JP2001319313A - 高面密度磁気記録用の端面接合ｔｍｒを設けるための方法および装置 - Google Patents
高面密度磁気記録用の端面接合ｔｍｒを設けるための方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高面密度記録に適するトンネル効果磁気抵抗
記録接合を設けるための方法および装置を提供する。 【解決手段】 第１の障壁層および第２の障壁層を設け
る段階と、第１の障壁層と第２の障壁層の間に配置され
る強磁性を有する自由層を設ける段階と、強磁性を有す
る第１および第２の固定層を設ける段階とを含む。第１
の障壁層は、第１の固定層と自由層の一端面との間に、
第２の障壁層は、第２の固定層と自由層の他の端面との
間に配置する。また、第１の反強磁性層と第２の反強磁
性層を設ける段階を含む。第１および第２の固定層は、
各々第１と第２の反強磁性層と磁気的に結合する。第１
および第２の障壁層は、各々電荷担体が第１および第２
の固定層と自由層の間を通過するに充分な薄さを有す
る。自由層の２つの端面におけるトンネル効果接合を介
して長手方向のバイアス電流によって、より大きなＭＲ
率を実現する。
記録接合を設けるための方法および装置を提供する。 【解決手段】 第１の障壁層および第２の障壁層を設け
る段階と、第１の障壁層と第２の障壁層の間に配置され
る強磁性を有する自由層を設ける段階と、強磁性を有す
る第１および第２の固定層を設ける段階とを含む。第１
の障壁層は、第１の固定層と自由層の一端面との間に、
第２の障壁層は、第２の固定層と自由層の他の端面との
間に配置する。また、第１の反強磁性層と第２の反強磁
性層を設ける段階を含む。第１および第２の固定層は、
各々第１と第２の反強磁性層と磁気的に結合する。第１
および第２の障壁層は、各々電荷担体が第１および第２
の固定層と自由層の間を通過するに充分な薄さを有す
る。自由層の２つの端面におけるトンネル効果接合を介
して長手方向のバイアス電流によって、より大きなＭＲ
率を実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録に関し、特
に、高面密度磁気記録に適するトンネル効果磁気抵抗記
録接合を設けるための方法および装置に関する。
に、高面密度磁気記録に適するトンネル効果磁気抵抗記
録接合を設けるための方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】トンネル効果磁気抵抗（“ＴＭＲ”）接
合は、最近、記録媒体の読取りを行なう際の磁気抵抗
（“ＭＲ”）ヘッドにおける用途の可能性に対して関心
が集まっている。図１（ａ）は、側面から見た従来のＴ
ＭＲセンサ１０を示す略図である。また、図１（ａ）に
は、第１のシールド２４および第２のシールド２６、第
１のギャップ２０および第２のギャップ２２、リード１
１および１９、ならびにＴＭＲセンサ１０が示してあ
る。
合は、最近、記録媒体の読取りを行なう際の磁気抵抗
（“ＭＲ”）ヘッドにおける用途の可能性に対して関心
が集まっている。図１（ａ）は、側面から見た従来のＴ
ＭＲセンサ１０を示す略図である。また、図１（ａ）に
は、第１のシールド２４および第２のシールド２６、第
１のギャップ２０および第２のギャップ２２、リード１
１および１９、ならびにＴＭＲセンサ１０が示してあ
る。
【０００３】図１（ｂ）は、側面から見た、また空気軸
受面すなわちこれによってＴＭＲセンサ１０が用いられ
ている磁性材料から見た従来のＴＭＲセンサ１０が示さ
れている。図１（ｂ）には、ＴＭＲセンサ１０の他に、
リード１１および１９、並びに第１のギャップ２０およ
び第２のギャップ２２が各々示してある。尚、図１
（ｂ）には、従来のＴＭＲセンサ１０を部分的に取り囲
む従来のシールド２４および２６は示されていない。従
来のＴＭＲセンサ１０には、従来の反強磁性（“ＡＦ
Ｍ”）層１２、従来の固定層１４、従来の障壁層１６、
および従来の自由層１８が含まれている。ＴＭＲセンサ
１０のＴＭＲ接合には、従来の固定層１４、従来の障壁
層１６、および従来の自由層１８の間に界面が含まれて
いる。また、ＴＭＲセンサ１０の一部を取り囲むギャッ
プ２０および２２の一部が示されている。従来の固定層
１４および従来の自由層１８は、強磁性体である。従来
の固定層１４は、従来のＡＦＭ層１２に磁気的に結合さ
れているため、従来の固定層１４の磁化は、所定の位置
に固定すなわちピン止めされている。従来の反強磁性層
１２の厚さは、約１００〜３００オングストロームであ
る。従来の固定層１４の厚さは、約２０〜１００オング
ストロームである。従来の障壁層１６の厚さは、通常５
〜２０オングストロームであり、従来の自由層１８の厚
さは、通常３０〜１００オングストロームである。
受面すなわちこれによってＴＭＲセンサ１０が用いられ
ている磁性材料から見た従来のＴＭＲセンサ１０が示さ
れている。図１（ｂ）には、ＴＭＲセンサ１０の他に、
リード１１および１９、並びに第１のギャップ２０およ
び第２のギャップ２２が各々示してある。尚、図１
（ｂ）には、従来のＴＭＲセンサ１０を部分的に取り囲
む従来のシールド２４および２６は示されていない。従
来のＴＭＲセンサ１０には、従来の反強磁性（“ＡＦ
Ｍ”）層１２、従来の固定層１４、従来の障壁層１６、
および従来の自由層１８が含まれている。ＴＭＲセンサ
１０のＴＭＲ接合には、従来の固定層１４、従来の障壁
層１６、および従来の自由層１８の間に界面が含まれて
いる。また、ＴＭＲセンサ１０の一部を取り囲むギャッ
プ２０および２２の一部が示されている。従来の固定層
１４および従来の自由層１８は、強磁性体である。従来
の固定層１４は、従来のＡＦＭ層１２に磁気的に結合さ
れているため、従来の固定層１４の磁化は、所定の位置
に固定すなわちピン止めされている。従来の反強磁性層
１２の厚さは、約１００〜３００オングストロームであ
る。従来の固定層１４の厚さは、約２０〜１００オング
ストロームである。従来の障壁層１６の厚さは、通常５
〜２０オングストロームであり、従来の自由層１８の厚
さは、通常３０〜１００オングストロームである。
【０００４】ＴＭＲセンサ１０の従来の自由層１８にお
ける磁化には、外部磁場が存在しない場合、紙面内でバ
イアスが掛けられるが、その磁化は、外部磁場に応じて
回転自在である。従来の自由層１８は、通常、Ｃｏ、Ｃ
ｏ90Ｆｅ10、またはＣｏ90Ｆｅ10とパーマロイの２層か
ら構成されている。従来の固定層１４の磁化は、紙面に
直交して固定されている。従来の固定層１４は、通常Ｃ
ｏ、Ｆｅ、またはＮｉから構成されている。従来の障壁
層１６は、通常、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からな
る。
ける磁化には、外部磁場が存在しない場合、紙面内でバ
イアスが掛けられるが、その磁化は、外部磁場に応じて
回転自在である。従来の自由層１８は、通常、Ｃｏ、Ｃ
ｏ90Ｆｅ10、またはＣｏ90Ｆｅ10とパーマロイの２層か
ら構成されている。従来の固定層１４の磁化は、紙面に
直交して固定されている。従来の固定層１４は、通常Ｃ
ｏ、Ｆｅ、またはＮｉから構成されている。従来の障壁
層１６は、通常、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からな
る。
【０００５】従来のＴＭＲセンサ１０が機能するため
に、バイアス電流は、従来のＴＭＲセンサ１０の層１
２、１４、１６、および１８の面に直交して、リード１
１および１９の間を流れる。従って、ＴＭＲセンサ１０
は、面直交電流（“ＣＰＰ”）接合として知られてい
る。バイアス電流が流れる方向を矢印２４によって示し
てある。従来のＴＭＲセンサ１０におけるＭＲ効果は、
従来の自由層１８と従来の固定層１４との間の電子のス
ピン分極トンネル効果に起因するものと考えられてい
る。すなわち、スピン分極された電子が従来の障壁層１
６を通り抜けることによって、磁気抵抗効果が生じる。
従来の自由層１８の磁化が従来の固定層１４の磁化に対
して平行である場合、従来のＴＭＲセンサ１０の抵抗は
最小となり、一方、逆平行である場合、最大となる。さ
らに、従来の自由層１８の磁化は、外部磁場が印加され
ていない場合、図１（ｂ）に示すように、従来の固定層
１４の磁化に直交してバイアスが掛かる。ＭＲセンサの
磁気抵抗ＭＲは、ＭＲセンサの最大抵抗と最小抵抗の差
である。ＭＲセンサのＭＲ率は、通常ΔＲ／Ｒと呼ばれ
ており、通常百分率で表される。従来のＴＭＲセンサの
磁化は、通常、約２０％である。
に、バイアス電流は、従来のＴＭＲセンサ１０の層１
２、１４、１６、および１８の面に直交して、リード１
１および１９の間を流れる。従って、ＴＭＲセンサ１０
は、面直交電流（“ＣＰＰ”）接合として知られてい
る。バイアス電流が流れる方向を矢印２４によって示し
てある。従来のＴＭＲセンサ１０におけるＭＲ効果は、
従来の自由層１８と従来の固定層１４との間の電子のス
ピン分極トンネル効果に起因するものと考えられてい
る。すなわち、スピン分極された電子が従来の障壁層１
６を通り抜けることによって、磁気抵抗効果が生じる。
従来の自由層１８の磁化が従来の固定層１４の磁化に対
して平行である場合、従来のＴＭＲセンサ１０の抵抗は
最小となり、一方、逆平行である場合、最大となる。さ
らに、従来の自由層１８の磁化は、外部磁場が印加され
ていない場合、図１（ｂ）に示すように、従来の固定層
１４の磁化に直交してバイアスが掛かる。ＭＲセンサの
磁気抵抗ＭＲは、ＭＲセンサの最大抵抗と最小抵抗の差
である。ＭＲセンサのＭＲ率は、通常ΔＲ／Ｒと呼ばれ
ており、通常百分率で表される。従来のＴＭＲセンサの
磁化は、通常、約２０％である。
【０００６】従来のＴＭＲセンサ１０は、高面密度記録
用のＭＲセンサとして関心が集まっている。現在、例え
ば１平方インチ（６．４５平方センチ）当たり４０ギガ
ビット（“Ｇｂ”）を超える高い記録密度が望まれてい
る。記録密度が大きくなった場合、ビットサイズおよび
そのビットによる磁場が減少する。その結果、ビットか
ら読取りセンサに対して供給される信号が小さくなる。
ＭＲ読取りヘッド内の信号を十分に大きい状態に維持す
るためには、所定の磁場に対して読取りセンサからの信
号を大きくすることが望まれる。この信号を大きくする
ための一つの手段としては、ＭＲ率を大きくしたＭＲセ
ンサを用いることである。従来のＴＭＲセンサ１０のＭ
