JP2001332680A

JP2001332680A - 部品および部品の製造方法

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Publication number: JP2001332680A
Application number: JP2000152811A
Authority: JP
Inventors: Yotaro Hatamura; 洋太郎畑村; Masayuki Nakao; 政之中尾; Yasunobu Tagusa; 康伸田草
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-05-24
Filing date: 2000-05-24
Publication date: 2001-11-30
Anticipated expiration: 2020-05-24
Also published as: JP3719909B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高信頼性で生産効率を向上させ、装置の大型
化を抑制するように改良された部品および部品の製造方
法を提供することを主な目的とする。【解決手段】 X方向およびY方向の各々に定ピッチで複
数個のマイクロチップ１を実装した基板から成る部品お
よび部品の製造方法おいて、マイクロチップ１が、マト
リクス状に高密度に形成されて後、第１ステップでX方
向およびY方向の中のいずれか一方にピッチを拡大した
状態に移載し、第２ステップでX方向およびY方向の中の
一方と異なる他方にピッチを拡大する状態に移載して製
造される

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンピュー
タやテレビジョン受像機などのディスプレイに利用さ
れ、アドレス素子として薄膜トランジスタ（以下、「Ｔ
ＦＴ」という。）などのスイッチング素子を備えた透過
型あるいは反射型等の液晶表示装置、より詳しくは、ゲ
ート配線と、ソース配線と、ゲート配線とソース配線と
の交差部の近傍に設けられたスイッチング素子とを有
し、このスイッチング素子は前記ゲート配線に接続され
たゲート電極と、前記ソース配線に接続されたソース電
極と、液晶層に電圧を印加するための画素電極に接続さ
れたドレイン電極とを有する液晶表示装置や、そのよう
に多数の配線やスイッチング素子やセンサー部などの繰
り返しパターンを備えて複数の膜のパターンを形成した
半導体素子や、液晶以外の表示装置（例えばＤＭＤ）
や、イメージセンサーなどの能動素子や受動素子、ある
いはそれら能動素子や受動素子を駆動したり制御する
為、抵抗やコンデンサーや半導体素子や集積回路回路な
どの部品を実装した基板などを含む各種部品と各種部品
の製造方法に関する。

【０００２】また、ここで、部品とは電卓、デジタルカ
メラ、ハンディースキャナー、携帯ラジオ、MDプレーヤ
ー、電子辞書、電子情報端末手帳などの様々な電子機器
を含める事とする。

【０００３】

【従来の技術】TFT型の液晶表示装置を例に説明する。

【０００４】図９はアクティブマトリクス基板を備えた
透過型の液晶表示装置の一般的な構成を示す回路図であ
る。

【０００５】図９に示すように、アクティブマトリクス
基板１０１には、数万から数十万個以上と多くの複数の
画素電極１０２がマトリクス状に形成されており、この
画素電極１０２には、スイッチング素子であるＴＦＴ１
０３が接続されて設けられている。

【０００６】このＴＦＴ１０３のゲート電極には走査信
号を供給するためのゲート配線１０４が接続され、ゲー
ト電極に入力されるゲート信号によってＴＦＴ１０３が
駆動制御される。

【０００７】また、ＴＦＴ１０３のソース電極には表示
信号（データ信号）を供給するためのソース配線１０５
が接続され、ＴＦＴ１０３の駆動時に、ＴＦＴ１０３を
介してデータ（表示）信号が画素電極１０２に入力され
る。

【０００８】各ゲート配線１０４とソース配線１０５と
は、マトリクス状に配列された画素電極１０２の周囲を
通り、絶縁膜を介した状態で互いに直交差するように設
けられている。

【０００９】さらに、ＴＦＴ１０３のドレイン電極は画
素電極１０２および付加容量１０６に接続されており、
この付加容量１０６の対向電極はそれぞれ共通配線１０
７に接続されている。

