JP2001329378A - 水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】間隔の狭いはんだ付けランド上でもはんだ付け
不良を起こすことのない水溶性プリフラックス、該膜を
形成したプリント回路基板、該回路の金属の表面処理方
法の提供。 【解決手段】ヨウ素系化合物、例えばヨウ化水素酸と例
えば式１、２の化合物とを含有する水溶性プリフラック
ス。 （式１中、ｎは０〜３。具体的には、２−（１−エチル
ペンチル）ベンズイミダゾール、２−（１−エチルペン
チル）トシルイミダゾール、２−（１−エチルペンチ
ル）キシリルイミダゾールが挙げられる。） （式２中、ｎは０〜３、具体的には、２−（３−メチル
ブチル）ベンズイミダゾール、２−（３−メチルブチ
ル）トシルイミダゾール、２−（３−メチルブチル）キ
シリルイミダゾールが挙げられる。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特にはんだ付時の溶融
はんだの濡れ広がりを向上させることができるようにし
たベンズイミダゾール系化合物の水溶性塩を含有する水
溶性プリフラックス、その膜を形成したプリント回路基
板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】プリント回路基板は、例えば銅張積層基
板に回路配線のパターンを形成したものであって、その
上に電子部品を搭載して一つの回路ユニットを形成でき
るようにしたものである。このようなプリント回路基板
には、その表面に回路配線を形成した回路パターンを有
し、その回路パターンに電子部品を搭載する表面実装型
のものが多く用いられているが、例えばその電子部品と
して両端に電極を有するチップ部品を搭載するには、プ
リント回路基板にフラックスを塗布した後、噴流はんだ
付方法やリフローはんだ付方法によりそのチップ部品を
はんだ付する。このようなチップ部品のはんだ付は、プ
リント回路基板の回路パターン形成後、すなわち銅張積
層基板の銅箔部分を所望の回路配線が得られるようにエ
ッチングし、その得られた回路のうちチップ部品をはん
だ付する、いわゆるはんだ付ランドの部分を残してソル
ダーレジスト膜により被覆し、さらにソフトエッチング
処理を行ってから直ぐに行われることもあるが、ソルダ
ーレジスト膜により被覆するまでの工程とその後のはん
だ付工程をそれぞれ独立に行い、ソルダーレジスト膜を
被覆したプリント回路基板を部品として保管した後には
んだ付工程を行なったり、流通させて他の業者がはんだ
付工程を行なうことがある。このような場合、はんだ付
工程を行うまでには多くの時間を経過することがあるの
で、露出しているはんだ付ランドの銅箔面は空気酸化さ
れ易く、特に湿気の多い場合は一層そのことが起こり易
く、その表面の酸化を防止するために酸化防止膜を形成
することが行われており、そのために表面保護剤が用い
られる。また、ソルダーレジスト膜を被覆したプリント
回路基板をその製造後間もなく使用する場合でも、電子
部品を両面実装する場合には、例えばリフローはんだ付
方法では、ソルダーペーストをはんだ付ランドに塗布し
た後はんだ粉末を溶融するには２６０℃のような高温加
熱を行うので、一方の面にはんだ付工程を行なっている
ときに、他方の面も高温に曝され、はんだ付ランドの銅
箔面は酸化され易くなることから、このような場合にも
酸化防止膜を形成する処理がなされる。

【０００３】このような表面保護剤により処理を行なう
場合や、プリント回路基板の一方の面のはんだ付工程に
伴って起こる加熱劣化を防止するために他方の面のはん
だ付ランドにも酸化防止処理を行なういずれの場合に
も、いわゆるプリフラックスが用いられており、その中
でも、有機溶剤を使用せず、公害や火災の危険のない水
溶性プリフラックスが好んで用いられている。従来、露
出しているはんだ付ランドの銅箔には、防錆処理をほど
こすことが行われており、これには特開平５−２５４０
７号公報、特開平５−１８６８８８号公報に記載されて
いるようにベンズイミダゾール系化合物を含有する水溶
性のプリント配線板用表面保護剤を水溶性プリフラック
スとして用いることが知られている。これら公報によれ
ば、その水溶性のプリント配線板用表面保護剤に、銅箔
の回路パターンが表面に形成されているプリント基板を
浸漬することにより、プリント回路基板の回路パターン
の銅及び銅合金表面に耐熱性被膜が形成され、また、高
湿度下に曝された後でも非常に良好な耐湿性を有する被
膜が形成され、プリント回路基板の保護並びに部品実装
時のはんだ付性に極めて優れており、ロジン等を含有す
るプリフラックスのようにその塗布膜が銅箔以外にも形
成され、部品実装後その洗浄をしなければ回路の高い信
頼性が得られないことがある場合に比べ、その必要がな
いことから生産性、性能等の点で優れている。また、こ
の表面保護剤のプリフラックスを改善したもの、すなわ
ちそのプリント配線板用表面保護剤の主成分であるベン
ズイミダゾール系化合物は一般には水には不溶性である
ので、その水溶性塩を形成する可溶化剤として塩酸、リ
ン酸等の無機酸又は酢酸、シュウ酸、パラトルエンスル
ホン酸等の有機酸を使用して可溶化しているため、これ
らの可溶化剤の酸がはんだの特に酸に弱い鉛を浸食し、
その膜厚を薄くしたり、その表面を酸化したりすること
により、部品実装時にリードの所定のはんだ付強度が得
られなくなることがあり、はんだ付不良を起こして実装
歩留まりを悪くするという問題がある点を改善したもの
として、特開平９−１８６８８８号公報には、アミノ酸
を可溶化剤として用い、上記の酸の使用を抑制あるいは
使用しないでもベンズイミダゾール系化合物を水溶化す
ることができることが示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のベンズイミダゾール系化合物を主体とした水溶性プリ
フラックスを用いても、はんだ付ランドにはんだペース
トを塗布し、加熱してはんだ粉末を溶融したときの溶融
はんだの濡れ広がりの点ではさらに性能の向上が望まれ
ることがある。特に、最近、プリント回路基板に対して
も、電子機器の小型、高性能化に伴って電子部品を高密
度に実装する高密度実装化に応える性能が要望されてお
り、それに伴って、はんだ付ランドの間隔を一段と狭く
した、例えば０．３〜０．４ｍｍ間隔のはんだ付ランド
にも良好に電子部品をはんだ付することが求められてい
るが、狭い間隔のはんだ付ランドにソルダーペーストを
塗布し、加熱すると、各はんだ付ランド上ではんだ粉末
の溶融により形成された溶融はんだの一部が接触し、そ
のまま冷やされることにより、はんだによるブリッジを
形成することがある。このはんだプリッジは回路のショ
ートになるので、はんだ付不良として製造物は不良品と
なり、熾烈な生産コストの低減を求められている業者に
とっては、上述したソルダーペースト膜の溶融時に起こ
ることがあるはんだブリッジの発生率を減少させ、生産
性の向上を図ることが重要である。この観点から、はん
だ付ランドの全面ではなく、その両端の部分を残してソ
ルダーペーストを通常より少なく塗布し、はんだ粉末が
溶融し液滴になろうとして中央に集まろうとしてもそれ
が大きくなり過ぎないようにして、隣接するはんだ付ラ
ンドの同様に形成された溶融はんだと接触しないように
することも行われているが、この場合にははんだ量が少
ないのではんだ付強度を損なうことがあるという別の大
きな問題を生じることがある。