Ｒは、約２０％であるが、これは、自由層と固定層とを
分離する非磁性導電層を有する従来の巨大磁気抵抗
（“ＧＭＲ”）センサより大きい値である。さらに、従
来のＴＭＲセンサ１０は、従来のＧＭＲセンサより薄く
なっており、シールド（図示せず）間の空間が小さくな
っている。シールド間の空間を小さくすることによっ
て、ＴＭＲセンサ１０による読み込みが望ましくないビ
ットがより効果的にシールドされる。図１に示すＴＭＲ
センサ１０の幅は、従来のＧＭＲセンサより狭くするこ
とができる。このことは、従来のＴＭＲセンサ１０が、
より高い記録密度でより小さなビットを読取ることがで
きるという点において役立っている。
用のＭＲセンサとして関心が集まっている。現在、例え
ば１平方インチ（６．４５平方センチ）当たり４０ギガ
ビット（“Ｇｂ”）を超える高い記録密度が望まれてい
る。記録密度が大きくなった場合、ビットサイズおよび
そのビットによる磁場が減少する。その結果、ビットか
ら読取りセンサに対して供給される信号が小さくなる。
ＭＲ読取りヘッド内の信号を十分に大きい状態に維持す
るためには、所定の磁場に対して読取りセンサからの信
号を大きくすることが望まれる。この信号を大きくする
ための一つの手段としては、ＭＲ率を大きくしたＭＲセ
ンサを用いることである。従来のＴＭＲセンサ１０のＭ
Ｒは、約２０％であるが、これは、自由層と固定層とを
分離する非磁性導電層を有する従来の巨大磁気抵抗
（“ＧＭＲ”）センサより大きい値である。さらに、従
来のＴＭＲセンサ１０は、従来のＧＭＲセンサより薄く
なっており、シールド（図示せず）間の空間が小さくな
っている。シールド間の空間を小さくすることによっ
て、ＴＭＲセンサ１０による読み込みが望ましくないビ
ットがより効果的にシールドされる。図１に示すＴＭＲ
センサ１０の幅は、従来のＧＭＲセンサより狭くするこ
とができる。このことは、従来のＴＭＲセンサ１０が、
より高い記録密度でより小さなビットを読取ることがで
きるという点において役立っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のＴＭＲセンサ１
０は、高密度記録用途としては興味深いものであるが、
当業者は、従来のＴＭＲセンサ１０には幾つかの欠点が
あることを容易に理解されよう。これらの欠点の幾つか
は、従来のＴＭＲセンサ１０の領域に起因するものであ
る。特に、従来のＴＭＲセンサ１０は、バイアス電流が
均一ではないことが多く、また、ＴＭＲセンサ１０の領
域が大きいためにＭＲ率が小さくなることがある。従来
のＴＭＲ接合の領域には、従来の固定層１４、従来の自
由層１８、および従来の障壁層１６の間に界面領域が含
まれている。接合領域は、図１（ｂ）に示す従来のＴＭ
Ｒセンサ１０の幅ｗ、および図１（ｂ）に示す従来のＴ
ＭＲセンサ１０の紙面に向う長さによって画成される。
従来のＴＭＲセンサ１０の長さは、図１（ａ）に示すよ
うに、従来のＴＭＲセンサ１０のストライプ高さｈによ
って決定される。従来のＴＭＲセンサ１０の幅ｗは、読
取りたい媒体のトラックの幅（図示せず）によって決定
されるが、通常、トラック幅のほぼ半分である。従っ
て、従来のＴＭＲセンサ１０の接合面積は、幅にストラ
イプ高さを乗じた値（ｗｘｈ）である。従来のＴＭＲセ
ンサ１０に対する従来のＴＭＲ接合面積は、通常、約１
平方マイクロメートルである。上述のように、従来の障
壁層１６の厚さは、通常、５から２０オングストローム
の間である。従来の障壁層１６は、このように面積は大
きいが、非常に薄いため、従来の障壁層１６内にピンホ
ール（図１には示さず）が生じることが多い。電流は、
これらのピンホールを介して従来の固定層１４と従来の
自由層１８間を流れる方が、従来の障壁層１６を介する
より容易に流れる。この結果、リード１１とリード１９
の間のバイアス電流が不均一になる。さらに、電子はこ
れらのピンホールを容易に通過するため、電子はスピン
分極トンネル効果の影響を受けない。その結果、電子が
従来の障壁層１６を通過する代わりにピンホールを通過
することによって、従来のＴＭＲセンサ１０のＭＲ効果
が低下する可能性がある。その結果、バイアス電流が均
一で無くなるばかりでなく、従来のＴＭＲセンサ１０の
ＭＲ率も固有の割合（約２０％）を下回る値に低下する
ことがある。
０は、高密度記録用途としては興味深いものであるが、
当業者は、従来のＴＭＲセンサ１０には幾つかの欠点が
あることを容易に理解されよう。これらの欠点の幾つか
は、従来のＴＭＲセンサ１０の領域に起因するものであ
る。特に、従来のＴＭＲセンサ１０は、バイアス電流が
均一ではないことが多く、また、ＴＭＲセンサ１０の領
域が大きいためにＭＲ率が小さくなることがある。従来
のＴＭＲ接合の領域には、従来の固定層１４、従来の自
由層１８、および従来の障壁層１６の間に界面領域が含
まれている。接合領域は、図１（ｂ）に示す従来のＴＭ
Ｒセンサ１０の幅ｗ、および図１（ｂ）に示す従来のＴ
ＭＲセンサ１０の紙面に向う長さによって画成される。
従来のＴＭＲセンサ１０の長さは、図１（ａ）に示すよ
うに、従来のＴＭＲセンサ１０のストライプ高さｈによ
って決定される。従来のＴＭＲセンサ１０の幅ｗは、読
取りたい媒体のトラックの幅（図示せず）によって決定
されるが、通常、トラック幅のほぼ半分である。従っ
て、従来のＴＭＲセンサ１０の接合面積は、幅にストラ
イプ高さを乗じた値（ｗｘｈ）である。従来のＴＭＲセ
ンサ１０に対する従来のＴＭＲ接合面積は、通常、約１
平方マイクロメートルである。上述のように、従来の障
壁層１６の厚さは、通常、５から２０オングストローム
の間である。従来の障壁層１６は、このように面積は大
きいが、非常に薄いため、従来の障壁層１６内にピンホ
ール（図１には示さず）が生じることが多い。電流は、
これらのピンホールを介して従来の固定層１４と従来の
自由層１８間を流れる方が、従来の障壁層１６を介する
より容易に流れる。この結果、リード１１とリード１９
の間のバイアス電流が不均一になる。さらに、電子はこ
れらのピンホールを容易に通過するため、電子はスピン
分極トンネル効果の影響を受けない。その結果、電子が
従来の障壁層１６を通過する代わりにピンホールを通過
することによって、従来のＴＭＲセンサ１０のＭＲ効果
が低下する可能性がある。その結果、バイアス電流が均
一で無くなるばかりでなく、従来のＴＭＲセンサ１０の
ＭＲ率も固有の割合（約２０％）を下回る値に低下する
ことがある。
【０００８】従来のＴＭＲセンサ１０の使用に際して
は、他にも欠点がある。従来の自由層１８、従来の障壁
層１６、および従来の固定層１４は、絶縁層によって分
離された２つの金属層である。この結果、従来の自由層
１８、従来の障壁層１６、および従来の固定層１４によ
って寄生コンデンサが形成される。一部には、接合面積
が広いという理由のため、従来のＴＭＲセンサ１０は、
寄生容量が比較的大きい。寄生容量によって、従来のＴ
ＭＲセンサ１０の応答が遅くなる。この遅れの固有時定
数は、ＴＭＲセンサ１０の静電容量と比例する。静電容
量が望ましい値より大きいため、その遅延は望ましい値
より大きい。その結果、従来のＴＭＲセンサ１０の応答
が比較的遅くなり、データ転送速度も遅くなる。
は、他にも欠点がある。従来の自由層１８、従来の障壁
層１６、および従来の固定層１４は、絶縁層によって分
離された２つの金属層である。この結果、従来の自由層
１８、従来の障壁層１６、および従来の固定層１４によ
って寄生コンデンサが形成される。一部には、接合面積
が広いという理由のため、従来のＴＭＲセンサ１０は、
寄生容量が比較的大きい。寄生容量によって、従来のＴ
ＭＲセンサ１０の応答が遅くなる。この遅れの固有時定
数は、ＴＭＲセンサ１０の静電容量と比例する。静電容
量が望ましい値より大きいため、その遅延は望ましい値
より大きい。その結果、従来のＴＭＲセンサ１０の応答
が比較的遅くなり、データ転送速度も遅くなる。
【０００９】さらに、従来のＴＭＲセンサ１０は、ＣＰ
Ｐ方向に製造され使用されている。標準的な従来のＧＭ
Ｒセンサは、バイアス電流が従来のＧＭＲセンサ層の面
に対して平行に流れることができるように組立てられて
いる。換言すれば、従来のＧＭＲセンサは、面内電流
（“ＣＩＰ”）構造として組立てられ使用されている。
この結果、従来のＴＭＲセンサ１０を、従来のＧＭＲセ
ンサ用に開発された方法を用いて製造することは困難で
あることが多い。その結果、従来のＴＭＲセンサ１０の
製造は、比較的難しいものである。さらに、従来のＴＭ
Ｒセンサ１０に固有なＭＲ率は、従来のＧＭＲセンサよ
りも大きいため、実用的にはより大きなＭＲ率が望まし
い。
Ｐ方向に製造され使用されている。標準的な従来のＧＭ
Ｒセンサは、バイアス電流が従来のＧＭＲセンサ層の面
に対して平行に流れることができるように組立てられて
いる。換言すれば、従来のＧＭＲセンサは、面内電流
（“ＣＩＰ”）構造として組立てられ使用されている。
この結果、従来のＴＭＲセンサ１０を、従来のＧＭＲセ
ンサ用に開発された方法を用いて製造することは困難で
あることが多い。その結果、従来のＴＭＲセンサ１０の
製造は、比較的難しいものである。さらに、従来のＴＭ
Ｒセンサ１０に固有なＭＲ率は、従来のＧＭＲセンサよ
りも大きいため、実用的にはより大きなＭＲ率が望まし
い。
【００１０】従って、高密度磁気記録において使用可能
であり且つ製造可能なＴＭＲ接合を設けるための装置お
よび方法が必要である。本発明は、このようなニーズに
対応するものである。
であり且つ製造可能なＴＭＲ接合を設けるための装置お
よび方法が必要である。本発明は、このようなニーズに
対応するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録媒体から
データを読取るための磁気抵抗センサを設けるための方
法および装置を提供するものである。この方法および装
置には、第１の障壁層および第２の障壁層を設ける段階
と、第１の障壁層と第２の障壁層の間に配置される自由
層を設ける段階とが含まれている。この自由層は、磁性
を有している。また、この方法および装置には、第１の
固定層および第２の固定層を設ける段階が含まれてい
る。第１の固定層および第２の固定層は、磁性を有して
いる。第１の障壁層は、第１の固定層と自由層の間に配
置される。第２の障壁層は、第２の固定層と自由層の間
に配置される。また、この方法および装置には、第１の
反強磁性層および第２の反強磁性層を設ける段階が含ま
れている。第１の固定層は、第１の反強磁性層と磁気的
