JP2001312073A - ネガ型フォトレジスト用現像液 - Google Patents
ネガ型フォトレジスト用現像液Info
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- JP2001312073A JP2001312073A JP2000131054A JP2000131054A JP2001312073A JP 2001312073 A JP2001312073 A JP 2001312073A JP 2000131054 A JP2000131054 A JP 2000131054A JP 2000131054 A JP2000131054 A JP 2000131054A JP 2001312073 A JP2001312073 A JP 2001312073A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】液晶ディスプレー用等のカラーフィルタを顔料
分散法により製造するに際し、基板上の残さ除去や、ム
ラ防止を達成できて、しかも繰り返し使用しても均一な
現像が可能であるネガ型フォトレジスト用現像液を提供
する。 【解決手段】ネガ型フォトレジスト用現像液であって、
緩衝作用を有するように選択された２種以上の無機塩基
類を主剤とし、かつ本文記載の一般式（１）：（Ｒ1；
炭素数６〜２５の、置換されていてもよい、アルキル基
またはアルケニル基、ｎ；１〜２５０の整数）および一
般式（２）：（Ｒ2；炭素数６〜２５の、置換されてい
てもよい、アルキル基またはアルケニル基、ｍ：１〜２
５０の整数）で表される非イオン系界面活性剤の１種以
上を０．１〜５重量％添加してなるネガ型フォトレジス
ト用現像液。
分散法により製造するに際し、基板上の残さ除去や、ム
ラ防止を達成できて、しかも繰り返し使用しても均一な
現像が可能であるネガ型フォトレジスト用現像液を提供
する。 【解決手段】ネガ型フォトレジスト用現像液であって、
緩衝作用を有するように選択された２種以上の無機塩基
類を主剤とし、かつ本文記載の一般式（１）：（Ｒ1；
炭素数６〜２５の、置換されていてもよい、アルキル基
またはアルケニル基、ｎ；１〜２５０の整数）および一
般式（２）：（Ｒ2；炭素数６〜２５の、置換されてい
てもよい、アルキル基またはアルケニル基、ｍ：１〜２
５０の整数）で表される非イオン系界面活性剤の１種以
上を０．１〜５重量％添加してなるネガ型フォトレジス
ト用現像液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はネガ型フォトレジス
ト用現像液に関する。さらに詳しくは、本発明は液晶デ
ィスプレーや精密電子機器の電気光学表示装置用カラー
フィルタを顔料分散法により製造するに際し、基板上に
塗布された着色レジストを現像処理しパターン化するた
めのネガ型フォトレジスト用現像液に関する
ト用現像液に関する。さらに詳しくは、本発明は液晶デ
ィスプレーや精密電子機器の電気光学表示装置用カラー
フィルタを顔料分散法により製造するに際し、基板上に
塗布された着色レジストを現像処理しパターン化するた
めのネガ型フォトレジスト用現像液に関する
【０００２】
【従来の技術】一般に液晶表示素子用に用いられるカラ
ーフィルタは、顔料分散法、染色法、電着法あるいは印
刷法により製造されている。この中で顔料分散法は比較
的よく利用されており、顔料を分散させた光硬化型フォ
トレジストを用いて、着色層パターンを形成するのが一
般的になっている。顔料分散法では多量の顔料を含む着
色レジストを使用するために、パターンニング時に基板
に顔料が残りやすく、解像度が悪くなったり、地汚れが
発生したりする。これら顔料に起因する残留物は、一般
にスカムもしくは残さと呼ばれている。この残さはカラ
ーフィルタの性能に著しく悪影響を及ぼすことがある。
例えばパターン表面上に残留した残さは着色層の透過
率、色度に影響を与える。またガラス基板上やプラスチ
ック上等に残留した残さは後工程で形成される保護膜や
透明導電膜と基板の接着性を低下させる。
ーフィルタは、顔料分散法、染色法、電着法あるいは印
刷法により製造されている。この中で顔料分散法は比較
的よく利用されており、顔料を分散させた光硬化型フォ
トレジストを用いて、着色層パターンを形成するのが一
