JP2001331961A - 半導体レーザ駆動装置および光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安定な記録特性および再生時の高いＳ／Ｎ比
を得る。 【解決手段】 半導体レーザ駆動装置１２２は、再生電
流を生成する再生電流生成部５１８と、再生信号に含ま
れる半導体レーザノイズを低減する高周波成分を含む高
周波電流を生成する高周波電流生成部５１９と、記録電
流を生成する記録電流生成部５１８と、電流駆動部５１
１とを備え、再生時においては高周波電流に含まれる高
周波成分が強調され、記録時においては記録電流に含ま
れる高周波成分が強調され、高周波電流に含まれる高周
波成分と記録電流に含まれる高周波成分とを減衰させる
ように動作するフィルタ５１５と、記録電流に含まれる
高周波成分がパルスに含まれる複数のマルチパルスのう
ちの少なくとも１つに重畳されるようにフィルタ５１５
を動作させる切り換え手段５２０とをさらに備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置に
おいてデータを記録再生するために用いられる半導体レ
ーザ駆動装置およびそれを用いた光ディスク装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ディスク装置は、パソコンの外
部記憶装置だけでなく、ビデオテープに代わる映像デー
タの記憶媒体としても期待が大きくなっている。映像デ
ータのデータ量が膨大なので、小径の光ディスクに映像
データのデータ量を格納するためには高密度記録が要求
される。高密度記録を達成する手段として下記のものが
ある。

【０００３】手段１：記録マークの長さ（マークエッジ
位置）に情報を持たせるＰＷＭ（ＰＵＬＳＥ ＷＩＤＴ
Ｈ ＭＯＤＵＬＡＴＩＯＮ）記録の導入 手段２：記録時に記録マーク間の熱干渉によるマークエ
ッジシフトを低減するために、記録パルスのエッジ位置
補正を行う記録補償技術の導入 手段３：再生系に発生するノイズレベルの低減。

【０００４】ＰＷＭ記録は、従来の書き換え型の光ディ
スクメディアについて主に採用されていたＰＰＭ（ＰＵ
ＬＳＥ ＰＯＳＩＴＩＯＮ （ＯＲ ＰＨＡＳＥ） Ｍ
ＯＤＵＬＡＴＩＯＮ）記録という記録マークの位置に情
報を持たせる場合と異なり、記録マークの長さつまり記
録マークのエッジの位置に情報を持たせるため１つの記
録マークに２つの情報を持たせることができる。このた
め、手段１は記録の高密度化には有利である。しかしな
がら、記録マークのエッジの位置を厳密に制御する必要
性があるため、ＰＰＭ記録に比較してＰＷＭ記録につい
ては、記録マークを記録するための記録電流のパルスの
位置制御、記録マークに作用する熱量のバランスの制御
を厳密に行う必要がある。

【０００５】図１３は、従来の、ＰＷＭ記録に用いられ
ていた記録電流のパルスおよびそれによって記録される
記録マークを示している。記録電流１３１は、記録マー
ク１３２を記録するためのパルス１３３とバイアスパワ
ー１３６とを含む。パルス１３３は、複数のマルチパル
ス１３４を含む。各複数のマルチパルス１３４は、ピー
クパワー１３５とボトムパワー１３７とを含む。

【０００６】図１３に示すように、パルス１３３では複
数のハイの部分（ピークパワー１３５）と複数のローの
部分（ボトムパワー１３７）とが交互に表れる。記録に
ついて、例えば相変化記録膜を含む光ディスクを用いる
場合は相変化記録膜の相変化現象を利用する。この記録
において、記録電流１３１のパルス１３３のピークパワ
ー１３５でマーク１３２（アモルファス状態）を記録
し、記録電流１３１の各パルス１３３の間（バイアスパ
ワー１３５）ではスペース（クリスタル状態）を記録す
るようになっている。また、各複数のマルチパルス１３
４に含まれるボトムパワー１３７は、記録膜の冷却速度
を速めるのに用いられる。

【０００７】ＰＷＭ記録を利用して記録マーク１３２の
密度をさらに高めると、半導体レーザのスポット径（図
示せず）よりも記録マーク１３２が短くなり、記録マー
ク１３２同士間の熱的干渉が発生し、得られる記録マー
ク１３２のエッジの位置が実際に記録すべき記録マーク
１３２のエッジの位置からずれてしまう。これを回避す
るために、手段２のとおり熱干渉によるエッジ位置のズ
レをあらかじめ見こんだ補正を記録電流１３１に含まれ
るパルス１３３に対して行うことが考えられている。

【０００８】また、記録マーク１３２が半導体レーザの
スポット径（図示せず）よりも短くなると、半導体レー
ザから照射される光の光学的な分解能に制限され記録マ
ーク１３２から再生された再生信号の振幅が小さくな
る。図１４は、長い記録マークおよび高密度記録された
短い記録マークをスぺクトラムアナライザで測定した結
果である、記録マーク１３２から再生された再生信号の
振幅Ｃと周波数Ｆの関係を示す。図２に示すように、記
録マークが短くなるに従って、半導体レーザから照射さ
れる光の光学的な分解能に比例して記録マーク１３２か
ら再生された再生信号のキャリアレベル（再生信号の振
幅Ｃ）が低下することが分かる。このような場合、高密
度記録でも必要なＳ／Ｎを確保する必要があることを考
慮すれば、再生信号の振幅が低下した分だけ再生信号に
含まれるノイズレベルを低減することが必要となる。光
ディスクからの再生信号に含まれるノイズは、半導体レ
ーザを駆動する半導体レーザ駆動回路で発生する半導体
レーザ駆動ノイズＮＫと半導体レーザで発生する半導体
レーザノイズＮＬと光ディスクの媒体の溝形状などに起
因するメディアノイズＮＤとを含む。

【０００９】従来の光ディスクにおいては、上記のノイ
ズのうち半導体レーザノイズＮＬが支配的に多くなる場
合が多いので、高密度のデータ記録を行うためには、半
導体レーザノイズＮＬを低減するような半導体レーザ駆
動装置の改良が望まれている。以下に、図面を参照しな
がら、従来の半導体レーザ駆動装置を含む光ディスク装
置の一例を説明する。

【００１０】まず、従来技術による半導体レーザ駆動装
置を含む光ディスク装置を説明する。図１５は、従来の
光ディスク装置１５００の概略を示す。

【００１１】光ディスク装置１５００は、光ディスク１
を回転させるモータ３と記録マークの記録再生を光ディ
スク１に対して実行する光ピックアップ２と光ピックア
ップ２とモータ３とを制御する制御ブロック７とを備え
る。制御ブロック７は、記録信号処理ブロック４と再生
信号処理ブロック５と中央処理ブロック６とを含む。中
央処理ブロック６は、レーザタイミング制御部６１とフ
ォーマッター部６２とを含む。

【００１２】光ディスク１は、スピンドルモータ３によ
って一定方向に回転するようになっている。光ピックア
ップ２は、中央処理ブロック６に含まれるレーザタイミ
ング制御部６１よりゲート信号Ａ，Ｂ，ＣおよびＤが供
給され、このゲート信号Ａ，Ｂ，ＣおよびＤによって、
光ピックアップ２内の半導体レーザが図１３に示される
記録電流１３１に含まれるパルス１３３に基づいて発光
する。この記録電流１３１に含まれるパルス１３３に基
づいて、光ディスク１に記録マーク１３２が記録され
る。ゲート信号Ａ，Ｂ，ＣおよびＤに関しては後ほど詳
しく説明する。光ピックアップ２は、また、光ディスク
１に記録されている記録マーク１３２（図１３）を光学
的に検出し電気信号Ｆ，Ｇ，ＨおよびＩに変換し、再生
信号処理ブロック５に出力する。

【００１３】図１５に示すように、中央処理ブロック６
は制御信号Ｊを用いて再生信号処理ブロック５を制御
し、制御信号Ｋにより記録信号制御ブロック４を制御す
る。中央処理ブロック６は、さらに、回転数制御信号Ｌ
によりスピンドルモータ３の回転速度をコントロールす
る。なお、図３の光ディスク装置１５００は、図示して
いないが、外部の素子に接続するためのインターフェー
スも有する。

【００１４】図１６は光ディスク装置１５００に含まれ
る光ピックアップ２の構成を示す。図１６において、主
に、電気−光変換および光−電気変換が行われる部分お
よびその関連部分が示されている。光ピックアップ２
は、記録電流に基づいて記録マークを光ディスク１に記
録し、再生電流に基づいて光ディスク１に記録された記
録マークから再生信号を再生するための光を記録マーク
に照射する半導体レーザ２１と、半導体レーザ２１を駆
動する半導体レーザ駆動装置２２と半導体レーザ２１に
よって光ディスク１に照射された光の反射光に基づいて
再生信号を再生するフォトディテクタユニット５２１と
を含む。フォトディテクタユニット５２１は、半導体レ
ーザ２１によって光ディスク１に照射された光の反射光
を検出し、検出された反射光を検出電流Ｎに変換するフ
ォトディテクタ２３と、フォトディテクタ２３によって
変換された検出電流Ｎに基づいて再生信号を生成するヘ
ッドアンプ２４とを含む。

【００１５】半導体レーザ２１において、半導体レーザ
駆動装置２２により供給される駆動電流Ｍが光に変換さ
れる。

【００１６】光ディスク１に記録された記録マークから
再生信号を再生するときは半導体レーザ２１に再生電流
（ＤＣ電流）が供給され、記録時には記録する記録マー
クに応じてパルスに変調した記録電流が半導体レーザ２
１に供給される。光ディスク１から再生信号を再生する
ときは、半導体レーザ２１の出力光が光ディスク１上で
反射し、光ディスク１上に記録マークがあるかないかに
よって反射光の光量、偏光角、または位相情報が変化す
る。この変化をフォトディテクタ２３で検出し検出電流
Ｎに変換する。検出電流Ｎは、ヘッドアンプ部２４でＩ
−Ｖ変換により電圧に変換され、フォーカス信号Ｆ，Ｇ
ならびにトラッキング信号Ｈ，Ｉを含む再生信号とな
る。これらの再生信号は、再生信号処理ブロック５に供
給され、再生信号処理ブロック５は、フォーカス／トラ
ッキング制御を実行する。フォーカス信号Ｆ，Ｇとトラ
ッキング信号Ｈ，Ｉを加算し高周波帯域を抜き出すこと
で、光ディスク１上に記録された記録マークに対応する
ピット情報が再生される。

