JP2001313358A - 放熱材およびその製造方法 - Google Patents

放熱材およびその製造方法

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JP2001313358A JP2000132366A JP2000132366A JP2001313358A JP 2001313358 A JP2001313358 A JP 2001313358A JP 2000132366 A JP2000132366 A JP 2000132366A JP 2000132366 A JP2000132366 A JP 2000132366A JP 2001313358 A JP2001313358 A JP 2001313358A
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Makoto Hori
誠 堀
Takashi Suzumura
隆志 鈴村
Tadao Otani
忠男 大谷
Kenichi Inui
謙一 乾
慶平 ▲冬▼
Kiyouhei Fuyu
Kazuma Kuroki
一真 黒木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】受熱層と放熱層の間の熱歪みを緩和させた放熱
材と、これを効率的に製造することのできる製造方法を
提供する。 【解決手段】銅粉末および酸化第1銅粉末の混合物の焼
結体より構成される受熱層3と銅の放熱層1との積層一
体化物において、放熱層1の受熱層3との境界面に、受
熱層3によって凹部4が充填された凹凸2を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱材およびその
製造方法に関し、特に、熱歪みの少ない放熱材と、これ
を効率的に製造するための製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】中央演算装置のような発熱する半導体装
置においては、発熱に起因する半導体素子の特性劣化を
防止して長寿化を図るため、半導体装置に放熱体を取り
付け、半導体装置からの熱をこの放熱材より放出するこ
とによって、半導体装置およびその周辺領域での温度上
昇を防ぐことが行われている。
【0003】通常、これには、銅の放熱材が使用され
る。銅は、393W/m・kという高い熱伝導率を有し
ているため、熱を効率よく吸収して放熱できる特質を有
しており、さらに、低コストのもとに放熱体を構成でき
る利点を有している。しかし、従来の銅の放熱材による
と、熱膨張率が17×10-6/Kと大きいため、これ
を、発熱量の大きなオン・オフ型の電力エネルギーの交
換あるいは制御用の大容量半導体装置に適用することは
難しく、従って、一般にこのような用途には、半導体素
子の構成材であるSiと同等の熱膨張率を有するモリブ
デンあるいはタングステンによる放熱材が使用されてい
るが、これらは、高価格という難点を有している。
【0004】低価格であり、従って、経済的に有利な銅
の放熱材の熱膨張の問題を効果的に解決する放熱材とし
て、高伝熱性の銅等の粉末と低熱膨張性の無機化合物の
粉末の混合物を焼結成型した放熱材が先に提案されてい
る。銅等の金属粉末と無機化合物の粉末を合体すること
によって高伝熱性と低熱膨張性を兼備させたもので、コ
スト的にも優れている。この放熱材は、それ単独で使用
される場合と、銅等の放熱層を一体化される場合とがあ
り、取り付け対象の発熱が多い場合には、後者の構成が
採用されるのが普通である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、放熱層を一体
化させた放熱材によると、金属および無機化合物の粉末
の焼結体より構成されて、取付対象の発熱物からの熱を
吸収する受熱層の熱膨張率と、この受熱層からの熱を受
けて外部に放出する放熱層の熱膨張率に差があるため、
両者の間に熱歪みが発生する問題があり、このため、発
熱量の大きな発熱物への適用には限界がある。
【0006】従って、本発明の目的は、受熱層と放熱層
の間の熱歪みを緩和させた放熱材と、これを効率的に製
造することのできる製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、良伝熱性の金属の粉末と前記金属より低
熱膨張率の無機化合物の粉末の混合物の焼結体より構成
されて半導体装置等の発熱物よりの熱を吸収する受熱層
と、前記受熱層と一体化されて前記受熱層よりの熱を外
部に放出する放熱層を備え、前記放熱層は、前記受熱層
との境界面に凹凸を有し、前記受熱層は、前記放熱層の
前記凹凸の凹部を充填していることを特徴とする放熱材
を提供するものである。
【0008】また、本発明は、上記の目的を達成するた
め、良伝熱性の金属の粉末と前記金属より低熱膨張率の
無機化合物の粉末の混合物を準備するステップと、表面
に凹凸を有して走行する金属板の前記凹凸上に前記混合
物を連続して供給するステップと、前記金属板上に供給
された前記混合物をロールで圧延しながら前記混合物を
焼結するステップを含むことを特徴とする放熱材の製造
方法を提供するものである。
【0009】放熱層に形成される凹凸の凸部は、その幅
を根元より先端に向けて減少させていることが好まし