【００１０】図１０は従来の技術に係る液晶表示装置に
おけるアクティブマトリクス基板のＴＦＴ部分の断面図
である。

【００１１】図１０に示すように、透明絶縁性基板１０
７上に、図９のゲート配線１０４に接続されたゲート電
極１０８が形成されているとともに、その上を覆ってゲ
ート絶縁膜１０９が形成されている。

【００１２】さらにその上にはゲート電極１０８と重畳
するように半導体層１１０が形成され、その中央部上に
チャネル保護層１１１が形成されている。

【００１３】このチャネル保護層１１１の両端部および
半導体層１１０の一部を覆い、チャネル保護層１１１上
で分断された状態で、ソース電極１１２ａおよびドレイ
ン電極１１２ｂとなるｎ⁺Ｓｉ層が形成されている。

【００１４】一方のｎ⁺Ｓｉ層であるソース電極１１２
ａ上には図９のソース配線１０５と同一の膜で金属層１
１３ａが形成され、他方のｎ⁺Ｓｉ層であるドレイン電
極１１２ｂ上には、ドレイン電極１１２ｂと画素電極１
１４とを接続する金属層１１３ｂが形成されてスイッチ
ング素子であるＴＦＴ１１５およびその周辺構造を形成
している。

【００１５】さらに、ＴＦＴ１１５、ゲート配線および
ソース配線の上部を覆って層間絶縁膜１１６が形成され
ている。

【００１６】この層間絶縁膜１１６の上には、画素電極
１１４となる透明導電膜が形成され、この透明導電膜
は、層間絶縁膜１１６を貫くコンタクトホール１１６ａ
を介して、ＴＦＴ１１１のドレイン電極１１２ｂと接続
した金属層１１３ｂに接続されている。

【００１７】このように、ゲート配線およびソース配線
と画素電極１となる透明導電膜１１４との間に層間絶縁
膜１１６が形成されているので、ゲート配線とソース配
線とに対して画素電極１をオーバーラップさせることが
できる。

【００１８】このような構造は、例えば特開昭５８−１
７２６８５号公報に開示されており、これによって液晶
表示装置の開口率を向上させることができるとともに、
ゲート配線およびソース配線に起因する電界をシールド
することにより、液晶分子の配向が崩れるディスクリネ
ーションを抑制することができる。

【００１９】上記絶縁膜１０９あるいは層間絶縁膜１１
６としては、従来、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機
膜をＣＶＤ法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ：プラズマ励起化学気相成長）を用いて
膜厚３００〜５００ｎｍ（０．３〜０．５μｍ）程度に
形成していた。

【００２０】これ以上の膜厚を形成しないのはデポジシ
ョンに時間がかかり生産効率が悪くなったり、残留応力
で基板がそったりクラック等の不良が増すためである。

【００２１】あるいは層間絶縁膜１１６だけは、有機膜
を膜厚1〜５μｍ程度形成する場合もある。

【００２２】あるいは、開口率が落ちるが層間絶縁間１
１６を形成しない場合などもある。

【００２３】また、このような液晶表示装置を製造する
方法として、特開平１１−１４２８７８号公報に提案さ
れたものがある。

【００２４】これは、定ピッチに配置される半導体等の
多層膜部の微小部品を、該当するピッチの値を整数で除
した高密度ピッチで別の基板上に配置作製し、製品分毎
などに一括して移載して表示トランジスタアレイパネル
などを製造する方法で、低コスト化や機能向上に有効な
一手法である。

【００２５】この場合、一例として、取しろがゼロと仮
定して密集して造る２０μ角の微小部品をX方向およびY
方向の何れもピッチ５０μｍで並ぶように製品基板に実
装する場合を考えると、５０μｍ角の中に4個分の効率
で（X方向とY方向に各々５０μｍ長に２個分の効率
で）、微小部品が密集して造られる事となる。また、微
小部品は何度か基板上を移し変えられ、その間の保持
は、紫外光等の光硬化樹脂や光剥離樹脂が使用されてい
る。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】前述の液晶表示装置の
場合、半導体層あるいは導電膜層が１〜３層以上と比較
的少ない領域と、２〜６層程度とそれ以上に比較的多い
領域が、繰り返しパターンの中で混在し、すなわち、生
産タクトおよび不良率の異なる領域を同一基板に同時
に、同一工程で形成することになり、基本的に非効率で
ある。