【００１７】図１７を参照しながら、光ピックアップ２
に含まれる半導体レーザ駆動装置２２を説明する。半導
体レーザ駆動装置２２は、記録再生電流生成部５１８と
高周波電流生成部５１９と電流駆動部５１１とを含む。

【００１８】記録再生電流生成部５１８は、電流スイッ
チングブロック５０１〜５０４と再生パワー電流源５０
５とピークパワー電流源５０６とバイアスパワー電流源
５０７とボトムパワー電流源５０８と加算ブロック５１
０とを含む。高周波電流生成部５１９は、高周波重畳制
御ブロック５１２と交流電源５１３とコンデンサ５１４
とを含む。高周波電流生成部５１９は、再生信号に含ま
れる半導体レーザノイズを低減する高周波成分を含む高
周波電流を生成する。

【００１９】電流スイッチングブロック５０１は再生電
流を、電流スイッチングブロック５０２は記録パルス電
流に含まれるピーク電流を、電流スイッチングブロック
５０３は記録パルス電流に含まれるバイアス電流を、電
流スイッチングブロック５０４は記録パルス電流に含ま
れるボトム電流をスイッチングする。電流スイッチング
ブロック５０１〜５０４によりＯＮ／ＯＦＦされる再生
電流、ピーク電流、バイアス電流およびボトム電流はそ
れぞれ、再生パワー電流源５０５、ピークパワー電流源
５０６、バイアスパワー電流源５０７、およびボトムパ
ワー電流源５０８から供給される。再生パワー電流源５
０５、ピークパワー電流源５０６、バイアスパワー電流
源５０７、およびボトムパワー電流源５０８から供給さ
れる再生電流、ピーク電流、バイアス電流およびボトム
電流の電流の値はそれぞれ、再生パワー設定信号Ｏ、ピ
ークパワー設定信号Ｐ、バイアスパワー設定信号Ｑ、お
よびボトムパワー設定信号Ｒにより、所望の各レーザパ
ワー（再生パワー、ピークパワー、バイアスパワー、お
よびボトムパワー）に応じて設定される。この設定を有
効にするかどうかは、電流スイッチングブロック５０１
〜５０４に入力される再生パワーゲート信号Ａ、ピーク
パワーゲート信号Ｂ、バイアスパワーゲート信号Ｃ、お
よびボトムパワーゲート信号Ｄを含むゲート信号によっ
て決められる。このように生成される再生電流、ピーク
電流、バイアス電流およびボトム電流は加算ブロック５
１０で合成されパルス状の記録電流となる。この記録電
流は電流駆動部５１１により増幅され駆動電流Ｍとな
る。

【００２０】高周波重畳制御ブロック５１２は、交流電
源５１３およびコンデンサ５１４を介して加算ブロック
５１０に接続されている。高周波重畳制御ブロック５１
２は、再生時において実質的に３００ＭＨｚの高周波成
分を含む高周波電流を半導体レーザを駆動するための再
生電流に重畳する。高周波電流に含まれる高周波成分
は、再生周波数帯域の約１０倍の周波数である３００Ｍ
Ｈｚが望ましい。

【００２１】再生電流に重畳された実質的に３００ＭＨ
ｚの高周波成分は、モードホップにより発生する半導体
レーザノイズＮＬを低減し、再生信号のＳ／Ｎを向上さ
せる。この重畳を行うかどうか、すなわち重畳または非
重畳の切り替えは、高周波重畳制御ブロック５１２に印
加される高周波重畳ゲート信号Ｅにより制御される。

【００２２】電流駆動部５１１は、再生時においては高
周波電流生成部５１９によって生成された高周波電流に
含まれる高周波成分を強調し、記録時においては記録再
生電流生成部５１８によって生成された記録電流に含ま
れる高周波成分を強調する周波数特性を有する。

【００２３】以下に、図１８を参照しながら、従来の半
導体レーザ駆動装置２２の動作を説明する。図１８は、
従来の半導体レーザ２１の光出力波形（再生／記録電流
の波形）、ならびに従来の再生パワーゲート信号Ａ、ピ
ークパワーゲート信号Ｂ、バイアスパワーゲート信号
Ｃ、ボトムパワーゲート信号Ｄ、高周波重畳ゲート信号
Ｅのタイミングチャートを示す。この例において、各ゲ
ート信号Ａ、Ｂ、Ｃ、ＤおよびＥはハイ（Ｈ）レベルで
アクティブ状態となるように設定されている。

【００２４】半導体レーザ駆動装置２２が再生動作を開
始すると、再生パワーゲート信号Ａがアクティブ状態と
なり、半導体レーザ２１が再生電流１８７３に基づいて
発光を始める。このとき高周波重畳ゲート信号Ｅも同時
にアクティブ状態となるので、半導体レーザ２１の駆動
電流としての再生電流１８７３（直流電流）には１００
ＭＨｚ以上、例えば３００ＭＨｚ近傍の高周波電流１８
７５が重畳される。これにより、半導体レーザ２１は図
１８に示すような再生電流１８７３に高周波電流１８７
５が高周波重畳された記録パルスに基づいて発光する。

【００２５】記録動作時には、図１８に示すようにピー
クパワーゲート信号Ｂ、バイアスパワーゲート信号Ｃお
よびボトムパワーゲート信号Ｄは、記録する記録マーク
のパターンに応じて変化する。ピークパワーゲート信号
Ｂ、バイアスパワーゲート信号Ｃおよびボトムパワーゲ
ート信号Ｄに基づいて、再生パワー電流源５０５、ピー
クパワー電流源５０６、バイアスパワー電流源５０７お
よびボトムパワー電流源５０８、および加算ブロック５
１０の動作により、記録する記録マークのパターンに対
応する記録電流１８７４が生成される。電流駆動部５１
１は、生成された記録電流１８７４に含まれる高周波成
分を強調する。

【００２６】半導体レーザ２１は、記録電流１８７４に
基づいて実質的に記録電流１８７４の波形と同一のパル
スを有する光を発光し、光ディスク１への記録が行われ
る。なお、再生パワー電流源５０５、ピークパワー電流
源５０６、バイアスパワー電流源５０７およびボトムパ
ワー電流源５０８のパワー値は再生パワー電流源＜ボト
ムパワー電流源＜バイアスパワー電流源＜ピークパワー
電流源の順で高パワーとなり、各パワーは次のように設
定される。再生パワー設定信号Ｏ、ピークパワー設定信
号Ｐ、バイアスパワー設定信号Ｑ、およびボトムパワー
設定信号Ｒによって半導体レーザ２１に供給される駆動
電流Ｍ（記録電流、再生電流）を構成するための電流を
それぞれ電流ＩＯ、ＩＰ、ＩＱおよびＩＲとすると、再
生パワーは電流ＩＯ、ボトムパワーは電流（ＩＯ＋Ｉ
Ｒ）、バイアスパワーは電流（ＩＯ＋ＩＲ＋ＩＱ）、ピ
ークパワーは電流（ＩＯ＋ＩＲ＋ＩＱ＋ＩＰ）に対応す
るように、各電流を順番に重畳していくことで各パワー
が設定される。

【００２７】上記のように得られた記録電流に含まれる
パルスを用いて、相変化記録膜にＰＷＭ方式で記録を行
う光ディスクシステムは「日経エレクトロニクス」ＮＯ
７００号に紹介されている。

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１７
に示す半導体レーザ駆動装置２２を用いる光ディスクシ
ステム１５００が実際に動作する場合は、いくつかの問
題が発生する。以下にそれらの問題を列挙する。

【００２９】問題１：光ディスクの記録膜の組成のバラ
ツキにより、光ディスクに記録された記録マークの形状
にばらつきが発生する 問題２：光ディスクの記録時の線速度の変動により、光
ディスクに記録された記録マークの形状にばらつきが発
生する 問題３：高密度記録の場合、各記録マーク毎にパルスエ
ッジの位置を補正するだけでは最適な記録が不可能であ
るため、各記録マーク毎に記録電流の記録パワーをも補
正する必要がある 問題４：再生信号に重畳される高周波信号によって光デ
ィスク装置外への不要な輻射が発生する 問題５：半導体レーザ駆動電流ノイズＮＫを低減するた
めにローパスフィルタを設けると、記録電流のパルスの
波形が鈍ってしまう。

【００３０】問題１について、記録膜の相変化現象を利
用する光ディスク媒体への記録マークの記録は、記録膜
に対し一定のレベル以上のレーザパワーで急激な温度上
昇を与えて記録膜をアモルファス状態（記録マーク部
分）にするか、または、より低いレベルのレーザパワー
で緩やかな温度上昇を与えて記録膜をクリスタル状態
（記録マークでないスペース部分）にすることによって
行われる。アモルファス状態を形成するために必要な温
度上昇量は記録膜の熱吸収率や熱拡散係数を含むパラメ
ータによって異なる。

【００３１】例えば熱吸収率が高い記録膜に図１３に示
す記録電流１３１に含まれるパルス１３３で記録マーク
を記録すると、図１９に示すように、記録マーク１３２
Ａのマーク始端部１３２Ｂが正常に形成されず先細り状
態になってしまう。

【００３２】ＰＰＭ記録の場合は先にも述べたとおり記
録マークの位置に情報があるため、記録マークが先細り
することによる再生信号への影響は少ないが、ＰＷＭ記
録の場合は、記録マークのエッジに情報が記録されてい
るため以下のような不都合が生じる。すなわち、図１９
に示すような先細りの形状を有する記録マーク１３２Ａ
ではマーク始端部１３２Ｂのエッジの形状があやふやな
状態となってしまい、マーク始端部１３２Ｂにおけるジ
ッターが増大し、その結果、再生信号のエラーレートが
悪化する。

