JP2001332597A - Ｈｂｔ用エピタキシャルウエハの検査方法 - Google Patents
Ｈｂｔ用エピタキシャルウエハの検査方法Info
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- JP2001332597A JP2001332597A JP2000152784A JP2000152784A JP2001332597A JP 2001332597 A JP2001332597 A JP 2001332597A JP 2000152784 A JP2000152784 A JP 2000152784A JP 2000152784 A JP2000152784 A JP 2000152784A JP 2001332597 A JP2001332597 A JP 2001332597A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの製造完了か
ら短時間で検査を開始できると共に高価なマスクアライ
ナや蒸着装置などを不要とし、低コストで簡易に行える
ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査方法を提供する。 【解決手段】 基板１上にコレクタ層３、ベース層４、
エミッタ層５が順次積層されたＨＢＴ用エピタキシャル
ウエハ１０の一部の各層３，４，５に、筆などの筆記用
具又は印刷により形成した有機塗布材料のマスクを用い
てエッチングし、電極１１，１２，１３を形成して、検
査用ＨＢＴ素子を作製し、この検査用ＨＢＴ素子の電流
増幅率のみを測定してＨＢＴ用エピタキシャルウエハの
品質を判断する。
ら短時間で検査を開始できると共に高価なマスクアライ
ナや蒸着装置などを不要とし、低コストで簡易に行える
ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査方法を提供する。 【解決手段】 基板１上にコレクタ層３、ベース層４、
エミッタ層５が順次積層されたＨＢＴ用エピタキシャル
ウエハ１０の一部の各層３，４，５に、筆などの筆記用
具又は印刷により形成した有機塗布材料のマスクを用い
てエッチングし、電極１１，１２，１３を形成して、検
査用ＨＢＴ素子を作製し、この検査用ＨＢＴ素子の電流
増幅率のみを測定してＨＢＴ用エピタキシャルウエハの
品質を判断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヘテロバイポーラ
トランジスタ（ＨＢＴ）用エピタキシャルウエハの検査
方法に係り、特に大規模な装置を用いずに簡易に検査用
ＨＢＴ素子を作製し、このＨＢＴ素子の特性を評価する
ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査方法に関するもの
である。
トランジスタ（ＨＢＴ）用エピタキシャルウエハの検査
方法に係り、特に大規模な装置を用いずに簡易に検査用
ＨＢＴ素子を作製し、このＨＢＴ素子の特性を評価する
ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、基板上にコレクタ層、ベース
層、エミッタ層が順次積層されたヘテロバイポーラトラ
ンジスタ（ＨＢＴ）用エピタキシャルウエハは、出荷さ
れる前に特性評価して品質を判断する検査が行われてい
る。
層、エミッタ層が順次積層されたヘテロバイポーラトラ
ンジスタ（ＨＢＴ）用エピタキシャルウエハは、出荷さ
れる前に特性評価して品質を判断する検査が行われてい
る。
【０００３】この検査は、これらコレクタ層、ベース
層、及びエミッタ層に電流を流して特性が評価される
が、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの各層には電源端子
を接続できる部分がないため、そのままでは特性評価が
できない。
層、及びエミッタ層に電流を流して特性が評価される
が、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの各層には電源端子
を接続できる部分がないため、そのままでは特性評価が
できない。
【０００４】このため、これらエミッタ層、ベース層、
コレクタ層にそれぞれ大きな面積の電極を設け、つまり
検査用ＨＢＴ素子を作製し、この検査用ＨＢＴ素子の特
性を評価することでＨＢＴ用エピタキシャルウエハを検
査している。
コレクタ層にそれぞれ大きな面積の電極を設け、つまり
検査用ＨＢＴ素子を作製し、この検査用ＨＢＴ素子の特
性を評価することでＨＢＴ用エピタキシャルウエハを検