【００２７】また、図１０の場合において、ＴＦＴ１１
１上に、ＳｉＮ_x，ＳｉＯ₂，ＴａＯ _xなどを用いてＣＶ
Ｄ法またはスパッタ法により絶縁膜１０９あるいは層間
絶縁膜１１６を成膜した場合、成膜された絶縁膜１０９
あるいは層間絶縁膜１１６はその下地膜の膜厚による凹
凸を反映する。

【００２８】このような多層のＴＦＴやソース配線とゲ
ート配線のクロス部などの凹凸部では残留応力（大型基
板ほど面内でバラツク）の影響などでクラックが入りや
すかったり、残留応力その他の影響でエッチング液がし
みこんで短絡や断線の不良が生じやすく、大型基板ほど
残留応力や温度やエッチング液あるいは不純物の濃度分
布等のバラツキが増す影響で不良率が低下したり、これ
らの要因を均一化するため、装置条件などをより厳密に
制御する必要が増し、処理時間が増したり、特殊な装置
改良を要したりする。

【００２９】一方、液晶表示装置などでは、全体の生産
効率を向上するため部品の取れ数が多いように益々大き
い基板寸法を採用する動きがあるが、例えば、量産開始
時に思う程のスピードでラインが立ち上がらず、需給バ
ランスのうねりの中、収益を確保するタイミングを逃し
たり、ユーザーにタイムリーに商品が納入出来ない場合
などもある。

【００３０】あるいは、同様の要因で信頼性が低下する
場合もある。

【００３１】あるいは、基板サイズの大型化で製造装置
が大型化して、組立てや搬送に（搬送手段や経路や時間
が制限され）苦労する場合や、工場全体が大きくなり、
用地確保が困難であったり、工場内のラインのクリーン
度を均一に制御することが困難となる。

【００３２】また、装置各々の外形寸法のバラツキも増
し、ライン設計が困難となる。

【００３３】このような点を改善するため、特開平１１
−１４２８７８号広報に記載される方法は、一つの有効
な提案である。

【００３４】しかし、前述の一例では、微小部品を造る
元基板の取れ数のみの効率は４倍しかなく、製品ピッチ
の５０μｍ角（２５００μｍ²）の領域に対して、５０
μｍ²（２０％）の空きスペース（不要となる基板材
料）が必要で８０％の面積効率と製造効率がまだ低い。

【００３５】更に、微小部品が同じものであって、外形
サイズや実装ピッチなどの異なる製品を作る場合でも、
微小部品側の製造プロセスにおいて、多層膜形成時など
に露光形成マスクや元基板を変更したりする段取り換え
時間が必要で製造効率を落とす、あるいは製造プロセス
と基板サイズによってはライン改造などが必要で、製造
ができない場合も有り得る。

【００３６】また、マスクや製造段取り換え冶具の数が
増し、工程管理が煩雑化し、製造ミスなども起こりやす
くなるなどの課題がある。

【００３７】更に、微小部品の移載回数が比較的効率が
悪く、その間、光反応（接着や剥離）樹脂が使用されて
いるが、そのような樹脂は、前後のプロセスに、例えば
エッチングできないとかエッチング条件が限られとか余
分に保護工程を要するなどの制限などを付与する、ある
いは、比較的高価な基板を1回の製造毎にエッチング分
離などの為、使い捨てる事があり、リサイクル効率が悪
い。また、仮置き基板に接着剤が残るため、剥離洗浄の
工程が余分に必要であったり、基板の使用回数が限られ
るなどの課題がある。