般的になっている。顔料分散法では多量の顔料を含む着
色レジストを使用するために、パターンニング時に基板
に顔料が残りやすく、解像度が悪くなったり、地汚れが
発生したりする。これら顔料に起因する残留物は、一般
にスカムもしくは残さと呼ばれている。この残さはカラ
ーフィルタの性能に著しく悪影響を及ぼすことがある。
例えばパターン表面上に残留した残さは着色層の透過
率、色度に影響を与える。またガラス基板上やプラスチ
ック上等に残留した残さは後工程で形成される保護膜や
透明導電膜と基板の接着性を低下させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの問題があるた
めに、現像後に高圧リンスやブラシ洗浄などの処理を行
うことが知られており、それによって残さ除去に効果が
あることも事実であるが、同時に画素部へのダメージが
しばしば発生し、あまり好ましい方法とはいえない。そ
こで、本発明の目的は、顔料分散法によるカラーフィル
タの製造において、着色レジストのパターニング時にお
いて残さの除去率のよい、ネガ型フォトレジスト用現像
液を提供しようとするものである。
めに、現像後に高圧リンスやブラシ洗浄などの処理を行
うことが知られており、それによって残さ除去に効果が
あることも事実であるが、同時に画素部へのダメージが
しばしば発生し、あまり好ましい方法とはいえない。そ
こで、本発明の目的は、顔料分散法によるカラーフィル
タの製造において、着色レジストのパターニング時にお
いて残さの除去率のよい、ネガ型フォトレジスト用現像
液を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
課題に鑑みて、本発明者らは顔料分散型カラーフィルタ
用着色レジストの現像液の改良を多方面から検討した結
果、アルカリ系現像液に特定の非イオン系界面活性剤を
添加し、かつを緩衝作用を有する２種以上の無機アルカ
リ化合物を用いてｐＨ調整するとき、前記目的に沿うも
のであることを知り、さらに検討を重ねて本発明を完成
したものである。
課題に鑑みて、本発明者らは顔料分散型カラーフィルタ
用着色レジストの現像液の改良を多方面から検討した結
果、アルカリ系現像液に特定の非イオン系界面活性剤を
添加し、かつを緩衝作用を有する２種以上の無機アルカ
リ化合物を用いてｐＨ調整するとき、前記目的に沿うも
のであることを知り、さらに検討を重ねて本発明を完成
したものである。
【０００５】すなわち、本発明は、ネガ型フォトレジス
ト用現像液であって、緩衝作用を有するように選択され
た２種以上の無機塩基類を主剤として含み、かつ一般式
（１）：
ト用現像液であって、緩衝作用を有するように選択され
た２種以上の無機塩基類を主剤として含み、かつ一般式
（１）：
【０００６】
【化３】
【０００７】（式中、Ｒ1は炭素数６〜２５の置換され
ていてもよい、アルキル基またはアルケニル基を、また
ｎは１〜２５０の整数を示す）および一般式（２）：
ていてもよい、アルキル基またはアルケニル基を、また
ｎは１〜２５０の整数を示す）および一般式（２）：
【０００８】
【化４】
【０００９】（式中、Ｒ2は炭素数６〜２５の置換され
ていてもよい、アルキル基またはアルケニル基を、また
ｍは１〜２５０の整数を示す）で表される化合物よりな
る群から選択された少なくとも１種の非イオン系界面活
性剤が０．１〜５重量％の範囲で添加されていることを
特徴とするネガ型フォトレジスト用現像液、である。さ
らに本発明は次の実施態様を包含する。
ていてもよい、アルキル基またはアルケニル基を、また
ｍは１〜２５０の整数を示す）で表される化合物よりな
る群から選択された少なくとも１種の非イオン系界面活
性剤が０．１〜５重量％の範囲で添加されていることを
特徴とするネガ型フォトレジスト用現像液、である。さ
らに本発明は次の実施態様を包含する。
【００１０】１）前記一般式（１）および（２）で表さ
れる非イオン系界面活性剤において、式中のＲ1および
Ｒ2で表される基中の炭素数の総和をそれぞれｋ1および
ｋ2とし、ポリオキシエチレンの平均付加モル数をそれ
ぞれｎおよびｍとするとき、ｋ／ｎまたは（および）ｋ
／ｍの比率が０．１〜２である前記記載のネガ型フォト
レジスト用現像液。 ２）前記無機塩基類として、炭酸ナトリウムおよび炭酸
水素ナトリウムをｐＨ９．５〜１１．０となるように添