査している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この検査用
ＨＢＴ素子を製造するに際しては、通常のＨＢＴ素子と
同様に、マスクアライナと呼ばれる装置を用いて、ＨＢ
Ｔ用エピタキシャルウエハ上にフォトレジストパターン
を形成し、ベース層とコレクタ層を露出させるためのエ
ッチングを行い、露出した部分に金属を蒸着して、エミ
ッタ電極、ベース電極、及びコレクタ電極を設けてい
る。
ＨＢＴ素子を製造するに際しては、通常のＨＢＴ素子と
同様に、マスクアライナと呼ばれる装置を用いて、ＨＢ
Ｔ用エピタキシャルウエハ上にフォトレジストパターン
を形成し、ベース層とコレクタ層を露出させるためのエ
ッチングを行い、露出した部分に金属を蒸着して、エミ
ッタ電極、ベース電極、及びコレクタ電極を設けてい
る。
【０００６】しかしながら、このエッチングに用いられ
るマスクアライナは数千万円と高価であり、さらに作業
には専用の部屋（イエロールーム）を必要とし、また金
属を蒸着するには電極付け用の蒸着装置を必要とするの
で、検査用ＨＢＴ素子の作製に高いコストが掛かり、ひ
いてはＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査コストが高
くなるという問題があった。
るマスクアライナは数千万円と高価であり、さらに作業
には専用の部屋（イエロールーム）を必要とし、また金
属を蒸着するには電極付け用の蒸着装置を必要とするの
で、検査用ＨＢＴ素子の作製に高いコストが掛かり、ひ
いてはＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査コストが高
くなるという問題があった。
【０００７】また、従来は、このような多数の工程を経
て検査用ＨＢＴ素子を作製するため、その作製に一週間
ほどの期間を必要とし、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハ
の作製完了からすぐに検査を開始できなかった。
て検査用ＨＢＴ素子を作製するため、その作製に一週間
ほどの期間を必要とし、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハ
の作製完了からすぐに検査を開始できなかった。
【０００８】このため、検査によってＨＢＴ素子に異常
が見つかった場合、この検査用ＨＢＴ素子が破棄される
だけでなく、この素子製造に費やされた一週間の間に製
造された他のＨＢＴ用エピタキシャルウエハにも異常が
あると見なされて破棄されるため、半導体材料や製造作
業が無駄になってしまうという問題があった。
が見つかった場合、この検査用ＨＢＴ素子が破棄される
だけでなく、この素子製造に費やされた一週間の間に製
造された他のＨＢＴ用エピタキシャルウエハにも異常が
あると見なされて破棄されるため、半導体材料や製造作
業が無駄になってしまうという問題があった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、ＨＢＴ用エピタ
キシャルウエハの重要な特性の一つである電流増幅率
（β）のみを測定可能とすることにのみ重点をおき、Ｈ
ＢＴ用エピタキシャルウエハの製造完了から短時間で検
査を開始できると共に高価なマスクアライナや蒸着装置
などを不要とし、低コストで簡易に行えるＨＢＴ用エピ
タキシャルウエハの検査方法を提供することにある。
キシャルウエハの重要な特性の一つである電流増幅率
（β）のみを測定可能とすることにのみ重点をおき、Ｈ
ＢＴ用エピタキシャルウエハの製造完了から短時間で検
査を開始できると共に高価なマスクアライナや蒸着装置
などを不要とし、低コストで簡易に行えるＨＢＴ用エピ
タキシャルウエハの検査方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、基板上にコレクタ層、ベース層、
エミッタ層が順次積層されたＨＢＴ用エピタキシャルウ
エハの一部の各層に電極を形成して検査用ＨＢＴ素子を
作製し、この検査用ＨＢＴ素子の特性を評価してＨＢＴ
用エピタキシャルウエハの品質を判断するＨＢＴ用エピ
タキシャルウエハの検査方法において、上記ＨＢＴ用エ
ピタキシャルウエハの表面に、コレクタ電極を形成する
範囲を露出させたマスクパターンを筆などの筆記用具又
は印刷により有機塗布材料を用いて形成し、その有機塗
布材料をマスクとしてコレクタ層までエッチングし、露
出したコレクタ層に金属小片を設けてコレクタ電極を形
成し、上記エミッタ層上の有機塗布材料を除去すると共
に、露出したコレクタ層に有機塗布材料でマスクパター
ンを形成し、上記エミッタ層に金属小片を設けてエミッ
