JP2001317912A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、電子部品の製造方法に関し、例え
ばリチウムイオン筒型セルの製造工程に適用して、従来
に比してタブ等の突起の位置決め精度を向上することが
できるようにする。 【解決手段】 本発明は、突起２により遮られるよう
に、突起の幅より幅広の光束による検出光Ｌを送出し、
この検出光Ｌの受光光量に基づいて相対回転を停止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の製造方
法に関し、例えばリチウムイオン筒型セルの製造工程に
適用することができる。本発明は、タブ等の突起により
遮られるように、突起の幅より幅広の光束による検出光
を送出し、この検出光の受光光量に基づいて相対回転を
停止することにより、従来に比して突起の位置決め精度
を向上することができるようにする。

【０００２】

【従来の技術】従来、リチウムイオン筒型セルの製造工
程は、円筒形状の負極缶に電極体を収納した後、所定の
位置決め機構によりこの電極体のタブを位置決めし、こ
のタブに安全弁を溶接するようになされている。

【０００３】すなわち電極体は、正極シート材、セパレ
ータ、負極シート材の積層体を巻回して円柱形状に作成
され、この円柱形状による両側端面より正極シート材及
び負極シート材に接続されたタブが突出するように形成
される。タブ２は、例えばアルミニウム等による薄板材
により形成される。図７に示すように、このうち正極側
のタブ２は、負極缶３に電極体を収納にした際に、負極
缶３の中心軸上より偏心した位置で、負極缶３の端面よ
り突出するように形成される。安全弁４は、内部ガスを
一次的に放出して内部圧力の異常な増大を防止するため
に配置され、リチウムイオン筒型セルでは、この安全弁
４を介して正極側のタブ２と正極端子とが接続される。

【０００４】図８は、このタブの位置決め機構の説明に
供する斜視図及び平面図である。リチウムイオン筒型セ
ルの製造工程は、この位置決め機構５によるステーショ
ンでタブ２を位置決めした後、続くステーションで安全
弁４をレーザー溶接する。ここでこの位置決め機構５
は、タブ２の位置が続く安全弁４の溶接に適した位置と
なるように、電極体を収納した負極缶（以下負極缶アッ
センブリと呼ぶ）６を回転させて位置決めする。このた
めこの位置決め機構５において、駆動機構７は、制御装
置８の制御により、矢印Ａにより示すように、負極缶ア
ッセンブリ６の中心軸を回転中心にして、所定方向に負
極缶アッセンブリ６を高速度で回転させる。

【０００５】位置決め機構５は、この回転中心を間に挟
むように、１組の透過型センサー９Ａ及び９Ｂが配置さ
れ、この１組の透過型センサー９Ａ及び９Ｂによりタブ
２の位置を検出する。すなわち透過型センサー９Ａは、
赤外線によるレーザー光ＬＡを出射する送光部９ＡＡ
と、このレーザー光ＬＡを受光する受光部９ＡＢとによ
り構成される。また同様に、透過型センサー９Ｂは、赤
外線によるレーザー光ＬＢを出射する送光部９ＢＡと、
このレーザー光ＬＢを受光する受光部９ＢＢとにより構
成される。

【０００６】透過型センサー９Ａ及び９Ｂは、負極缶ア
ッセンブリ６の回転によりタブ２が移動すると、順次レ
ーザー光ＬＡ及びＬＢの光路をタブ２が遮るように、ま
たレーザー光ＬＡ及びＬＢの光路がほぼ平行となるよう
に配置され、これによりタブ２が所定の位置決め位置
（図８（Ｂ）の位置）に位置決めされる場合、この図８
に示す配置では、その直前で、始めにレーザー光ＬＡの
光路が遮られた後、続いてレーザー光ＬＢの光路が遮ら
れるようになされている。

【０００７】これにより位置決め機構５は、図示しない
信号処理回路を介して受光部９ＡＢ及び９ＢＢの受光結
果を制御装置８により監視し、この監視結果に基づいて
駆動機構７を駆動することにより、タブ２を位置決めす
るようになされている。なお、位置決め機構５において
は、このような透過型センサー９Ａ及び９Ｂに代えて、
反射型センサーにより位置検出する場合もある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところでこのような位
置決めの後の安全弁４のレーザー溶接は、図９に示すよ
うに、例えば３〔ｍｍ〕幅のタブ２に、直径１〔ｍｍ〕
による円形形状のレーザー痕が１〔ｍｍ〕間隔で作成さ
れるように実行される。これに対して先の位置決め機構
５における位置決めにおいては、このようなレーザー溶
接箇所に対するタブ２の位置が０．５〜１〔ｍｍ〕程度
ずれている場合でも、このずれを検出することが困難
で、結局、位置決め精度が劣る問題があった。