加し、緩衝作用を付与してなる前記記載のネガ型フォト
レジスト用現像液。
れる非イオン系界面活性剤において、式中のＲ1および
Ｒ2で表される基中の炭素数の総和をそれぞれｋ1および
ｋ2とし、ポリオキシエチレンの平均付加モル数をそれ
ぞれｎおよびｍとするとき、ｋ／ｎまたは（および）ｋ
／ｍの比率が０．１〜２である前記記載のネガ型フォト
レジスト用現像液。 ２）前記無機塩基類として、炭酸ナトリウムおよび炭酸
水素ナトリウムをｐＨ９．５〜１１．０となるように添
加し、緩衝作用を付与してなる前記記載のネガ型フォト
レジスト用現像液。
【００１１】本発明のネガ型フォトレジスト用現像液を
使用すると、パターン形成後の残さが著しく低減され、
カラーフィルタの品質向上に極めて有用である。とりわ
け、無機塩基類が現像液中で緩衝作用を有するように含
有せしめてあることから、酸性基（カルボン酸）を有す
るカラーレジストと現像液中のアルカリの中和反応によ
るｐＨの低下が抑制されるため、繰り返し現像液を使用
することが可能になり実用上極めて有利である。
使用すると、パターン形成後の残さが著しく低減され、
カラーフィルタの品質向上に極めて有用である。とりわ
け、無機塩基類が現像液中で緩衝作用を有するように含
有せしめてあることから、酸性基（カルボン酸）を有す
るカラーレジストと現像液中のアルカリの中和反応によ
るｐＨの低下が抑制されるため、繰り返し現像液を使用
することが可能になり実用上極めて有利である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明のネガ型フォトレジスト用現像液は、緩衝作用を
有するように選択された２種以上の無機塩基類を主剤と
して含有することを一つの特徴とする。前記無機塩基類
の組合わせの好ましい具体的としては、炭酸ナトリウム
と炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウムと炭酸水素ナ
トリウム、炭酸カリウムと炭酸水素カリウムの組合わせ
が挙げられる。現像液中の濃度は、緩衝作用を呈するこ
とを前提に適宜にきめられるが、実用的にはこれら２種
類の無機塩基類の重量の総和が０．１〜１．６重量％で
あることが望ましく、またこの２種類の無機塩基類をｐ
Ｈ９．５〜１１．０の範囲となるように混合比率を調整
するのが望ましい。このｐＨが９．５に達しない場合は
現像速度が著しく遅くなり実用的ではなくなる。一方、
ｐＨが１１．０を越えるようになると逆に現像速度が速
くなり過ぎて、カラーレジストパターンの画素表面の荒
れやパターン欠けが起こり実用上望ましくない。
本発明のネガ型フォトレジスト用現像液は、緩衝作用を
有するように選択された２種以上の無機塩基類を主剤と
して含有することを一つの特徴とする。前記無機塩基類
の組合わせの好ましい具体的としては、炭酸ナトリウム
と炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウムと炭酸水素ナ
トリウム、炭酸カリウムと炭酸水素カリウムの組合わせ
が挙げられる。現像液中の濃度は、緩衝作用を呈するこ
とを前提に適宜にきめられるが、実用的にはこれら２種
類の無機塩基類の重量の総和が０．１〜１．６重量％で
あることが望ましく、またこの２種類の無機塩基類をｐ
Ｈ９．５〜１１．０の範囲となるように混合比率を調整
するのが望ましい。このｐＨが９．５に達しない場合は
現像速度が著しく遅くなり実用的ではなくなる。一方、
ｐＨが１１．０を越えるようになると逆に現像速度が速
くなり過ぎて、カラーレジストパターンの画素表面の荒
れやパターン欠けが起こり実用上望ましくない。
【００１３】本発明のネガ型フォトレジスト用現像液に
おいて添加される非イオン系界面活性剤は、前記一般式
（１）および（２）で表されるものから１種または２種
以上が選択される。一般式（１）のＲ1と一般式（２）
のＲ2は、それぞれの炭素数ｋ 1およびｋ2が６〜２５の
範囲であれば、直鎖状、分枝状あるいは環状のいずれで
あってもよい。前記界面活性剤の具体例としては、ポリ
オキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシ
エチレンデシルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン
ペンタデシルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオ
クタデシルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンア
ルキルフェニルエーテル類；ポリオキシエチレンポリス
チリルフェニルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチ
ルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルエーテル類などが挙げられ
る。
おいて添加される非イオン系界面活性剤は、前記一般式
（１）および（２）で表されるものから１種または２種
以上が選択される。一般式（１）のＲ1と一般式（２）
のＲ2は、それぞれの炭素数ｋ 1およびｋ2が６〜２５の
範囲であれば、直鎖状、分枝状あるいは環状のいずれで
あってもよい。前記界面活性剤の具体例としては、ポリ
オキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシ
エチレンデシルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン
ペンタデシルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオ
クタデシルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンア
ルキルフェニルエーテル類；ポリオキシエチレンポリス
チリルフェニルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチ
ルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルエーテル類などが挙げられ
る。
【００１４】前記非イオン系界面活性剤は、前記現像液
に対して０．１〜５重量％の範囲で添加されるが、好ま
しくは０．２〜２重量％の範囲である。添加量が０．１
重量％未満では残さ除去率が悪くなり、また５重量％を
越える場合は現像速度が速くなって露光部のパターン上
にダメージが発生し適正なパターンを得ることができな
くなることから、いずれの場合も好ましくない。前記一
般式（１）または（および）一般式（２）で表される非
イオン系界面活性剤において、置換基Ｒ1および置換基
Ｒ2におけるそれぞれの炭素数の総和ｋ1およびｋ2とポ
リオキシエチレン平均付加モル数ｎおよびｍとの比率ｋ
1／ｎ，ｋ 2／ｍは、前記のように、いずれも０．１〜２
であることが好ましく、この範囲を外れるほど残さ除去
率が悪くなる傾向がある。この比率は０．５〜１．５で
あればさらに好ましい。
に対して０．１〜５重量％の範囲で添加されるが、好ま
しくは０．２〜２重量％の範囲である。添加量が０．１
重量％未満では残さ除去率が悪くなり、また５重量％を
越える場合は現像速度が速くなって露光部のパターン上
にダメージが発生し適正なパターンを得ることができな
くなることから、いずれの場合も好ましくない。前記一
般式（１）または（および）一般式（２）で表される非
イオン系界面活性剤において、置換基Ｒ1および置換基
Ｒ2におけるそれぞれの炭素数の総和ｋ1およびｋ2とポ
リオキシエチレン平均付加モル数ｎおよびｍとの比率ｋ
1／ｎ，ｋ 2／ｍは、前記のように、いずれも０．１〜２
であることが好ましく、この範囲を外れるほど残さ除去
率が悪くなる傾向がある。この比率は０．５〜１．５で
あればさらに好ましい。
【００１５】次に、本発明のネガ型フォトレジスト用現
像液には、上記特定の無機塩基類および特定の非イオン
系界面活性剤に加えて、従来の現像液に慣用されている
湿潤剤、溶解補助剤、キレート剤などを公知の方法にし
たがって適当量を添加してもよい。前記湿潤剤として
は、例えばアルキルベンゼンスルフォン酸ナトリウム、
アルキルナフタレンスルフォン酸ナトリウムなどのアニ
オン系界面活性剤が挙げられる。
像液には、上記特定の無機塩基類および特定の非イオン
系界面活性剤に加えて、従来の現像液に慣用されている
湿潤剤、溶解補助剤、キレート剤などを公知の方法にし
たがって適当量を添加してもよい。前記湿潤剤として
は、例えばアルキルベンゼンスルフォン酸ナトリウム、
アルキルナフタレンスルフォン酸ナトリウムなどのアニ