【００３３】問題２については、光ディスクの回転速度
の変動により光ピックアップに対する光ディスクのトラ
ックの線速度が速くなると、図１３で示したパルス１３
３による記録膜の温度上昇量が相対的に小さくなる。そ
の結果、前述した問題１と同様に図１９に示すように記
録マークの先細りが発生し、再生信号のエラーレートが
悪化する。

【００３４】問題３について、前にも説明したようにＰ
ＷＭ記録ではマルチパルスを用いて記録することで記録
マークに作用する熱量のバランスを厳密に制御してい
る。図２０に示すように８−１６変調による最短パルス
幅（長さ）３Ｔ（Ｔは検出窓幅）を有する３Ｔマークを
記録しようとすると、以下のような問題が生じる。記録
すべき３Ｔマークの長さ３Ｔは、半導体レーザから照射
される光スポットの直径Ｄ１よりも短い。本発明者らの
実験によれば、光スポットの直径Ｄ１よりも短い長さ３
Ｔを有する３Ｔマークを記録しようとすると、記録され
た３Ｔマークの長さは本来記録されるべき長さ３Ｔより
も長くなってしまった。本発明者らの実験によれば、本
来の長さ３Ｔを有する３Ｔマークを光ディスクに記録す
るためには、３Ｔマークを記録するためのマルチパルス
１３４Ａのパルス幅Ｗ２を４Ｔ以上の記録マーク（例え
ば、図２０に示す５Ｔマーク）を記録するためのマルチ
パルス１３４のパルス幅Ｗ１よりも短くする必要があっ
た。

【００３５】３Ｔマークを記録するためのマルチパルス
１３４Ａのパルス幅Ｗ２が短くなると、記録される３Ｔ
マークそのものが熱的に十分な飽和点に達することがで
きないので、不安定な３Ｔマークが形成されてしまうと
いう問題が生じる。

【００３６】問題４について、再生動作時の高周波電流
に含まれる高周波成分が３００ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚ程
度であると、再生信号に含まれる半導体レーザノイズＮ
Ｌを低減するのに効果があると報告されている。このよ
うな３００ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚ程度の高周波成分を含
む高周波電流は可能な限り大振幅であることが好まし
い。その理由として、高周波成分を含む高周波電流の振
幅が大きいほど半導体レーザの発光波形のデューティー
が小さくなり、つまり半導体レーザが発光せず消えてい
る時間が長くなるため、半導体レーザが発光した光と光
ディスクにより反射され半導体レーザに戻ってくる戻り
光との間の干渉を低減できることが挙げられる。これに
より、半導体レーザ内でのモードホッピングが発生しに
くくなり、再生信号に含まれる半導体レーザノイズＮＬ
が低減される。実験の結果によれば、再生信号に含まれ
る半導体レーザノイズＮＬを低減するのに有効な高周波
電流の振幅は３００ＭＨｚで５０ｍＡｐｐであった。

【００３７】しかしながら、３００ＭＨｚで５０ｍＡｐ
ｐの高周波電流を伝送すると、伝送途中でロスが発生
し、半導体レーザに流入する高周波電流の振幅は小さく
なる。このため、より大きな振幅を有する高周波電流を
半導体レーザに供給するために高周波電流生成部５１９
で生成される高周波電流の電流値をより大きくすればよ
いが、こうすると、外部に放出する不要な輻射が増大す
るため安全規格上の問題が発生する。

【００３８】再生動作時において高周波電流に含まれる
高周波成分を強調するために、３００ＭＨｚに周波数ピ
ーキングを有する周波数特性を電流駆動部５１１に持た
せると、図２１に示すとおり、通常の記録電流のパルス
（図２１（ａ））に比べて、記録電流のパルスの波形に
過剰にオーバシュートおよびアンダシュート（図２１
（ｂ））が発生するので、記録動作時において記録され
る記録マークの記録特性の確保が不可能となる。しか
し、電流駆動部５１１の設計において、低周波成分から
３００ＭＨｚという高周波成分までフラットな周波数特
性を実現することは、回路設計上の制約などもあり非常
に難しい。現実では、再生動作時において高周波電流に
含まれる高周波成分を強調するための３００ＭＨｚに周
波数ピーキングをもった電流駆動部５１１の設計手法を
とる場合がある。このように電流駆動部５１１が３００
ＭＨｚにピーキングのある周波数特性を有する結果、記
録動作時における記録電流の立ち上がりおよび立ち下り
で過剰なオーバシュート、アンダシュートが発生すると
いう問題がある。

【００３９】問題５は、半導体レーザのデバイスに起因
する半導体レーザノイズＮＬと異なり、半導体レーザを
駆動する駆動電流そのものにノイズ成分（半導体レーザ
駆動電流ノイズＮＫ）が含まれている場合に発生する。
上述したように高密度記録において再生信号の振幅が小
さくなるため、ノイズレベルをより低減する必要があ
り、極めて低ノイズの駆動電流が要求される。

【００４０】再生信号帯域においてノイズ成分をカット
する低域通過フィルタを設けると、再生動作時において
再生信号のノイズレベルを低減することができる。しか
し、低域通過フィルタを設けると、記録動作時において
図２２に示すように通常の記録電流のパルス（図２２
（ａ））に比べて、低域通過フィルタを通った記録電流
のパルス（図２２（ｂ））のエッジが鈍ってしまう。こ
のため、記録感度が低下するという問題が発生する。

【００４１】本発明の目的は、光ディスクの記録膜の組
成にバラツキがあっても、正常な形状を有する記録マー
クを記録することができる半導体レーザ駆動装置および
これを用いた光ディスク装置を提供することにある。

【００４２】本発明の他の目的は、光ディスクの記録時
の線速度に変動があっても、正常な形状を有する記録マ
ークを記録することができる半導体レーザ駆動装置およ
びこれを用いた光ディスク装置を提供することにある。

【００４３】本発明のさらに他の目的は、正常な形状を
有する安定な３Ｔマークを記録することができる半導体
レーザ駆動装置およびこれを用いた光ディスク装置を提
供することにある。

【００４４】本発明のさらに他の目的は、高周波電流が
外部に放出する不要な輻射を低減することができる半導
体レーザ駆動装置およびこれを用いた光ディスク装置を
提供することにある。

【００４５】本発明のさらに他の目的は、再生動作時に
おいて高周波電流に含まれる高周波成分を強調するため
に周波数ピーキングを電流駆動部にもたせても、記録動
作時における記録電流の立ち上がりおよび立ち下りで過
剰なオーバシュート、アンダシュートが発生することの
ない半導体レーザ駆動装置およびこれを用いた光ディス
ク装置を提供することにある。

【００４６】本発明のさらに他の目的は、再生動作時に
おいて再生信号のノイズレベルを低減する低域通過フィ
ルタを設けた場合であっても、記録動作時において記録
電流のパルスのエッジが鈍ることのない半導体レーザ駆
動装置およびこれを用いた光ディスク装置を提供するこ
とにある。

【００４７】上記目的が達成された結果、高密度記録時
における安定な記録特性および再生時における再生信号
の高いＳ／Ｎ比が得られる半導体レーザ駆動装置および
これを用いた光ディスク装置を提供することができる。

【００４８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ駆動装置は、記録電流に基づいて記録マークを光ディ
スクに記録し、再生電流に基づいて該光ディスクに記録
された該記録マークから再生信号を再生するための光を
該記録マークに照射する半導体レーザを駆動する半導体
レーザ駆動装置であって、該再生電流を生成する再生電
流生成部と、該再生信号に含まれる半導体レーザノイズ
を低減する高周波成分を含む高周波電流を生成する高周
波電流生成部と、該記録電流を生成する記録電流生成部
と、該再生電流と該記録電流とを増幅する電流駆動部と
を備え、再生時においては該高周波電流生成部によって
生成された該高周波電流に含まれる該高周波成分が強調
され、記録時においては該記録電流生成部によって生成
された該記録電流に含まれる該高周波成分が強調され、
該半導体レーザ駆動装置は、該強調された該高周波電流
に含まれる該高周波成分と該強調された該記録電流に含
まれる該高周波成分とを減衰させるように動作するフィ
ルタをさらに備え、該記録電流は、該記録マークに対応
するパルスを含み、該パルスは、複数のマルチパルスを
含み、該半導体レーザ駆動装置は、該強調された該記録
電流に含まれる該高周波成分が該パルスに含まれる該複
数のマルチパルスのうちの少なくとも１つに重畳される
ように該フィルタを動作させる切り換え手段をさらに備
え、そのことにより上記目的が達成される。

【００４９】該電流駆動部は、該高周波成分を強調する
周波数特性を有し、該電流駆動部は、再生時においては
該高周波電流生成部によって生成された該高周波電流に
含まれる該高周波成分を強調し、記録時においては該記
録電流生成部によって生成された該記録電流に含まれる
該高周波成分を強調してもよい。

【００５０】前記切り換え手段は、前記フィルタに接続
されるスイッチと、該スイッチのオンオフを制御するタ
イミング制御部とを含んでもよい。

【００５１】前記複数のマルチパルスのうちの前記少な
くとも１つは、前記複数のマルチパルスのうちの先頭の
マルチパルスを含んでもよい。

【００５２】前記パルスは、特定のパターンを有する特
定パルスを含み、前記切り換え手段は、前記強調された
前記記録電流に含まれる前記高周波成分が該特定パルス
に重畳されるように該フィルタを動作させてもよい。

【００５３】前記記録マークは、８−１６変調によって
記録される３Ｔマークを含み、前記特定パルスは、該３
Ｔマークに対応する３Ｔパルスを含み、前記切り換え手
段は、前記強調された前記記録電流に含まれる前記高周
波成分が該３Ｔパルスに重畳されるように該フィルタを
動作させてもよい。

【００５４】前記切り換え手段は、前記強調された前記
記録電流に含まれる前記高周波成分が前記パルスに含ま
れる前記複数のマルチパルスのうちの少なくとも１つの
一部に重畳されるように該フィルタを動作させてもよ
い。

【００５５】前記切り換え手段は、前記強調された前記
記録電流に含まれる前記高周波成分が前記パルスに含ま
れる前記複数のマルチパルスのうちの少なくとも１つの
全体に重畳されるように該フィルタを動作させてもよ
い。

