|
WO2002079131A1
(fr)
|
2001-03-29 |
2002-10-10 |
Kansai Research Institute, Inc. |
Compose optiquement actif et composition de resine photosensible
|
|
JP4517723B2
(ja)
*
|
2003-05-22 |
2010-08-04 |
住友ベークライト株式会社 |
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子
|
|
KR20060071423A
(ko)
*
|
2003-09-18 |
2006-06-26 |
미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 |
레지스트용 화합물 및 감방사선성 조성물
|
|
JP4614056B2
(ja)
*
|
2003-09-18 |
2011-01-19 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
レジスト用化合物および感放射線性組成物
|
|
KR100900173B1
(ko)
*
|
2004-02-20 |
2009-06-02 |
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 |
패턴 형성 재료용 기재, 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
|
|
JP3946715B2
(ja)
|
2004-07-28 |
2007-07-18 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP4468119B2
(ja)
|
2004-09-08 |
2010-05-26 |
東京応化工業株式会社 |
レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP4837323B2
(ja)
*
|
2004-10-29 |
2011-12-14 |
東京応化工業株式会社 |
レジスト組成物、レジストパターン形成方法および化合物
|
|
TWI495632B
(zh)
|
2004-12-24 |
2015-08-11 |
Mitsubishi Gas Chemical Co |
光阻用化合物
|
|
US7981588B2
(en)
|
2005-02-02 |
2011-07-19 |
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. |
Negative resist composition and method of forming resist pattern
|
|
TW200641535A
(en)
*
|
2005-02-03 |
2006-12-01 |
Mitsubishi Gas Chemical Co |
Compound for resist and radiation-sensitive composition
|
|
JP4444854B2
(ja)
*
|
2005-02-25 |
2010-03-31 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および化合物
|
|
WO2006090757A1
(ja)
*
|
2005-02-25 |
2006-08-31 |
Honshu Chemical Industry Co., Ltd. |
新規なビス(ヒドロキシベンズアルデヒド)化合物及びそれらから誘導される新規な多核体ポリフェノール化合物及びその製造方法
|
|
JP5138157B2
(ja)
|
2005-05-17 |
2013-02-06 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP4823578B2
(ja)
*
|
2005-06-13 |
2011-11-24 |
東京応化工業株式会社 |
多価フェノール化合物、化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP2006347892A
(ja)
*
|
2005-06-13 |
2006-12-28 |
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd |
化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
WO2006134811A1
(ja)
*
|
2005-06-13 |
2006-12-21 |
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. |
多価フェノール化合物、化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP4813103B2
(ja)
|
2005-06-17 |
2011-11-09 |
東京応化工業株式会社 |
化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP4732038B2
(ja)
*
|
2005-07-05 |
2011-07-27 |
東京応化工業株式会社 |
化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP4846332B2
(ja)
*
|
2005-07-25 |
2011-12-28 |
東京応化工業株式会社 |
化合物およびその製造方法、低分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
US7960089B2
(en)
|
2005-09-20 |
2011-06-14 |
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. |
Compound, method for producing same, positive resist composition and method for forming resist pattern
|
|
JP5000241B2
(ja)
*
|
2005-11-04 |
2012-08-15 |
東京応化工業株式会社 |
化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP4879559B2
(ja)
*
|
2005-09-20 |
2012-02-22 |
東京応化工業株式会社 |
化合物およびその製造方法
|
|
JP5100646B2
(ja)
|
2006-06-09 |
2012-12-19 |
本州化学工業株式会社 |
新規なトリス（ホルミルフェニル）類及びそれから誘導される新規な多核ポリフェノール類
|
|
JP5031277B2
(ja)
|
2006-06-20 |
2012-09-19 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP2008056597A
(ja)
*
|
2006-08-30 |
2008-03-13 |
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd |
化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP5128105B2
(ja)
*
|
2006-10-13 |
2013-01-23 |
東京応化工業株式会社 |
化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
WO2008044568A1
(fr)
*
|
2006-10-13 |
2008-04-17 |
Honshu Chemical Industry Co., Ltd. |
Nouveau bis(formylphényl)alcane et nouveau phénol polynucléaire dérivé de celui-ci
|
|
JP4855293B2
(ja)
*
|
2007-02-13 |
2012-01-18 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
EP2152663B1
(de)
|
2007-06-04 |
2014-03-19 |
Ben Gurion University of the Negev Research and Development Authority |
Triarylverbindungen und Zusammensetzungen damit
|
|
AU2014240314B2
(en)
*
|
2007-06-04 |
2016-09-01 |
Ben Gurion University Of The Negev Research And Development Authority |
Tri-aryl compounds and compositions comprising the same
|
|
JP5367572B2
(ja)
*
|
2007-08-07 |
2013-12-11 |
株式会社Ａｄｅｋａ |
芳香族スルホニウム塩化合物
|
|
JP5449153B2
(ja)
*
|
2008-06-20 |
2014-03-19 |
本州化学工業株式会社 |
新規なテトラキス（エーテル置換−ホルミルフェニル）類及びそれから誘導される新規な多核ポリ（フェノール）類
|
|
WO2015068156A1
(en)
|
2013-11-05 |
2015-05-14 |
Ben-Gurion University Of The Negev Research And Development Authority |
Compounds for the treatment of diabetes and disease complications arising from same
|
|
US20200247739A1
(en)
*
|
2017-02-23 |
2020-08-06 |
Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. |
Compound, resin, composition, pattern formation method, and purification method
|