オン系界面活性剤が挙げられる。
【００１６】前記溶解補助剤としては、例えばエタノー
ル、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、ブチ
ロセロソルブ、ブチルカルビトール等のグリコールエー
テル類などが挙げられる。前記キレート剤としては、例
えばトリポリリン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウ
ム、ピロリン酸カリウム、クエン酸ナトリウムなどが挙
げられる。本発明のネガ型フォトレジスト用現像液は、
前記の無機塩基類および非イオン系界面活性剤を所定量
ずつ水に加えて、常法どおり、混合・溶解することによ
って調製できる。また、本現像液を用いて、ネガ型フォ
トレジストを現像するに際しても、それ自体公知の手
順、方法に従って実施できる。
ル、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、ブチ
ロセロソルブ、ブチルカルビトール等のグリコールエー
テル類などが挙げられる。前記キレート剤としては、例
えばトリポリリン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウ
ム、ピロリン酸カリウム、クエン酸ナトリウムなどが挙
げられる。本発明のネガ型フォトレジスト用現像液は、
前記の無機塩基類および非イオン系界面活性剤を所定量
ずつ水に加えて、常法どおり、混合・溶解することによ
って調製できる。また、本現像液を用いて、ネガ型フォ
トレジストを現像するに際しても、それ自体公知の手
順、方法に従って実施できる。
【００１７】
【実施例】以下に実施例および比較例を挙げて本発明を
さらに具体的に説明する。 実施例１〜８、比較例１〜４ 炭酸ナトリウム２．５ｇと炭酸水素ナトリウム１．５ｇ
を純水に溶解し５００ｇの水溶液を調製した。そこに表
１に示す種々の非イオン系界面活性剤を所定量添加し、
現像液を調製した。
さらに具体的に説明する。 実施例１〜８、比較例１〜４ 炭酸ナトリウム２．５ｇと炭酸水素ナトリウム１．５ｇ
を純水に溶解し５００ｇの水溶液を調製した。そこに表
１に示す種々の非イオン系界面活性剤を所定量添加し、
現像液を調製した。
【００１８】赤色レジスト（フジフィルムオーリン社
製、ＣＲ７０３０Ｌ）を４インチのクロム薄膜（１５０
０オングストローム）付き無アルカリガラス基板上に７
５０ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコーター（ミカサ
製、１Ｈ−ＤＸII）を用いてスピンコートした。その
後、ホットプレート（井内盛栄堂製、ウルトラホットプ
レートＨＩＳ−５００）上にて９０℃、１分間プリベー
クを行った。さらにフォトマスクを介して、紫外線ラン
プ（ウシオ電機社製、５００Ｗ、ｉ線照度４ｍＷｃ／ｃ
ｍ2）を用いて６０μ×２００μのアイランドパターン
（パターンピッチ４０μ）を形成した。このときの露光
量は２００ｍＪとした。恒温槽（タイテック製、サーモ
ミンダーＤＸ−１０）中で３０℃に保持した５００ｍｌ
の現像液中で９０秒間静止現像を行った。現像後はスプ
レーノズルを用いて、純水で３０秒間リンスを行った
後、エアガンで乾燥した。
製、ＣＲ７０３０Ｌ）を４インチのクロム薄膜（１５０
０オングストローム）付き無アルカリガラス基板上に７
５０ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコーター（ミカサ
製、１Ｈ−ＤＸII）を用いてスピンコートした。その
後、ホットプレート（井内盛栄堂製、ウルトラホットプ
レートＨＩＳ−５００）上にて９０℃、１分間プリベー
クを行った。さらにフォトマスクを介して、紫外線ラン
プ（ウシオ電機社製、５００Ｗ、ｉ線照度４ｍＷｃ／ｃ
ｍ2）を用いて６０μ×２００μのアイランドパターン
（パターンピッチ４０μ）を形成した。このときの露光
量は２００ｍＪとした。恒温槽（タイテック製、サーモ
ミンダーＤＸ−１０）中で３０℃に保持した５００ｍｌ
の現像液中で９０秒間静止現像を行った。現像後はスプ
レーノズルを用いて、純水で３０秒間リンスを行った
後、エアガンで乾燥した。
【００１９】［評価試験］ (1) 反射率測定 現像後、非露光部のクロム上の５００ｎｍでの反射率