【０００５】本発明の第１の目的は、はんだ付ランド、
特に間隔の狭いはんだ付ランドに溶融はんだが良く濡れ
広がることができるようにした水溶性プリフラックス、
プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処
理方法を提供することにある。本発明の第２の目的は、
両面実装する場合等に高温加熱されて劣化するはんだ付
ランドに対しても溶融はんだが良く濡れ広がることがで
きるようにした水溶性プリフラックス、プリント回路基
板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法を提供す
ることにある。本発明の第３の目的は、はんだブリッジ
の発生を減らすとともにはんだ付強度を十分にしてはん
だ付不良を減らすことにより生産性を向上することがで
きるようにした水溶性プリフラックス、プリント回路基
板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法を提供す
ることにある。本発明の第４の目的は、ベンズイミダゾ
ール系化合物を従来使用の酸を用いないで可溶化するこ
とができるとともに、上記各目的をよりよく達成するこ
とができるようにした水溶性プリフラックス、プリント
回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法を
提供することにある。本発明の第５の目的は、プリント
回路基板の回路パターンの銅及び銅合金表面に耐熱性を
有し、高湿度下に曝された後でも非常に良好な耐湿性を
有する被膜を形成し、プリント回路基板の保護並びに部
品実装時のはんだ付性に極めて優れるようにした水溶性
プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基
板の製造方法を提供することにある。本発明の第６の目
的は、従来の可溶化剤としての酸を用いた場合にはんだ
の酸化や鉛の浸食等によりはんだ付強度を低下すること
がある点を改善できるようにした水溶性プリフラック
ス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表
面処理方法を提供することにある。本発明の第７の目的
は、従来のベンズイミダゾール系化合物を用いた水溶性
プリフラックと同様な製造方法、使用方法が適用できる
水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント
回路基板の製造方法を提供することにある。本発明の第
８の目的は、各使用成分が温度変化により安定性を失な
うようなことがなく、揮発性の酸による作業環境が悪化
するようなことがないようにした水溶性プリフラック
ス、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法
を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、水溶性プリフラッ
クス膜を被覆したはんだ付ランドに対する溶融はんだの
濡れ広がり性が良いと、溶融はんだの量を少なくするこ
と、すなわちソルダーペーストの塗布量を少なくしても
所定のはんだ付強度が得られるとともに、はんだ付ラン
ド上の溶融はんだは、隣接のはんだ付ランドの同様の溶
融はんだとの接触が抑制され、はんだブリッジの発生を
抑制されることを見い出し、本発明をするに至ったもの
である。本発明は、（１）、下記一般式〔化１〕、〔化
２〕及び〔化３〕で表される化合物からなる群の少なく
とも１つの化合物と、ヨウ素系化合物を含有する水溶性
プリフラックスを提供するものである。

【化１】 （式中、Ｒ₁ は同一又は異なる炭素数１〜７の直鎖又は
分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子、アミノ基、ジ低級
アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、
シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル
基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコキシカル
ボニル基又はニトロ基、Ｒ₂ は直鎖又は分岐鎖のアルキ
ル基、Ｒ₃ はフェニル基又はアルキルフェニル基で同一
又は異なっていてもよく、ｎは０〜４、ｍは０〜３を表
す。）

【化２】 （式中、Ｒ₄ 、Ｒ₅ はそれぞれ同一又は異なる炭素数１
〜７の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子、ア
ミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級
アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、
カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級ア
ルコキシカルボニル基又はニトロ基を表し、Ｒ₅ は同一
又は異なる直鎖又は分岐鎖のアルキル基、フェニル基、
アルキルフェニル基又はフェニルアルキル基であっても
よく、ｎは０〜４、ｍは０〜１０、ｐは０〜４を表
す。）

【化３】 （式中、Ｒ、Ｒ₆ はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜
７の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ｎは０〜３、ｍは０
〜４、ｐは０〜３、ｑは０〜４を表す。） また、本発明は、（２）、上記一般式〔化１〕、〔化
２〕及び〔化３〕で表される化合物からなる群の少なく
とも１つの化合物と、ヨウ素系化合物と、アミン系化合
物を含有する水溶性プリフラックス、（３）、アミン系
化合物は上記一般式〔化１〕、〔化２〕及び〔化３〕で
表される化合物からなる群の少なくとも１つの化合物に
対して水溶性塩を形成可能の第１級アミノ基、第２級ア
ミノ基、第３級アミノ基及び窒素原子を含む環を持つ複
素環の少なくとも１つを有しかつ酸性基を有する化合物
からなる可溶化剤である上記（２）の水溶性プリフラッ
クス、（４）、ヨウ素系化合物がヨウ化水素酸、ヨウ化
水素酸の金属塩及びヨード化有機酸の少なくとも１種で
ある上記（１）ないし（３）のいずれかの水溶性プリフ
ラックス、（５）、可溶化剤が下記一般式〔化１１〕〜
〔化１６〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピログル
タミン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉酸、Ｄ
Ｌ−トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプトファ
ン、Ｌ−フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれらの
誘導体の群から選ばれる少なくとも１つの化合物である
上記（３）又は（４）の水溶性プリフラックス、

【化１１】 （式中、Ｒ₇ は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイ
ル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を表
し、Ｒ₈ は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分
岐のアルキレン基を示し、０であってもよく、ｎは０〜
４、ｍは１〜５を表す。）

