JP2001308631A - アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール - Google Patents
アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールInfo
- Publication number
- JP2001308631A JP2001308631A JP2000116010A JP2000116010A JP2001308631A JP 2001308631 A JP2001308631 A JP 2001308631A JP 2000116010 A JP2000116010 A JP 2000116010A JP 2000116010 A JP2000116010 A JP 2000116010A JP 2001308631 A JP2001308631 A JP 2001308631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antenna
- slot hole
- microwave
- millimeter wave
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q23/00—Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/27—Adaptation for use in or on movable bodies
- H01Q1/32—Adaptation for use in or on road or rail vehicles
- H01Q1/3208—Adaptation for use in or on road or rail vehicles characterised by the application wherein the antenna is used
- H01Q1/3233—Adaptation for use in or on road or rail vehicles characterised by the application wherein the antenna is used particular used as part of a sensor or in a security system, e.g. for automotive radar, navigation systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q13/00—Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
- H01Q13/10—Resonant slot antennas
- H01Q13/106—Microstrip slot antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
- H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
- H01Q21/064—Two dimensional planar arrays using horn or slot aerials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高効率で小型、軽量でかつ高効率なアンテナ
一体化マイクロ波・ミリ波モジュールを提供する。 【解決手段】 半導体チップ８には、マイクロ波回路ま
たはミリ波回路が形成されている。多層基板１は第１の
誘電体基板１ａ，第２の誘電体基板１ｂ，第３の誘電体
基板１ｃからなる。第１の誘電体基板１ａには半導体チ
ップ８を搭載する高周波回路線路２が形成されている。
第２の誘電体基板１ｂには、一方側にスロット孔４が形
成されているとともに、アンテナ給電線路５が形成され
ている。第３の誘電体基板１ｃには電磁波を放射する複
数のスロット孔１０が形成されている。多層基板１に
は、有機基板７が接着層１１により貼り付けられてい
る。
一体化マイクロ波・ミリ波モジュールを提供する。 【解決手段】 半導体チップ８には、マイクロ波回路ま
たはミリ波回路が形成されている。多層基板１は第１の
誘電体基板１ａ，第２の誘電体基板１ｂ，第３の誘電体
基板１ｃからなる。第１の誘電体基板１ａには半導体チ
ップ８を搭載する高周波回路線路２が形成されている。
第２の誘電体基板１ｂには、一方側にスロット孔４が形
成されているとともに、アンテナ給電線路５が形成され
ている。第３の誘電体基板１ｃには電磁波を放射する複
数のスロット孔１０が形成されている。多層基板１に
は、有機基板７が接着層１１により貼り付けられてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アンテナ一体化マ
イクロ波・ミリ波モジュール構造に関し、特に、アンテ
ナ効率と指向性を向上させたスロットアンテナを一体化
したマイクロ波・ミリ波モジュールに関するものであ
る。
イクロ波・ミリ波モジュール構造に関し、特に、アンテ
ナ効率と指向性を向上させたスロットアンテナを一体化
したマイクロ波・ミリ波モジュールに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大に伴い、高速・大容
量データ伝送手段として、マイクロ波やミリ波のような
高周波での無線通信が注目されている。このような通信
においては送受信機として、アンテナとマイクロ波・ミ
リ波回路とを一体化させた、小型・軽量で高性能のアン
テナ一体化マイクロ波・ミリ波回路が必要となってく
る。
量データ伝送手段として、マイクロ波やミリ波のような
高周波での無線通信が注目されている。このような通信
においては送受信機として、アンテナとマイクロ波・ミ
リ波回路とを一体化させた、小型・軽量で高性能のアン
テナ一体化マイクロ波・ミリ波回路が必要となってく
る。
【０００３】従来のスロットアンテナは、マイクロスト
リップ線路のストリップ導体の開放端に対し、誘電体を
介して、対抗する位置にスロットを設け、マイクロスト
リップ線路とスロットを電磁的に結合する構造になって
いる。
リップ線路のストリップ導体の開放端に対し、誘電体を
介して、対抗する位置にスロットを設け、マイクロスト
リップ線路とスロットを電磁的に結合する構造になって
いる。
【０００４】図４は従来のスロットアンテナを示す多層
基板の断面図である。図において、１０１はスルーホー
ル、１０２はストリップ導体の接続導体、１０３はトリ
プレート型ストリップ線路、１０４はスロット孔であ
る。放射素子としては、スロットアンテナが用いられ、
ＲＦ信号回路を含めてトリプレート型ストリップ線路１
０３で構成され、これらが多層基板構成にされている。
電磁波はこれらのＲＦ信号回路を経由してスロット孔１
０４から放射され、各誘電体基板間は多数のスルーホー
ル１０１により接続されている。また、スロットアンテ
ナの周辺にも多数のスルーホール１０１が形成されてい
る（例えば、電子通信学会総合全国大会講演論文集（１
９８２）参照）。
基板の断面図である。図において、１０１はスルーホー
ル、１０２はストリップ導体の接続導体、１０３はトリ
プレート型ストリップ線路、１０４はスロット孔であ
る。放射素子としては、スロットアンテナが用いられ、
ＲＦ信号回路を含めてトリプレート型ストリップ線路１
０３で構成され、これらが多層基板構成にされている。
電磁波はこれらのＲＦ信号回路を経由してスロット孔１
０４から放射され、各誘電体基板間は多数のスルーホー
ル１０１により接続されている。また、スロットアンテ
ナの周辺にも多数のスルーホール１０１が形成されてい
る（例えば、電子通信学会総合全国大会講演論文集（１
９８２）参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来例においては、次のような欠点を有している。つま
り、アンテナ給電線路がＲＦ信号回路と一体化して、多
層基板構成をとる場合、基板間の導体接続を多く必要と
し、平行平板モードを抑制するためスロット孔周辺にも
接地導体板間を接続する多数のスルーホールを必要とす
