JP2001319422A - データスライス回路 - Google Patents
データスライス回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 少ないチャージポンプ電流で、入力信号のエ
ンベロープの急激なレベル変動に追従することのできる
データスライス回路を提供する。 【解決手段】 データ列信号をスライスレベルと比較
し、２値化信号を出力する比較手段と、比較手段が出力
する２値化信号に基づいて、チャージポンプ電流を流入
出するチャージポンプ回路と、それぞれ容量が異なる複
数のコンデンサと、複数のコンデンサのうちのいずれか
がチャージポンプ回路に充放電されるように切り替える
制御手段と、制御手段により切り替えられているコンデ
ンサの端子電圧をスライスレベルとして比較手段に帰還
させる帰還手段とを備える。
ンベロープの急激なレベル変動に追従することのできる
データスライス回路を提供する。 【解決手段】 データ列信号をスライスレベルと比較
し、２値化信号を出力する比較手段と、比較手段が出力
する２値化信号に基づいて、チャージポンプ電流を流入
出するチャージポンプ回路と、それぞれ容量が異なる複
数のコンデンサと、複数のコンデンサのうちのいずれか
がチャージポンプ回路に充放電されるように切り替える
制御手段と、制御手段により切り替えられているコンデ
ンサの端子電圧をスライスレベルとして比較手段に帰還
させる帰還手段とを備える。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、データスライス回
路に関し、特に、直流成分が一定になるように変調され
たディジタルデータが記録された光ディスクから読み取
った信号を２値化するものに関するものである。
路に関し、特に、直流成分が一定になるように変調され
たディジタルデータが記録された光ディスクから読み取
った信号を２値化するものに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、音声データや動画像データを圧縮
符号化して記録する媒体として、ＣＤ−ＲＯＭ（Compac
t Disc - Read Only Memory）やＤＶＤ（Digital Versa
tile Disc）等に代表される光ディスクが開発され、普
及してきている。
符号化して記録する媒体として、ＣＤ−ＲＯＭ（Compac
t Disc - Read Only Memory）やＤＶＤ（Digital Versa
tile Disc）等に代表される光ディスクが開発され、普
及してきている。
【０００３】このような各種光ディスクに記録されたデ
ータは、光学式ピックアップにより読み取られ、この読
み取られたデータはヘッドアンプに供給されて電流信号
から広帯域の電圧信号、いわゆるＲＦ（Radio Frequenc
y）信号に変換され、データスライス回路に供給されて
いる。そしてデータスライス回路は、ＲＦ信号を所定の
スライスレベルでレベルスライスすることにより２値化
し、ディジタルデータに変換する。
ータは、光学式ピックアップにより読み取られ、この読
み取られたデータはヘッドアンプに供給されて電流信号
から広帯域の電圧信号、いわゆるＲＦ（Radio Frequenc
y）信号に変換され、データスライス回路に供給されて
いる。そしてデータスライス回路は、ＲＦ信号を所定の
スライスレベルでレベルスライスすることにより２値化
し、ディジタルデータに変換する。
【０００４】一般に、光ディスクから読み出したＲＦ信
号は、再生ビットストリームのＤＳＶ（Digital Sum Va
lue）が“０”となるように変調されており、スペクト
ラム成分内の直流成分、及び低周波成分が少ないという
特徴を持っている。このようなＲＦ信号を２値化信号、
すなわちディジタル信号に変換する際には、再生ビット
ストリームのＤＳＶが“０”であるという特性を利用し
て、２値化信号の“１”、及び“０”のそれぞれの発生
頻度が等しくなるようにスライスレベルを生成し、デー
タスライスを行なう。
号は、再生ビットストリームのＤＳＶ（Digital Sum Va
lue）が“０”となるように変調されており、スペクト
ラム成分内の直流成分、及び低周波成分が少ないという
特徴を持っている。このようなＲＦ信号を２値化信号、
すなわちディジタル信号に変換する際には、再生ビット
ストリームのＤＳＶが“０”であるという特性を利用し
て、２値化信号の“１”、及び“０”のそれぞれの発生
頻度が等しくなるようにスライスレベルを生成し、デー
タスライスを行なう。
【０００５】図４は、従来のデータスライス回路を示す
図である。図４に示されるように、従来のデータスライ
ス回路は、ＲＦ信号入力端子２１と、ＲＦ信号入力端子
２１に入力されたＲＦ信号をスライスレベルでレベルス
ライスし、２値化信号を出力するコンパレータ２２と、
コンパレータ２２が出力した２値化信号の出力端子であ
るデータ出力端子２３と、コンパレータ２２が出力した
２値化信号が“１”のときチャージポンプ電流を流出
し、“０”のときチャージポンプ電流を流入するチャー
ジポンプ回路２４と、チャージポンプ回路２４により充
放電されるコンデンサ２５と、コンデンサ２５の端子電
