JP2001328979A - イソインドロン誘導体の製造法 - Google Patents
イソインドロン誘導体の製造法Info
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- JP2001328979A JP2001328979A JP2001070310A JP2001070310A JP2001328979A JP 2001328979 A JP2001328979 A JP 2001328979A JP 2001070310 A JP2001070310 A JP 2001070310A JP 2001070310 A JP2001070310 A JP 2001070310A JP 2001328979 A JP2001328979 A JP 2001328979A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】優れた抗菌剤であるT-3811に代表されるキノロ
ン誘導体の製造原料として有用なイソインドロン誘導体
又はその塩の工業的製造法の提供。 【解決手段】一般式［２］で表されるイソインドロン誘
導体又はその塩を得る製造方法において、フェニルアル
キルアミン誘導体［１］及び一酸化炭素を金属化合物の
存在下、一段階又は多段階で反応させるイソインドロン
誘導体又はその塩の工業的製造法として有用である。 「式中、Ｘは、水素原子又はハロゲン原子を；Ｒ1はアル
キル基を；Ｒ4は水素原子、アミノ保護基、置換されて
いてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニ
ル基をそれぞれ示す。」
ン誘導体の製造原料として有用なイソインドロン誘導体
又はその塩の工業的製造法の提供。 【解決手段】一般式［２］で表されるイソインドロン誘
導体又はその塩を得る製造方法において、フェニルアル
キルアミン誘導体［１］及び一酸化炭素を金属化合物の
存在下、一段階又は多段階で反応させるイソインドロン
誘導体又はその塩の工業的製造法として有用である。 「式中、Ｘは、水素原子又はハロゲン原子を；Ｒ1はアル
キル基を；Ｒ4は水素原子、アミノ保護基、置換されて
いてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニ
ル基をそれぞれ示す。」
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、国際公開WO97/291
02に開示された優れた抗菌剤であるキノロン誘導体の製
造原料として有用なイソインドロン誘導体の製造法に関
するものである。
02に開示された優れた抗菌剤であるキノロン誘導体の製
造原料として有用なイソインドロン誘導体の製造法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】国際公開WO97/29102に開示されたキノロ
ン誘導体のうち、１−アルキル−５−イソインドリン誘
導体を有する化合物、とりわけ、T-3811と名付けられた
次の化合物
ン誘導体のうち、１−アルキル−５−イソインドリン誘
導体を有する化合物、とりわけ、T-3811と名付けられた
次の化合物
【化１２】 は、抗菌剤として優れた化合物である。そして、国際公
開WO99/21849には、T-3811の製造中間体として次式
開WO99/21849には、T-3811の製造中間体として次式
【化１３】 で表される（３Ｒ）−６−ブロモ−３−メチル−２,３
−ジヒドロ−１H−イソインドール−１−オンが使用で
きることが記載されている。従来、この３−アルキル−
６−ハロゲノイソインドロン誘導体は、フェニルアルキ
ルアミン誘導体にアルキルリチウムまたはアリールリチ
ウムなどのリチオ化剤によるリチオ化を経由する方法で
製造されていた（特開平11-269179号）。
−ジヒドロ−１H−イソインドール−１−オンが使用で
きることが記載されている。従来、この３−アルキル−
６−ハロゲノイソインドロン誘導体は、フェニルアルキ
ルアミン誘導体にアルキルリチウムまたはアリールリチ
ウムなどのリチオ化剤によるリチオ化を経由する方法で
製造されていた（特開平11-269179号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の３−アルキル−
６−ハロゲノイソインドロン誘導体の合成法において
は、その工程数が多く、さらに低温の反応条件が必要と
なるアルキルリチウムまたはアリールリチウムなどのリ
チオ化剤を、原料に対して２等量使用しなければなら
ず、工業的に不利であり、より優れた製造法が求められ
ていた。
６−ハロゲノイソインドロン誘導体の合成法において
は、その工程数が多く、さらに低温の反応条件が必要と
なるアルキルリチウムまたはアリールリチウムなどのリ
チオ化剤を、原料に対して２等量使用しなければなら
ず、工業的に不利であり、より優れた製造法が求められ
ていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、３−アルキ
ル−６−ハロゲノイソインドロン誘導体を簡便に得る製
造法を見出すべく鋭意研究を行った。その結果、一般式
ル−６−ハロゲノイソインドロン誘導体を簡便に得る製
造法を見出すべく鋭意研究を行った。その結果、一般式
【化１４】 「式中、Ｘは、水素原子またはハロゲン原子を；Ｒ1はア
ルキル基を；Ｒ4は水素原子、アミノ保護基、置換され
ていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケ
ニル基を、それぞれ示す。」で表されるイソインドロン
誘導体またはその塩を得る製造方法において、一般式
ルキル基を；Ｒ4は水素原子、アミノ保護基、置換され
ていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケ
ニル基を、それぞれ示す。」で表されるイソインドロン
誘導体またはその塩を得る製造方法において、一般式
【化１５】 「式中、ＸおよびＲ1は、上記の同様の意味を有し；Ｒ2
およびＲ3は、同一または異なって水素原子、アミノ保
護基、置換されていてもよいアルキル基、Ｒ2およびＲ3
が一緒になって置換されていてもよいアルキリデン基ま
たはＲ2およびＲ 3が互いに末端で結合し、隣接する窒素
原子とともに形成する飽和もしくは不飽和の置換されて
いてもよい３〜８員の単環式もしくは二環式含窒素複素
環式基を、それぞれ示す。」で表されるフェニルアルキ
ルアミン誘導体に一酸化炭素を金属化合物の存在下、一
段階または多段階で反応させることを特徴とするイソイ
ンドロン誘導体またはその塩の製造方法が優れた工業的
製造法であることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
およびＲ3は、同一または異なって水素原子、アミノ保
護基、置換されていてもよいアルキル基、Ｒ2およびＲ3
が一緒になって置換されていてもよいアルキリデン基ま
たはＲ2およびＲ 3が互いに末端で結合し、隣接する窒素
原子とともに形成する飽和もしくは不飽和の置換されて
いてもよい３〜８員の単環式もしくは二環式含窒素複素
環式基を、それぞれ示す。」で表されるフェニルアルキ
ルアミン誘導体に一酸化炭素を金属化合物の存在下、一
段階または多段階で反応させることを特徴とするイソイ
ンドロン誘導体またはその塩の製造方法が優れた工業的
製造法であることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本明細書
において特に断らない限り、ハロゲン原子とは、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を；アルキ
ル基とは、たとえば、メチル、エチル、n-プロピル、イ
ソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert
-ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルおよびオクチ
ルなどの直鎖状または分枝鎖状Ｃ1-10アルキル基を；低
級アルキル基とは、たとえば、メチル、エチル、n-プロ
ピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチ
ル、tert-ブチルおよびペンチルなどの直鎖状または分
枝鎖状Ｃ1-5アルキル基を；アルケニル基とは、たとえ
ば、ビニル、アリル、イソプロペニル、ブテニル、ペン
テニル、ヘキセニル、ヘプテニルおよびオクテニルなど
の直鎖状または分枝鎖状Ｃ２-10アルケニル基を；低級
アルケニル基とは、たとえば、ビニル、アリル、イソプ
ロペニル、ブテニルおよびペンテニルなどの直鎖状また
は分枝鎖状Ｃ２-5アルケニル基を；シクロアルキル基と
は、たとえば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロ
ペンチルおよびシクロヘキシルなどのＣ3-6シクロアル
キル基を；アルコキシ基とは、たとえば、メトキシ、エ
トキシ、n-プロポキシ、イソプロポキシ、n-ブトキシ、
イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert-ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシおよびオク
チルオキシなどの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ 1-10アル
コキシ基を；低級アルコキシ基とは、たとえば、メトキ
シ、エトキシ、n-プロポキシ、イソプロポキシ、n-ブト
キシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert-ブトキシお
よびペンチルオキシなどの直鎖状または分枝鎖状Ｃ1-5
アルコキシ基を；
において特に断らない限り、ハロゲン原子とは、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を；アルキ
ル基とは、たとえば、メチル、エチル、n-プロピル、イ
ソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert
-ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルおよびオクチ
ルなどの直鎖状または分枝鎖状Ｃ1-10アルキル基を；低
級アルキル基とは、たとえば、メチル、エチル、n-プロ
ピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチ
ル、tert-ブチルおよびペンチルなどの直鎖状または分
枝鎖状Ｃ1-5アルキル基を；アルケニル基とは、たとえ
ば、ビニル、アリル、イソプロペニル、ブテニル、ペン
テニル、ヘキセニル、ヘプテニルおよびオクテニルなど
の直鎖状または分枝鎖状Ｃ２-10アルケニル基を；低級
アルケニル基とは、たとえば、ビニル、アリル、イソプ
ロペニル、ブテニルおよびペンテニルなどの直鎖状また
は分枝鎖状Ｃ２-5アルケニル基を；シクロアルキル基と
は、たとえば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロ
ペンチルおよびシクロヘキシルなどのＣ3-6シクロアル
キル基を；アルコキシ基とは、たとえば、メトキシ、エ
トキシ、n-プロポキシ、イソプロポキシ、n-ブトキシ、
イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert-ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシおよびオク
チルオキシなどの直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ 1-10アル
コキシ基を；低級アルコキシ基とは、たとえば、メトキ
シ、エトキシ、n-プロポキシ、イソプロポキシ、n-ブト
キシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert-ブトキシお
よびペンチルオキシなどの直鎖状または分枝鎖状Ｃ1-5
アルコキシ基を；
【０００６】アルカノイルオキシ基とは、たとえば、ア
セトキシ、プロパノイルオキシ、ｎ−ブタノイルオキ
シ、ピバロイルオキシなどの直鎖状または分枝鎖状Ｃ
1-10アルカノイルオキシ基を；アルカノイルオキシアル
キル基とは、たとえば、アセトキシメチル、プロパノイ
ルオキシメチル、ｎ−ブタノイルオキシメチル、ピバロ
イルオキシメチル、１−アセトキシエチル、１−プロパ
ノイルオキシエチル、１−ｎ−ブタノイルオキシエチ
ル、１−ピバロイルオキシエチルなどの直鎖状または分
枝鎖状Ｃ1-10アルカノイルオキシ基で置換されたアルキ
ル基を；アルコキシアルキル基とは、たとえば、メトキ
シメチル、エトキシメチル、n-プロポキシメチル、イソ
プロポキシメチル、n-ブトキシメチル、イソブトキシメ
チル、sec-ブトキシメチル、tert-ブトキシメチル、ペ
ンチルオキシメチル、ヘキシルオキシメチル、ヘプチル
オキシメチル、オクチルオキシメチル、１−メトキシエ
チル、１−エトキシエチル、１−n-プロポキシエチル、
１−イソプロポキシエチル、１−n-ブトキシエチルなど
の直鎖状または分枝鎖状Ｃ1-10アルコキシ基で置換され
たアルキル基を；
セトキシ、プロパノイルオキシ、ｎ−ブタノイルオキ
シ、ピバロイルオキシなどの直鎖状または分枝鎖状Ｃ
1-10アルカノイルオキシ基を；アルカノイルオキシアル
キル基とは、たとえば、アセトキシメチル、プロパノイ
ルオキシメチル、ｎ−ブタノイルオキシメチル、ピバロ
イルオキシメチル、１−アセトキシエチル、１−プロパ
ノイルオキシエチル、１−ｎ−ブタノイルオキシエチ
ル、１−ピバロイルオキシエチルなどの直鎖状または分
枝鎖状Ｃ1-10アルカノイルオキシ基で置換されたアルキ
ル基を；アルコキシアルキル基とは、たとえば、メトキ
シメチル、エトキシメチル、n-プロポキシメチル、イソ
プロポキシメチル、n-ブトキシメチル、イソブトキシメ
チル、sec-ブトキシメチル、tert-ブトキシメチル、ペ
ンチルオキシメチル、ヘキシルオキシメチル、ヘプチル
オキシメチル、オクチルオキシメチル、１−メトキシエ
チル、１−エトキシエチル、１−n-プロポキシエチル、
１−イソプロポキシエチル、１−n-ブトキシエチルなど
の直鎖状または分枝鎖状Ｃ1-10アルコキシ基で置換され
たアルキル基を；
【０００７】Ｎ,Ｎ'−ジアルキルウレイド基とは、たと
えば、Ｎ,Ｎ'−ジメチルウレイド、Ｎ,Ｎ'−ジエチルウ
レイドおよびＮ,Ｎ'−ジイソプロピルウレイドを；Ｎ,
Ｎ'−ジアルキルウレイドアルキル基とは、たとえば、
Ｎ,Ｎ'−ジメチルウレイドメチル、Ｎ,Ｎ'−ジエチルウ
レイドメチル、Ｎ,Ｎ'−ジイソプロピルウレイドメチ
ル、Ｎ,Ｎ’−ジメチルウレイドエチルおよびＮ,Ｎ'−
ジエチルウレイドエチルなどのＮ,Ｎ'−ジアルキルウレ
イド基で置換されたアルキル基を；
えば、Ｎ,Ｎ'−ジメチルウレイド、Ｎ,Ｎ'−ジエチルウ
レイドおよびＮ,Ｎ'−ジイソプロピルウレイドを；Ｎ,
Ｎ'−ジアルキルウレイドアルキル基とは、たとえば、
Ｎ,Ｎ'−ジメチルウレイドメチル、Ｎ,Ｎ'−ジエチルウ
レイドメチル、Ｎ,Ｎ'−ジイソプロピルウレイドメチ
ル、Ｎ,Ｎ’−ジメチルウレイドエチルおよびＮ,Ｎ'−
ジエチルウレイドエチルなどのＮ,Ｎ'−ジアルキルウレ
イド基で置換されたアルキル基を；
【０００８】アルキリデン基とは、たとえば、エチリデ
ン、n-プロピリデンおよびイソプロピリデンなどのＣ
1-10アルキリデン基を；低級アルコキシカルボニル基と
は、たとえば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、n-プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニ
ル、n-ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、
sec-ブトキシカルボニル、tert-ブトキシカルボニルお
よびペンチルオキシカルボニルなどの直鎖状または分枝
鎖状Ｃ1-5アルコキシ−ＣＯ−基を；低級アルキルアミ
ノ基とは、たとえば、メチルアミノ、エチルアミノ、プ
ロピルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ジメチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジプ
ロピルアミノ、ジブチルアミノおよびジペンチルアミノ
などの直鎖状または分枝鎖状Ｃ1-5アルキル基で置換さ
れたアミノ基を；アリール基とは、たとえば、フェニル
およびナフチル基を；
ン、n-プロピリデンおよびイソプロピリデンなどのＣ
1-10アルキリデン基を；低級アルコキシカルボニル基と
は、たとえば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、n-プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニ
ル、n-ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、
sec-ブトキシカルボニル、tert-ブトキシカルボニルお
よびペンチルオキシカルボニルなどの直鎖状または分枝
鎖状Ｃ1-5アルコキシ−ＣＯ−基を；低級アルキルアミ
ノ基とは、たとえば、メチルアミノ、エチルアミノ、プ
ロピルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ジメチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジプ
ロピルアミノ、ジブチルアミノおよびジペンチルアミノ
などの直鎖状または分枝鎖状Ｃ1-5アルキル基で置換さ
れたアミノ基を；アリール基とは、たとえば、フェニル
およびナフチル基を；
【０００９】含窒素複素環式基とは、たとえば、アジリ
ジニル、アゼチジニル、ペルヒドロアゼピニル、ペルヒ
ドロアゾシニル、ピロリル、ピロリジニル、ピペリジ
ル、ピペラジニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジ
ル、ピリミジニル、モルホリニル、チオモルホリニル、
キノリル、ジヒドロキノリル、ジヒドロイソキノリル、
キノリジニル、テトラヒドロキノリニル、テトラヒドロ
イソキノリニル、キヌクリジニル、チアゾリル、テトラ
ゾリル、チアジアゾリル、ピロリニル、イミダゾリニ
ル、イミダゾリジニル、ピラゾリニル、ピラゾリジニ
ル、プリニル、インダゾリルおよびトリアジナノニル基
などの該環を形成する異項原子として１つ以上の窒素原
子を含み、さらに１つ以上の酸素原子または硫黄原子を
含んでいてもよい３員〜８員環、縮合環または架橋環の
複素環式基を；複素環式基とは、該環を形成する異項原
子として酸素原子、窒素原子および硫黄原子から選ばれ
る１つ以上の異項原子を含む４員、５員もしくは６員環
またはそれらの縮合環、たとえば、オキセタニル、チエ
タニル、アゼチジニル、フリル、ピロリル、チエニル、
オキサゾリル、イソオキサゾリル、イミダゾリル、チア
ゾリル、イソチアゾリル、ピロリジニル、ベンゾフラニ
ル、ベンゾチアゾリル、ピリジル、キノリル、ピリミジ
ニル、モルホリニル、モルホリノ、ピペリジノ、ピペラ
ジニル、ピロリジノニル、ピペリジノニル、ヘキサヒド
ロトリアジニル、トリアジナノニル、ジヒドロキノニ
ル、テトラヒドロキノニルおよびイミダゾリジニル基
を；金属原子とは、パラジウム、白金、コバルト、ルテ
ニウム、ロジウムおよびニッケルなどの遷移金属原子な
どをそれぞれ意味する。
ジニル、アゼチジニル、ペルヒドロアゼピニル、ペルヒ
ドロアゾシニル、ピロリル、ピロリジニル、ピペリジ
ル、ピペラジニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジ
ル、ピリミジニル、モルホリニル、チオモルホリニル、
キノリル、ジヒドロキノリル、ジヒドロイソキノリル、
キノリジニル、テトラヒドロキノリニル、テトラヒドロ
イソキノリニル、キヌクリジニル、チアゾリル、テトラ
ゾリル、チアジアゾリル、ピロリニル、イミダゾリニ
ル、イミダゾリジニル、ピラゾリニル、ピラゾリジニ
ル、プリニル、インダゾリルおよびトリアジナノニル基
などの該環を形成する異項原子として１つ以上の窒素原
子を含み、さらに１つ以上の酸素原子または硫黄原子を
含んでいてもよい３員〜８員環、縮合環または架橋環の
複素環式基を；複素環式基とは、該環を形成する異項原
子として酸素原子、窒素原子および硫黄原子から選ばれ
る１つ以上の異項原子を含む４員、５員もしくは６員環
またはそれらの縮合環、たとえば、オキセタニル、チエ
タニル、アゼチジニル、フリル、ピロリル、チエニル、
オキサゾリル、イソオキサゾリル、イミダゾリル、チア
ゾリル、イソチアゾリル、ピロリジニル、ベンゾフラニ
ル、ベンゾチアゾリル、ピリジル、キノリル、ピリミジ
ニル、モルホリニル、モルホリノ、ピペリジノ、ピペラ
ジニル、ピロリジノニル、ピペリジノニル、ヘキサヒド
ロトリアジニル、トリアジナノニル、ジヒドロキノニ
ル、テトラヒドロキノニルおよびイミダゾリジニル基