【化１２】 （式中、Ｒ₉ は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイ
ル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を表
し、Ｒ₁₀は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分
岐のアルキレン基を示し、０であってもよく、ｎは０〜
４、ｍは１〜５を表す。）

【化１３】 （式中、Ｒ₁₁は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイ
ル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を表
し、Ｒ₁₂は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分
岐のアルキレン基を表し、０であってもよく、ｎは０〜
３、ｍは１〜４を表す。）

【化１４】 （式中、Ｒ₁₃は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイ
ル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を表
し、Ｒ₁₄は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分
岐のアルキレン基を表し、０であってもよく、ｎは０〜
３、ｍは１〜４を表す。）

【化１５】 （式中、Ｒ₁₅は同一又は異なる水素原子又は炭素数１〜
２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒド
ロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ ₁₆は同一又は異なる炭素数１〜２０の
直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、０であってもよ
く、ｎは０〜２、ｍは１〜３を表す。）

【化１６】 （式中、Ｒ₁₇、Ｒ₁₉はそれぞれ同一又は異なる水素原子
又は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロ
ゲン原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシル基、シア
ノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホ
ルミル基又はニトロ基を表し、Ｒ₁₈、Ｒ₂₀はそれぞれ同
一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキレ
ン基を表し、０であってもよく、ｎは０〜２、ｍは０〜
２、ｐは０〜４、ｑは０〜１、ｒは１〜２を表す。） （６）、表面に回路パターンの金属層を有するプリント
回路基板において、該金属層に上記（１）ないし（５）
のいずれかの水溶性プリフラックスの膜を有するプリン
ト回路基板、（７）、上記（１）ないし（５）のいずれ
かの水溶性プリフラックスを塗布する工程を有すること
によりプリント回路基板の回路パターンの金属層の防錆
処理を行なうプリント回路基板の金属の表面処理方法を
提供するものである。なお、「０であってもよく」と
は、その基を介さずにその両側の基が直接結合してもよ
いことを示す。

【０００７】本発明において、上記一般式〔化１〕に属
する好ましい化合物としては、下記の一般式〔化４〕で
表される化合物が挙げられる。

【０００８】

【化４】

【０００９】（式中、Ｒ₁₁は同一又は異なる炭素数１〜
７の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子、アミ
ノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級ア
ルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カ
ルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アル
コキシカルボニル基又はニトロ基、Ｒ₂₁は炭素数１〜２
０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ｎは０〜４の整数を
表す。） この一般式〔化４〕に属する化合物の内でも下記の一般
式〔化５〕、さらにこの一般式〔化５〕に属する一般式
〔化６〕、〔化７〕で表される化合物が好ましい。

【００１０】

【化５】

【００１１】（式中、Ｒ₁₂は同一又は異なっていてもよ
い低級アルキル基、Ｒ₂₂は炭素数３〜１７の直鎖又は分
岐鎖のアルキル基、ｎは１〜２を表す。）

【００１２】

【化６】

【００１３】（式中、ｎは０〜３を表す。） 具体的には、２−（１−エチルペンチル）ベンズイミダ
ゾール、２−（１−エチルペンチル）トシルイミダゾー
ル、２−（１−エチルペンチル）キシリルイミダゾール
が挙げられる。

【００１４】

【化７】

【００１５】（式中、ｎは０〜３を表す。） 具体的には、２−（３−メチルブチル）ベンズイミダゾ
ール、２−（３−メチルブチル）トシルイミダゾール、
２−（３−メチルブチル）キシリルイミダゾールが挙げ
られる。

【００１６】一般式〔化５〕に属するその他の具体的化
合物としては、２−ｎ−プロピル−メチルベンズイミダ
ゾール、２−ｎ−プロピル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ブチル−メチルベンズイミダゾール、２−
ｎ−ブチル−ジメチルベンズイミダゾール、２−ｎ−ペ
ンチル−メチルベンズイミダゾール、２−ｎ−ペンチル
−ジメチルベンズイミダゾール、２−ｎ−ヘキシル−メ
チルベンズイミダゾール、２−ｎ−ヘキシル−ジメチル
ベンズイミダゾール、２−ｎ−ヘプチル−メチルベンズ
イミダゾール、２−ｎ−ヘプチル−ジメチルベンズイミ
ダゾール、２−ｎ−オクチル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−オクチル−ジメチルベンズイミダゾール、
２−ｎ−ノニル−メチルベンズイミダゾール、２−ｎ−
ノニル−ジメチルベンズイミダゾール、２−ｎ−デシル
−メチルベンズイミダゾール、２−ｎ−デシル−ジメチ
ルベンズイミダゾール、２−ｎ−ウンデシル−メチルベ
ンズイミダゾール、２−ｎ−ウンデシル−ジメチルベン
ズイミダゾール、２−ｎ−ドデシル−メチルベンズイミ
ダゾール、２−ｎ−ドデシル−ジメチルベンズイミダゾ
ール、２−ｎ−トリデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−トリデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−テトラデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−テトラデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ペンタデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ペンタデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ヘキサデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ヘキサデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ヘプタデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ヘプタデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−イソプロピル−メチルベンズイミダゾール、２
−イソプロピル−ジメチルベンズイミダゾール、２−イ
ソブチル−メチルベンズイミダゾール、２−イソブチル
−ジメチルベンズイミダゾール、２−ｓｅｃ−ブチル−
メチルベンズイミダゾール、２−ｓｅｃ−ブチル−ジメ
チルベンズイミダゾール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−メチ
ルベンズイミダゾール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチ
ルベンズイミダゾール、２−イソペンチル−メチルベン
ズイミダゾール、２−イソペンチル−ジメチルベンズイ
ミダゾール、２−ネオペンチル−メチルベンズイミダゾ
ール、２−ネオペンチル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｔｅｒｔ−フェニル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｔｅｒｔ−フェニル−ジメチルベンズイミダゾ
ール、２−イソヘキシル−メチルベンズイミダゾール、
２−イソヘキシル−ジメチルベンズイミダゾール等が挙
げられる。