タ電極を形成した後、該エミッタ電極をマスクとしてベ
ース層までエッチングし、露出したベース層に金属小片
を設けてベース電極を形成して検査用ＨＢＴ素子を作製
し、この検査用ＨＢＴ素子の電流増幅率のみを測定して
ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの品質を判断する方法で
ある。
に請求項１の発明は、基板上にコレクタ層、ベース層、
エミッタ層が順次積層されたＨＢＴ用エピタキシャルウ
エハの一部の各層に電極を形成して検査用ＨＢＴ素子を
作製し、この検査用ＨＢＴ素子の特性を評価してＨＢＴ
用エピタキシャルウエハの品質を判断するＨＢＴ用エピ
タキシャルウエハの検査方法において、上記ＨＢＴ用エ
ピタキシャルウエハの表面に、コレクタ電極を形成する
範囲を露出させたマスクパターンを筆などの筆記用具又
は印刷により有機塗布材料を用いて形成し、その有機塗
布材料をマスクとしてコレクタ層までエッチングし、露
出したコレクタ層に金属小片を設けてコレクタ電極を形
成し、上記エミッタ層上の有機塗布材料を除去すると共
に、露出したコレクタ層に有機塗布材料でマスクパター
ンを形成し、上記エミッタ層に金属小片を設けてエミッ
タ電極を形成した後、該エミッタ電極をマスクとしてベ
ース層までエッチングし、露出したベース層に金属小片
を設けてベース電極を形成して検査用ＨＢＴ素子を作製
し、この検査用ＨＢＴ素子の電流増幅率のみを測定して
ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの品質を判断する方法で
ある。
【００１１】請求項２の発明は、上記検査用ＨＢＴ素子
を直径１ｃｍから３ｃｍの略円形に形成する方法であ
る。
を直径１ｃｍから３ｃｍの略円形に形成する方法であ
る。
【００１２】請求項３の発明は、上記エミッタ層に設け
る金属小片を直径５０μｍから５００μｍの略円形に形
成する方法である。
る金属小片を直径５０μｍから５００μｍの略円形に形
成する方法である。
【００１３】請求項４の発明は、上記エミッタ層に設け
る金属小片として、金箔、銀箔、インジウム箔、又はニ
ッケル箔などを用いる方法である。
る金属小片として、金箔、銀箔、インジウム箔、又はニ
ッケル箔などを用いる方法である。
【００１４】すなわち、本発明は、ＨＢＴ素子の特性の
うち、電流増幅率（β）のみを測定可能な簡易検査用Ｈ
ＢＴ素子を作製し、この簡易検査用ＨＢＴ素子の電流増
幅率（β）を測定し、その測定値が正常のとき、ＨＢＴ
用エピタキシャルウエハも正常と判断する方法である。
うち、電流増幅率（β）のみを測定可能な簡易検査用Ｈ
ＢＴ素子を作製し、この簡易検査用ＨＢＴ素子の電流増
幅率（β）を測定し、その測定値が正常のとき、ＨＢＴ
用エピタキシャルウエハも正常と判断する方法である。
【００１５】上記構成によれば、パターン形成はフォト
リソグラフィで行われず、手書きで行われる。また、小
面積のエミッタ電極として金箔が設けられる。このエミ
ッタ層のエッチングに際しては金箔がそのままマスクと
しても利用される。電極用金属付けには蒸着は行われ
ず、エミッタ電極にはマスクとしても使用した金箔を用
い、またベース電極やコレクタ電極は大面積でも良いの
で、材料として加工しやすいＩｎを用いて直接ウエハに
密着させて電極が形成され、検査用ＨＢＴ素子が作製さ
れる。
リソグラフィで行われず、手書きで行われる。また、小
面積のエミッタ電極として金箔が設けられる。このエミ
ッタ層のエッチングに際しては金箔がそのままマスクと
しても利用される。電極用金属付けには蒸着は行われ
ず、エミッタ電極にはマスクとしても使用した金箔を用
い、またベース電極やコレクタ電極は大面積でも良いの
で、材料として加工しやすいＩｎを用いて直接ウエハに
密着させて電極が形成され、検査用ＨＢＴ素子が作製さ
れる。
【００１６】そして、特性を測定するに際しては、電流
増幅率（β）のみが測定され、測定値が正常のとき、Ｈ
ＢＴ用エピタキシャルウエハは正常であると判断され
る。
増幅率（β）のみが測定され、測定値が正常のとき、Ｈ
ＢＴ用エピタキシャルウエハは正常であると判断され
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。
を添付図面に基づいて詳述する。
【００１８】図１に、本発明にかかるＨＢＴ用エピタキ
シャルウエハの検査方法に用いられる検査用ＨＢＴ素子
の断面図を示す。
シャルウエハの検査方法に用いられる検査用ＨＢＴ素子
の断面図を示す。
【００１９】図１に示すように、本発明の検査用ＨＢＴ
素子は、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハ１０の一部に、