を；金属原子とは、パラジウム、白金、コバルト、ルテ
ニウム、ロジウムおよびニッケルなどの遷移金属原子な
どをそれぞれ意味する。
【００１０】アミノ基および低級アルキルアミノ基のア
ミノ保護基としては、通常のアミノ基の保護基として使
用し得るすべての基を含み、たとえば、トリクロロエト
キシカルボニル、トリブロモエトキシカルボニル、ベン
ジルオキシカルボニル、p-ニトロベンジルオキシカルボ
ニル、o-ブロモベンジルオキシカルボニル、（モノ−、
ジ−、トリ−）クロロアセチル、トリフルオロアセチ
ル、フェニルアセチル、ホルミル、アセチル、ベンゾイ
ル、tert-アミルオキシカルボニル、tert-ブトキシカル
ボニル、p-メトキシベンジルオキシカルボニル、３,４
−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、４−（フェニ
ルアゾ）ベンジルオキシカルボニル、２−フルフリルオ
キシカルボニル、ジフェニルメトキシカルボニル、１,
１−ジメチルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカ
ルボニル、フタロイル、スクシニル、アラニル、ロイシ
ル、１−アダマンチルオキシカルボニル、８−キノリル
オキシカルボニルおよびピバロイルなどのアシル基；ベ
ンジル、ジフェニルメチルおよびトリチルなどのアルア
ルキル基；２−ニトロフェニルチオおよび２,４−ジニ
トロフェニルチオなどのアリールチオ基；メタンスルホ
ニルおよびp-トルエンスルホニルなどのアルキル−もし
くはアリール−スルホニル基；N,N-ジメチルアミノメチ
レンなどのジ−低級アルキルアミノ−低級アルキリデン
基；ベンジリデン、２−ヒドロキシベンジリデン、２−
ヒドロキシ−５−クロロベンジリデンおよび２−ヒドロ
キシ−１−ナフチルメチレンなどのアル−低級アルキリ
デン基；３−ヒドロキシ−４−ピリジルメチレンなどの
含窒素複素環式アルキリデン基；シクロヘキシリデン、
２−エトキシカルボニルシクロヘキシリデン、２−エト
キシカルボニルシクロペンチリデン、２−アセチルシク
ロヘキシリデンおよび３,３−ジメチル−５−オキシシ
クロヘキシリデンなどのシクロアルキリデン基；ジフェ
ニルホスホリルおよびジベンジルホスホリルなどのジア
リール−もしくはジアル−低級アルキルホスホリル基；
５−メチル−２−オキソ−２Ｈ−１,３−ジオキソール
−４−イル−メチルなどの含酸素複素環式アルキル基；
１,３−ジメチル−１,３,５−トリアジナノニルなどの
含窒素複素環式基；ならびにトリメチルシリルなどの置
換シリル基などが挙げられる。
ミノ保護基としては、通常のアミノ基の保護基として使
用し得るすべての基を含み、たとえば、トリクロロエト
キシカルボニル、トリブロモエトキシカルボニル、ベン
ジルオキシカルボニル、p-ニトロベンジルオキシカルボ
ニル、o-ブロモベンジルオキシカルボニル、（モノ−、
ジ−、トリ−）クロロアセチル、トリフルオロアセチ
ル、フェニルアセチル、ホルミル、アセチル、ベンゾイ
ル、tert-アミルオキシカルボニル、tert-ブトキシカル
ボニル、p-メトキシベンジルオキシカルボニル、３,４
−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、４−（フェニ
ルアゾ）ベンジルオキシカルボニル、２−フルフリルオ
キシカルボニル、ジフェニルメトキシカルボニル、１,
１−ジメチルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカ
ルボニル、フタロイル、スクシニル、アラニル、ロイシ
ル、１−アダマンチルオキシカルボニル、８−キノリル
オキシカルボニルおよびピバロイルなどのアシル基；ベ
ンジル、ジフェニルメチルおよびトリチルなどのアルア
ルキル基；２−ニトロフェニルチオおよび２,４−ジニ
トロフェニルチオなどのアリールチオ基；メタンスルホ
ニルおよびp-トルエンスルホニルなどのアルキル−もし
くはアリール−スルホニル基；N,N-ジメチルアミノメチ
レンなどのジ−低級アルキルアミノ−低級アルキリデン
基；ベンジリデン、２−ヒドロキシベンジリデン、２−
ヒドロキシ−５−クロロベンジリデンおよび２−ヒドロ
キシ−１−ナフチルメチレンなどのアル−低級アルキリ
デン基；３−ヒドロキシ−４−ピリジルメチレンなどの
含窒素複素環式アルキリデン基；シクロヘキシリデン、
２−エトキシカルボニルシクロヘキシリデン、２−エト
キシカルボニルシクロペンチリデン、２−アセチルシク
ロヘキシリデンおよび３,３−ジメチル−５−オキシシ
クロヘキシリデンなどのシクロアルキリデン基；ジフェ
ニルホスホリルおよびジベンジルホスホリルなどのジア
リール−もしくはジアル−低級アルキルホスホリル基；
５−メチル−２−オキソ−２Ｈ−１,３−ジオキソール
−４−イル−メチルなどの含酸素複素環式アルキル基；
１,３−ジメチル−１,３,５−トリアジナノニルなどの
含窒素複素環式基；ならびにトリメチルシリルなどの置
換シリル基などが挙げられる。
【００１１】カルボキシル保護基としては、通常のカル
ボキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、たとえば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、１,１−ジメチルプロピル、ブチルおよびtert-ブチ
ルなどのアルキル基；フェニルおよびナフチルなどのア
リール基；ベンジル、ジフェニルメチル、トリチル、p-
ニトロベンジル、p-メトキシベンジルおよびビス（p-メ
トキシフェニル）メチルなどのアルアルキル基；アセチ
ルメチル、ベンゾイルメチル、p-ニトロベンゾイルメチ
ル、p-ブロモベンゾイルメチルおよびp-メタンスルホニ
ルベンゾイルメチルなどのアシル−低級アルキル基；２
−テトラヒドロピラニルおよび２−テトラヒドロフラニ
ルなどの含酸素複素環式基；２,２,２−トリクロロエチ
ルなどのハロゲノ−低級アルキル基；２−（トリメチル
シリル）エチルなどの低級アルキルシリル−低級アルキ
ル基；アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチルお
よびピバロイルオキシメチルなどのアシルオキシ−低級
アルキル基；フタルイミドメチルおよびスクシンイミド
メチルなどの含窒素複素環式−低級アルキル基；シクロ
ヘキシルなどのシクロアルキル基；メトキシメチル、メ
トキシエトキシメチルおよび２−（トリメチルシリル）
エトキシメチルなどの低級アルコキシ−低級アルキル
基；ベンジルオキシメチルなどのアル−低級アルコキシ
−低級アルキル基；メチルチオメチルおよび２−メチル
チオエチルなどの低級アルキルチオ−低級アルキル基；
フェニルチオメチルなどのアリールチオ−低級アルキル
基；１,１−ジメチル−２−プロペニル、３−メチル−
３−ブテニルおよびアリルなどの低級アルケニル基；な
らびにトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソ
プロピルシリル、ジエチルイソプロピルシリル、tert-
ブチルジメチルシリル、tert-ブチルジフェニルシリ
ル、ジフェニルメチルシリルおよびtert-ブチルメトキ
シフェニルシリルなどの置換シリル基などが挙げられ
る。
ボキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、たとえば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、１,１−ジメチルプロピル、ブチルおよびtert-ブチ
ルなどのアルキル基；フェニルおよびナフチルなどのア
リール基；ベンジル、ジフェニルメチル、トリチル、p-
ニトロベンジル、p-メトキシベンジルおよびビス（p-メ
トキシフェニル）メチルなどのアルアルキル基；アセチ
ルメチル、ベンゾイルメチル、p-ニトロベンゾイルメチ
ル、p-ブロモベンゾイルメチルおよびp-メタンスルホニ
ルベンゾイルメチルなどのアシル−低級アルキル基；２
−テトラヒドロピラニルおよび２−テトラヒドロフラニ
ルなどの含酸素複素環式基；２,２,２−トリクロロエチ
ルなどのハロゲノ−低級アルキル基；２−（トリメチル
シリル）エチルなどの低級アルキルシリル−低級アルキ
ル基；アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチルお
よびピバロイルオキシメチルなどのアシルオキシ−低級
アルキル基；フタルイミドメチルおよびスクシンイミド
メチルなどの含窒素複素環式−低級アルキル基；シクロ
ヘキシルなどのシクロアルキル基；メトキシメチル、メ
トキシエトキシメチルおよび２−（トリメチルシリル）
エトキシメチルなどの低級アルコキシ−低級アルキル
基；ベンジルオキシメチルなどのアル−低級アルコキシ
−低級アルキル基；メチルチオメチルおよび２−メチル
チオエチルなどの低級アルキルチオ−低級アルキル基；
フェニルチオメチルなどのアリールチオ−低級アルキル
基；１,１−ジメチル−２−プロペニル、３−メチル−
３−ブテニルおよびアリルなどの低級アルケニル基；な
らびにトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソ
プロピルシリル、ジエチルイソプロピルシリル、tert-
ブチルジメチルシリル、tert-ブチルジフェニルシリ
ル、ジフェニルメチルシリルおよびtert-ブチルメトキ
シフェニルシリルなどの置換シリル基などが挙げられ
る。
【００１２】ヒドロキシル保護基としては、通常のヒド
ロキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、たとえば、ベンジルオキシカルボニル、４−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル、４−ブロモベンジルオキシ
カルボニル、４−メトキシベンジルオキシカルボニル、
３,４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、tert-ブトキシカ
ルボニル、１,１−ジメチルプロポキシカルボニル、イ
ソプロポキシカルボニル，イソブチルオキシカルボニ
ル、ジフェニルメトキシカルボニル、２,２,２−トリク
ロロエトキシカルボニル、２,２,２−トリブロモエトキ
シカルボニル、２−（トリメチルシリル）エトキシカル
ボニル、２−（フェニルスルホニル）エトキシカルボニ
ル、２−（トリフェニルホスホニオ）エトキシカルボニ
ル、２−フルフリルオキシカルボニル、１−アダマンチ
ルオキシカルボニル、ビニルオキシカルボニル、アリル
オキシカルボニル、Ｓ−ベンジルチオカルボニル、４−
