極を形成す
る工程とを具備したことを特徴とする。
ールの製造方法は、基板上にそれぞれストリング状にス
クライブされた第１電極層、光電変換半導体層および第
２電極層を形成して互いに直列に接続された複数の太陽
電池セルを形成した後、アニールする工程と、前記各太
陽電池セルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去す
る工程と、前記基板の両端部近傍のバス領域に点状に予
備半田を付ける工程と、前記基板の周縁部に形成された
薄膜の少なくとも一部をサンドブラストにより除去する
と、前記基板を洗浄する工程と、ソーラーシミュレータ
ーにより前記太陽電池セルの電圧−電流測定を行う工程
と、前記バス領域の予備半田上にバスバー電極を形成す
る工程とを具備したことを特徴とする。
【００１１】本発明の方法を用いれば、以下のような利
点が得られる。逆バイアス処理の次に予備半田付けを行
う工程順になっているので、逆バイアス処理のアウト品
には予備半田を付けないようにすることができ、廃棄物
処理の問題を極力避けることができる。予備半田付けの
次にサンドブラストを行う工程順になっているので、サ
ンドブラストにより発生する粉塵により、半田の付きが
悪くなるという問題を避けることができる。ソーラーシ
ミュレーターによるＶＩ測定の次にバスバー電極の形成
を行う工程順になっているので、ＶＩ測定のアウト品に
はバスバー電極を形成しないようにすることができ、廃
棄物処理の問題を極力避けることができる。
点が得られる。逆バイアス処理の次に予備半田付けを行
う工程順になっているので、逆バイアス処理のアウト品
には予備半田を付けないようにすることができ、廃棄物
処理の問題を極力避けることができる。予備半田付けの
次にサンドブラストを行う工程順になっているので、サ
ンドブラストにより発生する粉塵により、半田の付きが
悪くなるという問題を避けることができる。ソーラーシ
ミュレーターによるＶＩ測定の次にバスバー電極の形成
を行う工程順になっているので、ＶＩ測定のアウト品に
はバスバー電極を形成しないようにすることができ、廃
棄物処理の問題を極力避けることができる。
【００１２】本発明の方法では、逆バイアス処理工程、
予備半田付け工程、サンドブラスト工程、およびバスバ
ー電極形成工程において、基板の長辺に沿う２点および
短辺に沿う１点をそれぞれ突き当て棒に突き当てて基板
の位置合わせを行うことが好ましい。
予備半田付け工程、サンドブラスト工程、およびバスバ
ー電極形成工程において、基板の長辺に沿う２点および
短辺に沿う１点をそれぞれ突き当て棒に突き当てて基板
の位置合わせを行うことが好ましい。
【００１３】上記の突き当て棒を用いた基板の位置合わ
せ誤差は５００μｍ以下であり、逆バイアス処理、予備
半田付け、サンドブラスト、およびバスバー電極形成に
は支障が生じない。このように簡略な方法により、基板
の位置合わせ操作を短時間で実施できるので、各工程に
おけるタクト時間を短縮して太陽電池モジュールのスル
ープットを向上できる。
せ誤差は５００μｍ以下であり、逆バイアス処理、予備
半田付け、サンドブラスト、およびバスバー電極形成に
は支障が生じない。このように簡略な方法により、基板
の位置合わせ操作を短時間で実施できるので、各工程に
おけるタクト時間を短縮して太陽電池モジュールのスル
ープットを向上できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の太陽電池モジュー
ルの製造方法をより詳細に説明する。図１に太陽電池モ
ジュールの平面図を示す。絶縁性基板、たとえば面積９
２ｃｍ×４６ｃｍ、厚さ４ｍｍのガラス基板の中央の大
部分は多数のストリング状の太陽電池セル５が直列に接
続された活性領域となっている。活性領域の両端のすぐ
外側はバスバー電極が形成されるバス領域１１、１１と
なっている。また、ガラス基板１の周縁部はサンドブラ
ストにより膜が研削されて分離領域１２となっている。
ルの製造方法をより詳細に説明する。図１に太陽電池モ
ジュールの平面図を示す。絶縁性基板、たとえば面積９
２ｃｍ×４６ｃｍ、厚さ４ｍｍのガラス基板の中央の大
部分は多数のストリング状の太陽電池セル５が直列に接
続された活性領域となっている。活性領域の両端のすぐ
外側はバスバー電極が形成されるバス領域１１、１１と
なっている。また、ガラス基板１の周縁部はサンドブラ
ストにより膜が研削されて分離領域１２となっている。
【００１５】次に、図２〜図６を参照して本発明による
太陽電池モジュールの製造方法を工程順に説明する。ま
た、図７に逆バイアス処理工程、予備半田付け工程、サ
ンドブラスト工程、およびバスバー電極形成工程での基
板の位置合わせの様子を示す。
太陽電池モジュールの製造方法を工程順に説明する。ま
た、図７に逆バイアス処理工程、予備半田付け工程、サ