圧をローパスフィルタ２７に送る帰還路２６と、帰還路
２６を通って入力されたコンデンサ２５の端子電圧から
高周波数成分を除去し、スライスレベルとしてコンパレ
ータ２２に出力するローパスフィルタ２７とから構成さ
れている。
図である。図４に示されるように、従来のデータスライ
ス回路は、ＲＦ信号入力端子２１と、ＲＦ信号入力端子
２１に入力されたＲＦ信号をスライスレベルでレベルス
ライスし、２値化信号を出力するコンパレータ２２と、
コンパレータ２２が出力した２値化信号の出力端子であ
るデータ出力端子２３と、コンパレータ２２が出力した
２値化信号が“１”のときチャージポンプ電流を流出
し、“０”のときチャージポンプ電流を流入するチャー
ジポンプ回路２４と、チャージポンプ回路２４により充
放電されるコンデンサ２５と、コンデンサ２５の端子電
圧をローパスフィルタ２７に送る帰還路２６と、帰還路
２６を通って入力されたコンデンサ２５の端子電圧から
高周波数成分を除去し、スライスレベルとしてコンパレ
ータ２２に出力するローパスフィルタ２７とから構成さ
れている。
【０００６】以下に従来のデータスライス回路の動作に
ついて説明する。ＲＦ信号入力端子２１から入力された
ＲＦ信号は、コンパレータ２２の一方の比較入力に入力
され、スライスレベルはコンパレータ２２の他方の比較
入力が入力される。コンパレータ２２は、ＲＦ信号をス
ライスレベルでレベルスライスし、２値化信号を出力す
る。この２値化信号は、チャージポンプ回路２４に入力
される。チャージポンプ回路２４は、２値化信号が
“１”のときチャージポンプ電流を流出してコンデンサ
２５を充電し、“０”のときチャージポンプ電流を流入
してコンデンサ２５を放電させる。これにより帰還路２
６を通る端子電圧が変動し、ローパスフィルタ２７を介
してコンパレータ２２に帰還されるスライスレベルが変
動する。
ついて説明する。ＲＦ信号入力端子２１から入力された
ＲＦ信号は、コンパレータ２２の一方の比較入力に入力
され、スライスレベルはコンパレータ２２の他方の比較
入力が入力される。コンパレータ２２は、ＲＦ信号をス
ライスレベルでレベルスライスし、２値化信号を出力す
る。この２値化信号は、チャージポンプ回路２４に入力
される。チャージポンプ回路２４は、２値化信号が
“１”のときチャージポンプ電流を流出してコンデンサ
２５を充電し、“０”のときチャージポンプ電流を流入
してコンデンサ２５を放電させる。これにより帰還路２
６を通る端子電圧が変動し、ローパスフィルタ２７を介
してコンパレータ２２に帰還されるスライスレベルが変
動する。
【０００７】図５は、従来のデータスライス回路におけ
る、ＲＦ信号と、スライスレベルと、２値化信号との関
係を示す図である。ここで、ＲＦ信号は高倍速で再生さ
れているものとする。図５に示されるように、従来のデ
ータスライス回路は、ＲＦ信号のエンベロープのレベル
が急激に下がったときには、スライスレベルを下げよう
としている。しかし、ＲＦ信号は高倍速で再生されてい
るため、ＲＦ信号の周波数が高くなり、ＲＦ信号のレベ
ル変動が速くなっているので、マスターディスクの露出
や、現像における製造誤差、ディスク表面のキズや汚れ
等のディフェクトによって起こるＲＦ信号のエンベロー
プの急激なレベル変動に対して、スライスレベルを追従
させることができず、２値化信号欠落区間が発生してい
る。
る、ＲＦ信号と、スライスレベルと、２値化信号との関
係を示す図である。ここで、ＲＦ信号は高倍速で再生さ
れているものとする。図５に示されるように、従来のデ
ータスライス回路は、ＲＦ信号のエンベロープのレベル
が急激に下がったときには、スライスレベルを下げよう
としている。しかし、ＲＦ信号は高倍速で再生されてい
るため、ＲＦ信号の周波数が高くなり、ＲＦ信号のレベ
ル変動が速くなっているので、マスターディスクの露出
や、現像における製造誤差、ディスク表面のキズや汚れ
等のディフェクトによって起こるＲＦ信号のエンベロー
プの急激なレベル変動に対して、スライスレベルを追従
させることができず、２値化信号欠落区間が発生してい
る。
【０００８】そこで、従来のデータスライス回路は、チ
ャージポンプ電流を大きくすることで、ＲＦ信号が高倍
速で再生されているときでも、入力信号のエンベロープ
の急激なレベル変動に対してスライスレベルを追従させ
ることができるようにして、２値化信号が欠落するのを
防いでいた。
ャージポンプ電流を大きくすることで、ＲＦ信号が高倍
速で再生されているときでも、入力信号のエンベロープ
の急激なレベル変動に対してスライスレベルを追従させ
ることができるようにして、２値化信号が欠落するのを
防いでいた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、チャージポン
プ電流を大きくすれば、チャージポンプ回路の規模が大
きくなり、消費電力が大きくなるという問題があった。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされた
ものであり、少ないチャージポンプ電流で、入力信号の
エンベロープの急激なレベル変動に追従することのでき
るデータスライス回路を提供することを目的とする。
