JP2001312984A

JP2001312984A - 表示装置

Info

Publication number: JP2001312984A
Application number: JP2000132873A
Authority: JP
Inventors: Makoto Okai; 誠岡井; Yasuhiko Muneyoshi; 恭彦宗吉; Tomio Yaguchi; 富雄矢口; Susumu Sasaki; 進佐々木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-04-27
Filing date: 2000-04-27
Publication date: 2001-11-09

Abstract

(57)【要約】【課題】カーボンナノチューブのような微細繊維構造を
電子源とし、ゲート電圧を低減した表示装置を提供する
こと。【解決手段】（１）基板上に、少なくとも表面が第１の
金属である第１のストライプ構造１０１及び少なくとも
表面が第２の金属である上層部と絶縁層からなる下層部
を有する第２のストライプ構造１０２が第２のストライ
プ構造を上にして交差した構造を設け、第２のストライ
プ構造の交差する部分１０３に穴１０４を設け、この穴
の底部の第１のストライプ構造上に微細繊維構造を配置
した電子源基板と、（２）この電子源基板上に配置され
た蛍光表示板から構成される表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カーボンナノチュ
ーブのような微細繊維構造を電子源として用いた自発光
型の表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、カーボンナノチューブのような微
細繊維構造を電子源として用いる場合、微細繊維物質を
有機バインダー等と混ぜて、基板上に印刷する方法が一
般に用いられていた。エス・アイ・ディー９９ダイ
ジェスト，１１３４〜１１３７頁（ＳＩＤ９９Ｄｉｇ
ｅｓｔ，ｐｐ．１１３４〜１１３７）には、図７に示す
ように、ガラス基板１上に金属パターン２を印刷で形成
し、さらにその上にカーボンナノチューブのパターン３
を上記の方法で形成し、ガラス基板２上の透明電極６に
塗布された蛍光面５をスペーサー４を挾んで配置した
４．５インチの自発光型平面表示装置が開示されてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、印刷
により作製したカーボンナノチューブの表面の凹凸が１
０ミクロン以上あるために、その上にゲート構造を作製
し、ゲートとカーボンナノチューブの距離を数ミクロン
に制御しても、ゲート電圧は数百ボルト程度になるとい
うことについては考慮されていなかった。

【０００４】本発明の目的は、微細繊維構造を電子源と
し、ゲート電圧を低減した表示装置を提供することにあ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の表示装置は、（１）基板上に、少なくとも
表面の一部が第１の金属である第１のストライプ構造及
び少なくとも表面の一部が第２の金属である上層部と絶
縁層からなる下層部とを有する第２のストライプ構造が
第２のストライプ構造を上にして交差した構造を設け、
第２のストライプ構造の交差部分に穴を設け、この穴の
底部の第１のストライプ構造上に微細繊維構造を配置し
た電子源基板と、（２）この電子源基板上に配置された
蛍光表示板から構成されるようにしたものである。

【０００６】微細繊維構造の長さ、つまり、穴の底部の
第１のストライプ構造の表面から微細繊維構造の上端部
までの距離は、絶縁層の厚さより短いことが好ましい。
また、この距離は、０．５μｍ以上であることが好まし
く、１μｍ以上であることがより好ましい。絶縁層の厚
さを越えると、微細繊維構造が第２の金属と接触する可
能性があるためである。絶縁層の厚さは、１０μｍから
５０μｍの範囲であることが好ましい。１０μｍ未満で
あるとピンホール等で絶縁が不十分のなる可能性が生じ
るからであり、また、５０μｍを越えると、微細繊維構
造の長さを長くしないと、その先端から第２の金属まで
の距離が長くなり、ゲート電圧を高くしなければならな
いからである。

【０００７】また、微細繊維構造の上端部から、第２の
金属までの距離は、１μｍから１０μｍの範囲であるこ
とが好ましく、３μｍから１０μｍの範囲であることが
より好ましい。１０μｍを越えるとゲート電圧を高くし
なければならないからである。また、３μｍ未満である
と条件によっては放電の可能性が生じ、１μｍ未満であ
るとその可能性が大きくなるからである。

【０００８】微細繊維構造は、炭素を主成分とするカー
ボンナノチューブであることが好ましい。カーボンナノ
チューブ以外でも導電性材料であれば使用することがで
きる。また、カーボンナノチューブは、中空であって、
筒型であるが、中空でなくて中が詰まっている形状のも
のでもよい。