ンドブラスト工程、およびバスバー電極形成工程での基
板の位置合わせの様子を示す。
【００１６】図２は太陽電池セルを形成した状態を示す
断面図である。ガラス基板１の全面に熱ＣＶＤ法により
ＳｎＯ2などの透明導電性酸化物を成膜する。このガラ
ス基板１をレーザースクライバーのＸ−Ｙステージ上に
設置する。スクライブライン２ａの位置にレーザービー
ムを照射することにより透明導電性酸化物を除去して分
割し、各太陽電池セルに対応するストリング状の透明電
極（第１電極層）２を形成する。このガラス基板１をマ
ルチチャンバーのプラズマＣＶＤ装置に入れてプラズマ
ＣＶＤを行い、全面にｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ層、ｉ型ａ−
Ｓｉ：Ｈ層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ層を順次成膜し
てｐｉｎ接合を形成する。ガラス基板１をプラズマＣＶ
Ｄ装置から取り出してレーザースクライバーのＸ−Ｙス
テージ上に設置する。透明電極２のスクライブライン２
ａからずらせたスクライブライン３ａの位置にレーザー
ビームを照射することによりａ−Ｓｉ層を除去して分割
し、各太陽電池セルに対応するストリング状の光電変換
半導体層３を形成する。このガラス基板１をスパッタ装
置に入れ、全面に裏面電極（第２電極層）を構成するＺ
ｎＯおよびＡｇを成膜する。このガラス基板をスパッタ
装置から取り出して、レーザースクライバーのＸ−Ｙス
テージ上に設置する。光電変換半導体層３のスクライブ
ライン３ａからずらせたスクライブライン４ａの位置に
レーザービームを照射することによりＡｇ、ＺｎＯおよ
びその下のａ−Ｓｉを除去して分割し、各太陽電池セル
に対応するストリング状の裏面電極４を形成する。ま
た、ガラス基板１の両端部で、活性領域のすぐ外側で上
記と同様にＡｇ、ＺｎＯおよびその下のａ−Ｓｉを除去
し、電力取り出し用の配線を形成するためのバス領域１
１を形成する。上記のように各層のスクライブ線をずら
せることにより、ある太陽電池セル５の裏面電極４の端
部は光電変換半導体層３のスクライブライン３ａを通し
て隣の太陽電池セル５の透明電極２の端部と接続され、
多数の太陽電池セル５が直列接続される。その後、アニ
ールを行い、光電変換半導体層３を活性化させる。
断面図である。ガラス基板１の全面に熱ＣＶＤ法により
ＳｎＯ2などの透明導電性酸化物を成膜する。このガラ
ス基板１をレーザースクライバーのＸ−Ｙステージ上に
設置する。スクライブライン２ａの位置にレーザービー
ムを照射することにより透明導電性酸化物を除去して分
割し、各太陽電池セルに対応するストリング状の透明電
極（第１電極層）２を形成する。このガラス基板１をマ
ルチチャンバーのプラズマＣＶＤ装置に入れてプラズマ
ＣＶＤを行い、全面にｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ層、ｉ型ａ−
Ｓｉ：Ｈ層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ層を順次成膜し
てｐｉｎ接合を形成する。ガラス基板１をプラズマＣＶ
Ｄ装置から取り出してレーザースクライバーのＸ−Ｙス
テージ上に設置する。透明電極２のスクライブライン２
ａからずらせたスクライブライン３ａの位置にレーザー
ビームを照射することによりａ−Ｓｉ層を除去して分割
し、各太陽電池セルに対応するストリング状の光電変換
半導体層３を形成する。このガラス基板１をスパッタ装
置に入れ、全面に裏面電極（第２電極層）を構成するＺ
ｎＯおよびＡｇを成膜する。このガラス基板をスパッタ
装置から取り出して、レーザースクライバーのＸ−Ｙス
テージ上に設置する。光電変換半導体層３のスクライブ
ライン３ａからずらせたスクライブライン４ａの位置に
レーザービームを照射することによりＡｇ、ＺｎＯおよ
びその下のａ−Ｓｉを除去して分割し、各太陽電池セル
に対応するストリング状の裏面電極４を形成する。ま
た、ガラス基板１の両端部で、活性領域のすぐ外側で上
記と同様にＡｇ、ＺｎＯおよびその下のａ−Ｓｉを除去
し、電力取り出し用の配線を形成するためのバス領域１
１を形成する。上記のように各層のスクライブ線をずら
せることにより、ある太陽電池セル５の裏面電極４の端
部は光電変換半導体層３のスクライブライン３ａを通し
て隣の太陽電池セル５の透明電極２の端部と接続され、
多数の太陽電池セル５が直列接続される。その後、アニ
ールを行い、光電変換半導体層３を活性化させる。
【００１７】図３は逆バイアス処理工程を示すものであ
る。この工程では、まず図７に示すように、ガラス基板
１を逆バイアス処理装置のステージ２１上に搬送し、ガ
ラス基板１の一方の長辺および一方の短辺にそれぞれ押
し当てツメ２２を押し当て、ガラス基板１の対向する長
辺に沿う２点および対向する短辺に沿う１点をそれぞれ
