JP2001305513A - 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生産工程を短縮化することができ、電極のシ
ョートや断線を防止することができる液晶装置の製造方
法を提供する。 【解決手段】 一方の表面の少なくとも電極を形成する
領域（画素領域）２０内に、所定のパターンの複数の凸
部１１ａと、隣接する凸部１１ａ間に形成された凹部１
１ｂとを有する基板本体１１Ａを製造する。その後、基
板本体１１Ａの表面上の少なくとも画素領域２０内に電
極材料を成膜することにより、凸部１１ａと凹部１１ｂ
の表面上に導電膜１５を形成し、凸部１１ａの平坦部１
１ａ１の表面上に形成された導電膜１５Ａと、凹部１１
ｂの表面上に形成された導電膜１５Ｂのうち少なくとも
一方の導電膜を電極とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置の製造方
法、液晶装置及び電子機器に係り、特にストライプ状の
電極を形成する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１９に、プラスチックフィルム基板を
用いた従来の単純マトリックス型の液晶（表示）装置１
００の部分概略断面構造を示し、この液晶装置の構造に
ついて説明する。

【０００３】図１９に示すように、液晶装置１００にお
いて、基板（下側基板）１０１と対向基板（上側基板）
１０２とがそれぞれの基板の周縁部においてシール材１
０４を介して所定間隔で貼着され、基板１０１、対向基
板１０２間に液晶層１０３が挟持されている。

【０００４】基板１０１は、プラスチックフィルム基板
からなる基板本体１０１Ａと、その液晶層１０３側表面
上に順次積層形成された複数の電極１０５と配向膜１０
７とから構成されている。また、対向基板１０２は、プ
ラスチックフィルム基板からなる基板本体１０２Ａと、
その液晶層１０３側表面上に順次積層形成された複数の
電極１０６と配向膜１０８とから構成されている。

【０００５】基板本体１０１Ａ、対向基板１０２Ａの表
面上において、電極１０５、１０６はストライプ状に形
成され、電極１０５と１０６とは互いに交差するように
形成されている。電極１０６はインジウム錫酸化物（以
下、ＩＴＯと記載する。）などの透明な導電材料からな
り、電極１０５はＩＴＯなどの光を透過する透明な導電
材料、あるいはアルミニウム、銀などの光を反射する不
透明な導電材料からなっている。

【０００６】液晶装置１００において、配向膜１０７、
１０８間には多数の球状のスペーサー１０９が配置され
ている。また、基板１０１、対向基板１０２の外側には
位相差板、偏光板などの光学素子が設置されているが、
図面上は省略している。

【０００７】上記の液晶装置１００の基板本体１０１
Ａ、１０２Ａの内部構造について説明する。基板本体１
０１Ａ、１０２Ａは、ポリカーボネート系、ポリアクリ
レート系、ポリエーテルサルフォン系、ポリオレフィン
系等の透明な高分子からなる厚さ０．４×１０^-3ｍ
（０．４ｍｍ）以下のプラスチックフィルムを基材と
し、その両面に、ガスを透過しないガスバリア層と保護
層とが積層形成されてなるものである。

【０００８】また、上記の液晶装置１００の電極１０
５、１０６を形成する際には、蒸着法、スパッタリング
法、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法などによ
り、基板本体１０１Ａ上の全面にＩＴＯなどの電極材料
からなる導電膜を形成した後、導電膜上の全面に所定の
フォトレジストを塗布し、フォトレジストの露光、現像
を行い、フォトレジストを所定のパターンに形成する。
次に、導電膜を所定のパターンにエッチングすることに
より、所定のパターンの電極１０５、１０６が形成され
る。

【０００９】また、一般に、基板本体としてプラスチッ
クフィルム基板を用いることにより、液晶装置を軽量化
できるという利点の他に、基板本体を湾曲させることが
できるので、曲面表示可能な液晶装置を提供することが
できるという利点がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の電極の形
成方法は工程が多いため、生産効率が悪く、生産コスト
が高いという問題点を有している。

【００１１】また、電極を形成する際のフォトレジスト
の現像工程において、酸性又はアルカリ性の現像液を用
いてフォトレジストの現像を行うが、このとき現像液に
より基板本体が損傷される場合があり、基板本体が破損
しやすくなるという恐れがある。また、現像液により導
電膜も損傷される場合があり、形成される電極のパター
ンが欠損し、断線するという恐れがある。

【００１２】また、従来の電極の形成方法においては、
導電膜を基板本体の全面に形成した後、所定のパターン
にエッチングすることにより、所定のパターンの電極を
形成している。そのため、不要な導電膜がエッチングさ
れずに残存し、隣接する電極が電気的に接続され、ショ
ートしてしまうという恐れがある。また、導電膜が必要
な部分までエッチングされて、電極のパターンが欠損
し、断線する恐れもある。

【００１３】また、上記の液晶装置の基板、対向基板に
おいて、電極が形成された部分と、形成されていない部
分とが存在する。その結果、例えば、高温高湿下におい
ては、プラスチックフィルムが膨張し、基板本体は膨張
するが、電極が形成された部分においては、基板本体が
硬い電極に固定されているので、膨張が抑制される。こ
のように、基板、対向基板の電極が形成された部分は膨
張せず、電極が形成されていない部分だけが膨張する結
果、基板、対向基板に部分的に歪みが発生する場合があ
る。基板、対向基板において歪みが生じた部分では、基
板本体のガスバリア層が薄くなる箇所が発生するため、
基板本体のガスバリア性が低下して、液晶層内に気泡が
発生し、液晶装置の品質が悪化するという恐れがある。

【００１４】また、プラスチックフィルム基板からなる
基板本体はガラス等に比較して耐熱性が無いため、製造
工程中において、加熱或いは加圧により、基板本体表面
に凹凸が形成され、基板本体表面の平坦性が低下し、液
晶セルのセルギャップが不均一になるという恐れがあ
る。

【００１５】液晶セルのセルギャップに分布が生じる
と、液晶装置において、表示性能が悪化することが知ら
れている。特に、ＳＴＮ(Super Twisted Nematic)モー
ドの液晶装置においては、Δｎ・ｄ値（但し、Δｎは液
晶の複屈折率、ｄはセルギャップ）の変化により光の透
過率が変化することが知られており、Δｎ・ｄ値の変
化、すなわちセル厚ｄの分布が大きいと光透過率すなわ
ち明るさに分布が発生するため、コントラストが低下
し、色むらが生じ、表示品質が悪化するという問題があ
る。

【００１６】さらに、従来、曲面表示可能な液晶装置を
製造する場合、プラスチックフィルム基板からなる基板
本体の表面上に電極及び配向膜を形成し、基板と対向基
板とを形成した後、基板と対向基板とを所定の形状に湾
曲させてから、基板と対向基板とをシール材を介して貼
着しているが、表面上に電極が形成された基板本体を湾
曲させる際に、電極にひびが発生し、電極が断線すると
いう恐れがある。

【００１７】以上の問題は、プラスチックフィルム基板
を用いた液晶装置において顕著に生じる問題であるが、
ガラス基板やシリコン基板などプラスチックフィルム基
板以外の基板本体を用いた液晶装置においても生じる問
題である。

【００１８】また、以上の問題は単純マトリックス型の
液晶装置に限った問題ではなく、ＴＦＤ（Thin Film Di
ode）素子を用いたアクティブマトリックス型の液晶装
置などいかなる液晶装置においても生じる問題である。

【００１９】そこで、本発明は上記問題点を解決し、生
産工程を短縮化することができ、電極のショートや断線
を防止することができる液晶装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。また、この液晶装置の製造方法によ
り、電極のショートや断線を防止することができ、信頼
性が高く、表示品質の優れた液晶装置を提供することを
目的とする。

【００２０】さらに、この液晶装置を備えることによ
り、信頼性が高く、表示品質の優れた電子機器を提供す
ることを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明が講じた手段は、基板本体に電極を形成する工
程を含む液晶装置の製造方法であって、前記基板本体に
凸部及び凹部を形成する工程、前記基板本体の前記凸部
及び凹部に導電膜を成膜する工程、を具備してなり、前
記凸部に成膜された前記導電膜と、前記凹部に成膜され
た前記導電膜とが互いに電気的に独立することを特徴と
する。

【００２２】この手段によれば、あらかじめ基板本体の
表面に所定のパターンの凸部と凹部を形成した後、該基
板本体の表面上に電極材料を成膜することにより、基板
本体の凸部と凹部とに導電膜を形成するので、形成され
る導電膜は凸部のパターンあるいは凹部のパターンを有
するものとなり、エッチングすることなく所定のパター
ンの導電膜を形成することができ、凸部に成膜された導
電膜と、凹部に成膜された導電膜のうち少なくとも一方
の導電膜を電極とすることにより所定のパターンの電極
を形成することができる。

【００２３】したがって、上記の手段によれば、従来の
ように、フォトレジストの塗布、フォトレジストの露
光、フォトレジストの現像、導電膜のエッチング等の工
程が不要となり、電極を形成する工程は基板本体の表面
上に電極材料を成膜する工程のみになるので、生産工程
を短縮化することができる。また、この液晶装置の製造
方法によれば、フォトレジストの現像、導電膜のエッチ
ングの工程が不要になるため、現像、エッチングの工程
で生じる恐れのある電極のショートや断線を防止するこ
とができる。