く、凸部をこのように構成するときには、凸部の根元か
ら先端に行くにしたがって放熱層の構成材が漸減し、一
方、受熱層が漸増するので、放熱材の厚さ方向における
熱膨張率の変化がなだらかになり、熱歪みの緩和効果
が、より一層向上するようになる。
【0010】無機化合物の粉末としては、金属の粉末中
への分散を良好かつ均一にするため、200μm以下の
粒径のものが好ましい。より好ましい粒径は、60μm
以下である。また、発熱量の大きな半導体装置への適用
を考慮したとき、上記の混合物としては、焼結後の熱膨
張率が室温〜300℃において6〜15×10-6/Kを
示し、さらに、焼結後の熱伝導率が50〜350W/m
・kを示すものであることが好ましい。
【0011】上記した金属の粉末としては、銅、アルミ
ニウム、銀、金およびこれらの合金の粉末が好ましく、
一方、無機化合物の粉末としては、室温〜300℃にお
ける熱膨張率が5×10-6/K以下の酸化銅、酸化錫、
酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ニッケル、酸化アルミニウム等
の粉末が好ましい。これらのなかでも、銅と酸化第1銅
(CuO)の組み合わせが特に好ましく、その場合の酸
化第1銅の量は、10〜80容量%に設定することが好
ましい。
【0012】酸化第1銅の比率が10容量%を下廻る
と、焼結後、酸化第2銅(Cu2O)と銅の組合せに変
化した受熱層の熱膨張率が、高発熱半導体装置用の限界
とされる15×10-6/Kを超えるようになるので好ま
しくなく、逆に、70容量%より多くなると、銅の特質
である優れた伝熱性を失い、50W/m・k以上とする
上記の熱伝導率の達成が難しくなる。
【0013】なお、金属および無機化合物の粉末の混合
物の中に、他の粉末、たとえば、鉄粉等を加えることは
可能であり、鉄粉を加えるとき、その好ましい量は、1
容量%以下である。放熱層の構成材としては、銅、アル
ミニウム、あるいはこれらの合金等が使用される。受熱
層の表面に窒化アルミニウム、あるいはニッケルメッキ
等の取付対象への接合層を形成することは実際的であ
る。
【0014】上記の製造方法における混合物の焼結は、
混合物を圧延するロールを電極とする通電加熱によって
行うことが好ましい。このようにするときには、圧延と
焼結が同時進行するため、合理的な作業となる。受熱層
上への前記接合層の形成は、焼結のステップの後、引き
続き、焼結体にアルミニウム等の金属テープを貼り付け
てこれを窒化処理するか、あるいは焼結体にニッケル等
のメッキ処理を施すことによって実現できる。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明による放熱材および
その製造方法の実施の形態を説明する。図1は、放熱材
の構成を示したもので、(a)において、1は0.2〜
0.3mm程度の厚さを有する銅の放熱層を示し、表面
に凹凸2を有する。3は凹凸2の凹部4を充填するよう
にして放熱層1に積層され、一体化された受熱層を示
し、銅の粉末と酸化第1銅の粉末の混合物の焼結体より
構成される。
【0016】5は受熱層3が有する厚さが0.2mm程
度の表層部、6は0.1〜0.5mmの厚さに形成され
た窒化アルミニウムによる絶縁性の接合層を示し、この
接合層7の側が半導体装置等の発熱物に接触させられ
る。
【0017】以上のように凹凸2の部分において放熱層
1と受熱層3を交錯させる結果、放熱層1と受熱層3の
熱膨張率の違いが、この凹凸2の領域において緩和さ
れ、従って、発熱物に取り付けられて加熱されたときの
熱歪みも緩和されることになる。 しかも、この実施の
形態においては、凹凸2の凸部7が根元より先端に向け
て幅を徐々に減少させているため、この凹凸2の領域に
おいては、放熱層1の構成材が上方に向けて漸減する一
方、受熱層3の構成材が上方に向けて漸増する形とな
り、従って、熱歪みの緩和効果はより高まることにな
る。
【0018】図1の(b)および(c)は、放熱層1の
平面を示したもので、(b)は、4角錘の凸部7を均等
に配列して凹部4を形成し、これにより4角錘の凸部7
と凹部4より構成される凹凸2を形成した例であり、
(c)は、4角錘の凸部7aと円錐の凸部7bを混合し
て配列することで、凸部7a、7bおよび凹部4による
凹凸2を形成した例である。
【0019】これらの例における独立した4角錘や円錐
の凸部7、7a、7bの代わりに、連続した凸部を形成
して凸部と凸部の間に連続した溝状の凹部を形成するこ
とは可能であり、また、凹部4を個々に独立した穴状に
形成することも可能である。放熱層1への凹凸2の形成
方法としては、たとえば、凹凸2に対応した凹凸を表面
に有するエンボスロールによって放熱層1となるべき金
属板を加工したり、あるいはエッチング加工を施すこと
が考えられる。
【0020】図2は、図1の放熱材の製造例を示す。リ
ール8より、表面に凹凸2を有した銅の銅板1aが送り
出され、これに、チョッパ9より銅の粉末と酸化第1銅
の粉末の混合物10が供給され、混合物層11が形成さ
れる。12は振動器を示し、銅板1aに振動を与えるこ
とによって混合物層11の密度と厚さを均質化させる。
【0021】次に、均質化された混合物層11は、銅板
1aとともに第1のダクト13内に導入され、ここにお
いて、ロール14によって圧延されるとともに、ロール