直径が１ｃｍから３ｃｍの略円形状に形成されており、
断面が階段状に形成されたコレクタ層３、ベース層４、
及びエミッタ層５上にそれぞれ電極１１，１２，１３が
形成されて構成されている。
素子は、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハ１０の一部に、
直径が１ｃｍから３ｃｍの略円形状に形成されており、
断面が階段状に形成されたコレクタ層３、ベース層４、
及びエミッタ層５上にそれぞれ電極１１，１２，１３が
形成されて構成されている。
【００２０】このＨＢＴ用エピタキシャルウエハ１０
は、具体的には、コレクタ層５とエミッタ層５にはコン
タクトをとるため、それぞれコンタクト層２，６，７が
形成されており、ＧａＡｓ基板１上に、ｎ+ −ＧａＡｓ
コレクタコンタクト層２、ｎ-−ＧａＡｓコレクタ層
３、ｐ+ −ＧａＡｓベース層４、ｎ−ＡｌＧａＡｓエミ
ッタ層５、ｎ+ −ＧａＡｓエミッタコンタクト層６、ｎ
+ −ＩｎＧａＡｓノンアロイエミッタコンタクト層７が
順に積層されている。
は、具体的には、コレクタ層５とエミッタ層５にはコン
タクトをとるため、それぞれコンタクト層２，６，７が
形成されており、ＧａＡｓ基板１上に、ｎ+ −ＧａＡｓ
コレクタコンタクト層２、ｎ-−ＧａＡｓコレクタ層
３、ｐ+ −ＧａＡｓベース層４、ｎ−ＡｌＧａＡｓエミ
ッタ層５、ｎ+ −ＧａＡｓエミッタコンタクト層６、ｎ
+ −ＩｎＧａＡｓノンアロイエミッタコンタクト層７が
順に積層されている。
【００２１】また、ｎ- −ＧａＡｓコレクタ層３上に形
成されたコレクタ電極１１とｐ+ −ＧａＡｓベース層４
上に形成されたベース電極１２は、直径数ｍｍの柔らか
い金属であるＩｎから形成されており、また、ｎ−Ａｌ
ＧａＡｓエミッタ層５上に形成されたエミッタ電極１３
は、直径５０μｍから５００μｍの円形状に形成された
金箔から形成されている。
成されたコレクタ電極１１とｐ+ −ＧａＡｓベース層４
上に形成されたベース電極１２は、直径数ｍｍの柔らか
い金属であるＩｎから形成されており、また、ｎ−Ａｌ
ＧａＡｓエミッタ層５上に形成されたエミッタ電極１３
は、直径５０μｍから５００μｍの円形状に形成された
金箔から形成されている。
【００２２】このエミッタ電極１３の面積は、本発明の
特性測定において高電流密度でのβ値を必要とするた
め、小さく形成されている。すなわち、エミッタ電極１
３の面積（電流密度）は電流増幅率（β）に反比例する
ので、通常の特性の測定には１００ｍＡ程度までしか電
流を流さないが、本発明では大きな高電流密度が得られ
るように、直径５０μｍから５００μｍと小さく形成さ
れている。
特性測定において高電流密度でのβ値を必要とするた
め、小さく形成されている。すなわち、エミッタ電極１
３の面積（電流密度）は電流増幅率（β）に反比例する
ので、通常の特性の測定には１００ｍＡ程度までしか電
流を流さないが、本発明では大きな高電流密度が得られ
るように、直径５０μｍから５００μｍと小さく形成さ
れている。
【００２３】次に、本発明にかかるＨＢＴ用エピタキシ
ャルウエハの検査方法を説明する。
ャルウエハの検査方法を説明する。
【００２４】まず、図１に示した検査用ＨＢＴ素子の製
造方法を図２（ａ）〜図２（ｆ）を用いて説明する。
造方法を図２（ａ）〜図２（ｆ）を用いて説明する。
【００２５】図２（ａ）に示すように、この検査用ＨＢ
Ｔ素子を製造するに際しては、図１に示したようなＨＢ
Ｔ用エピウエハ１０を用意し、筆などの筆記用具又は印
刷により、このＨＢＴ用エピウエハ１０の表面に、直径
１ｃｍから３ｃｍの円形状のコレクタ電極を形成する範
囲を露出させたマスクパターンで、有機塗布材料を塗
る。
Ｔ素子を製造するに際しては、図１に示したようなＨＢ
Ｔ用エピウエハ１０を用意し、筆などの筆記用具又は印
刷により、このＨＢＴ用エピウエハ１０の表面に、直径
１ｃｍから３ｃｍの円形状のコレクタ電極を形成する範
囲を露出させたマスクパターンで、有機塗布材料を塗
る。
【００２６】このとき用いられる有機塗布材料は、感光
は影響ない程度の精度のため、蛍光灯下で塗布される。
は影響ない程度の精度のため、蛍光灯下で塗布される。
【００２７】そして、図２（ｂ）に示すように、その有
機塗布材料をマスクとして、エッチング液を用いてコレ
クタ層３までエッチングする。
機塗布材料をマスクとして、エッチング液を用いてコレ
クタ層３までエッチングする。
【００２８】そして、図２（ｃ）に示すように、エッチ
ングにより露出した部分（コレクタ層３）に、直径１ｍ
ｍ球状のＩｎを載置し、押し潰して密着させ、コレクタ
電極１１を形成する。