【００３８】本発明の目的は、液晶表示装置以外も含む
各種部品の製造方法および部品において、特に製造用の
元基板の寸法が大きくなっている、液晶表示装置や半導
体装置などの部品において、製品の高信頼性化を図り、
生産効率を向上し、装置の大型化を低減して、上記の不
具合を低減した部品の製造方法および部品を提供するこ
と、また、微小部品が比較的容易に移載や位置決めがで
き、効率良く生産できる部品の製造方法および部品を提
供することなどを目的とする。

【００３９】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
部品および部品の製造方法は、X方向およびY方向の各々
に定ピッチで複数個の微小部品を実装した基板から成る
部品および部品の製造方法おいて、前記微小部品が、マ
トリクス状に高密度に形成されて後、前記微小部品がX
方向およびY方向の中のいずれか一方にピッチを拡大し
た状態に移載し、前記微小部品がX方向およびY方向の中
の一方と異なる他方にピッチを拡大する状態に移載して
製造される事を特徴とする。

【００４０】この発明によれば、従来は同一基板内に形
成していた、多層領域と少層領域を別々に作ることがで
き、TFTスイッチング部などの多層領域あるいは多プロ
セス工程領域は、他の少層領域あるいは少プロセス工程
領域と別に製造し、高密度に作れ、比較的小基板で作る
こともでき、信頼性や品質や歩留りなどを向上すること
ができ、パターニング工程などで廃棄される金属材料な
ども低減され、スループットを向上して効率良く製造で
きる。

【００４１】また、スループットの向上により、装置な
ども台数削減や小型化が可能で、搬送装置や経路を小さ
くできる。また、工程内でのクリーン度も均一化が容易
で、ラインの設計や装置の搬入が容易となる。

【００４２】更に、多層膜領域などを有する微小部品部
は、部品への搭載ピッチに左右されることなく、空きス
ペースを最小にして製造でき、材料利用や製造効率を更
に向上できる（従来技術の例の場合と比較して、実際は
他のプラスとマイナス分の部分が発生するが面積２０％
相当部の効率アップができる）。

【００４３】また、微小部品をまとめて製造する元基板
の寸法を製品寸法に関係無く任意に選べるので、既存や
遊休ラインをそのまま転用して改造や段取り換えも少な
く部品を製造できる。

【００４４】段取り変えが少ない事で工程管理が簡素化
し、作業ミスも更に減る。

【００４５】また、同一の微小部品であれば、部品の製
品側の微小部品実装ピッチなどの仕様が変わっても、微
小部品の製造工程を変更することなく製造できるので効
率良い。

【００４６】尚、液晶表示装置などの部品は大型化が進
む中、真空成膜装置などには均一性の限界があり、例え
ば、１ｍ角以上の液晶あるいはそれ以外の表示装置など
の部品の量産化を容易に実現できる。

【００４７】本発明の請求項２記載の部品および部品の
製造方法は、前記微小部品が半導体素子である事を特徴
とする。

【００４８】半導体素子は、工程も使用材料数も多く、
基板なども高価な場合が多く、プロセス数や装置台数も
多く。

【００４９】従って、本発明によれば、より製造や材料
利用などの効率を向上し、低コストで製造できる。

【００５０】本発明の請求項３記載の部品および部品の
製造方法は、複数個の微小部品を実装した基板から成る
部品および部品の製造方法おいて、多数個の微小部品群
から選択的に前記複数個より少ない小複数個の微小部品
を光反応による事なく把持または開放して移載する移載
冶具を用いて製造する事を特徴とする。

【００５１】この発明によれば、従来は同一基板内に形
成していた、多層領域と少層領域を別々に作る際に微小
部品を効率良く移載することができ、TFTスイッチング
部などの多層領域あるいは多プロセス工程領域は、他の
少層領域あるいは少プロセス工程領域と別に製造し、高
密度に作れ、比較的小基板で作ることもでき、信頼性や
品質や歩留りなどを向上することができ、パターニング
工程などで廃棄される金属材料なども低減され、スルー
プットを向上して効率良く製造できる。また、スループ
ットの向上により、装置なども小型が可能で、搬送装置
や経路を小さくできる。