プ電流を大きくすれば、チャージポンプ回路の規模が大
きくなり、消費電力が大きくなるという問題があった。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされた
ものであり、少ないチャージポンプ電流で、入力信号の
エンベロープの急激なレベル変動に追従することのでき
るデータスライス回路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
データスライス回路は、再生ビットストリームのＤＳＶ
（Digital Sum Value）が“０”となるように変調され
たデータ列信号を、自ら生成するスライスレベルと比較
して２値化信号に変換するデータスライス回路におい
て、上記データ列信号を上記スライスレベルと比較し、
２値化信号を出力する比較手段と、上記比較手段が出力
する２値化信号に基づいて、チャージポンプ電流を流入
出するチャージポンプ回路と、それぞれ容量が異なる複
数のコンデンサと、上記複数のコンデンサのうちのいず
れかが上記チャージポンプ回路によって充放電されるよ
うに切り替える制御手段と、上記制御手段により切り替
えられているコンデンサの端子電圧を上記スライスレベ
ルとして上記比較手段に帰還させる帰還手段とを備える
ものである。
データスライス回路は、再生ビットストリームのＤＳＶ
（Digital Sum Value）が“０”となるように変調され
たデータ列信号を、自ら生成するスライスレベルと比較
して２値化信号に変換するデータスライス回路におい
て、上記データ列信号を上記スライスレベルと比較し、
２値化信号を出力する比較手段と、上記比較手段が出力
する２値化信号に基づいて、チャージポンプ電流を流入
出するチャージポンプ回路と、それぞれ容量が異なる複
数のコンデンサと、上記複数のコンデンサのうちのいず
れかが上記チャージポンプ回路によって充放電されるよ
うに切り替える制御手段と、上記制御手段により切り替
えられているコンデンサの端子電圧を上記スライスレベ
ルとして上記比較手段に帰還させる帰還手段とを備える
ものである。
【００１１】本発明の請求項２に係るデータスライス回
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記制御手段が、上記データ列信号のエンベロープに基
づいて、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記
チャージポンプ回路によって充放電されるように切り替
えるものとしたものである。
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記制御手段が、上記データ列信号のエンベロープに基
づいて、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記
チャージポンプ回路によって充放電されるように切り替
えるものとしたものである。
【００１２】本発明の請求項３に係るデータスライス回
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記制御手段が、上記データ列信号の再生速度に基づい
て、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記チャ
ージポンプ回路によって充放電されるように切り替える
ものとしたものである。
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記制御手段が、上記データ列信号の再生速度に基づい
て、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記チャ
ージポンプ回路によって充放電されるように切り替える
ものとしたものである。
【００１３】本発明の請求項４に係るデータスライス回
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記コンデンサの数が、２つであるものとしたものであ
る。
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記コンデンサの数が、２つであるものとしたものであ
る。
【００１４】本発明の請求項５に係るデータスライス回
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記複数のコンデンサが、それぞれ高抵抗で並列接続さ
れるものとしたものである。
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記複数のコンデンサが、それぞれ高抵抗で並列接続さ
れるものとしたものである。
【００１５】本発明の請求項６に係るデータスライス回
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記チャージポンプ回路が、そのチャージポンプ電流の
流入出量が切り替え可能なものであり、上記制御手段
が、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記チャ
ージポンプ回路によって充放電されるように切り替える