【００１７】また、上記一般式〔化５〕〜〔化７〕に属
さない一般式〔化４〕に属する好ましい具体的化合物と
しては、６−エトキシ−２−イソプロピルベンズイミダ
ゾール、６−アミノ−２−イソオクチルベンズイミダゾ
ール、４、６−ジアセチル−２−イソブチルベンズイミ
ダゾール、４−ベンゾイル−６−カルバモイル−２−ｎ
−プロピルベンズイミダゾール、４、７−ジメトキシカ
ルボニル−２−ｎ−エイコサベンズイミダゾール、６−
メトキシカルボニル−２−イソプロピルベンズイミダゾ
ール、４、５−ジメチル−７−アセチル−２−ヘキシル
ベンズイミダゾール、４−クロロ−６−ｎ−ヘプチル−
７−メトキシ−２−エチルベンズイミダゾール、４、６
−ジフルオロ−５−ホルミル−２−ｎ−ノニルベンズイ
ミダゾール、６−カルバモイル−４、７−ジエトキシ−
２−イソブチルベンズイミダゾール等及びこれらの塩が
挙げられる。上記一般式〔化１〕、〔化４〕〜〔化７〕
に属するより好ましい化合物としては、６−メチル−２
−ｎ−プロピルベンズイミダゾール、４、５、６、７−
テトラメチル−２−ｎ−ヘキシルベンズイミダゾール、
４、５、６、７−テトラメチル−２−ｎ−プロピルベン
ズイミダゾール、２−（３−メチルブチル）メチルベン
ズイミダゾール、２−（３−メチルブチル）ジメチルベ
ンズイミダゾール、２−（３−メチルブチル）ベンズイ
ミダゾール、２−（１−エチルペンチル）ベンズイミダ
ゾール、２−（１−エチルペンチル）トシルイミダゾー
ル、２−（１−メチルプロピル）ベンズイミダゾール、
５、６−ジクロロ−２−ｎ−ヘキシルベンズイミダゾー
ル、６−ジエチルアミノ−２−ｎ−デシルベンズイミダ
ゾール、６−ヒドロキシ−２−ｎ−エイコサベンズイミ
ダゾール、４、７−ジシアノ−２−ｎ−オクチルベンズ
イミダゾール、６−ニトロ−２−エチルベンズイミダゾ
ール、下記表１、２に示される化合物が挙げられる。な
お、上記の化合物のうち、６−メチル−２−ｎ−プロピ
ルベンズイミダゾール、４、５、６、７−テトラメチル
−２−ｎ−プロピルベンズイミダゾール、５、６−ジク
ロロ−２−ｎ−ヘキシルベンズイミダゾール、６−ジエ
チルアミノ−２−ｎ−デシルベンズイミダゾール、６−
ヒドロキシ−２−ｎ−エイコサベンズイミダゾール、
４、７−ジシアノ−２−ｎ−オクチルベンズイミダゾー
ル、６−ニトロ−２−エチルベンズイミダゾールは上記
一般式〔化５〕〜〔化７〕に属さない一般式〔化４〕に
属する化合物である。

【００１８】

【表１】

【００１９】

【表２】

【００２０】本発明において、上記一般式〔化２〕に属
する好ましい化合物としては、下記の一般式〔化８〕で
表される化合物が挙げられる。

【００２１】

【化８】

【００２２】（式中、Ｒ₅₁は同一又は異なっていてもよ
いアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基、フェ
ニルアルキル基、ｎは０〜３、ｍは０〜３を表す。） また、上記〔化２〕に属する好ましい化合物として〔化
９〕の化合物も挙げられる。

【００２３】

【化９】

【００２４】（Ｒ₄₁、Ｒ₅₂は同一又は異なる炭素数１〜
７個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子、ア
ミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、低級アル
コキシ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル
基、低級アルコキシカルボニル基、ホルミル基、カルボ
キシル基、ｎ、ｐは０〜４の整数、ｍは０〜１０の整数
を表す。） この〔化９〕に属する好ましい化合物としては、次の一
般式〔化１０〕の化合物が挙げられる。

【００２５】

【化１０】

【００２６】（式中、Ｒ₄₂、Ｒ₅₃は同一又は異なる低級
アルキル基、ｎ、ｍは０〜２を表す。） 具体的には、２−フェニル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−フェニル−ジメチルベンズイミダゾール、２−
トシル−メチルベンズイミダゾール、２−トシル−ジメ
チルベンズイミダゾール、２−キシリル−メチルベンズ
イミダゾール、２−キシリル−ジメチルベンズイミダゾ
ール、２−メシチル−メチルベンズイミダゾール、２−
メシチル−ジメチルベンズイミダゾール等が挙げられ
る。

【００２７】その他の上記一般式〔化９〕に属する好ま
しい具体的化合物としては、２−（８−フェニルオクチ
ル）ベンズイミダゾール、５，６−ジメチル−２−（２
−フェニルエチル）ベンズイミダゾール、４−クロロ−
２−（３−フェニルプロピル）ベンズイミダゾール、６
−ジメチルアミノ−２−（９−フェニルノニル）ベンズ
イミダゾール、４、７−ジヒドロキシ−２−ベンジルベ
ンズイミダゾール、４−シアル−２−（６−フェニルヘ
キシル）ベンズイミダゾール、５、６−ジニトロ−２−
ベンジルベンズイミダゾール、４、７−ジエトキシ−２
−（２−フェニルエチル）ベンズイミダゾール、６−ア
ミノ−２−（４−フェニルブチル）ベンズイミダゾー
ル、６−アセチル−２−ベンジルベンズイミダゾール、
４−ベンゾイル−２−（５−フェニルペンチル）ベンズ
イミダゾール、６−カルバモイル−２−（７−フェニル
ヘプチル）ベンズイミダゾール、６−エトキシカルボニ
ル−２−ベンジルベンズイミダゾール、４、５、６−ト
リメトキシ−２−（２−フェニルエチル）ベンズイミダ
ゾール、５、６−ジメチル−７−ベンゾイル−２−（３
−フェニルプロピル）ベンズイミダゾール、４、５−ジ
クロロ−６−ｎ−ブチル−２−（９−フェニルノニル）
ベンズイミダゾール、４−フルオロ−６−ホルミル−２
−ベンジルベンズイミダゾール、６−カルバモイル−５
−エトキシ−２−（１０−フェニルデシル）ベンズイミ
ダゾール、５、６−ジメチル−２−｛（４−メトキシフ
ェニル）ブチル｝ベンズイミダゾール、６−クロロ−２
−｛（２−ニトロフェニル）エチル｝ベンズイミダゾー
ル、６−カルボエトキシ−２−（３−ブロモベンジル）
ベンズイミダゾール、４−ヒドロキシ−２−｛（４−シ
アノフェニル）プロピル｝ベンズイミダゾール、６−ジ
メチルアミノ−２−｛（４−ホルミルフェニル）プロピ
ル｝ベンズイミダゾール、６−ベンゾイル−２−｛（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）エチル｝ベンズイミダゾ
ール、２−｛２−アセチルフェニル）ペンチル｝ベンズ
イミダゾール、６−カルバモイル−２−｛２、４−ジヒ
ドロキシフェニル）エチル｝ベンズイミダゾール等が挙
げられる。

