JP2001312055A5

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Publication number: JP2001312055A5
Application number: JP2001028335A
Authority: JP
Filing date: 2001-02-05
Publication date: 2006-01-19
Anticipated expiration: 2021-02-05

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）電子線あるいはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ１）酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する分子量１０００を超え、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物、
を含有するポジ型レジスト組成物において、
該低分子溶解阻止化合物の酸の作用により分解しうる基以外の部分に２個以上のトリフェニルメタン構造が非共役的に連結した構造を有することを特徴とするポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【請求項２】該低分子溶解阻止化合物が以下の一般式（ｂ１）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項１記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化１】

一般式（ｂ１）中、Ｒ₁₀₁〜Ｒ₁₁₈は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基を表す。
Ｌは、置換基を有してもよい、メチレン基を表す。
Ｚは、同一でも異なってもよく、水素原子、−Ａ⁰、−Ｒ²⁰⁰−ＣＯＯＡ⁰、−ＡｒＯＢ⁰である。ただし、Ｚのうち５０モル％以上は水素原子ではない。
Ａ⁰は、−Ｃ(Ｒ²⁰¹)(Ｒ²⁰²)(Ｒ²⁰³)、−Ｓｉ(Ｒ²⁰¹)(Ｒ²⁰²)(Ｒ²⁰³)、−Ｃ(Ｒ²⁰⁴)(Ｒ²⁰⁵)−ＯＲ²⁰⁶を表す。
Ｂ⁰は、Ａ⁰または−ＣＯＯＡ⁰を表す。
Ｒ²⁰⁰は、単結合、置換基を有してもよい２価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を表し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ²⁰¹、Ｒ²⁰²、Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵は、それぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を表し、Ｒ²⁰⁶は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基もしくはアリール基を表す。ただし、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰³のうち少なくとも２つは水素原子以外の基であり、また、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰³、及びＲ²⁰⁴〜Ｒ²⁰⁶のうちの２つの基が互いに結合して環を形成してもよい。
【請求項３】（Ａ）電子線あるいはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ２）酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する分子量１０００を超え、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物、
を含有するポジ型レジスト組成物において、
該低分子溶解阻止化合物が部分構造として以下の一般式(ｂ２）で表される構造を３個以上含み、該構造が非共役的に連結されていることを特徴とするポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化２】

一般式（ｂ２）中、Ｒ₁₁₉〜Ｒ₁₂₆は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基を表す。
Ｌは、置換基を有してもよい、メチレン基を表す。
Ｚは、同一でも異なってもよく、水素原子、−Ａ⁰、−Ｒ²⁰⁰−ＣＯＯＡ⁰、−ＡｒＯＢ⁰である。ただし、Ｚのうち５０モル％以上は水素原子ではない。
Ａ⁰は、−Ｃ(Ｒ²⁰¹)(Ｒ²⁰²)(Ｒ²⁰³)、−Ｓｉ(Ｒ²⁰¹)(Ｒ²⁰²)(Ｒ²⁰³)、−Ｃ(Ｒ²⁰⁴)(Ｒ²⁰⁵)−ＯＲ²⁰⁶を表す。
Ｂ⁰は、Ａ⁰または−ＣＯＯＡ⁰を表す。
Ｒ²⁰⁰は、単結合、置換基を有してもよい２価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を表し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ²⁰¹、Ｒ²⁰²、Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵は、それぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を表し、Ｒ²⁰⁶は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基もしくはアリール基を表す。ただし、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰³のうち少なくとも２つは水素原子以外の基であり、また、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰³、及びＲ²⁰⁴〜Ｒ²⁰⁶のうちの２つの基が互いに結合して環を形成してもよい。
【請求項４】該低分子溶解阻止化合物が以下の一般式（ｂ３）及び一般式（ｂ４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項３に記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化３】