に結合されている。第２の固定層は、第２の反強磁性層
と磁気的に結合されている。第１の障壁層は、電荷担体
が第１の固定層と自由層の間を通り抜けるに充分な薄さ
を有している。第２の障壁層は、電荷担体が第２の固定
層と自由層の間を通り抜けるに充分な薄さを有してい
る。
データを読取るための磁気抵抗センサを設けるための方
法および装置を提供するものである。この方法および装
置には、第１の障壁層および第２の障壁層を設ける段階
と、第１の障壁層と第２の障壁層の間に配置される自由
層を設ける段階とが含まれている。この自由層は、磁性
を有している。また、この方法および装置には、第１の
固定層および第２の固定層を設ける段階が含まれてい
る。第１の固定層および第２の固定層は、磁性を有して
いる。第１の障壁層は、第１の固定層と自由層の間に配
置される。第２の障壁層は、第２の固定層と自由層の間
に配置される。また、この方法および装置には、第１の
反強磁性層および第２の反強磁性層を設ける段階が含ま
れている。第１の固定層は、第１の反強磁性層と磁気的
に結合されている。第２の固定層は、第２の反強磁性層
と磁気的に結合されている。第１の障壁層は、電荷担体
が第１の固定層と自由層の間を通り抜けるに充分な薄さ
を有している。第２の障壁層は、電荷担体が第２の固定
層と自由層の間を通り抜けるに充分な薄さを有してい
る。
【００１２】本明細書に開示した装置および方法によれ
ば、本発明は、より大きい磁気抵抗率を有し、製造が容
易で、不均一なバイアス電流を受けにくく、さらに、高
面密度記録用に適する磁気抵抗センサを提供するもので
ある。
ば、本発明は、より大きい磁気抵抗率を有し、製造が容
易で、不均一なバイアス電流を受けにくく、さらに、高
面密度記録用に適する磁気抵抗センサを提供するもので
ある。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、磁気記録技術の改良に
関する。以下の説明は、当業者が本発明を実現し使用す
ることができるように提示するものであり、また、特許
出願およびその要件に沿い供するものである。好適な実
施例に対して様々な変更が可能であることは、当業者に
は容易に明らかであり、本明細書の一般的な原理は他の
実施例にも適用し得るものである。従って、本発明は、
例示の実施例に限定されることを意図したものではな
く、本明細書に記載される原理と特徴に合致する最も広
い範囲によって定められるものである。
関する。以下の説明は、当業者が本発明を実現し使用す
ることができるように提示するものであり、また、特許
出願およびその要件に沿い供するものである。好適な実
施例に対して様々な変更が可能であることは、当業者に
は容易に明らかであり、本明細書の一般的な原理は他の
実施例にも適用し得るものである。従って、本発明は、
例示の実施例に限定されることを意図したものではな
く、本明細書に記載される原理と特徴に合致する最も広
い範囲によって定められるものである。
【００１４】従来のＴＭＲセンサは、高面密度記録用途
として興味深いものである。例えば、現在用いられてい
る従来のＴＭＲセンサは、約４０Ｇｂ／ｉｎ2（６．２
Ｇｂ／ｃｍ2）以上の密度で記録された材料の読取り用
として関心が集まっている。しかしながら、従来のＴＭ
Ｒセンサには幾つかの欠点があることを、当業者は容易
に認識されよう。従来のＴＭＲセンサは、接合の面積が
大きいため、非均一なバイアス電流やＭＲ率の低下をも
たらすピンホールの影響を受ける。さらに、従来のＴＭ
Ｒセンサは、静電容量が比較的大きく、これによって、
応答が遅くなり、データ転送速度が小さくなる。最後
に、特に、１００Ｇｂ／ｉｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）
の記録密度を含む４０Ｇｂ／ｉｎ2（６．２Ｇｂ／ｃ
ｍ2）を超える高密度に対して、センサのＭＲ率の信号
が大きいことが望まれる。
として興味深いものである。例えば、現在用いられてい
る従来のＴＭＲセンサは、約４０Ｇｂ／ｉｎ2（６．２
Ｇｂ／ｃｍ2）以上の密度で記録された材料の読取り用
として関心が集まっている。しかしながら、従来のＴＭ
Ｒセンサには幾つかの欠点があることを、当業者は容易
に認識されよう。従来のＴＭＲセンサは、接合の面積が
大きいため、非均一なバイアス電流やＭＲ率の低下をも
たらすピンホールの影響を受ける。さらに、従来のＴＭ
Ｒセンサは、静電容量が比較的大きく、これによって、
応答が遅くなり、データ転送速度が小さくなる。最後
に、特に、１００Ｇｂ／ｉｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）
の記録密度を含む４０Ｇｂ／ｉｎ2（６．２Ｇｂ／ｃ
ｍ2）を超える高密度に対して、センサのＭＲ率の信号
が大きいことが望まれる。
【００１５】本発明は、記録媒体からデータを読取るた
めの磁気抵抗センサを設けるための方法および装置を提
供するものである。この方法および装置には、第１の障
壁層および第２の障壁層を設ける段階と、第１の障壁層
と第２の障壁層の間に配置される自由層を設ける段階と
が含まれている。この自由層は、磁性を有している。ま
た、この方法および装置には、第１の固定層および第２
の固定層を設ける段階が含まれている。第１の固定層お
よび第２の固定層は、磁性を有している。第１の障壁層
は、第１の固定層と自由層の間に配置される。第２の障
壁層は、第２の固定層と自由層の間に配置される。ま
た、この方法および装置には、第１の反強磁性層および
第２の反強磁性層を設ける段階が含まれている。第１の
固定層は、第１の反強磁性層と磁気的に結合されてい
る。第２の固定層は、第２の反強磁性層と磁気的に結合
されている。第１の障壁層は、電荷担体が第１の固定層
と自由層の間を通り抜けるに充分な薄さを有している。
第２の障壁層は、電荷担体が第２の固定層と自由層の間
を通り抜けるに充分な薄さを有している。
めの磁気抵抗センサを設けるための方法および装置を提
供するものである。この方法および装置には、第１の障
壁層および第２の障壁層を設ける段階と、第１の障壁層
と第２の障壁層の間に配置される自由層を設ける段階と
が含まれている。この自由層は、磁性を有している。ま
た、この方法および装置には、第１の固定層および第２
の固定層を設ける段階が含まれている。第１の固定層お
よび第２の固定層は、磁性を有している。第１の障壁層
は、第１の固定層と自由層の間に配置される。第２の障
壁層は、第２の固定層と自由層の間に配置される。ま
た、この方法および装置には、第１の反強磁性層および
第２の反強磁性層を設ける段階が含まれている。第１の
固定層は、第１の反強磁性層と磁気的に結合されてい
る。第２の固定層は、第２の反強磁性層と磁気的に結合
されている。第１の障壁層は、電荷担体が第１の固定層
と自由層の間を通り抜けるに充分な薄さを有している。
第２の障壁層は、電荷担体が第２の固定層と自由層の間
を通り抜けるに充分な薄さを有している。
【００１６】本発明は、ＴＭＲセンサという特定の実施
例によって説明を行う。しかしながら、この方法および
装置は、他の材料を用いる又は他の構成要素を有する他
の実施例においても有効に動作することを、当業者は容
易に認識されよう。さらに、本発明は、本発明によるＴ
ＭＲセンサを形成するための特定の方法に関連して説明
を行う。しかしながら、本発明は、他の順序で異なる手
順を用いる他の方法とも合致するものであることを、当
業者は容易に認識されよう。
例によって説明を行う。しかしながら、この方法および
装置は、他の材料を用いる又は他の構成要素を有する他
の実施例においても有効に動作することを、当業者は容
易に認識されよう。さらに、本発明は、本発明によるＴ
ＭＲセンサを形成するための特定の方法に関連して説明
を行う。しかしながら、本発明は、他の順序で異なる手
順を用いる他の方法とも合致するものであることを、当
業者は容易に認識されよう。
【００１７】本発明による方法および装置をより具体的
に説明するために、本発明によるＴＭＲセンサ１００の
側面図および空気軸受面図を各々示す図２（ａ）および
図２（ｂ）を参照する。図２（ａ）には、ＴＭＲセンサ
１００、第１のリード１２８、第２のリード１３０、第
１のギャップ１０４、第２のギャップ１２４、第１のシ
ールド１０２、および第２のシールド１２６が示してあ
る。また、図２（ａ）には、ＴＭＲセンサ１００のスト
ライプ高さｈ、および読取りたい磁性材料１０１の空気
軸受面が示してある。第１のシールド１０２と第２のシ
ールド１２６は、磁気的に透過性であり、一般に、導電
性である。第１のシールド１０２および第２のシールド
１０６によって、読取りたい磁性材料１０１のビットに
よる磁場（図２（ａ）には明示されていない）以外の磁
場の影響に対してＴＭＲセンサ１００がシールドされ
る。第１のギャップ１０４と第２のギャップ１２４は、
通常、絶縁体であり、ＴＭＲセンサ１００をシールド１
０２および１２６から電気的に絶縁している。第１のギ
ャップ１０４は、厚さが約１００〜５００オングストロ
ームで、且つ酸化アルミニウムから成ることが好まし
い。第２のギャップ１２４は、厚さが約１００から４０
０オングストロームで、且つ酸化アルミニウムからなる
ことが好ましい。
に説明するために、本発明によるＴＭＲセンサ１００の
側面図および空気軸受面図を各々示す図２（ａ）および
図２（ｂ）を参照する。図２（ａ）には、ＴＭＲセンサ
１００、第１のリード１２８、第２のリード１３０、第
１のギャップ１０４、第２のギャップ１２４、第１のシ
ールド１０２、および第２のシールド１２６が示してあ
る。また、図２（ａ）には、ＴＭＲセンサ１００のスト
ライプ高さｈ、および読取りたい磁性材料１０１の空気
軸受面が示してある。第１のシールド１０２と第２のシ
ールド１２６は、磁気的に透過性であり、一般に、導電
性である。第１のシールド１０２および第２のシールド
１０６によって、読取りたい磁性材料１０１のビットに
よる磁場（図２（ａ）には明示されていない）以外の磁
場の影響に対してＴＭＲセンサ１００がシールドされ
る。第１のギャップ１０４と第２のギャップ１２４は、
通常、絶縁体であり、ＴＭＲセンサ１００をシールド１
０２および１２６から電気的に絶縁している。第１のギ
ャップ１０４は、厚さが約１００〜５００オングストロ
ームで、且つ酸化アルミニウムから成ることが好まし
い。第２のギャップ１２４は、厚さが約１００から４０