【０００９】すなわち安全弁においては、このような直
径１〔ｍｍ〕による円形形状のレーザー痕を４箇所作成
するようにレーザー溶接する場合、タブ２の位置ずれ
は、左右で０．５〔ｍｍ〕許容されることになり、これ
以上位置ずれすると、溶接箇所の面積が位置ずれした
分、少なくなる。このように溶接箇所の面積が少なくな
ると、十分な強度を確保することが困難になり、溶接の
面積が甚だしく少なくなると、安全弁４がタブ２から外
れてしまう場合もある。

【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、このように略柱形状の半完成品の端面より突出する
タブ等の突起を精度良く位置決めすることができる電子
部品の製造方法を提案しようとするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め請求項１の発明においては、平板形状の突起を位置決
めする位置決めのステップと、位置決めされた半完成品
を加工する加工のステップとを有する電子部品の製造方
法に適用して、この位置決めのステップが、相対回転に
より突起で遮られるように、突起の幅より幅広の光束に
よる検出光を送出し、この検出光の受光光量に基づいて
相対回転を停止することにより、突起を位置決めする。

【００１２】また請求項４の発明においては、平板形状
の突起を位置決めする位置決めのステップと、位置決め
された半完成品を加工する加工のステップとを有する電
子部品の製造方法に適用して、位置決めのステップを、
大まかな位置決めによる粗位置決めのステップと、突起
を細かく位置決めする微位置決めのステップとにより形
成し、この微位置決めのステップが、相対回転により突
起で遮られるように、突起の幅より幅広の光束による検
出光を送出し、この検出光の受光光量に基づいて相対回
転を停止することにより、突起を位置決めする。

【００１３】請求項１の構成によれば、突起が平板形状
であることにより、相対回転により突起の面が検出光の
光路と垂直になったとき、検出光を最も大きな面積によ
り遮ることになり、また検出光を最も大きな面積により
反射することになる。これに対して突起の面が検出光の
光路と平行になったとき、検出光を最も小さな面積によ
り遮ることになり、また検出光を最も小さな面積により
反射することになる。これによりこのように遮られ、ま
たは反射される検出光の受光光量においては、相対回転
により連続的な変化を呈し、これにより従来方法による
単に遮光するか否かの判定による位置決めに比して、格
段的に位置決め精度を向上することができる。

【００１４】これにより請求項４の構成においては、粗
位置決めのステップにより大まかに位置決めした後、こ
のような位置決めにより位置決めして、短時間で高い精
度ににより位置決めすることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳述する。

【００１６】（１）実施の形態の構成 図２は、この実施の形態に係るリチウムイオン筒型セル
の製造工程を示すフローチャートである。リチウムイオ
ン筒型セルの製造工程は、負極缶アッセンブリ工程にお
いて、所定のアッセンブリ工程で作成された電極体を負
極缶に収納して負極缶アッセンブリが作成される。さら
に続く粗位置決め工程において、所定のステーションで
大まかにタブが位置決めされた後、続くステーションに
搬送され、この続くステーションによる微位置決め工程
において、タブが細かく位置決めされる。さらに続くレ
ーザー溶接のステーションにおいて、このように位置決
めされたタブに安全弁がレーザー溶接される（図９参
照）。この製造工程は、続くＰＴＣ素子アッセンブリ、
正極端子板アッセンブリ、封止工程（図中、正極アッセ
ンブリ、封止工程と記載する）において、この安全弁に
正極等をアッセンブリすると共に、電解質を注入して封
止し、これによりリチウムイオン筒型セルを作成する。

【００１７】図３は、図８との対比によりこの粗位置決
め工程に適用される粗位置決め機構を示す斜視図及び平
面図である。この図３に示す構成において、粗位置決め
機構２１は、透過型センサー９Ａ及び９Ｂの位置、制御
装置８に代えて制御装置２２が適用される点を除いて、
図８の位置決め機構５と同一に構成される。

