JP2001330583A - 空燃比センサのヒータ制御装置 - Google Patents
空燃比センサのヒータ制御装置Info
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- F02D41/1494—Control of sensor heater
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 空燃比センサの素子温度を計測して、目標温
度となるように、空燃比センサに備えられるヒータへの
通電量を制御する際に、センサ素子の被毒を解消しつ
つ、可能な限りヒータでの消費電力を節減する。 【解決手段】 前記目標温度を、センサ素子の活性温度
範囲での下限付近でセンサ素子が被毒する可能性がある
低温側目標温度と、センサ素子が被毒から回復可能な高
温側目標温度とに交互に切換える。具体的には、タイム
スケジュールに従って、第１の所定時間Ａ、目標温度を
低温側目標温度ＴＬに設定し（Ｓ21，Ｓ22）、この後、
第２の所定時間Ｂ、目標温度を高温側目標温度ＴＨに設
定する（Ｓ23，24）。又は、空燃比センサ出力の反転周
期から被毒状態を判定し、被毒無しのときに、目標温度
を低温側に設定し、被毒有りのときに、目標温度を高温
側に設定する。
度となるように、空燃比センサに備えられるヒータへの
通電量を制御する際に、センサ素子の被毒を解消しつ
つ、可能な限りヒータでの消費電力を節減する。 【解決手段】 前記目標温度を、センサ素子の活性温度
範囲での下限付近でセンサ素子が被毒する可能性がある
低温側目標温度と、センサ素子が被毒から回復可能な高
温側目標温度とに交互に切換える。具体的には、タイム
スケジュールに従って、第１の所定時間Ａ、目標温度を
低温側目標温度ＴＬに設定し（Ｓ21，Ｓ22）、この後、
第２の所定時間Ｂ、目標温度を高温側目標温度ＴＨに設
定する（Ｓ23，24）。又は、空燃比センサ出力の反転周
期から被毒状態を判定し、被毒無しのときに、目標温度
を低温側に設定し、被毒有りのときに、目標温度を高温
側に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内燃機関の排気系
に装着されて空燃比制御に用いられる、センサ素子加熱
用のヒータを備える空燃比センサ（酸素センサを含む）
のヒータ制御装置に関する。
に装着されて空燃比制御に用いられる、センサ素子加熱
用のヒータを備える空燃比センサ（酸素センサを含む）
のヒータ制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】内燃機関の空燃比制御装置として、空燃
比センサにより排気中の酸素濃度などに基づいて実際の
空燃比を検出し、これが目標空燃比となるように、機関
への燃料供給量をフィードバック制御するものが知られ
ている。
比センサにより排気中の酸素濃度などに基づいて実際の
空燃比を検出し、これが目標空燃比となるように、機関
への燃料供給量をフィードバック制御するものが知られ
ている。
【０００３】ところで、上記の空燃比フィードバック制
御を行うためには、空燃比センサが活性化していること
が前提条件となり、空燃比センサは、その素子温度が所
定の活性温度に達することで活性化されるため、空燃比
センサには、センサ素子加熱用のヒータを装備させて、
ヒータへの通電制御により素子温度を目標温度に制御し
ている（例えば特開平７−１９８６７９号公報、特開平
８−２７８２７９号公報参照）。
御を行うためには、空燃比センサが活性化していること
が前提条件となり、空燃比センサは、その素子温度が所
定の活性温度に達することで活性化されるため、空燃比
センサには、センサ素子加熱用のヒータを装備させて、
ヒータへの通電制御により素子温度を目標温度に制御し
ている（例えば特開平７−１９８６７９号公報、特開平
８−２７８２７９号公報参照）。
【０００４】具体的には、センサ素子の内部抵抗を計測
して、これより推定される素子温度に基づき、これが目
標温度となるように、ヒータへの通電量をフィードバッ
ク制御している。
して、これより推定される素子温度に基づき、これが目
標温度となるように、ヒータへの通電量をフィードバッ
ク制御している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ヒータでの
消費電力を低減させる目的からは、空燃比センサの素子
温度の目標温度は、活性温度範囲の下限（例えば３５０
℃）付近に低く押さえた方がよい。
消費電力を低減させる目的からは、空燃比センサの素子
温度の目標温度は、活性温度範囲の下限（例えば３５０
℃）付近に低く押さえた方がよい。
【０００６】しかるに、空燃比センサの素子温度を下げ
ると、素子が短時間で被毒してしまい、被毒によりセン
サ出力の反転周期が長くなり、空燃比制御性能が低下し
てしまう。
ると、素子が短時間で被毒してしまい、被毒によりセン
サ出力の反転周期が長くなり、空燃比制御性能が低下し
てしまう。
【０００７】すなわち、図９に示すように、センサ素子
の被毒状態では、リッチ→リーンの素子の応答性が低下
し、その結果、空燃比制御系出力がリッチ側にシフト
し、排気性能や燃費性能が低下してしまうのである。
の被毒状態では、リッチ→リーンの素子の応答性が低下
し、その結果、空燃比制御系出力がリッチ側にシフト
し、排気性能や燃費性能が低下してしまうのである。
【０００８】本発明は、このような従来の問題点に鑑
み、センサ素子の被毒を解消しつつ、可能な限りヒータ
での消費電力を節減することを目的とする。
み、センサ素子の被毒を解消しつつ、可能な限りヒータ
での消費電力を節減することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１に係
る発明では、図１に示すように、空燃比センサの素子温
度を計測して、目標温度となるように、空燃比センサに
備えられるヒータへの通電量を制御する空燃比センサの
ヒータ制御装置において、前記目標温度を低温側目標温
度と高温側目標温度とに交互に切換える目標温度切換手