【００５２】また、工程内でのクリーン度も均一化が容
易で、ラインの設計や装置の搬入が容易となる。

【００５３】更に、多層膜領域などの微小部品部は、部
品への搭載ピッチに左右されることなく、空きスペース
を最小にして材料利用や製造効率を更に向上できる（従
来技術の例の場合、実際は他のプラスとマイナス分の部
分が発生するが２０％面積相当部の効率アップができ
る）。

【００５４】また、微小部品をまとめて製造する元基板
の寸法を任意に選べるので、既存や遊休ラインをそのま
ま転用して改造や段取り換えも少なく製造できる。

【００５５】段取り変えが少ない事で工程管理が簡素化
し、作業ミスも減る。

【００５６】また、同一の微小部品であれば、部品の微
小部品実装ピッチなどの仕様が変わっても、微小部品の
製造工程を変更することなく製造できるので効率良い。

【００５７】更に、光反応（接着や剥離）樹脂を使用す
る場合に比べ、前後のプロセスに、例えばエッチングで
きないとかエッチング条件などを制限する事が少なく、
洗浄などの製造プロセスの簡素化が容易である。また、
転写用基板などの使い捨て材料を減らして、基板の再利
用数も増やす事が容易である。

【００５８】本発明の請求項４記載の部品および部品の
製造方法は、前記移載冶具が前記微小部品を静電気によ
り把持する事を特徴とする。

【００５９】本発明によれば、微小部品を選択的に把持
して移載できるので、接着や剥離樹脂を使用する場合に
比べ、前後のプロセスに、例えばエッチングできないと
か、エッチング条件などを制限する事が少なく、製造プ
ロセスの簡素化が容易である。

【００６０】また、転写用基板などの使い捨て材料を減
らして、基板の再利用数も増やす事が容易である。

【００６１】本発明の請求項５記載の部品および部品の
製造方法は、前記移載冶具が前記微小部品を表面張力に
より把持する事を特徴とする。

【００６２】本発明によれば、微小部品を選択的に把持
して移載できるので、接着や剥離樹脂を使用する場合に
比べ、前後のプロセスに、例えばエッチングできないと
かエッチング条件などを制限する事が少なく、製造プロ
セスの簡素化が容易である。

【００６３】また、転写用基板などの使い捨て材料を減
らして、基板の再利用数も増やす事が容易である。

【００６４】本発明の請求項６記載の部品および部品の
製造方法は、前記多数個の微小部品の配置部において、
前記多数個の微小部品を保持する静電気力の強さを選択
的に切換えられる事を特徴とする。

【００６５】本発明によれば、微小部品を選択的に開放
して移載できるので、接着や剥離樹脂を使用する場合に
比べ、前後のプロセスに、例えばエッチングできないと
かエッチング条件などを制限する事が少なく、製造プロ
セスの簡素化が容易である。

【００６６】また、転写用基板などの使い捨て材料を減
らして、基板の再利用数も増やす事が容易である。

【００６７】

【発明の実施の形態】本発明に係る実施の形態につい
て、以下の例に、図面に基づいて、詳細に説明する。

【００６８】（実施の形態１）まず、本発明の基本的な
考えを図１（ａ）〜（ｃ）に示す実施例を用いて説明す
る。本発明は、微小部品１（以下、分離チップあるいは
マイクロチップとも呼ぶ）、の拡大配置をX方向とY方向
の直線方向拡大の組み合せで実現する事である。

【００６９】図１（ａ）に示すように、例えばTFT型液
晶表示装置や他の部品のTFT素子や各種多層配線回路部
などを形成したマイクロチップ１は各４０μｍ角で、そ
れがX方向とY方向の各々に１０００個×１０００個、合
計１００万個が取しろをゼロとして格子状に並んでいる
とする。