【００１８】すなわち透過型センサー９Ａ及び９Ｂは、
負極缶アッセンブリ６の回転によりタブ２で順次遮られ
るように、タブ２の幅に比して幅狭の光束によるレーザ
ー光ＬＡ、ＬＢをそれぞれ送光部９ＡＡ、９ＢＡより出
射し、それぞれ受光部９ＡＢ及び９ＢＢによりこのレー
ザー光ＬＡ、ＬＢを受光する。透過型センサー９Ａ及び
９Ｂは、従来の位置決め機構５に比して、負極缶アッセ
ンブリ６の回転方向の上流側にて順次レーザー光ＬＡ、
ＬＢがタブ２により遮られるように、この図３におい
て、位置決めの基準に対して全体が半時計方向に変位し
た位置に配置されるようになされている。これによりこ
の粗位置決め機構２１においては、正しい位置決め位置
の手前の位置にて、粗位置決めできるように構成され、
その分続く微位置決めおいて、短い処理時間により精度
良く位置決めできるようになされている。

【００１９】制御装置２２は、例えばコンピュータによ
り構成され、所定の信号処理回路を介して受光部９Ａ
Ｂ、９ＢＢの受光結果を受け、この受光結果を基準にし
た図４に示す処理手順の実行によりタブ２を位置決めす
る。

【００２０】すなわち制御装置２２は、この負極缶アッ
センブリ６がこのステーションに搬送されると、ステッ
プＳＰ１からステップＳＰ２に移り、高速度による負極
缶アッセンブリ６の回転を開始する（図４（Ａ））。続
いて制御装置２２は、ステップＳＰ３に移り、ここで負
極缶アッセンブリ６の回転方向の上流側に受光部９ＡＢ
が配置された透過型センサー９Ａにおいて、レーザー光
ＬＡが遮光されたか否か判断し、ここで否定結果が得ら
れると、ステップＳＰ３を繰り返す。これに対して図４
（Ｂ））により示すように、位置決めの基準位置にタブ
２が接近すると、始めにこの上流側の透過型センサー９
Ａにおいて、レーザー光ＬＡが遮光されることにより、
制御装置２２は、ステップＳＰ３からステップＳＰ４に
移る。

【００２１】ここで制御装置２２は、下流側に受光部９
ＢＢが配置された透過型センサー９Ｂにおいて、レーザ
ー光ＬＢが遮光されたか否か判断し、ここで否定結果が
得られると、ステップＳＰ４を繰り返す。これに対して
ステップＳＰ４において肯定結果が得られると（図４
（Ｃ））、ステップＳＰ５に移り、負極缶アッセンブリ
６の回転を停止した後（図４（Ｄ））、ステップＳＰ６
に移ってこの処理手順を終了する。

【００２２】これにより制御装置２２は、レーザー光Ｌ
Ａ、ＬＢを遮る順序とタイミングにより、種々の角度に
よりこのステーションに供給される負極缶アッセンブリ
６を一様な向きに回転させて位置決めし、続く微位置決
めのステーションに供給するようになされている。

【００２３】図１は、この続く微位置決めのステーショ
ンで使用される微位置決め機構を示す斜視図及び平面図
である。ここで微位置決め機構３１は、負極缶アッセン
ブリ６の回転によりタブ２遮られるように、タブ２の幅
より幅広の光束によるレーザー光Ｌを送出し、このレー
ザー光Ｌの受光光量に基づいて負極缶アッセンブリ６の
回転を停止することにより、タブ２を位置決めする。

【００２４】すなわち位置決め機構３１において、駆動
機構３２は、制御装置３３の制御により、矢印Ｂにより
示すように、負極缶アッセンブリ６の中心軸を回転中心
にして、所定方向に負極缶アッセンブリ６を低速度で回
転させる。