段を設けたことを特徴とする。
る発明では、図１に示すように、空燃比センサの素子温
度を計測して、目標温度となるように、空燃比センサに
備えられるヒータへの通電量を制御する空燃比センサの
ヒータ制御装置において、前記目標温度を低温側目標温
度と高温側目標温度とに交互に切換える目標温度切換手
段を設けたことを特徴とする。
【００１０】ここで、低温側目標温度は、センサ素子の
活性温度範囲での下限付近の温度であって、センサ素子
が被毒する可能性がある温度である。高温側目標温度
は、センサ素子が被毒から回復可能な温度である。
活性温度範囲での下限付近の温度であって、センサ素子
が被毒する可能性がある温度である。高温側目標温度
は、センサ素子が被毒から回復可能な温度である。
【００１１】請求項２に係る発明では、前記目標温度切
換手段は、予め定められたタイムスケジュールに従っ
て、目標温度を低温側目標温度と高温側目標温度とに切
換えることを特徴とする。
換手段は、予め定められたタイムスケジュールに従っ
て、目標温度を低温側目標温度と高温側目標温度とに切
換えることを特徴とする。
【００１２】より具体的には、請求項３に係る発明のよ
うに、前記目標温度切換手段は、第１の所定時間、目標
温度を低温側目標温度に設定し、第１の所定時間経過後
に、第２の所定時間、目標温度を高温側目標温度に設定
する。
うに、前記目標温度切換手段は、第１の所定時間、目標
温度を低温側目標温度に設定し、第１の所定時間経過後
に、第２の所定時間、目標温度を高温側目標温度に設定
する。
【００１３】請求項４に係る発明では、前記目標温度切
換手段は、空燃比センサ出力の反転回数を計測する手段
を有し、計測された反転回数に従って、目標温度を低温
側目標温度と高温側目標温度とに切換えることを特徴と
する。
換手段は、空燃比センサ出力の反転回数を計測する手段
を有し、計測された反転回数に従って、目標温度を低温
側目標温度と高温側目標温度とに切換えることを特徴と
する。
【００１４】より具体的には、請求項５に係る発明のよ
うに、前記目標温度切換手段は、空燃比センサ出力の反
転回数が第１の所定値に達するまでの間、目標温度を低
温側目標温度に設定し、この後、空燃比センサ出力の反
転回数が第２の所定値に達するまでの間、目標温度を高
温側目標温度に設定する。
うに、前記目標温度切換手段は、空燃比センサ出力の反
転回数が第１の所定値に達するまでの間、目標温度を低
温側目標温度に設定し、この後、空燃比センサ出力の反
転回数が第２の所定値に達するまでの間、目標温度を高
温側目標温度に設定する。
【００１５】請求項６に係る発明では、前記目標温度切
換手段は、空燃比センサの被毒状態を判定する被毒判定
手段を有し、被毒無しと判定されたときに、目標温度を
低温側目標温度に設定し、被毒有りと判定されたとき
に、目標温度を高温側目標温度に設定することを特徴と
する。
換手段は、空燃比センサの被毒状態を判定する被毒判定
手段を有し、被毒無しと判定されたときに、目標温度を
低温側目標温度に設定し、被毒有りと判定されたとき
に、目標温度を高温側目標温度に設定することを特徴と
する。
【００１６】より具体的には、請求項７に係る発明のよ
うに、前記被毒判定手段は、空燃比センサ出力の反転周
期を計測する手段を備え、計測された反転周期に基づい
て被毒の有無を判定する。
うに、前記被毒判定手段は、空燃比センサ出力の反転周
期を計測する手段を備え、計測された反転周期に基づい
て被毒の有無を判定する。
【００１７】請求項８に係る発明では、空燃比センサの
素子温度計測手段として、空燃比センサのセンサ素子に
素子温度計測用の所定の電圧を一時的に印加する素子温
度計測用電圧印加手段と、前記電圧印加中のセンサ出力
に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出する内部抵抗算
出手段と、算出された内部抵抗に基づいて素子温度を算
出する素子温度算出手段とを備えることを特徴とする。
素子温度計測手段として、空燃比センサのセンサ素子に
素子温度計測用の所定の電圧を一時的に印加する素子温
度計測用電圧印加手段と、前記電圧印加中のセンサ出力
に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出する内部抵抗算
出手段と、算出された内部抵抗に基づいて素子温度を算
出する素子温度算出手段とを備えることを特徴とする。
【００１８】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、ヒータへ
の通電量制御による空燃比センサの素子温度制御に際
し、目標温度を低温側目標温度と高温側目標温度とに交
互に切換えることで、低温側目標温度にてヒータ消費電
力の節減を図る一方、このときに被毒しても、高温側目
標温度にて被毒から回復させることができ、センサ素子
の被毒を解消しつつ、可能な限りヒータ消費電力を節減
することができる。
の通電量制御による空燃比センサの素子温度制御に際
し、目標温度を低温側目標温度と高温側目標温度とに交
互に切換えることで、低温側目標温度にてヒータ消費電
力の節減を図る一方、このときに被毒しても、高温側目
標温度にて被毒から回復させることができ、センサ素子
の被毒を解消しつつ、可能な限りヒータ消費電力を節減
することができる。
【００１９】請求項２、３に係る発明によれば、予め定
められたタイムスケジュールに従って、目標温度を低温
側目標温度と高温側目標温度とに切換えることで、より
具体的には、目標温度を低温側目標温度に設定した状態
で、第１の所定時間経過したときに、被毒とみなして、
目標温度を高温側目標温度に切換え、この状態で第２の
所定時間経過したときに、被毒解除とみなして、目標温
度を低温側目標温度に戻すことで、タイマのみを用い
て、制御を簡潔化できる。
められたタイムスケジュールに従って、目標温度を低温
側目標温度と高温側目標温度とに切換えることで、より
具体的には、目標温度を低温側目標温度に設定した状態
で、第１の所定時間経過したときに、被毒とみなして、
目標温度を高温側目標温度に切換え、この状態で第２の