【００７０】次に、図１（ｂ）に示すように、マイクロ
チップ１を例えば再利用可能な図示しない移載冶具とし
て静電気などで吸着し、まずX方向に分離するため、Y方
向は４０μｍ×1０００個、すなはち、４０ｍｍ長の列
の状態のままで、X方向に１列ずつ取っていく。

【００７１】それを１０００回繰り返して、各列のピッ
チ１ｍｍとし、X方向に約１０００ｍｍに分離配置す
る。

【００７２】更に、図１（ｃ）に示すように、マイクロ
チップ１の下または上部に配置した、１列分のマイクロ
チップ１を保持するX方向に長さ１０００ｍｍのバー２
をY方向にピッチ１ｍｍで全体で１ｍ程度になるよう、
全体を間欠分離配置する。

【００７３】このように、例えばX方向に先に伸ばした
後、X方向と同時に伸ばすことは無くY方向に伸ばし、４
０ｍｍ×４０ｍｍを１ｍ×１ｍの面積に１００万個のマ
イクロチップ１が拡大配置される。

【００７４】なお、１製品分毎に拡大配置処理を行う必
要は無く、例えば１００個×１００個のマイクロチップ
が実装される部品では、製品間のギャップ（間隙部）な
どをあけた上で、上記のプロセスを繰り返すと、１０個
×１０個、すなわち、１００個の部品が上記の工程で製
造され、このように複数の部品を作る方が、効率良く好
ましい。

【００７５】また、Y方向はバー２により、拡大ピッチ
配置したが、X方向と同様にして拡大ピッチ配置しても
良い。

【００７６】次に、X方向に拡大配置する移載冶具の例
を、図２、図３、図４、図５に示す。

【００７７】まず、図２は、マイクロチップ１の受取り
や移載位置が、外部基準により精度良く位置決めされる
様子を説明するものである。

【００７８】高密度に配置されたマイクロチップ１の一
列分を吸着するため、マイクロチップ１の右側の第１列
の上部に移載冶具のピックアップ部３が配置され、ピッ
クアップ時等の外部位置決め部４がマイクロチップ１の
集合の両脇に備えられている。

【００７９】図2のB−B断面図を図３に示し、マイクロ
チップ１の吸着部拡大図を説明する。

【００８０】マイクロチップ１の寸法は４０μmであ
り、ピックアップ部３の先端は位置ずれの許容値を加味
し、例えば幅３０μmとする。また、ピックアップ部３
の本体の幅ｔは、剛性などを考慮して、１ｍｍから５ｍ
ｍの間とする。このようにして、ピックアップ部３の断
面は先を細くしたナイフエッジ型が好ましい。

【００８１】一方、ピックアップ部３の外部位置決め部
４は例えば図２のC−C断面であって、図４に示すよう
に、同じくナイフエッジ型の先端３ａが外部位置決め部
４により正確に位置決めされる構造となっている。

【００８２】次に、マイクロチップ１をピックアップ部
３で吸着する様子を図５に示す。

【００８３】例えば、マイクロチップ１は、レーザー光
により剥離する接着剤５を介してガラスなどから成る仮
基板６に仮付けされているとする。

【００８４】吸着するマイクロチップ１ａ上に先端表面
に電極７を形成したピックアップ部３を当接して静電気
による吸着電圧を電極７に印加後、基板６の下面よりレ
ーザー光を照射して所望のマイクロチップ１ａの仮基板
６に対する保持力を解除する。

【００８５】ここで、ピックアップ３の吸着力を付与後
に、接着保持力を解除するのは、マイクロチップ１ａに
ピックアップ部３が当接する際などに、複数のマイクロ
チップ１ａ間で位置ずれが生じる事を避けるためであ
る。

【００８６】（実施の形態２）本発明の他の実施例を図
６に示す。

【００８７】図６ではマイクロチップ８をピックアップ
部９で吸着する様子を示す。

【００８８】例えば、マイクロチップ９は、仮基板また
は製造基板としての基板１０上に配置され、基板の下面
にはマイクロチップ８を個々に選択吸着可能なように、
マイクロチップ８毎、あるいはマイクロチップ８の一列
毎に、静電気による吸着切換え可能なように内部電極１
１を備えた吸着台１２（製品によっては、製造工程で基
板１０と一体化していても良い）が備えられている。