ングにより露出した部分（コレクタ層３）に、直径１ｍ
ｍ球状のＩｎを載置し、押し潰して密着させ、コレクタ
電極１１を形成する。
【００２９】さらに、図２（ｄ）に示すように、有機塗
布材料のマスクを除去し、その除去により露出した部分
（エミッタ層４）に、はさみで切った直径５０μｍから
５００μｍの円形の金箔を載置し、これを４００℃で１
分間アロイして接着させエミッタ電極１３を形成する。
布材料のマスクを除去し、その除去により露出した部分
（エミッタ層４）に、はさみで切った直径５０μｍから
５００μｍの円形の金箔を載置し、これを４００℃で１
分間アロイして接着させエミッタ電極１３を形成する。
【００３０】そして、コレクタ層４にマスクを施し、エ
ミッタ電極１３をマスクにして、図２（ｅ）に示すよう
に、エッチング液を用いて、最初にマスクで保護してい
た部分を、ベース層５までエッチングする。
ミッタ電極１３をマスクにして、図２（ｅ）に示すよう
に、エッチング液を用いて、最初にマスクで保護してい
た部分を、ベース層５までエッチングする。
【００３１】そして、図２（ｆ）に示すように、ベース
層５に直径１ｍｍ球状のＩｎを載置し、押し潰してよく
密着させ、ベース電極１２を形成する。
層５に直径１ｍｍ球状のＩｎを載置し、押し潰してよく
密着させ、ベース電極１２を形成する。
【００３２】このようにして、本発明の検査用ＨＢＴ素
子が製造される。この素子製造に要する時間は、およそ
１．５時間である。
子が製造される。この素子製造に要する時間は、およそ
１．５時間である。
【００３３】さらに、この検査用ＨＢＴ素子を用いてＨ
ＢＴ用エピタキシャルウエハを検査する。
ＢＴ用エピタキシャルウエハを検査する。
【００３４】ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査は、
種々の特性のうち電流増幅率（β）のみを測定すること
により行う。
種々の特性のうち電流増幅率（β）のみを測定すること
により行う。
【００３５】すなわち、このＨＢＴ素子の電流増幅率
（β）が正常のとき、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハは
正常であると判断する。
（β）が正常のとき、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハは
正常であると判断する。
【００３６】このようにして判断された検査結果は、Ｈ
ＢＴ用エピタキシャルウエハの製造完了から短時間で出
されるので、その検査結果をエピウエハ成長へフィード
バックできる。
ＢＴ用エピタキシャルウエハの製造完了から短時間で出
されるので、その検査結果をエピウエハ成長へフィード
バックできる。
【００３７】本発明による検査の精度を図３に示す。
【００３８】図３は、成長条件を変化させた１０枚のＨ
ＴＢ用エピタキシャルウエハから、本発明の簡易検査用
ＨＢＴ素子と従来技術の検査用ＨＢＴ素子を作製し、電
流増幅率（β）を比較した図である。
ＴＢ用エピタキシャルウエハから、本発明の簡易検査用
ＨＢＴ素子と従来技術の検査用ＨＢＴ素子を作製し、電
流増幅率（β）を比較した図である。
【００３９】図中、横軸は従来の検査用ＨＢＴ素子の電
流増幅率（β）を、縦軸は本発明の簡易検査用ＨＢＴ素
子の電流増幅率（β）を示しており、黒四角ｒの位置は
測定精度を示している。
流増幅率（β）を、縦軸は本発明の簡易検査用ＨＢＴ素
子の電流増幅率（β）を示しており、黒四角ｒの位置は
測定精度を示している。
【００４０】図３に示すように、本発明の簡易検査用Ｈ
ＢＴ素子は、従来技術で作製した検査用ＨＢＴ素子の測
定結果に対して±１０％程度の精度が得られ、十分に検
査用ＨＢＴ素子として使用できることが分かる。
ＢＴ素子は、従来技術で作製した検査用ＨＢＴ素子の測
定結果に対して±１０％程度の精度が得られ、十分に検
査用ＨＢＴ素子として使用できることが分かる。
【００４１】以上説明したように、本発明は、ＨＢＴ用
エピタキシャルウエハの検査において、電流増幅率
（β）のみを測定するようにしたので、検査用ＨＢＴ素
子を簡易な方法で製造できる。これにより、検査用ＨＢ
Ｔ素子の製造の工数が減るので、製造コストを低下で
き、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査コストを低下
できる。
エピタキシャルウエハの検査において、電流増幅率
（β）のみを測定するようにしたので、検査用ＨＢＴ素
子を簡易な方法で製造できる。これにより、検査用ＨＢ
Ｔ素子の製造の工数が減るので、製造コストを低下で
き、ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査コストを低下