際に、該チャージポンプ回路のチャージポンプ電流の流
入出量を切り替えるものとしたものである。
路は、請求項１に記載のデータスライス回路において、
上記チャージポンプ回路が、そのチャージポンプ電流の
流入出量が切り替え可能なものであり、上記制御手段
が、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記チャ
ージポンプ回路によって充放電されるように切り替える
際に、該チャージポンプ回路のチャージポンプ電流の流
入出量を切り替えるものとしたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、本発明の
実施の形態１によるデータスライス回路を示す図であ
る。図１に示されるように、本実施の形態１によるデー
タスライス回路は、光ディスク等から再生されるＲＦ信
号を入力するＲＦ信号入力端子１と、ＲＦ信号入力端子
１に入力されたＲＦ信号をスライスレベルでレベルスラ
イスし、２値化信号を出力するコンパレータ２と、コン
パレータ２が出力した２値化信号の出力端子であるデー
タ出力端子３と、コンパレータ２が出力した２値化信号
が“１”のときチャージポンプ電流を流出し、“０”の
ときチャージポンプ電流を流入するチャージポンプ回路
４と、ＲＦ信号のエンベロープを検出して、エンベロー
プが所定のレベルよりも高いときにＥＮＶ信号を出力す
るＥＮＶ検出部５と、ＲＦ信号の再生速度が現在何倍速
であるかを示す再生速度情報を入力する再生速度情報入
力端子６と、再生速度情報入力端子６から入力される再
生速度情報、及びＥＮＶ検出部５が出力するＥＮＶ信号
に基づいて、制御信号を出力する制御部７と、チャージ
ポンプ回路４により充放電される第１のコンデンサ８
と、チャージポンプ回路４により充放電される，第１の
コンデンサ８よりも容量が小さい第２のコンデンサ９
と、制御部７が制御信号を出力していないときには第１
のコンデンサ８を選択し、制御部７が制御信号を出力し
ているときには第２のコンデンサ９を選択するスイッチ
１０と、第１のコンデンサ８と第２のコンデンサ９とを
並列に接続する高抵抗１１と、スイッチ１０に選択され
ているコンデンサの端子電圧をローパスフィルタ１３に
送る帰還路１２と、帰還路１２を通って入力された端子
電圧から高周波数成分を除去し、スライスレベルとして
コンパレータ２に出力するローパスフィルタ１３とから
構成されている。
実施の形態１によるデータスライス回路を示す図であ
る。図１に示されるように、本実施の形態１によるデー
タスライス回路は、光ディスク等から再生されるＲＦ信
号を入力するＲＦ信号入力端子１と、ＲＦ信号入力端子
１に入力されたＲＦ信号をスライスレベルでレベルスラ
イスし、２値化信号を出力するコンパレータ２と、コン
パレータ２が出力した２値化信号の出力端子であるデー
タ出力端子３と、コンパレータ２が出力した２値化信号
が“１”のときチャージポンプ電流を流出し、“０”の
ときチャージポンプ電流を流入するチャージポンプ回路
４と、ＲＦ信号のエンベロープを検出して、エンベロー
プが所定のレベルよりも高いときにＥＮＶ信号を出力す
るＥＮＶ検出部５と、ＲＦ信号の再生速度が現在何倍速
であるかを示す再生速度情報を入力する再生速度情報入
力端子６と、再生速度情報入力端子６から入力される再
生速度情報、及びＥＮＶ検出部５が出力するＥＮＶ信号
に基づいて、制御信号を出力する制御部７と、チャージ
ポンプ回路４により充放電される第１のコンデンサ８
と、チャージポンプ回路４により充放電される，第１の
コンデンサ８よりも容量が小さい第２のコンデンサ９
と、制御部７が制御信号を出力していないときには第１
のコンデンサ８を選択し、制御部７が制御信号を出力し
ているときには第２のコンデンサ９を選択するスイッチ
１０と、第１のコンデンサ８と第２のコンデンサ９とを
並列に接続する高抵抗１１と、スイッチ１０に選択され
ているコンデンサの端子電圧をローパスフィルタ１３に
送る帰還路１２と、帰還路１２を通って入力された端子
電圧から高周波数成分を除去し、スライスレベルとして
コンパレータ２に出力するローパスフィルタ１３とから
構成されている。
【００１７】ここで、制御部７は、ＲＦ信号入力端子１
から入力されるＲＦ信号の再生速度を１倍速から１６倍
速までとすると、１倍速では制御信号は出力することは
なく、１６倍速では常に制御信号を出力し、１倍速より
速く１６倍速より遅い場合には、ＥＮＶ検出部５が出力
するＥＮＶ信号が出力されていないときと、ＥＮＶ信号
が出力されてから所定の期間が経過するまでの間とに制
御信号を出力するものとする。
から入力されるＲＦ信号の再生速度を１倍速から１６倍
速までとすると、１倍速では制御信号は出力することは
なく、１６倍速では常に制御信号を出力し、１倍速より
速く１６倍速より遅い場合には、ＥＮＶ検出部５が出力
するＥＮＶ信号が出力されていないときと、ＥＮＶ信号
が出力されてから所定の期間が経過するまでの間とに制
御信号を出力するものとする。
【００１８】以下に本実施の形態１によるデータスライ
ス回路の動作について説明する。ＲＦ信号入力端子１か
ら入力されたＲＦ信号は、コンパレータ２の一方の比較