るなど、給電回路の構造が複雑になり、作製が極めて困
難になるという課題があった。
来例においては、次のような欠点を有している。つま
り、アンテナ給電線路がＲＦ信号回路と一体化して、多
層基板構成をとる場合、基板間の導体接続を多く必要と
し、平行平板モードを抑制するためスロット孔周辺にも
接地導体板間を接続する多数のスルーホールを必要とす
るなど、給電回路の構造が複雑になり、作製が極めて困
難になるという課題があった。
【０００６】また、システムを小型にできる点ではメリ
ットを有するが、スロット孔のインピーダンスと空間の
インピーダンスにミスマッチがあり、アンテナとしての
効率が一般的に低いものであった。
ットを有するが、スロット孔のインピーダンスと空間の
インピーダンスにミスマッチがあり、アンテナとしての
効率が一般的に低いものであった。
【０００７】本発明は、以上のような事情を考慮してな
されたものであり、高効率で小型、軽量でかつ高効率な
アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールを提供す
ることを目的とする。
されたものであり、高効率で小型、軽量でかつ高効率な
アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールを提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明のアンテナ一
体化マイクロ波・ミリ波モジュールは、マイクロ波回路
またはミリ波回路が形成された半導体チップと、第１の
表面に前記半導体チップを搭載する高周波回路線路が形
成されており、第１の内層に第１のスロット孔を有し、
第１の内層に対して第１の表面とは反対側に位置する第
２の内層にアンテナ給電線路を有し、第１の表面の対面
である第２の表面に電磁波を放射する複数の第２のスロ
ット孔が形成された多層基板と、第２の表面に貼り合わ
された有機基板と、を備えたことを特徴とする。
体化マイクロ波・ミリ波モジュールは、マイクロ波回路
またはミリ波回路が形成された半導体チップと、第１の
表面に前記半導体チップを搭載する高周波回路線路が形
成されており、第１の内層に第１のスロット孔を有し、
第１の内層に対して第１の表面とは反対側に位置する第
２の内層にアンテナ給電線路を有し、第１の表面の対面
である第２の表面に電磁波を放射する複数の第２のスロ
ット孔が形成された多層基板と、第２の表面に貼り合わ
された有機基板と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】第２の発明のアンテナ一体化マイクロ波・
ミリ波モジュールは、第１の発明のアンテナ一体化マイ
クロ波・ミリ波モジュールにおいて、前記有機基板は、
前記多層基板に貼り合わせ樹脂により貼り合わせられて
おり、前記有機基板と前記貼り合わせ樹脂の厚さの合計
が、前記有機基板中における実効波長の０．１倍から
０．３倍の厚みに形成されていることを特徴とする。
ミリ波モジュールは、第１の発明のアンテナ一体化マイ
クロ波・ミリ波モジュールにおいて、前記有機基板は、
前記多層基板に貼り合わせ樹脂により貼り合わせられて
おり、前記有機基板と前記貼り合わせ樹脂の厚さの合計
が、前記有機基板中における実効波長の０．１倍から
０．３倍の厚みに形成されていることを特徴とする。
【００１０】第３の発明のアンテナ一体化マイクロ波・
ミリ波モジュールは、第１の発明または第２の発明に記
載のアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールにお
いて、前記有機基板を前記多層基板に貼り合わせる材料
が、シリコーン系樹脂、又は、フッ素を含有する樹脂か
らなることを特徴とする。
ミリ波モジュールは、第１の発明または第２の発明に記
載のアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールにお
いて、前記有機基板を前記多層基板に貼り合わせる材料
が、シリコーン系樹脂、又は、フッ素を含有する樹脂か
らなることを特徴とする。
【００１１】第４の発明のアンテナ一体化マイクロ波・
ミリ波モジュールは、マイクロ波回路またはミリ波回路
が形成された半導体チップと、前記半導体チップを搭載
する高周波回路線路と、第１のスロット孔を介して前記
高周波回路線路と電磁界結合するアンテナ給電線路と、
該アンテナ給電線路に対して第１のスロット孔とは反対
側に位置し、電磁波を放射する第２のスロット孔と、を
備えてなり、第２のスロット孔は、前記アンテナ給電線
路により給電される給電スロット孔と、給電されない無
給電スロット孔とからなり、前記無給電スロット孔と前
記給電スロット孔との間隔は、λを実効波長、ｎを１以
上の整数としたときに、略（０．５＋ｎ）λであること
を特徴とする。
ミリ波モジュールは、マイクロ波回路またはミリ波回路
が形成された半導体チップと、前記半導体チップを搭載
する高周波回路線路と、第１のスロット孔を介して前記
高周波回路線路と電磁界結合するアンテナ給電線路と、
該アンテナ給電線路に対して第１のスロット孔とは反対
側に位置し、電磁波を放射する第２のスロット孔と、を
備えてなり、第２のスロット孔は、前記アンテナ給電線
路により給電される給電スロット孔と、給電されない無
給電スロット孔とからなり、前記無給電スロット孔と前
記給電スロット孔との間隔は、λを実効波長、ｎを１以
上の整数としたときに、略（０．５＋ｎ）λであること
を特徴とする。
【００１２】第５の発明のアンテナ一体化マイクロ波・
ミリ波モジュールは、第４の発明のアンテナ一体化マイ
クロ波・ミリ波モジュールにおいて、前記無給電スロッ
ト孔と前記給電スロット孔との間隔は、λを実効波長と
したときに、略１．５λであることを特徴とする。
ミリ波モジュールは、第４の発明のアンテナ一体化マイ
クロ波・ミリ波モジュールにおいて、前記無給電スロッ
ト孔と前記給電スロット孔との間隔は、λを実効波長と
したときに、略１．５λであることを特徴とする。
【００１３】第６の発明のアンテナ一体化マイクロ波・
ミリ波モジュールは、第４の発明または第５の発明のア
ンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールにおいて、
前記高周波回路線路、第１のスロット孔、前記アンテナ
給電線路、第２のスロット孔は多層基板により構成され
ており、前記多層基板の第１の表面に前記高周波回路線
路が形成され、第１の内層に第１のスロット孔が形成さ
れ、第１の内層に対して第１の表面とは反対側に位置す
る第２の内層にアンテナ給電線路が形成され、第１の表
面の対面である第２の表面に第２のスロット孔が形成さ
れており、第２の表面に、有機基板が貼り合わされてこ
とを特徴とする。
ミリ波モジュールは、第４の発明または第５の発明のア
ンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールにおいて、
前記高周波回路線路、第１のスロット孔、前記アンテナ
給電線路、第２のスロット孔は多層基板により構成され
ており、前記多層基板の第１の表面に前記高周波回路線
路が形成され、第１の内層に第１のスロット孔が形成さ
れ、第１の内層に対して第１の表面とは反対側に位置す
る第２の内層にアンテナ給電線路が形成され、第１の表
面の対面である第２の表面に第２のスロット孔が形成さ
れており、第２の表面に、有機基板が貼り合わされてこ
とを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、実施の形態を説明するため
の全図において同一の機能を有するものは同一の符号を
付け、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて説明する。なお、実施の形態を説明するため
の全図において同一の機能を有するものは同一の符号を
付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】図１は、（ａ）本実施の形態のアンテナ一
体化モジュールの断面図、（ｂ）貼り合わせ部の拡大図
である。なお、本実施の形態では、本発明を６０ＧＨｚ