０オングストロームで、且つ酸化アルミニウムからなる
ことが好ましい。
【００１８】図２（ｂ）は、空気軸受面、すなわち図２
（ａ）に示す磁性材料１０１から見たＴＭＲセンサ１０
０を示す図である。図２（ｂ）には、ＴＭＲセンサ１０
０、第１のギャップ１０４、第２のギャップ１２４、第
１のシールド１０２、第２のシールド１２６、リード１
２８およびリード１３０が示されている。第２のギャッ
プ１２４は、２つの個別の部分、すなわち第２のギャッ
プａ１２４ａと第２のギャップｂ１２４ｂを有するもの
として示してあることに留意されたい。ＴＭＲセンサ１
００には、自由層１１０、第１の障壁層１１２、第２の
障壁層１１４、第１の固定層１１６、第２の固定層１１
８、第１の反強磁性（“ＡＦＭ”）層１２０、および第
２のＡＦＭ層１２２が含まれている。さらに、自由層１
１０と第１のギャップ１０４の間には、シード層を設け
てもよい。このようなシード層は、厚さが約２０から５
０オングストロームのタンタル層から成ることが好まし
い。また、自由層１１０と第２のギャップａ１２４ａの
間にキャップ層を設けてもよい。このようなキャップ層
は、厚さが約２０から５０オングストロームのタンタル
から形成されることが好ましい。
（ａ）に示す磁性材料１０１から見たＴＭＲセンサ１０
０を示す図である。図２（ｂ）には、ＴＭＲセンサ１０
０、第１のギャップ１０４、第２のギャップ１２４、第
１のシールド１０２、第２のシールド１２６、リード１
２８およびリード１３０が示されている。第２のギャッ
プ１２４は、２つの個別の部分、すなわち第２のギャッ
プａ１２４ａと第２のギャップｂ１２４ｂを有するもの
として示してあることに留意されたい。ＴＭＲセンサ１
００には、自由層１１０、第１の障壁層１１２、第２の
障壁層１１４、第１の固定層１１６、第２の固定層１１
８、第１の反強磁性（“ＡＦＭ”）層１２０、および第
２のＡＦＭ層１２２が含まれている。さらに、自由層１
１０と第１のギャップ１０４の間には、シード層を設け
てもよい。このようなシード層は、厚さが約２０から５
０オングストロームのタンタル層から成ることが好まし
い。また、自由層１１０と第２のギャップａ１２４ａの
間にキャップ層を設けてもよい。このようなキャップ層
は、厚さが約２０から５０オングストロームのタンタル
から形成されることが好ましい。
【００１９】自由層１１０は、強磁性であり、約２０か
ら１００オングストロームの間であることが好ましい。
自由層１１０には、ＮｉＦｅ、Ｃｏ、ＣｏＦｅ、Ｎｉ、
またはこれらを幾つか組み合わせたものが含まれること
が好ましい。好適な一実施例において、自由層１１０
は、Ｆｅを約１９％含有するＮｉＦｅである。固定層１
１６および１１１８は、磁性を有しており、その厚さ
は、約３０から１００オングストロームの間であること
が好ましい。固定層１１６および１１８には、Ｃｏ、Ｃ
ｏＦｅ、Ｎｉ、ＮｉＦｅ、またはこれらを幾つか組み合
わせたものが含まれることが好ましい。固定層１１６お
よび１１８は、各々ＡＦＭ層１２０および１２２に磁気
的に結合されている。固定層１１６および１１８、並び
に自由層１１０に用いられる材料は、ＴＭＲ接合１００
に対するＭＲ率が大きくなるように選択されることが好
ましい。ＴＭＲ接合に対するＭＲ率は、２Ｐ１Ｐ２／
（１＋Ｐ１Ｐ２）に比例し、ここで、Ｐ１およびＰ２は
各々、接合に対する自由層および固定層のスピン分極で
ある。スピン分極は、通常、百分率で表される。従っ
て、固定層１１６および１１８、並びに自由層１１０の
材料は、スピン分極がより大きくなるように選択される
ことが好ましく、これによって、より大きいＭＲ率が得
られる。但し、自由層１１０が外部磁場に容易に応答で
きるように、自由層１１０に用いる材料は、保持力が小
さくなるように選択すべきことに留意されたい。上述の
固定層１１６および１１８、並びに自由層１１０用の好
適な材料は、これらの事柄を念頭において選択される。
ら１００オングストロームの間であることが好ましい。
自由層１１０には、ＮｉＦｅ、Ｃｏ、ＣｏＦｅ、Ｎｉ、
またはこれらを幾つか組み合わせたものが含まれること
が好ましい。好適な一実施例において、自由層１１０
は、Ｆｅを約１９％含有するＮｉＦｅである。固定層１
１６および１１１８は、磁性を有しており、その厚さ
は、約３０から１００オングストロームの間であること
が好ましい。固定層１１６および１１８には、Ｃｏ、Ｃ
ｏＦｅ、Ｎｉ、ＮｉＦｅ、またはこれらを幾つか組み合
わせたものが含まれることが好ましい。固定層１１６お
よび１１８は、各々ＡＦＭ層１２０および１２２に磁気
的に結合されている。固定層１１６および１１８、並び
に自由層１１０に用いられる材料は、ＴＭＲ接合１００
に対するＭＲ率が大きくなるように選択されることが好
ましい。ＴＭＲ接合に対するＭＲ率は、２Ｐ１Ｐ２／
（１＋Ｐ１Ｐ２）に比例し、ここで、Ｐ１およびＰ２は
各々、接合に対する自由層および固定層のスピン分極で
ある。スピン分極は、通常、百分率で表される。従っ
て、固定層１１６および１１８、並びに自由層１１０の
材料は、スピン分極がより大きくなるように選択される
ことが好ましく、これによって、より大きいＭＲ率が得
られる。但し、自由層１１０が外部磁場に容易に応答で
きるように、自由層１１０に用いる材料は、保持力が小
さくなるように選択すべきことに留意されたい。上述の
固定層１１６および１１８、並びに自由層１１０用の好
適な材料は、これらの事柄を念頭において選択される。
【００２０】第１の障壁層１１２と第２の障壁層１１４
の厚さは各々、約５から５０オングストロームであるこ
とが好ましい。障壁層１１２および１１４は各々、自由
層１１０、固定層１１６および１１８の間で電荷担体
（例えば、電子）のスピン分極トンネル効果が起こるに
充分な程薄い。障壁層１１２および１１４には、酸化ア
ルミニウムが含まれることが好ましい。ＡＦＭ層１２０
および１２２は、約５０から５００オングストロームの
間であることが好ましい。ＡＦＭ層１２０および１２２
には、ＰｔＭｎ、ＭｎＦｅ、またはＩｒＭｎが含まれる
ことが好ましい。但し、ＴＭＲセンサ１００に他の材料
を用いることを拒む理由はない。さらに、図２（ｂ）に
示すように、固定層１１６および１１８の磁化には、外
部磁場がない場合、自由層１１０の磁化に直交してバイ
アスを掛けることが好ましい。すなわち、固定層１１６
および１１８の磁化は、紙面から飛び出す方向に固定さ
れることが好ましい。
の厚さは各々、約５から５０オングストロームであるこ
とが好ましい。障壁層１１２および１１４は各々、自由
層１１０、固定層１１６および１１８の間で電荷担体
（例えば、電子）のスピン分極トンネル効果が起こるに
充分な程薄い。障壁層１１２および１１４には、酸化ア
ルミニウムが含まれることが好ましい。ＡＦＭ層１２０
および１２２は、約５０から５００オングストロームの
間であることが好ましい。ＡＦＭ層１２０および１２２
には、ＰｔＭｎ、ＭｎＦｅ、またはＩｒＭｎが含まれる
ことが好ましい。但し、ＴＭＲセンサ１００に他の材料
を用いることを拒む理由はない。さらに、図２（ｂ）に
示すように、固定層１１６および１１８の磁化には、外
部磁場がない場合、自由層１１０の磁化に直交してバイ
アスを掛けることが好ましい。すなわち、固定層１１６
および１１８の磁化は、紙面から飛び出す方向に固定さ
れることが好ましい。
【００２１】図２（ｂ）に示すように、ＴＭＲセンサ１
００には、２つのＴＭＲ接合が含まれることが好まし
い。１つのＴＭＲ接合は、第１の固定層１１６、第１の
障壁層１１２、および自由層１１０によって形成され
る。第２のＴＭＲ接合は、第２の固定層１１８、第２の
障壁層１１４、および自由層１１０によって形成されて
いる。すなわち、ＴＭＲセンサ１００のＴＭＲ接合は、
自由層１１０の端面に形成されることが好ましい。ＴＭ
Ｒセンサ１００のＴＭＲ接合の幾何学的配置によって、
矢印１２５で示す方向に電流が流れる。従って、ＴＭＲ
センサは、電流ＧＭＲセンサと同じように、面内電流
（“ＣＩＰ”）センサである。
００には、２つのＴＭＲ接合が含まれることが好まし
い。１つのＴＭＲ接合は、第１の固定層１１６、第１の
障壁層１１２、および自由層１１０によって形成され
る。第２のＴＭＲ接合は、第２の固定層１１８、第２の
障壁層１１４、および自由層１１０によって形成されて
いる。すなわち、ＴＭＲセンサ１００のＴＭＲ接合は、
自由層１１０の端面に形成されることが好ましい。ＴＭ
Ｒセンサ１００のＴＭＲ接合の幾何学的配置によって、
矢印１２５で示す方向に電流が流れる。従って、ＴＭＲ
センサは、電流ＧＭＲセンサと同じように、面内電流
（“ＣＩＰ”）センサである。
【００２２】ＴＭＲセンサ１００のＴＭＲ接合が、自由
層１１０の端面にあるため、各ＴＭＲ接合の領域は、大
幅に小さくなっている。図２（ｂ）から解かるように、
各ＴＭＲ接合の領域の厚さは、自由層１１０の厚さに、
図２（ｂ）の紙面に向うストライプ高さｈを乗じたもの
である。すなわち、各ＴＭＲ接合の領域は、自由層１１
０の幅ｗとは無関係である。自由層１１０の厚さは、約
１０から３００オングストローム程度であることが好ま
しい。ＴＭＲ１００のストライプ高さが、従来のＴＭＲ
センサ１０とほぼ同じであると仮定した場合、ＴＭＲセ
ンサ１００の各ＴＭＲ接合の領域は、従来のＴＭＲセン
サ１０の領域より大幅に小さくなる。これによって、Ｔ
ＭＲセンサの各ＴＭＲ接合の表面積は、図１（ａ）およ
び図１（ｂ）に示す従来のＴＭＲセンサ１０の表面積よ
り大幅に小さくなる。
層１１０の端面にあるため、各ＴＭＲ接合の領域は、大
幅に小さくなっている。図２（ｂ）から解かるように、
各ＴＭＲ接合の領域の厚さは、自由層１１０の厚さに、
図２（ｂ）の紙面に向うストライプ高さｈを乗じたもの
である。すなわち、各ＴＭＲ接合の領域は、自由層１１
０の幅ｗとは無関係である。自由層１１０の厚さは、約
１０から３００オングストローム程度であることが好ま
しい。ＴＭＲ１００のストライプ高さが、従来のＴＭＲ
センサ１０とほぼ同じであると仮定した場合、ＴＭＲセ
ンサ１００の各ＴＭＲ接合の領域は、従来のＴＭＲセン
サ１０の領域より大幅に小さくなる。これによって、Ｔ
ＭＲセンサの各ＴＭＲ接合の表面積は、図１（ａ）およ
び図１（ｂ）に示す従来のＴＭＲセンサ１０の表面積よ
り大幅に小さくなる。
【００２３】再び図２（ａ）および図２（ｂ）におい
て、ＴＭＲセンサ１００のＴＭＲ接合の領域が大幅に小
さくなっているため、ＴＭＲセンサ１００には、従来の
