JP2001332655A

JP2001332655A - アンテナを備える半導体装置及びアンテナを備える半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2001332655A
Application number: JP2000152713A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Imagawa; 敏幸今川; Minoru Ozeki; 実大関; Kenji Munekata; 憲二宗方
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-05-18
Filing date: 2000-05-18
Publication date: 2001-11-30

Abstract

(57)【要約】【課題】小型化を図りつつアンテナを安価に実装で
き、半導体集積回路の安定した動作が可能であり信頼性
の高いアンテナを備える半導体装置及びアンテナを備え
る半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体集積回路を有するチップ１と、前
記チップ１近傍に配置されており、前記チップ１との間
で電気信号を伝送するとともに外部との間で非接触にて
電磁波の送受信を行うアンテナ２と、前記チップ１及び
前記アンテナ２を覆うモールド樹脂４とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路を
有するチップがモールド樹脂に封止されたアンテナを備
える半導体装置及びアンテナを備える半導体装置の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯型電話装置（携帯電話）や情
報端末等の無線式データ通信装置が普及している。この
携帯電話では、例えば８００ＭＨｚや１．５ＧＨｚとい
った高周波数帯域を使用している。従来より、携帯電話
は、このような高周波数帯域に対応するための高周波回
路を有する半導体デバイスや、マイクロ波の送受信を行
うアンテナを備えている。この高周波回路及びアンテナ
は、物理的に分離され、それぞれ単独機能として動作し
ている。従来、高周波回路とアンテナとは、例えば高周
波用同軸ケーブルによって電気的に接続されていた。

【０００３】図１３は、従来の無線式データ通信装置に
搭載される半導体デバイス１１０の構成例を示す部分断
面図である。半導体デバイス１１０は、エポキシペース
ト１２上に配置されたチップ１がモールド樹脂４によっ
て封止された構成となっている。半導体デバイス１１０
は、複数のリード線３が側面に配列している。このリー
ド線３は、半導体デバイス１１０の外部との間で電気信
号を伝送するための端子である。このリード線３とチッ
プ１とは、例えばワイヤーボンディングにて接続され
る。このチップ１は、上記高周波回路である半導体集積
回路を有し、その表面にはマイクロストリップラインが
形成されている。このように、半導体デバイス１１０
は、図示しないアンテナが受信したマイクロ波を処理す
る機能を有する。アンテナは、半導体デバイス１１０の
動作への影響を考慮し、半導体デバイス１１０とは距離
を離して搭載されいた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、アンテナと
半導体デバイス１１０とを接続する高周波用同軸ケーブ
ル等の線路は、その長さを原因とする位相とインピーダ
ンスの変化によりインピーダンスの不整合（インピーダ
ンスミスマッチング）が生じていた。従って、従来の無
線式データ通信装置では、インピーダンスの不整合を補
正する必要が生じている。このような補正には、インピ
ーダンス整合用バラン（又はバルン）を用いるか、物理
的距離の電気長を補正すべくマイクロストリップライン
を設ける必要があった。このようなものを設けると、無
線式データ通信装置は小型化を図ることが困難であっ
た。また、従来の携帯電話では、アンテナと半導体デバ
イス１１０とを接続するのに高価な高周波用同軸ケーブ
ルを使用していたので、製造コストがかかっていた。ま
た、アンテナと半導体デバイス１１０との間には物理的
な伝送距離が存在していたため、携帯電話セットの基板
を設計、修正又は変更する度に、半導体デバイス１１０
は、アンテナのマイクロ波による影響（電磁界モード）
を検討しなければならなく、安定した信頼性のある動作
を行うことができなかった。

【０００５】そこで本発明は上記課題を解消し、小型化
を図りつつアンテナを安価に実装でき、半導体集積回路
の安定した動作が可能であり信頼性の高いアンテナを備
える半導体装置及びアンテナを備える半導体装置の製造
方法を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の
発明にあっては、半導体集積回路を有するチップと、前
記チップ近傍に配置されており、前記チップとの間で電
気信号を伝送するとともに外部と非接触にて電磁波の送
受信を行うアンテナと、前記チップ及び前記アンテナを
覆うモールド樹脂とを備えることを特徴とするアンテナ
を備える半導体装置により、達成される。請求項１の構
成によれば、半導体集積回路を有するチップの近傍に
は、外部と非接触で通信を行うアンテナが配置されてい
る。アンテナは、チップとの間で電気信号を伝送できる
ように配置されており、チップ及びアンテナは、モール
ド樹脂によって覆われている。従って、半導体装置は、
チップ及びアンテナが確実に固定されるので、安定した
動作が可能であり信頼性が高くなる。また、半導体装置
は、アンテナを内蔵しているので、アンテナを含んだ全
体の小型化を図りつつ、一体形成できるので安価に実装
することができる。