入力に入力され、スライスレベルはコンパレータ２の他
方の比較入力が入力される。コンパレータ２は、ＲＦ信
号をスライスレベルでレベルスライスし、２値化信号を
出力する。この２値化信号は、チャージポンプ回路４に
入力される。
ス回路の動作について説明する。ＲＦ信号入力端子１か
ら入力されたＲＦ信号は、コンパレータ２の一方の比較
入力に入力され、スライスレベルはコンパレータ２の他
方の比較入力が入力される。コンパレータ２は、ＲＦ信
号をスライスレベルでレベルスライスし、２値化信号を
出力する。この２値化信号は、チャージポンプ回路４に
入力される。
【００１９】一方、制御部７は、ＥＮＶ信号と再生速度
情報とに基づいて、制御信号を出力する。スイッチ１０
は、制御部７が制御信号を出力していないときには第１
のコンデンサ８を選択し、制御信号を出力しているとき
には第２のコンデンサ９を選択する。
情報とに基づいて、制御信号を出力する。スイッチ１０
は、制御部７が制御信号を出力していないときには第１
のコンデンサ８を選択し、制御信号を出力しているとき
には第２のコンデンサ９を選択する。
【００２０】そして、チャージポンプ回路４は、２値化
信号が“１”のときチャージポンプ電流を流出してスイ
ッチ１０が選択しているコンデンサを充電し、“０”の
ときチャージポンプ電流を流入してスイッチ１０が選択
しているコンデンサを放電させる。これにより、帰還路
１２を通る端子電圧が変動し、ローパスフィルタ１３を
介してコンパレータ２に帰還されるスライスレベルが変
動する。
信号が“１”のときチャージポンプ電流を流出してスイ
ッチ１０が選択しているコンデンサを充電し、“０”の
ときチャージポンプ電流を流入してスイッチ１０が選択
しているコンデンサを放電させる。これにより、帰還路
１２を通る端子電圧が変動し、ローパスフィルタ１３を
介してコンパレータ２に帰還されるスライスレベルが変
動する。
【００２１】図２は、本発明の実施の形態１によるデー
タスライス回路における、ＲＦ信号と、スライスレベル
と、２値化信号と、制御信号と、ＥＮＶ信号との関係を
示す図である。ここで、ＲＦ信号は１倍速より速く１６
倍速より遅い速度で再生されているものとする。
タスライス回路における、ＲＦ信号と、スライスレベル
と、２値化信号と、制御信号と、ＥＮＶ信号との関係を
示す図である。ここで、ＲＦ信号は１倍速より速く１６
倍速より遅い速度で再生されているものとする。
【００２２】図２に示されるように、ＥＮＶ検出部５
が、ＲＦ信号のエンベロープが所定のレベルよりも低く
なったのを検出し、ＥＮＶ信号を立ち下げたときに、制
御部７は制御信号を立ち上げている。これによりスイッ
チ１０は、その選択するコンデンサを第１のコンデンサ
８から第２のコンデンサ９に切り替えている。そして、
第２のコンデンサ９は、その容量が小さいため急速に放
電されるので、スライスレベルはＲＦ信号のエンベロー
プのレベル変動に略追従している。
が、ＲＦ信号のエンベロープが所定のレベルよりも低く
なったのを検出し、ＥＮＶ信号を立ち下げたときに、制
御部７は制御信号を立ち上げている。これによりスイッ
チ１０は、その選択するコンデンサを第１のコンデンサ
８から第２のコンデンサ９に切り替えている。そして、
第２のコンデンサ９は、その容量が小さいため急速に放
電されるので、スライスレベルはＲＦ信号のエンベロー
プのレベル変動に略追従している。
【００２３】また、ＥＮＶ検出部５が、ＲＦ信号のエン
ベロープが所定のレベルよりも高くなったのを検出し、
ＥＮＶ信号を立ち上げてから所定の期間が経過した後
に、制御部７は制御信号を立ち下げている。これにより
スイッチ１０は、その選択するコンデンサを第２のコン
デンサ９から第１のコンデンサ８に切り替えている。そ
して、ＥＮＶ信号が立ち上げられてから制御信号が立ち
下げられるまでの所定の期間で、第２のコンデンサ９が
急速に充電されて、スライスレベルはＲＦ信号のエンベ
ロープのレベル変動に略追従している。また、スイッチ
１０がコンデンサの切り替えを行なう際に、スライスレ
ベルの急激な変化は生じていない。
ベロープが所定のレベルよりも高くなったのを検出し、
ＥＮＶ信号を立ち上げてから所定の期間が経過した後
に、制御部７は制御信号を立ち下げている。これにより
スイッチ１０は、その選択するコンデンサを第２のコン
デンサ９から第１のコンデンサ８に切り替えている。そ
して、ＥＮＶ信号が立ち上げられてから制御信号が立ち
下げられるまでの所定の期間で、第２のコンデンサ９が
急速に充電されて、スライスレベルはＲＦ信号のエンベ
ロープのレベル変動に略追従している。また、スイッチ
１０がコンデンサの切り替えを行なう際に、スライスレ
ベルの急激な変化は生じていない。
【００２４】このように本実施の形態１によるデータス
ライス回路は、ＲＦ信号のエンベロープ、及びＲＦ信号
の再生速度に基づいて、第１のコンデンサと第２のコン
デンサとを切り替えるようにしたので、少ないチャージ
ポンプ電流で、入力信号のエンベロープの急激なレベル
変動に追従することができる。
ライス回路は、ＲＦ信号のエンベロープ、及びＲＦ信号
の再生速度に基づいて、第１のコンデンサと第２のコン
デンサとを切り替えるようにしたので、少ないチャージ