を、大塚電子製ＭＣＰＤ−２０００を用いて測定した。
反射率のリファレンスには未塗布クロム基板を用い、こ
の反射率を１００％としたときの相対値として表した。
カラーフィルタを作製したとき、この値が９０％未満で
は高輝度ランプ等を用いた外観検査で非常に強いムラが
確認される。
を、大塚電子製ＭＣＰＤ−２０００を用いて測定した。
反射率のリファレンスには未塗布クロム基板を用い、こ
の反射率を１００％としたときの相対値として表した。
カラーフィルタを作製したとき、この値が９０％未満で
は高輝度ランプ等を用いた外観検査で非常に強いムラが
確認される。
【００２０】(2) 電子顕微鏡観察 走査型電子顕微鏡（日立製、Ｓ−２１５０）および電界
放出型走査電子顕微鏡（日立製、Ｓ−４５００）による
クロム表面観察を行い、残さの存在状態を調べ、次の基
準で評価した。 ○全く残さは認められない △少量の残さあり × 多量の残さあり 上記の(1)および(2)の評価結果を表１に示す。
放出型走査電子顕微鏡（日立製、Ｓ−４５００）による
クロム表面観察を行い、残さの存在状態を調べ、次の基
準で評価した。 ○全く残さは認められない △少量の残さあり × 多量の残さあり 上記の(1)および(2)の評価結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】この結果、本発明の現像液（実施例１〜
８）を用いたときは、クロム反射率は９０％を超えてお
り、また残さも全く認められなかった。これに対して、
比較例１〜３の現像液の場合、クロム反射率は９０％に
達していないばかりか、残さも多量に認められた。特
に、比較例４の現像液ではパターン部にダメージ（損
傷）を受けており使用不良であった。 実施例９ 実施例５と同様の現像液を調製した。そのｐＨは１０．
１であった。この現像液量を２００ｍｌにする以外は、
実施例１〜８と同様な方法でレジストの現像を行った。
現像液の液疲労性を確認するために、同一現像液で同様
の操作を１２枚の基板で繰り返し実施した。１回目、４
回目、８回目、１２回目の基板上の残さの状態を目視お
よび光学顕微鏡、電子顕微鏡により観察した。
８）を用いたときは、クロム反射率は９０％を超えてお
り、また残さも全く認められなかった。これに対して、
比較例１〜３の現像液の場合、クロム反射率は９０％に
達していないばかりか、残さも多量に認められた。特
に、比較例４の現像液ではパターン部にダメージ（損
傷）を受けており使用不良であった。 実施例９ 実施例５と同様の現像液を調製した。そのｐＨは１０．
１であった。この現像液量を２００ｍｌにする以外は、
実施例１〜８と同様な方法でレジストの現像を行った。
現像液の液疲労性を確認するために、同一現像液で同様
の操作を１２枚の基板で繰り返し実施した。１回目、４
回目、８回目、１２回目の基板上の残さの状態を目視お
よび光学顕微鏡、電子顕微鏡により観察した。
【００２３】比較例５ 炭酸ナトリウム１．５ｇを純水に溶解し、５００ｇの水
溶液を調製した。そこへ実施例５に示す非イオン系界面
活性剤を０．６重量％添加して現像液を調製した。この
ときのｐＨは１１．１であった。この現像液を用いて実
施例９と同様な試験を行った。実施例９および比較例５
の試験結果を表２に示す。
溶液を調製した。そこへ実施例５に示す非イオン系界面
活性剤を０．６重量％添加して現像液を調製した。この
ときのｐＨは１１．１であった。この現像液を用いて実
施例９と同様な試験を行った。実施例９および比較例５
の試験結果を表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】表２中、残さの状態を表す評価基準は前記
と同じである。この結果、実施例９の現像液は、１２回
にわたって繰り返し使用しても、残さは認められず良好
な現像が可能であり、またｐＨの変動がほとんどみられ
ず、耐液疲労性が大きいことが判明した。これに対し
て、比較例５の現像液は繰り返し使用回数が８回程度で
残さが認められようになり良好な現像を続行することが
できなくなった。また、ｐＨも大幅に低下していた。
と同じである。この結果、実施例９の現像液は、１２回
にわたって繰り返し使用しても、残さは認められず良好
な現像が可能であり、またｐＨの変動がほとんどみられ
ず、耐液疲労性が大きいことが判明した。これに対し
て、比較例５の現像液は繰り返し使用回数が８回程度で