【００２４】また、上記の手段によれば、基板本体とし
てプラスチックフィルム基板を用いる場合、基板本体の
表面上の少なくとも電極を形成する領域（画素領域）の
全域に硬い導電膜を形成するので、基板の強度を向上す
ることができる。また、基板本体の表面にガス透過性の
低い導電膜を形成するので、基板のガスバリア性が著し
く向上する。

【００２５】また、導電膜を形成した後、基板本体の表
面上に配向膜を形成し、配向膜表面を布などによりラビ
ングすることにより配向膜を所定の方向に配向させる
が、凹部上に形成される配向膜のラビング処理が難しい
ため、上記の手段において、凸部に成膜された導電膜の
みを電極とすることが望ましい。

【００２６】しかしながら、導電膜上に配向膜からなる
平坦化膜を形成する、あるいは導電膜上に有機膜又は無
機膜からなる平坦化膜を介して配向膜を形成することに
より、配向膜表面を平坦化することができるので、この
場合には凹部上に形成された配向膜表面のラビング処理
を行うことができる。

【００２７】また、平坦化膜を形成しなくても、液晶層
を垂直配向させる場合など、特定の配向処理を行う場合
には、凹部上に形成された配向膜のラビング処理が不完
全でも、液晶層を所定の方向に配向させることができ
る。

【００２８】このような場合には、凹部に成膜された導
電膜も電極とすることができ、凸部に成膜された導電膜
と、凹部に成膜された導電膜の両方を電極とすることが
できる。凸部に成膜された導電膜と、凹部に成膜された
導電膜の両方を電極とすることにより隣接する電極間の
間隔を無くすことができるので、特に、単純マトリック
ス型の液晶装置においては、開口率を向上することがで
きるとともに高精細化を図ることができる。

【００２９】また、凸部と凹部との間に導電膜が成膜さ
れる場合には、凸部に成膜された導電膜と凹部に成膜さ
れた導電膜とが電気的に接続されて電極がショートする
恐れがあるため、凸部と凹部との間に成膜された導電膜
を除去することが望ましい。

【００３０】また、上記の手段において、液晶装置のセ
ルギャップを均一化するために、基板本体上に導電膜を
形成した後、該導電膜上に有機膜又は無機膜からなる平
坦化膜を形成することが望ましい。平坦化膜は、配向処
理された配向膜からなってもよいし、配向膜とは異なる
膜からなってもよい。

【００３１】さらに、平坦化膜を形成した後、平坦面を
有するプレス用部材を用い、該プレス用部材の平坦面を
平坦化膜表面に接触させて、平坦化膜表面をプレスす
る、あるいは平坦化膜表面を研磨する、あるいは平坦化
膜表面近傍を基板本体に対して平行な方向に切削するこ
とにより、平坦化膜表面の平坦性をより高くすることが
望ましい。このように、表面の平坦性の高い平坦化膜を
形成することにより、液晶装置のセルギャップを均一化
することができる。

【００３２】また、上記の手段は、基板本体が、ポリカ
ーボネート系、ポリアクリレート系、ポリエーテルサル
フォン系、ポリオレフィン系等からなる高分子基材を含
むものである場合に、特に有効な手段である。

【００３３】また、上記の手段によれば、導電膜をエッ
チングする必要がないので、基板本体に凸部と凹部を形
成した後、該基板本体を所定の形状に湾曲させてから凸
部と凹部に導電膜を形成することができ、この方法によ
れば、従来のように、電極を形成してから基板を湾曲さ
せないので、曲面表示可能な液晶装置を製造する場合に
も電極の断線を防止することができる。

【００３４】また、上記の液晶装置の製造方法におい
て、基板本体に縦断面が略矩形状の凸部をストライプ状
に複数形成することにより、ストライプ状の電極を具備
する単純マトリックス型あるいはＴＦＤ素子などの２端
子型素子を用いたアクティブマトリックス型の液晶装置
を製造することができる。

【００３５】また、上記の液晶装置の製造方法におい
て、基板本体に、凸部の側面と凹部とのなす角が鋭角に
なるように凸部と凹部を形成し、かつ凸部をストライプ
状に複数形成することによっても、単純マトリックス型
あるいはＴＦＤ素子などの２端子型素子を用いたアクテ
ィブマトリックス型の液晶装置を製造することができ
る。

【００３６】この場合には、凸部の側面と凹部とのなす
角が鋭角になっているので、基板本体上に電極材料を成
膜する際に、凸部の側面上に電極材料が成膜されるのを
完全に防止することができるので、凸部と凹部に成膜さ
れた導電膜が電気的に接続されず、電極のショートを防
止することができる。

【００３７】以上の液晶装置の製造方法により、対向し
て配置した一対の基板本体間に液晶が挟持されてなり、
前記一対の基板本体のうち一方の基板本体の内面側には
前記液晶を駆動する電極が形成されてなる液晶装置にお
いて、前記一方の基板本体の内面には凸部及び凹部が形
成されており、その凸部及び凹部には導電膜が形成さ
れ、前記凸部に形成された前記導電膜と、前記凹部に形
成された前記導電膜とが互いに電気的に独立してなり、
前記凸部に形成された導電膜、前記凹部に形成された導
電膜、またはその両方が、前記液晶を駆動する電極であ
ることを特徴とする液晶装置を提供することができる。

【００３８】この液晶装置は、電極のショートや断線が
防止され、信頼性が高く、表示品質の優れたものとな
る。

【００３９】さらに、この液晶装置を備えることによ
り、信頼性が高く、表示品質の優れた電子機器を提供す
ることができる。

【００４０】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。

【００４１】第１実施形態 図１〜図３に基づき、本発明に係る第１実施形態の単純
マトリックス型の液晶（表示）装置１の構造について説
明する。図１、図２は、液晶装置１の部分概略断面図で
あり、図３は、液晶装置１の部分概略斜視図である。な
お、図３においては、簡略化のため、液晶装置１の下側
基板の基板本体と対向基板（上側基板）の基板本体のみ
を示している。また、図１は図３に示す液晶装置１をＡ
１−Ａ１’方向に切断したときの断面図であり、図２は
図３に示す液晶装置１をＢ１−Ｂ１’方向に切断したと
きの断面図である。また、図１〜図３において、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材の縮尺は実際のものとは異なるように表し
ている。

【００４２】図１、図２に示すように、液晶装置１おい
て、基板（下側基板）１１と、対向基板（上側基板）１
２とがそれぞれの基板の周縁部においてシール材１４を
介して所定間隔で貼着され、基板１１、対向基板１２間
に液晶層１３が挟持されている。

【００４３】基板１１は、プラスチックフィルム基板か
らなる基板本体１１Ａと、その液晶層１３側表面上に順
次積層形成された導電膜１５と配向膜１７とを主体に構
成されている。また、対向基板１２は、プラスチックフ
ィルム基板からなる基板本体１２Ａと、その液晶層１３
側表面上に順次積層形成された導電膜１６と配向膜１８
とを主体に構成されている。液晶装置１において、導電
膜１５、１６の一部分が電極となっている。導電膜１
５、１６において電極になっている部分については後述
する。

【００４４】配向膜１７、１８間には液晶装置１のセル
ギャップを均一化するために、二酸化珪素、ポリスチレ
ン等からなる多数の球状のスペーサー１９が配置されて
いる。また、基板１１、対向基板１２の外側には位相差
板、偏光板などの光学素子が設置されているが、図面上
は省略している。

【００４５】また、図１、図２において、電極が形成さ
れた領域（画素領域）を符号２０で示している。

【００４６】基板本体１１Ａ、１２Ａの全体構造につい
て詳しく説明する。基板本体１１Ａ、１２Ａの内部構造
の詳細については後述する。

【００４７】図１〜図３に示すように、基板本体１１
Ａ、１２Ａの液晶層１３側表面において、少なくとも電
極が形成された領域（画素領域）２０には、縦断面が矩
形状の複数の凸部１１ａ、１２ａがストライプ状に形成
され、隣接する凸部１１ａ、１２ａ間には平坦な凹部１
１ｂ、１２ｂが形成されている。図１〜図３に示すよう
に、凹部１１ｂ、１２ｂもストライプ状に複数形成され
ている。また、凸部１１ａと凸部１２ａ、あるいは凹部
１１ｂと凹部１２ｂは、互いに交差するするように形成
されている。

【００４８】図１、図２には、例として、基板本体１１
Ａ、１２Ａの表面において、画素領域２０内にのみ凸部
１１ａ、１２ａが形成されている場合について示してい
る。図１、図２に示すように、基板本体１１Ａ、１２Ａ
の表面において、画素領域２０の外側は凹部１１ｃ、１
２ｃとなっている。また、液晶装置１において、凸部１
１ａ、１２ａの平坦部を１１ａ１、１２ａ１とし、凸部
１１ａ、１２ａの側面を１１ａ２、１２ａ２とする。次
に、導電膜１５、１６の形成領域と構造について説明す
る。

【００４９】図１、図２に示すように、基板本体１１
Ａ、１２Ａの表面上において、少なくとも画素領域２０
内には導電膜１５、１６が形成されている。また、シー
ル材１４の外側の領域には配線や駆動回路等を配設する
ため、これらの配線等をショートさせないために、導電
膜１５、１６はシール材１４より内側の領域にのみ形成
されていることが望ましい。導電膜１５、１６の端部を
１５ｅ、１６ｅとする。