帯のミリ波モジュールに適用した例について説明する。
体化モジュールの断面図、（ｂ）貼り合わせ部の拡大図
である。なお、本実施の形態では、本発明を６０ＧＨｚ
帯のミリ波モジュールに適用した例について説明する。
【００１６】図１において、１ａは第１の誘電体基板、
１ｂは第２の誘電体基板、１ｃは第３の誘電体基板であ
り、１は１ａ、１ｂ、１ｃから構成される多層基板であ
る。２は高周波回路線路（マイクロストリップ線路）、
３、６は導体層、４、１０はスロット孔、５はアンテナ
給電線路、７は有機基板、８は半導体チップ、９は金属
キャップ、１１は接着層（樹脂層）である。
１ｂは第２の誘電体基板、１ｃは第３の誘電体基板であ
り、１は１ａ、１ｂ、１ｃから構成される多層基板であ
る。２は高周波回路線路（マイクロストリップ線路）、
３、６は導体層、４、１０はスロット孔、５はアンテナ
給電線路、７は有機基板、８は半導体チップ、９は金属
キャップ、１１は接着層（樹脂層）である。
【００１７】第１の誘電体基板１ａの一方の面（多層基
板１における第１の表面）には高周波回路線路２が金メ
ッキにより形成され、第３の誘電体基板１ｃの一方の面
（多層基板１における第２の表面）には、アンテナ素子
となる複数のスロット孔１０（例えば１６素子、３６素
子等のスロット孔）を有する導体層６と、他面（多層基
板１における第２の内層）には、複数のスロット孔１０
に給電するアンテナ給電線路５が形成されている。また
第２の誘電体基板１ｂの一方の面（多層基板１における
第１の内層）には、略全面にスロット孔４を備えた導体
層３が形成されている。なお、直流信号や中間周波数信
号を内部から外部へ出すための多層基板１の周囲には、
スルーホールが配置されているが、ここでは図示しな
い。
板１における第１の表面）には高周波回路線路２が金メ
ッキにより形成され、第３の誘電体基板１ｃの一方の面
（多層基板１における第２の表面）には、アンテナ素子
となる複数のスロット孔１０（例えば１６素子、３６素
子等のスロット孔）を有する導体層６と、他面（多層基
板１における第２の内層）には、複数のスロット孔１０
に給電するアンテナ給電線路５が形成されている。また
第２の誘電体基板１ｂの一方の面（多層基板１における
第１の内層）には、略全面にスロット孔４を備えた導体
層３が形成されている。なお、直流信号や中間周波数信
号を内部から外部へ出すための多層基板１の周囲には、
スルーホールが配置されているが、ここでは図示しな
い。
【００１８】多層基板１は線膨張係数が４〜１０ｐｐｍ
／℃のセラミック基板であり、１５０μｍ厚の３層から
なり、全体の厚みは４５０μｍ厚である。多層基板１の
表層の高周波回路線路２上に搭載する半導体チップ８
は、従来技術であるボールボンド法によりＡｕバンプが
形成されており、そのＡｕバンプを介し、熱圧着による
フリップチップ法により多層基板１上に接続されてい
る。なお、このセラミック基板としては、厚膜回路基
板、薄膜回路基板、特殊機能基板等を用いることができ
る。
／℃のセラミック基板であり、１５０μｍ厚の３層から
なり、全体の厚みは４５０μｍ厚である。多層基板１の
表層の高周波回路線路２上に搭載する半導体チップ８
は、従来技術であるボールボンド法によりＡｕバンプが
形成されており、そのＡｕバンプを介し、熱圧着による
フリップチップ法により多層基板１上に接続されてい
る。なお、このセラミック基板としては、厚膜回路基
板、薄膜回路基板、特殊機能基板等を用いることができ
る。
【００１９】また、金属キャップ９はコバール等の片面
に半田材料をクラッドした材質からなり、半田付けによ
り多層基板１に固定されている。
に半田材料をクラッドした材質からなり、半田付けによ
り多層基板１に固定されている。
【００２０】有機基板７は、有機樹脂、有機樹脂からな
る複合材料等からなる基板（具体例：ガラスフッ素基
板）であり、厚みは接着層１１と合わせて３５０μｍ厚
から８００μｍ厚である。
る複合材料等からなる基板（具体例：ガラスフッ素基
板）であり、厚みは接着層１１と合わせて３５０μｍ厚
から８００μｍ厚である。
【００２１】次に、多層基板１に形成されたアンテナ給
電線路５、高周波回路線路２、スロット孔４、１０の配
置関係を説明する。図２はその位置関係を示す図であ
り、図１の多層基板１を層厚方向に見た図である。
電線路５、高周波回路線路２、スロット孔４、１０の配
置関係を説明する。図２はその位置関係を示す図であ
り、図１の多層基板１を層厚方向に見た図である。
【００２２】この図に示すように、第２の誘電体基板１
ｂに形成されたスロット孔４に対して、第１の誘電体基
板１ａに形成された高周波線路２、及び、第３の誘電体
基板１ｃに形成されたアンテナ給電線路５は、層厚方向
に重なるように配置されている。
ｂに形成されたスロット孔４に対して、第１の誘電体基
板１ａに形成された高周波線路２、及び、第３の誘電体
基板１ｃに形成されたアンテナ給電線路５は、層厚方向
に重なるように配置されている。
【００２３】第３の誘電体基板１ｃに形成されたスロッ
ト孔１０は、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔
１０ｂとから構成されており、給電スロット孔１０ａの
みが、アンテナ給電線路５と層厚方向に重なるよう配置
されている。すなわち、給電スロット孔１０ａのみがア
ンテナ給電線路５により給電されることとなっている。
ト孔１０は、給電スロット孔１０ａと無給電スロット孔
１０ｂとから構成されており、給電スロット孔１０ａの
みが、アンテナ給電線路５と層厚方向に重なるよう配置
されている。すなわち、給電スロット孔１０ａのみがア
ンテナ給電線路５により給電されることとなっている。
【００２４】また、給電スロット孔１０ａと無給電スロ
ット孔１０ｂは、スロット孔の伸びる方向に垂直な方向
（電波が伝搬する方向（図中Ｘ方向））に交互に設けら
れており、各間隔は多層基板１中における波長（以下、
実効波長と記す）の略１．５倍に設定されている。
ット孔１０ｂは、スロット孔の伸びる方向に垂直な方向
（電波が伝搬する方向（図中Ｘ方向））に交互に設けら
れており、各間隔は多層基板１中における波長（以下、
実効波長と記す）の略１．５倍に設定されている。
【００２５】以上説明した構成の本実施の形態のアンテ
ナ一体化モジュールでは、半導体チップ８が接続された
高周波回路線路２を伝送したＲＦ信号が、スロット孔４
との構成で生じる電磁結合により、アンテナ給電線路５
を介し、スロット孔１０ａに給電され、放射される。
ナ一体化モジュールでは、半導体チップ８が接続された
高周波回路線路２を伝送したＲＦ信号が、スロット孔４
との構成で生じる電磁結合により、アンテナ給電線路５
を介し、スロット孔１０ａに給電され、放射される。
【００２６】このスロット孔１０ａから放射された電磁
波の一部は、多層基板内に洩れ、導体層３で反射され
る。この電磁波はスロット孔１０ａの伸びる方向に対し
て垂直方向に、より顕著に洩れる。また、電磁波は導体
層３で反射する位相が反転する。ここで、アンテナ給電
線路５で給電されるスロット孔１０ａに対して、多層基
板内での実効波長に対して略１．５波長に相当する位置
に無給電のスロット孔１０ｂがあり、且つ、給電スロッ
ト孔１０ａと導体層３との間隔が実効波長に対して無視
できるほど小さいため、上記の洩れ電磁波は、給電スロ
ット孔１０ａと同位相で無給電スロット孔１０ｂから放
射されることになる。したがって、無給電スロット孔１
０ｂは無給電であるにも関わらず、あたかも給電スロッ
ト孔１０ａと同様に働く。
波の一部は、多層基板内に洩れ、導体層３で反射され
る。この電磁波はスロット孔１０ａの伸びる方向に対し
て垂直方向に、より顕著に洩れる。また、電磁波は導体
層３で反射する位相が反転する。ここで、アンテナ給電
線路５で給電されるスロット孔１０ａに対して、多層基
板内での実効波長に対して略１．５波長に相当する位置
に無給電のスロット孔１０ｂがあり、且つ、給電スロッ
ト孔１０ａと導体層３との間隔が実効波長に対して無視
できるほど小さいため、上記の洩れ電磁波は、給電スロ
ット孔１０ａと同位相で無給電スロット孔１０ｂから放
射されることになる。したがって、無給電スロット孔１
０ｂは無給電であるにも関わらず、あたかも給電スロッ