ＴＭＲセンサ１０と比較して幾つかの利点がある。ＴＭ
Ｒセンサ１００のＴＭＲ接合の領域が小さくなることに
よって、障壁層１１２および１１４におけるピンホール
の発生確率が低減される。この結果、ＴＭＲセンサのバ
イアス電流が、より均一になる。さらに、電子が障壁層
１１２および１１４を通過する代わりにピンホールを通
過するために、ＴＭＲセンサ１００のＭＲ率が小さくな
る可能性も低くなる。さらに、ＴＭＲ接合領域が小さく
なることによって、ＴＭＲセンサ１００の寄生容量もま
た小さくなる。その結果、ＴＭＲセンサ１００の応答時
間が改善され、このＴＭＲセンサ１００を用いて、デー
タ転送速度を大きくすることができる。さらに、ＴＭＲ
センサ１００のＴＭＲ接合領域が小さいため、より小さ
なバイアス電流を用いることができる。例えば、図１
（ａ）および図１（ｂ）に示す従来のＴＭＲセンサ１０
では、約４〜５ミリアンペアのバイアス電流が用いられ
ている。それに対して、一実施例において、ＴＭＲセン
サ１００では、１０から１００マイクロアンペアの間の
バイアス電流を用いることができる。より小さなバイア
ス電流を用いることによって、ＴＭＲセンサ１００の消
費電力を減らすことができるが、このことは望ましいこ
とである。
て、ＴＭＲセンサ１００のＴＭＲ接合の領域が大幅に小
さくなっているため、ＴＭＲセンサ１００には、従来の
ＴＭＲセンサ１０と比較して幾つかの利点がある。ＴＭ
Ｒセンサ１００のＴＭＲ接合の領域が小さくなることに
よって、障壁層１１２および１１４におけるピンホール
の発生確率が低減される。この結果、ＴＭＲセンサのバ
イアス電流が、より均一になる。さらに、電子が障壁層
１１２および１１４を通過する代わりにピンホールを通
過するために、ＴＭＲセンサ１００のＭＲ率が小さくな
る可能性も低くなる。さらに、ＴＭＲ接合領域が小さく
なることによって、ＴＭＲセンサ１００の寄生容量もま
た小さくなる。その結果、ＴＭＲセンサ１００の応答時
間が改善され、このＴＭＲセンサ１００を用いて、デー
タ転送速度を大きくすることができる。さらに、ＴＭＲ
センサ１００のＴＭＲ接合領域が小さいため、より小さ
なバイアス電流を用いることができる。例えば、図１
（ａ）および図１（ｂ）に示す従来のＴＭＲセンサ１０
では、約４〜５ミリアンペアのバイアス電流が用いられ
ている。それに対して、一実施例において、ＴＭＲセン
サ１００では、１０から１００マイクロアンペアの間の
バイアス電流を用いることができる。より小さなバイア
ス電流を用いることによって、ＴＭＲセンサ１００の消
費電力を減らすことができるが、このことは望ましいこ
とである。
【００２４】また、ＴＭＲセンサ１００では、その信号
が大きくなる。上述したように、ＴＭＲセンサ１００
は、自由層１１０の各端面に１つずづ、２つのＴＭＲ接
合を有している。バイアス電流もまた紙面に対して平行
に、矢印１２４によって示す方向に流れる。これは、バ
イアス電流が、リード１２８および１３０の間で駆動さ
れるからである。この結果、電流は、リード１２８とリ
ード１３０の間を流れる際、２つのＴＭＲ接合面を通過
する。従って、図２（ａ）および図２（ｂ）のＴＭＲセ
ンサ１００には、唯１つではなく２つのＴＭＲ接合が含
まれているため、ＴＭＲセンサ１００からの信号は、図
１（ａ）および図１（ｂ）に示す従来のＴＭＲセンサ１
０に対する信号の２倍にすることができる。このよう
に、ＴＭＲセンサ１００の信号が大きくなり、これによ
って、ＴＭＲセンサ１００は、より高密度の記録用途に
適する。
が大きくなる。上述したように、ＴＭＲセンサ１００
は、自由層１１０の各端面に１つずづ、２つのＴＭＲ接
合を有している。バイアス電流もまた紙面に対して平行
に、矢印１２４によって示す方向に流れる。これは、バ
イアス電流が、リード１２８および１３０の間で駆動さ
れるからである。この結果、電流は、リード１２８とリ
ード１３０の間を流れる際、２つのＴＭＲ接合面を通過
する。従って、図２（ａ）および図２（ｂ）のＴＭＲセ
ンサ１００には、唯１つではなく２つのＴＭＲ接合が含
まれているため、ＴＭＲセンサ１００からの信号は、図
１（ａ）および図１（ｂ）に示す従来のＴＭＲセンサ１
０に対する信号の２倍にすることができる。このよう
に、ＴＭＲセンサ１００の信号が大きくなり、これによ
って、ＴＭＲセンサ１００は、より高密度の記録用途に
適する。
【００２５】さらに、好適な実施例において、自由層１
１０は単一磁区であり、これによって、ＴＭＲセンサ１
００に対する磁気バイアスが不要になる。自由層が複数
磁区である場合、自由層１１０の磁化が、外部磁場に応
答する時、その磁区壁が移動する。この磁区壁の動き
は、非反復性の雑音源となることがあり、これは望まし
いことではない。この雑音は、自由層１１０が確実に単
一磁区となるようにすることによって防止することがで
きる。ＧＭＲセンサにおいて、自由層は、自由層が確実
に単一磁区となるように、硬質磁石によって磁気的なバ
イアスが掛けられる。
１０は単一磁区であり、これによって、ＴＭＲセンサ１
００に対する磁気バイアスが不要になる。自由層が複数
磁区である場合、自由層１１０の磁化が、外部磁場に応
答する時、その磁区壁が移動する。この磁区壁の動き
は、非反復性の雑音源となることがあり、これは望まし
いことではない。この雑音は、自由層１１０が確実に単
一磁区となるようにすることによって防止することがで
きる。ＧＭＲセンサにおいて、自由層は、自由層が確実
に単一磁区となるように、硬質磁石によって磁気的なバ
イアスが掛けられる。
【００２６】しかしながら、自由層１１０が充分に小さ
い場合、自由層は単一磁区である。一般に、自由層１１
０は、その幅ｗが、自由層１１０が形成される材料に対
する交換長の約１０倍以下である場合、単一磁区であ
る。パーマロイ（Ｆｅを約１９％含有するＮｉＦｅ）か
ら成る自由層１１０において、自由層１１０は、幅が約
０．１ミクロン以下の場合、単一磁区である。従って、
好適な実施例において、自由層１１０の長さは、０．１
ミクロン以下である。この結果、好適な実施例におい
て、自由層１１０は、磁気バイアスの無い単一磁区であ
る。
い場合、自由層は単一磁区である。一般に、自由層１１
０は、その幅ｗが、自由層１１０が形成される材料に対
する交換長の約１０倍以下である場合、単一磁区であ
る。パーマロイ（Ｆｅを約１９％含有するＮｉＦｅ）か
ら成る自由層１１０において、自由層１１０は、幅が約
０．１ミクロン以下の場合、単一磁区である。従って、
好適な実施例において、自由層１１０の長さは、０．１
ミクロン以下である。この結果、好適な実施例におい
て、自由層１１０は、磁気バイアスの無い単一磁区であ
る。
【００２７】また、好適な実施例において、幅が約０．
１ミクロンの自由層１１０は、約１００Ｇｂ／ｉｎ
2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）の記録密度を有する磁気材料
の読取りに適している。ビット・サイズは、トラックに
沿うインチ当たりのビット数（“ＢＰＩ”）および１イ
ンチ当たりのトラック数（“ＴＰＩ”）によって表すこ
とができる。図３は、トラックピッチと面密度の関係を
４つの曲線２０２、２０４、２０６、および２０８に対
して示すグラフである。曲線２０２、２０４、２０６、
および２０８は各々、４、８、１２、および１８のＢＰ
Ｉ／ＴＰＩ比を表している。点２１０、２１２、２１
４、および２１６は、特定の面密度を有する媒体の実験
結果を示すものである。最も面密度が高い媒体は、点２
１０によって示されている。点２１０は、ＢＰＩ／ＴＰ
Ｉが７．８で、面密度が３５．３Ｇｂ／ｉｎ2（５．４
７Ｇｂ／ｃｍ2）の場合を表している。面密度が点２１
６〜２１０へと増加することから解かるように、ＢＰＩ
はＴＰＩより急激に減少する。換言すれば、面密度が高
いほど、ＢＰＴ／ＴＰＩが減少する。このように、ビッ
トのアスペクト比が小さいと、信号対雑音比が小さくな
るため、有益である。ＢＰＩ／ＴＰＩ比が約４で、トラ
ックピッチが約０．２ミクロンの場合、約１００Ｇｂ／
ｉｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）の面密度が得られると現
在考えられている。
１ミクロンの自由層１１０は、約１００Ｇｂ／ｉｎ
2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）の記録密度を有する磁気材料
の読取りに適している。ビット・サイズは、トラックに
沿うインチ当たりのビット数（“ＢＰＩ”）および１イ
ンチ当たりのトラック数（“ＴＰＩ”）によって表すこ
とができる。図３は、トラックピッチと面密度の関係を
４つの曲線２０２、２０４、２０６、および２０８に対
して示すグラフである。曲線２０２、２０４、２０６、
および２０８は各々、４、８、１２、および１８のＢＰ
Ｉ／ＴＰＩ比を表している。点２１０、２１２、２１
４、および２１６は、特定の面密度を有する媒体の実験
結果を示すものである。最も面密度が高い媒体は、点２
１０によって示されている。点２１０は、ＢＰＩ／ＴＰ
Ｉが７．８で、面密度が３５．３Ｇｂ／ｉｎ2（５．４
７Ｇｂ／ｃｍ2）の場合を表している。面密度が点２１
６〜２１０へと増加することから解かるように、ＢＰＩ
はＴＰＩより急激に減少する。換言すれば、面密度が高
いほど、ＢＰＴ／ＴＰＩが減少する。このように、ビッ
トのアスペクト比が小さいと、信号対雑音比が小さくな
るため、有益である。ＢＰＩ／ＴＰＩ比が約４で、トラ
ックピッチが約０．２ミクロンの場合、約１００Ｇｂ／
ｉｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）の面密度が得られると現
在考えられている。
【００２８】自由層１１０の幅は、トラックピッチの約
半分であることが好ましい。すなわち、幅が約０．１ミ
クロンの自由層１１０は、約０．２ミクロンのトラック
ピッチに適し、従って、約１００Ｇｂ／ｉｎ2（１５．
５Ｇｂ／ｃｍ2）の面密度に適する。すなわち、好適な
実施例において、自由層１１０が確実に単一磁区から成
るように充分に狭い幅を有している場合、ＴＭＲセンサ
１００は、１００Ｇｂ／ｉｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）
の媒体の用途に適している。さらに、上述したように、
ＴＭＲセンサ１００は、ＭＲ率が大きく、またデータ転
送速度が速い。従って、ＴＭＲセンサ１００は、１００