できる。
【００４２】さらに、ＨＢＴ素子の作製期間を１週間か
らおよそ１．５時間に短縮でき、出荷品の検査を即座に
行えるので、不良在庫を多く抱えなくて済むようにな
る。
らおよそ１．５時間に短縮でき、出荷品の検査を即座に
行えるので、不良在庫を多く抱えなくて済むようにな
る。
【００４３】また、本発明は、特別な装置を必要としな
いため、高い設備代が掛からず、さらに検査装置立ち上
げのための時間も不要である。
いため、高い設備代が掛からず、さらに検査装置立ち上
げのための時間も不要である。
【００４４】本実施の形態にあっては、エミッタ電極１
３に金箔を用い、ベース電極１２、コレクタ電極１１に
インジウムを用いたが、簡易に設けることができてコン
タクトがとれれば、銀箔、インジウム箔、又はニッケル
箔など他の金属を用いても良い。
３に金箔を用い、ベース電極１２、コレクタ電極１１に
インジウムを用いたが、簡易に設けることができてコン
タクトがとれれば、銀箔、インジウム箔、又はニッケル
箔など他の金属を用いても良い。
【００４５】また、検査用ＨＢＴ素子の形状を、直径１
ｃｍから３ｃｍの円形に形成したが、パターンの形成し
やすさと、検査後に出荷品として利用できる大きさとを
考慮して、直径を適宜変更しても良く、また形状も円形
に限定されず、楕円形、矩形、三角形、多角形など任意
の形状に形成しても良い。
ｃｍから３ｃｍの円形に形成したが、パターンの形成し
やすさと、検査後に出荷品として利用できる大きさとを
考慮して、直径を適宜変更しても良く、また形状も円形
に限定されず、楕円形、矩形、三角形、多角形など任意
の形状に形成しても良い。
【００４６】また、エミッタ電極１３の形状も円形に限
定されず、楕円形、矩形、三角形、多角形など任意の形
状に形成しても良い。
定されず、楕円形、矩形、三角形、多角形など任意の形
状に形成しても良い。
【００４７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、以下に示
すような優れた効果を発揮する。
すような優れた効果を発揮する。
【００４８】（１）ＨＢＴ素子の作製期間を１週間から
およそ１．５時間に短縮でき、出荷品の検査を即座に行
える。
およそ１．５時間に短縮でき、出荷品の検査を即座に行
える。
【００４９】（２）不良在庫を多く抱えなくて済むよう
になる。
になる。
【００５０】（３）ＨＢＴ素子の製造の工数が減るの
で、製造コストを低下でき、ＨＢＴ用エピタキシャルウ
エハの検査コストが低下する。
で、製造コストを低下でき、ＨＢＴ用エピタキシャルウ
エハの検査コストが低下する。
【００５１】（４）ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの製
造完了から検査結果がでるまでの時間が短いので、その
検査結果をエピウエハ成長へフィードバックできる。
造完了から検査結果がでるまでの時間が短いので、その
検査結果をエピウエハ成長へフィードバックできる。
【００５２】（５）特別な装置を必要としないため、高
い設備代が掛からない。
い設備代が掛からない。
【００５３】（６）検査装置立ち上げのための時間が不
要である。
要である。
【図１】本発明に用いられるＨＢＴ素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図１のＨＢＴ素子の製造方法を説明するための
図である。
図である。
【図３】本発明の検査用ＨＢＴ素子と従来技術の検査用
ＨＢＴ素子の電流増幅率（β）の測定結果を比較した図
である。
ＨＢＴ素子の電流増幅率（β）の測定結果を比較した図
である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ｎ+ −ＧａＡｓコレクタコンタクト層 ３ ｎ- −ＧａＡｓコレクタ層 ４ ｐ+ −ＧａＡｓベース層 ５ ｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層 ６ ｎ+ −ＧａＡｓエミッタコンタクト層 ７ ｎ+ −ＩｎＧａＡｓノンアロイエミッタコンタクト
層 １０ ＨＢＴ用エピタキシャルウエハ １１ コレクタ電極 １２ ベース電極 １３ エミッタ電極
層 １０ ＨＢＴ用エピタキシャルウエハ １１ コレクタ電極 １２ ベース電極 １３ エミッタ電極
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M106 AA01 AB06 AC01 BA14 CA01 DH55 5F003 AZ09 BF06 BH01 BH05 BH14 BM02 BM03 BP11 BP31 BS08