ト孔１０ａと同様に働く。
【００２７】以上より、本来は洩れ電磁波として基板端
から放射される無効な電磁波を、本実施の形態の構成で
は、所望の電磁波として放射することが可能となる。
から放射される無効な電磁波を、本実施の形態の構成で
は、所望の電磁波として放射することが可能となる。
【００２８】また、本実施の形態のように配列すること
により、例えば、図２に記載の例では給電スロット孔１
０ａが１６素子であるのに対して、全スロット孔数は３
６素子となり、全体として給電スロット孔１０ａの２倍
以上のスロット孔を具備することが可能となる。したが
って、すべてのスロット孔に対して給電する場合と比較
して、アンテナ給電線路５を短くすることが可能である
ため、アンテナ給電線路５における伝送損を低減でき、
その結果アンテナ効率を高めることが可能となる。
により、例えば、図２に記載の例では給電スロット孔１
０ａが１６素子であるのに対して、全スロット孔数は３
６素子となり、全体として給電スロット孔１０ａの２倍
以上のスロット孔を具備することが可能となる。したが
って、すべてのスロット孔に対して給電する場合と比較
して、アンテナ給電線路５を短くすることが可能である
ため、アンテナ給電線路５における伝送損を低減でき、
その結果アンテナ効率を高めることが可能となる。
【００２９】なお、ここでは、給電スロット孔１０ａと
無給電スロット孔１０ｂの間隔を実効波長の略１．５倍
にとしたが、これに限るものではなく、多層基板１内で
の実効波長に対して、略（０．５＋ｎ）倍（ｎは０以上
の整数）であれば、それぞれのスロット孔から放射され
る電磁波の位相が同相となる。但し、上記間隔が実効波
長の略０．５倍であるときには、給電スロット孔１０ａ
同士の間隔の間隔が略１波長となり、ある給電スロット
孔１０ａからの漏れ電磁波が位相が反転して隣の給電ス
ロット１０ａから放射されることになるため、電磁波が
弱められてしまう。したがって、給電スロット孔１０ａ
と無給電スロット孔１０ｂの間隔は、略（０．５＋ｎ）
倍（ｎは１以上の整数）であることが望ましい。ここ
で、ｎが大きくなると、無給電スロット１０ｂからの放
射量が減るため、ｎ＝１のときに最も大きな効果を得る
ことができる。なお、給電スロット孔１０ａと無給電ス
ロット孔１０ｂの間隔が実効波長の（０．５＋ｎ）倍
（ｎは１以上の整数）である場合（例えば１．５倍であ
る場合）、給電スロット孔１０ａ同士の間隔は略（１＋
２ｎ）波長分（例えば３波長分）となり、上述のよう
に、ある給電スロット孔１０ａからの漏れ電磁波が位相
が反転して隣の給電スロット１０ａから放射されること
になるが、それらの間隔は３波長以上であるため、ほと
んど問題とはならない。
無給電スロット孔１０ｂの間隔を実効波長の略１．５倍
にとしたが、これに限るものではなく、多層基板１内で
の実効波長に対して、略（０．５＋ｎ）倍（ｎは０以上
の整数）であれば、それぞれのスロット孔から放射され
る電磁波の位相が同相となる。但し、上記間隔が実効波
長の略０．５倍であるときには、給電スロット孔１０ａ
同士の間隔の間隔が略１波長となり、ある給電スロット
孔１０ａからの漏れ電磁波が位相が反転して隣の給電ス
ロット１０ａから放射されることになるため、電磁波が
弱められてしまう。したがって、給電スロット孔１０ａ
と無給電スロット孔１０ｂの間隔は、略（０．５＋ｎ）
倍（ｎは１以上の整数）であることが望ましい。ここ
で、ｎが大きくなると、無給電スロット１０ｂからの放
射量が減るため、ｎ＝１のときに最も大きな効果を得る
ことができる。なお、給電スロット孔１０ａと無給電ス
ロット孔１０ｂの間隔が実効波長の（０．５＋ｎ）倍
（ｎは１以上の整数）である場合（例えば１．５倍であ
る場合）、給電スロット孔１０ａ同士の間隔は略（１＋
２ｎ）波長分（例えば３波長分）となり、上述のよう
に、ある給電スロット孔１０ａからの漏れ電磁波が位相
が反転して隣の給電スロット１０ａから放射されること
になるが、それらの間隔は３波長以上であるため、ほと
んど問題とはならない。
【００３０】次に、有機基板７について説明する。
【００３１】上述したように、有機基板７は多層基板１
に対して電磁波の放射側に貼り合わせられている。この
貼り合わせは、例えば以下のように行う。まず、半導体
チップ８が搭載された多層基板１の他方の面上に、接着
剤や樹脂をディスペンサー等で塗布し、貼りあわせる基
板コーナーには位置ずれ防止のために、仮止め用のＵＶ
樹脂を前記接着剤や前記樹脂と同様に多層基板の他方の
面上に塗布する。次に、金属キャップ９された多層基板
１をステージ内に加工した凹状を有する部分に載置し吸
着する。前記有機基板７を加圧ツールに吸着させ、前記
多層基板１と前記有機基板７を位置合せし、接着剤や樹
脂を介し、基板１，７同士を貼り付ける。
に対して電磁波の放射側に貼り合わせられている。この
貼り合わせは、例えば以下のように行う。まず、半導体
チップ８が搭載された多層基板１の他方の面上に、接着
剤や樹脂をディスペンサー等で塗布し、貼りあわせる基
板コーナーには位置ずれ防止のために、仮止め用のＵＶ
樹脂を前記接着剤や前記樹脂と同様に多層基板の他方の
面上に塗布する。次に、金属キャップ９された多層基板
１をステージ内に加工した凹状を有する部分に載置し吸
着する。前記有機基板７を加圧ツールに吸着させ、前記
多層基板１と前記有機基板７を位置合せし、接着剤や樹
脂を介し、基板１，７同士を貼り付ける。
【００３２】本実施の形態のアンテナ一体化モジュール
では、多層基板１上の高周波回路線路２を伝送したＲＦ
信号はスロット孔４との構成で生じる電磁界結合によ
り、アンテナ給電線路５を介し、複数のスロット孔１０
に給電される。有機基板７を有していない場合、スロッ
ト孔１０のインピーダンスは空間のインピーダンスと異
なるため、前記複数からなるスロット孔１０から空間に
直接、電磁波を放射しようとしても、インピーダンス不
整合により反射され、アンテナ特性の低下が生じる。そ
こで、本実施の形態では、複数のスロット孔１０を全面
覆うように、有機基板７を貼り合わせることにより、各
スロット孔１０から放射される有機基板内の表面波を互
いに相殺し、電波を高効率で空間に放射することを可能
としている。
では、多層基板１上の高周波回路線路２を伝送したＲＦ
信号はスロット孔４との構成で生じる電磁界結合によ
り、アンテナ給電線路５を介し、複数のスロット孔１０
に給電される。有機基板７を有していない場合、スロッ
ト孔１０のインピーダンスは空間のインピーダンスと異
なるため、前記複数からなるスロット孔１０から空間に
直接、電磁波を放射しようとしても、インピーダンス不
整合により反射され、アンテナ特性の低下が生じる。そ
こで、本実施の形態では、複数のスロット孔１０を全面
覆うように、有機基板７を貼り合わせることにより、各
スロット孔１０から放射される有機基板内の表面波を互
いに相殺し、電波を高効率で空間に放射することを可能
としている。
【００３３】図３は、有機基板厚７に対するスロットア
ンテナの６０ＧＨｚ帯でのアンテナ特性のシミュレーシ
ョン結果を示す図である。この図より、特に、有機基板
厚７が６００μｍ厚であるときにアンテナゲインが最大
となり、３５０μｍから８００μｍ厚程度が好ましいこ
とが分かる。実際には、貼り合わせに用いる接着層（樹
脂層）１１の厚みもアンテナ特性に関係してくるため、
モジュールを構成する有機基板７と接着層１１の厚みの
合計が、３５０μｍ厚から８００μｍ厚（有機基板７内
での実効波長の０．１倍〜０．３倍）程度が望ましい。
なお、ここでは、接着層１１は有機基板７よりもはるか
に薄いため、接着層１１の屈折率等の特性は有機基板７
と同等であると仮定している。
ンテナの６０ＧＨｚ帯でのアンテナ特性のシミュレーシ
ョン結果を示す図である。この図より、特に、有機基板
厚７が６００μｍ厚であるときにアンテナゲインが最大
となり、３５０μｍから８００μｍ厚程度が好ましいこ
とが分かる。実際には、貼り合わせに用いる接着層（樹
脂層）１１の厚みもアンテナ特性に関係してくるため、
モジュールを構成する有機基板７と接着層１１の厚みの
合計が、３５０μｍ厚から８００μｍ厚（有機基板７内
での実効波長の０．１倍〜０．３倍）程度が望ましい。