所定時間経過したときに、被毒解除とみなして、目標温
度を低温側目標温度に戻すことで、タイマのみを用い
て、制御を簡潔化できる。
【００２０】請求項４、５に係る発明によれば、空燃比
センサ出力の反転周期は概ね一定であることを利用し、
センサ出力の反転回数を計測して、計測された反転回数
に従って、目標温度を低温側目標温度と高温側目標温度
とに切換えることで、より具体的には、目標温度を低温
側目標温度に設定した状態で、センサ出力の反転回数が
第１の所定値に達したときに、被毒とみなして、目標温
度を高温側目標温度に切換え、この状態でセンサ出力の
反転回数が第２の所定値に達したときに、被毒解除とみ
なして、目標温度を低温側目標温度に戻すことで、タイ
マによる制御と同等の制御を実現できる。
センサ出力の反転周期は概ね一定であることを利用し、
センサ出力の反転回数を計測して、計測された反転回数
に従って、目標温度を低温側目標温度と高温側目標温度
とに切換えることで、より具体的には、目標温度を低温
側目標温度に設定した状態で、センサ出力の反転回数が
第１の所定値に達したときに、被毒とみなして、目標温
度を高温側目標温度に切換え、この状態でセンサ出力の
反転回数が第２の所定値に達したときに、被毒解除とみ
なして、目標温度を低温側目標温度に戻すことで、タイ
マによる制御と同等の制御を実現できる。
【００２１】請求項６に係る発明によれば、被毒判定手
段により被毒無しと判定されたときに、目標温度を低温
側目標温度に設定し、被毒有りと判定されたときに、目
標温度を高温側目標温度に設定することで、内燃機関の
使用環境や燃料性状等によりセンサ素子被毒に至る時間
のバラツキがある場合に、最適制御により、ヒータ消費
電力の節減と被毒解消による制御性能向上とを高次元で
両立できる。
段により被毒無しと判定されたときに、目標温度を低温
側目標温度に設定し、被毒有りと判定されたときに、目
標温度を高温側目標温度に設定することで、内燃機関の
使用環境や燃料性状等によりセンサ素子被毒に至る時間
のバラツキがある場合に、最適制御により、ヒータ消費
電力の節減と被毒解消による制御性能向上とを高次元で
両立できる。
【００２２】請求項７に係る発明によれば、被毒により
空燃比センサ出力の反転周期が長くなることから、セン
サ出力の反転周期を計測して、これに基づいて被毒の有
無を判定することにより、被毒の影響を直接的に監視し
て、正確な被毒判定が可能となる。
空燃比センサ出力の反転周期が長くなることから、セン
サ出力の反転周期を計測して、これに基づいて被毒の有
無を判定することにより、被毒の影響を直接的に監視し
て、正確な被毒判定が可能となる。
【００２３】請求項８に係る発明によれば、素子温度計
測に際し、空燃比センサのセンサ素子に素子温度計測用
の所定の電圧を一時的に印加し、このときのセンサ出力
に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出し、この内部抵
抗に基づいて素子温度を算出することで、素子温度を的
確に計測（推定）することが可能となる。
測に際し、空燃比センサのセンサ素子に素子温度計測用
の所定の電圧を一時的に印加し、このときのセンサ出力
に基づいてセンサ素子の内部抵抗を算出し、この内部抵
抗に基づいて素子温度を算出することで、素子温度を的
確に計測（推定）することが可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て説明する。図２は内燃機関の空燃比フィードバック制
御装置のシステム図である。
て説明する。図２は内燃機関の空燃比フィードバック制
御装置のシステム図である。
【００２５】内燃機関（以下エンジンという）１には、
各気筒毎に、吸気通路２又は燃焼室内に臨むように、燃
料噴射弁３が設けられ、各燃料噴射弁３の燃料噴射はコ
ントロールユニット４により制御される。
各気筒毎に、吸気通路２又は燃焼室内に臨むように、燃
料噴射弁３が設けられ、各燃料噴射弁３の燃料噴射はコ
ントロールユニット４により制御される。
【００２６】コントロールユニット４は、例えば、エア
フローメータ５からの信号に基づいて検出される吸入空
気量Ｑａと、クランク角センサ６からの信号に基づいて
検出されるエンジン回転数Ｎｅとから、ストイキ（λ＝
１）相当の基本燃料噴射量Ｔｐ＝Ｋ×Ｑａ／Ｎｅ（Ｋは
定数）を演算し、これを目標空燃比ｔλの他、排気通路
７に配置した空燃比センサ８からの信号に基づく空燃比
フィードバック補正係数αにより補正して、最終的な燃
料噴射量Ｔｉ＝Ｔｐ×（１／ｔλ）×αを演算し、この
Ｔｉに対応するパルス幅の燃料噴射パルスを、エンジン
回転に同期して、各燃料噴射弁３に出力する。
フローメータ５からの信号に基づいて検出される吸入空
気量Ｑａと、クランク角センサ６からの信号に基づいて
検出されるエンジン回転数Ｎｅとから、ストイキ（λ＝
１）相当の基本燃料噴射量Ｔｐ＝Ｋ×Ｑａ／Ｎｅ（Ｋは
定数）を演算し、これを目標空燃比ｔλの他、排気通路
７に配置した空燃比センサ８からの信号に基づく空燃比
フィードバック補正係数αにより補正して、最終的な燃
料噴射量Ｔｉ＝Ｔｐ×（１／ｔλ）×αを演算し、この
Ｔｉに対応するパルス幅の燃料噴射パルスを、エンジン
回転に同期して、各燃料噴射弁３に出力する。
【００２７】ここで、空燃比センサ８は、排気通路７に
配置されて、排気中の酸素濃度に応じた信号を出力する
もので、コントロールユニット４は、空燃比センサ８か
らの信号に基づいて、エンジン１に供給されている混合
気の空燃比λを検出し、これが目標空燃比ｔλとなるよ
うに、空燃比フィードバック補正係数αを比例積分制御
などにより増減設定することで、空燃比λを目標空燃比
ｔλにフィードバック制御する。
配置されて、排気中の酸素濃度に応じた信号を出力する
もので、コントロールユニット４は、空燃比センサ８か
らの信号に基づいて、エンジン１に供給されている混合
気の空燃比λを検出し、これが目標空燃比ｔλとなるよ
うに、空燃比フィードバック補正係数αを比例積分制御
などにより増減設定することで、空燃比λを目標空燃比