【００５６】前記複数のマルチパルスのうちの前記少な
くとも１つは、前記複数のマルチパルスのうちの後端の
マルチパルスを含んでもよい。

【００５７】前記切り換え手段は、該強調された該記録
電流に含まれる該高周波成分が該パルスに含まれる該複
数のマルチパルスのうちのすべてのマルチパルスに重畳
されるように該フィルタを動作させてもよい。

【００５８】前記再生電流は、直流電流であってもよ
い。

【００５９】前記切り換え手段は、再生時においては前
記強調された前記高周波電流に含まれる前記高周波成分
が前記再生電流に重畳されるように該フィルタを動作さ
せ、記録時においては該強調された前記記録電流に含ま
れる前記高周波成分を減衰させるように該フィルタを動
作させてもよい。

【００６０】前記高周波成分は、１００ＭＨｚ以上の周
波数を有してもよい。

【００６１】前記高周波成分は、１００ＭＨｚ以上４５
０ＭＨｚ以下の周波数を有してもよい。

【００６２】前記高周波成分は、実質的に３００ＭＨｚ
の周波数を有してもよい。

【００６３】前記フィルタは、ハイパスフィルタを含ん
でもよい。

【００６４】前記高周波成分は、前記フィルタのカット
オフ周波数よりも高い周波数を有してもよい。

【００６５】前記フィルタは、互いに異なる周波数特性
およびインピーダンス値を有する複数のフィルタ回路を
含んでもよい。

【００６６】前記切り換え手段は、前記光ディスクの線
速度に基づいて前記複数のフィルタ回路のうちの１つを
動作させるフィルタ回路として選択してもよい。

【００６７】本発明に係る光ディスク装置は、記録マー
クの記録再生を光ディスクに対して実行する光ピックア
ップと、該光ディスクを回転させるモータと、該光ピッ
クアップと該モータとを制御する制御ブロックとを備
え、該光ピックアップは、記録電流に基づいて該記録マ
ークを該光ディスクに記録し、再生電流に基づいて該光
ディスクに記録された該記録マークから再生信号を再生
するための光を該記録マークに照射する半導体レーザ
と、該半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置と
を含み、該半導体レーザ駆動装置は、該再生電流を生成
する再生電流生成部と、該再生信号に含まれる半導体レ
ーザノイズを低減する高周波成分を含む高周波電流を生
成する高周波電流生成部と、該記録電流を生成する記録
電流生成部と、該再生電流と該記録電流とを増幅する電
流駆動部とを含み、再生時においては該高周波電流生成
部によって生成された該高周波電流に含まれる該高周波
成分が強調され、記録時においては該記録電流生成部に
よって生成された該記録電流に含まれる該高周波成分が
強調され、該半導体レーザ駆動装置は、該強調された該
高周波電流に含まれる該高周波成分と該強調された該記
録電流に含まれる該高周波成分とを減衰させるように動
作するフィルタをさらに含み、該記録電流は、該記録マ
ークに対応するパルスを含み、該パルスは、複数のマル
チパルスを含み、該半導体レーザ駆動装置は、該強調さ
れた該記録電流に含まれる該高周波成分が該パルスに含
まれる該複数のマルチパルスのうちの少なくとも１つに
重畳されるように該フィルタを動作させる切り換え手段
をさらに含み、そのことにより上記目的が達成される。

【００６８】該電流駆動部は、該高周波成分を強調する
周波数特性を有し、該電流駆動部は、再生時においては
該高周波電流生成部によって生成された該高周波電流に
含まれる該高周波成分を強調し、記録時においては該記
録電流生成部によって生成された該記録電流に含まれる
該高周波成分を強調してもよい。

【００６９】前記制御ブロックは、前記光ディスクの線
速度を検出する線速度検出手段を含み、前記切り換え手
段は、該線速度検出手段によって検出された該光ディス
クの該線速度に基づいて、前記強調された前記記録電流
に含まれる前記高周波成分が前記パルスに含まれる前記
複数のマルチパルスのうちの少なくとも１つに重畳され
るように前記フィルタを動作させてもよい。

【００７０】前記線速度検出手段は、前記再生信号に基
づいて前記光ディスクの線速度を検出してもよい。

【００７１】前記線速度検出手段は、前記モータの回転
数に基づいて前記光ディスクの線速度を検出してもよ
い。

【００７２】前記線速度検出手段は、前記光ディスク上
における前記光ピックアップの半径位置に基づいて前記
光ディスクの線速度を検出してもよい。

【００７３】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照しながら、本
発明による光ディスク装置の実施形態を説明する。

【００７４】図１は、実施の形態に係る光ディスク装置
１００の概略図である。図１５を参照して前述した従来
の光ディスク装置１５００の構成要素と同一の構成要素
には同一の参照符号を付している。これらの構成要素の
詳細な説明は省略する。

【００７５】光ディスク装置１００は、光ディスク１を
回転させるモータ３と記録マークの記録再生を光ディス
ク１に対して実行する光ピックアップ２Ａと光ピックア
ップ２Ａとモータ３とを制御する制御ブロック７Ａとを
備える。制御ブロック７Ａは、記録信号処理ブロック４
Ａと再生信号処理ブロック５Ａと中央処理ブロック６Ａ
とを含む。中央処理ブロック６Ａは、線速度検出部６３
とレーザタイミング制御部６１と切替タイミング制御部
６５とフォーマッター部６２と線速度設定部６４とを含
む。記録信号処理ブロック４Ａは、データパターン検出
部４１を含む。再生信号処理ブロック５Ａは、記録特性
検出部５１を含む。

【００７６】図２は、実施の形態に係る光ディスク装置
１００に含まれる光ピックアップ２Ａの構成を示す。図
１６を参照して前述した従来の光ディスク装置１５００
に含まれる光ピックアップ２の構成要素と同一の構成要
素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素
の詳細な説明は省略する。

【００７７】光ピックアップ２Ａは、記録電流に基づい
て記録マークを光ディスク１に記録し、再生電流に基づ
いて光ディスク１に記録された記録マークから再生信号
を再生するための光を記録マークに照射する半導体レー
ザ２１と、半導体レーザ２１を駆動する半導体レーザ駆
動装置１２２と半導体レーザ２１によって光ディスク１
に照射された光の反射光に基づいて再生信号を再生する
フォトディテクタユニット５２１とを含む。フォトディ
テクタユニット５２１は、半導体レーザ２１によって光
ディスク１に照射された光の反射光を検出し、検出され
た反射光を検出電流Ｎに変換するフォトディテクタ２３
と、フォトディテクタ２３によって変換された検出電流
Ｎに基づいて再生信号を生成するヘッドアンプ２４とを
含む。

【００７８】図３は、実施の形態に係る光ピックアップ
２Ａに含まれる半導体レーザ駆動装置１２２の構成を示
す。図１７を参照して前述した従来の光ピックアップ２
に含まれる従来の半導体レーザ駆動装置２２の構成要素
と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。こ
れらの構成要素の詳細な説明は省略する。

【００７９】半導体レーザ駆動装置１２２は、記録再生
電流生成部５１８と高周波電流生成部５１９と電流駆動
部５１１とフィルタ５１５と切替部５２０とを含む。実
施の形態に係る半導体レーザ駆動装置１２２が従来の半
導体レーザ駆動装置２２と異なる点は、半導体レーザ駆
動装置１２２がフィルタ５１５と切替部５２０とを含む
点である。

【００８０】記録再生電流生成部５１８は、電流スイッ
チングブロック５０１〜５０４と再生パワー電流源５０
５とピークパワー電流源５０６とバイアスパワー電流源
５０７とボトムパワー電流源５０８と加算ブロック５１
０とを含む。高周波電流生成部５１９は、高周波重畳制
御ブロック５１２と交流電源５１３とコンデンサ５１４
とを含む。高周波電流生成部５１９は、再生信号に含ま
れる半導体レーザノイズを低減する高周波成分を含む高
周波電流を生成する。切替部５２０は、スイッチ５１６
とタイミング制御部５１７とを含む。

【００８１】電流スイッチングブロック５０１は再生電
流を、電流スイッチングブロック５０２は記録パルス電
流に含まれるピーク電流を、電流スイッチングブロック
５０３は記録パルス電流に含まれるバイアス電流を、電
流スイッチングブロック５０４は記録パルス電流に含ま
れるボトム電流をスイッチングする。電流スイッチング
ブロック５０１〜５０４によりＯＮ／ＯＦＦされる再生
電流、ピーク電流、バイアス電流およびボトム電流はそ
れぞれ、再生パワー電流源５０５、ピークパワー電流源
５０６、バイアスパワー電流源５０７、およびボトムパ
ワー電流源５０８から供給される。再生パワー電流源５
０５、ピークパワー電流源５０６、バイアスパワー電流
源５０７、およびボトムパワー電流源５０８から供給さ
れる再生電流、ピーク電流、バイアス電流およびボトム
電流の電流の値はそれぞれ、再生パワー設定信号Ｏ、ピ
ークパワー設定信号Ｐ、バイアスパワー設定信号Ｑ、お
よびボトムパワー設定信号Ｒにより、所望の各レーザパ
ワー（再生パワー、ピークパワー、バイアスパワー、お
よびボトムパワー）に応じて設定される。この設定を有
効にするかどうかは、電流スイッチングブロック５０１
〜５０４に入力される再生パワーゲート信号Ａ、ピーク
パワーゲート信号Ｂ、バイアスパワーゲート信号Ｃ、お
よびボトムパワーゲート信号Ｄを含むゲート信号によっ
て決められる。このように生成される再生電流、ピーク
電流、バイアス電流およびボトム電流は加算ブロック５
１０で合成されパルス状の記録電流となる。この記録電
流は電流駆動部５１１により増幅され駆動電流Ｍとな
る。