【００２８】上記一般式〔化２〕、〔化８〕〜〔化１
０〕に属するより好ましい化合物としては、２−（８−
フェニルオクチル）ベンズイミダゾール、４−クロロ−
２−（３フェニルプロピル）ベンズイミダゾール、６−
ジメチルアミノ−２−（９−フェニルノニル）ベンズイ
ミダゾール、４、７−ジヒドロキシ−２−ベンジルベン
ズイミダゾール、４−シアノ−２−（６−フェニルヘキ
シル）ベンズイミダゾール、５、６−ジニトロ−２−ベ
ンジルベンズイミダゾール、４、７−ジエトキシ−２−
（２−フェニルエチル）ベンズイミダゾール、５、６−
ジメチル−２−｛（４−メトキシフェニル）ブチル｝ベ
ンズイミダゾール、６−クロロ−２−｛（２−ニトロフ
ェニル）エチル｝ベンズイミダゾール、６−カルボエト
キシ−２−（３−ブロモベンジル）ベンズイミダゾー
ル、４−ヒドロキシ−２−｛（４−シアノフェニル）プ
ロピル｝ベンズイミダゾール、６−ジメチルアミノ−２
−｛４−ホルミルフェニル）プロピル｝ベンズイミダゾ
ール、６−ベンゾイル−２−｛４−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）エチル｝ベンズイミダゾール、２−｛（２−ア
セチルフェル）ペンチル｝ベンズイミダゾール、６−カ
ルバモイル−２−｛（２、４−ジヒドロキシフェニル）
エチル｝ベンズイミダゾール、５、６−ジメチル−２−
（２−フェニルエチル）ベンズイミダゾール、下記表
３、４に記載された化合物が挙げられる。

【００２９】

【表３】

【００３０】

【表４】

【００３１】本発明において、上記一般式〔化３〕に属
するより好ましい化合物としては、下記表５に記載され
たものが挙げられる。なお、Ｒとしてはメチル基が、ｎ
としては０〜２が好ましい。

【００３２】

【表５】

【００３３】本発明においては、ソルダーペースト膜溶
融時の溶融はんだの濡れ広がり及びはんだ付性向上のた
めに、ヨウ素系化合物を添加してベンズイミダゾール系
化合物と併用するが、これにはヨウ化水素酸、その金属
塩、例えばヨウ化カリウム等のアルカリ金属塩、ヨウ化
亜鉛、ヨウ化銅等の重金属塩等、ヨードプロピオン酸等
のヨード化低級脂肪族一塩基酸、その多塩基酸等のヨー
ド化有機酸が挙げられる。ヨウ素系化合物の添加量は、
水溶性プリフラックス中に０．０５％〜５％（単に
「％」は質量％を示し、以下同様）添加することが好ま
しい。ヨウ素系化合物の溶解度を高め、添加量を増やす
ためには、アミン系化合物、特にアミノ酸等の酸性基を
有するアミン系化合物を併用すればよく、これによりソ
ルダーペースト膜溶融時の溶融はんだの濡れ広がり性及
びはんだ付性をさらに向上することができる。このアミ
ン系化合物の添加量としては、水溶性プリフラックス中
に０．０１％〜３％添加することが好ましい。酸性基を
有するアミン系化合物としては、次に述べる可溶化剤と
して用いられる化合物を用いることができる。

【００３４】本発明の水溶性プリフラックスは、上記の
一般式〔化１〕〜〔化１０〕で示される、いわゆるベン
ズイミダゾール系化合物を溶媒に溶解あるいは乳化させ
た状態にするのが使用上都合が良い。その溶媒としては
水あるいは水に混ざる溶剤さらにはこれらの混合物が挙
げられる。その際、ベンズイミダゾール系化合物は、一
般に水に不溶性であるので、可溶化剤として酸を用いる
が、その酸としては、その水溶性塩を形成可能の第１級
アミノ基、第２級アミノ基、第３級アミノ基及び窒素原
子を含む環を持つ複素環の少なくとも１つを有しかつ酸
性基を有する化合物を用いることが好ましいが、上記一
般式〔１１〕〜〔１６〕で表される化合物、Ｌ−テアニ
ン、ピログルタミン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン
酸、葉酸、ＤＬ−トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−ト
リプトファン、Ｌ−フェニルアラニン、キナルジン酸及
びこれらの誘導体の群から選ばれる少なくとも１つの化
合物であることが好ましい。上記一般式〔１１〕〜〔１
６〕で表される化合物の具体的化合物、Ｌ−テアニン等
は、それぞれ順に表６〜表１２に示されている。

【００３５】

【表６】

【００３６】

【表７】

【００３７】

【表７】

【００３８】

【表８】

【００３９】

【表９】

【００４０】

【表１０】

【００４１】

【表１１】

【００４２】

【表１２】

【００４３】

【表１２】

【００４４】これら酸性基を有するアミン系化合物は複
数併用することもできる。これらの化合物は可溶化剤と
して使用するときは、水に対して０．０１〜２０％、好
ましくは０．１〜５％添加する。これらの内、より好ま
しい化合物としては、アラニン、アミノドデカン酸、イ
ミノジ酢酸、アントラニル酸が挙げられる。上記の酸性
基を有するアミン系化合物を可溶化剤に使用すると、Ｑ
ＦＰ等の狭ピッチのリードを有する部品のためのはんだ
プリコート層や、はんだ付時のはんだ層の浸食がないよ
うにできる点で好ましいが、ヨウ素系化合物を使用する
ことにより、上述したはんだの濡れ広がり性及びはんだ
付性を向上させることを主にした場合には、従来使用さ
れている他の酸も単独又は上記のアミン系化合物等と併
用して使用することができる。この酸としては、ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、酪酸、グリコール酸、乳酸、クロ
ロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、ブロモ酢酸、
ジブロモ酢酸、フルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、トリフ
ルオロ酢酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、アジピン
酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、マレイン酸、フマー
ル酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の
有機酸、塩酸、硫酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、
硝酸等の無機酸が用いられてもよい。この場合のより好
ましい化合物としては、ギ酸、酒石酸が挙げられる。ま
た、水に混ざる溶剤としては、水に任意に混合する溶
剤、水に溶解性の大きい溶剤が挙げられるが、例えばメ
タノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノー
ル、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジメチルスルフォキシド、ジメチルホ
ルムアミド等が挙げられ、これらの溶剤を必要に応じて
適宜加えても良い。本発明の水溶性プリフラックスにお
ける、本発明に係わる上記ベンズイミダゾール系化合物
の含有量は、０．０５〜３０％、好ましくは０．１〜５
％が良く、０．０５％未満では有効な防錆膜が形成され
ず、３０％を越えると不溶解分が多くなり易く、経済的
でもない。