【００５０】図１、図２には、例として、導電膜１５、
１６の端部１５ｅ、１６ｅが、画素領域２０より外側で
かつシール材１４の内端面より内側に位置している場合
について示している。また、基板本体１１Ａ、１２Ａの
表面上において、凸部１１ａ、１２ａの側面１１ａ２、
１２ａ２上には導電膜１５、１６は形成されていない。
すなわち、本実施形態においては、導電膜１５、１６は
凸部１１ａ、１２ａの平坦部１１ａ１、１２ａ１の表面
上、凹部１１ｂ、１２ｂの表面上、及び凹部１１ｃ、１
２ｃの一部分の表面上に形成されている。

【００５１】導電膜１５、１６において、凸部１１ａ、
１２ａの平坦部１１ａ１、１２ａ１の表面上に形成され
たものを導電膜１５Ａ、１６Ａとし、導電膜１５、１６
において、凹部１１ｂ、１２ｂの表面上に形成されたも
のを１５Ｂ、１６Ｂとする。

【００５２】本実施形態において、凸部１１ａ、１２ａ
の高さが、導電膜１５、１６の膜厚の１．１倍以上とな
っていることが望ましい。このように凸部１１ａ、１２
ａの高さが設定されることにより、凸部１１ａ、１２ａ
の平坦部１１ａ１、１２ａ１の表面上に形成された導電
膜１５Ａ、１６Ａと、凹部１１ｂ、１２ｂの表面上に形
成された導電膜１５Ｂ、１６Ｂとを非接触にすることが
でき、導電膜１５Ａと１５Ｂ、あるいは導電膜１６Ａと
１６Ｂとがショートすることを防止することができる。

【００５３】導電膜１５、１６を１０^-8〜１０³Ω、よ
り好ましくは１０^-8〜１０²Ωの低抵抗とするために、
導電膜１５、１６の膜厚を２〜１０００×１０^-9ｍ（２
ｎｍ〜１μｍ）に設定することが望ましい。

【００５４】したがって、凸部１１ａ、１２ａの高さ
は、液晶装置１がＳＴＮ(Super Twisted Nematic)モー
ドの場合、例えば０．１〜０．２×１０^-6ｍ（０．１〜
０．２μｍ）、ＴＮ(Twisted Nematic)モードの場合、
例えば０．１〜１．０×１０^-6ｍ（０．１〜１．０μ
ｍ）に設定される。基板本体１１Ａ、１２Ａの凹部１１
ｂ、１２ｂが形成された領域の厚みは、５０×１０^-6ｍ
〜０．４×１０^-3ｍ（５０μｍ〜０．４ｍｍ）、通常１
００〜２５０×１０^-6ｍ（１００〜２５０μｍ）程度と
なっているので、図１、図２では凸部１１ａ、１２ａの
高さを誇張しているが、実際の凸部１１ａ、１２ａの高
さは、基板本体１１Ａ、１２Ａの厚みに比較して非常に
薄いものとなっている。

【００５５】導電膜１６は、インジウム錫酸化物（以
下、ＩＴＯと記載する。）などの透明な導電材料からな
り、導電膜１５は、ＩＴＯなどの光を透過する透明な導
電材料、あるいはアルミニウム、銀などの光を反射する
不透明な導電材料からなっている。

【００５６】本実施形態において、導電膜１５、１６の
うち、凸部１１ａ、１２ａの表面上に形成された導電膜
１５Ａ、１６Ａのみが電極となっている。導電膜１５
Ａ、１６Ａの一方の端部は図示は省略している引回し配
線に電気的に接続され、引回し配線を介して図示は省略
している駆動回路に電気的に接続されている。

【００５７】また、導電膜１５、１６の表面上には１．
０〜５０×１０^-8ｍ（０．０１ 〜０．５μｍ）程度の
膜厚のポリイミドなどの配向性高分子からなる配向膜１
７、１８が形成されている。

【００５８】ここで、基板本体１１Ａ、１２Ａの内部構
造について詳しく説明する。基板本体１１Ａと１２Ａと
は同様の内部構造を有しているので、基板本体１１Ａの
内部構造を例として説明する。

【００５９】図４に、基板本体１１Ａの概略断面構造を
拡大して示し、基板本体１１Ａの内部構造を詳細に説明
する。

【００６０】基板本体１１Ａは、ポリカーボネート系、
ポリアクリレート系、ポリエーテルサルフォン系、ポリ
オレフィン系等の透明な高分子からなる厚さ０．４×１
０^-3ｍ（０．４ｍｍ）以下のプラスチックフィルム２１
を基材とし、プラスチックフィルム２１の図示上側と図
示下側の表面上の全面に二酸化珪素などからなる、ガス
を透過しないガスバリア層２２が形成され、ガスバリア
層２２の表面上に基板本体１１Ａの強度を確保するため
のフェノキシ樹脂などからなる保護層２３が形成されて
なるものである。

【００６１】プラスチックフィルム２１の図示上側の表
面には、基板本体１１Ａの凸部１１ａと凹部１１ｂのパ
ターンが形成されている。プラスチックフィルム２１表
面の凸部を２１ａ、凹部を２１ｂとする。また、凸部２
１ａの平坦部を２１ａ１とし、凸部２１ａの側面を２１
ａ２とする。基板本体１１Ａの凸部１１ａは、プラスチ
ックフィルム２１の凸部２１ａと、凸部２１ａの平坦部
２１ａ１と側面２１ａ２上に形成されたガスバリア層２
２と保護層２３とから構成されている。また、基板本体
１１Ａの凹部１１ｂは、凹部２１ｂと、凹部２１ｂ上に
形成されたガスバリア層２２と保護層２３とから構成さ
れている。

【００６２】次に、本実施形態の液晶装置の製造方法に
ついて説明する。はじめに、図５(a)〜(c)に基板１１の
製造工程を示し、基板１１の製造方法について説明す
る。

【００６３】はじめに、図５(a)に示すように、少なく
とも電極が形成される領域（画素領域）２０内におい
て、表面に複数の凸部１１ａと凹部１１ｂとが形成され
た基板本体１１Ａを製造する。基板本体１１Ａの構造は
図１〜図３に示したものと同一であるので、基板本体１
１Ａの構造の説明は省略する。また、基板本体１１Ａの
製造方法の詳細については後述する。

【００６４】次に、図５(b)に示すように、基板本体１
１Ａの表面上の少なくとも電極が形成される領域（画素
領域）２０を含む領域であって、シール材１４が形成さ
れる領域よりも内側の領域に、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、蒸着法などの方法によりＩＴＯなどの電極材料を
成膜することにより、導電膜１５を形成する。基板本体
１１Ａの周縁部をマスク等で覆うことにより、所定の領
域にのみ導電膜１５を形成することができる。

【００６５】このとき、図１、図２において説明したよ
うに、導電膜１５は、凸部１１ａの平坦部１１ａ１の表
面上、凹部１１ｂの表面上、及び凹部１１ｃの一部分の
表面上に形成される。

【００６６】この基板本体１１Ａの表面上に電極材料を
成膜する工程において、基板本体１１Ａの凸部１１ａの
側面１１ａ２は、平坦部１１ａ１に対し垂直方向に形成
されているので、凸部１１ａの側面１１ａ２上に電極材
料が成膜される場合がある。凸部１１ａの側面１１ａ２
上に電極材料が成膜されると、凸部１１ａの平坦部１１
ａ１の表面上に形成された導電膜１５Ａと、凹部１１ｂ
の表面上に形成された導電膜１５Ｂとが電気的に接続さ
れ、電極がショートする恐れがある。

【００６７】そこで、凸部１１ａの側面１１ａ２上に電
極材料が成膜された場合、０．１〜３．０規定の塩酸水
溶液等の無機酸の水溶液に数秒程度、基板本体１１Ａを
浸漬させるなどして、側面１１ａ２上に成膜された電極
材料を除去することが望ましい。

【００６８】凸部１１ａの側面１１ａ２上に成膜された
電極材料は、凸部１１ａの平坦部１１ａ１の表面上ある
いは凹部１１ａ２の表面上に成膜された電極材料に比較
して膜厚が極めて薄いので、０．１〜１規定の濃度の薄
い無機酸の水溶液に数秒程度、基板本体１１Ａを浸漬す
るだけで、凸部１１ａの側面１１ａ２上に成膜された電
極材料のみを除去することができるとともに、凸部１１
ａの平坦部１１ａ１及び凹部１１ｂの表面上に成膜され
た電極材料の損傷を防止することができる。

【００６９】次に、図５(c)に示すように、導電膜１５
の表面上にポリイミドなどからなる配向性高分子膜を形
成し、配向性高分子膜表面を布などでラビングすること
により、少なくとも凸部１１ａ、導電膜１５Ａ上に位置
された配向性高分子膜の配向処理を行うことにより配向
膜１７を形成し、基板１１が製造される。

【００７０】ここで、基板本体１１Ａの製造方法につい
て詳しく説明する。基板本体１１Ａの製造方法を図４に
基づき、説明する。

【００７１】はじめに、キャスト法、連続キャスト法、
プレス成形法などの方法によって、表面に凸部２１ａと
凹部２１ｂとが形成された、ポリカーボネート系、ポリ
アクリレート系、ポリエーテルサルフォン系、ポリオレ
フィン系等の透明な高分子からなるプラスチックフィル
ム２１を形成する。

【００７２】キャスト法、連続キャスト法によってプラ
スチックフィルム２１を形成する場合、凸部２１ａ、凹
部２１ｂのパターンが形成された型上に溶融させた高分
子をキャストすることにより、表面に凸部２１ａと凹部
２１ｂとが形成されたプラスチックフィルム２１を形成
することができる。