突き当て棒２３に突き当てて、ガラス基板１の位置合わ
せを行う。これらの機構によるガラス基板１の位置合わ
せ誤差は５００μｍ以下である。逆バイアス処理装置に
は、ステージ２１の上方から複数段の太陽電池セルの裏
面電極４に一括して接触するプローブ列を有するユニッ
トが下降するように配置されている。なお、１段の太陽
電池セルあたり複数のプローブが設けられている。プロ
ーブユニットはリレースイッチまたはマルチプレクサの
切り換えにより１対のプローブ列を用いて各太陽電池セ
ルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する。図３
には１対のプローブ３１ａ、３１ｂを裏面電極４に接触
させて活性領域の最も左側にある太陽電池セルの逆バイ
アス処理を行っている様子を示している。
る。この工程では、まず図７に示すように、ガラス基板
１を逆バイアス処理装置のステージ２１上に搬送し、ガ
ラス基板１の一方の長辺および一方の短辺にそれぞれ押
し当てツメ２２を押し当て、ガラス基板１の対向する長
辺に沿う２点および対向する短辺に沿う１点をそれぞれ
突き当て棒２３に突き当てて、ガラス基板１の位置合わ
せを行う。これらの機構によるガラス基板１の位置合わ
せ誤差は５００μｍ以下である。逆バイアス処理装置に
は、ステージ２１の上方から複数段の太陽電池セルの裏
面電極４に一括して接触するプローブ列を有するユニッ
トが下降するように配置されている。なお、１段の太陽
電池セルあたり複数のプローブが設けられている。プロ
ーブユニットはリレースイッチまたはマルチプレクサの
切り換えにより１対のプローブ列を用いて各太陽電池セ
ルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する。図３
には１対のプローブ３１ａ、３１ｂを裏面電極４に接触
させて活性領域の最も左側にある太陽電池セルの逆バイ
アス処理を行っている様子を示している。
【００１８】図４は予備半田付け工程を示すものであ
る。この工程でも、まず図７に示すように、ガラス基板
１を予備半田付け装置のステージ上に搬送し、押し当て
ツメおよび突き当て棒によりガラス基板１の位置合わせ
を行う。予備半田付け装置にはステージの上方に半田付
けユニットが移動可能に設けられており、活性領域の外
側のバス領域１１、１１に点（バンプ）状に予備半田を
付ける。図４はバス領域１１に予備半田６を付けた状態
を示している。
る。この工程でも、まず図７に示すように、ガラス基板
１を予備半田付け装置のステージ上に搬送し、押し当て
ツメおよび突き当て棒によりガラス基板１の位置合わせ
を行う。予備半田付け装置にはステージの上方に半田付
けユニットが移動可能に設けられており、活性領域の外
側のバス領域１１、１１に点（バンプ）状に予備半田を
付ける。図４はバス領域１１に予備半田６を付けた状態
を示している。
【００１９】上記のように逆バイアス処理の次に予備半
田付けを行う工程順になっているので、逆バイアス処理
のアウト品には予備半田を付けないようにすることがで
き、廃棄物処理の問題を極力避けることができる。
田付けを行う工程順になっているので、逆バイアス処理
のアウト品には予備半田を付けないようにすることがで
き、廃棄物処理の問題を極力避けることができる。
【００２０】図５はサンドブラスト工程を示すものであ
る。この工程でも、まず図７に示すように、ガラス基板
１をサンドブラスト装置のステージ上に搬送し、押し当
てツメおよび突き当て棒によりガラス基板１の位置合わ
せを行う。サンドブラスト装置にはステージの上方に粒
子を噴出するノズルが設けられており、ガラス基板１の
全周にわたって周縁部の裏面電極４、光電変換半導体層
３および透明電極を除去する。図５はガラス基板１の周
辺部をサンドブラスト処理した状態を示している。
る。この工程でも、まず図７に示すように、ガラス基板
１をサンドブラスト装置のステージ上に搬送し、押し当
てツメおよび突き当て棒によりガラス基板１の位置合わ
せを行う。サンドブラスト装置にはステージの上方に粒
子を噴出するノズルが設けられており、ガラス基板１の
全周にわたって周縁部の裏面電極４、光電変換半導体層
３および透明電極を除去する。図５はガラス基板１の周
辺部をサンドブラスト処理した状態を示している。
【００２１】上記のように予備半田付けの次にサンドブ
ラストを行う工程順になっているので、サンドブラスト
により発生する粉塵により、半田の付きが悪くなるとい
う問題を避けることができる。
ラストを行う工程順になっているので、サンドブラスト
により発生する粉塵により、半田の付きが悪くなるとい
う問題を避けることができる。
【００２２】次に、サンドブラストにより発生した粉塵
を除去するために、ガラス基板１を純水で洗浄する。
を除去するために、ガラス基板１を純水で洗浄する。
【００２３】次に、ガラス基板１をソーラーシミュレー