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上にコレクタ層、ベース層、エミッ
タ層が順次積層されたＨＢＴ用エピタキシャルウエハの
一部の各層に電極を形成して検査用ＨＢＴ素子を作製
し、この検査用ＨＢＴ素子の特性を評価してＨＢＴ用エ
ピタキシャルウエハの品質を判断するＨＢＴ用エピタキ
シャルウエハの検査方法において、上記ＨＢＴ用エピタ
キシャルウエハの表面に、コレクタ電極を形成する範囲
を露出させたマスクパターンを筆などの筆記用具又は印
刷により有機塗布材料を用いて形成し、その有機塗布材
料をマスクとしてコレクタ層までエッチングし、露出し
たコレクタ層に金属小片を設けてコレクタ電極を形成
し、上記エミッタ層上の有機塗布材料を除去すると共
に、露出したコレクタ層に有機塗布材料でマスクパター
ンを形成し、上記エミッタ層に金属小片を設けてエミッ
タ電極を形成した後、該エミッタ電極をマスクとしてベ
ース層までエッチングし、露出したベース層に金属小片
を設けてベース電極を形成して検査用ＨＢＴ素子を作製
し、この検査用ＨＢＴ素子の電流増幅率のみを測定して
ＨＢＴ用エピタキシャルウエハの品質を判断することを
特徴とするＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査方法。 - 【請求項２】 上記検査用ＨＢＴ素子を直径１ｃｍから
３ｃｍの略円形に形成する請求項１に記載のＨＢＴ用エ
ピタキシャルウエハの検査方法。 - 【請求項３】 上記エミッタ層に設ける金属小片を直径
５０μｍから５００μｍの略円形に形成する請求項１に
記載のＨＢＴ用エピタキシャルウエハの検査方法。 - 【請求項４】 上記エミッタ層に設ける金属小片とし
て、金箔、銀箔、インジウム箔、又はニッケル箔などを
用いる請求項１又は３に記載のＨＢＴ用エピタキシャル
ウエハの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152784A JP2001332597A (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | Ｈｂｔ用エピタキシャルウエハの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152784A JP2001332597A (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | Ｈｂｔ用エピタキシャルウエハの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332597A true JP2001332597A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18658154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000152784A Pending JP2001332597A (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | Ｈｂｔ用エピタキシャルウエハの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001332597A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114859200A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-08-05 | 西安唐晶量子科技有限公司 | 一种评估InGaP/GaAsHBT外延片基极层材料特性的方法 |
-
2000
- 2000-05-19 JP JP2000152784A patent/JP2001332597A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114859200A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-08-05 | 西安唐晶量子科技有限公司 | 一种评估InGaP/GaAsHBT外延片基极层材料特性的方法 |
| CN114859200B (zh) * | 2022-04-28 | 2024-04-12 | 西安唐晶量子科技有限公司 | 一种评估InGaP/GaAs HBT外延片基极层材料特性的方法 |
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