【００８２】高周波重畳制御ブロック５１２は、交流電
源５１３およびコンデンサ５１４を介して加算ブロック
５１０に接続されている。高周波重畳制御ブロック５１
２は、再生時において実質的に３００ＭＨｚの高周波成
分を含む高周波電流を半導体レーザを駆動するための再
生電流に重畳する。再生電流に重畳された実質的に３０
０ＭＨｚの高周波成分は、モードホップにより発生する
半導体レーザノイズＮＬを低減し、再生信号のＳ／Ｎを
向上させる。この重畳を行うかどうか、すなわち重畳ま
たは非重畳の切り替えは、高周波重畳制御ブロック５１
２に印加される高周波重畳ゲート信号Ｅにより制御され
る。

【００８３】電流駆動部５１１は、再生時においては高
周波電流生成部５１９によって生成された高周波電流に
含まれる高周波成分を強調し、記録時においては記録再
生電流生成部５１８によって生成された記録電流に含ま
れる高周波成分を強調する周波数特性を有する。

【００８４】前述したように実施の形態に係る半導体レ
ーザ駆動装置１２２と従来の半導体レーザ駆動装置２２
（図１７）との違いは、実施の形態に係る半導体レーザ
駆動装置１２２が、半導体レーザ２１に並列に接続され
ているフィルタ５１５およびスイッチ５１６とスイッチ
５１６にスイッチ５１６のオンオフを制御するための切
替タイミング信号Ｓを与えるタイミング発生部５１７と
を含む切替部５２０をさらに備える点にある。

【００８５】フィルタ５１５は、電流駆動部５１１によ
って強調された高周波電流に含まれる高周波成分と電流
駆動部５１１によって強調された記録電流に含まれる高
周波成分とを減衰させるように動作する。切替部５２０
は、電流駆動部５１１によって強調された記録電流に含
まれる高周波成分が記録電流のパルスに含まれる複数の
マルチパルスのうちの少なくとも１つに重畳されるよう
にフィルタ５１５を動作させる。

【００８６】スイッチ５１６は、フィルタ５１５が駆動
電流Ｍ（記録時においては記録電流、再生時においては
再生電流）に高周波数成分重畳作用を及ぼすかどうかを
決定する。スイッチ５１６は、切り替えタイミング信号
Ｓがハイ（Ｈ）レベルになるとオープン状態となり、切
り替えタイミング信号Ｓがロー（Ｌ）レベルになるとス
ルー（ショート）状態となる。

【００８７】フィルタ５１５は、図４に示すようなハイ
パスフィルタにより構成され得る。このようなフィルタ
５１５によれば、スイッチ５１６がショート状態となる
とき（切り替えタイミング信号ＳがＬレベルになると
き）に、抵抗の抵抗値Ｒおよびコンデンサの容量値Ｃに
より決まるカットオフ周波数ＦＣ（＝１／（２ΠＲ
Ｃ））以上の周波数成分をもつ電流は、フィルタ５１５
を通過し、半導体レーザ２１を通過しない。一方、スイ
ッチ５１６がオープン状態となるとき（切り替えタイミ
ング信号ＳがＨレベルになるとき）は、カットオフ周波
数ＦＣ（＝１／（２ΠＲＣ））以上の周波数成分を含む
すべての帯域の周波数成分をもつ電流が半導体レーザ２
１を通過する。

【００８８】図５は、フィルタ５１５の周波数特性（イ
ンピーダンスＺと周波数Ｆとの関係）の１例を示す。あ
る周波数値においてフィルタ５１５のインピーダンスが
低いほど、フィルタ５１５を通過（バイパス）する電流
の量が増え、半導体レーザ２１を通過する電流の量が減
る。

【００８９】また、光ディスク１から再生信号を再生す
る再生時には半導体レーザ２１に直流（ＤＣ）電流（再
生電流）を供給し、記録時には記録するデータ（記録マ
ーク）のパターンに応じてパルス変調した記録電流を半
導体レーザ２１に供給するという基本的な駆動方法は従
来の場合と同様である。

【００９０】以下に、図６を参照しながら、半導体レー
ザ駆動装置１２２の動作を説明する。図６は、本実施形
態により得られる半導体レーザ２１の光出力波形（再生
／記録電流の波形）、ならびに本実施形態で用いる再生
パワーゲート信号Ａ、ピークパワーゲート信号Ｂ、バイ
アスパワーゲート信号Ｃ、ボトムパワーゲート信号Ｄ、
高周波重畳ゲート信号Ｅ、および切り替えタイミング信
号Ｓのタイミングチャートを示す。再生／記録電流の波
形は、フィルタ５１５による高周波数成分重畳作用を受
けている駆動電流Ｍ１（図３）の波形と実質的に同一で
ある。なお、本実施形態について、光ディスク１上に記
録された記録マークの再生に必要な信号帯域が２０ＭＨ
ｚ以下、記録電流の最高変調周波数が６０ＭＨｚ、高周
波重畳周波数が３００ＭＨｚの場合を想定して説明す
る。

【００９１】電流駆動部５１１が駆動電流Ｍを出力する
までの半導体レーザ駆動装置１２２の動作は図１８を参
照して前述した従来の半導体レーザ駆動装置２２の動作
と基本的に同様である。なお、本実施形態において、各
ゲート信号はハイ（Ｈ）レベルでアクティブ状態となる
ように設定されている。

【００９２】半導体レーザ駆動装置１２２が再生動作を
開始すると、再生パワーゲート信号Ａがアクティブ状態
となり、半導体レーザ２１が再生電流７３に基づいて発
光を始める。このとき高周波重畳ゲート信号Ｅも同時に
アクティブ状態となるので、半導体レーザ２１の駆動電
流としての再生電流７３（直流電流）には１００ＭＨｚ
以上、例えば３００ＭＨｚ近傍の高周波電流７５が重畳
される。これにより、半導体レーザは図６に示すような
再生電流７３に高周波電流７５が高周波重畳された記録
パルスに基づいて発光する。記録動作時には、図６に示
すようにピークパワーゲート信号Ｂ、バイアスパワーゲ
ート信号Ｃおよびボトムパワーゲート信号Ｄは、記録す
る記録マークのパターンに応じて変化する。ピークパワ
ーゲート信号Ｂ、バイアスパワーゲート信号Ｃおよびボ
トムパワーゲート信号Ｄに基づいて、再生パワー電流源
５０５、ピークパワー電流源５０６、バイアスパワー電
流源５０７およびボトムパワー電流源５０８、および加
算ブロック５１０の動作により、記録する記録マークの
パターンに対応する記録電流が生成される。電流駆動部
５１１は、生成された記録電流に含まれる高周波成分を
強調する。

【００９３】フィルタ５１５は電流駆動部５１１によっ
て強調された記録電流に含まれる高周波成分を減衰させ
るように動作し、切り換え部５２０は電流駆動部５１１
によって強調された記録電流に含まれる高周波成分が複
数のマルチパルスのうちの少なくとも１つに重畳される
ようにフィルタ５１５を動作させる。以下に、その詳細
を説明する。

【００９４】図６を参照して、記録電流７４は、記録マ
ーク７１に対応するパルス７２を含む。各パルス７２
は、複数のマルチパルスＰ１、Ｐ２を含む。マルチパル
スＰ１は、複数のマルチパルスのうちの先頭のマルチパ
ルスである。マルチパルスＰ２は、複数のマルチパルス
のうちの先頭のマルチパルス以外のマルチパルスであ
る。

【００９５】図６に示すように、ピークパワーゲート信
号Ｂの先頭パルスＢ１を検出し、マルチパルスの先頭パ
ルスＢ１の発生タイミングと同時に、切り替えタイミン
グ信号ＳをＨレベルにする。これにより、スイッチ５１
６がオープン状態となるので、高周波成分を含むすべて
の帯域の周波数成分をもつ電流が半導体レーザ２１を通
過する。その結果、図６に示すようにピークパワーゲー
ト信号Ｂの先頭パルスＢ１に対応するマルチパルスＰ１
に、電流駆動部５１１によって強調された高周波成分７
６が重畳されること（オーバシュート）となる。本願明
細書において、高周波成分とは、フィルタ５１５のカッ
トオフ周波数より高い周波数成分を指す。また、本発明
において、高周波成分の周波数値は、ピークパワーゲー
ト信号Ｂのパルス（Ｂ１およびＢ２）の周波数より大き
くなっている。

【００９６】図６に示すように、ピークパワーゲート信
号Ｂの先頭パルスＢ１以外のマルチパルスＢ２の発生タ
イミングにおいては、切り替えタイミング信号ＳはＬレ
ベルにする。これにより、スイッチ５１６がショート状
態であるため、高周波数成分の電流はフィルタ５１５を
通過し半導体レーザ２１を通過しないので、マルチパル
スＢ２に対応するマルチパルスＰ２については、上記の
ようなオーバシュートは発生しない。なお、図５に示す
フィルタ５１５の周波数特性における周波数ＦＡ（３０
０ＭＨｚ）に対応するインピーダンスＺＡは、上記のオ
ーバシュートが発生しない程度に十分小さいインピーダ
ンス値を有している。

【００９７】このように本発明においては、切り換え部
５２０は切替タイミング信号Ｓに基づいて電流駆動部５
１１によって強調された記録電流に含まれる高周波成分
７６が複数のマルチパルスのうちの先頭のマルチパルス
Ｐ１に重畳されるようにフィルタ５１５を動作させる。
切り換え部５２０は先頭のマルチパルスＰ１以外のマル
チパルスＰ２に対しては切替タイミング信号Ｓに基づい
て電流駆動部５１１によって強調された記録電流に含ま
れる高周波成分７６を減衰させるようにフィルタ５１５
を動作させる。このため図６に示すように先頭のマルチ
パルスＰ１以外のマルチパルスＰ２ではオーバシュート
が発生しない。

【００９８】このように駆動電流Ｍの周波数特性を調整
することで得られた駆動電流Ｍ１が半導体レーザ２１に
供給され、半導体レーザ２１は、駆動電流Ｍ１に応じて
実質的に駆動電流Ｍ１の波形と同一な形状のパルスを有
する光を発光し、光ディスク１への記録マーク７１の記
録が行われる。