【０００７】請求項２の発明は、請求項１の構成におい
て、前記アンテナと前記チップの間には、前記アンテナ
による電磁波を遮蔽する遮蔽部材が設けられていること
を特徴とする。請求項２の構成によれば、請求項１の作
用に加えて、アンテナ及びチップの相互の電磁干渉を防
止することができ、半導体装置は、安定した動作を行う
ことができる。従って、半導体装置は信頼性が高くな
る。

【０００８】請求項３の発明は、請求項１の構成におい
て、前記モールド樹脂は、比誘電率の高い絶縁材料であ
ることを特徴とする。請求項３の構成によれば、請求項
１の作用に加えて、モールド樹脂の比誘電率が高いの
で、アンテナの電磁波の波長短縮を行うことができる。
従って、半導体装置は、例えばマイクロ波帯以下の比較
的低い使用周波数でも使用することができる。また、半
導体装置は、アンテナの小型化を図ることで、全体の小
型化を図ることができる。

【０００９】請求項４の発明は、請求項１の構成におい
て、前記半導体集積回路に電気的に接続されるように前
記チップに設けられた第１の電極と、前記第１の電極と
の間で電気信号を伝送するために前記アンテナに設けら
れた第２の電極とは、異方性導電部材を介して電気的に
接続されていることを特徴とする。請求項４の構成によ
れば、請求項１の作用に加えて、第１の電極及び第２の
電極を容易に電気的に接続することができる。

【００１０】請求項５の発明は、請求項１の構成におい
て、前記半導体集積回路に電気的に接続されるように前
記チップに設けられた第１の電極と、前記第１の電極と
の間で電気信号を伝送するために前記アンテナに設けら
れた第２の電極との間には、絶縁膜が設けられており、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、両端子間にて形
成される静電容量によって高周波信号を伝送することを
特徴とする。請求項５の構成によれば、請求項１の作用
に加えて、アンテナの第１の電極及びチップの第２の電
極は、絶縁膜を介して対面している。従って、第１の電
極と第２の電極との間には、静電容量が発生している。
第１の電極又は第２の電極に電気信号が発生すると静電
容量が変化し、それぞれ第２の電極又は第１の電極には
電気信号が伝達される。このため、アンテナとチップと
は、電気信号を非接触で伝送することができる。

【００１１】請求項６の発明は、請求項１の構成におい
て、前記半導体集積回路に電気的に接続されるように前
記チップに設けられており、外部と電気信号を伝送する
ための端子を有することを特徴とする。

【００１２】請求項７の発明は、請求項１の構成におい
て、前記アンテナは平面形状であることを特徴とする。
請求項７の構成によれば、請求項１の作用に加えて、ア
ンテナの形状によらず小型化を図ることができる。ま
た、半導体装置は、平面状のチップに沿ってアンテナを
配置するようにすれば、スペースを必要とせず小型化を
図ることができる。また、半導体装置は、モールド樹脂
にアンテナを内蔵してもモールド樹脂の量が少なくてよ
いので、安価に製造できるとともに軽量化される。

【００１３】請求項８の発明は、請求項１の構成におい
て、前記アンテナは立体形状であることを特徴とする。
請求項８の構成によれば、請求項１の作用に加えて、ア
ンテナの形状によらず確実にアンテナを固定することが
できる。

【００１４】請求項９の発明は、請求項１の構成におい
て、前記チップは、リードフレームに搭載されていない
ことを特徴とする。請求項９の構成によれば、請求項１
の作用に加えて、チップをリードフレームに搭載する必
要がないので部品点数が減るとともに、容易に製造する
ことができる。

