JP2002110073A - 平面表示装置 - Google Patents

平面表示装置

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JP2002110073A
JP2002110073A JP2000296845A JP2000296845A JP2002110073A JP 2002110073 A JP2002110073 A JP 2002110073A JP 2000296845 A JP2000296845 A JP 2000296845A JP 2000296845 A JP2000296845 A JP 2000296845A JP 2002110073 A JP2002110073 A JP 2002110073A
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microns
display device
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Makoto Okai
誠 岡井
Susumu Sasaki
進 佐々木
Tomio Yaguchi
富雄 矢口
Yasuhiko Muneyoshi
恭彦 宗吉
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】従来、カーボンナノチューブのような微細繊維
構造を有する物質を電子源として用いる場合、微細繊維
物質を有機バインダー等と混ぜて、基板上に印刷する方
法が一般に用いられていた。しかしながら、この方法で
は、印刷により作製したカーボンナノチューブの表面の
凹凸が10ミクロン以上あるために、その上にゲート構
造を作製し、ゲートとカーボンナノチューブの距離を数
ミクロンに制御して、ゲート電圧を数ボルトから数十ボ
ルト程度に低減することが不可能であった。 【解決手段】通常のホトプロセスおよびドライプロセス
等の利用により、ゲート電極102とカソード電極10
1の間隔が数ミクロンから数十ミクロンになるように、
電極構造を作製し、インクジェット法等の手法により、
カソード電極表面の所望の位置に、カーボンナノチュー
ブの含有膜105の膜厚を数ミクロンの精度で制御して
作製し、ゲート電極とカーボンナノチューブ先端の距離
を数ミクロンから数十ミクロンに制御することにより、
ゲート電圧を数ボルトから数十ボルト程度に低減するこ
とを可能にした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面表示装置に係
り、特に、カーボンナノチューブのような微細繊維構造
を有する物質を電子源として用いた自発光型平面表示装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、カーボンナノチューブのような微
細繊維構造を有する物質を電子源として用いる場合、微
細繊維物質を有機バインダー等と混ぜて、基板上に印刷
する方法が一般に用いられていた。この方法を用いて、
4.5インチの自発光型平面表示装置を作製した例が、
「エス・アイ・デー 99 ダイジェスト」(SID 99 Dig
est, pp.1134-1137)に記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この方法では、印刷に
より作製したカーボンナノチューブの表面の凹凸が10
ミクロン以上あるために、その上にゲート構造を作製
し、ゲートとカーボンナノチューブの距離を数ミクロン
から数十ミクロンに制御して、ゲート電圧を数ボルトか
ら数十ボルト程度に低減することが不可能であった。
【0004】そこで、本発明の目的は、カーボンナノチ
ューブのような微細繊維構造物質を電子源として用いた
平面表示装置において、数ボルトから数十ボルトの低電
圧でゲート動作が可能な平面表示装置を提供することに
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明では、通常のホト
プロセスおよびドライプロセス等の利用により、ゲート
電極とカソード電極の間隔が数ミクロンから数十ミクロ
ンになるように、電極構造を作製し、ディスペンサー法
あるいはインクジェット法等の手法により、カソード電
極表面の所望の位置に、カーボンナノチューブの含有膜
の膜厚を数ミクロンの精度で制御して作製し、ゲート電
極とカーボンナノチューブ先端の距離を数ミクロンから
数十ミクロンに制御することにより、ゲート電圧を数ボ
ルトから数十ボルト程度に低減することを可能にした。
【0006】これにより、本発明は、単層あるいは多層
の金属薄膜により形成された複数の第1の電極と、単層
あるいは多層の金属薄膜により形成された複数の第2の
電極とを、絶縁膜をはさんで交差せしめた配線構造と、
該配線構造に対面して配設された第3の電極との間に加
速電圧を印加することにより画像を表示するようにした
平面表示装置にあって、該配線構造の交差部分に少なく
とも一個の任意形状の開口部を有し、かつ、該開口部
は、ドライエッチング法により第2の電極と絶縁膜を貫
通して第1の電極表面に達するように形成され、その底
部に微細繊維構造物質層を配してなることを特徴とする
平面表示装置を提供する。
【0007】また、本発明は、単層あるいは多層の金属
薄膜により形成された複数の第1の電極と、単層あるい
は多層の金属薄膜により形成された複数の第2の電極と