14とロール15を電極とする電源16よりの通電加熱
によって銅板101aと一体となるように焼結され、さ
らに、ロール15による圧延により所定の厚さに圧延さ
れる。17はダクト13より送り出される放熱材の中間
体を示す。
【0022】18は混合物層11中の酸化第1銅の還元
を防止するために、ダクト13内に送り込まれるアルゴ
ンガスの封入口、19はその排出口を示す。20は第1
のダクト13に近接して配置された第2のダクトを示
し、リール21より送り出され、回転プラシ22によっ
て両面を清浄化されたアルミニウムテープ23が送り込
まれる。
【0023】送り込まれたアルミニウムテープ23は、
ロール24および25を電極とする電源26からの通電
加熱によって中間体17に貼り付けられ、これにより所
定の放熱材27が作られる。28は第2のダクト20へ
の窒素ガスの封入口、29は排出口を示す。アルミニウ
ムテープ23は、この窒素ガス封入と加熱によって窒化
され、これにより放熱材27の表面には、窒化アルミニ
ウムによる図1の接合層6が形成される。30はカッタ
を示し、台31上を通過する放熱材27を所定の長さに
切断する。32はガイドロール、33は引取用ピンチロ
ールを示す。
【0024】表1は、図2の製造方法の実施結果を示し
たものである。
【0025】
【表1】
【0026】平均粒径が37μmの銅の粉末と、平均粒
径が2μm以下の酸化第1銅の粉末を表1に示された比
率で混合し、これをスチールボールを入れた乾式ボール
ミル内で10時間混合することによって各実施例の混合
物10を準備した後、図1のチョッパ9に入れて放熱材
の製造を行ったもので、混合物層11の焼結は、酸化第
1銅の比率に応じて850〜1000℃で行った。
【0027】表中の熱膨張率と熱伝導率は、受熱層3を
対象に測定したもので、熱膨張率は、室温〜300℃の
温度範囲でThermal Mechanical A
nalysis装置を使用して測定した結果であり、熱
伝導率は、レーザフラッシュ法により求めたものであ
る。いずれの実施例も、高発熱の半導体装置用として適
する6〜15×10-6/Kの熱膨張率と、50〜350
W/m・kの熱伝導率の条件を満足しており、良好な結
果を示している。
【0028】図3は、本発明による放熱材の他の実施の
形態を示したもので、101は銅の放熱層、102はそ
の凹凸、103は凹凸102の凹部104を充填して放
熱層101と一体化された受熱層を示し、銅の粉末と酸
化第1銅の混合物の焼結体より構成される。受熱層10
3は、表層部105を有しており、また、凹凸102の
凸部107は、その幅を根元より先端に行くにしたがっ
て減少させた構成を有する。この凸部107の傾斜形状
による効果は、図1の凸部7の場合と同じである。
【0029】106は放熱層101および表層部105
の全面に形成したニッケルメッキによる接合層を示す。
以上の構成における放熱層101および表層部105の
厚さは、図1の放熱板1および表層部5と同程度であ
り、接合層106は、3〜20μm程度の厚さに形成さ
れる。従って、接合層106は極薄であり、放熱層10
1の放熱性に影響を与えるようなことはない。
【0030】図4は、図3の放熱材の製造例である。表
面に凹凸102を有する銅板101aがチョッパ109
の下に連続的に導入され、ここにおいて、銅の粉末と酸
化第1銅の粉末の混合物110が上面に供給され、次い
で、振動器112より銅板101aに振動が与えられる
ことによって、密度と厚さが均質化された混合物層11
1が形成される。
【0031】次に、銅板101aと混合物層111は、
アルゴンガスの封入口118と排出口119を有するダ
クト113内に送り込まれ、ロール114によって圧延
されるとともに、ロール114と115を電極とする電
源116からの通電加熱によって焼結され、その後、ロ
ール115によって最終厚さに圧延された後、銅板10
1aと一体化された中間体117となってダクト113
より送り出される。
【0032】120はメッキ装置を示す。150g/l
濃度の硫酸ニッケル、15g/l濃度の塩化アンモニウ
ム、および15g/l濃度の硼酸より成浴され、極板1
21が浸漬されてポンプ122により循環されたメッキ
液123の中に中間体117が浸漬され、これによって
図3のニッケルメッキの接合層106が形成される。ダ
クト113より送り出された放熱材127は、その後、
図2の場合と同様にして所定の長さに切断される。
【0033】図5は、本発明による放熱材の他の実施の
形態を示す。(a)は、図1の放熱材より窒化アルミニ
ウムの接合層6を除いたものであり、(b)は、図5の
(a)の放熱材より受熱層3の表層部5を除いたもので
ある。この(b)の構成における受熱層3は、一見、凹
部4ごとに独立しているように見えるが、凹部4が図1
の(b)および(c)のように網目状に形成されている
ため、受熱層3は、一体物として形成されている。凹部
4を独立した穴状に形成する場合には、受熱層3は、凹
部4ごとに独立した形となるが、本発明の受熱層には、
そのような独立した単位の集合体も含まれる。
【0034】図5の(c)は、図3の放熱材よりニッケ
ルメッキの接合層106を除き、さらに、放熱層101
としてアルミニウムを使用した例であり、多くの場合、
放熱層101は、受熱層103の形成後に窒化処理され
る。また、この構成の場合の受熱層103の焼結は、8