Ｇｂ／ｉｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）を含み、記録密度
が非常に高い場合に用いることができる。
半分であることが好ましい。すなわち、幅が約０．１ミ
クロンの自由層１１０は、約０．２ミクロンのトラック
ピッチに適し、従って、約１００Ｇｂ／ｉｎ2（１５．
５Ｇｂ／ｃｍ2）の面密度に適する。すなわち、好適な
実施例において、自由層１１０が確実に単一磁区から成
るように充分に狭い幅を有している場合、ＴＭＲセンサ
１００は、１００Ｇｂ／ｉｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）
の媒体の用途に適している。さらに、上述したように、
ＴＭＲセンサ１００は、ＭＲ率が大きく、またデータ転
送速度が速い。従って、ＴＭＲセンサ１００は、１００
Ｇｂ／ｉｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）を含み、記録密度
が非常に高い場合に用いることができる。
【００２９】上述の利点に加えて、ＴＭＲセンサ１００
は、製造が比較的容易である。このように製造が容易で
ある理由の一つとして、ＴＭＲセンサ１００がＣＩＰ構
造であり、従来のＣＩＰ・ＧＭＲセンサの技術と非常に
類似した技術を用いて製造することができるという事実
が挙げられる。換言すれば、ＴＭＲセンサ１００の処理
を現在の処理技術に統合することは比較的容易である。
は、製造が比較的容易である。このように製造が容易で
ある理由の一つとして、ＴＭＲセンサ１００がＣＩＰ構
造であり、従来のＣＩＰ・ＧＭＲセンサの技術と非常に
類似した技術を用いて製造することができるという事実
が挙げられる。換言すれば、ＴＭＲセンサ１００の処理
を現在の処理技術に統合することは比較的容易である。
【００３０】本発明のこの利点をさらに具体的に説明す
るため、図４を参照するが、ここでは、本発明によるＴ
ＭＲセンサを設けるための方法３００における高位レベ
ルのフローチャートが示してある。段階３０２におい
て、自由層１１０が設けられる。自由層１００は、約２
０〜１００オングストロームのパーマロイから成ること
がが好ましい。段階３０４において、障壁層１１２およ
び１１４が設けられる。障壁層１１２および１１４は、
５〜２０オングストロームの酸化アルミニウムから形成
されることが好ましい。障壁層１１２および１１４は、
自由層の端面に残留することが好ましい。段階３０６に
おいて、固定層１１６および１１８が設けられ、段階３
０８において、ＡＦＭ層１２０および１２２が設けられ
る。固定層１１６および１１８は、障壁層１１２および
１１４の上に設けられる。固定層１１６および１１８
は、ＣｏＦｅまたはＮｉＦｅ等のスピン分極が大きい磁
性材料で、３０から１００オングストロームの間である
ことが好ましい。ＡＦＭ層１２０および１２２は、固定
層１１６および１１８の上に設けられる。ＡＦＭ層１２
０および１２２は、ＰｔＭｎ、ＭｎＦｅ、またはＩｒＭ
ｎなどの材料で、５０から３００オングストロームの間
であることが好ましい。段階３１０においてリードが設
けられ、ＴＭＲセンサに対して電流を双方向に流すこと
ができる。
るため、図４を参照するが、ここでは、本発明によるＴ
ＭＲセンサを設けるための方法３００における高位レベ
ルのフローチャートが示してある。段階３０２におい
て、自由層１１０が設けられる。自由層１００は、約２
０〜１００オングストロームのパーマロイから成ること
がが好ましい。段階３０４において、障壁層１１２およ
び１１４が設けられる。障壁層１１２および１１４は、
５〜２０オングストロームの酸化アルミニウムから形成
されることが好ましい。障壁層１１２および１１４は、
自由層の端面に残留することが好ましい。段階３０６に
おいて、固定層１１６および１１８が設けられ、段階３
０８において、ＡＦＭ層１２０および１２２が設けられ
る。固定層１１６および１１８は、障壁層１１２および
１１４の上に設けられる。固定層１１６および１１８
は、ＣｏＦｅまたはＮｉＦｅ等のスピン分極が大きい磁
性材料で、３０から１００オングストロームの間である
ことが好ましい。ＡＦＭ層１２０および１２２は、固定
層１１６および１１８の上に設けられる。ＡＦＭ層１２
０および１２２は、ＰｔＭｎ、ＭｎＦｅ、またはＩｒＭ
ｎなどの材料で、５０から３００オングストロームの間
であることが好ましい。段階３１０においてリードが設
けられ、ＴＭＲセンサに対して電流を双方向に流すこと
ができる。
【００３１】図５は、本発明による方法３５０の更に詳
細なフローチャートを示す図である。この方法３５０
も、処理中のＴＭＲセンサ１００’の他の実施例を示す
図６〜図１２と共に説明する。図５および図６〜図１２
において、段階３５２において、第１のシールドが設け
られる。段階３５４において、第１のシールド上に第１
のギャップが設けられる。次に、段階３５６において、
自由層用の任意のシード層を成膜することができる。こ
のシード層は、約２０〜５０オングストロームのタンタ
ルから成ることが好ましい。次に、段階３５８におい
て、自由層の材料が成膜される。そして、段階３６０に
おいて、任意のキャップ層を自由層の上に設けることが
できる。次に、段階３６２において、キャップ層の上に
第２のギャップ（ギャップ２ａと呼ぶ）の第１の部分を
成膜する。このギャップ２ａによって、以下で説明する
イオンミリング等の後続の処理中、自由層が保護され
る。図６は、ギャップ２ａの層１２４ａ’が成膜された
後のＴＭＲセンサ１００’を示す図である。また、第１
のシールド１０２’、第１のギャップ１０４’、任意の
シード層１０６’、自由層１１０’、および任意のキャ
ップ層１０８’が示してある。
細なフローチャートを示す図である。この方法３５０
も、処理中のＴＭＲセンサ１００’の他の実施例を示す
図６〜図１２と共に説明する。図５および図６〜図１２
において、段階３５２において、第１のシールドが設け
られる。段階３５４において、第１のシールド上に第１
のギャップが設けられる。次に、段階３５６において、
自由層用の任意のシード層を成膜することができる。こ
のシード層は、約２０〜５０オングストロームのタンタ
ルから成ることが好ましい。次に、段階３５８におい
て、自由層の材料が成膜される。そして、段階３６０に
おいて、任意のキャップ層を自由層の上に設けることが
できる。次に、段階３６２において、キャップ層の上に
第２のギャップ（ギャップ２ａと呼ぶ）の第１の部分を
成膜する。このギャップ２ａによって、以下で説明する
イオンミリング等の後続の処理中、自由層が保護され
る。図６は、ギャップ２ａの層１２４ａ’が成膜された
後のＴＭＲセンサ１００’を示す図である。また、第１
のシールド１０２’、第１のギャップ１０４’、任意の
シード層１０６’、自由層１１０’、および任意のキャ
ップ層１０８’が示してある。
【００３２】段階３６４において、トラック幅が決定さ
れる。段階３６４には、図７に示すように、二層フォト
レジスト構造体１３２’を設ける段階が含まれることが
好ましい。また、段階３６４において、二層フォトレジ
スト構造体１３２’をマスクとして用いることによっ
て、ギャップ２ａの層１２４ａ’、キャップ層１０
８’、自由層１１０’、およびシード層１０６’のエッ
チングが行なわれる。すなわち、段階３６４を用いて、
自由層１１０’の望ましい幅が決定される。次に、段階
３６６において、ＴＭＲ接合を自由層１１０’の端面に
形成できるように、これらの層１０６’、１１０’、１
０８、および１２４ａのイオンミリングを行なう。図８
は、段階３６４においてトラックの幅を決定し、段階３
６６において自由層のイオンミリングを行なった後のＴ
ＭＲセンサ１００’を示す図である。
れる。段階３６４には、図７に示すように、二層フォト
レジスト構造体１３２’を設ける段階が含まれることが
好ましい。また、段階３６４において、二層フォトレジ
スト構造体１３２’をマスクとして用いることによっ
て、ギャップ２ａの層１２４ａ’、キャップ層１０
８’、自由層１１０’、およびシード層１０６’のエッ
チングが行なわれる。すなわち、段階３６４を用いて、
自由層１１０’の望ましい幅が決定される。次に、段階
３６６において、ＴＭＲ接合を自由層１１０’の端面に
形成できるように、これらの層１０６’、１１０’、１
０８、および１２４ａのイオンミリングを行なう。図８
は、段階３６４においてトラックの幅を決定し、段階３
６６において自由層のイオンミリングを行なった後のＴ
ＭＲセンサ１００’を示す図である。
【００３３】次に、段階３６８において、障壁層を形成
する単一の絶縁層を成膜する。図９は、絶縁層が成膜さ
れた後のＴＭＲセンサ１００’を示す図である。この単
一の絶縁層は、層１１２’および１１４’から構成され
るものとして図示してあるが、これらの層１１２’およ
び１１４’は、ＴＭＲセンサ１００’および二層フォト
レジスト構造体１３２’上の層１１３’用の障壁層とな
る。段階３７０において、ＴＭＲセンサ１００’の固定
層になる単一の磁性層が成膜される。段階３７２におい
て、ＴＭＲセンサ１００’のＡＦＭ層になる単一のＡＦ
Ｍ層が成膜される。図１０は、段階３７０および３７２
が終了した後のＴＭＲセンサ１００’を示す図である。
固定層に用いられる単一の磁性層は、層１１６’、１１
７’、および１１８’によって表してある。ＴＭＲセン
サ１００’のＡＦＭ層に用いられる単一のＡＦＭ層は、
層１２０’、１２１’および１２２’として示してあ
る。すなわち、各々障壁層の部分１１３’、磁性層の部
分１１７’、およびＡＦＭ層の部分１２１’は、二層フ
ォトレジスト構造体１３２’の上に設けられる。
する単一の絶縁層を成膜する。図９は、絶縁層が成膜さ
れた後のＴＭＲセンサ１００’を示す図である。この単
一の絶縁層は、層１１２’および１１４’から構成され
るものとして図示してあるが、これらの層１１２’およ
び１１４’は、ＴＭＲセンサ１００’および二層フォト
レジスト構造体１３２’上の層１１３’用の障壁層とな
る。段階３７０において、ＴＭＲセンサ１００’の固定
層になる単一の磁性層が成膜される。段階３７２におい
て、ＴＭＲセンサ１００’のＡＦＭ層になる単一のＡＦ
Ｍ層が成膜される。図１０は、段階３７０および３７２
が終了した後のＴＭＲセンサ１００’を示す図である。
固定層に用いられる単一の磁性層は、層１１６’、１１
７’、および１１８’によって表してある。ＴＭＲセン