一般式（ｂ３）中、Ｒ₁₂₇〜Ｒ₁₃₂は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基を表す。Ｌは、置換基を有してもよい、メチレン基を表す。
Ｚは、同一でも異なってもよく、水素原子、−Ａ⁰、−Ｒ²⁰⁰−ＣＯＯＡ⁰、−ＡｒＯＢ⁰である。ただし、Ｚのうち５０モル％以上は水素原子ではない。
Ａ⁰は、−Ｃ(Ｒ²⁰¹)(Ｒ²⁰²)(Ｒ²⁰³)、−Ｓｉ(Ｒ²⁰¹)(Ｒ²⁰²)(Ｒ²⁰³)、−Ｃ(Ｒ²⁰⁴)(Ｒ²⁰⁵)−ＯＲ²⁰⁶を表す。
Ｂ⁰は、Ａ⁰または−ＣＯＯＡ⁰を表す。
Ｒ²⁰⁰は、単結合、置換基を有してもよい２価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を表し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有してもよい２価以上の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ²⁰¹、Ｒ²⁰²、Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵は、それぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を表し、Ｒ²⁰⁶は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基もしくはアリール基を表す。ただし、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰³のうち少なくとも２つは水素原子以外の基であり、また、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰³、及びＲ²⁰⁴〜Ｒ²⁰⁶のうちの２つの基が互いに結合して環を形成してもよい。
Ｙは、水素原子またはメチル基を表す。
【化４】

一般式（ｂ４）中、Ｒ₁₃₃〜Ｒ₁₄₄は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基を表す。
Ｌは、置換基を有してもよい、メチレン基を表す。
Ｚは、同一でも異なってもよく、水素原子、−Ａ⁰、−Ｒ²⁰⁰−ＣＯＯＡ⁰、−ＡｒＯＢ⁰である。ただし、Ｚのうち５０モル％以上は水素原子ではない。
Ａ⁰は、−Ｃ(Ｒ²⁰¹)(Ｒ²⁰²)(Ｒ²⁰³)、−Ｓｉ(Ｒ²⁰¹)(Ｒ²⁰²)(Ｒ²⁰³)、−Ｃ(Ｒ²⁰⁴)(Ｒ²⁰⁵)−ＯＲ²⁰⁶を表す。
Ｂ⁰は、Ａ⁰または−ＣＯＯＡ⁰を表す。
Ｒ²⁰⁰は、単結合、置換基を有してもよい２価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を表し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ²⁰¹、Ｒ²⁰²、Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵は、それぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を表し、Ｒ²⁰⁶は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基もしくはアリール基を表す。ただし、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰³のうち少なくとも２つは水素原子以外の基であり、また、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰³、及びＲ²⁰⁴〜Ｒ²⁰⁶のうちの２つの基が互いに結合して環を形成してもよい。
【請求項５】（Ａ）電子線あるいはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ３）酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物
を含有し、
該低分子溶解阻止化合物が、部分構造としてビフェニル構造あるいはトリフェニレン構造を有し、該酸により分解しうる基に含有するベンゼン環以外の部分のベンゼン環総数が３個以上１３個以下であることを特徴とするポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【請求項６】該低分子溶解阻止化合物が、以下の一般式（Ｉｈ−１）〜（Ｉｈ−７）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項５記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化５】

【化６】

【化７】

上記式（Ｉｈ−１）〜（Ｉｈ−７）において、Ｒ₁₀₁'〜Ｒ₁₁₀'、Ｒ₁₁₂'〜Ｒ₂₁₃'は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアルケニル基を表す。
Ｒ₁₁₁'は、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、アルケニル基又はフェニル基を表す。Ｒ₁₃₁'とＲ₁₃₂'とは、互いに結合して環を形成してもよい。Ｙ'は水素あるいはメチル基を表す。同一分子中の複数のＺ'は、同一でも異なっていてもよい。
Ｚ'は、水素原子、−Ａ⁰'、−Ｒ₃₀₀−ＣＯＯＡ⁰'又は−Ａｒ−ＯＢ⁰'を表す。
ただし、上記式（Ｉｈ−１）〜（Ｉｈ−４）においてＺ'の９０モル％以上は水素ではない。また、上記式（Ｉｈ−５）〜（Ｉｈ−７）においてＺ'の５０モル％以上は水素ではない。
Ａ⁰'は、−Ｃ（Ｒ₃₀₁）（Ｒ₃₀₂）（Ｒ₃₀₃）、−Ｓｉ（Ｒ₃₀₁）（Ｒ₃₀₂）（Ｒ₃₀₃）又は−Ｃ（Ｒ₃₀₄）（Ｒ₃₀₅）−ＯＲ₃₀₆を表す。
Ｂ⁰'は、−Ａ⁰'又は−ＣＯＯＡ⁰'を表す。Ｒ₃₀₀は、単結合、置換基を有していてもよい、２価の脂肪族もしくは芳香族基を表す。
Ａｒは、置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。
Ｒ₃₀₁、Ｒ₃₀₂、Ｒ₃₀₃、Ｒ₃₀₄、Ｒ₃₀₅は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、直鎖及び分岐アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ₃₀₆は、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒ₃₀₁〜Ｒ₃₀₃のうち任意の２つ、あるいはＲ₃₀₄〜Ｒ₃₀₆のうち任意の２つが結合して環を形成していてもよい。
【請求項７】（Ａ）電子線あるいはＸ線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ４）酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ現像液に対する溶解度が酸の作用により増大する分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物を含有し、
該低分子溶解阻止化合物が、部分構造としてフルオレン構造を有することを特徴とするポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【請求項８】該低分子溶解阻止化合物が、以下の一般式（Ｉｈ−８）〜（Ｉｈ−１０）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項７記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
【化８】