【００７３】また、プレス成形法によりプラスチックフ
ィルム２１を形成する場合、押し出し法により平坦なプ
ラスチックフィルムを形成した後、平坦なプラスチック
フィルムをガラス転移点以上に加熱し、柔軟性を持た
せ、凸部２１ａ、凹部２１ｂのパターンが形成された型
を用いてプラスチックフィルムの表面をプレスすること
により、表面に凸部２１ａと凹部２１ｂとが形成された
プラスチックフィルム２１を形成することができる。

【００７４】次に、プラスチックフィルム２１の図示上
側と図示下側の表面上に二酸化珪素などをスパッタリン
グするなどしてガスバリア層２２を形成する。

【００７５】最後に、ガスバリア層２２の表面上にフェ
ノキシ樹脂などからなる保護層２３を形成し、基板本体
１１Ａが製造される。

【００７６】本実施形態において、基板本体１１Ａ、基
板１１の製造方法についてのみ説明したが、基板本体１
２Ａ、対向基板１２も同様に製造することができる。

【００７７】次に、基板１１と対向基板１２とから液晶
装置１を製造する方法を簡単に説明する。

【００７８】基板１１上にスペーサー１９を散布した
後、基板１１と対向基板１２とをシール材１４を介して
貼着し、基板１１、対向基板１２間に液晶を注入し液晶
層１３を形成する。その後、基板１１、対向基板１２の
外側に偏光板、位相差板などの光学素子を取り付けるこ
とにより液晶装置１が製造される。

【００７９】本実施形態の液晶装置の製造方法によれ
ば、あらかじめ表面に所定のパターンの複数の凸部１１
ａ、１２ａと複数の凹部１１ｂ、１２ｂが形成された基
板本体１１Ａ、１２Ａを製造した後、基板本体１１Ａ、
１２Ａ上に電極材料を成膜することにより、基板本体１
１Ａ、１２Ａの凸部１１ａ、１２ａの表面上と凹部１１
ｂ、１２ｂの表面上とに導電膜１５、１６を形成するの
で、エッチングすることなく所定のパターンの導電膜１
５、１６を形成することができ、凸部１１ａ、１２ａの
表面上に形成された導電膜１５Ａ、１６Ａと、凹部１１
ｂ、１２ｂの表面上に形成された導電膜１５Ｂ、１６Ｂ
のうち少なくとも一方の導電膜を電極とすることにより
所定のパターンの電極を形成することができる。

【００８０】本実施形態の液晶装置の製造方法によれ
ば、従来のように、フォトレジストの塗布、フォトレジ
ストの露光、フォトレジストの現像、導電膜のエッチン
グ等の工程が不要となり、電極を形成する工程は、基板
本体１１Ａ、１２Ａ上に電極材料を成膜する工程だけに
なるので、生産工程を短縮化することができる。

【００８１】また、本実施形態の液晶装置の製造方法に
よれば、フォトレジストの現像、導電膜のエッチングの
工程が不要になるため、現像、エッチングの工程で生じ
る恐れのある電極のショートや断線を防止することがで
きる。

【００８２】また、本実施形態の液晶装置の製造方法に
よれば、基板本体１１Ａ、１２Ａの表面上において、少
なくとも電極を形成する領域（画素領域２０）の全域に
導電膜１５、１６を形成するので、基板１１、対向基板
１２の強度を向上することができるとともに、基板１
１、対向基板１２のガスバリア性を向上することができ
る。

【００８３】また、本実施形態の液晶装置の製造方法に
おいて、凹部１１ｂ、１２ｂの表面上に形成される配向
膜１７、１８のラビング処理が難しいため、凸部１１
ａ、１２ａの平坦部１１ａ１、１２ａ１の表面上に形成
される導電膜１５Ａ、１６Ａのみを電極とすることが望
ましい。

【００８４】しかしながら、液晶層１３を垂直配向させ
る場合など、特定の配向処理を行う場合には、凹部１１
ｂ、１２ｂの表面上に形成された配向膜１７、１８の配
向処理が不完全でも、液晶層１３を所定の方向に配向さ
せることができる。このような場合には、凹部１１ｂ、
１２ｂの表面上に形成された導電膜１５Ｂ、１６Ｂのみ
を電極とすることもできる。

【００８５】以上説明したように、本実施形態の液晶装
置の製造方法により製造された液晶装置１は、電極のシ
ョートや断線を防止することができ、信頼性が高く、表
示品質の優れたものとなる。

【００８６】第２実施形態 曲面表示可能な単純マトリックス型の液晶装置の製造方
法について説明する。

【００８７】例として、図６(a)、(b)、図７、図８に、
第１実施形態の液晶装置１の基板本体１１Ａ、１２Ａを
用いて、曲面表示可能な単純マトリックス型の液晶装置
１０を製造する工程を示し、本実施形態の液晶装置の製
造方法について説明する。

【００８８】図６(a)、(b)、図７、図８は、部分概略断
面図である。また、図６〜図８において、各層や各部材
を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や
各部材の縮尺は実際のものとは異なるように表してい
る。また、図６〜図８において、液晶装置１と同じ構成
要素には同じ参照符号を付し、説明は省略する。

【００８９】第１実施形態において、図５(a)で説明し
たように、基板本体１１Ａと対向基板１２Ａとを製造す
る。基板本体１１Ａと対向基板１２Ａとを図６(a)に示
す。基板本体１１Ａ、１２Ａの構造は第１実施形態にお
いて説明したので、説明は省略する。

【００９０】次に、図６(b)に示すように、基板本体１
１Ａ、１２Ａを所定の形状に湾曲させる。湾曲された基
板本体１１Ａ、１２Ａを基板本体１１１Ａ、１１２Ａと
する。図６(b)には、一例として、基板本体１１Ａ、１
２Ａを図示下側が凸になるように湾曲させる場合につい
て示している。

【００９１】次に、図７に示すように、基板本体１１１
Ａ、１１２Ａの表面上の少なくとも画素領域２０内にＩ
ＴＯなどの電極材料を成膜することにより導電膜１１
５、１１６を形成し、導電膜１１５、１１６の表面上に
配向膜１１７、１１８を形成する。導電膜１１５、１１
６及び配向膜１１７、１１８の形成方法及び形成領域
は、第１実施形態の導電膜１５、１６及び配向膜１７、
１８の形成方法及び形成領域と同様であるので、説明は
省略する。また、導電膜１１５、１１６のうち、電極と
なる部分も、第１実施形態と同様である。このようにし
て、曲面表示可能な液晶装置用の基板（下側基板）１１
１と対向基板（上側基板）１１２とが製造される。

【００９２】次に、図８に示すように、基板１１１の表
面上にスペーサー１９を散布した後、基板１１１と対向
基板１１２をシール材１４を介して貼着し、基板１１
１、対向基板１１２間に液晶を注入することにより曲面
表示可能な液晶装置１０が製造される。

【００９３】本実施形態の液晶装置の製造方法によれ
ば、あらかじめ表面に所定のパターンの複数の凸部１１
ａ、１２ａと複数の凹部１１ｂ、１２ｂが形成された基
板本体１１Ａ、１２Ａを製造した後、基板本体１１Ａ、
１２Ａを所定の形状に湾曲させてから、凸部１１ａと凹
部１１ｂの表面上に導電膜１１５、１１６を形成するこ
とができ、この方法によれば、従来のように、電極を形
成してから基板を湾曲させないので、曲面表示可能な液
晶装置を製造する場合にも電極の断線を防止することが
できる。

【００９４】第３実施形態 図９に基づき、本発明に係る第３実施形態の単純マトリ
ックス型の液晶（表示）装置２の構造について説明す
る。図９は、液晶装置２の部分概略断面図である。本実
施形態の液晶装置２の基本構成は第１実施形態とほぼ同
様であり、異なる点は電極の表面上に平坦化膜となって
いる配向膜を設けた点のみである。したがって、液晶装
置２の概略斜視図は、第１実施形態において、図３に示
したものと同様であるので省略する。また、図９におい
て、液晶装置１と同じ構成要素には同じ参照符号を付
し、説明は省略する。

【００９５】図９に示すように、液晶装置２において、
基板（下側基板）３１と、対向基板（上側基板）３２と
がそれぞれの基板の周縁部においてシール材１４を介し
て所定間隔で貼着され、基板３１、対向基板３２間に液
晶層１３が挟持されている。

【００９６】基板３１は、基板本体１１Ａと、その液晶
層１３側表面上に順次積層形成された導電膜１５と配向
膜３７とを主体に構成されている。また、対向基板３２
は、基板本体１２Ａと、その液晶層１３側表面上に順次
積層形成された導電膜１６と配向膜３８とを主体に構成
されている。

【００９７】基板本体１１Ａ、１２Ａの構造及び導電膜
１５、１６の構造と形成領域は、第１実施形態と同様で
あるので、説明は省略する。また、第１実施形態と同
様、導電膜１５、１６のうち、基板本体１１Ａ、１２Ａ
の凸部１１ａ、１２ａの表面上に形成された導電膜１５
Ａ、１６Ａのみが電極となっている。

【００９８】本実施形態において、導電膜１５、１６の
表面上には、ポリイミドなどの配向性高分子からなる
０．１〜１５×１０^-6ｍ（０．１〜１５μｍ）程度の膜
厚を有する配向膜３７、３８が形成されている。配向膜
３７、３８は、第１実施形態における配向膜１７、１８
よりも厚いものとなっている。また、配向膜３７、３８
の表面は平坦化され、配向膜３７、３８は平坦化膜とな
っている。配向膜３７、３８表面の最大段差が０．５×
１０^-6ｍ（０．５μｍ）以下、より好ましくは０．１×
１０^-6ｍ以下（０．１μｍ）以下になっていることが望
ましい。