ｔλにフィードバック制御する。
【００２８】また、空燃比センサ８としては、空燃比に
応じて出力電圧が連続的に変化することで空燃比をリニ
アに検出可能ないわゆる広域型空燃比センサであって、
図３に示すようにセンサ素子１１加熱用のヒータ１２を
備えるものを用いる。
応じて出力電圧が連続的に変化することで空燃比をリニ
アに検出可能ないわゆる広域型空燃比センサであって、
図３に示すようにセンサ素子１１加熱用のヒータ１２を
備えるものを用いる。
【００２９】図３は空燃比センサ８のセンサ素子１１及
びセンサ素子加熱用のヒータ１２に対する制御回路を示
している。空燃比センサ８のセンサ素子１１は、空燃比
に応じて出力電圧Ｖｓが連続的に変化し、その出力Ｖｓ
はコントロールユニット４に入力される。
びセンサ素子加熱用のヒータ１２に対する制御回路を示
している。空燃比センサ８のセンサ素子１１は、空燃比
に応じて出力電圧Ｖｓが連続的に変化し、その出力Ｖｓ
はコントロールユニット４に入力される。
【００３０】また、センサ素子１１には、素子温度計測
用（内部抵抗計測用）の所定の電圧Ｖcc（例えば５Ｖ）
がスイッチング素子１３及び基準抵抗Ｒ０を介して印加
されるようになっている。従って、素子温度計測時に、
スイッチング素子１３がＯＮとなると、センサ素子１１
の出力Ｖｓに素子温度計測用の電圧分が重畳される。
用（内部抵抗計測用）の所定の電圧Ｖcc（例えば５Ｖ）
がスイッチング素子１３及び基準抵抗Ｒ０を介して印加
されるようになっている。従って、素子温度計測時に、
スイッチング素子１３がＯＮとなると、センサ素子１１
の出力Ｖｓに素子温度計測用の電圧分が重畳される。
【００３１】ヒータ１２には、バッテリ電圧ＶＢを印加
するが、通電回路中にスイッチング素子１４を設けてあ
る。コントロールユニット４内のＣＰＵ１５は、素子温
度計測用電圧印加用のスイッチング素子１３のＯＮ・Ｏ
ＦＦを制御しつつ、所定のタイミングで、センサ素子１
１の出力Ｖｓをフィルタ（平滑化回路）１６及びＡ／Ｄ
変換器１７を介して読込む。
するが、通電回路中にスイッチング素子１４を設けてあ
る。コントロールユニット４内のＣＰＵ１５は、素子温
度計測用電圧印加用のスイッチング素子１３のＯＮ・Ｏ
ＦＦを制御しつつ、所定のタイミングで、センサ素子１
１の出力Ｖｓをフィルタ（平滑化回路）１６及びＡ／Ｄ
変換器１７を介して読込む。
【００３２】また、ＣＰＵ１５は、Ｄ／Ａ変換器１８を
介して、ヒータ制御用のスイッチング素子１４のＯＮ・
ＯＦＦをデューティ制御することにより、ヒータ１２へ
の通電量を制御する。
介して、ヒータ制御用のスイッチング素子１４のＯＮ・
ＯＦＦをデューティ制御することにより、ヒータ１２へ
の通電量を制御する。
【００３３】次にＣＰＵ１５の制御内容をフローチャー
トにより説明する。図４は素子温度計測ルーチンのフロ
ーチャートであり、所定のクランク角周期で実行され
る。本ルーチンが素子温度計測手段に相当する。
トにより説明する。図４は素子温度計測ルーチンのフロ
ーチャートであり、所定のクランク角周期で実行され
る。本ルーチンが素子温度計測手段に相当する。
【００３４】ステップ１（図にはＳ１と記す。以下同
様）では、空燃比を検出すべく、センサ出力Ｖｓを読込
み、Ｖaf＝Ｖｓとして、これに基づいて空燃比λを検出
する。ステップ２では、スイッチング素子１３をＯＮに
して、センサ素子１１への素子温度計測用電圧Ｖccの印
加を開始する。すなわち、空燃比検出用のセンサ出力の
読込み直後より、素子温度計測用電圧Ｖccの印加を開始
する。この部分が素子温度計測用電圧印加手段に相当す
る。
様）では、空燃比を検出すべく、センサ出力Ｖｓを読込
み、Ｖaf＝Ｖｓとして、これに基づいて空燃比λを検出
する。ステップ２では、スイッチング素子１３をＯＮに
して、センサ素子１１への素子温度計測用電圧Ｖccの印
加を開始する。すなわち、空燃比検出用のセンサ出力の
読込み直後より、素子温度計測用電圧Ｖccの印加を開始
する。この部分が素子温度計測用電圧印加手段に相当す
る。
【００３５】ステップ３では、素子温度計測用電圧の印
加開始から所定時間後に、センサ素子１１の内部抵抗を
計測すべく、センサ出力Ｖｓを読込み、Ｖｒ＝Ｖｓとす
る。ステップ４では、電圧印加中のセンサ出力Ｖｒを電
圧印加直前のセンサ出力Ｖafにより補正する。具体的に
は、電圧印加中のセンサ出力Ｖｒから電圧印加直前のセ
ンサ出力Ｖafを減算して、補正後センサ出力Ｖｒ＝Ｖｒ
−Ｖafを求める。
加開始から所定時間後に、センサ素子１１の内部抵抗を
計測すべく、センサ出力Ｖｓを読込み、Ｖｒ＝Ｖｓとす
る。ステップ４では、電圧印加中のセンサ出力Ｖｒを電
圧印加直前のセンサ出力Ｖafにより補正する。具体的に
は、電圧印加中のセンサ出力Ｖｒから電圧印加直前のセ
ンサ出力Ｖafを減算して、補正後センサ出力Ｖｒ＝Ｖｒ
−Ｖafを求める。
【００３６】ステップ５では、補正後センサ出力Ｖｒに
基づいて、センサ素子１１の内部抵抗Ｒｓを算出する。
この部分が内部抵抗算出手段に相当する。具体的には、
センサ素子１１に流れる電流をｉとし、Ｖｓ＝Ｖｒとす
ると、 Ｖｒ＝ｉ×Ｒｓ Ｖcc−Ｖｒ＝ｉ×Ｒ０ であるので、両式より、 Ｒｓ＝Ｖｒ／〔（Ｖcc−Ｖｒ）／Ｒ０〕 として、内部抵抗Ｒｓを算出する。
基づいて、センサ素子１１の内部抵抗Ｒｓを算出する。
この部分が内部抵抗算出手段に相当する。具体的には、
センサ素子１１に流れる電流をｉとし、Ｖｓ＝Ｖｒとす
ると、 Ｖｒ＝ｉ×Ｒｓ Ｖcc−Ｖｒ＝ｉ×Ｒ０ であるので、両式より、 Ｒｓ＝Ｖｒ／〔（Ｖcc−Ｖｒ）／Ｒ０〕 として、内部抵抗Ｒｓを算出する。
【００３７】ステップ６では、センサ素子１１の内部抵
抗Ｒｓより、テーブルを参照するなどして、素子温度Ｔ
ｓを算出する。素子温度Ｔｓが高くなるほど、内部抵抗
Ｒｓが減少するので、内部抵抗Ｒｓより、素子温度Ｔｓ
を算出可能だからである。この部分が素子温度算出手段
に相当する。
抗Ｒｓより、テーブルを参照するなどして、素子温度Ｔ
ｓを算出する。素子温度Ｔｓが高くなるほど、内部抵抗
Ｒｓが減少するので、内部抵抗Ｒｓより、素子温度Ｔｓ