サ１００’のＡＦＭ層に用いられる単一のＡＦＭ層は、
層１２０’、１２１’および１２２’として示してあ
る。すなわち、各々障壁層の部分１１３’、磁性層の部
分１１７’、およびＡＦＭ層の部分１２１’は、二層フ
ォトレジスト構造体１３２’の上に設けられる。
【００３４】次に、段階３７４において、除去処理を行
う。段階３７４で行う除去処理によって、二層フォトレ
ジスト構造体１３２を除去する。このように、障壁層の
部分１１３’、強磁性層の部分１１７’、およびＡＦＭ
層の部分１２１’も各々除去する。図１１は、段階３７
４において除去処理を行った後のＴＭＲセンサ１００’
を示す図である。図１１から解かるように、２つの障壁
層１１２’および１１４’、２つの固定層１１６’およ
び１１８’、並びに２つのＡＦＭ層１２０’および１２
２’が残る。このように、ＴＭＲ接合が自由層１１０’
の端面に形成される。第１のＴＭＲ接合は、自由層１１
０’、第１の障壁層１１２’、および第１の固定層１１
６’の端面によって形成され、一方、第２のＴＭＲ接合
面は、自由層１１０’、第２の障壁層１１４’、および
第２の固定層１１８’の他方の端面によって形成され
る。リードは、段階３７５において、設けられる。
う。段階３７４で行う除去処理によって、二層フォトレ
ジスト構造体１３２を除去する。このように、障壁層の
部分１１３’、強磁性層の部分１１７’、およびＡＦＭ
層の部分１２１’も各々除去する。図１１は、段階３７
４において除去処理を行った後のＴＭＲセンサ１００’
を示す図である。図１１から解かるように、２つの障壁
層１１２’および１１４’、２つの固定層１１６’およ
び１１８’、並びに２つのＡＦＭ層１２０’および１２
２’が残る。このように、ＴＭＲ接合が自由層１１０’
の端面に形成される。第１のＴＭＲ接合は、自由層１１
０’、第１の障壁層１１２’、および第１の固定層１１
６’の端面によって形成され、一方、第２のＴＭＲ接合
面は、自由層１１０’、第２の障壁層１１４’、および
第２の固定層１１８’の他方の端面によって形成され
る。リードは、段階３７５において、設けられる。
【００３５】次に、段階３７６において、第２のギャッ
プ（ギャップ２ｂと呼ぶ）の第２の部分が成膜される。
段階３７８において、ＡＦＭ層１２０’および１２２’
の磁気方位が設定される。ＡＦＭ層１２０’および１２
２’の磁気方位は、固定層１１６’および１１８’の磁
化が各々、空気軸受面に直交するように、好ましくは、
電流が流れる方向に直交するように設定される。また、
段階３８０において、第２のシールド１２６が設けられ
る。ギャップ２ｂの１２４ｂ’および第２のシールド１
２６を含む完成したＴＭＲセンサ１００’が図１２に示
してある。図１２にはまた、ＴＭＲセンサ１００’への
リードが示されているが、この実施例において、ＧＭＲ
ヘッド用のＴａ／Ａｕ／Ｔａのリード構造は、自由層１
１０’と接触するために用いることもできる。リードす
なわちＴＭＲセンサ１００‘は、本質的に、ＴＭＲセン
サ１００と同じ利点がある。
プ（ギャップ２ｂと呼ぶ）の第２の部分が成膜される。
段階３７８において、ＡＦＭ層１２０’および１２２’
の磁気方位が設定される。ＡＦＭ層１２０’および１２
２’の磁気方位は、固定層１１６’および１１８’の磁
化が各々、空気軸受面に直交するように、好ましくは、
電流が流れる方向に直交するように設定される。また、
段階３８０において、第２のシールド１２６が設けられ
る。ギャップ２ｂの１２４ｂ’および第２のシールド１
２６を含む完成したＴＭＲセンサ１００’が図１２に示
してある。図１２にはまた、ＴＭＲセンサ１００’への
リードが示されているが、この実施例において、ＧＭＲ
ヘッド用のＴａ／Ａｕ／Ｔａのリード構造は、自由層１
１０’と接触するために用いることもできる。リードす
なわちＴＭＲセンサ１００‘は、本質的に、ＴＭＲセン
サ１００と同じ利点がある。
【００３６】図１３は、ＴＭＲセンサ１００”のもう一
つの実施例を示す図である。ＴＭＲセンサ１００”は、
ＴＭＲセンサ１００および１００’とほぼ同一である。
従って、ＴＭＲセンサ１００”には、実質的に、ＴＭＲ
センサ１００’および１００”と同じ利点がある。但
し、リード１２８”および１３０”は、ＡＦＭ層１２
０”および１２２”の上側ではなく、ＴＭＲセンサ１０
０”の外側の端面と結合されている。さらに、図２
（ｂ）、図１２、および図１３において、リード１２
８、１３０、１２８’、１３０’、１２８”、および１
３０”は各々、ＡＦＭ層１２０、１２２、１２０’、１
２２’、１２０”、および１２２”と接触するものとし
て示されているが、リード１２８、１３０、１２８’、
１３０’、１２８”、および１３０”は、非磁性金属が
好ましい。さらに、空気軸受面から見たリード１２８、
１３０、１２８’、１３０’、１２８”、および１３
０”が、図２（ａ）、図１２、および図１３に示されて
いるが、リード１２８、１３０、１２８’、１３０’、
１２８”、および１３０”は、空気軸受面まで達する必
要はない。
つの実施例を示す図である。ＴＭＲセンサ１００”は、
ＴＭＲセンサ１００および１００’とほぼ同一である。
従って、ＴＭＲセンサ１００”には、実質的に、ＴＭＲ
センサ１００’および１００”と同じ利点がある。但
し、リード１２８”および１３０”は、ＡＦＭ層１２
０”および１２２”の上側ではなく、ＴＭＲセンサ１０
０”の外側の端面と結合されている。さらに、図２
（ｂ）、図１２、および図１３において、リード１２
８、１３０、１２８’、１３０’、１２８”、および１
３０”は各々、ＡＦＭ層１２０、１２２、１２０’、１
２２’、１２０”、および１２２”と接触するものとし
て示されているが、リード１２８、１３０、１２８’、
１３０’、１２８”、および１３０”は、非磁性金属が
好ましい。さらに、空気軸受面から見たリード１２８、
１３０、１２８’、１３０’、１２８”、および１３
０”が、図２（ａ）、図１２、および図１３に示されて
いるが、リード１２８、１３０、１２８’、１３０’、
１２８”、および１３０”は、空気軸受面まで達する必
要はない。
【００３７】このように、ＴＭＲセンサ１００および１
００’を設けるための方法３００および３５０は、従来
のＧＭＲセンサを形成するために用いる技術に類似して
いる。従って、方法３００および３５０は、現在の加工
技術に容易に統合することができる。方法３００および
３５０によって、より均一なバイアス電流と、大きな信
号と、さらに、例えば面密度が１００Ｇｂ／ｉｎ2（１
５．５Ｇｂ／ｃｍ2）等の高面密度記録用途に適する優
れたＴＭＲセンサ１００あるいは１００’を設けること
ができる。また、方法３００および３５０は、実施が比
較的容易であるため、ＴＭＲセンサ１００および１０
０’の処理を容易にする。
００’を設けるための方法３００および３５０は、従来
のＧＭＲセンサを形成するために用いる技術に類似して
いる。従って、方法３００および３５０は、現在の加工
技術に容易に統合することができる。方法３００および
３５０によって、より均一なバイアス電流と、大きな信
号と、さらに、例えば面密度が１００Ｇｂ／ｉｎ2（１
５．５Ｇｂ／ｃｍ2）等の高面密度記録用途に適する優
れたＴＭＲセンサ１００あるいは１００’を設けること
ができる。また、方法３００および３５０は、実施が比
較的容易であるため、ＴＭＲセンサ１００および１０
０’の処理を容易にする。
【００３８】高面密度記録用途に適し、また比較的に製
造が容易なＴＭＲセンサを設けるための方法および装置
を開示した。本発明は、例示の実施例に基づき説明を行
ったが、この実施例に対して変更が可能であり、さら
に、それらの変更は本発明の精神および範囲に包含され
ることを、当業者は容易に認識されよう。従って、当業
者によって、添付の請求の範囲および精神から逸脱する
ことなく多くの修正が可能である。
造が容易なＴＭＲセンサを設けるための方法および装置
を開示した。本発明は、例示の実施例に基づき説明を行
ったが、この実施例に対して変更が可能であり、さら
に、それらの変更は本発明の精神および範囲に包含され
ることを、当業者は容易に認識されよう。従って、当業
者によって、添付の請求の範囲および精神から逸脱する
ことなく多くの修正が可能である。
【００３９】
【発明の効果】上述したように、本発明による方法は、
従来のＧＭＲセンサを形成するために用いる技術に類似
しており、現在の加工技術に容易に統合することができ
る。また、本発明により、より均一なバイアス電流と、
大きな信号と、さらに、例えば面密度が１００Ｇｂ／ｉ
ｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）等の高面密度記録用途に適
する優れたＴＭＲセンサを提供することができる。ま
た、本発明による方法は、実施が比較的容易であるた
め、ＴＭＲセンサの処理が容易になる。
従来のＧＭＲセンサを形成するために用いる技術に類似
しており、現在の加工技術に容易に統合することができ
る。また、本発明により、より均一なバイアス電流と、
大きな信号と、さらに、例えば面密度が１００Ｇｂ／ｉ
ｎ2（１５．５Ｇｂ／ｃｍ2）等の高面密度記録用途に適
する優れたＴＭＲセンサを提供することができる。ま
た、本発明による方法は、実施が比較的容易であるた
め、ＴＭＲセンサの処理が容易になる。
【図１】 （ａ）は従来のＴＭＲセンサを示す側面図で
あり、（ｂ）は空気軸受面から見た従来のＴＭＲセンサ
の略図である。
あり、（ｂ）は空気軸受面から見た従来のＴＭＲセンサ
の略図である。
【図２】 （ａ）は本発明によるＴＭＲセンサの一実施
例を示す側面図であり、（ｂ）は空気軸受面から見た本
発明によるＴＭＲセンサの一実施例を示す略図である。
例を示す側面図であり、（ｂ）は空気軸受面から見た本
発明によるＴＭＲセンサの一実施例を示す略図である。
【図３】 異なるビット・アスペクト比（１インチ毎の
ビット／インチ当りのトラック）に対する面密度とトラ
ックピッチの関係を示すグラフである。
ビット／インチ当りのトラック）に対する面密度とトラ
ックピッチの関係を示すグラフである。
【図４】 本発明によるＴＭＲセンサを設けるための本
発明による方法の高位レベルのフローチャートを示す図
である。
発明による方法の高位レベルのフローチャートを示す図
である。
【図５】 本発明によるＴＭＲセンサを設けるための本
発明による方法の詳細フローチャートを示す図である。
発明による方法の詳細フローチャートを示す図である。