上記式（Ｉｈ−８）〜（Ｉｈ−１０）において、Ｒ₃₁₀〜Ｒ₃₆₅は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアルケニル基を表す。Ｒ₃₁₁とＲ₃₁₈、Ｒ₃₂₉とＲ₃₃₀、Ｒ₃₄₂とＲ₃₅₅は互いに単結合で環を形成してもよい。
Ｚ'は、前記と同義であるが、同一分子中の複数のＺ'は、同一でも異なっていてもよい。分子中のＺ'の９０モル％以上は水素ではない。
【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物によりレジト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線またはＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。 [Claims]
(A) a compound which generates an acid upon irradiation with an electron beam or X-ray,
(B1) a low molecular weight dissolution inhibiting compound having a group decomposable by the action of an acid and having a molecular weight of 1,000 or more and having a molecular weight of 3000 or less whose solubility in an alkali developer increases by the action of an acid;
In a positive resist composition containing
A positive electron beam or X-ray resist having a structure in which two or more triphenylmethane structures are non-conjugatedly linked to a portion of the low molecular weight dissolution inhibiting compound other than a group decomposable by the action of an acid. Composition.
2. The positive electron according to claim 1, wherein the low molecular weight dissolution inhibiting compound is at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following general formula (b1). X-ray or X-ray resist composition.
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In the general formula (b1), R _{101 to} R ₁₁₈ may be the same or different and represent a hydrogen atom, a linear alkyl group, a branched alkyl group, a cyclic alkyl group, or an alkenyl group.
L represents a methylene group which may have a substituent.
Z may be the same or different, a hydrogen ^{^{^{atom, -A 0, -R 200 -COOA 0}}} , a -ArOB ^0. However, 50 mol% or more of Z is not a hydrogen atom.
A ⁰ ^{is, -C (R 201) (R} 202) (R 203), - Si (R 201) (R 202) (R 203), - represents a ^{^{C (R 204) (R 205}} ) -OR 206.
B ⁰ represents A ⁰ or -COOA ^0.
R ²⁰⁰ represents a single bond, a divalent aliphatic or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and -Ar- is a divalent group which may have a monocyclic or polycyclic substituent. Represents an aromatic hydrocarbon group.
R ²⁰¹ , R ²⁰² , R ²⁰³ , R ²⁰⁴ and R ²⁰⁵ may be the same or different and each represent a hydrogen atom, a linear alkyl group, a branched alkyl group, a cyclic alkyl group, an alkenyl group or an aryl group; R ²⁰⁶ represents a linear alkyl group, a branched alkyl group or an aryl group. However, at least two of R ^{201 to} R ²⁰³ are groups other than a hydrogen atom, and two groups of R ^{201 to} R ²⁰³ and R ^{204 to} R ²⁰⁶ are bonded to each other to form a ring. You may.
(A) a compound which generates an acid upon irradiation with an electron beam or X-ray,
(B2) a low molecular weight dissolution inhibiting compound having a group decomposable by the action of an acid and having a solubility in an alkaline developer of more than 1,000 and a molecular weight of 3,000 or less, the solubility of which is increased by the action of an acid;
In a positive resist composition containing
The low molecular weight dissolution inhibiting compound comprises, as a partial structure, three or more structures represented by the following general formula (b2), and the structures are non-conjugatedly linked. Radiation resist composition.
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In the general formula (b2), R _{119 to} R ₁₂₆ may be the same or different and represent a hydrogen atom, a linear alkyl group, a branched alkyl group, a cyclic alkyl group, or an alkenyl group.
L represents a methylene group which may have a substituent.
Z may be the same or different, a hydrogen ^{^{^{atom, -A 0, -R 200 -COOA 0}}} , a -ArOB ^0. However, 50 mol% or more of Z is not a hydrogen atom.