を算出可能だからである。この部分が素子温度算出手段
に相当する。
【００３８】ステップ７では、素子温度計測用電圧の印
加開始から所定時間後に、スイッチング素子１３をＯＦ
Ｆにすることで、センサ素子１１への素子温度計測用電
圧Ｖccの印加を停止（終了）する。
加開始から所定時間後に、スイッチング素子１３をＯＦ
Ｆにすることで、センサ素子１１への素子温度計測用電
圧Ｖccの印加を停止（終了）する。
【００３９】図５はヒータ制御ルーチンのフローチャー
トであり、通常運転中に所定時間毎に実行される。本ル
ーチンがヒータ通電量制御手段に相当する。ステップ１
１では、図４のルーチンにより算出されている最新の素
子温度Ｔｓを読込む。
トであり、通常運転中に所定時間毎に実行される。本ル
ーチンがヒータ通電量制御手段に相当する。ステップ１
１では、図４のルーチンにより算出されている最新の素
子温度Ｔｓを読込む。
【００４０】ステップ１２では、後述する図６、図７又
は図８のルーチンにより設定される目標温度（低温側目
標温度ＴＬ又は高温側目標温度ＴＨ）を読込む。ステッ
プ１３では、実際の素子温度Ｔｓと目標温度との偏差に
応じて、周知のＰＩＤ制御により、素子温度Ｔｓを目標
温度に近づけるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹ
（％）を算出する。
は図８のルーチンにより設定される目標温度（低温側目
標温度ＴＬ又は高温側目標温度ＴＨ）を読込む。ステッ
プ１３では、実際の素子温度Ｔｓと目標温度との偏差に
応じて、周知のＰＩＤ制御により、素子温度Ｔｓを目標
温度に近づけるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹ
（％）を算出する。
【００４１】具体的には、実際の素子温度Ｔｓが目標温
度より低い場合は、ヒータ１２への通電量（通電時間割
合）を増大させるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹ
を増大させ、逆に、実際の素子温度Ｔｓが目標温度より
高い場合は、ヒータ１２への通電量（通電時間割合）を
減少させるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹを減少
させる。
度より低い場合は、ヒータ１２への通電量（通電時間割
合）を増大させるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹ
を増大させ、逆に、実際の素子温度Ｔｓが目標温度より
高い場合は、ヒータ１２への通電量（通電時間割合）を
減少させるように、ヒータデューティＨＤＵＴＹを減少
させる。
【００４２】ステップ１４では、算出されたヒータデュ
ーティＨＤＵＴＹを出力し、これによりスイッチング素
子１４のＯＮ・ＯＦＦでヒータ１２への通電量を制御し
て、素子温度Ｔｓを目標温度に収束させる。
ーティＨＤＵＴＹを出力し、これによりスイッチング素
子１４のＯＮ・ＯＦＦでヒータ１２への通電量を制御し
て、素子温度Ｔｓを目標温度に収束させる。
【００４３】ここにおいて、本発明では、ヒータ１２へ
の通電量制御による空燃比センサ８の素子温度のフィー
ドバック制御に際し、目標温度を、低温側目標温度ＴＬ
と高温側目標温度ＴＨとに交互に切換える。時間割合で
見れば、基本的には低温側目標温度ＴＬに設定し、一時
的に高温側目標温度ＴＨに切換える。
の通電量制御による空燃比センサ８の素子温度のフィー
ドバック制御に際し、目標温度を、低温側目標温度ＴＬ
と高温側目標温度ＴＨとに交互に切換える。時間割合で
見れば、基本的には低温側目標温度ＴＬに設定し、一時
的に高温側目標温度ＴＨに切換える。
【００４４】ここでいう低温側目標温度ＴＬとは、空燃
比センサの活性温度範囲での下限付近の温度（例えば３
５０℃）であって、センサ素子の被毒の可能性のある温
度である。また、高温側目標温度ＴＨとは、センサ素子
の被毒を解消可能な温度である（例えば７５０℃）。
比センサの活性温度範囲での下限付近の温度（例えば３
５０℃）であって、センサ素子の被毒の可能性のある温
度である。また、高温側目標温度ＴＨとは、センサ素子
の被毒を解消可能な温度である（例えば７５０℃）。
【００４５】図６は第１実施形態での目標温度設定ルー
チンのフローチャートである。本ルーチンが目標温度切
換手段に相当する。ステップ２１では、先ず、目標温度
を低温側目標温度ＴＬ（例えば３５０℃）に設定する。
チンのフローチャートである。本ルーチンが目標温度切
換手段に相当する。ステップ２１では、先ず、目標温度
を低温側目標温度ＴＬ（例えば３５０℃）に設定する。
【００４６】そして、ステップ２２では、目標温度を低
温側目標温度ＴＬに設定した状態で、第１の所定時間Ａ
経過したか否かを判定する。第１の所定時間Ａ内であれ
ば、目標温度を低温側目標温度ＴＬに維持し、第１の所
定時間Ａ経過した時点で、ステップ２３へ進む。
温側目標温度ＴＬに設定した状態で、第１の所定時間Ａ
経過したか否かを判定する。第１の所定時間Ａ内であれ
ば、目標温度を低温側目標温度ＴＬに維持し、第１の所
定時間Ａ経過した時点で、ステップ２３へ進む。
【００４７】ステップ２３では、目標温度をセンサ素子
が被毒から回復可能な高温側目標温度ＴＨ（例えば７５
０℃）に切換える。そして、ステップ２４では、目標温
度を高温側目標温度ＴＨに設定した状態で、第２の所定
時間Ｂ経過したか否かを判定する。
が被毒から回復可能な高温側目標温度ＴＨ（例えば７５
０℃）に切換える。そして、ステップ２４では、目標温
度を高温側目標温度ＴＨに設定した状態で、第２の所定
時間Ｂ経過したか否かを判定する。
【００４８】第２の所定時間Ｂ内であれば、目標温度を
低温側目標温度ＴＨに維持し、第２の所定時間Ｂ経過し
た時点で、ステップ２１へ戻り、再び目標温度を低温側
目標温度ＴＬに切換える。
低温側目標温度ＴＨに維持し、第２の所定時間Ｂ経過し
た時点で、ステップ２１へ戻り、再び目標温度を低温側
目標温度ＴＬに切換える。
【００４９】このように、ヒータ１２への通電量制御に