【００１５】上記目的は、請求項１０の発明にあって
は、半導体集積回路を有するチップ近傍に、前記チップ
との間で電気信号を伝送するとともに外部と非接触にて
電磁波の送受信を行うアンテナを配置する配置ステップ
と、前記チップ及び前記アンテナをモールド樹脂で覆う
封止ステップとを有することを特徴とするアンテナを備
える半導体装置の製造方法により、達成される。請求項
１０の構成によれば、半導体集積回路を有するチップの
近傍には、外部と非接触で通信を行うアンテナが配置さ
れている。アンテナは、チップとの間で電気信号を伝送
できるように配置されている。次に、チップ及びアンテ
ナは、モールド樹脂によって覆われる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。第１実施形態図１は、本発明の第１実施形態としての半導体デバイス
１０の一部を切断した構成例を示す断面斜視図であり、
図２は、図１の半導体デバイス１０の断面の一例を示す
Ａ−Ａ’断面図である。半導体デバイス１０は、リード
のない表面実装用タイプ（ＬＣＣ：Ｌｅａｄｌｅｓｓ
ＣｈｉｐＣａｒｒｉｅｒ）の半導体デバイスである。
半導体デバイス１０は、リード線３（端子）、エポキシ
ペースト８、チップ１及びアンテナ２を有し、これらが
モールド樹脂４にて封止されている。尚、アンテナ２
は、その一部がモールド樹脂４から露出している構成で
あっても良い。リード線３は、半導体デバイス１０の外
部のプリント基板や電子機器と電気信号を伝送するため
の半導体デバイス１０の端子である。エポキシペースト
８は、ペースト状のエポキシ樹脂を硬化して平板状とし
たものである。

【００１７】アンテナ２は、マイクロ波等の電磁波を送
受信するアンテナである。以下、電磁波の一例としてマ
イクロ波という。アンテナ２は、例えばチップ１に沿っ
て平行となるように配置されている。半導体デバイス１
０は、アンテナ２をこのように配置すると、アンテナ２
を含めた全体を小型化することができるとともに、モー
ルド樹脂４の量が少なくてよくなる。また、アンテナ２
は、送受信するマイクロ波がチップ１の動作に影響しな
い程度の間隔を保持するように配置される。アンテナ２
は、チップ１に図２に示すスルーホール２５によって電
気的に接続されている。アンテナ２は、例えばマイクロ
ストリップアンテナ（ＭＳＡ：ＭｉｃｒｏＳｔｒｉｐ
Ａｎｔｅｎａ）、逆Ｆ型アンテナ若しくはパッチアン
テナ又はこれらいずれかの組み合わせである。パッチア
ンテナは、例えば０．３〜３ｍｍの誘電体の上に３５μ
ｍ，１８μｍ，１０μｍ等の厚みの銅（Ｃｕ）等を形成
し信号導体としたものである。

【００１８】ここで、半導体デバイス１０は、アンテナ
２に必要とされる誘電体材料をモールド樹脂４によって
兼用を行って、アンテナ２を動作させるようにしてい
る。また、アンテナ２は、例えば平面形状の構成でもよ
い。このような構成によれば、半導体デバイス１０は、
平面状のチップ１に沿ってアンテナ２を配置するように
すれば、スペースを必要とせず小型化を図ることができ
る。また、半導体デバイス１０は、モールド樹脂４にア
ンテナ２を内蔵してもモールド樹脂４の量が少なくてよ
いので、安価に製造できるとともに軽量化される。アン
テナ２は、例えば３次元の立体形状の構成であっても良
い。このような構成によれば、半導体デバイス１０は、
アンテナ２の形状にかかわらず、アンテナ２の形状をモ
ールド樹脂４を含浸させることで確実に固定することが
できる。また、アンテナ２の一例としては、ヘリカルア
ンテナ等がある。

【００１９】モールド樹脂４の材質は、例えば比誘電率
ε＝２０〜８０程度の比誘電率の高い材質とすることが
望ましい。このように比誘電率の高い材質とすると、ア
ンテナ２の使用周波数自体の短縮を図り、小型化を図る
ことができるからである。また、モールド樹脂４は、さ
らに好ましくは比誘電率＝２０〜２５とするのが好まし
い。比誘電率をこのようにすると、アンテナ２は、３／
４程度に短縮することができる。

【００２０】上記チップ１は、アンテナ２が送受信する
マイクロ波を処理する機能を有する半導体集積回路（高
周波回路）である。チップ１は、平板状のエポキシペー
スト１３に沿ってほぼ平行となるように配置されてい
る。従って、図２に示すように、半導体デバイス１０
は、下層から上層になるにつれて、エポキシペースト
８、チップ１、アンテナ２の順に積層されており、端子
３が側面から下方に伸びている。