50℃よりも低い温度で行われる。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による放熱
材によれば、良伝熱性の金属の粉末と、この金属より低
熱膨張率の無機化合物の粉末の混合物の焼結体より構成
される受熱層によって、放熱層の表面の凹凸の凹部を充
填した構成を有するため、放熱層の凹凸の部分において
放熱層と受熱層の異なる熱膨張率が緩和されることにな
り、従って、加熱されたときに熱歪みのない放熱材を構
成することができる。
【0036】また、本発明による放熱材の製造方法によ
れば、表面に凹凸を有して走行する放熱板の前記凹凸上
に上記の混合物を供給し、この混合物をロールで圧延し
ながら加熱焼結することによって放熱材を製造するた
め、連続した放熱板の製造を行うことができ、従って高
効率の製造作業を遂行することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による放熱材の実施の形態を示す説明図
であり、(a)は放熱材の断面図、(b)および(c)
は放熱層の平面図を示す。
【図2】本発明による放熱材の製造方法の実施の形態を
示す説明図であり、図1の放熱材を対象とした製造例を
示す。
【図3】本発明による放熱材の他の実施の形態を示す説
明図。
【図4】本発明による放熱材の製造方法の他の実施の形
態を示す説明図であり、図3の放熱材を対象とした製造
例を示す。
【図5】本発明による放熱材のさらに他の実施の形態
(a)〜(c)を示す説明図。
【符号の説明】
1 放熱層 1a、101a 銅板 2、102 凹凸 3、103 受熱層 4、104 凹部 5、105 表層部 6、106 接合層 7、7a、7b、107 凸部 8、21 リール 9、109 チョッパ 10、110 混合物 11、111 混合物層 12、112 振動器 13 第1のダクト 14、15、24、25、114、115 ロール
(電極) 16、26、116 電源 17、117 中間体 18、118 アルゴンガスの封入口 19、119 排出口 20 第2のダクト 22 回転ブラシ 23 アルミニウムテープ 27、127 放熱材 28 窒素ガスの封入口 29 排出口 30 カッタ 31 カッタ台 101 放熱層 113 ダクト 120 メッキ装置 121 極板 122 ポンプ 123 メッキ液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 忠男 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 (72)発明者 乾 謙一 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 (72)発明者 ▲冬▼ 慶平 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 (72)発明者 黒木 一真 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 Fターム(参考) 4K018 AA02 AA03 AA14 AB01 AC01 BA01 BA02 BA08 BB04 EA22 EA29 FA23 FA24 HA08 JA16 JA25 JA27 JA29 JA34 KA32 5F036 BA23 BB03 BB05 BD01 BD13

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】良伝熱性の金属の粉末と、前記金属より低
    熱膨張率の無機化合物の粉末の混合物の焼結体より構成
    されて半導体装置等の発熱物よりの熱を吸収する受熱層
    と、前記受熱層と一体化されて前記受熱層よりの熱を外
    部に放出する放熱層を備え、 前記放熱層は、前記受熱層との境界面に凹凸を有し、 前記受熱層は、前記放熱層の前記凹凸の凸部を充填して
    いることを特徴とする放熱材。
  2. 【請求項2】前記凹凸の凸部は、その幅を根元より先端
    に向けて減少させていることを特徴とする請求項1項記
    載の放熱材。
  3. 【請求項3】前記受熱層は、室温から300℃において
    6〜15×10-6/Kの熱膨張率と50〜350W/m
    ・Kの熱伝導率を焼結後に示す前記混合物の焼結体より
    構成されることを特徴とする請求項1項記載の放熱材。
  4. 【請求項4】前記受熱層は、200μm以下の粒径を有
    する前記無機化合物の粉末を含む前記混合物の焼結体よ
    り構成されることを特徴とする請求項1項記載の放熱
    材。
  5. 【請求項5】前記受熱層は、銅、アルミニウム、銀、金
    およびこれらの合金より選択される前記金属の粉末と、
    室温から300℃における熱膨張率が5×10-6/K以
    下の酸化銅、酸化錫、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ニッケ
    ル、酸化アルミニウム等の前記無機化合物の粉末を含む
    前記混合物の焼結体より構成されることを特徴とする請
    求項1項記載の放熱材。
  6. 【請求項6】前記受熱層は、前記無機化合物の粉末とし
    て10〜80容量%の酸化第1銅の粉末を含み、残部が