残さが認められようになり良好な現像を続行することが
できなくなった。また、ｐＨも大幅に低下していた。
Claims (1)
- 【請求項１】ネガ型フォトレジスト用現像液であって、
緩衝作用を有するように選択された２種以上の無機塩基
類を主剤として含み、かつ一般式（１）： 【化１】 （式中、Ｒ1は炭素数６〜２５の、置換されていてもよ
い、アルキル基またはアルケニル基を、またｎは１〜２
５０の整数を示す）および一般式（２）： 【化２】 （式中、Ｒ2は炭素数６〜２５の、置換されていてもよ
い、アルキル基またはアルケニル基を、またｍは１〜２
５０の整数を示す）で表される化合物よりなる群から選
択された少なくとも１種の非イオン系界面活性剤が０．
１〜５重量％の範囲で添加されていることを特徴とする
ネガ型フォトレジスト用現像液。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000131054A JP2001312073A (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | ネガ型フォトレジスト用現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2000131054A JP2001312073A (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | ネガ型フォトレジスト用現像液 |
Publications (1)
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| JP2001312073A true JP2001312073A (ja) | 2001-11-09 |
Family
ID=18640027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000131054A Pending JP2001312073A (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | ネガ型フォトレジスト用現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001312073A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006209117A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Everlight Usa Inc | 現像液組成物 |
| KR100680402B1 (ko) | 2004-05-22 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이멀젼 리소그래피용 액체 조성물 및 이를 이용한리소그래피 방법 |
| CN109062015A (zh) * | 2018-09-18 | 2018-12-21 | 周连惠 | 一种高浓度显影液原液组合物 |
-
2000
- 2000-04-28 JP JP2000131054A patent/JP2001312073A/ja active Pending
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR100680402B1 (ko) | 2004-05-22 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이멀젼 리소그래피용 액체 조성물 및 이를 이용한리소그래피 방법 |
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| JP4641499B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2011-03-02 | エバーライト ユーエスエー、インク | 現像液組成物 |
| CN109062015A (zh) * | 2018-09-18 | 2018-12-21 | 周连惠 | 一种高浓度显影液原液组合物 |
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