【００２１】半導体デバイス１０は、以上のような構成
であり、次に図１〜図３を参照しつつ半導体デバイス１
０の製造方法の一例について説明する。図３は、図１の
半導体デバイス１０の製造方法の一例を示すフローチャ
ートである。配置ステップ配置ステップでは、半導体集積回路を有するチップ１の
近傍に、チップ１との間で電気信号を伝送するとともに
外部と非接触にて電磁波の送受信を行うアンテナ２を配
置する。以下、具体的に説明する。図１のエポキシペー
スト８は、粘性を有するエポキシ樹脂を平板状とし、硬
化させたものである。まず、図３のステップ１では、マ
イクロ波を処理する機能を有するチップ１がエポキシペ
ースト８上に配置される。次に、図３のステップＳＴ２
では、平板状のチップ１に平板状のアンテナ２が平行と
なるように配置される。次に、図３のステップＳＴ３で
は、チップ１及びアンテナ２が例えば図２に示すスルー
ホール２５によって電気的に接続される。スルーホール
２５は、その一部に導体を有し、接続した両端を電気的
に導通させる。

【００２２】封止ステップ封止ステップでは、チップ１及びアンテナ２をモールド
樹脂４で覆う。具体的には、図３のステップＳＴ４で
は、接着されたチップ１及びアンテナ２等が、図１及び
図２に示すようにモールド樹脂４にて少なくとも一部、
好ましくは全部が封止される。ここで、少なくとも一部
としたのは、半導体デバイス１０は、上述のようにアン
テナ２の一部が多少露出するような構造であっても良い
ことを意味している。

【００２３】また、チップ１とアンテナ２との接続方法
は、上記の他、以下のような接続方法であっても良い。
図４は、アンテナ２及びチップ１を電気的に接続する様
子の一例を示す斜視図であり、図５は、図４のアンテナ
２及びチップ１が電気的に接続された状態の一例を示す
側面図である。アンテナ２には、少なくとも１つの第２
の電極１７が設けられている。一方、チップ１には、第
２の電極１７の数に相当する数の第１の電極１５が設け
られている。図４では、第１の電極１５及び第２の電極
１７が、それぞれ２つずつチップ１及びアンテナ２に設
けられているものとして説明する。チップ１及びアンテ
ナ２が電気的に接続されるようにするには、これら第１
の電極１５及び第２の電極１７のいずれか一方に異方性
導電膜１９（異方性導電部材）が配置された状態で、第
１の電極１５及び第２の電極１７を最適なプロセス温度
で圧着する。このようにして、図５に示すように、第１
の電極１５及び第２の電極１７が電気的に接続されるこ
とで、電気信号が伝送される。

【００２４】ここで、異方性導電膜１９は、図６に示す
ように粘性を有するバインダ２１及び例えば球状の導電
性を有するフィラ２３を有する。バインダ２１は、速硬
化の熱硬化性を有する材質のものを使用し、例えば厚さ
２０〜３０ミクロンの接着フィルムである。一方、フィ
ラ２３は、このフィルム中に分散された３〜１０μｍ程
度の導電性粒子である。異方性導電膜１９は、バインダ
２１の上面及び下面にそれぞれ力が加えられＺ方向に押
しつぶされると、フィラ２３がバインダ２１の上面及び
下面に露出する。従って、フィラー２３によって、バイ
ンダ２１の上面及び下面が、電気的に導通するようにな
る。また、異方性導電膜１９（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）は、異方
性導電ペースト（ＡＣＰ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）であってもよいこと
はいうまでもない。

【００２５】また、チップ１及びアンテナ２は、上述の
ように物理的に接続されることで電気信号を伝送する
他、以下に示すような方法によって電気信号を伝送する
構成としても良い。図７は、チップ１とアンテナ２の電
気信号の伝送方法を実現するための別の構成例を示す斜
視図であり、図８は、図７のアンテナ２及びチップ１が
電気的に接続された状態の一例を示す側面図である。チ
ップ１及びアンテナ２は、上述と同一の構成であるが、
チップ１とアンテナ２の間には絶縁層２７が設けられて
いる点が異なっている。絶縁層２７は、例えば数ミクロ
ンの厚さを有する。絶縁層２７の材質としては、例えば
ポリイミド又はポリエチレンテレフタレートが挙げられ
る。