なお、ここでは、接着層１１は有機基板７よりもはるか
に薄いため、接着層１１の屈折率等の特性は有機基板７
と同等であると仮定している。
【００３４】ところで、線膨張係数が１桁異なる有機基
板７を多層基板１の一体化すると、通常２５ｍｍあたり
１０μｍ以上の反りが生じる。本実施の形態では、それ
を防止するために、有機基板７を多層基板１に貼り付け
る接着層１１としては、シリコーン系樹脂を使用し、そ
の厚さを２５μｍ〜１００μｍとすることにより搭載さ
れている半導体チップに過剰な負荷を与えず、高い信頼
性を有するモジュールを得ることができる。また、低加
圧で基板同士を貼り合わせることが可能になる。
板７を多層基板１の一体化すると、通常２５ｍｍあたり
１０μｍ以上の反りが生じる。本実施の形態では、それ
を防止するために、有機基板７を多層基板１に貼り付け
る接着層１１としては、シリコーン系樹脂を使用し、そ
の厚さを２５μｍ〜１００μｍとすることにより搭載さ
れている半導体チップに過剰な負荷を与えず、高い信頼
性を有するモジュールを得ることができる。また、低加
圧で基板同士を貼り合わせることが可能になる。
【００３５】さらに、フッ素系樹脂等の誘電率が小さい
接着剤や樹脂、例えば３．５以下の誘電率である接着剤
や樹脂を用いることにより、更なるアンテナ特性の向上
が可能になる。
接着剤や樹脂、例えば３．５以下の誘電率である接着剤
や樹脂を用いることにより、更なるアンテナ特性の向上
が可能になる。
【００３６】次に具体例について説明する。
【００３７】（実施例１）比誘電率４〜１０のセラミッ
クからなる多層基板１として、比誘電率８．９のアルミ
ナセラミックを用い、高周波回路線路２とスロット孔４
を有する導体層３をタングステンメタライズによって同
時焼成して形成し、その後、高周波回路線路２と導体層
６の表面に金メッキを施した。また、複数からなるスロ
ット孔１０の表面には、接着剤（樹脂）としてシリコー
ン樹脂（誘電率３．１）を用い、接着剤（樹脂）の厚み
を変化させたサンプルと有機基板厚を変化させたサンプ
ルを試作した。
クからなる多層基板１として、比誘電率８．９のアルミ
ナセラミックを用い、高周波回路線路２とスロット孔４
を有する導体層３をタングステンメタライズによって同
時焼成して形成し、その後、高周波回路線路２と導体層
６の表面に金メッキを施した。また、複数からなるスロ
ット孔１０の表面には、接着剤（樹脂）としてシリコー
ン樹脂（誘電率３．１）を用い、接着剤（樹脂）の厚み
を変化させたサンプルと有機基板厚を変化させたサンプ
ルを試作した。
【００３８】なお、接着剤（樹脂）の厚みは、貼り合わ
せる時や樹脂硬化時の加圧条件によりコントロールで
き、本実施例では、接着層（樹脂層）１１の厚みを２５
μｍ厚と１００μｍ厚のサンプルを作製した。
せる時や樹脂硬化時の加圧条件によりコントロールで
き、本実施例では、接着層（樹脂層）１１の厚みを２５
μｍ厚と１００μｍ厚のサンプルを作製した。
【００３９】多層基板１と有機基板７を貼合せ、実際に
サンプルを作製し、測定した結果を表１に示す。
サンプルを作製し、測定した結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１に示すように、複数のスロット孔１０
上に有機基板７を貼り合わせる事により、高効率のアン
テナが形成出来ることが示唆される。特に、トータル厚
み（有機基板厚＋接着層厚）が６２５μｍ厚の場合が最
も高ゲインであった。
上に有機基板７を貼り合わせる事により、高効率のアン
テナが形成出来ることが示唆される。特に、トータル厚
み（有機基板厚＋接着層厚）が６２５μｍ厚の場合が最
も高ゲインであった。
【００４２】（実施例２）複数のスロット孔１０の表面
に、接着剤（樹脂）として、シリコーン樹脂より誘電率
（２．９）が低いフッ素系樹脂を用い、多層基板１と有
機基板７を貼合せ、実施例１と同様に、実際にサンプル
を作製し、測定した結果を表２に示す。
に、接着剤（樹脂）として、シリコーン樹脂より誘電率
（２．９）が低いフッ素系樹脂を用い、多層基板１と有
機基板７を貼合せ、実施例１と同様に、実際にサンプル
を作製し、測定した結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
【００４４】表２と表１を比較すると、有機基板７の厚
さ（４５０μｍ、６００μｍ）及び接着層の厚さ（１０
０μｍ）が同じ場合、表２の誘電率が低いフッ素系樹脂
（フッ素を含有する樹脂）を用いた方が、高効率化を実
現できることが分かる。
さ（４５０μｍ、６００μｍ）及び接着層の厚さ（１０
０μｍ）が同じ場合、表２の誘電率が低いフッ素系樹脂
（フッ素を含有する樹脂）を用いた方が、高効率化を実
現できることが分かる。
【００４５】以上、本実施の形態について説明したが、
本発明はこれに限られるものではない。例えば、ここで
は６０ＧＨｚ帯に使用する場合について述べたが、この
周波数に限るものではない。特に周波数が５０〜７０Ｇ
Ｈｚでは、上述した実施の形態と同一の構成により同一
の効果を得ることができる。また、モジュールの構成も
図１に限るものではない。さらに、図２にて示したスロ
ット孔１０も、１６素子に給電している場合を説明した
が、この場合限りではなく、異なる素子数の場合でも効
果は同様である。また、ここでは給電スロット孔１０ａ
と無給電スロット孔１０ｂを交互に配列したが、スロッ
ト孔１０の伸びる方向に垂直な方向における、各給電ス
ロット孔１０ａ間に無給電スロット孔１０ｂを２個づつ
配置しても良い。
本発明はこれに限られるものではない。例えば、ここで
は６０ＧＨｚ帯に使用する場合について述べたが、この
周波数に限るものではない。特に周波数が５０〜７０Ｇ
Ｈｚでは、上述した実施の形態と同一の構成により同一
の効果を得ることができる。また、モジュールの構成も
図１に限るものではない。さらに、図２にて示したスロ
ット孔１０も、１６素子に給電している場合を説明した
が、この場合限りではなく、異なる素子数の場合でも効
果は同様である。また、ここでは給電スロット孔１０ａ
と無給電スロット孔１０ｂを交互に配列したが、スロッ
ト孔１０の伸びる方向に垂直な方向における、各給電ス
ロット孔１０ａ間に無給電スロット孔１０ｂを２個づつ
配置しても良い。
【００４６】
【発明の効果】本発明では、有機基板を貼り合わせるこ
とにより、また、さらに接着層も含めた全体の厚さを規
定することにより、スロットアンテナの効率を上げるこ
とが可能になり、高効率なスロットアンテナを得ること
ができる。したがって、特性が良好なアンテナ一体化マ
イクロ・ミリ波モジュールを提供できる。
とにより、また、さらに接着層も含めた全体の厚さを規
定することにより、スロットアンテナの効率を上げるこ
とが可能になり、高効率なスロットアンテナを得ること
ができる。したがって、特性が良好なアンテナ一体化マ
イクロ・ミリ波モジュールを提供できる。
【００４７】また、スロット孔を給電スロット孔と無給
電スロット孔とで構成することにより、アンテナ給電線
路における伝送損を低減でき、その結果アンテナ効率を
高めることが可能となる。
電スロット孔とで構成することにより、アンテナ給電線
路における伝送損を低減でき、その結果アンテナ効率を
高めることが可能となる。
【図１】本発明のアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モ
ジュールの実施の形態を示す図である。
ジュールの実施の形態を示す図である。
【図２】図１におけるスロット孔、アンテナ給電線路等
の配置を示す図である。
の配置を示す図である。
【図３】有機基板厚とゲインとの関係を示す図である。
【図４】従来のスロットアンテナを示す多層基板の断面
図である。
図である。
１ 多層基板 １ａ 第１の誘電体基板 １ｂ 第２の誘電体基板 １ｃ 第３の誘電体基板 ２ 高周波回路線路（マイクロストリップ線路） ３、６ 導体層 ４、１０ スロット孔 ５ アンテナ給電線路 ７ 有機基板 ８ 半導体チップ ９ 金属キャップ １０ａ 給電スロット孔 １０ｂ 無給電スロット孔 １１ 接着層（樹脂層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北岡 幸喜 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5J021 AA01 AB05 CA03 EA04 FA17 FA20 FA26 FA29 GA01 GA08 HA05 HA07 HA10 JA07 5J045 AA06 AB05 AB06 DA06 EA07 HA03 MA04 NA01