【０００９】第１の金属は、微細繊維構造が選択的に成
長する材質であることが好ましい。このよう材料として
は、微細繊維構造がカーボンナノチューブであるとき、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏのいずれか、或いはそれらを２
種類以上含む合金が用いられる。

【００１０】

【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の第一の実施
例の平面表示装置の平面図を図１（ａ）に、そのＡ−
Ａ’断面図を図１（ｂ）に、Ｂ−Ｂ’断面図を図１
（ｃ）に示す。ガラス基板の上にスパッタ法により膜厚
５００ｎｍの金属ａの薄膜を形成する。次に、通常のホ
トレジスト工程により金属ａをパターンニングして、幅
が１００ミクロン、間隔が１００ミクロンの第１のスト
ライプ構造１０１を複数本形成する。次に、スピンナー
塗布或いは種々の成長法により１０ミクロン厚の絶縁層
１０５をガラス基板上全面に形成する。その上にスパッ
タ法により、膜厚５００ｎｍの金属ｂの薄膜を形成す
る。次に、通常のホトレジスト工程により金属ｂのパタ
ーンニングを行い、幅が１００ミクロン、間隔が１００
ミクロンの第２のスプライト構造１０２のパターンを複
数本形成する。また、第２のスプライト構造１０２の第
１のストライプ構造１０１との交差する部分１０３に、
４個の直径２０ミクロンの穴１０４を開ける。この金属
ｂのパターンをマスクとして、ドライエッチング法によ
り、絶縁層１０５をエッチングし、金属ｂのパターンの
ない部分の絶縁層を除去する。このようにして、金属ａ
により形成された第１のストライプ構造１０１と、下層
の絶縁層１０５と上層の金属ｂの２層からなる第２のス
プライト構造１０２からなる構造を形成した。

【００１１】図１（ｂ）に示すように、第１のストライ
プ構造１０１と第２のスプライト構造１０２との交差す
る部分１０３において、４個の直径２０ミクロンの穴１
０４が開いており、その部分で金属ａが露出している。
また、図１（ｃ）に示すように、第１のストライプ構造
１０１が第２のスプライト構造１０２と交差しない部分
においては、第１のストライプ構造１０１が露出してい
る。

【００１２】本実施例において、金属ａとしてＮｉを用
いたが、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏのいずれか、或いはそ
れらを２種類以上含む合金を用いることが最適である。
また、金属ｂとしてＣｕを用いたが、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ｗのいずれか、或いはそれらを２種類以上含む合金
を用いることが最適である。また、円形の穴１０４の直
径及び個数は任意に選択することができる。

【００１３】このような電極構造を形成したガラス基板
をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の成長室に挿入し、メ
タンと水素を流しながらプラズマ放電させることによ
り、金属ａの表面にのみ、選択的にカーボンナノチュー
ブを成長させることができる。すなわち、カーボンナノ
チューブは、円形の穴１０４の底面と、それ以外の金属
ａの露出している部分に成長する。成長したカーボンナ
ノチューブの長さは５ミクロンであり、カーボンナノチ
ューブ先端と金属ｂの距離は５ミクロンである。金属ａ
をカソード、金属ｂをゲートし、カノードに対してゲー
トにプラス２０ボルトの電圧を印加することにより、直
径２０ミクロンの穴１０４の底面に成長したカーボンナ
ノチューブから、３０ｍＡ／ｃｍ²以上のエミッション
電流を取り出すことができた。

【００１４】さらに、作製した基板と２ｍｍの間隔で平
行に配置させた蛍光板に６ｋＶのプラス電圧を印加する
ことにより、直径２０ミクロンの穴１０４の底面に成長
したカーボンナノチューブから、３０ｍＡ／ｃｍ²以上
のエミッション電流を取り出すことができた。この状態
で、金属ａに対して、金属ｂに−２０Ｖの電圧を印加す
ることにより、直径２０ミクロンの穴１０４の底面に成
長したカーボンナノチューブからのエミッション電流を
ゼロにすることができた。

【００１５】（実施例２）次に、本発明の第二の実施例
の平面表示装置を図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて
説明する。第二の実施例では、第１のストライプ構造２
０１と第２のストライプ構造２０２の交差する部分２０
３で、一辺２０ミクロンの正方形の穴２０４が４個空い
ていることが第一の実施例と異なる。