エトキシ−１−ナフチルオキシカルボニル、８−キノリ
ルオキシカルボニル、アセチル、ホルミル、クロロアセ
チル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフ
ルオロアセチル、メトキシアセチル、フェノキシアセチ
ル、ピバロイルおよびベンゾイルなどのアシル基；メチ
ル、tert-ブチル、２,２,２−トリクロロエチルおよび
２−トリメチルシリルエチルなどの置換低級アルキル
基；アリルなどの低級アルケニル基；ベンジル、p-メト
キシベンジル、３,４−ジメトキシベンジル、ジフェニ
ルメチルおよびトリチルなどのアルアルキル基；テトラ
ヒドロフリル、テトラヒドロピラニルおよびテトラヒド
ロチオピラニルなどの含酸素および含硫黄複素環式基；
メトキシメチル、メチルチオメチル、ベンジルオキシメ
チル、２−メトキシエトキシメチル、２,２,２−トリク
ロロエトキシメチル、２−（トリメチルシリル）エトキ
シメチル、１−エトキシエチルおよび１−メチル−１−
メトキシエチルなどの低級アルザキシ−および低級アル
キルチオ−低級アルキル基；メタンスルホニルおよびp-
トルエンスルホニルなどの低級アルキル−およびアリー
ル−スルホニル基；ならびにトリメチルシリル、トリエ
チルシリル、トリイソプロピルシリル、ジエチルイソプ
ロピルシリル、tert-ブチルジメチルシリル、tert-ブチ
ルジフェニルシリル、ジフェニルメチルシリルおよびte
rt-ブチルメトキシフェニルシリルなどの置換シリル基
などが挙げられる。
ロキシル基の保護基として使用し得るすべての基を含
み、たとえば、ベンジルオキシカルボニル、４−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル、４−ブロモベンジルオキシ
カルボニル、４−メトキシベンジルオキシカルボニル、
３,４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、tert-ブトキシカ
ルボニル、１,１−ジメチルプロポキシカルボニル、イ
ソプロポキシカルボニル，イソブチルオキシカルボニ
ル、ジフェニルメトキシカルボニル、２,２,２−トリク
ロロエトキシカルボニル、２,２,２−トリブロモエトキ
シカルボニル、２−（トリメチルシリル）エトキシカル
ボニル、２−（フェニルスルホニル）エトキシカルボニ
ル、２−（トリフェニルホスホニオ）エトキシカルボニ
ル、２−フルフリルオキシカルボニル、１−アダマンチ
ルオキシカルボニル、ビニルオキシカルボニル、アリル
オキシカルボニル、Ｓ−ベンジルチオカルボニル、４−
エトキシ−１−ナフチルオキシカルボニル、８−キノリ
ルオキシカルボニル、アセチル、ホルミル、クロロアセ
チル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフ
ルオロアセチル、メトキシアセチル、フェノキシアセチ
ル、ピバロイルおよびベンゾイルなどのアシル基；メチ
ル、tert-ブチル、２,２,２−トリクロロエチルおよび
２−トリメチルシリルエチルなどの置換低級アルキル
基；アリルなどの低級アルケニル基；ベンジル、p-メト
キシベンジル、３,４−ジメトキシベンジル、ジフェニ
ルメチルおよびトリチルなどのアルアルキル基；テトラ
ヒドロフリル、テトラヒドロピラニルおよびテトラヒド
ロチオピラニルなどの含酸素および含硫黄複素環式基；
メトキシメチル、メチルチオメチル、ベンジルオキシメ
チル、２−メトキシエトキシメチル、２,２,２−トリク
ロロエトキシメチル、２−（トリメチルシリル）エトキ
シメチル、１−エトキシエチルおよび１−メチル−１−
メトキシエチルなどの低級アルザキシ−および低級アル
キルチオ−低級アルキル基；メタンスルホニルおよびp-
トルエンスルホニルなどの低級アルキル−およびアリー
ル−スルホニル基；ならびにトリメチルシリル、トリエ
チルシリル、トリイソプロピルシリル、ジエチルイソプ
ロピルシリル、tert-ブチルジメチルシリル、tert-ブチ
ルジフェニルシリル、ジフェニルメチルシリルおよびte
rt-ブチルメトキシフェニルシリルなどの置換シリル基
などが挙げられる。
【００１３】Ｒ２およびＲ３のアルキル基、Ｒ２および
Ｒ３が一緒になったアルキリデン基ならびにＲ２および
Ｒ３が互いに末端で結合して、隣接する窒素原子ととも
に形成する飽和または不飽和の３〜８員の単環式もしく
は二環式含窒素複素環式基；Ｒ４のアルキル基およびア
ルケニル基；Ｙのアセタト基；Ｚのアセタト基の置換基
としては、ハロゲン原子、シアノ基、保護されていても
よいカルボキシル基、保護されていてもよいヒドロキシ
ル基、保護されていてもよいアミノ基、保護されていて
もよい低級アルキルアミノ基、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アリール
基、シクロアルキル基、低級アルケニル基、アルコキシ
基、アルカノイルオキシ基、イソインドロニル基、Ｎ,
Ｎ'−ジアルキルウレイド基およびハロゲン原子で置換
された低級アルキル基などが挙げられ、これらの一つ以
上の基でＲ２、Ｒ３およびＲ４の各置換基がさらに置換
されていてもよい。
Ｒ３が一緒になったアルキリデン基ならびにＲ２および
Ｒ３が互いに末端で結合して、隣接する窒素原子ととも
に形成する飽和または不飽和の３〜８員の単環式もしく
は二環式含窒素複素環式基；Ｒ４のアルキル基およびア
ルケニル基；Ｙのアセタト基；Ｚのアセタト基の置換基
としては、ハロゲン原子、シアノ基、保護されていても
よいカルボキシル基、保護されていてもよいヒドロキシ
ル基、保護されていてもよいアミノ基、保護されていて
もよい低級アルキルアミノ基、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アリール
基、シクロアルキル基、低級アルケニル基、アルコキシ
基、アルカノイルオキシ基、イソインドロニル基、Ｎ,
Ｎ'−ジアルキルウレイド基およびハロゲン原子で置換
された低級アルキル基などが挙げられ、これらの一つ以
上の基でＲ２、Ｒ３およびＲ４の各置換基がさらに置換
されていてもよい。
【００１４】本発明の製造法において、好ましくは、Ｒ
２およびＲ３が、同一または異なって、水素原子、低級
アルキル基またはＲ２およびＲ３が、一緒になって置換
されていてもよいアルキリデン基もしくはＲ２およびＲ
3が、互いに末端で結合して、隣接する窒素原子ととも
に形成する飽和または不飽和の置換されていてもよい３
〜８員の単環式もしくは二環式含窒素複素環式基が挙げ
られる。さらに好ましくは、Ｒ２およびＲ３が、同一ま
たは異なって、メチル基、エチル基、Ｒ２およびＲ
３が、一緒になって置換されていてもよいアルキリデン
基ならびにＲ２およびＲ3が、互いに末端で結合して、
隣接する窒素原子とともに形成する飽和または不飽和の
置換されていてもよい３〜８員の単環式もしくは二環式
含窒素複素環式基が挙げられ、よりさらに好ましくは、
Ｎ,Ｎ'−ジアルキルトリアジナノニル基が挙げられる。
さらに一層好ましくは、Ｎ,Ｎ'−ジメチルトリアジナノ
ニル基が挙げられる。また、好ましくは、Ｒ４が、水素
原子、置換されていてもよい低級アルキル、イソインド
ロニルおよびアルケニル基並びにＮ,Ｎ'−ジアルキルウ
レイドアルキル基が挙げられ、さらに好ましくは、メチ
ル基、エチル基、イソインドロニルメチル基、置換され
ていてもよいアルケニル、アルコキシアルキルおよびア
ルカノイルオキシアルキル基ならびにＮ,Ｎ'−ジアルキ
ルウレイドメチル基が挙げられる。よりさらに好ましく
は、Ｎ,Ｎ'−ジアルキルウレイドメチル基が挙げられ、
さらに一層好ましくは、Ｎ,Ｎ'−ジメチルウレイドメチ
ル基が挙げられる。また、好ましくは、Ｍがパラジウ
ム、白金が挙げられ、より好ましくは、パラジウムが挙
げられる。また、好ましくは、Ｙが、ハロゲン原子で置
換されていてもよいアセタト基が挙げられ、より好まし
くは、フッ素原子で置換されていてもよいアセタト基が
挙げられ、よりさらに好ましくはアセタト基が挙げられ
る。また、好ましくは、Ｚが、ハロゲン原子で置換され
ていてもよいアセタト基が挙げられ、より好ましくは、
フッ素原子で置換されていてもよいアセタト基が挙げら
れ、よりさらに好ましくはアセタト基が挙げられる。
２およびＲ３が、同一または異なって、水素原子、低級
アルキル基またはＲ２およびＲ３が、一緒になって置換
されていてもよいアルキリデン基もしくはＲ２およびＲ
3が、互いに末端で結合して、隣接する窒素原子ととも
に形成する飽和または不飽和の置換されていてもよい３
〜８員の単環式もしくは二環式含窒素複素環式基が挙げ
られる。さらに好ましくは、Ｒ２およびＲ３が、同一ま
たは異なって、メチル基、エチル基、Ｒ２およびＲ
３が、一緒になって置換されていてもよいアルキリデン
基ならびにＲ２およびＲ3が、互いに末端で結合して、
隣接する窒素原子とともに形成する飽和または不飽和の
置換されていてもよい３〜８員の単環式もしくは二環式
含窒素複素環式基が挙げられ、よりさらに好ましくは、
Ｎ,Ｎ'−ジアルキルトリアジナノニル基が挙げられる。
さらに一層好ましくは、Ｎ,Ｎ'−ジメチルトリアジナノ
ニル基が挙げられる。また、好ましくは、Ｒ４が、水素
原子、置換されていてもよい低級アルキル、イソインド
ロニルおよびアルケニル基並びにＮ,Ｎ'−ジアルキルウ
レイドアルキル基が挙げられ、さらに好ましくは、メチ
ル基、エチル基、イソインドロニルメチル基、置換され
ていてもよいアルケニル、アルコキシアルキルおよびア
ルカノイルオキシアルキル基ならびにＮ,Ｎ'−ジアルキ
ルウレイドメチル基が挙げられる。よりさらに好ましく
は、Ｎ,Ｎ'−ジアルキルウレイドメチル基が挙げられ、
さらに一層好ましくは、Ｎ,Ｎ'−ジメチルウレイドメチ
ル基が挙げられる。また、好ましくは、Ｍがパラジウ
ム、白金が挙げられ、より好ましくは、パラジウムが挙
げられる。また、好ましくは、Ｙが、ハロゲン原子で置
換されていてもよいアセタト基が挙げられ、より好まし
くは、フッ素原子で置換されていてもよいアセタト基が
挙げられ、よりさらに好ましくはアセタト基が挙げられ
る。また、好ましくは、Ｚが、ハロゲン原子で置換され
ていてもよいアセタト基が挙げられ、より好ましくは、
フッ素原子で置換されていてもよいアセタト基が挙げら
れ、よりさらに好ましくはアセタト基が挙げられる。
【００１５】次に、本発明の製造方法について説明す
る。なお、本発明の製造法の説明においてＡｃは、アセ
チル基を；Ｐｈは、フェニル基を示す。 ［製造法１］
る。なお、本発明の製造法の説明においてＡｃは、アセ
チル基を；Ｐｈは、フェニル基を示す。 ［製造法１］
【式１】 「式中、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ4およびＸは、上記と同じ