    銅の粉末の前記混合物の焼結体より構成されることを特
    徴とする請求項5項記載の放熱材。
  7. 【請求項7】前記受熱層は、その表面に、窒化アルミニ
    ウムあるいはニッケルメッキ等より構成される前記発熱
    物への接合層を有することを特徴とする請求項1項記載
    の放熱材。
  8. 【請求項8】良伝熱性の金属の粉末と前記金属より低熱
    膨張率の無機化合物の粉末の混合物を準備するステップ
    と、 表面に凹凸を有して走行する金属板の前記凹凸上に前記
    混合物を連続して供給するステップと、 前記金属板上に供給された前記混合物を所定の厚さにロ
    ールで圧延しながら前記混合物を焼結するステップを含
    むことを特徴とする放熱材の製造方法。
  9. 【請求項9】前記焼結のステップは、前記ロールを電極
    とする通電加熱によって行われることを特徴とする請求
    項8項記載の放熱材の製造方法。
  10. 【請求項10】前記焼結のステップは、焼結された前記
    混合物に金属テープを貼り付けての窒化処理、あるいは
    焼結された前記混合物へのメッキ処理のいずれかを施す
    ことによって、焼結された前記混合物の表面に発熱物へ
    の接合層を形成するステップを含むことを特徴とする請
    求項8項記載の放熱材の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10251411A1 (de) * 2002-10-16 2004-05-13 Sew-Eurodrive Gmbh & Co Kg Vorrichtung
WO2007142261A1 (ja) * 2006-06-06 2007-12-13 Mitsubishi Materials Corporation パワー素子搭載用基板、その製造方法、パワー素子搭載用ユニット、その製造方法、およびパワーモジュール
JP2008016813A (ja) * 2006-06-06 2008-01-24 Mitsubishi Materials Corp パワー素子搭載用基板およびパワー素子搭載用基板の製造方法並びにパワーモジュール
JP2011202202A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Mitsubishi Materials Corp 金属焼結体の製造方法及び製造装置
JP2011202201A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Mitsubishi Materials Corp 金属焼結体の製造方法及び製造装置
JP2020097139A (ja) * 2018-12-17 2020-06-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 粉体焼結装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10251411A1 (de) * 2002-10-16 2004-05-13 Sew-Eurodrive Gmbh & Co Kg Vorrichtung
WO2007142261A1 (ja) * 2006-06-06 2007-12-13 Mitsubishi Materials Corporation パワー素子搭載用基板、その製造方法、パワー素子搭載用ユニット、その製造方法、およびパワーモジュール
JP2008016813A (ja) * 2006-06-06 2008-01-24 Mitsubishi Materials Corp パワー素子搭載用基板およびパワー素子搭載用基板の製造方法並びにパワーモジュール
US8198540B2 (en) 2006-06-06 2012-06-12 Mitsubishi Materials Corporation Power element mounting substrate, method of manufacturing the same, power element mounting unit, method of manufacturing the same, and power module
JP2011202202A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Mitsubishi Materials Corp 金属焼結体の製造方法及び製造装置
JP2011202201A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Mitsubishi Materials Corp 金属焼結体の製造方法及び製造装置
JP2020097139A (ja) * 2018-12-17 2020-06-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 粉体焼結装置
JP7162171B2 (ja) 2018-12-17 2022-10-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 粉体焼結装置

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