【００２６】チップ１の第１の電極１５とアンテナ２の
第２の電極１７は、図８に示すように絶縁層２７を介し
て絶縁された状態で対面することになり、例えば数ＰＦ
〜数十ＰＦの静電容量を形成することになる。従って、
第１の電極１５及び第２の電極１７のいずれか一方に電
気信号が発生すると、両電極間の静電容量が変化する。
これにより、半導体デバイス１０は、アンテナ２及びチ
ップ１との間で非接触で電気信号を伝送することができ
る。また、第１の電極１５と第２の電極１７は、物理的
に接続されなくても確実に電気信号を伝送することがで
きるので、断線等による故障を防止し、安定した動作が
可能となる。従って、半導体デバイス１０は、信頼性が
向上する。

【００２７】本発明の第１実施形態によれば、小型化を
図りつつアンテナ２を安価に実装でき、半導体集積回路
を有するチップ１の安定した動作が可能であり信頼性を
高くすることができる。

【００２８】第２実施形態図９は、本発明の第２実施形態としての半導体デバイス
１０ａの一部を切断した構成例を示す断面斜視図であ
り、図１０は、図１の半導体デバイス１０ａの断面の一
例を示すＢ−Ｂ’断面図である。第２実施形態としての
半導体デバイス１０ａは、図１〜図８において第１実施
形態としての半導体デバイス１０とほぼ同様の構成であ
るので同一の構成は図１〜図８における符号を用いて、
異なる点を中心として説明する。半導体デバイス１０ａ
では、第１実施形態においてチップ１とアンテナ２との
間にモールド樹脂４が充填されていた代わりに、シール
ド１３（遮蔽部材）が設けられている。つまり、このシ
ールド１３は、図１０に示すようにチップ１及びアンテ
ナ２の間に配置されている。シールド１３は、チップ１
及びアンテナ２の間の少なくとも一部、好ましくは全部
を遮断するように設けられている。従って、半導体デバ
イス１０は、下層から上層かけて、エポキシペースト
８、チップ１、シールド１３、アンテナ２の順に積層し
ており、モールド樹脂４によって少なくとも一部が封止
されている。

【００２９】半導体デバイス１０ａは、このシールド１
３の存在により、アンテナ２及びチップ１の相互の電磁
干渉を防止することができるようになる。また、このよ
うな構成によれば、半導体デバイス１０a は、チップ１
に搭載する混合器（Ｍｉｘｅｒ）の発振周波数等のチッ
プ１からの雑音がアンテナ２に誘導してしまうことが著
しく低減される。従って、半導体デバイス１０は、高周
波回路系であるチップ１の動作が非常に安定する。

【００３０】本発明の第２実施形態によれば、第１実施
形態とほぼ同様の効果を発揮できるとともに、これに加
えて、シールド１３の存在によりアンテナ２が送受信す
るマイクロ波がチップ１の動作に影響を与えないので、
チップ１の動作が安定し半導体デバイス１０ａの信頼性
を向上することができる。

【００３１】第３実施形態図１１は、本発明の第３実施形態としての半導体デバイ
ス１０ｂの一部を切断した構成例を示す断面斜視図であ
り、図１２は、図１１の半導体デバイス１０ｂの断面の
一例を示すＣ−Ｃ’断面図である。第３実施形態として
の半導体デバイス１０ｂは、図１〜図８において第１実
施形態としての半導体デバイス１０とほぼ同様の構成で
あるので同一の構成は図１〜図８における符号を用い
て、異なる点を中心として説明する。

【００３２】半導体デバイス１０ｂでは、第１実施形態
としての半導体デバイス１０ａに設けられていたリード
線３が存在しない点が異なっている。リード線３は、上
述のように第１実施形態としての半導体デバイス１０の
外部との電気信号の伝送に使用される端子である。この
半導体デバイス１０ｂでは、リード線３による電気信号
の伝送の代わりに、アンテナ２によるマイクロ波の送受
信によって外部と電気信号を伝送する構成となってい
る。

【００３３】本発明の第３実施形態によれば、第１実施
形態とほぼ同様の効果を発揮できるとともに、これに加
えて、リード線３を不要とすることができる。つまり、
半導体デバイス１０ｂは、構造上において簡素化するこ
とができるとともに、製造工程においても簡素化を図る
ことができる。従って、半導体デバイス１０ｂは、構造
上簡素化されるので、軽量化を図ることができるととも
にリード線３が外部に露出しない分小型化を図ることが
できる。