意味を有する。」
意味を有する。」
【００１６】（１）一般式［２］の化合物またはその塩
の製法 一般式［２］の化合物またはその塩は、一般式［１］の
化合物またはその塩を金属化合物の存在下、酸化剤の存
在下または非存在下に一酸化炭素と反応させることによ
り製造することができる。この反応に使用される溶媒と
しては、反応に悪影響及ぼさないものであればよく、た
とえば、n−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪
族炭化水素類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどの
ハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−
ジメトキシエタンおよびジオキサンなどのエーテル類；
ベンゼン、トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水
素類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類；酢酸エ
チルなどのエステル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸な
どの有機酸類；ならびにアセトニトリルなどのニトリル
類などが挙げられ、これらの溶媒は、混合して使用して
もよい。この反応に使用される金属化合物とは、パラジ
ウム、白金、コバルト、ルテニウム、ロジウムおよびニ
ッケルなどの遷移金属原子とギ酸、酢酸、プロピオン
酸、トリフルオロ酢酸、酪酸、イソ酪酸、ピバル酸、フ
ェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸、安息
香酸、ヒドロキシ安息香酸、メチル安息香酸、ジメチル
安息香酸およびトリフルオロ安息香酸などのカルボン酸
系；ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ピバ
ル酸、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢
酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、メチル安息香酸、
ジメチル安息香酸およびトリフルオロ安息香酸などのカ
ルボン酸から導かれたアミド系；トリフェニルホスフィ
ン、トリ-o-トリルホスフィン、炭素数１〜６のアルキ
ル基を有するトリアルキルホスフィンおよび炭素数１〜
６のアルキル基を有するトリアルコキシホスフィンなど
のホスフィン系；アセチルおよびアセトンなどの１，３
−ジケトン系；フッ素、塩素、臭素およびヨウ素などの
ハロゲン系；一酸化炭素などの配位子ならびにそれらか
ら誘導される陰イオンから構成されるものであり、たと
えば、Pd(OAc)2、PdCl2、Pd(PPh3)4、PdCl2(PPh3)2、Li
2PdCl4、Na 2PdCl4、Pd(OCOCF3)2、Pd[CH3COCH=C(O-)C
H3]2、PtCl2、Co2(CO)8、[Rh(OAc)2]2、RhCl(PPh3)3、R
u3(CO)12などが挙げられ、好ましくは、Pd(OAc)2、Pd(O
COCF3) 2、PdCl2、Co2(CO)8、[Rh(OAc)2]2およびPd[CH3C
OCH=C(O-)CH3]2などが挙げられ、より好ましくは、Pd(O
Ac)2およびPd(OCOCF3)2が挙げられる。この反応に使用
される金属化合物の使用量は、一般式［１］の化合物ま
たはその塩に対して、0.001〜3倍モルであり、好ましく
は、0.01〜等モルである。また、必要に応じて使用され
る酸化剤としては、通常使用されるものがすべて含まれ
るが、たとえば、塩化銅（II）、酢酸銅（II）、二酸化
マンガン（IV）、ペルオキソ二硫酸カリウム、過塩素
酸、塩化銀（I）、酢酸銀（I）およびベンゾキノンなど
が挙げられ、好ましくは、塩化銅（II）、酢酸銅（II）
および二酸化マンガン（IV）が挙げられ、より好ましく
は、二酸化マンガン（IV）が挙げられる。また、本発明
の製造法においては、酸化剤は、必要に応じて使用され
るが、酸化剤を使用する方法が好ましい。必要に応じて
使用される酸化剤の使用量は、一般式［１］の化合物ま
たはその塩に対して、0.001〜10倍モルであり、好まし
くは0.01〜3倍モルである。この反応は、一酸化炭素雰
囲気下、常圧で実施すればよいが、必要に応じ、200気
圧まで加圧して実施してもよい。この反応は、通常、20
〜200℃、好ましくは50〜120℃で10分〜24時間実施すれ
ばよい。
の製法 一般式［２］の化合物またはその塩は、一般式［１］の
化合物またはその塩を金属化合物の存在下、酸化剤の存
在下または非存在下に一酸化炭素と反応させることによ
り製造することができる。この反応に使用される溶媒と
しては、反応に悪影響及ぼさないものであればよく、た
とえば、n−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪
族炭化水素類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどの
ハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−
ジメトキシエタンおよびジオキサンなどのエーテル類；
ベンゼン、トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水
素類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類；酢酸エ
チルなどのエステル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸な
どの有機酸類；ならびにアセトニトリルなどのニトリル
類などが挙げられ、これらの溶媒は、混合して使用して
もよい。この反応に使用される金属化合物とは、パラジ
ウム、白金、コバルト、ルテニウム、ロジウムおよびニ
ッケルなどの遷移金属原子とギ酸、酢酸、プロピオン
酸、トリフルオロ酢酸、酪酸、イソ酪酸、ピバル酸、フ
ェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸、安息
香酸、ヒドロキシ安息香酸、メチル安息香酸、ジメチル
安息香酸およびトリフルオロ安息香酸などのカルボン酸
系；ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ピバ
ル酸、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢
酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、メチル安息香酸、
ジメチル安息香酸およびトリフルオロ安息香酸などのカ
ルボン酸から導かれたアミド系；トリフェニルホスフィ
ン、トリ-o-トリルホスフィン、炭素数１〜６のアルキ
ル基を有するトリアルキルホスフィンおよび炭素数１〜
６のアルキル基を有するトリアルコキシホスフィンなど
のホスフィン系；アセチルおよびアセトンなどの１，３
−ジケトン系；フッ素、塩素、臭素およびヨウ素などの
ハロゲン系；一酸化炭素などの配位子ならびにそれらか
ら誘導される陰イオンから構成されるものであり、たと
えば、Pd(OAc)2、PdCl2、Pd(PPh3)4、PdCl2(PPh3)2、Li
2PdCl4、Na 2PdCl4、Pd(OCOCF3)2、Pd[CH3COCH=C(O-)C
H3]2、PtCl2、Co2(CO)8、[Rh(OAc)2]2、RhCl(PPh3)3、R
u3(CO)12などが挙げられ、好ましくは、Pd(OAc)2、Pd(O
COCF3) 2、PdCl2、Co2(CO)8、[Rh(OAc)2]2およびPd[CH3C
OCH=C(O-)CH3]2などが挙げられ、より好ましくは、Pd(O
Ac)2およびPd(OCOCF3)2が挙げられる。この反応に使用
される金属化合物の使用量は、一般式［１］の化合物ま
たはその塩に対して、0.001〜3倍モルであり、好ましく
は、0.01〜等モルである。また、必要に応じて使用され
る酸化剤としては、通常使用されるものがすべて含まれ
るが、たとえば、塩化銅（II）、酢酸銅（II）、二酸化
マンガン（IV）、ペルオキソ二硫酸カリウム、過塩素
酸、塩化銀（I）、酢酸銀（I）およびベンゾキノンなど
が挙げられ、好ましくは、塩化銅（II）、酢酸銅（II）
および二酸化マンガン（IV）が挙げられ、より好ましく
は、二酸化マンガン（IV）が挙げられる。また、本発明
の製造法においては、酸化剤は、必要に応じて使用され
るが、酸化剤を使用する方法が好ましい。必要に応じて
使用される酸化剤の使用量は、一般式［１］の化合物ま
たはその塩に対して、0.001〜10倍モルであり、好まし
くは0.01〜3倍モルである。この反応は、一酸化炭素雰
囲気下、常圧で実施すればよいが、必要に応じ、200気
圧まで加圧して実施してもよい。この反応は、通常、20
〜200℃、好ましくは50〜120℃で10分〜24時間実施すれ
ばよい。
【００１７】［製造法２］一般式［２］の化合物または
その塩は、一般式［３］の金属錯体を経由する次の製造
法２のルートにより、一般式［１］の化合物またはその
塩から製造することができる。
その塩は、一般式［３］の金属錯体を経由する次の製造
法２のルートにより、一般式［１］の化合物またはその
塩から製造することができる。
【式２】 「式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｍ、ＹおよびＸは、
上記と同じ意味を意味する。」
上記と同じ意味を意味する。」
【００１８】（１）一般式［３］の金属錯体の製法 一般式［３］の金属錯体は、一般式［１］の化合物また
はその塩を金属化合物と反応させることにより製造する
ことができる。この反応に使用される溶媒としては、反
応に悪影響及ぼさないものであればよく、たとえば、n
−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素
類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−ジメトキシ
エタンおよびジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類；N,N-ジメチル
ホルムアミドなどのアミド類；酢酸エチルなどのエステ
ル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機酸類；な