【００１６】本実施例においても、金属ａとして、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏのいずれか、或いはそれらを２種
類以上含む合金が最適である。また、金属ｂとして、Ａ
ｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｗのいずれか、或いはそれらを２種類
以上含む合金が最適である。また、正方形の穴２０４の
一辺の長さ及び個数は任意に選択することができる。

【００１７】このような電極構造を形成したガラス基板
をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の成長室に挿入し、メ
タンと水素を流しながらプラズマ放電させることによ
り、金属ａの表面にのみ、選択的にカーボンナノチュー
ブを成長させることができる。すなわち、カーボンナノ
チューブは、正方形の穴２０４の底面と、それ以外の金
属ａの露出している部分に成長する。成長したカーボン
ナノチューブの長さは５ミクロンであり、カーボンナノ
チューブ先端と金属ｂの距離は５ミクロンである。金属
ａをカソード、金属ｂをゲートし、アノードに対してゲ
ートにプラス２０ボルトの電圧を印加することにより、
直径２０ミクロンの穴２０４の底面に成長したカーボン
ナノチューブから、３０ｍＡ／ｃｍ²以上のエミッショ
ン電流を取り出すことができた。

【００１８】さらに、実施例１と同様に、作製した基板
と２ｍｍの間隔で平行に配置させた蛍光板に６ｋＶのプ
ラス電圧を印加し、同様に３０ｍＡ／ｃｍ²以上のエミ
ッション電流を取り出すことができた。この状態で、金
属ａに対して、金属ｂに−２０Ｖの電圧を印加すること
により、カーボンナノチューブからのエミッション電流
をゼロにすることができた。

【００１９】（実施例３）本発明の第三の実施例の平面
表示装置の平面図を図３（ａ）に、そのＡ−Ａ’断面図
を図３（ｂ）に、Ｂ−Ｂ’断面図を図３（ｃ）に示す。
ガラス基板の上にスパッタ法により膜厚５００ｎｍの金
属ａの薄膜を形成する。次に、通常のホトレジスト工程
により、幅が１００ミクロン、間隔が１００ミクロンの
第１のストライプ構造３０１を複数本形成する。次に、
スピンナー塗布或いは種々の成長法により、１０ミクロ
ン厚の絶縁層３０５をガラス基板上全面に形成する。そ
の上にスパッタ法により、膜厚５００ｎｍの金属ｂの薄
膜を形成する。次に、通常のホトレジスト工程により、
後の工程で形成する第２のスプライト構造３０２が第１
のストライプ構造３０１と交差する部分３０３の金属ｂ
に４個の直径２０ミクロンの穴３０４を形成する。次
に、ドライエッチング法により、金属ｂをマスクに絶縁
層をエッチングし、４個の直径２０ミクロンの穴３０４
の底の金属ａを露出させる。次に、通常のホトレジスト
工程により、金属ｂをパターンニングし、第２のスプラ
イト構造３０２のパターンを複数本形成する。第２のス
プライト構造３０２は、幅が１００ミクロン、間隔が１
００ミクロンである。

【００２０】図３（ｂ）に示すように、金属ａからなる
第１のストライプ構造３０１と、絶縁層３０５及び金属
ｂからなる第２のストライプ構造３０２の交差する部分
３０３で、４個の直径２０ミクロンの穴３０４が開いて
おり、その部分で金属ａが露出している。また、図３
（ｃ）に示すように、第１のストライプ構造３０１が第
２のスプライト構造３０２と交差しない部分は、絶縁層
３０５により被われている。

【００２１】金属ａとして、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏの
いずれか、或いはそれらを２種類以上含む合金が最適で
ある。また、金属ｂとして、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｗのい
ずれか、或いはそれらを２種類以上含む合金が最適であ
る。また、円形の穴３０４の直径及び個数は任意に選択
することができる。

【００２２】このような電極構造を形成したガラス基板
をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の成長室に挿入し、メ
タンと水素を流しながらプラズマ放電させることによ
り、金属ａの表面が露出している部分にのみ、選択的に
カーボンナノチューブを成長させることができる。すな
わち、カーボンナノチューブは、円形の穴３０４の底面
に選択的に成長する。成長したカーボンナノチューブの
長さは５ミクロンであり、カーボンナノチューブ先端と
金属ｂの距離は５ミクロンである。金属ａをカソード、
金属ｂをゲートし、アノードに対してゲートにプラス２
０ボルトの電圧を印加することにより、直径２０ミクロ
ンの穴３０４の底面に成長したカーボンナノチューブか
ら、３０ｍＡ／ｃｍ²以上のエミッション電流を取り出
すことができた。