ターに入れ、バス領域１１に形成されている予備半田６
を電極として用いて電圧−電流測定（ＶＩ測定）を行
う。
ターに入れ、バス領域１１に形成されている予備半田６
を電極として用いて電圧−電流測定（ＶＩ測定）を行
う。
【００２４】図６はバスバー電極形成工程を示すもので
ある。この工程でも、まず図７に示すように、ガラス基
板１をバスバー電極形成装置のステージ上に搬送し、押
し当てツメおよび突き当て棒によりガラス基板１の位置
合わせを行う。そして、バス領域１１の予備半田６上に
テープ状の半田めっき銅箔を接続してバスバー電極７を
形成する。図６は予備半田６上にバスバー電極７に形成
した状態を示している。
ある。この工程でも、まず図７に示すように、ガラス基
板１をバスバー電極形成装置のステージ上に搬送し、押
し当てツメおよび突き当て棒によりガラス基板１の位置
合わせを行う。そして、バス領域１１の予備半田６上に
テープ状の半田めっき銅箔を接続してバスバー電極７を
形成する。図６は予備半田６上にバスバー電極７に形成
した状態を示している。
【００２５】上記のようにソーラーシミュレーターによ
るＶＩ測定の次にバスバー電極７の形成を行う工程順に
なっているので、ＶＩ測定のアウト品にはバスバー電極
７を形成しないようにすることができ、廃棄物処理の問
題を極力避けることができる。
るＶＩ測定の次にバスバー電極７の形成を行う工程順に
なっているので、ＶＩ測定のアウト品にはバスバー電極
７を形成しないようにすることができ、廃棄物処理の問
題を極力避けることができる。
【００２６】その後、電力取り出しのためにバスバー電
極７に配線を接続する。また、ガラス基板１の裏面にＥ
ＶＡシートとフッ素系樹脂からなる保護フィルムを重
ね、真空ラミネータを用いて封止する。さらに、電力取
り出し配線の取り出し部にシリコーン樹脂を充填する。
最後に、端子の取り付けとフレームの取り付けを行い、
太陽電池モジュールを製造する。
極７に配線を接続する。また、ガラス基板１の裏面にＥ
ＶＡシートとフッ素系樹脂からなる保護フィルムを重
ね、真空ラミネータを用いて封止する。さらに、電力取
り出し配線の取り出し部にシリコーン樹脂を充填する。
最後に、端子の取り付けとフレームの取り付けを行い、
太陽電池モジュールを製造する。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、逆
バイアス処理の次に予備半田付けを行い、かつソーラー
シミュレーターによるＶＩ測定の次にバスバー電極の形
成を行う工程順になっているので、アウト品にはバスバ
ー電極を形成しないようにすることができ、廃棄物処理
の問題を極力避けることができる。また、予備半田付け
の次にサンドブラストを行う工程順になっているので、
サンドブラストにより発生する粉塵により、半田の付き
が悪くなるという問題を避けることができる。さらに、
逆バイアス処理工程、予備半田付け工程、サンドブラス
ト工程、およびバスバー電極形成工程において、突き当
て棒を使用して簡便に基板の位置合わせを行うことがで
きるので、タクト時間を短縮して太陽電池モジュールの
スループットを向上できる。
バイアス処理の次に予備半田付けを行い、かつソーラー
シミュレーターによるＶＩ測定の次にバスバー電極の形
成を行う工程順になっているので、アウト品にはバスバ
ー電極を形成しないようにすることができ、廃棄物処理
の問題を極力避けることができる。また、予備半田付け
の次にサンドブラストを行う工程順になっているので、
サンドブラストにより発生する粉塵により、半田の付き
が悪くなるという問題を避けることができる。さらに、
逆バイアス処理工程、予備半田付け工程、サンドブラス
ト工程、およびバスバー電極形成工程において、突き当
て棒を使用して簡便に基板の位置合わせを行うことがで
きるので、タクト時間を短縮して太陽電池モジュールの
スループットを向上できる。
【図１】本発明に係る太陽電池モジュールの平面図。
【図２】本発明における太陽電池セルを形成した状態を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】本発明における逆バイアス処理工程を示す断面
図。
図。
【図４】本発明における予備半田付け工程を示す断面
図。
図。
【図５】本発明におけるサンドブラスト工程を示す断面
図。
図。
【図６】本発明におけるバスバー電極形成工程を示す断
面図。
面図。
【図７】本発明における突き当て棒を用いて基板の位置
合わせした状態を示す斜視図。
合わせした状態を示す斜視図。
１…ガラス基板 ２…透明電極（第１電極層） ３…光電変換半導体層 ４…裏面電極（第２電極層） ５…太陽電池セル ６…予備半田 ７…バスバー電極 １１…バス領域 １２…分離領域 ２１…ステージ ２２…押し当てツメ ２３…突き当て棒 ３１ａ、３１ｂ…プローブ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にそれぞれストリング状にスクラ