【００９９】上記の液晶装置２の配向膜３７、３８の形
成方法について説明する。

【０１００】導電膜１５、１６を形成した基板本体１１
Ａ、１２Ａの表面上にポリイミドなどからなる配向性高
分子膜を形成し、配向性高分子膜表面を布などでラビン
グすることにより、配向性高分子膜の配向処理を行い、
配向膜３７、３８が形成される。

【０１０１】このようにして形成される配向膜３７、３
８の表面の最大段差が、０．５×１０^-6ｍ（０．５μ
ｍ）より大きくなる場合がある。配向膜３７、３８の表
面の最大段差が、０．５×１０^-6ｍ（０．５μｍ）より
大きくなる場合には、配向性高分子膜表面のラビング処
理を行う前に、平坦面を有するプレス用部材を用い、該
プレス用部材の平坦面を配向性高分子膜表面に接触させ
て、配向性高分子膜表面をプレスする、あるいは配向性
高分子膜表面を研磨する、あるいは配向性高分子膜表面
近傍を基板本体１１Ａ、１２Ａに対して平行な方向に切
削することにより、配向性高分子膜表面の最大段差が
０．５×１０^-6ｍ（０．５μｍ）以下、より好ましくは
０．１×１０^-6ｍ以下（０．１μｍ）以下になるよう
に、配向性高分子膜の平坦性を高くさせてから、配向性
高分子膜のラビング処理を行うことが望ましい。

【０１０２】本実施形態の液晶装置２において、導電膜
１５、１６の表面上に平坦化膜となっている配向膜３
７、３８が形成されているので、配向膜３７、３８の全
面をラビング処理することができ、また、液晶セルのセ
ルギャップを均一化することができるので、本実施形態
の液晶装置２は、表示品質の優れたものとなる。

【０１０３】なお、本実施形態において、凸部１１ａ、
１２ａの表面上に形成された導電膜１５Ａ、１６Ａのみ
が電極となっている場合についてのみ説明したが、本発
明はこれに限定されるものではない。本実施形態におい
ては、平坦化膜となっている配向膜３７、３８が形成さ
れているので、配向膜３７、３８の全面のラビング処理
を行うことができるため、凹部１１ｂ、１２ｂの表面上
に形成された導電膜１５Ｂ、１６Ｂのみを電極とするこ
ともできる。

【０１０４】第４実施形態 図１０に基づき、本発明に係る第４実施形態の単純マト
リックス型の液晶（表示）装置３の構造について説明す
る。図１０は、液晶装置３の部分概略断面図である。本
実施形態の液晶装置３の基本構成は第１実施形態とほぼ
同様であり、異なる点は電極上に有機膜又は無機膜から
なる平坦化膜を設けた点のみである。したがって、液晶
装置３の概略斜視図は、第１実施形態において、図３に
示したものと同様であるので省略する。また、図１０に
おいて、液晶装置１と同じ構成要素には同じ参照符号を
付し、説明は省略する。

【０１０５】図１０に示すように、液晶装置３におい
て、基板（下側基板）４１と、対向基板（上側基板）４
２とがそれぞれの基板の周縁部においてシール材１４を
介して所定間隔で貼着され、基板４１、対向基板４２間
に液晶層１３が挟持されている。

【０１０６】基板４１は、基板本体１１Ａと、その液晶
層１３側表面上に順次積層形成された導電膜１５と平坦
化膜４３と配向膜４７とを主体に構成されている。ま
た、対向基板４２は、基板本体１２Ａと、その液晶層１
３側表面上に順次積層形成された導電膜１６と平坦化膜
４４と配向膜４８とを主体に構成されている。

【０１０７】基板本体１１Ａ、１２Ａの構造及び導電膜
１５、１６の構造と形成領域は、第１実施形態と同様で
あるので、説明は省略する。また、第１実施形態と同
様、導電膜１５、１６のうち、基板本体１１Ａ、１２Ａ
の凸部１１ａ、１２ａの表面上に形成された導電膜１５
Ａ、１６Ａのみが電極となっている。

【０１０８】本実施形態において、導電膜１５、１６の
表面上には、透明な有機膜又は無機膜からなる０．１〜
１５×１０^-6ｍ（０．１〜１５μｍ）の膜厚を有する平
坦化膜４３、４４が形成され、この平坦化膜４３、４４
の表面上に１．０〜５０×１０^{- 8}ｍ（０．０１〜０．５
μｍ）の膜厚を有するポリイミドなどからなる配向膜４
７、４８が形成されている。

【０１０９】本実施形態において、平坦化膜４３、４４
表面の最大段差が０．５×１０^-6ｍ（０．５μｍ）以
下、より好ましくは０．１×１０^-6ｍ（０．１μｍ）以
下になっていることが望ましい。

【０１１０】次に、上記の液晶装置３の平坦化膜４３、
４４及び配向膜４７、４８の形成方法に説明する。

【０１１１】導電膜１５、１６を形成した基板本体１１
Ａ、１２Ａの表面上に、有機膜又は無機膜を形成するこ
とにより平坦化膜４３、４４が形成される。

【０１１２】このようにして形成される平坦化膜４３、
４４の表面の最大段差が、０．５×１０^-6ｍ（０．５μ
ｍ）より大きくなる場合がある。平坦化膜４３、４４の
表面の最大段差が、０．５×１０^-6ｍ（０．５μｍ）よ
り大きくなる場合には、平坦面を有するプレス用部材を
用い、該プレス用部材の平坦面を平坦化膜４３、４４の
表面に接触させて、平坦化膜４３、４４の表面をプレス
する、あるいは平坦化膜４３、４４の表面を研磨する、
あるいは平坦化膜４３、４４の表面近傍を基板本体１１
Ａ、１２Ａに対して平行な方向に切削することにより、
平坦化膜４３、４４の表面の最大段差が０．５×１０^-6
ｍ（０．５μｍ）以下、より好ましくは０．１×１０^-6
ｍ（０．１μｍ）以下になるように、平坦化膜４３、４
４の平坦性を高くさせることが望ましい。

【０１１３】このように、表面が平坦化された平坦化膜
４３、４４の表面上に、ポリイミドなどからなる配向性
高分子膜を形成し、配向性高分子膜表面を布などでラビ
ングすることにより、配向性高分子膜の配向処理を行
い、配向膜４７、４８が形成される。

【０１１４】本実施形態の液晶装置３において、導電膜
１５、１６の表面上に平坦化膜４３、４４が形成され、
その表面上に配向膜４７、４８が形成されているので、
配向膜４３、４４の全面をラビング処理することがで
き、また、液晶セルのセルギャップを均一化することが
できるので、本実施形態の液晶装置３は、表示品質の優
れたものとなる。

【０１１５】なお、本実施形態において、凸部１１ａ、
１２ａの表面上に形成された導電膜１５Ａ、１６Ａのみ
が電極となっている場合についてのみ説明したが、本発
明はこれに限定されるものではない。本実施形態におい
ては、配向膜４７、４８が平坦化膜４３、４４の表面上
に形成され、表面が平坦化されているので、配向膜４
７、４８の全面のラビング処理を行うことができるた
め、凹部１１ｂ、１２ｂの表面上に形成された導電膜１
５Ｂ、１６Ｂのみを電極とすることもできる。

【０１１６】第１〜第４実施形態においては、基板本体
１１Ａ、１２Ａ、１１１Ａ、１１２Ａの表面において、
画素領域２０内にのみ凸部１１ａ、１２ａが形成され、
画素領域２０の外側は凹部１１ｃとなっている場合につ
いて示したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、基板本体１１Ａ、１２Ａ、１１１Ａ、１１２Ａの表
面において、画素領域２０の外側に凸部が形成されてい
ても良い。

【０１１７】また、第１〜第４実施形態においては、凸
部１１ａ、１２ａの表面上に形成された導電膜１５Ａ、
１６Ａのみ、あるいは凹部１１ｂ、１２ｂの表面上に形
成された導電膜１５Ｂ、１６Ｂのみが電極となっている
場合について説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、導電膜１５Ａ、１６Ａと導電膜１５Ｂ、１
６Ｂの両方を電極とすることもできる。

【０１１８】次に、第５実施形態において、基板本体表
面において、画素領域の外側に凸部が形成され、画素領
域内において、基板本体の凸部の表面上に形成された導
電膜と凹部の表面上に形成された導電膜の両方を電極と
した例について説明する。

【０１１９】第５実施形態 図１１、図１２に基づき、本発明に係る第５実施形態の
単純マトリックス型の液晶（表示）装置４の構造につい
て説明する。図１１、図１２は、液晶装置４の部分概略
断面図である。図１２は、図１１に示す液晶装置４をＡ
４−Ａ４’線に沿って切断したときの概略断面図であ
る。本実施形態の液晶装置４の基本構成は第３実施形態
とほぼ同様であり、異なる点は、基板本体表面におい
て、画素領域の外側に凸部が形成され、画素領域内にお
いて、基板本体の凸部の表面上に形成された導電膜と凹
部の表面上に形成された導電膜の両方を電極とした点の
みである。液晶装置４の概略斜視図は、第１実施形態に
おいて、図３に示したものと同様であるので省略する。
また、図１１、図１２において、液晶装置１、液晶装置
２と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、説明は省略
する。