よる空燃比センサ８の素子温度のフィードバック制御に
際し、目標温度をタイムスケジュールに従って交互に切
換え、可能な限り目標温度を低温側目標温度ＴＬに設定
して、ヒータ１２での消費電力の節減を図る一方、低温
側目標温度ＴＬでは被毒の可能性があるので、低温側目
標温度ＴＬで第１の所定時間Ａ経過したときに、一時的
に（第２の所定時間Ｂの間）、目標温度を高温側目標温
度ＴＨに切換えて、被毒からの回復を図るのである。
尚、前記第１の所定時間Ａは概ね時間オーダーであるの
に対し、前記第２の所定時間Ｂは概ね分オーダーである
（Ｂ＜Ａ）。
よる空燃比センサ８の素子温度のフィードバック制御に
際し、目標温度をタイムスケジュールに従って交互に切
換え、可能な限り目標温度を低温側目標温度ＴＬに設定
して、ヒータ１２での消費電力の節減を図る一方、低温
側目標温度ＴＬでは被毒の可能性があるので、低温側目
標温度ＴＬで第１の所定時間Ａ経過したときに、一時的
に（第２の所定時間Ｂの間）、目標温度を高温側目標温
度ＴＨに切換えて、被毒からの回復を図るのである。
尚、前記第１の所定時間Ａは概ね時間オーダーであるの
に対し、前記第２の所定時間Ｂは概ね分オーダーである
（Ｂ＜Ａ）。
【００５０】従って、ヒータ１２での消費電量を最小限
に押さえつつ、センサ素子の被毒による影響を回避する
ことができる。また、この第１実施形態では、低温側目
標温度での経過時間により被毒状態を判定しており、タ
イマのみの簡単な制御で実施できて、制御の簡潔化を図
ることができ、しかもセンサ出力を見る方式ではセンサ
出力に重畳するノイズ等の影響を受けるが、これもない
という利点がある。
に押さえつつ、センサ素子の被毒による影響を回避する
ことができる。また、この第１実施形態では、低温側目
標温度での経過時間により被毒状態を判定しており、タ
イマのみの簡単な制御で実施できて、制御の簡潔化を図
ることができ、しかもセンサ出力を見る方式ではセンサ
出力に重畳するノイズ等の影響を受けるが、これもない
という利点がある。
【００５１】尚、空燃比センサの被毒及び被毒解除のメ
カニズムは、次の通りである。 （１）被毒のメカニズム 大気やオイルに含まれているＳｉＯ2 、活性Ｓｉ、活性
Ｐ、活性Ｚｒ等が、排気ガスを通じて、センサ素子表面
（ジルコニア上のＰｔ電極を覆う保護層の表面）に付着
する。その後、保護層の中に入り、保護層を目詰まりさ
せることで、ガス透過性を低下させたり、更にはＰｔ電
極に達して付着することにより、Ｐｔ電極表面上でのＯ
2 イオンの移動を阻害したりする。
カニズムは、次の通りである。 （１）被毒のメカニズム 大気やオイルに含まれているＳｉＯ2 、活性Ｓｉ、活性
Ｐ、活性Ｚｒ等が、排気ガスを通じて、センサ素子表面
（ジルコニア上のＰｔ電極を覆う保護層の表面）に付着
する。その後、保護層の中に入り、保護層を目詰まりさ
せることで、ガス透過性を低下させたり、更にはＰｔ電
極に達して付着することにより、Ｐｔ電極表面上でのＯ
2 イオンの移動を阻害したりする。
【００５２】（２）被毒解除のメカニズム 素子温度を７５０℃以上に高くすると、素子に付着して
いた活性Ｓｉや活性Ｐ等の活性化エネルギーが増えるた
め、これらが保護層やＰｔ電極に付着していられなくな
り、飛び去ってしまう。
いた活性Ｓｉや活性Ｐ等の活性化エネルギーが増えるた
め、これらが保護層やＰｔ電極に付着していられなくな
り、飛び去ってしまう。
【００５３】次に本発明の他の実施形態について説明す
る。図７は第２実施形態での目標温度設定ルーチンのフ
ローチャートであり、図６のフローに代えて実行され
る。本ルーチンが目標温度切換手段に相当する。
る。図７は第２実施形態での目標温度設定ルーチンのフ
ローチャートであり、図６のフローに代えて実行され
る。本ルーチンが目標温度切換手段に相当する。
【００５４】ステップ３１では、先ず、目標温度を低温
側目標温度ＴＬに設定する。そして、ステップ３２で
は、目標温度を低温側目標温度ＴＬに設定した状態で
の、センサ出力の反転回数を計測し（センサ出力反転回
数計測手段）、ステップ３３では、反転回数が第１の所
定値Ａ以上となったか否かを判定する。
側目標温度ＴＬに設定する。そして、ステップ３２で
は、目標温度を低温側目標温度ＴＬに設定した状態で
の、センサ出力の反転回数を計測し（センサ出力反転回
数計測手段）、ステップ３３では、反転回数が第１の所
定値Ａ以上となったか否かを判定する。
【００５５】第１の所定値Ａ未満であれば、目標温度を
低温側目標温度ＴＬに維持して、反転回数の計測を続
け、第１の所定値Ａに達した時点で、ステップ３４へ進
む。ステップ３４では、目標温度をセンサ素子が被毒か
ら回復可能な高温側目標温度ＴＨに切換える。
低温側目標温度ＴＬに維持して、反転回数の計測を続
け、第１の所定値Ａに達した時点で、ステップ３４へ進
む。ステップ３４では、目標温度をセンサ素子が被毒か
ら回復可能な高温側目標温度ＴＨに切換える。
【００５６】そして、ステップ３５では、目標温度を高
温側目標温度ＴＨに設定した状態での、センサ出力の反
転回数を計測し（センサ出力反転回数計測手段）、ステ
ップ３６では、反転回数が第２の所定値Ｂ以上となった
か否かを判定する。Ｂ＜Ａである。
温側目標温度ＴＨに設定した状態での、センサ出力の反
転回数を計測し（センサ出力反転回数計測手段）、ステ
ップ３６では、反転回数が第２の所定値Ｂ以上となった
か否かを判定する。Ｂ＜Ａである。
【００５７】第２の所定値Ｂ未満であれば、目標温度を
高温側目標温度ＴＨに維持して、反転回数の計測を続
け、第２の所定値Ｂに達した時点で、ステップ３１へ戻
り、再び目標温度を低温側目標温度ＴＬに切換える。
高温側目標温度ＴＨに維持して、反転回数の計測を続
け、第２の所定値Ｂに達した時点で、ステップ３１へ戻
り、再び目標温度を低温側目標温度ＴＬに切換える。
【００５８】この第２実施形態は、空燃比センサのセン
サ出力の反転周期は概ね一定であることを利用し、第１
実施形態でタイマを用いて時間判定を行っていた部分
を、センサ出力の反転回数のカウント値に基づいて行う
ようにしたものであり、第１実施形態と同様の効果が得
られる。