を、絶縁膜をはさんで交差せしめた配線構造と、該配線
構造に対面して配設された第3の電極との間に加速電圧
を印加することにより画像を表示するようにした平面表
示装置にあって、該配線構造の交差部分に少なくとも一
個の任意形状の開口部を有し、かつ、該開口部は、第2
の電極と絶縁膜を貫通して第1の電極表面に達するよう
に形成され、その底部に微細繊維構造物質層を配し、そ
の側面が該底部に向かって垂直角度もしくは狭まる角度
をもって形成されてなることを特徴とする平面表示装置
を提供する。
【0008】さらに、本発明は、上記構成において、上
記微細繊維構造物質層は、開口部の底部にある第1の電
極の表面において、ディスペンサー法もしくはインクジ
ェット法によりカーボンナノチューブを含む溶液を塗
布、またはカーボンナノチューブを成長せしめて構成し
たことを特徴とする平面表示装置を提供する。さらにま
た、本発明は、上記構成において、上記開口部は、その
側面が底部に向かって段差をもって狭まる構造を有して
なることを特徴とする平面表示装置を提供する。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施例を、図1お
よび図6を用いて説明する。図1は本発明の平面表示装
置を構成する配線構造の一部を示したものである。本発
明の平面表示装置の全体構成を図6を用いて説明する。
【0010】本平面表示装置は、電子源アレイを作製し
た電子源基板610、電子源の位置に合わせて、蛍光体
ストライプあるいはドットを作製した蛍光表示板61
2、電子源基板610と蛍光表示板612を一定間隔に
保って固定するための枠ガラス611より構成される。
また、図中には示さなかったが、画面サイズが大きくな
ると、枠ガラス内部にも電子源基板610と蛍光表示板
612を一定間隔に保つためのスペーサが必要となる。
【0011】電子源基板610には、カソード電極60
1とゲート電極602を形成する。両電極は絶縁層をは
さんで絶縁されている。そして、カソード電極601と
ゲート電極602の交点に電子源を形成する。そして、
カソード電極601に走査信号を、ゲート電極602に
画像信号をインプットし、カソード電極601と蛍光表
示板612に設けたアノード電極の間に、加速電圧を印
加することにより、画像を表示させることができる。
【0012】電子源の拡大図を図1に示す。図1(a)
が、上面図であり、図1(b)がA−A'断面図、図1
(c)がB−B'断面図である。まず、ガラス基板表面
に、アルミニウム等の金属薄膜(膜厚500nm)をス
パッタ法等の手法により形成し、通常のホトリソ工程に
より、幅が100ミクロン、間隔が50ミクロンのカソ
ード電極ストライプ構造C101を形成する。
【0013】次に、ガラス基板全面に、絶縁膜104
(膜厚10μm)をスピンナー塗布あるいはスクリーン
印刷およびその後の焼成処理により形成する。そして、
絶縁膜104の上にアルミニウム等の金属薄膜(膜厚5
00nm)をスパッタ法等の手法により形成し、通常の
ホトリソ工程によりゲートホール103のための丸い穴
を形成する。このようにして形成した、丸い穴の開いた
金属薄膜をマスクにして、ドライエッチング法により、
絶縁膜104をエッチングして、カソード電極ストライ
プ構造C101に達するゲートホール103を形成す
る。
【0014】ゲートホールの側面は、ガラス基板面に垂
直になるように、エッチング条件およびエッチングガス
種を調整した。ゲートホールの直径は、20ミクロンで
ある。次に再度、通常のホトリソ工程により、最上面電
極薄膜のパターンニングを行うことにより、ゲート電極
ストライプ構造102を形成する。ストライプの幅は1
00ミクロン、間隔は50ミクロンである。最後にゲー
トホール103の中に、直径が30nmのマルチフォー
ルカーボンナノチューブを含有する溶液を、ディスペン
サー法あるいはインクジェット法により塗布し乾燥する
ことにより、カーボンナノチューブ層105(膜厚1ミ
クロン)を形成する。
【0015】このようにして作製した配線構造を用い
て、カソード電極ストライプ構造101に走査信号を、
ゲート電極ストライプ構造102に画像信号をインプッ
トし、さらにカソード電極ストライプ構造101と図6
の蛍光表示板612に設けたアノード電極の間に、加速
電圧を印加することにより、画像を表示させることがで
きた。カーボンナノチューブ層105表面とゲート電極
ストライプ102の間隔は9ミクロンであり、20Vの
低電圧でゲート動作が可能であった。
【0016】なお、本実施例では、カソード電極ストラ
イプ構造101およびゲート電極ストライプ構造102
をともにアルミニウムで形成したが、400度程度の熱
処理において酸化により伝導性を失わない金属であれ
ば、いかなる金属を用いることも可能である。また、合
金薄膜や多層薄膜を用いることも可能である。
【0017】また、本発明では、絶縁膜104の膜厚を
10ミクロン、ゲートホールの直径を20ミクロンとし
たが、膜厚および直径を任意に設計することにより、所
望の電圧でゲート動作を行わせることができる。次に、
本発明の第2の実施例を図2を用いて説明する。図2
(a)が、上面図であり、図2(b)がA−A'断面
図、図2(c)がB−B'断面図である。 第2の実施
例では、ゲートホール203の形状が、立方体であるこ
とが第1の実施例と異なる。作製した配線構造を用い
て、カソード電極ストライプ構造201に走査信号を、