【００４５】本発明の水溶性プリフラックスには、さら
に銅との錯体被膜形成助剤として例えばギ酸銅、塩化第
一銅、塩化第二銅、シュウ酸銅、酢酸銅、水酸化銅、酸
化銅、酸化第一銅、酸化第二銅、炭酸銅、リン酸銅、硫
酸銅、ギ酸マンガン、塩化マンガン、シュウ酸マンガ
ン、硫酸マンガン、リチウム、ベリリウム、カリウム、
マグネシウム、酢酸亜鉛、酢酸鉛、水素化亜鉛、塩化第
一鉄、塩化第二鉄、酸化第一鉄、酸化第二鉄、ヨウ化
銅、臭化第一銅、臭化第二銅等の金属化合物を添加して
も良く、これらは１種又は２種以上用いられる。添加量
は処理液に対して０．０１〜１０％、好ましくは０．１
〜５％である。また、上記金属化合物を使用した金属イ
オンを含有する緩衝液を併用することも好ましく、その
ための代表的塩基としてアンモニア、ジエチルアミン、
トリエチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、モノエタノールアミン、ジメチルエタノール
アミン、ジエチルエタノールアミン、イソプロピルエタ
ノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が
挙げられる。

【００４６】これらのことから、上記一般式〔化１〕、
〔化２〕及び〔化３〕で表される化合物からなる群の少
なくとも１つの化合物と、上記ヨウ素系化合物と、上記
金属化合物の少なくとも１種（又は上記金属化合物の少
なくとも１種の金属イオンを含有する緩衝液）を含有す
ることも好ましく、さらに上記一般式〔化１１〕〜〔化
１６〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピログルタミ
ン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉酸、ＤＬ−
トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプトファン、Ｌ
−フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれらの誘導体
の群から選ばれる少なくとも１つの化合物からなる可溶
化剤を含有することがさらに好ましい。本発明の水溶性
プリフラックスを塗布して防錆処理をし、防錆膜を形成
するには、処理対象のプリント回路基板の銅層の表面を
研磨、脱脂、酸洗、水洗する前処理工程を経た後、その
水溶性プリフラックスに０〜１００℃で数秒から数十
分、好ましくは２０〜５０℃で、５秒〜１時間、好まし
くは１０秒〜１０分間プリント回路基板を浸漬する。そ
の処理液は酸性であれば良いが、好ましくはｐＨ５．０
以下（ｐＨ５．０より大きくはない）である。このよう
にして本発明に係わるベンズイミダゾール系化合物は銅
層に付着するが、その付着量は処理温度を高く、処理時
間を長くする程多くなる。超音波を利用すると尚良い。
なお、他の塗布手段、例えば噴霧法、刷毛塗り、ローラ
ー塗り等も使用できる。このようにして得られた防錆膜
は高温、高湿下でもはんだ付性が極めて良い。

【００４７】本発明のプリント回路基板を製造するに
は、例えば次の工程を行う。 銅張積層板からなる基板にチップ部品をはんだ付す
るはんだ付ランドを有する所定の回路配線からなる回路
パターンをエッチングにより形成し、はんだ付ランド以
外をソルダーレジストで被覆する工程、 その回路パ
ターンの銅表面を研磨、脱脂、酸洗（ソフトエッチン
グ）、水洗する前処理工程、 露出しているはんだ付
ランドの銅面を上記〔化１〕〜〔化１０〕で表される少
なくとも１つの化合物と、上記ヨウ素系化合物の少なく
とも１つを含有した水溶性プリフラックス、あるいはさ
らに好ましくは上記〔化１１〕〜〔化１６〕等で表され
る少なくとも１つの化合物で可溶化した上記水溶性プリ
フラックスを塗布、乾燥する工程を少なくとも有する。
このようにすると、水溶性プリフラックスに含有されて
いる上記一般式〔化１１〕〜〔化１６〕等の化合物その
他の化合物が酸根を有していても、得られたプリフラッ
クス膜は銅面の酸化を防止し、防錆膜として機能する。
得られたプリント回路基板にはポストフラックスが塗布
された後あるいはその塗布をせずに直接、上記はんだ付
ランドにはソルダーペースト（はんだ粉末とフラックス
を含有する）が塗布され、上記チップ部品の電極がリフ
ローはんだ付される。なお、はんだプリコート層と通常
のはんだ付ランドを有する回路基板に、上記水溶性プリ
フラックスの塗布等の同様のことを行ない、上記チップ
部品及び狭ピッチ部品を所定の箇所に位置付けさせて狭
ピッチパッドのはんだプリコート層に対する狭ピッチ部
品のリード、上記はんだ付ランドに対するチップ部品の
電極をリフローはんだ付してもよい。

【００４８】

【発明の実施の形態】次に発明の実施の形態を以下の実
施例により説明する。

【００４９】

【実施例】実施例１ ２質量％のギ酸水溶液１００ｇに６−メチル−２−ｎ−
プロピルベンズイミダゾール１．０ｇ、硫酸銅０．１
ｇ、ヨウ化カリウム０．５ｇ、２５％アンモニア水０．
１ｇを順次加えて混和し、水溶性プリフラックスを調製
した。この水溶性プリフラックスの液に、ＪＩＳ Ｚ
３１９７に規定されるくし形基板（銅箔による電極を有
する基板）を脱脂した後、ソフトエッチングし、さらに
水洗することにより清浄にした試験片を５０℃で２分間
浸漬した。その後、水洗してから温風乾燥した後、エア
ーリフロー炉に通して加熱するが、これを１回、２回、
３回行ない、銅箔面を加熱劣化させた。この加熱劣化処
理を施したそれぞれの試験片とその加熱劣化処理を施す
前の試験片にソルダーペースト（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３
７のはんだ粉末とフラックス（ロジンと活性剤を含有す
る）からなる）を印刷法により供給した後、エアーリフ
ロー炉に通して加熱し、実際にはんだ付を行なう場合と
同様にしてはんだ粉末を溶融し、冷却させた。この冷却
後の試験片の銅箔に濡れ広がったはんだの長さを測定し
た。この結果を表１３に示す。