【０１２０】図１１、図１２に示すように、液晶装置４
において、基板（下側基板）５１と、対向基板（上側基
板）５２とがそれぞれの基板の周縁部においてシール材
１４を介して所定間隔で貼着され、基板５１、対向基板
５２間に液晶層１３が挟持されている。

【０１２１】基板５１は、プラスチックフィルム基板か
らなる基板本体５１Ａと、その液晶層１３側表面上に順
次積層形成された導電膜５５と配向膜３７とを主体に構
成されている。また、対向基板５２は、プラスチックフ
ィルム基板からなる基板本体５２Ａと、その液晶層１３
側表面上に順次積層形成された導電膜５６と配向膜３８
とを主体に構成されている。

【０１２２】図１１、図１２に示すように、基板本体５
１Ａ、５２Ａの液晶層１３側表面において、少なくとも
画素領域２０内には、第１実施形態と同様、複数の凸部
１１ａ、１２ａと、複数の凹部１１ｂ、１２ｂとがスト
ライプ状に形成されている。本実施形態において、凸部
１１ａの幅と凹部１１ｂの幅、凸部１２ａの幅と凹部１
２ｂの幅は同一に形成されている。

【０１２３】基板本体５１Ａ、５２Ａの表面上におい
て、第１実施形態と同様、少なくとも画素領域２０内に
は導電膜５５、５６が形成されている。本実施形態にお
いて、導電膜５５、５６の形成領域は、第１実施形態の
導電膜１５、１６と同様である。 すなわち、導電膜５
５、５６の端部５５ｅ、５６ｅは、画素領域２０より外
側でかつシール材１４の内端面より内側に位置してい
る。

【０１２４】本実施形態では、基板本体５１Ａ、５２Ａ
表面において、画素領域２０の外側で導電膜５５、５６
が形成された領域は凹部５１ｃ、５２ｃとなっていて、
凹部５１ｃ、５２ｃより外側は凸部５１ｄ、５２ｄとな
っている。図１１、図１２に示す、基板本体５１Ａ、５
２Ａの画素領域２０より外側の構造は一例であって、本
発明はこれに限定されるものではない。画素領域２０よ
り外側の領域は、表示に関係のない領域であるので、基
板本体５１Ａ、５２Ａの画素領域２０より外側の構造は
いかなる構造であっても良い。

【０１２５】また、図１１、図１２に示す基板本体５１
Ａ、５２Ａは第１実施形態における基板本体１１Ａ、１
２Ａと同様、キャスト法、連続キャスト法、プレス成形
法などを用いて製造することができる。

【０１２６】導電膜５５、５６において、凸部１１ａ、
１２ａの表面上に形成されたものを導電膜５５Ａ、５６
Ａとし、導電膜５５、５６において、凹部１１ｂ、１２
ｂの表面上に形成されたものを５５Ｂ、５６Ｂとする。

【０１２７】本実施形態において、凸部１１ａ、１２ａ
の表面上に形成された導電膜５５Ａ、５６Ａと、凹部１
１ｂ、１２ｂの表面上に形成された導電膜５５Ｂ、５６
Ｂの両方が電極となっている。導電膜５５Ａ、５５Ｂ、
５６Ａ、５６Ｂの一方の端部は図示は省略している引回
し配線に電気的に接続され、引回し配線を介して図示は
省略している駆動回路に電気的に接続されている。

【０１２８】本実施形態の液晶装置４において、凸部１
１ａ、１２ａの表面上に形成された導電膜５５Ａ、５６
Ａ及び凹部１１ｂ、１２ｂの表面上に形成された導電膜
５５Ｂ、５６Ｂの両方を電極としているので、隣接する
電極間の間隔が小さく、本実施形態の液晶装置４は、開
口率が向上され、高精細化されたものとなる。

【０１２９】なお、本実施形態においては、導電膜５
５、５６の表面上に平坦化膜となっている配向膜３７、
３８が形成された場合についてのみ説明したが、第４実
施形態のように、導電膜５５、５６の表面上に有機膜又
は無機膜からなる平坦化膜を形成し、その表面上に配向
膜を設けてもよい。

【０１３０】また、液晶層１３を垂直配向させる場合な
ど、特定の配向処理を行う場合には、凹部１１ｂ、１２
ｂの表面上に形成された配向膜の配向処理が不完全で
も、液晶層１３を所定の方向に配向させることができ
る。このような場合には、導電膜５５、５６の表面上
に、第１実施形態と同様、膜厚の薄い段差のある配向膜
を形成してもよい。

【０１３１】第６実施形態 図１３、図１４に基づき、本発明に係る第６実施形態の
単純マトリックス型の液晶（表示）装置５の構造につい
て説明する。図１３、１４は、液晶装置５の部分概略断
面図である。図１４は、図１３に示す液晶装置５をＡ５
−Ａ５’線に沿って切断したときの概略断面図である。
本実施形態の液晶装置５の基本構成は第３実施形態とほ
ぼ同様であり、異なる点は基板本体表面の凸部の形状が
逆テーパー型になっている点である。図１３、図１４に
おいて、液晶装置１と同じ構成要素には同じ参照符号を
付し、説明は省略する。

【０１３２】図１３、図１４に示すように、液晶装置５
において、基板（下側基板）６１と、対向基板（上側基
板）６２とがそれぞれの基板の周縁部においてシール材
１４を介して所定間隔で貼着され、基板６１、対向基板
６２間に液晶層１３が挟持されている。

【０１３３】基板６１は、プラスチックフィルム基板か
らなる基板本体６１Ａと、その液晶層１３側表面上に順
次積層形成された導電膜６５と配向膜６７とを主体に構
成されている。また、対向基板６２は、プラスチックフ
ィルム基板からなる基板本体６２Ａと、その液晶層１３
側表面上に順次積層形成された導電膜６６と配向膜６８
とを主体に構成されている。

【０１３４】基板本体６１Ａ、６２Ａの構造について詳
しく説明する。

【０１３５】図１３、図１４に示すように、基板本体６
１Ａ、６２Ａの液晶層１３側表面において、少なくとも
画素領域２０内には、縦断面が逆テーパー型の台形の複
数の凸部６１ａ、６２ａがストライプ状に形成され、隣
接する凸部６１ａ、６２ａ間には平坦な凹部６１ｂ、６
２ｂが形成されている。

【０１３６】図１３、図１４に示すように、凹部６１
ｂ、６２ｂもストライプ状に複数形成されている。ま
た、凸部６１ａと凸部６２ａ、あるいは凹部６１ｂと凹
部６２ｂは、互いに交差するするように形成されてい
る。凸部６１ａ、６２ａの平坦部を６１ａ１、６２ａ１
とし、凸部６１ａ、６２ａの側面を６１ａ２、６２ａ２
とする。

【０１３７】また、図１３、図１４には、例として、基
板本体６１Ａ、６２Ａの表面において、画素領域２０内
にのみ凸部６１ａ、６２ａが形成されている場合につい
て示している。図１３、図１４に示すように、基板本体
６１Ａ、６２Ａの表面において、画素領域２０の外側は
凹部６１ｃ、６２ｃとなっている。

【０１３８】図１３、図１４に示す基板本体６１Ａ、６
２Ａは、第１実施形態における基板本体１１Ａ、１２Ａ
と同様、キャスト法、連続キャスト法、プレス成形法な
どを用いて製造することができる。

【０１３９】次に、導電膜６５、６６の形成領域と構造
について説明する。

【０１４０】図１３、図１４に示すように、基板本体６
１Ａ、６２Ａの表面上において、少なくとも画素領域２
０内には導電膜６５、６６が形成されている。本実施形
態では、例として、導電膜６５、６６の端部６５ｅ、６
６ｅが、画素領域２０より外側でかつシール材１４の内
端面より内側に位置している場合について示している。

【０１４１】導電膜６５、６６において、凸部６１ａ、
６２ａの表面上に形成されたものを導電膜６５Ａ、６６
Ａとし、凹部６１ｂ、６２ｂの表面上に形成されたもの
を導電膜６５Ｂ、６６Ｂとする。本実施形態において、
導電膜６５、６６において、凸部６１ａ、６２ａの表面
上に形成された導電膜６５Ａ、６６Ａのみが電極となっ
ている。導電膜６５Ａ、６６Ａの一方の端部は図示は省
略している引回し配線に電気的に接続され、引回し配線
を介して図示は省略している駆動回路に電気的に接続さ
れている。

【０１４２】また、導電膜６５、６６は、第１実施形態
の導電膜１５、１６と同様、スパッタリング法、ＣＶＤ
法、蒸着法などの方法によって形成されるが、基板本体
６１Ａ表面の凸部６１ａは逆テーパー型となっていて、
凸部の側面６１ａ２と凹部６１ｂのなす角が鋭角になっ
ているので、凹部６１ｂの表面上において、凸部６１ａ
の側面６１ａ２の図示下側に位置する領域には、電極材
料が成膜されないため導電膜６５Ｂは形成されていな
い。凹部６２ｂの表面上についても同様、凹部６２ｂの
表面上において、凸部６２ａの側面６２ａ２の図示上側
に位置する領域には、電極材料が成膜されないため導電
膜６６Ｂは形成されていない。また、凸部６１ａ、６２
ａの側面６１ａ２、６２ａ２上にも電極材料は成膜され
ない。