【００２３】さらに、作製した基板と２ｍｍの間隔で平
行に配置させた蛍光板に６ｋＶのプラス電圧を印加する
ことにより、直径２０ミクロンの穴３０４の底面に成長
したカーボンナノチューブから、３０ｍＡ／ｃｍ²以上
のエミッション電流を取り出すことができた。この状態
で、金属ａに対して、金属ｂに−２０Ｖの電圧を印加す
ることにより、直径２０ミクロンの穴３０４の底面に成
長したカーボンナノチューブからのエミッション電流を
ゼロにすることができた。

【００２４】（実施例４）本発明の第四の実施例の平面
表示装置の平面図を図４（ａ）に、そのＡ−Ａ’断面図
を図４（ｂ）に、Ｂ−Ｂ’断面図を図４（ｃ）に示す。
ガラス基板の上にスパッタ法により膜厚５００ｎｍの金
属ａの薄膜を形成する。次に、通常のホトレジスト工程
により、幅が１００ミクロン、間隔が１００ミクロンの
第１のストライプ構造４０１を複数本形成する。次に、
スピンナー塗布或いは種々の成長法により１０ミクロン
厚の絶縁層４０５をガラス基板上全面に形成する。次
に、通常のホトレジスト工程により絶縁層４０５のパタ
ーンニングを行うことにより、金属ａからなる第１のス
トライプ構造４０１を被う絶縁膜４０５のパターンを形
成する。絶縁層４０５のパターンの幅は１２０ミクロン
であり、第１のストライプ構造４０１の端から１０ミク
ロンずつはみ出すようになっている。

【００２５】この上に、スパッタ法により膜厚５００ｎ
ｍの金属ｂの薄膜を形成する。次に、通常のホトレジス
ト工程により、後の工程で形成する第２のスプライト構
造４０２が第１のストライプ構造４０１と交差する部分
４０３に、４個の直径２０ミクロンの穴４０４を金属ｂ
に形成する。次に、ドライエッチング法により、金属ｂ
をマスクに絶縁層４０５をエッチングすることにより、
４個の直径２０ミクロンの穴４０４の底の金属ａを露出
させる。次に、通常のホトレジスト工程により、金属ｂ
をパターンニングすることにより、第２のスプライト構
造４０２のパターンを複数本形成する。第２のスプライ
ト構造４０２は、幅が１００ミクロン、間隔が１００ミ
クロンである。

【００２６】図４（ｂ）に示したように、金属ａからな
る第１のストライプ構造４０１と、絶縁層４０５及び金
属ｂからなる第２のストライプ構造Ｂ４０２の交差する
部分４０３で、４個の直径２０ミクロンの穴４０４が開
いており、その部分で第１のストライプ構造４０１の金
属ａが露出している。また、図４（ｃ）に示したよう
に、第１のストライプ構造４０１が第２のスプライト構
造４０２と交差しない部分は、絶縁層４０５により被わ
れている。

【００２７】金属ａとして、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏの
いずれか、或いはそれらを２種類以上含む合金が最適で
ある。また、金属ｂとして、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｗのい
ずれか、或いはそれらを２種類以上含む合金が最適であ
る。また、円形の穴３０４の直径及び個数は任意に選択
することができる。

【００２８】このような電極構造を形成したガラス基板
を、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の成長室に挿入し、
メタンと水素を流しながらプラズマ放電させることによ
り、金属ａの表面が露出している部分にのみ、選択的に
カーボンナノチューブを成長させることができる。すな
わち、カーボンナノチューブは、円形の穴４０４の底面
に選択的に成長する。成長したカーボンナノチューブの
長さは５ミクロンであり、カーボンナノチューブ先端と
金属ｂの距離は５ミクロンである。金属ａをカソード、
金属ｂをゲートし、アノードに対してゲートにプラス２
０ボルトの電圧を印加することにより、直径２０ミクロ
ンの穴４０４の底面に成長したカーボンナノチューブか
ら、３０ｍＡ／ｃｍ²以上のエミッション電流を取り出
すことができた。