【００８９】吸着するマイクロチップ８上に静電気によ
る吸着用のピックアップ部９を当接して後、マイクロチ
ップ８を移載する。

【００９０】このような、吸着台１２を用いることによ
り、マイクロチップを選択的に開放して移載できるの
で、接着や剥離樹脂を使用する場合に比べ、前後のプロ
セスに、例えばエッチングできないとかエッチング条件
などを制限する事が少なく、製造プロセスの簡素化が容
易である。また、転写用基板などの使い捨て材料を減ら
して、基板の再利用数も増やす事ができる。

【００９１】（実施の形態３）本発明の他の実施例を図
７を用いて説明する。

【００９２】本実施例ではマイクロチップ１３を吸着す
るピックアップ部１４に金属やセラミックスなどの多孔
質材料で形成している。例えば、ピックアップ部１４は
マイクロチップ１３を吸着する前に水分を含ませたスポ
ンジ材や紙材などに当接して、水分を含ませる。

【００９３】このようなピックアップ部１４はマイクロ
チップ１３を表面張力を用いて吸着する。

【００９４】また、マイクロチップ１３をピックアップ
部から離脱する際は、先の例の静電気による吸着台や接
着剤を用いて表面張力より大きな吸着力を用いてもよい
が、更に気圧制御を用いることにより、水分の蒸発量を
制御して表面張力を適正値にコントロールして、ピック
アップ側の把持力を正確に制御するので、より確実に離
脱受渡しを行う事ができる。

【００９５】特に、繰返しで数万個以上の大量の微小な
マイクロチップを移載する際、他の静電気力やピックア
ップ部や基板表面に付着した異物や水分の表面張力など
によって位置ずれが生じると、リワークする必要があ
り、このように精密に把持力を制御することにより、リ
ワークを低減して、より確実に高歩留りで移載を行う事
ができ、リワークを低減できる。

【００９６】（実施の形態４）本発明の他の実施例を図
８を用いて説明する。

【００９７】透明なガラス基板１５上には、UV剥離樹脂
１６を介してマイクロチップ１７が複数個形成されてい
る。移載したいピッチのマイクロチップ１７ａの下部の
UV剥離樹脂１６ａのみ、あらかじめUV光照射して接着力
を弱め、対応するマイクロチップ１７ａの上部に対応し
てマイクロ静電チャック１８の突起部１８ａを合せて当
接し、対応するマイクロチップ１７ａのみを選択的に吸
着する。

【００９８】本例では、突起部１８ａ毎に内部に1個の
内部電極１９を設け、直流電圧を印加しているが、電極
は一対でもよく、電圧は交流電圧でも良い。

【００９９】また、マイクロチップ１７を静電チャック
時に分極するため、マイクロチップ１７の下部または上
部または内部には導電材料部が形成されている方が好ま
しく、マイクロチップ１７内に金属配線があれば好まし
いが、更に、下部に導電材料部２０が、より好ましくは
内部、更に好ましくは上部（静電チャック側）に形成さ
れている事が好ましい。

【０１００】導電材料部は透明なITOでも良いし、半田
による電極接続やセルフアライメントを兼ねた、半田に
濡れ性の良い、金属単層または多層膜であっても良い。

【０１０１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の部品およ
び部品の製造方法によれば、微小部品が、マトリクス状
に高密度に形成されて後、前記微小部品がX方向およびY
方向の中のいずれか一方にピッチを拡大した状態に移載
し、微小部品がX方向およびY方向の中の一方と異なる他
方にピッチを拡大する状態に移載して製造されるので、
多層膜領域などの微小部品部は、部品への搭載ピッチに
左右されることなく、空きスペースを最小にして材料利
用や製造効率を更に向上できる。