【００５０】実施例２ 実施例１において、ヨウ化カリウムの代わりに、ヨウ化
亜鉛を用いたこと以外は同様にして、はんだ粉末溶融後
の濡れ広がったはんだの長さを測定した結果を表１３に
示す。

【００５１】実施例３ 実施例１において、６−メチル−２−ｎ−プロピルベン
ズイミダゾールの代わりに、４−クロロ−２−（３−フ
ェニルプロピル）ベンズイミダゾールを用いたこと以外
は同様にして、はんだ粉末溶融後の濡れ広がったはんだ
の長さを測定した結果を表１３に示す。

【００５２】実施例４ 実施例１において、ヨウ化カリウムの代わりに、３−ヨ
ードプロピオン酸を用いたこと以外は同様にして、はん
だ粉末溶融後の濡れ広がったはんだの長さを測定した結
果を表１３に示す。

【００５３】実施例５ 実施例１において、ヨウ化カリウムを２．０ｇにし、新
たにアラニン１．０ｇを添加したこと以外は同様にし
て、はんだ粉末溶融後の濡れ広がったはんだの長さを測
定した結果を表１３に示す。

【００５４】実施例６ 実施例５において、アラニンの代わりに、アントラニル
酸を用いたこと以外は同様にして、はんだ粉末溶融後の
濡れ広がったはんだの長さを測定した結果を表１３に示
す。

【００５５】比較例１ 実施例１において、ヨウ化カリウムを使用しなかったこ
と以外は同様にして、はんだ粉末溶融後の濡れ広がった
はんだの長さを測定した結果を表１３に示す。

【００５６】比較例２ 実施例１において、ヨウ化カリウムの代わりに塩化カリ
ウムを用いたこと以外は同様にして、はんだ粉末溶融後
の濡れ広がったはんだの長さを測定した結果を表１３に
示す。

【００５７】比較例３ 実施例５において、ヨウ化カリウムを使用しなかったこ
と以外は同様にして、はんだ粉末溶融後の濡れ広がった
はんだの長さを測定した結果を表１３に示す。

【００５８】比較例４ 実施例５において、ヨウ化カリウムの代わりに塩化カリ
ウムを用いたこと以外は同様にして、はんだ粉末溶融後
の濡れ広がったはんだの長さを測定した結果を表１３に
示す。

【００５９】なお、実施例５、６における水溶性プリフ
ラックス膜を被覆した試験片の表面をＳＥＭ（電子顕微
鏡）観察により評価しても変化がなく、上記いずれの実
施例のものもチップ部品をはんだ付した場合にははんだ
付強度は十分に得られ、はんだブリッジの発生も抑制さ
れる。

【００６０】

【表１３】

【００６１】表１３の結果から、実施例１〜４と５、６
のものを比較すると、加熱劣化前では、後者の６．０ｍ
ｍは、前者の最良のものの４．８ｍｍよりも、２５％も
優れ、加熱劣化３回後でも、後者はその低いものでも前
者の高いものより２０％も優れ、ヨウ素系化合物を多く
用いた効果、これを可能にする化合物としてアミノ酸を
併用した効果が顕著に示されている。また、実施例と比
較例のものを比較すると、実施例１の数値と、比較例
１、２のうちで数値の高いものとでは、加熱劣化前で、
前者が約３６％は優れ、加熱劣化３回後で、前者が約８
３％優れることが分かり、銅箔の加熱劣化が進むほどヨ
ウ素系化合物を使用した効果が顕著に顕れている。実施
例５の数値と、比較例３、４のうちで数値の高いものと
では、加熱劣化前で、前者が約２倍優れ、加熱劣化３回
後で、前者が約２．７倍優れることが分かり、銅箔の加
熱劣化が進むほどヨウ素系化合物を使用した効果が顕著
に顕れている。銅箔面に対する濡れ広がりの点では、ア
ミノ酸はヨウ素系化合物との組み合わせで効果を発揮す
ることがわかる。溶融はんだのはんだ付ランド上の濡れ
広がりがよいと、はんだ付ランドの全面に溶融はんだが
濡れ広がり易く、はんだ付ランドの金属面に対する付着
力も大きく、溶融はんだがその表面張力により中央に集
まろうして液滴になるのを抑制され、したがって隣接は
んだ付ランド側にはみ出すことが抑制され、同様に形成
される隣接はんだ付ランド上の溶融はんだとの接触が抑
制され、はんだブリッジの発生も抑制されると考えられ
るが、この考え方に限定されるものではない。このよう
に、はんだ付ランドに対する濡れ広がりがよいと、溶融
はんだがはんだ付ランドを覆う面積を広くすることがで
き、それだけはんだのはんだ付ランドに対する付着力は
大きくなり、電子部品のはんだ付強度も大きくできるの
で、ソルダーペーストの塗布量を少なくしても、所定の
はんだ付け強度を得られる。

【００６２】上記実施例１〜６のほかに、上述した一般
式〔化１〕、〔化４〕〜〔化７〕、一般式〔化２〕、
〔化８〕〜〔化１０〕、一般式〔化３〕、一般式〔１
１〕〜〔１６〕その他の酸性基を有する化合物、ヨウ素
系化合物の内、より好ましいとした化合物、上記実施例
１〜６に使用の各化合物と同類又は類似の化合物もこれ
ら実施例に準じて用いることができる。