らびにアセトニトリルなどのニトリル類などが挙げら
れ、これらの溶媒は、混合して使用してもよい。また、
この反応に使用される金属化合物としては、たとえば、
Pd(OAc)2およびPd(OCOCF3)２などが挙げられ、その使用
量は、一般式［１］の化合物またはその塩に対して等モ
ル以上であればよい。この反応は、通常、0〜150℃で10
分〜24時間実施すればよい。また、この反応で得られた
一般式［３］の金属錯体は、単離せずに次の反応に用い
てもよい。
はその塩を金属化合物と反応させることにより製造する
ことができる。この反応に使用される溶媒としては、反
応に悪影響及ぼさないものであればよく、たとえば、n
−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素
類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−ジメトキシ
エタンおよびジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類；N,N-ジメチル
ホルムアミドなどのアミド類；酢酸エチルなどのエステ
ル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機酸類；な
らびにアセトニトリルなどのニトリル類などが挙げら
れ、これらの溶媒は、混合して使用してもよい。また、
この反応に使用される金属化合物としては、たとえば、
Pd(OAc)2およびPd(OCOCF3)２などが挙げられ、その使用
量は、一般式［１］の化合物またはその塩に対して等モ
ル以上であればよい。この反応は、通常、0〜150℃で10
分〜24時間実施すればよい。また、この反応で得られた
一般式［３］の金属錯体は、単離せずに次の反応に用い
てもよい。
【００１９】（２）一般式［２］の化合物またはその塩
の製法 一般式［２］の化合物またはその塩は、一般式［３］の
金属錯体を一酸化炭素と反応させることにより製造する
ことができる。この反応に使用される溶媒としては、反
応に悪影響及ぼさないものであればよく、たとえば、n
−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素
類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−ジメトキシ
エタンおよびジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類；N,N-ジメチル
ホルムアミドなどのアミド類；酢酸エチルなどのエステ
ル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機酸類；メ
タノールおよびエタノールなどのアルコール類；ならび
にアセトニトリルなどのニトリル類などが挙げられ、こ
れらの溶媒は、混合して使用してもよい。この反応は、
通常、0〜150℃で10分〜24時間実施すればよい。この反
応は、一酸化炭素雰囲気下、常圧で実施すればよいが、
必要に応じ、200気圧まで加圧して実施してもよい。
の製法 一般式［２］の化合物またはその塩は、一般式［３］の
金属錯体を一酸化炭素と反応させることにより製造する
ことができる。この反応に使用される溶媒としては、反
応に悪影響及ぼさないものであればよく、たとえば、n
−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素
類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−ジメトキシ
エタンおよびジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類；N,N-ジメチル
ホルムアミドなどのアミド類；酢酸エチルなどのエステ
ル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機酸類；メ
タノールおよびエタノールなどのアルコール類；ならび
にアセトニトリルなどのニトリル類などが挙げられ、こ
れらの溶媒は、混合して使用してもよい。この反応は、
通常、0〜150℃で10分〜24時間実施すればよい。この反
応は、一酸化炭素雰囲気下、常圧で実施すればよいが、
必要に応じ、200気圧まで加圧して実施してもよい。
【００２０】［製造法３］一般式［２］の化合物または
その塩は、一般式［４］および［５］の金属錯体を経由
する次の製造法３のルートにより、一般式［１］の化合
物またはその塩から製造することができる。
その塩は、一般式［４］および［５］の金属錯体を経由
する次の製造法３のルートにより、一般式［１］の化合
物またはその塩から製造することができる。
【式３】 「式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｍ、ＸおよびＺは、
上記と同じ意味を有する。」
上記と同じ意味を有する。」
【００２１】（１）一般式［４］の金属錯体の製法 一般式［４］の金属錯体は、一般式［１］の化合物また
はその塩を金属化合物と反応させることにより製造する
ことができる。この反応に使用される溶媒としては、反
応に悪影響及ぼさないものであればよく、たとえば、ｎ
−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素
類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−ジメトキシ
エタンおよびジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類；N,N-ジメチル
ホルムアミドなどのアミド類；酢酸エチルなどのエステ
ル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機酸類；メ
タノールおよびエタノールなどのアルコール類；ならび
にアセトニトリルなどのニトリル類などが挙げられ、こ
れらの溶媒は、混合して使用してもよい。この反応に使
用される金属化合物としては、たとえば、Pd(OAc)2、Pd
(OCOCF3)2、PdCl2およびPtCl2などが挙げられ、その使
用量は、一般式［１］の化合物またはその塩に対して等
モル以上であればよい。この反応は通常、0〜150℃で10
分〜24時間実施すればよい。また、この反応で得られた
一般式［４］の金属錯体は、単離せずにそのまま次の反
応に用いてもよい。
はその塩を金属化合物と反応させることにより製造する
ことができる。この反応に使用される溶媒としては、反
応に悪影響及ぼさないものであればよく、たとえば、ｎ
−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素
類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−ジメトキシ
エタンおよびジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類；N,N-ジメチル
ホルムアミドなどのアミド類；酢酸エチルなどのエステ
ル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機酸類；メ
タノールおよびエタノールなどのアルコール類；ならび
にアセトニトリルなどのニトリル類などが挙げられ、こ
れらの溶媒は、混合して使用してもよい。この反応に使
用される金属化合物としては、たとえば、Pd(OAc)2、Pd
(OCOCF3)2、PdCl2およびPtCl2などが挙げられ、その使
用量は、一般式［１］の化合物またはその塩に対して等
モル以上であればよい。この反応は通常、0〜150℃で10
分〜24時間実施すればよい。また、この反応で得られた
一般式［４］の金属錯体は、単離せずにそのまま次の反
応に用いてもよい。
【００２２】（２）一般式［５］の金属錯体の製法 一般式［５］の化合物は、一般式［４］の金属錯体を銀
塩と反応させることにより製造することができる。この
反応に使用される溶媒としては、反応に悪影響及ぼさな
いものであればよく、たとえば、n−ヘキサンおよびシ
クロヘキサンなどの脂肪族炭化水素類；塩化メチレンお
よびクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類；テトラ
ヒドロフラン、１,２−ジメトキシエタンおよびジオキ
サンなどのエーテル類；ベンゼン、トルエンおよびキシ
レンなどの芳香族炭化水素類；ジメチルスルホキシドな
どのスルホキシド類；N,N-ジメチルホルムアミドなどの
アミド類；酢酸エチルなどのエステル類；酢酸およびト
リフルオロ酢酸などの有機酸類；アセトニトリルなどの
ニトリル類ならびにアセトンなどが挙げられ、これらの
溶媒は、混合して使用してもよい。この反応に使用され
る銀塩としては、とくに限定されないが、たとえば、テ
トラフルオロホウ酸銀などが挙げられ、その使用量は、
一般式［４］の金属錯体に対して等モル〜３倍モルであ
ればよい。この反応は、通常、0〜150℃で10分〜48時間
実施すればよい。また、この反応で得られた一般式
［５］の化合物は、単離せずにそのまま次の反応に用い
てもよい。
塩と反応させることにより製造することができる。この
反応に使用される溶媒としては、反応に悪影響及ぼさな
いものであればよく、たとえば、n−ヘキサンおよびシ
クロヘキサンなどの脂肪族炭化水素類；塩化メチレンお
よびクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類；テトラ
ヒドロフラン、１,２−ジメトキシエタンおよびジオキ
サンなどのエーテル類；ベンゼン、トルエンおよびキシ
レンなどの芳香族炭化水素類；ジメチルスルホキシドな
どのスルホキシド類；N,N-ジメチルホルムアミドなどの
アミド類；酢酸エチルなどのエステル類；酢酸およびト
リフルオロ酢酸などの有機酸類；アセトニトリルなどの
ニトリル類ならびにアセトンなどが挙げられ、これらの
溶媒は、混合して使用してもよい。この反応に使用され
る銀塩としては、とくに限定されないが、たとえば、テ
トラフルオロホウ酸銀などが挙げられ、その使用量は、
一般式［４］の金属錯体に対して等モル〜３倍モルであ
ればよい。この反応は、通常、0〜150℃で10分〜48時間
実施すればよい。また、この反応で得られた一般式
［５］の化合物は、単離せずにそのまま次の反応に用い
てもよい。
【００２３】（３）一般式［２］の化合物またはその塩
の製法 一般式［２］の化合物またはその塩は、一般式［５］の
金属錯体を一酸化炭素と反応させることにより製造する
ことができる。この反応に使用される溶媒としては、反