【００９９】上記の説明では、記録電流に含まれるパル
ス７２のマルチパルスのうちの先頭のマルチパルスＰ１
の全体に対して高周波成分７６が重畳するように切替タ
イミング信号Ｓを制御したが、本発明はこのことに限定
されない。上記の先頭のマルチパルスＰ１全体ではなく
その一部に対して高周波成分７６が重畳するように切替
タイミング信号Ｓを制御してもよい。また、記録膜組成
および光スポット形状に基づいて、先頭のマルチパルス
Ｐ１のみならず、後端のマルチパルスさらに後端のマル
チパルスに続く断熱パルスにオーバシュートまたはアン
ダシュートを行って記録マークの記録特性を向上させて
もよい。さらにすべてのマルチパルスに対してオーバシ
ュートまたはアンダシュートを行った方が有効な場合、
あるいは電流駆動部によって強調された記録電流に含ま
れる高周波成分を減衰させて記録電流のパルス波形を鈍
らせた方が記録マークの記録特性が改善する場合などが
考えられる。

【０１００】さらに光ディスクの記録特性に基づいて、
切り替えタイミング信号Ｓの動作を調整し、記録電流に
含まれる特定のマルチパルスに対してオーバシュートま
たはアンダシュートを行うかどうかを制御してもよい。
即ち特定のマルチパルスに対して高周波成分を重畳する
かまたは高周波成分を減衰させればよい。光ディスクの
記録特性は、再生信号処理ブロック５Ａ内に設けられて
いる記録特性検出手段５１（図１）を用いて、再生信号
に基づいて検出することができる。

【０１０１】以下は、上記のような本発明の基本的な構
成に基づいて、従来技術に関して述べた問題１〜５を解
決するにあたっての本発明の作用または具体的な形態に
ついて説明する。

【０１０２】本実施の形態によれば、電流駆動部５１１
によって強調された記録電流に含まれる高周波成分７６
が複数のマルチパルスのうちの先頭のマルチパルスＰ１
に重畳されオーバシュートが発生するように切り換え部
５２０がフィルタ５１５を動作させるので、高周波成分
７６が先頭のマルチパルスＰ１に重畳されずオーバシュ
ートが発生しない場合に比べて先頭のマルチパルスＰ１
に対応する記録マーク７１の始端部分における見かけ上
の温度上昇量を大きくすることができる。このため、問
題１での記録マーク始端部で発生していた温度上昇量不
足による記録マークの先細り現象が解消され、図６に示
すように先細りのない正常な形の記録マークを記録する
ことができる。

【０１０３】問題２について、光ピックアップに対する
光ディスクの線速度の変動がある場合に記録マークの先
細り現象が発生することに対しても、上述したように電
流駆動部５１１によって強調された記録電流に含まれる
高周波成分７６が複数のマルチパルスのうちの先頭のマ
ルチパルスＰ１に重畳されオーバシュートが発生するよ
うに切り換え部５２０がフィルタ５１５を動作させるの
で、温度上昇量不足によって発生するマーク始端部での
先細り現象をオーバシュートによって見かけ上の温度上
昇量を増大させることにより改善できる。この場合、フ
ィルタ５１５のカットオフ周波数ＦＣおよびインピーダ
ンスＺの値は、光ピックアップに対する光ディスクの線
速度に応じて適宜設定すればよい。

【０１０４】記録膜の移動線速度、すなわち光ピックア
ップに対する光ディスクの線速度は、中央処理ブロック
６Ａ（図１）に備えられている線速度設定部６４によ
り、回転数制御信号Ｌを用いてスピンドルモータ３を制
御することで設定される。光ディスク１の線速度の検出
は、再生信号処理ブロック５Ａから出力される再生信号
に基づいて中央処理ブロック６Ａに含まれる線速度検出
部６３により行える。

【０１０５】しかし本発明はこれに限定されない。スピ
ンドルモータ３の回転数を検出する回転数検出手段７７
を設け、回転数検出手段７７により検出されたスピンド
ルモータ３の回転数に基づいて光ディスクの移動線速度
を検出しても良い。さらに光ピックアップ２に含まれる
半導体レーザ２１の光ディスク１上における半径方向の
位置を検出する半径方向位置検出手段７８を設け、半径
方向位置検出手段７８により検出された半導体レーザ２
１の光ディスク１上における半径方向の位置に基づいて
光ディスクの移動線速度を検出してもよい。検出された
光ディスクの移動線速度が所定の線速度以上あるいはそ
れ以下であれば、切り替えタイミング信号Ｓを図６に示
したタイミングで制御するようにすれば、電流駆動部５
１１によって強調された記録電流に含まれる高周波成分
７６が複数のマルチパルスのうちの先頭のマルチパルス
Ｐ１に重畳されオーバシュートが発生するので、高周波
成分７６が先頭のマルチパルスＰ１に重畳されずオーバ
シュートが発生しない場合に比べて先頭のマルチパルス
Ｐ１に対応する記録マーク７１の始端部分における見か
け上の温度上昇量を大きくすることができる。従って、
光ディスクの線速度の変動がある場合に発生するマーク
始端部での先細り現象を改善できる。

【０１０６】図３に示す１個のフィルタ５１５の代わり
に、図７に示すような複数のフィルタ（図７において３
個のフィルタ回路５１５Ａ、５１５Ｂおよび５１５Ｃ）
を用いることができる。

【０１０７】各フィルタ回路５１５Ａ、５１５Ｂおよび
５１５Ｃの周波数特性およびインピーダンス値を互いに
異なった値に設定すると、以下に示す作用効果が得られ
る。例えばＣＡＶ方式を採用する光ディスク１では、半
導体レーザ２１から照射される光の光ディスク１上の半
径方向の位置に依存して半導体レーザ２１に対する光デ
ィスク１の線速度が異なる。このようなＣＡＶ方式を採
用する光ディスク１の内周、中周または外周に半導体レ
ーザ２１から照射される光が位置するときに、最適なフ
ィルタ定数をもつフィルタ回路５１５Ａ、５１５Ｂまた
は５１５Ｃを動作させるように対応するスイッチ５１６
Ａ、５１６Ｂまたは５１６Ｃをタイミング制御部５１７
Ａがオンオフすると、ＣＡＶ方式を採用する光ディスク
１の内周、中周または外周における各線速度に最適に適
合したパルス形状を有する記録電流を半導体レーザ２１
に供給することが可能である。

【０１０８】また、図２０を参照して述べた問題３につ
いても、本発明の構成により解決できる。問題３の原因
は、３Ｔマークを記録するための記録電流のパルス幅を
削りすぎたために、３Ｔマークに供給される熱量が不足
することである。これに対して本発明では図８に示すよ
うに、３Ｔマーク７１Ａを記録するパルス７２Ａを３Ｔ
マークに供給される熱量を増加させるようにオーバーシ
ュートさせるので、３Ｔマークのように他のマーク（例
えば５Ｔマーク）よりも短い記録マークであっても安定
して記録することが可能となる。

【０１０９】この熱量の調整はまず３Ｔマークというデ
ータパターンを検出することから始まる。３Ｔマークと
いうデータパターンの検出は、図１に示す記録信号制御
ブロック４内に設けられているデータパターン検出部４
１（３Ｔマーク検出部）により、一連の変調されたデー
タパターンの中から３Ｔマークを記録するためのデータ
パターンをパターンマッチングにより検出することで行
われる。

【０１１０】図８は、データパターン検出部４１を制御
するためのデータパターン検出信号（３Ｔパターン検出
信号）Ｔの波形、および半導体レーザ２１を発光させる
ための再生・記録電流の波形および切替タイミング信号
Ｓの波形を示している。データパターン検出信号（３Ｔ
パターン検出信号）Ｕにより、図８に示すようにデータ
パターン検出部４１（３Ｔマーク検出部）で３Ｔマーク
７１Ａを記録するためのデータパターンを検出する。３
Ｔパターン検出信号Ｔとピークパワーゲート信号Ｂ（図
３参照）とのアンド条件（３Ｔパターン検出信号Ｔとピ
ークパワーゲート信号Ｂとの双方がＨＩＧＨになる条
件）を満足するタイミングで切り替えタイミング信号Ｓ
を切り替える（ＨＩＧＨにする）と、スイッチ５１６が
オープン状態となり、図８に示すように３Ｔマーク７１
Ａを記録するためのパルス７２Ａがオーバシュートし、
３Ｔマーク７１Ａに与えるトータルの熱量が増大する。
このように、３Ｔマーク７１Ａに供給される熱量を増加
させるようにパルス７２Ａをオーバーシュートさせるの
で、３Ｔマーク７１Ａのように他のマーク（例えば５Ｔ
マーク）よりも短い記録マークであっても安定して記録
することが可能となるという効果が得られる。

【０１１１】この効果は３Ｔマーク７１Ａを記録するた
めのパルス７２Ａに限定されることなく、例えば４Ｔマ
ークと５Ｔマークとを含む他のマークを記録するための
特定パターンを有する記録電流に含まれるパルスの全体
または一部に対しても適用できる。即ちこのような他の
マークを記録するための特定パターンを有する記録電流
に含まれるパルスに対しその全体または一部についてオ
ーバシュートを行ってもよい。特定パターンを有するパ
ルスの検出は、記録信号制御ブロック４内に設けられて
いるデータパターン検出部４１により行われる。

【０１１２】問題４（高周波重畳による装置外への不要
な輻射の発生）は、図９に示すように再生動作時と記録
動作時とで切り替えタイミング信号Ｓを切り替えるよう
にすることにより解決される。

【０１１３】記録動作時には、図９に示すように切り替
えタイミング信号ＳがＬＯＷとなるように切り替えられ
るので図３に示すスイッチ５１６がＯＮとなる。従っ
て、図３に示すフィルタ５１５は電流駆動部５１１によ
って強調された記録電流に含まれる高周波成分を減衰さ
せるように動作する。このため図９に示されるように記
録電流７４Ｂに含まれるパルス７２Ｂのオーバシュート
が抑制される。