【００２５】位置決め機構３１は、この回転中心を間に
挟むように、透過型センサー３４が配置される。すなわ
ち透過型センサー３４は、赤外線によるレーザー光Ｌを
所定のビーム幅により出射する送光部３４Ａと、このレ
ーザー光Ｌを受光する受光部３４Ｂとにより構成され
る。透過型センサー３４は、これら送光部３４Ａと受光
部３４Ｂとが負極缶アッセンブリ６を間に挟むように配
置され、３〔ｍｍ〕であるタブ２の幅より幅広の幅５
〔ｍｍ〕のビーム幅により送光部３４Ａから平行光線に
よるレーザー光Ｌが出射される。また透過型センサー３
４は、タブ２が位置決め位置に配置された場合に、タブ
２がレーザー光Ｌを垂直に遮光するように配置される。
また上方より見たタブ２の中心より延長する垂線が、ほ
ぼレーザー光Ｌの光軸と一致するように、すなわち上方
より見て、レーザー光を光束のほぼ中心で遮光してこの
光束より横方向にタブ２が飛び出さないように、配置さ
れる。

【００２６】これにより図６に示すように、位置決め機
構３１において、透過型センサー３４は、レーザー光Ｌ
の遮光位置、光量分布により、タブ２が位置決め位置に
配置された場合に、最も大面積により、レーザー光束の
最も光量分布の大きな部位を遮光し、これにより受光部
３４Ｂで検出されるレーザー光の光量が最も少なくなる
ようになされている。また例えば一点鎖線により示すよ
うに、位置決め位置の直前に位置する場合にあっては、
レーザー光Ｌの光束の中心より変位した位置で、斜めに
傾いて少ない投影面積により遮光することにより、位置
決め位置に配置された場合に比して、受光部３４Ｂで検
出されるレーザー光の光量が増大するようになされてい
る。

【００２７】透過型センサー３４において、受光部３４
Ｂは、このようにして変化するレーザー光Ｌの光量を検
出し、その光量検出結果を制御装置３３に出力する。

【００２８】制御装置３３は、例えばコンピュータによ
り構成され、この光量検出結果を基準にした図５に示す
処理手順の実行によりタブ２を細かく位置決めする。

【００２９】すなわち制御装置３３は、負極缶アッセン
ブリ６がこのステーションに搬送されると、ステップＳ
Ｐ１１からステップＳＰ１２に移り、低速度による負極
缶アッセンブリ６の回転を開始する（図５（Ａ））。続
いて制御装置３３は、ステップＳＰ１３に移り、ここで
受光部３４Ｂで検出されるレーザー光Ｌの光量が正しく
位置決めされた場合の光量となったか否か判断し、ここ
でここで否定結果が得られると、ステップＳＰ１３を繰
り返す。

【００３０】これにより制御装置３３は、高速度で大ま
かに位置決めされたタブ２が、本来の正しい位置決め位
置に移動するまで、ステップＳＰ１３の処理手順を繰り
返す（図５（Ｂ））。さらにステップＳＰ１３におい
て、肯定結果が得られると、ステップＳＰ１４に移り、
負極缶アッセンブリ６の回転を停止した後、続くレーザ
ー溶接工程に負極缶アッセンブリ６を送出し、ステップ
ＳＰ１５でこの処理手順を終了する。

【００３１】（２）実施の形態の動作 以上の構成において、リチウムイオン筒型セルの製造工
程は（図２）、前工程で作成された負極缶アッセンブリ
６を粗位置決め工程で大まかに位置決めし、微位置決め
工程において細かく位置決めした後、タブ２に安全弁４
をレーザー溶接し、所定の工程を経てリチウムイオン筒
型セルを作成する。

【００３２】リチウムイオン筒型セルの製造工程は、こ
の粗位置決め工程が大まかな位置決めであることによ
り、高速度で位置決めし、続く微位置決め工程で、粗位
置決め工程と同じ時間配分により負極缶アッセンブリ６
をゆっくりと回転させて細かく位置決めできるようにな
され、これにより工程全体として適切な時間配分により
リチウムイオン筒型セルを製造できるようになされてい
る。

【００３３】このような粗位置決め工程においては（図
３及び図４）、負極缶アッセンブリ６を回転させ、この
負極缶アッセンブリ６の回転中心を間に挟むように配置
された透過型センサー９Ａ及び９Ｂにおいて、それぞれ
タブ２によりレーザー光ＬＡ及びＬＢの遮光が検出され
る。粗位置決め工程においては、この遮光のタイミング
と順序により、透過型センサー９Ａ及び９Ｂの受光部９
ＡＢ及び９ＢＢ側であって、正しい位置決めの手前の箇
所に、タブ２を粗い精度により位置決めする。