サ出力の反転周期は概ね一定であることを利用し、第１
実施形態でタイマを用いて時間判定を行っていた部分
を、センサ出力の反転回数のカウント値に基づいて行う
ようにしたものであり、第１実施形態と同様の効果が得
られる。
【００５９】図８は第３実施形態での目標温度設定ルー
チンのフローチャートであり、図６のフローに代えて実
行される。本ルーチンが目標温度切換手段に相当する。
ステップ４１では、先ず、目標温度を低温側目標温度Ｔ
Ｌに設定する。
チンのフローチャートであり、図６のフローに代えて実
行される。本ルーチンが目標温度切換手段に相当する。
ステップ４１では、先ず、目標温度を低温側目標温度Ｔ
Ｌに設定する。
【００６０】そして、ステップ４２では、目標温度を低
温側目標温度ＴＬに設定した状態での、センサ出力の反
転周期を計測し、ステップ４３では、反転周期が第１の
所定値Ａ以上となったか否かを判定する。
温側目標温度ＴＬに設定した状態での、センサ出力の反
転周期を計測し、ステップ４３では、反転周期が第１の
所定値Ａ以上となったか否かを判定する。
【００６１】第１の所定値Ａ未満であれば、目標温度を
低温側目標温度ＴＬに維持して、反転周期の計測を続
け、第１の所定値Ａ以上となった時点で、被毒とみなし
て、ステップ４４へ進む。
低温側目標温度ＴＬに維持して、反転周期の計測を続
け、第１の所定値Ａ以上となった時点で、被毒とみなし
て、ステップ４４へ進む。
【００６２】ステップ４４では、目標温度をセンサ素子
が被毒から回復可能な高温側目標温度ＴＨに切換える。
そして、ステップ４５では、目標温度を高温側目標温度
ＴＨに設定した状態での、センサ出力の反転周期を計測
し、ステップ４６では、反転周期が第２の所定値Ｂ以下
となったか否かを判定する。第２の所定値Ｂは、第１の
所定値Ａに対しヒステリシスを付けたもので、第１の所
定値Ａよりヒステリシス分小さく設定される。
が被毒から回復可能な高温側目標温度ＴＨに切換える。
そして、ステップ４５では、目標温度を高温側目標温度
ＴＨに設定した状態での、センサ出力の反転周期を計測
し、ステップ４６では、反転周期が第２の所定値Ｂ以下
となったか否かを判定する。第２の所定値Ｂは、第１の
所定値Ａに対しヒステリシスを付けたもので、第１の所
定値Ａよりヒステリシス分小さく設定される。
【００６３】第２の所定値Ｂを超えていれば、目標温度
を高温側目標温度ＴＨに維持して、反転周期の計測を続
け、第２の所定値Ｂ以下となった時点で、被毒解除とみ
なして、ステップ４１へ戻り、再び目標温度を低温側目
標温度ＴＬに切換える。
を高温側目標温度ＴＨに維持して、反転周期の計測を続
け、第２の所定値Ｂ以下となった時点で、被毒解除とみ
なして、ステップ４１へ戻り、再び目標温度を低温側目
標温度ＴＬに切換える。
【００６４】ここで、ステップ４２，４５の部分がセン
サ出力反転周期計測手段に相当し、ステップ４３，４６
の部分が被毒判定手段に相当する。この第３実施形態
は、空燃比センサが被毒すると、図９に示すように、リ
ッチ→リーンの素子の応答性が低下し、センサ出力の反
転周期ＴRVが長くなることから、反転周期を計測して、
所定値未満であれば，被毒無しと判定して、低温側目標
温度ＴＬに設定することで、ヒータ消費電力の節減を図
り、所定値以上であれば、被毒有りと判定して、高温側
目標温度ＴＨに切換えることで、被毒からの回復を図る
のである。
サ出力反転周期計測手段に相当し、ステップ４３，４６
の部分が被毒判定手段に相当する。この第３実施形態
は、空燃比センサが被毒すると、図９に示すように、リ
ッチ→リーンの素子の応答性が低下し、センサ出力の反
転周期ＴRVが長くなることから、反転周期を計測して、
所定値未満であれば，被毒無しと判定して、低温側目標
温度ＴＬに設定することで、ヒータ消費電力の節減を図
り、所定値以上であれば、被毒有りと判定して、高温側
目標温度ＴＨに切換えることで、被毒からの回復を図る
のである。
【００６５】素子温度の目標温度設定をタイムスケジュ
ール設定で行った場合は、エンジンの使用環境やガソリ
ン性状等による素子被毒に至る時間のバラツキを考慮し
て、低温設定時間を短めに、高温設定時間を長めにしな
ければないが、この第３実施形態では、素子被毒の影響
を直接的に監視するため、上述のマージンは不要である
ため、ヒータ消費電力をより節減することが可能とな
る。
ール設定で行った場合は、エンジンの使用環境やガソリ
ン性状等による素子被毒に至る時間のバラツキを考慮し
て、低温設定時間を短めに、高温設定時間を長めにしな
ければないが、この第３実施形態では、素子被毒の影響
を直接的に監視するため、上述のマージンは不要である
ため、ヒータ消費電力をより節減することが可能とな
る。
【００６６】尚、被毒判定のための反転周期としては、
図９の反転周期ＴRVの他、リッチ→リーンの反転周期Ｔ
RLを計測してもよい。
図９の反転周期ＴRVの他、リッチ→リーンの反転周期Ｔ
RLを計測してもよい。
【図１】 本発明の構成を示す機能ブロック図
【図２】 本発明の実施形態を示すエンジンの空燃比フ
ィードバック制御装置のシステム図
ィードバック制御装置のシステム図
【図３】 空燃比センサのセンサ素子及びヒータに対す
る制御回路図
る制御回路図
【図４】 素子温度計測ルーチンのフローチャート
【図５】 ヒータ制御ルーチンのフローチャート
【図６】 第１実施形態での目標温度設定ルーチンのフ
ローチャート
ローチャート
【図７】 第２実施形態での目標温度設定ルーチンのフ
ローチャート
ローチャート
【図８】 第３実施形態での目標温度設定ルーチンのフ
ローチャート
ローチャート
【図９】 センサ素子の被毒と反転周期との関係を示す
図
図
１ エンジン ３ 燃料噴射弁 ４ コントロールユニット ７ 排気通路 ８ 空燃比センサ １１ センサ素子 １２ ヒータ １３ スイッチング素子 １４ スイッチング素子 １５ ＣＰＵ
Claims (8)
- 【請求項１】空燃比センサの素子温度を計測して、目標
温度となるように、空燃比センサに備えられるヒータへ
の通電量を制御する空燃比センサのヒータ制御装置にお