【０１１４】再生動作時には、図９に示すように切り替
えタイミング信号ＳがＨＩＧＨとなるように切り替えら
れるので図３に示すスイッチ５１６がＯＦＦとなる。従
って、図３に示すフィルタ５１５は電流駆動部５１１に
よって強調された高周波電流７５Ｂに含まれる高周波成
分を減衰させるように動作しない。このため図９に示さ
れるように電流駆動部５１１によって強調された高周波
電流７５Ｂに含まれる高周波成分はフィルタ５１５によ
って減衰することなく半導体レーザ２１に供給される。

【０１１５】このように、再生動作時の高周波電流７５
Ｂに含まれる高周波成分の振幅を劣化させることなく、
半導体レーザ２１に高周波電流７５Ｂを供給することが
可能となる。この結果、再生動作時におけるフィルタ５
１５による高周波成分の減衰が発生しない分、高周波電
流生成部５１９が生成する高周波電流７５Ｂの振幅を小
さくすることができる。高周波電流生成部５１９が生成
する高周波電流７５Ｂの振幅が小さくなると、高周波電
流生成部５１９が生成する高周波電流７５Ｂに起因する
高周波ノイズの外部への輻射を低減することができる。

【０１１６】また、半導体レーザ２１に供給される再生
電流７３Ｂに重畳される高周波電流７５Ｂに含まれる高
周波成分がフィルタ５１５によって減衰されない分増加
するので、半導体レーザ２１に発生する半導体レーザノ
イズＮＬが低減できる。このため、高密度記録データの
再生信号のＳ／Ｎ改善に寄与できる。

【０１１７】なお、これまでの説明では、電流駆動部５
１１が高周波成分を強調する周波数特性を有している例
を説明した。しかし、電流駆動部５１１の回路の設計上
の制限から電流駆動部５１１に高周波成分を強調する周
波数特性を持たせることができない場合がある。このよ
うな場合は、図３に示されるフィルタ５１５および切り
替え部５２０を、例えば図１０に示すように改変するこ
とができる。

【０１１８】図１０に示すフィルタ５１５Ｅの周波数特
性（インピーダンスＺと周波数Ｆとの関係）は図１１に
示すとおりである。図１１に示すようにフィルタ５１５
Ｅは、周波数ＦＡ（高周波重畳周波数３００ＭＨｚ）の
ときに十分低いインピーダンスとなるようなフィルタ特
性をもっている。図１０に示す構成により、再生時にお
いては高周波電流生成部５１９によって生成された高周
波電流に含まれる高周波成分を強調することができ、記
録時においては記録再生電流生成部５１９によって生成
された記録電流に含まれる高周波成分を強調することが
できる。

【０１１９】スイッチ５１６Ｅがオン状態のときにはフ
ィルタ５１５Ｅが有効となり、フィルタ５１５Ｅは、再
生時においては高周波電流生成部５１９によって生成さ
れた高周波電流に含まれる高周波成分を強調し、記録時
においては記録再生電流生成部５１９によって生成され
た記録電流に含まれる高周波成分を強調する。このた
め、半導体レーザ２１に供給される３００ＭＨｚの高周
波成分の振幅が拡大するので、半導体レーザ２１に有効
に高周波成分を供給することができる。

【０１２０】問題５で前述した半導体レーザ駆動電流ノ
イズＮＫは、具体的には、半導体レーザ駆動装置内で発
生する回路ノイズと半導体レーザ駆動装置の外部からの
外的要因で駆動電流Ｍに重畳されるノイズとを含む。半
導体レーザ駆動電流ノイズＮＫは、２０ＭＨｚ以下の信
号帯域に影響を及ぼす。このため、２０ＭＨｚ以下のノ
イズ成分を有効にフィルタ側にパスさせる必要がある。
このことを達成するためには、図１１（ｂ）に示すよう
に２０ＭＨｚ以下の周波帯も通過させる周波数特性を有
するフィルタが必要である。ただし、サーボ制御に使う
約１００ｋＭｚ以下の信号は通過させてはならない。

【０１２１】しかし、図１０で前述した通り２０ＭＨｚ
以下の低域を通過させるフィルタを用いると、記録動作
時において記録電流に含まれるパルスのエッジが鈍って
しまうので、正確な記録ができないおそれがある。この
ため、図１２に示すように切り替えタイミング信号Ｓを
用いて記録動作時にフィルタをオープンにする。

【０１２２】図１１（ｂ）に示す周波数特性を有するフ
ィルタを用いた場合には、再生動作時の信号帯域の２０
ＭＨｚ以下のノイズに対して抑制効果を果すと同時に、
再生動作時に必要な３００ＭＨｚの高周波重畳信号も抑
制してしまうので、半導体レーザそのものが発生する半
導体レーザノイズＮＬの抑制には寄与しないおそれがあ
る。このことを考慮すると、図１０に示すフィルタ構成
を有し、図１１（ａ）に示す周波数特性を有するフィル
タとを併用する方が望ましい。なぜなら、図３に示すフ
ィルタ構成を有し図１１（ｂ）に示す周波数特性をもつ
フィルタと図１０に示すフィルタ構成を有し、図１１
（ａ）に示す周波数特性を有するフィルタとを併用すれ
ば、２０ＭＨｚ以下の再生信号帯域では十分低いインピ
ーダンスＺａの状態となり、一方、高周波重畳周波数３
００ＭＨｚでは半導体レーザの駆動電流に高周波電流を
重畳できるだけの十分高いインピーダンスをもったフィ
ルタ特性を示すからである。

【０１２３】なお、本発明におけるフィルタ５１５、５
１５Ａ、５１５Ｂ、５１５Ｃおよび５１５Ｅの周波数特
性を具体的にどのように設計するか、フィルタ５１５、
５１５Ａ、５１５Ｂ、５１５Ｃおよび５１５Ｅと切り替
え部５２０、５２０Ａとを半導体レーザ駆動装置１２２
のどこに配置するか、切り替え部５２０、５２０Ａによ
る切り替えのタイミングをどのように設定するかについ
ては、システムの状況に応じて最適に調整すればよく、
上記の実施形態の構成に限定されることはない。また、
図７に示すような複数のフィルタ５１５Ａ、５１５Ｂお
よび５１５Ｃと切り替え部５２０Ａとを備えた場合は、
必要に応じて任意に切り替え、組み合わせ可能になるよ
うに半導体レーザ駆動装置１２２に含まれる回路を適宜
調整すればよいことはいうまでもない。

【０１２４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、高密度記
録時における安定な記録特性および再生時における再生
信号の高いＳ／Ｎ比が得られる半導体レーザ駆動装置お
よびこれを用いた光ディスク装置を提供することができ
る。

【０１２５】また本発明によれば、光ディスクの記録膜
の組成にバラツキがあっても、正常な形状を有する記録
マークを記録することができる半導体レーザ駆動装置お
よびこれを用いた光ディスク装置を提供することができ
る。

【０１２６】さらに本発明によれば、光ディスクの記録
時の線速度に変動があっても、正常な形状を有する記録
マークを記録することができる半導体レーザ駆動装置お
よびこれを用いた光ディスク装置を提供することができ
る。

【０１２７】さらに本発明によれば、正常な形状を有す
る安定な３Ｔマークを記録することができる半導体レー
ザ駆動装置およびこれを用いた光ディスク装置を提供す
ることができる。

【０１２８】さらに本発明によれば、高周波電流が外部
に放出する不要な輻射を低減することができる半導体レ
ーザ駆動装置およびこれを用いた光ディスク装置を提供
することができる。

【０１２９】さらに本発明によれば、再生動作時におい
て高周波電流に含まれる高周波成分を強調するために周
波数ピーキングを電流駆動部もたせても、記録動作時に
おける記録電流の立ち上がりおよび立ち下りで過剰なオ
ーバシュート、アンダシュートが発生することのない半
導体レーザ駆動装置およびこれを用いた光ディスク装置
を提供することができる。

【０１３０】さらに本発明によれば、再生動作時におい
て再生信号のノイズレベルを低減する低域通過フィルタ
を設けた場合であっても、記録動作時において記録電流
のパルスが鈍ることのない半導体レーザ駆動装置および
これを用いた光ディスク装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態に係る光ディスク装置の概略図。

【図２】実施の形態に係る光ディスク装置に含まれる光
ピックアップの構成図。

【図３】実施の形態に係る光ピックアップに含まれる半
導体レーザ駆動装置の構成図。

【図４】実施の形態に係る半導体レーザ駆動装置に含ま
れるフィルタの構成の例を示す図。

【図５】実施の形態に係るフィルタの特性を示す図。

【図６】実施の形態に係る半導体レーザ駆動装置の駆動
に用いられる制御信号のタイミングチャート、ならびに
それによる記録パルスおよび記録マークを示す図。

【図７】実施の形態に係る半導体レーザ駆動装置に含ま
れるフィルタおよびその関連部分の他の構成例を示す
図。

【図８】実施の形態に係る半導体レーザ駆動装置の駆動
に用いられる制御信号のタイミングチャート、ならびに
それによる記録パルスおよび記録マークの他の例を示す
図。

【図９】実施の形態に係る半導体レーザ駆動装置の駆動
に用いられる制御信号のタイミングチャート、ならびに
それによる記録パルスおよび記録マークのさらに他の例
を示す図。

【図１０】実施の形態に係る半導体レーザ駆動装置に含
まれる他のフィルタおよびその関連部分のさらに他の構
成例を示す図。

【図１１】（ａ）図１０に示される他のフィルタのフィ
ルタ特性を示す図。 （ｂ）実施の形態に係るさらに他のフィルタのフィルタ
特性を示す図。

【図１２】実施の形態に係る半導体レーザ駆動装置の駆
動に用いられる制御信号のタイミングチャート、ならび
にそれによる記録パルスおよび記録マークのさらに他の
例を示す図。