ポンプ電流で、入力信号のエンベロープの急激なレベル
変動に追従することができる。
【００２５】また、第１のコンデンサと第２のコンデン
サとを高抵抗で並列接続したので、コンデンサを切り替
える際に起こるスライスレベルの急激な変化を防ぐこと
ができる。なお、上記実施の形態１によるデータスライ
ス回路は、互いに容量の異なる２つのコンデンサを切り
替えるものとしたが、それぞれの容量が異なる３つ以上
のコンデンサを切り替えるものとしてもよい。
サとを高抵抗で並列接続したので、コンデンサを切り替
える際に起こるスライスレベルの急激な変化を防ぐこと
ができる。なお、上記実施の形態１によるデータスライ
ス回路は、互いに容量の異なる２つのコンデンサを切り
替えるものとしたが、それぞれの容量が異なる３つ以上
のコンデンサを切り替えるものとしてもよい。
【００２６】また、上記実施の形態１によるデータスラ
イス回路においても、チャージポンプ回路のチャージポ
ンプ電流を大きくすれば、スライスレベルの入力信号へ
の追従性が高くなることは言うまでもなく、さらに、チ
ャージポンプ回路を、例えば、図３に示されるような、
チャージポンプ電流の流入出量が切り替え可能なものと
し、制御部が、コンデンサを容量の小さいものに切り替
える際にチャージポンプ電流が大きくなるように切り替
えるようにしてもよい。
イス回路においても、チャージポンプ回路のチャージポ
ンプ電流を大きくすれば、スライスレベルの入力信号へ
の追従性が高くなることは言うまでもなく、さらに、チ
ャージポンプ回路を、例えば、図３に示されるような、
チャージポンプ電流の流入出量が切り替え可能なものと
し、制御部が、コンデンサを容量の小さいものに切り替
える際にチャージポンプ電流が大きくなるように切り替
えるようにしてもよい。
【００２７】また、上記実施の形態１では、ＲＦ信号
は、光ディスクから読み取られたものとしたが、これに
限られるものではなく、再生ビットストリームのＤＳＶ
が“０”となるように変調されたデータであればよい。
は、光ディスクから読み取られたものとしたが、これに
限られるものではなく、再生ビットストリームのＤＳＶ
が“０”となるように変調されたデータであればよい。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１に係る
データスライス回路よれば、再生ビットストリームのＤ
ＳＶ（Digital Sum Value）が“０”となるように変調
されたデータ列信号を、自ら生成するスライスレベルと
比較して２値化信号に変換するデータスライス回路にお
いて、上記データ列信号を上記スライスレベルと比較
し、２値化信号を出力する比較手段と、上記比較手段が
出力する２値化信号に基づいて、チャージポンプ電流を
流入出するチャージポンプ回路と、それぞれ容量が異な
る複数のコンデンサと、上記複数のコンデンサのうちの
いずれかが上記チャージポンプ回路によって充放電され
るように切り替える制御手段と、上記制御手段により切
り替えられているコンデンサの端子電圧を上記スライス
レベルとして上記比較手段に帰還させる帰還手段とを備
えたので、少ないチャージポンプ電流で、入力信号のエ
ンベロープの急激なレベル変動に追従することができる
という効果がある。
データスライス回路よれば、再生ビットストリームのＤ
ＳＶ（Digital Sum Value）が“０”となるように変調
されたデータ列信号を、自ら生成するスライスレベルと
比較して２値化信号に変換するデータスライス回路にお
いて、上記データ列信号を上記スライスレベルと比較
し、２値化信号を出力する比較手段と、上記比較手段が
出力する２値化信号に基づいて、チャージポンプ電流を
流入出するチャージポンプ回路と、それぞれ容量が異な
る複数のコンデンサと、上記複数のコンデンサのうちの
いずれかが上記チャージポンプ回路によって充放電され
るように切り替える制御手段と、上記制御手段により切
り替えられているコンデンサの端子電圧を上記スライス
レベルとして上記比較手段に帰還させる帰還手段とを備
えたので、少ないチャージポンプ電流で、入力信号のエ
ンベロープの急激なレベル変動に追従することができる
という効果がある。
【００２９】本発明の請求項２に係るデータスライス回
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記制御手段が、上記データ列信号のエンベロー
プに基づいて、上記複数のコンデンサのうちのいずれか
が上記チャージポンプ回路によって充放電されるように
切り替えるものとしたので、少ないチャージポンプ電流
で、入力信号のエンベロープの急激なレベル変動に追従
することができるという効果がある。
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記制御手段が、上記データ列信号のエンベロー
プに基づいて、上記複数のコンデンサのうちのいずれか
が上記チャージポンプ回路によって充放電されるように
切り替えるものとしたので、少ないチャージポンプ電流
で、入力信号のエンベロープの急激なレベル変動に追従
することができるという効果がある。
【００３０】本発明の請求項３に係るデータスライス回