ゲート電極ストライプ構造202に画像信号をインプッ
トし、さらに、カソード電極ストライプ構造201と図
6の蛍光表示板612に設けたアノード電極の間に、加
速電圧を印加することにより、画像を表示させることが
できた。
【0018】なお、カソード電極ストライプ201とゲ
ート電極ストライプ202の交点におけるゲートホール
の個数および形状は、任意に設計することが可能であ
る。
【0019】次に、本発明の第3を実施例を図3を用い
て説明する。図3(a)が、上面図であり、図3(b)
がA−A'断面図、図3(c)がB−B'断面図である。
【0020】本実施例では、ゲートホール303の側面
が、ガラス基板面に対して70度になっていることが、
第1の実施例と異なる。ドライエッチングの際のエッチ
ング条件およびエッチングガス種を適切に選ぶことによ
り、このゲートホール303の角度を自由に作製するこ
とが可能である。
【0021】本発明のように、この角度を例えば70度
にして、ゲートホールの底部よりも上面部分の開口を大
きくすることにより、カーボンナノチューブ層305か
ら飛び出した電子が、ゲートホール側面に当たる確率を
低減することができる。これにより、絶縁膜304のチ
ャージアップ現象を防ぐことができるために、安定なゲ
ート動作が可能となった。
【0022】このようにして作製した配線構造を用い
て、カソード電極ストライプ構造301に走査信号を、
ゲート電極ストライプ構造302に画像信号をインプッ
トし、さらにカソード電極ストライプ構造301と図6
の蛍光表示板612に設けたアノード電極の間に、加速
電圧を印加することにより、画像を表示させることがで
きた。カーボンナノチューブ層305表面とゲート電極
ストライプ302の間隔は9ミクロンであり、20Vの
低電圧でゲート動作が可能であった。
【0023】なお、本実施例では、ゲートホール303
の角度を70度にすることによりゲートホールの底より
も上面部分の開口を大きくした例について述べたが、7
0度に限定されるものではない。また、その他にも、例
えばゲートホールの上半分の直径を30ミクロン、下半
分の直径を20ミクロンとした構造によっても、ゲート
ホールの底よりも上面部分の開口を大きくすることがで
き、カーボンナノチューブ層から飛び出した電子がゲー
トホール側面に当る確率を低減し、チャージアップ現象
を防ぐことができる。なお、かかる段差構造は、ホトプ
ロセスとそれに続くドライエッチングプロセスを2回行
なうことにより作製できる。
【0024】次に、本発明の第4の実施例を図4を用い
て説明する。図4(a)が、上面図であり、図4(b)
がA−A'断面図、図4(c)がB−B'断面図である。
まず、ガラス基板表面に、アルミニウム等の金属薄膜
(膜厚500nm)をスパッタ法等の手法により形成
し、通常のホトリソ工程により、幅が100ミクロン、
間隔が50ミクロンのカソード電極ストライプ構造40
1を形成する。
【0025】次に、ガラス基板全面に、絶縁膜404
(膜厚10μm)をスピンナー塗布あるいはスクリーン
印刷およびその後の焼成処理により形成する。そして、
絶縁膜404の上にアルミニウム等の金属薄膜(膜厚5
00nm)をスパッタ法等の手法により形成し、通常の
ホトリソ工程によりゲート電極ストライプパターン40
2を形成する。ストライプの幅は100ミクロンであ
り、間隔は50ミクロンである。
【0026】また、ゲートホール403上面の直径は2
0ミクロンである。このようにして形成した、ゲート電
極ストライプ402をマスクにして、ドライエッチング
法により、絶縁膜404をエッチングして、カソード電
極ストライプ構造401に達するゲートホール403を
形成する。ゲートホールの側面は、ガラス基板面に垂直
になるように、エッチング条件およびエッチングガス種
を調整した。
【0027】最後にゲートホール403の中に、直径が
30nmのマルチフォールカーボンナノチューブを含有
する溶液を、ディスペンサー法あるいはインクジェット
法により塗布し乾燥することにより、カーボンナノチュ
ーブ層405を形成する。
【0028】このようにして作製した配線構造を用い
て、カソード電極ストライプ構造401に走査信号を、
ゲート電極ストライプ構造402に画像信号をインプッ
トし、さらにカソード電極ストライプ構造401と図6
の蛍光表示板612に設けたアノード電極の間に、加速
電圧を印加することにより、画像を表示させることがで
きた。
【0029】なお、本実施例では、カソード電極ストラ
イプ構造401およびゲート電極ストライプ構造402
をともにアルミニウムで形成したが、400度程度の熱
処理において酸化により伝導性を失わない金属であれ
ば、いかなる金属を用いることも可能である。また、合
金薄膜や多層薄膜を用いることも可能である。
【0030】また、本発明では、絶縁膜404の膜厚を
10ミクロン、ゲートホールの直径を20ミクロンとし
たが、膜厚および直径を任意に設計することにより、所
望の電圧でゲート動作を行わせることができる。
【0031】次に、本発明の第5の実施例を図5を用い
て説明する。図5(a)が、上面図であり、図5(b)
がA−A'断面図、図5(c)がB−B'断面図である。
本実施例では、カーボンナノチューブ層 505を気
相成長法により選択的にゲートホール505の底面に成
長した点が、第1の実施例と異なる。カーボンナノチュ
ーブは、ガラス基板面に対してほぼ垂直に成長し、長さ
は1ミクロンである。