【図１３】従来技術による光ディスク上の記録マークお
よび記録するための記録パルスの波形を示す図。

【図１４】光ディスクに記録を行う時の信号キャリアお
よびノイズ成分の周波数特性を示す図。

【図１５】従来の光ディスク装置の概略図。

【図１６】従来の光ディスク装置に含まれる光ピックア
ップの構成図。

【図１７】従来の光ピックアップに含まれる半導体レー
ザ駆動装置の構成図。

【図１８】従来の半導体レーザ駆動装置の駆動に用いら
れる制御信号のタイミングチャートを示す図。

【図１９】従来の記録パルスの波形および記録マークの
形状を示す図。

【図２０】従来の高密度記録時の光スポット、記録パル
スの波形および記録マークの形状を示す図。

【図２１】（ａ）は従来の通常の記録パルスを、（ｂ）
は従来の周波数ピーキングをもたせた記録パルスを示す
図。

【図２２】（ａ）は従来の通常の記録パルスを，（ｂ）
は従来の低域通過フィルタを通った記録パルスを示す
図。

【符号の説明】

２１ 半導体レーザ ２２、１２２ 半導体レーザ駆動装置 ５１１ 電流駆動部 ５１５Ａ、５１５Ｂ、５１５Ｃ、５１５Ｅ フィルタ ５１６Ａ、５１６Ｂ、５１６Ｃ、５１６Ｅ フィルタ切
り替えブロック ５１７ タイミング発生部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮端 佳之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高橋 雄一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録電流に基づいて記録マークを光ディ
   スクに記録し、再生電流に基づいて該光ディスクに記録
   された該記録マークから再生信号を再生するための光を
   該記録マークに照射する半導体レーザを駆動する半導体
   レーザ駆動装置であって、 該再生電流を生成する再生電流生成部と、 該再生信号に含まれる半導体レーザノイズを低減する高
   周波成分を含む高周波電流を生成する高周波電流生成部
   と、 該記録電流を生成する記録電流生成部と、 該再生電流と該記録電流とを増幅する電流駆動部とを備
   え、 再生時においては該高周波電流生成部によって生成され
   た該高周波電流に含まれる該高周波成分が強調され、記
   録時においては該記録電流生成部によって生成された該
   記録電流に含まれる該高周波成分が強調され、 該半導体レーザ駆動装置は、該強調された該高周波電流
   に含まれる該高周波成分と該強調された該記録電流に含
   まれる該高周波成分とを減衰させるように動作するフィ
   ルタをさらに備え、 該記録電流は、該記録マークに対応するパルスを含み、 該パルスは、複数のマルチパルスを含み、 該半導体レーザ駆動装置は、該強調された該記録電流に
   含まれる該高周波成分が該パルスに含まれる該複数のマ
   ルチパルスのうちの少なくとも１つに重畳されるように
   該フィルタを動作させる切り換え手段をさらに備える半
   導体レーザ駆動装置。
2. 【請求項２】 該電流駆動部は、該高周波成分を強調す
   る周波数特性を有し、 該電流駆動部は、再生時においては該高周波電流生成部
   によって生成された該高周波電流に含まれる該高周波成
   分を強調し、記録時においては該記録電流生成部によっ
   て生成された該記録電流に含まれる該高周波成分を強調
   する、請求項１に記載の半導体レーザ駆動装置。
3. 【請求項３】 前記切り換え手段は、前記フィルタに接
   続されるスイッチと、 該スイッチのオンオフを制御するタイミング制御部とを
   含む、請求項１に記載の半導体レーザ駆動装置。
4. 【請求項４】 前記複数のマルチパルスのうちの前記少
   なくとも１つは、前記複数のマルチパルスのうちの先頭
   のマルチパルスを含む、請求項１に記載の半導体レーザ
   駆動装置。
5. 【請求項５】 前記パルスは、特定のパターンを有する
   特定パルスを含み、 前記切り換え手段は、前記強調された前記記録電流に含
   まれる前記高周波成分が該特定パルスに重畳されるよう
   に該フィルタを動作させる、請求項１に記載の半導体レ
   ーザ駆動装置。
6. 【請求項６】 前記記録マークは、８−１６変調によっ
   て記録される３Ｔマークを含み、 前記特定パルスは、該３Ｔマークに対応する３Ｔパルス
   を含み、 前記切り換え手段は、前記強調された前記記録電流に含
   まれる前記高周波成分が該３Ｔパルスに重畳されるよう
   に該フィルタを動作させる、請求項５に記載の半導体レ
   ーザ駆動装置。
7. 【請求項７】 前記切り換え手段は、前記強調された前
   記記録電流に含まれる前記高周波成分が前記パルスに含
   まれる前記複数のマルチパルスのうちの少なくとも１つ
   の一部に重畳されるように該フィルタを動作させる、請
   求項１に記載の半導体レーザ駆動装置。
8. 【請求項８】 前記切り換え手段は、前記強調された前
   記記録電流に含まれる前記高周波成分が前記パルスに含
   まれる前記複数のマルチパルスのうちの少なくとも１つ
   の全体に重畳されるように該フィルタを動作させる、請
   求項１に記載の半導体レーザ駆動装置。
9. 【請求項９】 前記複数のマルチパルスのうちの前記少
   なくとも１つは、前記複数のマルチパルスのうちの後端
   のマルチパルスを含む、請求項１に記載の半導体レーザ
   駆動装置。
10. 【請求項１０】 前記切り換え手段は、前記強調された
    前記記録電流に含まれる前記高周波成分が前記パルスに
    含まれる前記複数のマルチパルスのうちのすべてのマル
    チパルスに重畳されるように前記フィルタを動作させ
    る、請求項１に記載の半導体レーザ駆動装置。
11. 【請求項１１】 前記再生電流は、直流電流である、請
    求項１に記載の半導体レーザ駆動装置。
12. 【請求項１２】 前記切り換え手段は、再生時において
    は前記強調された前記高周波電流に含まれる前記高周波
    成分が前記再生電流に重畳されるように該フィルタを動
    作させ、記録時においては該強調された前記記録電流に
    含まれる前記高周波成分を減衰させるように該フィルタ
    を動作させる、請求項１に記載の半導体レーザ駆動装
    置。
13. 【請求項１３】 前記高周波成分は、１００ＭＨｚ以上
    の周波数を有する、請求項１に記載の半導体レーザ駆動
    装置。
14. 【請求項１４】 前記高周波成分は、１００ＭＨｚ以上
    ４５０ＭＨｚ以下の周波数を有する、請求項１３に記載
    の半導体レーザ駆動装置。
15. 【請求項１５】 前記高周波成分は、実質的に３００Ｍ
    Ｈｚの周波数を有する、請求項１に記載の半導体レーザ
    駆動装置。
16. 【請求項１６】 前記フィルタは、ハイパスフィルタを
    含む、請求項１に記載の半導体レーザ駆動装置。
17. 【請求項１７】 前記高周波成分は、前記フィルタのカ
    ットオフ周波数よりも高い周波数を有する、請求項１に
    記載の半導体レーザ駆動装置。
18. 【請求項１８】 前記フィルタは、互いに異なる周波数
    特性およびインピーダンス値を有する複数のフィルタ回
    路を含む、請求項１に記載の半導体レーザ駆動装置。
19. 【請求項１９】 前記切り換え手段は、前記光ディスク
    の線速度に基づいて前記複数のフィルタ回路のうちの１
    つを動作させるフィルタ回路として選択する、請求項１
    ８に記載の半導体レーザ駆動装置。
20. 【請求項２０】 記録マークの記録再生を光ディスクに
    対して実行する光ピックアップと、 該光ディスクを回転させるモータと、 該光ピックアップと該モータとを制御する制御ブロック
    とを備え、 該光ピックアップは、記録電流に基づいて該記録マーク
    を該光ディスクに記録し、再生電流に基づいて該光ディ
    スクに記録された該記録マークから再生信号を再生する
    ための光を該記録マークに照射する半導体レーザと、 該半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置とを含
    み、 該半導体レーザ駆動装置は、該再生電流を生成する再生
    電流生成部と、 該再生信号に含まれる半導体レーザノイズを低減する高
    周波成分を含む高周波電流を生成する高周波電流生成部
    と、 該記録電流を生成する記録電流生成部と、 該再生電流と該記録電流とを増幅する電流駆動部とを含
    み、 再生時においては該高周波電流生成部によって生成され
    た該高周波電流に含まれる該高周波成分が強調され、記
    録時においては該記録電流生成部によって生成された該
    記録電流に含まれる該高周波成分が強調され、 該半導体レーザ駆動装置は、該強調された該高周波電流
    に含まれる該高周波成分と該強調された該記録電流に含
    まれる該高周波成分とを減衰させるように動作するフィ
    ルタをさらに含み、 該記録電流は、該記録マークに対応するパルスを含み、 該パルスは、複数のマルチパルスを含み、 該半導体レーザ駆動装置は、該強調された該記録電流に
    含まれる該高周波成分が該パルスに含まれる該複数のマ
    ルチパルスのうちの少なくとも１つに重畳されるように
    該フィルタを動作させる切り換え手段をさらに含む光デ
    ィスク装置。
21. 【請求項２１】 該電流駆動部は、該高周波成分を強調
    する周波数特性を有し、 該電流駆動部は、再生時においては該高周波電流生成部
    によって生成された該高周波電流に含まれる該高周波成
    分を強調し、記録時においては該記録電流生成部によっ
    て生成された該記録電流に含まれる該高周波成分を強調
    する、請求項２０に記載の光ディスク装置。
22. 【請求項２２】 前記制御ブロックは、前記光ディスク
    の線速度を検出する線速度検出手段を含み、 前記切り換え手段は、該線速度検出手段によって検出さ
    れた該光ディスクの該線速度に基づいて、前記強調され
    た前記記録電流に含まれる前記高周波成分が前記パルス
    に含まれる前記複数のマルチパルスのうちの少なくとも
    １つに重畳されるように前記フィルタを動作させる、請
    求項２０に記載の光ディスク装置。
23. 【請求項２３】 前記線速度検出手段は、前記再生信号
    に基づいて前記光ディスクの線速度を検出する、請求項
    ２２に記載の光ディスク装置。
24. 【請求項２４】 前記線速度検出手段は、前記モータの
    回転数に基づいて前記光ディスクの線速度を検出する、
    請求項２２に記載の光ディスク装置。
25. 【請求項２５】 前記線速度検出手段は、前記光ディス
    ク上における前記光ピックアップの半径位置に基づいて
    前記光ディスクの線速度を検出する、請求項２２に記載
    の光ディスク装置。