【図６】 製造段階における本発明によるＴＭＲセンサ
の一実施例を示す図である。
の一実施例を示す図である。
【図７】 製造段階における本発明によるＴＭＲセンサ
の一実施例を示す図である。
の一実施例を示す図である。
【図８】 製造段階における本発明によるＴＭＲセンサ
の一実施例を示す図である。
の一実施例を示す図である。
【図９】 製造段階における本発明によるＴＭＲセンサ
の一実施例を示す図である。
の一実施例を示す図である。
【図１０】 製造段階における本発明によるＴＭＲセン
サの一実施例を示す図である。
サの一実施例を示す図である。
【図１１】 製造段階における本発明によるＴＭＲセン
サの一実施例を示す図である。
サの一実施例を示す図である。
【図１２】 製造段階における本発明によるＴＭＲセン
サの一実施例を示す図である。
サの一実施例を示す図である。
【図１３】 本発明によるＴＭＲセンサのもう一つの実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
１００…ＴＭＲセンサ、１０２…第１のシールド、１０
４…第１のギャップ、１１０…自由層、１１２…第１の
障壁層、１１４…第２の障壁層、１１６…第１の固定
層、１１８…第２の固定層、１２０…第１のＡＦＭ層、
１２２…第２のＡＦＭ層、１２６…第２のシールド、１
２８…リード、１３０…リード
４…第１のギャップ、１１０…自由層、１１２…第１の
障壁層、１１４…第２の障壁層、１１６…第１の固定
層、１１８…第２の固定層、１２０…第１のＡＦＭ層、
１２２…第２のＡＦＭ層、１２６…第２のシールド、１
２８…リード、１３０…リード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 43/12 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ (72)発明者 ヅゥペィ スィ アメリカ合衆国 95138 カリフォルニア 州 サンホセ シャトー ドゥ ラック 3245
Claims (21)
- 【請求項１】 記録媒体からデータを読取るための磁気
抵抗センサであって、 第１の障壁層と、第２の障壁層とを含み、 前記第１の障壁層と前記第２の障壁層の間に配置される
自由層を含み、前記自由層は磁性を有しており、 第１の固定層と、第２の固定層とを含み、前記第１の固
定層および前記第２の固定層は磁性を有しており、前記
第１の障壁層は前記第１の固定層と前記自由層の間に配
置され、前記第２の障壁層は前記第２の固定層と前記自
由層の間に配置され、 第１の反強磁性層と、第２の反強磁性層とを含み、前記
第１の固定層は第１の反強磁性層と磁気的に結合され、
前記第２の固定層は前記第２の反強磁性層と磁気的に結
合され、 前記第１の障壁層は電荷担体が前記第１の固定層と前記
自由層の間を通り抜けるに充分な薄さを有しており、前
記第２の障壁層は電荷担体が前記第２の固定層と前記自
由層の間を通り抜けるに充分な薄さを有していることを
特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗センサであっ
て、前記自由層は、さらに、幅を有し、前記幅は約１ミ
クロン以下であることを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気抵抗センサであっ
て、前記自由層は、第１の端面と第２の端面を有し、前
記第１の障壁層は前記第１の端面に隣接し、前記第２の
障壁層は前記第２の端面に隣接することを特徴とする磁
気抵抗センサ。 - 【請求項４】 請求項１に記載の磁気抵抗センサであっ
て、前記第１のスペーサ層および前記第２のスペーサ層
は酸化物であることを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項５】 請求項１に記載の磁気抵抗センサであっ
て、前記第１のスペーサ層および前記第２のスペーサ層
は窒化物であることを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項６】 請求項１に記載の磁気抵抗センサであっ
て、前記第１の固定層および前記第２の固定層には、Ｃ
ｏが含まれることを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項７】 請求項１に記載の磁気抵抗センサであっ
て、前記第１の固定層および前記第２の固定層には、Ｃ
ｏＦｅが含まれることを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項８】 請求項１に記載の磁気抵抗センサであっ
て、前記第１の固定層および前記第２の固定層には、Ｎ
ｉが含まれることを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項９】 請求項１に記載の磁気抵抗センサであっ
て、前記第１の固定層および前記第２の固定層には、Ｎ
ｉＦｅが含まれることを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項１０】 記録媒体上の情報を読取るための磁気
抵抗センサを設けるための方法であって、前記方法に
は、 ａ）第１の障壁層と第２の障壁層の間に配置される自由
層を設ける段階が含まれ、前記自由層は磁性を有し、 ｂ）第１の障壁層と第２の障壁層を設ける段階が含ま
れ、前記自由層は前記第１の障壁層と前記第２の障壁層
の間に配置され、 ｃ）第１の固定層および第２の固定層を設ける段階が含
まれ、前記第１の固定層および前記第２の固定層は磁性
を有し、前記第１の障壁層は前記第１の固定層と前記自
由層の間に配置され、前記第２の障壁層は前記第２の固
定層と前記自由層の間に配置され、 ｄ）第１の反強磁性層および第２の反強磁性層を設ける
段階が含まれ、前記第１の固定層は前記第１の反強磁性
層と磁気的に結合され、前記第２の固定層は前記第２の
反強磁性層と磁気的に結合され、 前記第１の障壁層は電荷担体が前記第１の固定層と前記
自由層の間を通り抜けるに充分な薄さを有し、前記第２
の障壁層は電荷担体が前記第２の固定層と前記自由層の
間を通り抜ける充分な薄さを有していることを特徴とす
る方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の方法であって、前
記磁気抵抗センサはさらに、幅を有し、前記幅は約１ミ
クロン以下であることを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の方法であって、前
記第１のスペーサ層および前記第２のスペーサ層は酸化
物であることを特徴とする方法。 - 【請求項１３】 請求項１０に記載の方法であって、前
記第１のスペーサ層および前記第２のスペーサ層は窒化
物であることを特徴とする方法。 - 【請求項１４】 請求項１０に記載の方法であって、前
記第１の固定層および前記第２の固定層には、Ｃｏが含
まれることを特徴とする方法。 - 【請求項１５】 請求項１０に記載の方法であって、前
記第１の固定層および前記第２の固定層には、ＣｏＦｅ
が含まれることを特徴とする方法。 - 【請求項１６】 請求項１０に記載の方法であって、前
記第１の固定層および前記第２の固定層には、Ｎｉが含
まれることを特徴とする方法。 - 【請求項１７】 請求項１０に記載の方法であって、前
記第１の固定層および前記第２の固定層には、ＮｉＦｅ
が含まれることを特徴とする方法。 - 【請求項１８】 請求項１０に記載の方法であって、前
記第１の障壁層および前記第２の障壁層を設ける段階
（ｂ）には、さらに、 （ｂ１）単一の絶縁層を設ける段階と、 （ｂ２）前記第１の障壁層および前記第２の障壁層を形
成するために前記単一の絶縁層の一部を除去する段階
と、を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の方法であって、前
記第１の固定層および前記第２の固定層を設ける段階
（ｃ）には、さらに、 （ｃ１）単一の磁性層を設ける段階と、 （ｃ２）前記第１の固定層および前記第２の固定層を形
成するために前記単一の磁性層の一部を除去する段階
と、を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の方法であって、前
記第１の反強磁性層および前記第２の反強磁性層を設け
る段階（ｄ）には、さらに、 （ｄ１）単一の反強磁性層を設ける段階と、 （ｄ２）前記第１の反強磁性層および前記第２の反強磁
性層を形成するために前記単一の反強磁性層の一部を除
去する段階と、を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２１】 請求項２０に記載の方法であって、前
記除去する段階（ｂ２）、（ｃ２）、および（ｄ２）
は、同時に行なわれることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/523,025 US6445554B1 (en) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | Method and system for providing edge-junction TMR for high areal density magnetic recording |
| US09/523025 | 2000-03-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001319313A true JP2001319313A (ja) | 2001-11-16 |
Family
ID=24083370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001066856A Pending JP2001319313A (ja) | 2000-03-10 | 2001-03-09 | 高面密度磁気記録用の端面接合ｔｍｒを設けるための方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6445554B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001319313A (ja) |
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