【００３４】ところで本発明は上述した実施形態に限定
されるものではない。上記実施形態の各構成は、その一
部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わ
せることができる。また、本実施形態の具体的な適用例
としては、携帯型電話装置、ＧＰＳ（ＧｌｏｂａｌＰ
ｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）、２．４５ＧＨ
ｚ無線ＬＡＮ（ＬｏｃａｌＡｒｅａＮｅｔｗｏｒ
ｋ）帯以上の超高周波数帯用の機器がある。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
小型化を図りつつアンテナを安価に実装でき、半導体集
積回路の安定した動作が可能であり信頼性の高いアンテ
ナを備える半導体装置及びアンテナを備える半導体装置
の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態としての半導体デバイス
の一部を切断した構成例を示す断面斜視図。

【図２】図１の半導体デバイスの一例を示すＡ−Ａ’断
面図。

【図３】図１の半導体デバイスの製造方法の一例を示す
フローチャート。

【図４】アンテナ及びチップを電気的に接続する様子の
一例を示す斜視図。

【図５】図４のアンテナ及びチップが電気的に接続され
た状態の一例を示す側面図。

【図６】異方性導電部材の構成例を示す透過斜視図。

【図７】チップとアンテナの電気信号の伝送方法を実現
するための別の構成例を示す斜視図。

【図８】図７のアンテナ及びチップが電気的に接続され
た状態の一例を示す側面図。

【図９】本発明の第２実施形態としての半導体デバイス
の一部を切断した構成例を示す断面斜視図。

【図１０】図１の半導体デバイスの断面の一例を示すＢ
−Ｂ’断面図。

【図１１】本発明の第３実施形態としての半導体デバイ
スの一部を切断した構成例を示す断面斜視図。

【図１２】図１１の半導体デバイスの断面の一例を示す
Ｃ−Ｃ’断面図。

【図１３】従来の無線式データ通信装置に搭載される半
導体デバイスの構成例を示す部分断面図。

【符号の説明】

１・・・チップ、２・・・アンテナ、３・・・リード線
（端子）、４・・・モールド樹脂、１０・・・半導体デ
バイス（半導体装置）１３・・・シールド（遮蔽部
材）、１５・・・第１の電極、１７・・・第２の電極、
１９・・・異方性導電膜（異方性導電部材）

フロントページの続き (72)発明者宗方憲二東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 5J046 AA05 AA07 AA19 AB13 QA02 UA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体集積回路を有するチップと、前記チップ近傍に配置されており、前記チップとの間で
電気信号を伝送するとともに外部と非接触にて電磁波の
送受信を行うアンテナと、前記チップ及び前記アンテナを覆うモールド樹脂とを備
えることを特徴とするアンテナを備える半導体装置。
【請求項２】前記アンテナと前記チップの間には、前
記アンテナによる電磁波を遮蔽する遮蔽部材が設けられ
ていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナを備
える半導体装置。
【請求項３】前記モールド樹脂は、比誘電率の高い絶
縁材料であることを特徴とする請求項１に記載のアンテ
ナを備える半導体装置。
【請求項４】前記半導体集積回路に電気的に接続され
るように前記チップに設けられた第１の電極と、前記第
１の電極との間で電気信号を伝送するために前記アンテ
ナに設けられた第２の電極とは、異方性導電部材を介し
て電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に
記載のアンテナを備える半導体装置。
【請求項５】前記半導体集積回路に電気的に接続され
るように前記チップに設けられた第１の電極と、前記第
１の電極との間で電気信号を伝送するために前記アンテ
ナに設けられた第２の電極との間には、絶縁膜が設けら
れており、前記第１の電極及び前記第２の電極は、両端子間にて形
成される静電容量によって高周波信号を伝送することを
特徴とする請求項１に記載のアンテナを備える半導体装
置。
【請求項６】前記半導体集積回路に電気的に接続され
るように前記チップに設けられており、外部と電気信号
を伝送するための端子を有することを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置。
【請求項７】前記アンテナは平面形状であることを特
徴とする請求項１に記載のアンテナを備える半導体装
置。
【請求項８】前記アンテナは立体形状であることを特
徴とする請求項１に記載のアンテナを備える半導体装
置。
【請求項９】前記チップは、リードフレームに搭載さ
れていないことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ
を備える半導体装置。
【請求項１０】半導体集積回路を有するチップ近傍
に、前記チップとの間で電気信号を伝送するとともに外
部と非接触にて電磁波の送受信を行うアンテナを配置す
る配置ステップと、前記チップ及び前記アンテナをモールド樹脂で覆う封止
ステップとを有することを特徴とするアンテナを備える
半導体装置の製造方法。