【００２９】さらに、作製した基板と２ｍｍの間隔で平
行に配置させた蛍光板に６ｋＶのプラス電圧を印加する
ことにより、直径２０ミクロンの穴４０４の底面に成長
したカーボンナノチューブから、３０ｍＡ／ｃｍ²以上
のエミッション電流を取り出すことができた。この状態
で、金属ａに対して、金属ｂに−２０Ｖの電圧を印加す
ることにより、直径２０ミクロンの穴４０４の底面に成
長したカーボンナノチューブからのエミッション電流を
ゼロにすることができた。

【００３０】（実施例５）本発明の第五の実施例の平面
表示装置の平面図を図５（ａ）に、そのＡ−Ａ’断面図
を図５（ｂ）に、Ｂ−Ｂ’断面図を図５（ｃ）に示す。
ガラス基板の上にスパッタ法により膜厚５００ｎｍの金
属ａの薄膜を形成する。次に、通常のホトレジスト行程
により金属ａをパターンニングし、幅が１００ミクロ
ン、間隔が１００ミクロンの第１のストライプ構造５０
１を複数本形成する。次に、スピンナー塗布或いは種々
の成長法により１０ミクロン厚の絶縁層５０５をガラス
基板上全面に形成する。その上に、スパッタ法により、
膜厚５００ｎｍの金属ｂの薄膜を形成する。次に、通常
のホトレジスト工程により金属ｂのパターンニングを行
うことにより幅が１００ミクロン、間隔が１００ミクロ
ンの第２のスプライト構造５０２のパターンを複数本形
成する。また、第２のスプライト構造５０２が、第１の
ストライプ構造５０１との交差する部分５０３に、４個
の直径２０ミクロンの穴５０４を形成する。この第２の
スプライト構造５０２のパターンをマスクとして、ドラ
イエッチング法により、絶縁層５０５をエッチングし、
第２のスプライト構造５０２のパターンのない部分の絶
縁層５０５を除去する。さらに、ホトレジストにより、
直径２０ミクロンの穴５０４の底面を被った後、金属ａ
の表面を電解メッキ法により、金属ｃで被うことによ
り、金属ｃ５０６のパターンを形成する。

【００３１】図５（ｂ）に示したように、金属ａよりな
る第１のストライプ構造５０１と、下層の絶縁層５０５
及び上層の金属ｂからなる第２のスプライト構造５０２
との交差する部分５０３で、４個の直径２０ミクロンの
穴５０４が開いており、その部分で金属ａが露出してい
る。また、図５（ｃ）に示したように、第１のストライ
プ構造５０１が第２のスプライト構造５０２と交差しな
い部分においては、第１のストライプ構造５０１は、金
属ｃ５０６により被われている。

【００３２】金属ａとして、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏの
いずれか、或いはそれらを２種類以上含む合金が最適で
ある。また、本実施例では金属ｂ及び金属ｃとしてＣｕ
を用いたが、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｗのいずれか、或いは
それらを２種類以上含む合金を用いることが最適であ
る。金属ｂと金属ｃは同じ材料であっても、異なる材料
であってもよい。また、円形の穴５０４の直径及び個数
は任意に選択することができる。

【００３３】このような電極構造を形成したガラス基板
を、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の成長室に挿入し、
メタンと水素を流しながらプラズマ放電させることによ
り、金属ａの表面が露出している部分にのみ、選択的に
カーボンナノチューブを成長させることができる。すな
わち、カーボンナノチューブは、円形の穴５０４の底面
に選択的に成長する。成長したカーボンナノチューブの
長さは５ミクロンであり、カーボンナノチューブ先端と
金属ｂの距離は５ミクロンである。金属ａをカソード、
金属ｂをゲートし、アノードに対してゲートにプラス２
０ボルトの電圧を印加することにより、直径２０ミクロ
ンの穴５０４の底面に成長したカーボンナノチューブか
ら、３０ｍＡ／ｃｍ²以上のエミッション電流を取り出
すことができた。

【００３４】さらに、作製した基板と２ｍｍの間隔で平
行に配置させた蛍光板に６ｋＶのプラス電圧を印加する
ことにより、直径２０ミクロンの穴５０４の底面に成長
したカーボンナノチューブから、３０ｍＡ／ｃｍ²以上
のエミッション電流を取り出すことができた。この状態
で、金属ａに対して、金属ｂに−２０Ｖの電圧を印加す
ることにより、直径２０ミクロンの穴５０４の底面に成
長したカーボンナノチューブからのエミッション電流を
ゼロにすることができた。