【０１０２】また、微小部品をまとめて製造する元基板
の寸法を任意に選べるので、既存や遊休ラインをそのま
ま転用して改造や段取り換えも少なく製造できる。

【０１０３】段取り変えが少ない事で工程管理が簡素化
し、作業ミスも減る。

【０１０４】また、同一の微小部品であれば、部品のピ
ッチなどの仕様が変わっても、微小部品の製造工程を変
更することなく製造できるので効率良い。

【０１０５】また、他の本発明の部品および部品の製造
方法によれば、多数個の微小部品群から選択的に前記複
数個より少ない小複数個の微小部品を光反応による事な
く把持または開放して移載する移載冶具を用いて製造す
るので、前後のプロセスに、例えばエッチングできない
とかエッチング条件などを制限する事が少なく、製造プ
ロセスの簡素化が容易である。

【０１０６】また、転写用基板などの使い捨て材料を減
らして、基板の再利用数も増やす事が容易である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の部品および部品の製造方法のマイクロ
チップの移載方法を示す図面である。

【図２】本発明の部品および部品の製造方法のマイクロ
チップの移載方法を示す図面である。

【図３】本発明の部品および部品の製造方法のマイクロ
チップの把持方法を示す図面である。

【図４】本発明の部品および部品の製造方法のマイクロ
チップの移載時の位置決め方法を示す図面である。

【図５】本発明の部品および部品の製造方法のマイクロ
チップの把持方法を示す図面である。

【図６】本発明の部品および部品の製造方法のマイクロ
チップの把持方法を示す図面である。

【図７】本発明の部品および部品の製造方法のマイクロ
チップの基板上での保持方法を示す図面である。

【図８】本発明の部品および部品の製造方法のマイクロ
チップの移載方法を示す図面である。

【図９】従来の部品の例としてのTFT型の液晶表示装置
の回路構成を説明する図面である。

【図１０】従来の部品の例としてのTFT型の液晶表示装
置の断面構造を説明する図面である。

【符号の説明】

１、１ａ、８、１３、１７マイクロチップ２バー３、９、１４ピックアップ部３ａピックアップ部側外部位置決め部４外部位置決め部５接着剤６仮基板７電極１０基板１１、１９内部電極１２吸着台１５ガラス基板１６ UV剥離樹脂１８マイクロ静電チャック１８ａ突起部２０導電材料部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 27/12 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｄ 29/786 21/336 (72)発明者田草康伸大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA18 FA24 HA08 MA16 MA20 5F110 AA30 BB01 DD02 QQ30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】 X方向およびY方向の各々に定ピッチで複
数個の微小部品を実装した基板から成る部品および部品
の製造方法おいて、前記微小部品が、マトリクス状に高
密度に形成されて後、前記微小部品がX方向およびY方向
の中のいずれか一方にピッチを拡大した状態に移載し、
前記微小部品がX方向およびY方向の中の一方と異なる他
方にピッチを拡大する状態に移載して製造される事を特
徴とする部品。
【請求項２】前記微小部品が半導体素子である事を特
徴とする請求項１記載の部品。
【請求項３】複数個の微小部品を実装した基板から成
る部品および部品の製造方法おいて、多数個の微小部品
群から選択的に前記複数個より少ない小複数個の微小部
品を把持または開放して移載する移載冶具を用いて製造
する事を特徴とする部品。
【請求項４】前記移載冶具が前記微小部品を静電気に
より把持する事を特徴とする請求項３の部品。
【請求項５】前記移載冶具が前記微小部品を表面張力
により把持する事を特徴とする請求項３の部品。
【請求項６】前記多数個の微小部品の配置部におい
て、前記多数個の微小部品を保持する静電気力の強さを
選択的に切換えられる事を特徴とする請求項３、４、５
記載の部品。
【請求項７】請求項１から３に記載の部品が、電子部
品であることを特徴とする部品。
【請求項８】請求項１から７に記載の部品の製造方
法。