いて、 前記目標温度を低温側目標温度と高温側目標温度とに交
互に切換える目標温度切換手段を設けたことを特徴とす
る空燃比センサのヒータ制御装置。 - 【請求項２】前記目標温度切換手段は、予め定められた
タイムスケジュールに従って、目標温度を低温側目標温
度と高温側目標温度とに切換えることを特徴とする請求
項１記載の空燃比センサのヒータ制御装置。 - 【請求項３】前記目標温度切換手段は、第１の所定時
間、目標温度を低温側目標温度に設定し、第１の所定時
間経過後に、第２の所定時間、目標温度を高温側目標温
度に設定することを特徴とする請求項２記載の空燃比セ
ンサのヒータ制御装置。 - 【請求項４】前記目標温度切換手段は、空燃比センサ出
力の反転回数を計測する手段を有し、計測された反転回
数に従って、目標温度を低温側目標温度と高温側目標温
度とに切換えることを特徴とする請求項１記載の空燃比
センサのヒータ制御装置。 - 【請求項５】前記目標温度切換手段は、空燃比センサ出
力の反転回数が第１の所定値に達するまでの間、目標温
度を低温側目標温度に設定し、この後、空燃比センサ出
力の反転回数が第２の所定値に達するまでの間、目標温
度を高温側目標温度に設定することを特徴とする請求項
４記載の空燃比センサのヒータ制御装置。 - 【請求項６】前記目標温度切換手段は、空燃比センサの
被毒状態を判定する被毒判定手段を有し、被毒無しと判
定されたときに、目標温度を低温側目標温度に設定し、
被毒有りと判定されたときに、目標温度を高温側目標温
度に設定することを特徴とする請求項１記載の空燃比セ
ンサのヒータ制御装置。 - 【請求項７】前記被毒判定手段は、空燃比センサ出力の
反転周期を計測する手段を備え、計測された反転周期に
基づいて被毒の有無を判定することを特徴とする請求項
６記載の空燃比センサのヒータ制御装置。 - 【請求項８】空燃比センサの素子温度計測手段として、
空燃比センサのセンサ素子に素子温度計測用の所定の電
圧を一時的に印加する素子温度計測用電圧印加手段と、
前記電圧印加中のセンサ出力に基づいてセンサ素子の内
部抵抗を算出する内部抵抗算出手段と、算出された内部
抵抗に基づいて素子温度を算出する素子温度算出手段と
を備えることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれ
か１つに記載の空燃比センサのヒータ制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000147165A JP3764842B2 (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | 空燃比センサのヒータ制御装置 |
| DE2001124134 DE10124134A1 (de) | 2000-05-19 | 2001-05-17 | Erhitzersteuervorrichtung und Erhitzersteuerverfahren eines Luft/Kraftstoff-Verhältnis-Sensors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000147165A JP3764842B2 (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | 空燃比センサのヒータ制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001330583A true JP2001330583A (ja) | 2001-11-30 |
| JP3764842B2 JP3764842B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=18653380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000147165A Expired - Fee Related JP3764842B2 (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | 空燃比センサのヒータ制御装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3764842B2 (ja) |
| DE (1) | DE10124134A1 (ja) |
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| JP2009288014A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Toyota Motor Corp | ＮＯｘセンサ及びその劣化抑制回復制御装置 |
| JP2011144779A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Toyota Motor Corp | 内燃機関の空燃比気筒間インバランス判定装置 |
| CN102454459A (zh) * | 2010-11-02 | 2012-05-16 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 用于加热氧传感器的控制系统和方法 |
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| WO2022024948A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 株式会社デンソー | センサ制御装置 |
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|---|---|---|---|---|
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Citations (7)
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