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記制御手段が、上記データ列信号の再生速度に
基づいて、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上
記チャージポンプ回路によって充放電されるように切り
替えるものとしたので、少ないチャージポンプ電流で、
入力信号のエンベロープの急激なレベル変動に追従する
ことができるという効果がある。
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記制御手段が、上記データ列信号の再生速度に
基づいて、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上
記チャージポンプ回路によって充放電されるように切り
替えるものとしたので、少ないチャージポンプ電流で、
入力信号のエンベロープの急激なレベル変動に追従する
ことができるという効果がある。
【００３１】本発明の請求項４に係るデータスライス回
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記コンデンサの数が、２つであるものとしたの
で、少ないチャージポンプ電流で、入力信号のエンベロ
ープの急激なレベル変動に追従することができるという
効果がある。
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記コンデンサの数が、２つであるものとしたの
で、少ないチャージポンプ電流で、入力信号のエンベロ
ープの急激なレベル変動に追従することができるという
効果がある。
【００３２】本発明の請求項５に係るデータスライス回
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記複数のコンデンサが、それぞれ高抵抗で並列
接続されるものとしたので、コンデンサを切り替える際
に起こるスライスレベルの急激な変化を防ぐことができ
るという効果がある。
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記複数のコンデンサが、それぞれ高抵抗で並列
接続されるものとしたので、コンデンサを切り替える際
に起こるスライスレベルの急激な変化を防ぐことができ
るという効果がある。
【００３３】本発明の請求項６に係るデータスライス回
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記チャージポンプ回路が、そのチャージポンプ
電流の流入出量が切り替え可能なものであり、上記制御
手段が、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記
チャージポンプ回路によって充放電されるように切り替
える際に、該チャージポンプ回路のチャージポンプ電流
の流入出量を切り替えるものとしたので、入力信号のエ
ンベロープの急激なレベル変動に、より速く追従するこ
とができるという効果がある。
路によれば、請求項１に記載のデータスライス回路にお
いて、上記チャージポンプ回路が、そのチャージポンプ
電流の流入出量が切り替え可能なものであり、上記制御
手段が、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記
チャージポンプ回路によって充放電されるように切り替
える際に、該チャージポンプ回路のチャージポンプ電流
の流入出量を切り替えるものとしたので、入力信号のエ
ンベロープの急激なレベル変動に、より速く追従するこ
とができるという効果がある。
【図１】本発明の実施の形態１によるデータスライス回
路を示すブロック図である。
路を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１によるデータスライス回
路における、ＲＦ信号と、スライスレベルと、２値化信
号と、制御信号と、ＥＮＶ信号との関係を示す図であ
る。
路における、ＲＦ信号と、スライスレベルと、２値化信
号と、制御信号と、ＥＮＶ信号との関係を示す図であ
る。
【図３】チャージポンプ電流の流入出量が切り替え可能
なチャージポンプ回路を示す図である。
なチャージポンプ回路を示す図である。
【図４】従来のデータスライス回路を示す図である。
【図５】従来のデータスライス回路における、ＲＦ信号
と、スライスレベルと、２値化信号との関係を示す図で
ある。
と、スライスレベルと、２値化信号との関係を示す図で
ある。
１，２１ ＲＦ信号入力端子 ２，２２ コンパレータ ３，２３ データ出力端子 ４，２４ チャージポンプ回路 ５ ＥＮＶ検出部 ６ 再生速度情報入力端子 ７ 制御部 ８ 第１のコンデンサ ９ 第２のコンデンサ １０ スイッチ １１ 高抵抗 １２，２６ 帰還路 １３，２７ ローパスフィルタ ２５ コンデンサ
Claims (6)
- 【請求項１】 再生ビットストリームのＤＳＶ（Digita
l Sum Value）が“０”となるように変調されたデータ
列信号を、自ら生成するスライスレベルと比較して２値
化信号に変換するデータスライス回路において、 上記データ列信号を上記スライスレベルと比較し、２値