【０１４３】また、本実施形態において、導電膜６５、
６６の表面上には、第３実施形態と同様、平坦化膜とな
っている配向膜６７、６８が形成されている。

【０１４４】本実施形態においては、逆テーパー型の凸
部６１ａ、６２ａが形成された基板本体６１Ａ、６２Ａ
を用いるため、基板６１、対向基板６２の製造工程にお
いて、凸部６１ａ、６２ａの側面６１ａ２、６２ａ２上
に電極材料が成膜されない。そのため、本実施形態によ
れば、凸部６１ａ、６２ａの表面上に形成される６５
Ａ、６６Ａと凹部６１ｂ、６２ｂの表面上に形成される
導電膜６５Ｂ、６６Ｂとがショートすることを防止する
ことができる。

【０１４５】なお、本実施形態において、凸部６１ａ、
６２ａの表面上に形成された導電膜６５Ａ、６６Ａのみ
が電極となっている場合についてのみ説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、凹部６１ｂ、６２
ｂの表面上に形成された導電膜６５Ｂ、６６Ｂのみを電
極とすることもできる。また、導電膜６５Ａ、６６Ａと
導電膜６５Ｂ、６６Ｂの両方を電極とすることもでき
る。

【０１４６】なお、本実施形態においては、導電膜６
５、６６の表面上に平坦化膜となっている配向膜６７、
６８が形成された場合についてのみ説明したが、第１実
施形態と同様、導電膜６５、６６の表面上に、膜厚の薄
い段差のある配向膜を形成してもよいし、第３実施形態
のように、導電膜６５、６６の表面上に有機膜又は無機
膜からなる平坦化膜を形成し、その表面上に配向膜を設
けてもよい。

【０１４７】また、本実施形態において、基板本体６１
Ａ、６２Ａの表面において、画素領域２０より外側は凹
部６１ｃ、６２ｃとなっている場合についてのみ説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、画素領
域２０より外側にも凸部が形成されてもよい。

【０１４８】第７実施形態 図１５、図１６に基づき、本発明に係る第７実施形態の
スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素
子を用いた液晶（表示）装置６の構造について説明す
る。図１５は、液晶装置６の部分概略断面図、図１６
は、液晶装置６の部分概略斜視図である。図１５は図１
６に示す液晶装置６をＡ６−Ａ６’線に沿って切断した
ときの概略断面図である。また、図１５、図１６におい
て、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、各層や各部材の縮尺は実際のものとは異なる
ように表している。また、図１５、図１６において、液
晶装置１と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、説明
は省略する。なお、図１６においては、簡略化のため、
液晶装置６の対向基板（上側基板）は基板本体のみを示
し、素子基板（下側基板）の配向膜は省略している。

【０１４９】図１５、図１６に示すように、液晶装置６
において、ＴＦＤ素子などを備えた、素子基板（下側基
板）７１と、対向基板（上側基板）７２とがそれぞれの
基板の周縁部において、シール材１４を介して所定間隔
で貼着され、素子基板７１、対向基板７２間に液晶層１
３が挟持されている。また、素子基板７１、対向基板７
２の外側には位相差板、偏光板などの光学素子が設置さ
れているが、図面上は省略している。

【０１５０】図１５、図１６に示すように、素子基板７
１は、プラスチックフィルム基板からなる基板本体７１
Ａと、その液晶層１３側表面上に形成された画素電極７
３とＴＦＤ素子７４と配向膜７５とを主体として構成さ
れている。図１５に示すように、対向基板７２は、プラ
スチックフィルム基板からなる基板本体７２Ａと、その
液晶層１３側表面上に順次積層形成された、ＩＴＯなど
からなる導電膜７６と配向膜７７とを主体に構成されて
いる。

【０１５１】素子基板７１の表面上には、各画素に対応
する位置に画素電極７３が配置され、この画素電極７３
を駆動するためのＴＦＤ素子７４が各画素電極７３毎に
配置されている。また、素子基板７１の表面上には複数
の走査線７８が設けられ、各ＴＦＤ素子７４は走査線７
８に接続されている。画素電極７３は、ＩＴＯなどの光
を透過する透明な導電材料、あるいはアルミニウム、銀
などの光を反射する不透明な導電材料からなっている。

【０１５２】図１５に示すように、基板本体７２Ａの液
晶層１３側表面において、少なくとも画素領域２０内に
は、縦断面が矩形状の複数の凸部７２ａがストライプ状
に形成され、隣接する凸部７２ａ間には平坦な凹部７２
ｂが形成されている。図１５、図１６に示すように、凹
部７２ｂもストライプ状に複数形成されている。凸部７
２ａの平坦部を７２ａ１とし、凸部７２ａの側面を７２
ａ２とする。

【０１５３】図１５、図１６には、例として、基板本体
７２Ａの表面において、画素領域２０内にのみ凸部７２
ａが形成されている場合について示している。図１５に
示すように、基板本体７２Ａの表面において、画素領域
２０の外側は凹部７２ｃとなっている。

【０１５４】次に、導電膜７６の形成領域と構造につい
て説明する。

【０１５５】図１５に示すように、基板本体７２Ａの表
面上において、少なくとも画素領域２０内には導電膜７
６が形成されている。また、シール材１４の外側の領域
には配線や駆動回路等を配設するため、これらの配線等
をショートさせないために、導電膜７６はシール材１４
より内側の領域にのみ形成されていることが望ましい。
導電膜７６の端部を７６ｅとする。

【０１５６】本実施形態において、例として、導電膜７
６の端部７６ｅが、画素領域２０より外側でかつシール
材１４の内端面より内側に位置している場合について示
している。また、基板本体７１Ａ、７２Ａの表面上にお
いて、凸部７２ａの側面７２ａ２上には導電膜７６は形
成されていない。

【０１５７】導電膜７６において、凸部７２ａの表面上
に形成されたものを導電膜７６Ａとし、凹部７２ｂの表
面上に形成されたものを導電膜７６Ｂとする。本実施形
態において、導電膜７６のうち、凸部７２ａの表面上に
形成された導電膜７６Ａのみが電極となっている。導電
膜７６Ａの一方の端部は図示は省略している引回し配線
に電気的に接続され、引回し配線を介して図示は省略し
ている駆動回路に電気的に接続されている。

【０１５８】このように、本発明は、ＴＦＤ素子を用い
た上記の液晶装置６にも適用することができ、本実施形
態の対向基板７２は、第１実施形態の基板１１、対向基
板１２と同様に製造することができ、あらかじめ表面に
所定のパターンの複数の凸部７２ａと複数の凹部７２ｂ
が形成された基板本体７２Ａを製造した後、基板本体７
２Ａの表面上に電極材料を成膜することにより、基板本
体７２Ａの凸部７２ａの表面上と凹部７２ｂの表面上と
に導電膜７６を形成するので、エッチングすることなく
所定のパターンの導電膜７６を形成することができ、凸
部７２ａの表面上に形成された導電膜７６Ａと、凹部７
２ｂの表面上に形成された導電膜７６Ｂのうち一方の導
電膜を電極とすることにより所定のパターンの電極を形
成することができる。

【０１５９】なお、本実施形態において、凸部７２ａの
表面上に形成された導電膜７６Ａのみが電極となってい
る場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、凹部７２ｂの表面上に形成された導
電膜７６Ｂのみを電極とすることもできる。

【０１６０】また、本実施形態においては、素子基板７
１が下側基板となっている液晶装置についてのみ説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、上側基
板が素子基板の場合にも適用することができる。

【０１６１】次に、前記の第１〜第７実施形態により製
造された液晶装置１、２、３、４、５、６、１０のいず
れかを備えた電子機器の具体例について説明する。

【０１６２】図１７(a)は携帯電話の一例を示した斜視
図である。図１７(a)において、３００は携帯電話本体
を示し、３０１は前記の液晶装置１、２、３、４、５、
６、１０のいずれかを備えた液晶表示部を示している。

【０１６３】図１７(b)はワープロ、パソコンなどの携
帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１７
(b)において、４００は情報処理装置、４０１はキーボ
ードなどの入力部、４０３は情報処理本体、４０２は前
記の液晶装置１、２、３、４、５、６、１０のいずれか
を備えた液晶表示部を示している。

【０１６４】図１７(c)は腕時計型電子機器の一例を示
した斜視図である。図１７(c)において、５００は時計
本体を示し、５０１は前記の液晶装置１、２、３、４、
５、６、１０のいずれかを備えた液晶表示部を示してい
る。

【０１６５】図１８は、前記の液晶装置１、２、３、
４、５、６、１０のいずれかを光変調装置として用いた
投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図１８
において、６１０は光源、６１３、６１４はダイクロイ
ックミラー、６１５、６１６、６１７は反射ミラー、６
１８は入射レンズ、６１９はリレーレンズ、６２０は出
射レンズ、６２２、６２３、６２４は液晶光変調装置、
６２５はクロスダイクロイックプリズム、６２６は投写
レンズを示す。光源６１０はメタルハライド等のランプ
６１１とランプの光を反射するリフレクタ６１２とから
なる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー６１
３は、光源６１０からの光束のうちの赤色光を透過させ
るとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤
色光は反射ミラー６１７で反射されて、赤色光用液晶光
変調装置６２２に入射される。一方、ダイクロイックミ
ラー６１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射
のダイクロイックミラー６１４によって反射され、緑色
光用液晶光変調装置６２３に入射される。一方、青色光
は第２のダイクロイックミラー６１４も透過する。青色
光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射
レンズ６１８、リレーレンズ６１９、出射レンズ６２０
を含むリレーレンズ系からなる導光手段６２１が設けら
れ、これを介して青色光が青色光用液晶光変調装置６２
４に入射される。各光変調装置により変調された３つの
色光はクロスダイクロイックプリズム６２５に入射す
る。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わさ
れ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反
射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これ
らの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カ
ラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写
光学系である投写レンズ６２６によってスクリーン６２
７上に投写され、画像が拡大されて表示される。