【００６３】

【発明の効果】本発明によれば、はんだ付ランド、特に
間隔の狭いはんだ付ランドに溶融はんだが良く濡れ広が
ることができ、特に両面実装する場合等に高温加熱され
て劣化したはんだ付ランドに対しても溶融はんだが良く
濡れ広がることができ、はんだブリッジの発生を減らす
とともにはんだ付強度を十分にしてはんだ付不良を減ら
すことにより生産性を向上することができる。また、プ
リント回路基板の回路パターンの銅及び銅合金表面に耐
熱性を有し、高湿度下に曝された後でも非常に良好な耐
湿性を有する被膜を形成し、プリント回路基板の保護並
びに部品実装時のはんだ付性に極めて優れる水溶性プリ
フラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の
金属の表面処理方法を提供することができる。また、本
発明は、酸性基を有するアミン系化合物を併用すると、
ベンズイミダゾール系化合物を従来使用の酸を用いない
で可溶化することができ、その他のアミン系化合物の併
用の場合も同様であるが、ヨウ素系化合物の添加量を増
やせることにより、上記各効果をよりよく達成すること
ができ、従来の可溶化剤としての酸を用いた場合にはん
だの酸化や鉛の浸食等によりはんだ付強度を低下するこ
とがある点を改善できる水溶性プリフラックス、プリン
ト回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法
を提供することができる。そして、本発明は、従来のベ
ンズイミダゾール系化合物を用いた水溶性プリフラック
と同様な製造方法、使用方法が適用でき、しかも各使用
成分が温度変化により安定性を失なうようなことがな
く、揮発性の酸による作業環境が悪化するようなことが
ない水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリ
ント回路基板の製造方法を提供することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 義之 埼玉県入間市大字狭山ケ原16番地２ タム ラ化研株式会社内 (72)発明者 大野 隆生 埼玉県入間市大字狭山ケ原16番地２ タム ラ化研株式会社内 Ｆターム(参考） 4K044 AA06 AB02 AB10 BA21 BB01 BC02 BC08 CA16 CA53 5E319 AC01 CD01 CD21 GG05 GG15

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式〔化１〕、〔化２〕及び〔化
   ３〕で表される化合物からなる群の少なくとも１つの化
   合物と、ヨウ素系化合物を含有する水溶性プリフラック
   ス。 【化１】 （式中、Ｒ₁ は同一又は異なる炭素数１〜７の直鎖又は
   分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子、アミノ基、ジ低級
   アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、
   シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル
   基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコキシカル
   ボニル基又はニトロ基、Ｒ₂ は直鎖又は分岐鎖のアルキ
   ル基、Ｒ₃ はフェニル基又はアルキルフェニル基で同一
   又は異なっていてもよく、ｎは０〜４、ｍは０〜３を表
   す。） 【化２】 （式中、Ｒ₄ 、Ｒ₅ はそれぞれ同一又は異なる炭素数１
   〜７の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子、ア
   ミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級
   アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、
   カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級ア
   ルコキシカルボニル基又はニトロ基を表し、Ｒ₅ は同一
   又は異なる直鎖又は分岐鎖のアルキル基、フェニル基、
   アルキルフェニル基又はフェニルアルキル基であっても
   よく、ｎは０〜４、ｍは０〜１０、ｐは０〜４を表
   す。） 【化３】 （式中、Ｒ、Ｒ₆ はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜
   ７の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ｎは０〜３、ｍは０
   〜４、ｐは０〜３、ｑは０〜４を表す。）
2. 【請求項２】 上記一般式〔化１〕、〔化２〕及び〔化
   ３〕で表される化合物からなる群の少なくとも１つの化
   合物と、ヨウ素系化合物と、アミン系化合物を含有する
   水溶性プリフラックス。
3. 【請求項３】 アミン系化合物は上記一般式〔化１〕、
   〔化２〕及び〔化３〕で表される化合物からなる群の少
   なくとも１つの化合物に対して水溶性塩を形成可能の第
   １級アミノ基、第２級アミノ基、第３級アミノ基及び窒
   素原子を含む環を持つ複素環の少なくとも１つを有しか
   つ酸性基を有する化合物からなる可溶化剤である請求項
   ２の水溶性プリフラックス。
4. 【請求項４】 ヨウ素系化合物がヨウ化水素酸、ヨウ化
   水素酸の金属塩及びヨード化有機酸の少なくとも１種で
   ある請求項１ないし３のいずれかに記載の水溶性プリフ
   ラックス。
5. 【請求項５】 可溶化剤が下記一般式〔化１１〕〜〔化
   １６〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピログルタミ
   ン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉酸、ＤＬ−
   トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプトファン、Ｌ
   −フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれらの誘導体
   の群から選ばれる少なくとも１つの化合物である請求項
   ３又は４に記載の水溶性プリフラックス。 【化１１】 （式中、Ｒ₇ は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又
   は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
   低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイ
   ル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を表
   し、Ｒ₈ は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分
   岐のアルキレン基を示し、０であってもよく、ｎは０〜
   ４、ｍは１〜５を表す。） 【化１２】 （式中、Ｒ₉ は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又
   は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
   低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイ
   ル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を表
   し、Ｒ₁₀は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分
   岐のアルキレン基を示し、０であってもよく、ｎは０〜
   ４、ｍは１〜５を表す。） 【化１３】 （式中、Ｒ₁₁は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又
   は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
   低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイ
   ル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を表
   し、Ｒ₁₂は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分
   岐のアルキレン基を表し、０であってもよく、ｎは０〜
   ３、ｍは１〜４を表す。） 【化１４】 （式中、Ｒ₁₃は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又
   は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
   低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイ
   ル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を表
   し、Ｒ₁₄は同一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分
   岐のアルキレン基を表し、０であってもよく、ｎは０〜
   ３、ｍは１〜４を表す。） 【化１５】 （式中、Ｒ₁₅は同一又は異なる水素原子又は炭素数１〜
   ２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒド
   ロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
   基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
   トロ基を表し、Ｒ ₁₆は同一又は異なる炭素数１〜２０の
   直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、０であってもよ
   く、ｎは０〜２、ｍは１〜３を表す。） 【化１６】 （式中、Ｒ₁₇、Ｒ₁₉はそれぞれ同一又は異なる水素原子
   又は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロ
   ゲン原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシル基、シア
   ノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホ
   ルミル基又はニトロ基を表し、Ｒ₁₈、Ｒ₂₀はそれぞれ同
   一又は異なる炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキレ
   ン基を表し、０であってもよく、ｎは０〜２、ｍは０〜
   ２、ｐは０〜４、ｑは０〜１、ｒは１〜２を表す。）
6. 【請求項６】 表面に回路パターンの金属層を有するプ
   リント回路基板において、該金属層に請求項１ないし５
   のいずれかに記載の水溶性プリフラックスの膜を有する
   プリント回路基板。
7. 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれかに記載の水
   溶性プリフラックスを塗布する工程を有することにより
   プリント回路基板の回路パターンの金属層の防錆処理を
   行なうプリント回路基板の金属の表面処理方法。