【００３４】このように手前の箇所に粗く位置決めした
ことより、この製造工程においては、続いて微小角度だ
け回転させてタブ２を位置決めすることができ、これに
よっても全体の構成のバランスを乱すことなくゆっくり
と負極缶アッセンブリ６を回転させて、精度良く位置決
めできるようになされている。

【００３５】かくするにつき続く微位置決め工程では
（図１、図５及び図６）、負極缶アッセンブリの回転に
よりタブ２で遮られるように、タブ２の幅より幅広の平
行光束によるレーザー光を送出し、このレーザー光の受
光光量に基づいて負極缶アッセンブリ６の回転が停止さ
れ、これにより所定の位置にタブ２が位置決めされる。
すなわちこのようにタブ２の幅より幅広い平行光束によ
るレーザー光を送出し、負極缶アッセンブリの回転によ
りこのレーザー光をタブ２で遮るようにすると、タブ２
の面がレーザー光の光路と垂直になったとき、検出光を
最も大きな面積により遮ることになり、またレーザー光
を最も大きな面積により反射することになる。

【００３６】この場合、受光部３４Ｂで検出されるレー
ザー光の光量においては、負極缶アッセンブリ６の回転
により傾き、変移するタブ２の位置に応じて連続的に変
化することになる。これによりこの実施の形態では、単
にレーザー光ＬＡ及びＬＢの遮光により位置決めする場
合に比して、高い精度により位置決めすることができ
る。

【００３７】これにより微位置決め工程では、受光部３
４Ｂにおいて検出される光量が、正しい位置決めの位置
における光量となると、負極缶アッセンブリ６の回転が
停止されて続くレーザー溶接工程に搬出され、これによ
り精度良く安全弁をレーザー溶接することができる。

【００３８】（３）実施の形態の効果 以上の構成によれば、タブ２により遮られるように、タ
ブ２の幅より幅広の光束によるレーザー光を送出し、こ
のレーザー光の受光光量に基づいて負極缶アッセンブリ
６の回転を停止することにより、従来に比してタブ２の
位置決め精度を向上することができる。

【００３９】またこのような位置決めの前に、大まかな
位置決めを実行することにより、全体としてバランスの
取れた工程とすることができる。

【００４０】またこのような大まかな位置決めを、最終
的な位置決めの手前とすることにより、続く精度の高い
位置決めを短い時間で完了でき、これによっても全体と
してバランスの取れた工程とすることができる。

【００４１】（４）他の実施の形態 なお上述の実施の形態においては、位置決めの位置で最
も光量が少なくなるように設定する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、例えば光量が最も少なくな
る手前で位置決めするようにしてもよい。なおこの場
合、何ら遮光しない場合における光量と遮光した場合と
の光量比が所定値になった場合に回転を停止することに
より、位置決めすることができる。

【００４２】また上述の実施の形態においては、透過光
の光量を基準にして位置決めする場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、反射光の光量を基準にして
位置決めする場合にも広く適用することができる。

【００４３】また上述の実施の形態においては、センサ
ーの受光部側にタブを位置決めする場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、送光部側にタブを位置決め
する場合にも広く適用することができる。

【００４４】また上述の実施の形態においては、２本の
レーザー光の遮光のタイミングと順序とにより粗位置決
めする場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
例えばタブ２が負極缶アッセンブリ６の中心に配置され
て何れの側からも安全弁を溶接可能な場合等にあって
は、１本のレーザー光の遮光のタイミングにより粗位置
決めしてもよい。

【００４５】また上述の実施の形態においては、３〔ｍ
ｍ〕幅のタブ２に対して５〔ｍｍ〕幅のレーザー光を照
射して微位置決めする場合について述べたが、本発明は
これに限らず、要は、タブの幅より幅広の光束によるレ
ーザー光を使用して上述の実施の形態と同様の効果を得
ることができる。

【００４６】また上述の実施の形態においては、負極缶
アッセンブリを回転させて位置決めする場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、透過型センサー３４側
の回転により位置決めしてもよい。なおこの場合、この
透過型センサー３４側の回転に応じて続くレーザー溶接
の機構を回転させる場合、さらには続くレーザービーム
の工程で負極缶アッセンブリを回転させる場合等が考え
られる。