A ⁰ ^{is, -C (R 201) (R} 202) (R 203), - Si (R 201) (R 202) (R 203), - represents a ^{^{C (R 204) (R 205}} ) -OR 206.
B ⁰ represents A ⁰ or -COOA ^0.
R ²⁰⁰ represents a single bond, a divalent aliphatic or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and -Ar- is a divalent group which may have a monocyclic or polycyclic substituent. Represents an aromatic hydrocarbon group.
R ²⁰¹ , R ²⁰² , R ²⁰³ , R ²⁰⁴ and R ²⁰⁵ may be the same or different and each represent a hydrogen atom, a linear alkyl group, a branched alkyl group, a cyclic alkyl group, an alkenyl group or an aryl group; R ²⁰⁶ represents a linear alkyl group, a branched alkyl group or an aryl group. However, at least two of R ^{201 to} R ²⁰³ are groups other than a hydrogen atom, and two groups of R ^{201 to} R ²⁰³ and R ^{204 to} R ²⁰⁶ are bonded to each other to form a ring. You may.
4. The low molecular weight dissolution inhibiting compound is at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (b3) and (b4). 4. The positive electron beam or X-ray resist composition according to 3.
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In the general formula (b3), R _{127 to} R ₁₃₂ may be the same or different and represent a hydrogen atom, a linear alkyl group, a branched alkyl group, a cyclic alkyl group, or an alkenyl group. L represents a methylene group which may have a substituent.
Z may be the same or different, a hydrogen ^{^{^{atom, -A 0, -R 200 -COOA 0}}} , a -ArOB ^0. However, 50 mol% or more of Z is not a hydrogen atom.
A ⁰ ^{is, -C (R 201) (R} 202) (R 203), - Si (R 201) (R 202) (R 203), - represents a ^{^{C (R 204) (R 205}} ) -OR 206.
B ⁰ represents A ⁰ or -COOA ^0.
R ²⁰⁰ represents a single bond, a divalent or higher aliphatic or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and -Ar- is a divalent group which may have a monocyclic or polycyclic substituent. It represents the above aromatic hydrocarbon group.
R ²⁰¹ , R ²⁰² , R ²⁰³ , R ²⁰⁴ and R ²⁰⁵ may be the same or different and each represent a hydrogen atom, a linear alkyl group, a branched alkyl group, a cyclic alkyl group, an alkenyl group or an aryl group; R ²⁰⁶ represents a linear alkyl group, a branched alkyl group or an aryl group. However, at least two of R ^{201 to} R ²⁰³ are groups other than a hydrogen atom, and two groups of R ^{201 to} R ²⁰³ and R ^{204 to} R ²⁰⁶ are bonded to each other to form a ring. You may.
Y represents a hydrogen atom or a methyl group.
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In the general formula (b4), R _{133 to} R ₁₄₄ may be the same or different and represent a hydrogen atom, a linear alkyl group, a branched alkyl group, a cyclic alkyl group, or an alkenyl group.
L represents a methylene group which may have a substituent.
Z may be the same or different, a hydrogen ^{^{^{atom, -A 0, -R 200 -COOA 0}}} , a -ArOB ^0. However, 50 mol% or more of Z is not a hydrogen atom.
A ⁰ ^{is, -C (R 201) (R} 202) (R 203), - Si (R 201) (R 202) (R 203), - represents a ^{^{C (R 204) (R 205}} ) -OR 206.
B ⁰ represents A ⁰ or -COOA ^0.
R ²⁰⁰ represents a single bond, a divalent aliphatic or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and -Ar- is a divalent group which may have a monocyclic or polycyclic substituent. Represents an aromatic hydrocarbon group.
R ²⁰¹ , R ²⁰² , R ²⁰³ , R ²⁰⁴ and R ²⁰⁵ may be the same or different and each represent a hydrogen atom, a linear alkyl group, a branched alkyl group, a cyclic alkyl group, an alkenyl group or an aryl group; R ²⁰⁶ represents a linear alkyl group, a branched alkyl group or an aryl group. However, at least two of R ^{201 to} R ²⁰³ are groups other than a hydrogen atom, and two groups of R ^{201 to} R ²⁰³ and R ^{204 to} R ²⁰⁶ are bonded to each other to form a ring. You may.
5. A compound which generates an acid upon irradiation with an electron beam or X-ray,