【００３５】（実施例６）次に、本発明の第六の実施例
を図６を用いて説明する。上述のようにして作製した電
子源基板６１０と、枠ガラス６１１及び蛍光表示板６１
２を図のように組み合わせて、真空封止することにより
自発光型平面表示装置を作製した。第１のストライプ構
造６０１をカソード、第２のストライプ構造６０２をゲ
ート、蛍光表示板６１２のアルミバックをアノード電極
として用いた。第１のストライプ構造６０１は１０２４
本、第２のストライプ構造６０２は１２８０本であり、
ストライプの交点にカーボンナノチューブにより構成さ
れた電子源ピクセルが存在する。第１のストライプ構造
６０１に走査信号を、第２のストライプ構造６０２に画
像信号を入力し、アノード電極に３ｋＶの加速電圧を印
加することにより、画像を表示することができる。

【００３６】エミッション電流が発生しない程度の加速
電圧をアノード電極に印加した場合には、ゲート電圧と
して、カソードに対してプラスの電圧を印加することに
より、エミッション電流をスイッチングすることができ
る。また、エミッション電流が発生する加速電圧をアノ
ード電極に印加した場合には、ゲート電圧として、カソ
ードに対してマイナスの電圧を印加することにより、エ
ミッション電流をスイッチングすることができる。

【００３７】なお、以上の各実施例で成長させたカーボ
ンナノチューブはマルチナノチューブであったが、シン
グルナノチューブであってもよい。また、第１のストラ
イプ構造として金属ａを用いたが、他の金属、例えば電
気抵抗の低いＡｌを用い、その表面を金属ａで覆ったも
のでもよい。金属ａで覆う部分は全面でなくともよく、
少なくともカーボンナノチューブを成長させる部分、つ
まり交差する部分の孔の部分が覆われていればよい。さ
らに、金属ｂについても、その表面が金属ｂであればよ
いことは同様である。

【００３８】

【発明の効果】本発明により、数ボルトから数十ボルト
の低電圧でゲート動作が可能な、自発光型平面表示装置
を実現することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例の平面表示装置の平面図
及び断面図。

【図２】本発明の第二の実施例の平面表示装置の平面図
及び断面図。

【図３】本発明の第三の実施例の平面表示装置の平面図
及び断面図。

【図４】本発明の第四の実施例の平面表示装置の平面図
及び断面図。

【図５】本発明の第五の実施例の平面表示装置の平面図
及び断面図。

【図６】本発明の第六の実施例の平面表示装置の説明
図。

【図７】従来の自発光型平面表示装置の部分断面図。

【符号の説明】

１…ガラス基板２…金属パターン３…カーボンナノチューブのパターン４…スペーサー５…蛍光面６…透明電極１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１…第
１のストライプ構造１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２…第
２のストライプ構造１０３、２０３、３０３、４０３、５０３…交差する部
分１０４、２０４、３０４、４０４、５０４…穴１０５、２０５、３０５、４０５、５０５…絶縁層５０６…金属ｃ６１０…電子源基板６１１…枠ガラス６１２…蛍光表示板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者矢口富雄千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者佐々木進千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所ディスプレイグループ内Ｆターム(参考） 5C031 DD17 5C036 EE01 EF01 EF06 EF09 EG12 EH06 EH08 EH23 5C094 AA24 BA32 BA34 CA19 EA07 JA03 JA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、少なくとも表面の一部が第１の
金属である第１のストライプ構造及び少なくとも表面の
一部が第２の金属である上層部と絶縁層からなる下層部
とを有する第２のストライプ構造が該第２のストライプ
構造を上にして交差した構造を有し、上記第２のストラ
イプ構造の上記交差した部分に穴が設けられ、該穴の底
部の上記第１のストライプ構造上に微細繊維構造が配置
された電子源基板並びに該電子源基板上に配置された蛍
光表示板からなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】上記微細繊維構造の長さは、上記絶縁層の
厚さより短いことを特徴とする請求項１記載の表示装
置。
【請求項３】上記微細繊維構造の上端部から、上記第２
の金属までの距離は、１μｍから１０μｍの範囲である
ことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】上記微細繊維構造は、炭素を主成分とする
カーボンナノチューブであることを特徴とする請求項
１、２又は３記載の表示装置。
【請求項５】上記第１の金属は、上記微細繊維構造が成
長する材質であることを特徴とする請求項１から４のい
ずれか一に記載の表示装置。