化信号を出力する比較手段と、 上記比較手段が出力する２値化信号に基づいて、チャー
ジポンプ電流を流入出するチャージポンプ回路と、 それぞれ容量が異なる複数のコンデンサと、 上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記チャージ
ポンプ回路によって充放電されるように切り替える制御
手段と、 上記制御手段により切り替えられているコンデンサの端
子電圧を上記スライスレベルとして上記比較手段に帰還
させる帰還手段とを備える、 ことを特徴とするデータスライス回路。 - 【請求項２】 請求項１に記載のデータスライス回路に
おいて、 上記制御手段は、上記データ列信号のエンベロープに基
づいて、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記
チャージポンプ回路によって充放電されるように切り替
える、 ことを特徴とするデータスライス回路。 - 【請求項３】 請求項１に記載のデータスライス回路に
おいて、 上記制御手段は、上記データ列信号の再生速度に基づい
て、上記複数のコンデンサのうちのいずれかが上記チャ
ージポンプ回路によって充放電されるように切り替え
る、 ことを特徴とするデータスライス回路。 - 【請求項４】 請求項１に記載のデータスライス回路に
おいて、 上記コンデンサの数は、２つである、 ことを特徴とするデータスライス回路。 - 【請求項５】 請求項１に記載のデータスライス回路に
おいて、 上記複数のコンデンサは、それぞれ高抵抗で並列接続さ
れる、 ことを特徴とするデータスライス回路。 - 【請求項６】 請求項１に記載のデータスライス回路に
おいて、 上記チャージポンプ回路は、そのチャージポンプ電流の
流入出量が切り替え可能なものであり、 上記制御手段は、上記複数のコンデンサのうちのいずれ
かが上記チャージポンプ回路によって充放電されるよう
に切り替える際に、該チャージポンプ回路のチャージポ
ンプ電流の流入出量を切り替える、 ことを特徴とするデータスライス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000136727A JP3655805B2 (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | データスライス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000136727A JP3655805B2 (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | データスライス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001319422A true JP2001319422A (ja) | 2001-11-16 |
| JP3655805B2 JP3655805B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=18644623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000136727A Expired - Fee Related JP3655805B2 (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | データスライス回路 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3655805B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7463309B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-12-09 | Renesas Technology Corp. | Data slicer for generating a reference voltage |
| US7515654B2 (en) | 2004-09-14 | 2009-04-07 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Data slicing circuit using multiple thresholds |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7297453B2 (ja) | 2019-01-31 | 2023-06-26 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | データスライサ及び受信装置 |
-
2000
- 2000-05-10 JP JP2000136727A patent/JP3655805B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3655805B2 (ja) | 2005-06-02 |
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