【0032】このようにして作製した配線構造を用い
て、カソード電極ストライプ構造 501に走査信号
を、ゲート電極ストライプ構造 502に画像信号をイ
ンプットし、さらにカソード電極ストライプ構造 50
1と図6の蛍光表示板612に設けたアノード電極の間
に、加速電圧を印加することにより、画像を表示させる
ことができた。カーボンナノチューブ層 505表面と
ゲート電極ストライプ 502の間隔は9ミクロンであ
り、20Vの低電圧でゲート動作が可能であった。
【0033】
【発明の効果】本発明により、カーボンナノチューブの
ような微細繊維構造物質を電子源として用いた平面表示
装置において、ゲート電極とカーボンナノチューブ先端
の距離を数ミクロンから数十ミクロンに制御することに
より、数ボルトから数十ボルトの低電圧でゲート動作が
可能な、自発光型平面表示装置を実現することが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を説明する図。
【図2】本発明の第2の実施例を説明する図。
【図3】本発明の第3の実施例を説明する図。
【図4】本発明の第4の実施例を説明する図。
【図5】本発明の第5の実施例を説明する図。
【図6】平面ディスプレイの概念を説明する図。
【符号の説明】
101、201、301、401、501---カソード
電極ストライプ構造、102、202、302、40
2、502---ゲート電極ストライプ構造、103、2
03、303、403、503---ゲートホール、10
4、204、304、404、504---絶縁膜、10
5、205、305、405、505---カーボンナノ
チューブ層、601---カソード電極、602---ゲート
電極、610---電子源基板、611---枠ガラス、61
2---蛍光表示板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢口 富雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 宗吉 恭彦 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Fターム(参考) 5C036 EF01 EF08 EG02 EG12

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】単層あるいは多層の金属薄膜により形成さ
    れた複数の第1の電極と、単層あるいは多層の金属薄膜
    により形成された複数の第2の電極とを、絶縁膜をはさ
    んで交差せしめた配線構造と、該配線構造に対面して配
    設された第3の電極との間に加速電圧を印加することに
    より画像を表示するようにした平面表示装置にあって、
    前記交差部分に少なくとも一個の任意形状の開口部を有
    し、かつ、該開口部は、ドライエッチング法により前記
    第2の電極と前記絶縁膜を貫通して前記第1の電極表面
    に達するように形成され、その底部に微細繊維構造物質
    層を配してなることを特徴とする平面表示装置。
  2. 【請求項2】単層あるいは多層の金属薄膜により形成さ
    れた複数の第1の電極と、単層あるいは多層の金属薄膜
    により形成された複数の第2の電極とを、絶縁膜をはさ
    んで交差せしめた配線構造と、該配線構造に対面して配
    設された第3の電極との間に加速電圧を印加することに
    より画像を表示するようにした平面表示装置にあって、
    前記交差部分に少なくとも一個の任意形状の開口部を有
    し、かつ、該開口部は、前記第2の電極と前記絶縁膜を
    貫通して前記第1の電極表面に達するように形成され、
    その底部に微細繊維構造物質層を配し、その側面が該底
    部に向かって垂直角度もしくは狭まる角度をもって形成
    されてなることを特徴とする平面表示装置。
  3. 【請求項3】前記微細繊維構造物質層は、前記開口部の
    底部にある前記第1の電極の表面において、ディスペン
    サー法もしくはインクジェット法によりカーボンナノチ
    ューブを含む溶液を塗布、またはカーボンナノチューブ
    を成長せしめて構成したことを特徴とする請求項1又は
    請求項2記載の平面表示装置。
  4. 【請求項4】前記開口部は、その側面が底部に向かって
    段差をもって狭まる構造を有してなることを特徴とする
    請求項1記載の平面表示装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372193B2 (en) 2003-04-08 2008-05-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Cold cathode light emitting device with nano-fiber structure layer, manufacturing method thereof and image display
KR101002649B1 (ko) * 2004-02-26 2010-12-20 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 표시장치

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