【０１６６】図１７(a)〜(c)、図１８に示すそれぞれの
電子機器は、前記の液晶装置１、２、３、４、５、６、
１０のいずれかを備えたものであるので、信頼性が高
く、表示品質の優れたものとなる。

【０１６７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶装置
の製造方法によれば、従来のように、フォトレジストの
塗布、フォトレジストの露光、フォトレジストの現像、
導電膜のエッチング等の工程が不要となり、電極を形成
する工程は基板本体の表面上に電極材料を成膜する工程
だけになるので、生産工程を短縮化することができる。

【０１６８】また、本発明の液晶装置の製造方法によれ
ば、フォトレジストの現像、導電膜のエッチングの工程
が不要になるため、現像、エッチングの工程で生じる恐
れのある電極のショートや断線を防止することができ
る。

【０１６９】また、本発明の液晶装置の製造方法によ
り、電極のショートや断線を防止することができ、信頼
性が高く、表示品質の優れた液晶装置を提供することが
できる。

【０１７０】さらに、この液晶装置を備えることによ
り、信頼性が高く、表示品質の優れた電子機器を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明に係る第１実施形態の単純マ
トリックス型の液晶装置の構造を示す部分概略断面図で
ある。

【図２】 図２は、本発明に係る第１実施形態の単純マ
トリックス型の液晶装置の構造を示す部分概略断面図で
ある。

【図３】 図３は、本発明に係る第１実施形態の単純マ
トリックス型の液晶装置の構造を示す概略斜視図であ
る。

【図４】 図４は、本発明に係る第１実施形態の単純マ
トリックス型の液晶装置の基板本体の概略断面構造を拡
大した図である。

【図５】 図５(a)〜(c)は、本発明に係る第１実施形態
の液晶装置の製造方法において基板の製造方法を示す工
程図である。

【図６】 図６(a)、(b)は、本発明に係る第２実施形態
の液晶装置の製造方法を示す工程図である。

【図７】 図７は、本発明に係る第２実施形態の液晶装
置の製造方法を示す工程図である。

【図８】 図８は、本発明に係る第２実施形態の液晶装
置の製造方法により製造された液晶装置の概略断面図で
ある。

【図９】 図９は、本発明に係る第３実施形態の単純マ
トリックス型の液晶装置の構造を示す部分概略断面図で
ある。

【図１０】 図１０は、本発明に係る第４実施形態の単
純マトリックス型の液晶装置の構造を示す部分概略断面
図である。

【図１１】 図１１は、本発明に係る第５実施形態の単
純マトリックス型の液晶装置の構造を示す部分概略断面
図である。

【図１２】 図１２は、本発明に係る第５実施形態の単
純マトリックス型の液晶装置の構造を示す部分概略断面
図である。

【図１３】 図１３は、本発明に係る第６実施形態の単
純マトリックス型の液晶装置の構造を示す部分概略断面
図である。

【図１４】 図１４は、本発明に係る第６実施形態の単
純マトリックス型の液晶装置の構造を示す部分概略断面
図である。

【図１５】 図１５は、本発明に係る第７実施形態のＴ
ＦＤ素子を用いた液晶装置の構造を示す部分概略断面図
である。

【図１６】 図１６は、本発明に係る第７実施形態のＴ
ＦＤ素子を用いた液晶装置の構造を示す部分概略斜視図
である。

【図１７】 図１７(a)は、上記実施形態の液晶装置を
備えた携帯電話の一例を示す図、図１７(b)は、上記実
施形態の液晶装置を備えた携帯型情報処理装置の一例を
示す図、図１７(c)は、上記実施形態の液晶装置を備え
た腕時計型電子機器の一例を示す図である。

【図１８】 図１８は、上記実施形態の液晶装置を光変
調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構
成図である。

【図１９】 図１９は、従来の単純マトリックス型の液
晶装置の構造を示す部分概略断面図である。

【符号の説明】

１、２、３、４、５、６、１０ 液晶（表示）装置 １１、３１、４１、５１、６１ 基板（下側基板） １２、３２、４２、５２、６２ 対向基板（上側基
板） １１１ 基板（下側基板） １１２ 対向基板（上側基
板） ７１ 素子基板（下側基
板） ７２ 対向基板 １１Ａ、１２Ａ、５１Ａ、５２Ａ 基板本体 ６１Ａ、６２Ａ、７１Ａ、７２Ａ 基板本体 １１１Ａ、１１２Ａ 基板本体 １１ａ、１２ａ 凸部 ６１ａ、６２ａ、７２ａ 凸部 １１ａ１、１２ａ１ 凸部の平坦部 ６１ａ１、６２ａ１、７２ａ１ 凸部の平坦部 １１ａ２、１２ａ２ 凸部の側面 ６１ａ２、６２ａ２、７２ａ２ 凸部の側面 １１ｂ、１２ｂ 凹部 ６１ｂ、６２ｂ、７２ｂ 凹部 １１ｃ、１２ｃ、５１ｃ、５２ｃ 凹部 ６１ｃ、６２ｃ、７２ｃ 凹部 ５１ｄ、５２ｄ 凸部 １３ 液晶層 １４ シール材 １５、５５、６５ 導電膜 １６、５６、６６、７６ 導電膜 １１５、１１６ 導電膜 １５Ａ、１６Ａ、６５Ａ、６６Ａ 凸部の表面上に形成
された導電膜（電極） １５Ｂ、１６Ｂ、６５Ｂ、６６Ｂ 凹部の表面上に形成
された導電膜 ５５Ａ、５６Ａ 凸部の表面上に形成
された導電膜（電極） ５５Ｂ、５６Ｂ 凹部の表面上に形成
された導電膜（電極） ７６Ａ 凸部の表面上に形成
された導電膜（電極） ７６Ｂ 凹部の表面上に形成
された導電膜 １５ｅ、１６ｅ、５５ｅ、５６ｅ 導電膜の端部 ６５ｅ、６６ｅ、７６ｅ 導電膜の端部 １７、１８、４７、４８ 配向膜 １１７、１１８ 配向膜 ３７、３８、６７、６８ 配向膜（平坦化膜） ７５、７７ 配向膜（平坦化膜） ４３、４４ 平坦化膜 １９ スペーサー ２０ 電極が形成された領
域（画素領域） ２１ プラスチックフィル
ム ２１ａ プラスチックフィル
ムの凸部 ２１ｂ プラスチックフィル
ムの凹部 ２２ ガスバリア層 ２３ 保護層 ７３ 画素電極 ７４ ＴＦＤ素子 ７８ 走査線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HB02X HB07X HB08Y HD03 JA03 JA07 JB03 JC03 LA01 LA02 2H092 GA21 HA04 HA05 MA04 MA05 MA07 NA27 5C094 AA43 AA45 BA43 CA19 EA07 FB12 GB10 JA08 5G435 AA17 BB12 CC09 KK05

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板本体に電極を形成する工程を含む液
   晶装置の製造方法であって、 前記基板本体に凸部及び凹部を形成する工程、 前記基板本体の前記凸部及び凹部に導電膜を成膜する工
   程、を具備してなり、前記凸部に成膜された前記導電膜
   と、前記凹部に成膜された前記導電膜とが互いに電気的
   に独立することを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の液晶装置の製造方法に
   おいて、 前記凸部と前記凹部との間に成膜された前記導電膜を除
   去する工程を更に含むことを特徴とする液晶装置の製造
   方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置
   の製造方法において、 前記導電膜上に有機膜或いは無機膜を形成することを特
   徴とする液晶装置の製造方法。
4. 【請求項４】 対向して配置した一対の基板本体間に液
   晶が挟持されてなり、前記一対の基板本体のうち一方の
   基板本体の内面側には前記液晶を駆動する電極が形成さ
   れてなる液晶装置において、 前記一方の基板本体の内面には凸部及び凹部が形成され
   ており、その凸部及び凹部には導電膜が形成され、前記
   凸部に形成された前記導電膜と、前記凹部に形成された
   前記導電膜とが互いに電気的に独立してなり、 前記凸部に形成された導電膜、前記凹部に形成された導
   電膜、またはその両方が、前記液晶を駆動する電極であ
   ることを特徴とする液晶装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の液晶装置において、 各前記凸部の断面形状が略矩形状であることを特徴とす
   る液晶装置。
6. 【請求項６】 請求項４に記載の液晶装置において、 前記凸部の側面と前記凹部とのなす角が鋭角であること
   を特徴とする液晶装置。
7. 【請求項７】 請求項４乃至請求項６のいずれかに記載
   の液晶装置において、 前記凸部がストライプ状に形成されてなることを特徴と
   する液晶装置。
8. 【請求項８】 請求項４乃至請求項７のうちいずれかに
   記載の液晶装置において、 前記導電膜上に有機膜或いは無機膜が形成されてなるこ
   とを特徴とする液晶装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の液晶装置において、 前記有機膜又は前記無機膜に配向処理が施されてなるこ
   とを特徴とする液晶装置。
10. 【請求項１０】 請求項４乃至請求項９のいずれかに記
    載の液晶装置において、 前記一方の基板本体が高分子基材を含むことを特徴とす
    る液晶装置。
11. 【請求項１１】 請求項４乃至請求項１０のうちいずれ
    かに記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機
    器。