Claims (6)
- 【請求項１】 マイクロ波回路またはミリ波回路が形成
された半導体チップと、 第１の表面に前記半導体チップを搭載する高周波回路線
路が形成されており、第１の内層に第１のスロット孔を
有し、第１の内層に対して第１の表面とは反対側に位置
する第２の内層にアンテナ給電線路を有し、第１の表面
の対面である第２の表面に電磁波を放射する複数の第２
のスロット孔が形成された多層基板と、 第２の表面に貼り合わされた有機基板と、を備えたこと
を特徴とするアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュ
ール。 - 【請求項２】 請求項１に記載のアンテナ一体化マイク
ロ波・ミリ波モジュールにおいて、 前記有機基板は、前記多層基板に貼り合わせ樹脂により
貼り合わせられており、 前記有機基板と前記貼り合わせ樹脂の厚さの合計が、前
記有機基板中における実効波長の０．１倍から０．３倍
の厚みに形成されていることを特徴とするアンテナ一体
化マイクロ波・ミリ波モジュール。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のアンテ
ナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールにおいて、 前記有機基板を前記多層基板に貼り合わせる材料が、シ
リコンを含有する樹脂またはフッ素を含有する樹脂から
なることを特徴とするアンテナ一体化マイクロ波・ミリ
波モジュール。 - 【請求項４】 マイクロ波回路またはミリ波回路が形成
された半導体チップと、 前記半導体チップを搭載する高周波回路線路と、 第１のスロット孔を介して前記高周波回路線路と電磁界
結合するアンテナ給電線路と、 該アンテナ給電線路に対して第１のスロット孔とは反対
側に位置し、電磁波を放射する第２のスロット孔と、を
備えてなり、 第２のスロット孔は、前記アンテナ給電線路により給電
される給電スロット孔と、給電されない無給電スロット
孔とからなり、 前記無給電スロット孔と前記給電スロット孔との間隔
は、λを実効波長、ｎを１以上の整数としたときに、略
（０．５＋ｎ）λであることを特徴とするアンテナ一体
化マイクロ波・ミリ波モジュール。 - 【請求項５】 請求項４に記載のアンテナ一体化マイク
ロ波・ミリ波モジュールにおいて、 前記無給電スロット孔と前記給電スロット孔との間隔
は、λを実効波長としたときに、略１．５λであること
を特徴とするアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュ
ール。 - 【請求項６】 請求項４または請求項５に記載のアンテ
ナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュールにおいて、 前記高周波回路線路、第１のスロット孔、前記アンテナ
給電線路、第２のスロット孔は多層基板により構成され
ており、 前記多層基板の第１の表面に前記高周波回路線路が形成
され、第１の内層に第１のスロット孔が形成され、第１
の内層に対して第１の表面とは反対側に位置する第２の
内層にアンテナ給電線路が形成され、第１の表面の対面
である第２の表面に第２のスロット孔が形成されてお
り、 第２の表面に、有機基板が貼り合わされてことを特徴と
するアンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116010A JP3629399B2 (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール |
| US09/835,356 US6388623B1 (en) | 2000-04-18 | 2001-04-17 | Antenna-integrated microwave-millimeter wave module |
| DE10118742A DE10118742B4 (de) | 2000-04-18 | 2001-04-17 | Mikrowellen-Millimeterwellen-Modul mit integrierter Antenne |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116010A JP3629399B2 (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308631A true JP2001308631A (ja) | 2001-11-02 |
| JP3629399B2 JP3629399B2 (ja) | 2005-03-16 |
Family
ID=18627521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000116010A Expired - Fee Related JP3629399B2 (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6388623B1 (ja) |
| JP (1) | JP3629399B2 (ja) |
| DE (1) | DE10118742B4 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011091598A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、無線伝送システム |
| JP2012070253A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 無線装置 |
| CN104051440A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有天线的半导体结构 |
| CN110717306A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-21 | 博微太赫兹信息科技有限公司 | 一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000295030A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nec Corp | 高周波装置およびその製造方法 |
| JP3570359B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2004-09-29 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
| US6633260B2 (en) * | 2001-10-05 | 2003-10-14 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Electromechanical switching for circuits constructed with flexible materials |
| US6818985B1 (en) * | 2001-12-22 | 2004-11-16 | Skyworks Solutions, Inc. | Embedded antenna and semiconductor die on a substrate in a laminate package |
| WO2005041352A1 (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-06 | Proofcap Ab | Device with integrated antenna for encapsulation of radio electronics and a method for fabrication of such devices |