【００４７】また上述の実施の形態においては、レーザ
ー光を使用して位置決めする場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、発光ダイオードより出射される光
等、種々の光源による光を広く適用することができる。

【００４８】また上述の実施の形態においては、円柱形
状による電池セルを作成する場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、角型等の種々の形状による電池セ
ルを位置決めする場合、さらには電池セルに限らず、コ
ンデンサ等の種々の電子部品の製造工程において、半完
成品を位置決めして加工する場合に広く適用することが
できる。

【００４９】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、突起によ
り遮られるように、突起の幅より幅広の光束による検出
光を送出し、この検出光の受光光量に基づいて相対回転
を停止することにより、従来に比して突起の位置決め精
度を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る製造工程に適用され
る微位置決め機構を示す斜視図及び平面図である。

【図２】本発明の実施の形態に係る製造工程を示すフロ
ーチャートである。

【図３】図２の製造工程の粗位置決め装置を示す斜視図
及び平面図である。

【図４】図３の粗位置決め機構における制御装置の処理
手順を示すフローチャートである。

【図５】図１の微位置決め機構における制御装置の処理
手順を示すフローチャートである。

【図６】図６の微位置決め機構の動作の説明に供する略
線図である。

【図７】負極缶アッセンブリの加工を示す側面図であ
る。

【図８】従来の位置決め機構を示す斜視図及び平面図で
ある。

【図９】図７のタブのレーザー溶接の説明に供する平面
図である。

【符号の説明】

２……タブ、３……負極缶、４……安全弁、５……位置
決め機構、６……負極缶アッセンブリ、７……駆動機
構、８、２２、３３……制御装置、９Ａ、９Ｂ、３４…
…センサー、２１……粗位置決め機構、３１……微位置
決め機構

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】略柱形状の半完成品の端面より突出する平
   板形状の突起が所定位置となるように、所定の検出機構
   と前記半完成品とを相対回転させて前記突起を位置決め
   する位置決めのステップと、 前記位置決めのステップにより位置決めされた前記半完
   成品を加工する加工のステップとを有する電子部品の製
   造方法において、 前記位置決めのステップが、 前記相対回転により前記突起で遮られるように、前記突
   起の幅より幅広の光束により検出光を送出し、前記検出
   光の受光光量に基づいて前記相対回転を停止することに
   より、前記突起を位置決めすることを特徴とする電子部
   品の製造方法。
2. 【請求項２】前記電子部品が、 電池であり、 前記突起が、 前記電池の電極への接続端子であることを特徴とする請
   求項１に記載の電子部品の製造方法。
3. 【請求項３】前記加工のステップが、 前記突起に所定の部材を溶接する工程であることを特徴
   とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
4. 【請求項４】略柱形状の半完成品の端面より突出する平
   板形状の突起が所定位置となるように、所定の検出機構
   と前記半完成品とを相対回転させて前記突起を位置決め
   する位置決めのステップと、 前記位置決めのステップにより位置決めされた前記半完
   成品を加工する加工のステップとを有する電子部品の製
   造方法において、 前記位置決めのステップが、 前記突起の大まかな位置決めによる粗位置決めのステッ
   プと、 前記粗位置決めのステップにより位置決めされた突起を
   細かく位置決めする微位置決めのステップとにより形成
   され、 前記微位置決めのステップが、 前記相対回転により前記突起で遮られるように、前記突
   起の幅より幅広の光束による検出光を送出し、前記検出
   光の受光光量に基づいて前記相対回転を停止することに
   より、前記突起を位置決めすることを特徴とする電子部
   品の製造方法。
5. 【請求項５】前記電子部品が、 電池であり、 前記突起が、 前記電池の電極への接続端子であることを特徴とする請
   求項４に記載の電子部品の製造方法。
6. 【請求項６】前記加工のステップが、 前記突起に所定の部材を溶接する工程であることを特徴
   とする請求項４に記載の電子部品の製造方法。
7. 【請求項７】前記粗位置決めのステップが、 前記相対回転により前記突起で遮られるように、前記突
   起の幅より幅狭の光束により粗位置決め用の検出光を送
   出し、前記粗位置決め用の検出光の受光結果に基づい
   て、前記微位置決めのステップによる位置決めの手前で
   前記相対回転を停止させることを特徴とする請求項４に
   記載の電子部品の製造方法。