(B3) a low molecular weight dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, which has a group that can be decomposed by the action of an acid and has a solubility in an alkali developer which increases by the action of an acid,
The low-molecular-weight dissolution inhibiting compound has a biphenyl structure or a triphenylene structure as a partial structure, and the total number of benzene rings in a portion other than the benzene ring contained in the group decomposable by the acid is 3 or more and 13 or less. A positive electron beam or X-ray resist composition characterized by the following:
6. The low molecular weight dissolution inhibiting compound is at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (Ih-1) to (Ih-7). The positive electron beam or X-ray resist composition according to claim 5, wherein
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In the formulas (Ih-1) to (Ih-7), R ₁₀₁ ′ to R ₁₁₀ ′ and R ₁₁₂ ′ to R ₂₁₃ ′ may be the same or different, and may be a hydrogen atom, a straight-chain, a branched or Represents a cyclic alkyl group or an alkenyl group.
R ₁₁₁ ′ represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, alkenyl group or phenyl group. R ₁₃₁ ′ and R ₁₃₂ ′ may combine with each other to form a ring. Y ′ represents hydrogen or a methyl group. A plurality of Z's in the same molecule may be the same or different.
Z 'is a hydrogen atom, -A ^0' represents a, -R ₃₀₀ -COOA ⁰ 'or -Ar-OB ^0'.
However, in the above formulas (Ih-1) to (Ih-4), 90 mol% or more of Z ′ is not hydrogen. In formulas (Ih-5) to (Ih-7), 50% by mole or more of Z ′ is not hydrogen.
A ⁰ ′ represents —C (R ₃₀₁ ) (R ₃₀₂ ) (R ₃₀₃ ), —Si (R ₃₀₁ ) (R ₃₀₂ ) (R ₃₀₃ ) or —C (R ₃₀₄ ) (R ₃₀₅ ) -OR ₃₀₆ . .
B ⁰ 'is, -A ^0' represents a or -COOA ⁰ '. R ₃₀₀ represents a single bond or a divalent aliphatic or aromatic group which may have a substituent.
Ar represents a divalent aromatic group which may have a substituent.
R ₃₀₁ , R ₃₀₂ , R ₃₀₃ , R ₃₀₄ and R ₃₀₅ may be the same or different and represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, a cyclic alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group or an aryl group.
R ₃₀₆ represents an alkyl group or an aryl group. Any two of R _{301 to} R ₃₀₃ or any two of R _{304 to} R ₃₀₆ may combine to form a ring.
7. A compound which generates an acid upon irradiation with an electron beam or X-ray,
(B4) a low-molecular-weight dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, which has a group decomposable by the action of an acid and has a solubility in an alkali developer which is increased by the action of an acid,
The positive electron beam or X-ray resist composition, wherein the low molecular weight dissolution inhibiting compound has a fluorene structure as a partial structure.
8. The low-molecular-weight dissolution-inhibiting compound is at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (Ih-8) to (Ih-10). The positive electron beam or X-ray resist composition according to claim 7.
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In the formulas (Ih-8) to (Ih-10), R _{310 to} R ₃₆₅ may be the same or different and represent a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, or an alkenyl group. R ₃₁₁ and R ₃₁₈ , R ₃₂₉ and R ₃₃₀ , and R ₃₄₂ and R ₃₅₅ may form a ring with each other by a single bond.
Z ′ has the same meaning as described above, but a plurality of Z ′s in the same molecule may be the same or different. More than 90 mol% of Z 'in the molecule is not hydrogen.
9. A method for forming a resist film from the positive-type electron beam or X-ray resist composition according to claim 1 and irradiating the resist film with an electron beam or X-ray for development. Characteristic pattern formation method.