| WO2003105274A2 (en) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | University Of Florida | High gain integrated antenna and devices therefrom |
| FR2847726B1 (fr) * | 2002-11-27 | 2005-03-04 | St Microelectronics Sa | Module radiofrequence |
| JP2004260786A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-09-16 | Fujitsu Ltd | アンテナ素子、平面アンテナ、配線基板及び通信装置 |
| US7444734B2 (en) * | 2003-12-09 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Apparatus and methods for constructing antennas using vias as radiating elements formed in a substrate |
| DE102004029440A1 (de) | 2004-06-18 | 2006-01-12 | Infineon Technologies Ag | Sende-/Empfangs-Einrichtung |
| US7057564B2 (en) * | 2004-08-31 | 2006-06-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multilayer cavity slot antenna |
| US7511664B1 (en) * | 2005-04-08 | 2009-03-31 | Raytheon Company | Subassembly for an active electronically scanned array |
| US7391382B1 (en) * | 2005-04-08 | 2008-06-24 | Raytheon Company | Transmit/receive module and method of forming same |
| US7456789B1 (en) | 2005-04-08 | 2008-11-25 | Raytheon Company | Integrated subarray structure |
| DE102006023123B4 (de) * | 2005-06-01 | 2011-01-13 | Infineon Technologies Ag | Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge mit einem Halbleitermodul mit Komponenten für Höchstfrequenztechnik in Kunststoffgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit Komponenten für ein Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge in einem Kunststoffgehäuse |
| DE602006010168D1 (de) * | 2006-01-24 | 2009-12-17 | Nokia Siemens Networks Spa | Antennenvorrichtung mit ungleichmäßig beabstandeten Elementen |
| US7477197B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-01-13 | Intel Corporation | Package level integration of antenna and RF front-end module |
| US8077095B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-12-13 | Intel Corporation | Multi-band highly isolated planar antennas integrated with front-end modules for mobile applications |
| WO2011056774A2 (en) * | 2009-11-03 | 2011-05-12 | Digi International Inc. | Compact satellite antenna |
| US9825597B2 (en) | 2015-12-30 | 2017-11-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Impedance transformation circuit for amplifier |
| US10062670B2 (en) | 2016-04-18 | 2018-08-28 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal |
| US10297913B2 (en) | 2016-05-04 | 2019-05-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Shielded radio frequency component with integrated antenna |
| JP6687469B2 (ja) * | 2016-06-14 | 2020-04-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | ミリ波帯通信装置 |
| US10515924B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-12-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency modules |
| CN110828962B (zh) | 2018-08-09 | 2021-08-03 | 财团法人工业技术研究院 | 天线阵列模块及其制造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2840493B2 (ja) * | 1991-12-27 | 1998-12-24 | 株式会社日立製作所 | 一体型マイクロ波回路 |
| US5455594A (en) * | 1992-07-16 | 1995-10-03 | Conductus, Inc. | Internal thermal isolation layer for array antenna |
| JP3141692B2 (ja) * | 1994-08-11 | 2001-03-05 | 松下電器産業株式会社 | ミリ波用検波器 |
| US5463404A (en) * | 1994-09-30 | 1995-10-31 | E-Systems, Inc. | Tuned microstrip antenna and method for tuning |
| US5596336A (en) * | 1995-06-07 | 1997-01-21 | Trw Inc. | Low profile TEM mode slot array antenna |
| FR2743199B1 (fr) * | 1996-01-03 | 1998-02-27 | Europ Agence Spatiale | Antenne reseau plane hyperfrequence receptrice et/ou emettrice, et son application a la reception de satellites de television geostationnaires |