応に悪影響及ぼさないものであればよく、たとえば、n
−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素
類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−ジメトキシ
エタンおよびジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類；N,N-ジメチル
ホルムアミドなどのアミド類；酢酸エチルなどのエステ
ル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機酸類；メ
タノールおよびエタノールなどのアルコール類；ならび
にアセトニトリルなどのニトリル類などが挙げられ、こ
れらの溶媒は、混合して使用してもよい。この反応は、
通常、0〜150℃で10分〜24時間実施すればよい。この反
応は、一酸化炭素雰囲気下、常圧で実施すればよいが、
必要に応じ、200気圧まで加圧して実施してもよい。
の製法 一般式［２］の化合物またはその塩は、一般式［５］の
金属錯体を一酸化炭素と反応させることにより製造する
ことができる。この反応に使用される溶媒としては、反
応に悪影響及ぼさないものであればよく、たとえば、n
−ヘキサンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素
類；塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化
炭化水素類；テトラヒドロフラン、１,２−ジメトキシ
エタンおよびジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメ
チルスルホキシドなどのスルホキシド類；N,N-ジメチル
ホルムアミドなどのアミド類；酢酸エチルなどのエステ
ル類；酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有機酸類；メ
タノールおよびエタノールなどのアルコール類；ならび
にアセトニトリルなどのニトリル類などが挙げられ、こ
れらの溶媒は、混合して使用してもよい。この反応は、
通常、0〜150℃で10分〜24時間実施すればよい。この反
応は、一酸化炭素雰囲気下、常圧で実施すればよいが、
必要に応じ、200気圧まで加圧して実施してもよい。
【００２４】上記の製造法１、２および３において、一
般式［１］および［２］の化合物は、塩とすることもで
き、それらの塩としては、通常知られているアミノ基な
どの塩基性基における塩を挙げることができる。塩基性
基における塩としては、たとえば、塩酸、臭化水素酸お
よび硫酸などの鉱酸との塩；酒石酸、ギ酸、乳酸、クエ
ン酸、トリクロロ酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有
機カルボン酸との塩；ならびにメタンスルホン酸、ベン
ゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、メシチレンス
ルホン酸およびナフタレンスルホン酸などのスルホン酸
との塩などを挙げることができる。
般式［１］および［２］の化合物は、塩とすることもで
き、それらの塩としては、通常知られているアミノ基な
どの塩基性基における塩を挙げることができる。塩基性
基における塩としては、たとえば、塩酸、臭化水素酸お
よび硫酸などの鉱酸との塩；酒石酸、ギ酸、乳酸、クエ
ン酸、トリクロロ酢酸およびトリフルオロ酢酸などの有
機カルボン酸との塩；ならびにメタンスルホン酸、ベン
ゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、メシチレンス
ルホン酸およびナフタレンスルホン酸などのスルホン酸
との塩などを挙げることができる。
【００２５】上記の製造法１、２および３において、一
般式［２］の化合物またはその塩は、たとえば、ジャー
ナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（Journal of
Organic Chemistry）第57巻、第23号、第6239項〜第62
56項（1992年）に記載の方法に従い、脱保護を行い、次
いで、たとえば、特開平11-269179号に記載の方法に従
い、T-3811に代表されるキノロン誘導体またはその塩に
導くことができる。さらに、脱保護を行った後、必要に
応じ、新たなアミノ保護基の導入を行ってもよい。ま
た、得られた一般式［２］の化合物またはその塩は、単
離せずにそのまま次の反応に用いてもよい。
般式［２］の化合物またはその塩は、たとえば、ジャー
ナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（Journal of
Organic Chemistry）第57巻、第23号、第6239項〜第62
56項（1992年）に記載の方法に従い、脱保護を行い、次
いで、たとえば、特開平11-269179号に記載の方法に従
い、T-3811に代表されるキノロン誘導体またはその塩に
導くことができる。さらに、脱保護を行った後、必要に
応じ、新たなアミノ保護基の導入を行ってもよい。ま
た、得られた一般式［２］の化合物またはその塩は、単
離せずにそのまま次の反応に用いてもよい。
【００２６】次に本発明の製造法を参考例および実施例
で説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。なお、溶離液における混合比は、すべて容量比であ
る。また、カラムクロマトグラフィーにおける担体は、
シリカゲルBW-127ZH（富士シリシア化学社製）を用い
た。
で説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。なお、溶離液における混合比は、すべて容量比であ
る。また、カラムクロマトグラフィーにおける担体は、
シリカゲルBW-127ZH（富士シリシア化学社製）を用い
た。
【００２７】参考例１ Ｒ−（＋）−１−（４−ブロモフェニル）エチルアミン
・塩酸塩2.36ｇをエタノール20mLに溶解させ、トリエチ
ルアミン2.09mL、37%ホルマリン水2.25mLおよび１,３−
ジメチルウレア1.06ｇを加え、４時間還流した。反応混
合物を室温まで冷却した後、酢酸エチルおよび水を加
え、有機層を分取した。得られた有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。得られた
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離
液；酢酸エチル：メタノール＝10：1］で精製し、５−
［（１Ｒ）−１−（４−ブロモフェニル）エチル］−
１,３−ジメチル−１,３,５−トリアジナン−２−オン
2.34ｇを得た。（収率75％） NMR(CDCl3)δ値: 1.36(3H,d,J=6.6Hz), 2.81(6H,s), 3.
9-4.2(5H,m), 7.20(2H,d,J=8.6Hz), 7.47(2H,d,J=8.6H
z)
・塩酸塩2.36ｇをエタノール20mLに溶解させ、トリエチ
ルアミン2.09mL、37%ホルマリン水2.25mLおよび１,３−
ジメチルウレア1.06ｇを加え、４時間還流した。反応混
合物を室温まで冷却した後、酢酸エチルおよび水を加
え、有機層を分取した。得られた有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。得られた
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離
液；酢酸エチル：メタノール＝10：1］で精製し、５−
［（１Ｒ）−１−（４−ブロモフェニル）エチル］−
１,３−ジメチル−１,３,５−トリアジナン−２−オン
2.34ｇを得た。（収率75％） NMR(CDCl3)δ値: 1.36(3H,d,J=6.6Hz), 2.81(6H,s), 3.
9-4.2(5H,m), 7.20(2H,d,J=8.6Hz), 7.47(2H,d,J=8.6H
z)
【００２８】実施例１ ５−［（１Ｒ）−１−（４−ブロモフェニル）エチル］
−１,３−ジメチル−１,３,５−トリアジナン−２−オ
ン0.28ｇを酢酸5mLに溶解させ、二酸化マンガン0.60ｇ
および酢酸パラジウム20mgを加え、一酸化炭素雰囲気
下、70℃で7時間撹拌した。反応混合物をセライト濾過
した後、濾液に酢酸エチルおよび水を加え、撹拌し、次
いで、炭酸ナトリウムを加え、pH9に調整した。不溶物
を濾去した後、有機層を分取し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。得られた残留物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離液；クロロ
ホルム−メタノール＝30：1］で精製し、Ｎ−｛［（１
Ｒ）−５−ブロモ−１−メチル−３−オキソ−１,3−ジ
ヒドロ−２Ｈ−イソインドール−２−イル］メチル｝−
Ｎ,Ｎ'−ジメチルウレア0.15ｇを得た。（収率52％） NMR(CDCl3)δ値: 1.57(3H,d,J=6.8Hz), 2.82(3H,d,J=4.
6Hz), 3.01(3H,s), 4.5-4.8(1H,m), 4.9-5.4(2H,m), 7.
31(1H,d,J=7.8Hz), 7.69(1H,dd,J=1.7,7.8Hz), 7.97(1
H,d,J=1.7Hz)
−１,３−ジメチル−１,３,５−トリアジナン−２−オ
ン0.28ｇを酢酸5mLに溶解させ、二酸化マンガン0.60ｇ
および酢酸パラジウム20mgを加え、一酸化炭素雰囲気
下、70℃で7時間撹拌した。反応混合物をセライト濾過
した後、濾液に酢酸エチルおよび水を加え、撹拌し、次
いで、炭酸ナトリウムを加え、pH9に調整した。不溶物
を濾去した後、有機層を分取し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。得られた残留物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離液；クロロ
ホルム−メタノール＝30：1］で精製し、Ｎ−｛［（１
Ｒ）−５−ブロモ−１−メチル−３−オキソ−１,3−ジ
ヒドロ−２Ｈ−イソインドール−２−イル］メチル｝−
Ｎ,Ｎ'−ジメチルウレア0.15ｇを得た。（収率52％） NMR(CDCl3)δ値: 1.57(3H,d,J=6.8Hz), 2.82(3H,d,J=4.
6Hz), 3.01(3H,s), 4.5-4.8(1H,m), 4.9-5.4(2H,m), 7.
31(1H,d,J=7.8Hz), 7.69(1H,dd,J=1.7,7.8Hz), 7.97(1
H,d,J=1.7Hz)
【００２９】実施例２ ５−［（１Ｒ）−１−（４−ブロモフェニル）エチル］
−１,３−ジメチル−１,３,５−トリアジナン−２−オ
ン0.31ｇを酢酸5mLに溶解させ、二酸化マンガン0.60ｇ
および酢酸パラジウム22mgを加え、一酸化炭素雰囲気
下、70℃で３時間撹拌した後、水5mLおよび塩化アンモ
ニウム2.0ｇを加え、5時間還流した。反応混合物をセラ
イト濾過した後、濾液に酢酸エチルおよび水を加え、撹
拌し、次いで、炭酸ナトリウムを加え、pH9に調整し
た。不溶物を濾去した後、有機層を分取し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。得られ
た残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離
液；ヘキサン：酢酸エチル＝1：1］で精製し、（３Ｒ）
−６−ブロモ−３−メチル−２,３−ジヒドロ−１H−イ
ソインドール−１−オン42mgを得た。（収率18％） NMR(CDCl3)δ値: 1.49(3H,d,J=6.8Hz), 4.5-4.9(1H,m),
7.31(1H,d,J=7.8Hz), 7.69(1H,dd,J=1.7,7.8Hz), 7.96
(1H,d,J=1.7Hz)
−１,３−ジメチル−１,３,５−トリアジナン−２−オ
ン0.31ｇを酢酸5mLに溶解させ、二酸化マンガン0.60ｇ
および酢酸パラジウム22mgを加え、一酸化炭素雰囲気
下、70℃で３時間撹拌した後、水5mLおよび塩化アンモ
ニウム2.0ｇを加え、5時間還流した。反応混合物をセラ
イト濾過した後、濾液に酢酸エチルおよび水を加え、撹
拌し、次いで、炭酸ナトリウムを加え、pH9に調整し
た。不溶物を濾去した後、有機層を分取し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。得られ
た残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離
液；ヘキサン：酢酸エチル＝1：1］で精製し、（３Ｒ）
−６−ブロモ−３−メチル−２,３−ジヒドロ−１H−イ
ソインドール−１−オン42mgを得た。（収率18％） NMR(CDCl3)δ値: 1.49(3H,d,J=6.8Hz), 4.5-4.9(1H,m),
7.31(1H,d,J=7.8Hz), 7.69(1H,dd,J=1.7,7.8Hz), 7.96
(1H,d,J=1.7Hz)
【００３０】実施例３ Ｒ−（＋）−１−（４−ブロモフェニル）エチルアミン
0.10ｇをアセトニトリル10mLに溶解させ、酢酸パラジウ
ム0.11ｇを加え、5時間還流した。反応混合物を冷却
後、無水硫酸マグネシウムを加え、室温で20分間撹拌
し、不溶物を濾去した後、減圧下に溶媒を留去した。得
られた残留物をｎ−ヘキサンで濾取し、黄色固形物0.14
ｇを得た。上記固形物85mgをメタノール2mLに溶解さ
せ、一酸化炭素雰囲気下、室温で23時間撹拌した。反応
混合物に酢酸エチルを加えた後に不溶物を濾去し、1mol
/L塩酸、水および飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で順次
洗浄した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、減圧下に溶媒を留去した。得られた残留物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離液；ｎ−ヘ
キサン：酢酸エチル＝1：2］で精製し、（３Ｒ）−６−
ブロモ−３−メチル−２,３−ジヒドロ−１H−イソイン
ドール−１−オン14mgを得た。（収率17％） 本化合物の物性値は、実施例２で得られた化合物の物性
値と一致した。
0.10ｇをアセトニトリル10mLに溶解させ、酢酸パラジウ
ム0.11ｇを加え、5時間還流した。反応混合物を冷却
後、無水硫酸マグネシウムを加え、室温で20分間撹拌
し、不溶物を濾去した後、減圧下に溶媒を留去した。得
られた残留物をｎ−ヘキサンで濾取し、黄色固形物0.14
ｇを得た。上記固形物85mgをメタノール2mLに溶解さ
せ、一酸化炭素雰囲気下、室温で23時間撹拌した。反応
混合物に酢酸エチルを加えた後に不溶物を濾去し、1mol
/L塩酸、水および飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で順次
洗浄した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、減圧下に溶媒を留去した。得られた残留物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶離液；ｎ−ヘ
キサン：酢酸エチル＝1：2］で精製し、（３Ｒ）−６−
ブロモ−３−メチル−２,３−ジヒドロ−１H−イソイン
ドール−１−オン14mgを得た。（収率17％） 本化合物の物性値は、実施例２で得られた化合物の物性
値と一致した。
【００３１】実施例４ Ｒ−（＋）−１−（４−ブロモフェニル）エチルアミン
0.40ｇをメタノール6mLに溶解させ、塩化パラジウム0.1
8ｇを加え、3時間撹拌した後、溶媒を留去した。得られ
た残留物にアセトン10mLおよびテトラフルオロホウ酸銀
0.38ｇを加え、遮光下、室温で６時間撹拌し、不溶物を
濾去した後、溶媒を留去した。得られた残留物に酢酸エ
チルおよび水を加え、2mol/L塩酸でpH2に調整した。有
機層を分取し、水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下に溶媒を留去し、褐色油状物0.41ｇを得
た。上記油状物100mgをメタノール3mLに溶解させ、一酸
化炭素雰囲気下、室温で２時間撹拌した。反応混合物に
酢酸エチルを加えた後、不溶物を濾去し、濾液を1mol/L
塩酸および水で順次洗浄した。得られた有機層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に溶媒を留去し、
（３Ｒ）−６−ブロモ−３−メチル−２,３−ジヒドロ
−１H−イソインドール−１−オン30mgを得た。（収率2
7％） 本化合物の物性値は、実施例２で得られた化合物の物性
値と一致した。
0.40ｇをメタノール6mLに溶解させ、塩化パラジウム0.1
8ｇを加え、3時間撹拌した後、溶媒を留去した。得られ
た残留物にアセトン10mLおよびテトラフルオロホウ酸銀
0.38ｇを加え、遮光下、室温で６時間撹拌し、不溶物を
濾去した後、溶媒を留去した。得られた残留物に酢酸エ
チルおよび水を加え、2mol/L塩酸でpH2に調整した。有
機層を分取し、水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下に溶媒を留去し、褐色油状物0.41ｇを得
た。上記油状物100mgをメタノール3mLに溶解させ、一酸
化炭素雰囲気下、室温で２時間撹拌した。反応混合物に
酢酸エチルを加えた後、不溶物を濾去し、濾液を1mol/L
塩酸および水で順次洗浄した。得られた有機層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に溶媒を留去し、
（３Ｒ）−６−ブロモ−３−メチル−２,３−ジヒドロ
−１H−イソインドール−１−オン30mgを得た。（収率2
7％） 本化合物の物性値は、実施例２で得られた化合物の物性
値と一致した。
【発明の効果】本発明は、国際公開番号WO97/29102号に
開示される優れた抗菌剤である有用な抗菌剤であるT-38
11に代表されるキノロン誘導体の製造原料として有用な
イソインドロン誘導体またはその塩の工業的製造法とし
て有用である。
開示される優れた抗菌剤である有用な抗菌剤であるT-38
11に代表されるキノロン誘導体の製造原料として有用な
イソインドロン誘導体またはその塩の工業的製造法とし
て有用である。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式 【化１】 「式中、Ｘは、水素原子またはハロゲン原子を；Ｒ1はア
ルキル基を；Ｒ4は水素原子、アミノ保護基、置換され
ていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケ
ニル基を、それぞれ示す。」で表されるイソインドロン
誘導体またはその塩を得る製造方法において、一般式 【化２】 「式中、ＸおよびＲ1は、上記と同じ意味を有し；Ｒ2お
よびＲ3は、同一または異なって水素原子、アミノ保護
基、置換されていてもよいアルキル基、Ｒ2およびＲ3が
一緒になって置換されていてもよいアルキリデン基また
はＲ2およびＲ3が互いに末端で結合し、隣接する窒素原
子とともに形成する飽和もしくは不飽和の置換されてい
てもよい３〜８員の単環式もしくは二環式含窒素複素環
式基を、それぞれ示す。」で表されるフェニルアルキル
アミン誘導体に一酸化炭素を金属化合物の存在下、一段
階または多段階で反応させることを特徴とするイソイン
ドロン誘導体またはその塩の製造方法。 - 【請求項２】一酸化炭素を反応させる方法が、下記の
（１）、（２）または（３）の方法である請求項１に記
載のイソインドロン誘導体またはその塩の製造法。 （１）一般式 【化３】 「式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記と同じ意味
を有する。」で表されるフェニルアルキルアミン誘導体
に金属化合物の存在下、さらに酸化剤の存在下または非
存在下において一酸化炭素を反応させることを特徴とす
る一般式 【化４】 「式中、Ｒ１、Ｒ４およびＸは、上記と同じ意味を有す
る。」で表されるイソインドロン誘導体またはその塩の
製造法； （２）一般式 【化５】 「式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記と同じ意味
を有する。」で表されるフェニルアルキルアミン誘導体
に金属化合物を反応させ、一般式、 【化６】 「式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ3は、上記と同じ意味
を有し；Ｍは、金属原子を；Ｙは、置換されていてもよ
いアセタト基を、それぞれ示す。」で表される金属錯体
を得、次いで、一酸化炭素を反応させることを特徴とす
る、一般式、 【化７】 「式中、Ｒ１、Ｒ４およびＸは、上記と同じ意味を有す
る。」で表されるイソインドロン誘導体またはその塩の
製造法； （３）一般式 【化８】 「式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記と同じ意味
を有する。」で表されるフェニルアルキルアミン誘導体
に金属化合物を反応させ、一般式、 【化９】 「式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＭは、上記と同じ
意味を有し；Ｚは、ハロゲン原子もしくは置換されてい
てもよいアセタト基を、それぞれ示す。」で表される錯
体を得、次いで銀塩を反応させ、一般式、 【化１０】 「式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ＭおよびＺは、上記と同
じ意味を有する。」で表される金属錯体を得、次いで一
酸化炭素を反応させることを特徴とする、一般式、 【化１１】 「式中、Ｒ１、Ｒ４およびＸは、上記と同じ意味を有す
る。」で表されるイソインドロン誘導体またはその塩の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001070310A JP2001328979A (ja) | 2000-03-15 | 2001-03-13 | イソインドロン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071383 | 2000-03-15 | ||
| JP2000-71383 | 2000-03-15 | ||
| JP2001070310A JP2001328979A (ja) | 2000-03-15 | 2001-03-13 | イソインドロン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001328979A true JP2001328979A (ja) | 2001-11-27 |
Family
ID=26587518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001070310A Pending JP2001328979A (ja) | 2000-03-15 | 2001-03-13 | イソインドロン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001328979A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002062762A3 (en) * | 2001-02-05 | 2003-07-31 | Abbott Lab | Potassium channel openers |
| WO2005000812A1 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | インドール化合物の製造方法 |
-
2001
- 2001-03-13 JP JP2001070310A patent/JP2001328979A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002062762A3 (en) * | 2001-02-05 | 2003-07-31 | Abbott Lab | Potassium channel openers |
| WO2005000812A1 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | インドール化合物の製造方法 |
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