イブされた第１電極層、光電変換半導体層および第２電
極層を形成して互いに直列に接続された複数の太陽電池
セルを形成した後、アニールする工程と、 前記各太陽電池セルに逆バイアス電圧を印加して短絡部
を除去する工程と、 前記基板の両端部近傍のバス領域に点状に予備半田を付
ける工程と、 前記基板の周縁部に形成された薄膜の少なくとも一部を
サンドブラストにより除去する工程と、 前記基板を洗浄する工程と、 ソーラーシミュレーターにより前記太陽電池セルの電圧
−電流測定を行う工程と、 前記バス領域の予備半田上にバスバー電極を形成する工
程とを具備したことを特徴とする太陽電池モジュールの
製造方法。 - 【請求項２】 逆バイアス処理工程、予備半田付け工
程、サンドブラスト工程、およびバスバー電極形成工程
において、基板の長辺に沿う２点および短辺に沿う１点
をそれぞれ突き当て棒に突き当てて基板の位置合わせを
行うことを特徴とする請求項１記載の太陽電池モジュー
ルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000148410A JP4567846B2 (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
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| JP2000148410A JP4567846B2 (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332748A true JP2001332748A (ja) | 2001-11-30 |
| JP4567846B2 JP4567846B2 (ja) | 2010-10-20 |
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| JP (1) | JP4567846B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273908A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kaneka Corp | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
| WO2009131020A1 (ja) | 2008-04-23 | 2009-10-29 | 新東工業株式会社 | ノズル、ノズルユニット及びブラスト加工装置 |
| TWI423464B (zh) * | 2010-07-26 | 2014-01-11 | Sunshine Pv Corp | 薄膜太陽能電池的退火裝置及其退火方法 |
| US8814634B2 (en) | 2008-04-23 | 2014-08-26 | Sintokogio, Ltd. | Conveying apparatus and a blasting machine |
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| JPH09186212A (ja) * | 1996-01-05 | 1997-07-15 | Canon Inc | 光起電力素子の特性検査装置及び製造方法 |
| JPH09260704A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPH1012901A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池の短絡部除去方法及び該短絡部除去装置 |
-
2000
- 2000-05-19 JP JP2000148410A patent/JP4567846B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8814634B2 (en) | 2008-04-23 | 2014-08-26 | Sintokogio, Ltd. | Conveying apparatus and a blasting machine |
| US9114503B2 (en) | 2008-04-23 | 2015-08-25 | 1. Sintokogio, Ltd. | Nozzle, a nozzle unit, and a blasting machine |
| TWI423464B (zh) * | 2010-07-26 | 2014-01-11 | Sunshine Pv Corp | 薄膜太陽能電池的退火裝置及其退火方法 |
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