| JPH09307342A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | アンテナ装置 |
| JP3472430B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | アンテナ一体化高周波回路 |
| JP3373753B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2003-02-04 | 株式会社東芝 | 超高周波帯無線通信装置 |
| US6114997A (en) * | 1998-05-27 | 2000-09-05 | Raytheon Company | Low-profile, integrated radiator tiles for wideband, dual-linear and circular-polarized phased array applications |
-
2000
- 2000-04-18 JP JP2000116010A patent/JP3629399B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-17 DE DE10118742A patent/DE10118742B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-17 US US09/835,356 patent/US6388623B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011091598A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、無線伝送システム |
| JP2012070253A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 無線装置 |
| CN104051440A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有天线的半导体结构 |
| CN104051440B (zh) * | 2013-03-15 | 2017-03-01 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有天线的半导体结构 |
| CN110717306A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-21 | 博微太赫兹信息科技有限公司 | 一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构 |
| CN110717306B (zh) * | 2019-10-10 | 2023-03-14 | 博微太赫兹信息科技有限公司 | 一种利用薄膜电路设计实现多级放大器芯片馈电电路结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10118742A1 (de) | 2001-11-08 |
| DE10118742B4 (de) | 2007-11-22 |
| JP3629399B2 (ja) | 2005-03-16 |
| US20020070901A1 (en) | 2002-06-13 |
| US6388623B1 (en) | 2002-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3629399B2 (ja) | アンテナ一体化マイクロ波・ミリ波モジュール | |
| EP1515389B1 (en) | Multilayer high frequency device with planar antenna thereon and manufacturing method thereof | |
| US8760342B2 (en) | Circuit board, high frequency module, and radar apparatus | |
| US8256685B2 (en) | Compact millimeter wave packages with integrated antennas | |
| JP3266491B2 (ja) | 高周波用パッケージ | |
| US8164167B2 (en) | Integrated circuit structure and a method of forming the same | |
| US8081125B2 (en) | Antenna and radio IC device | |
| US7239222B2 (en) | High frequency circuit module | |
| US7276987B2 (en) | High frequency line-to-waveguide converter and high frequency package | |
| EP0939451A1 (en) | Slot antenna | |
| US11211689B2 (en) | Chip antenna | |
| KR101062124B1 (ko) | 무선 ｉｃ 디바이스 | |
| WO2002003499A1 (en) | Radio communication device with integrated antenna, transmitter, and receiver | |
| CN111555020A (zh) | 片式天线及包括该片式天线的片式天线模块 | |
| JP2012151829A (ja) | フレキシブルプリント配線基板及び無線通信モジュール | |
| CN109326584B (zh) | 封装天线及其制造方法 | |
| JP3427040B2 (ja) | 高周波用パッケージ | |
| WO2020149138A1 (ja) | アンテナモジュールおよびそれを搭載した通信装置、ならびにアンテナモジュールの製造方法 | |
| KR20200008716A (ko) | 칩 안테나 모듈 | |
| CN112310611A (zh) | 片式天线 | |
| KR20100010276A (ko) | 다층구조 패키지 및 이를 이용한 위상배열 레이다송수신모듈 패키지 | |
| KR102382241B1 (ko) | 칩 안테나 및 이를 포함하는 칩 안테나 모듈 | |
| JP2003017909A (ja) | 高周波回路基板とその製造方法 | |
| CN114069233A (zh) | 一种相控阵天线 | |
| JP4309529B2 (ja) | アンテナ一体型分波器基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040402 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040402 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040511 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040708 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040812 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040907 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041104 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041130 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071217 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |