JP2001305499A - 光シャッタ装置の駆動方法 - Google Patents
光シャッタ装置の駆動方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光シャッタ素子間で互いに影響し合うクロス
トークを効果的に防止することができ、透過光量の安定
した光シャッタ装置の駆動方法を得る。 【解決手段】 ＰＬＺＴからなる基板に複数の光シャッ
タ素子を並設し、該光シャッタ素子に一対の電極から電
界を作用させることで光をオン、オフ制御する光シャッ
タ装置の駆動方法。ＰＬＺＴ基板上で隣接する素子１３
ｃ，１３ｅ，１３ｇにあっては電界のクロストークが互
いに発生し合う。このような素子に対しては実質的に同
時に電界を作用させないように駆動する。即ち、１ライ
ン周期をａ，ｂの期間に分割し、素子１３ｅを期間ａで
オンさせれば、他の素子１３ｃ，１３ｇは期間ｂでオン
させる。
トークを効果的に防止することができ、透過光量の安定
した光シャッタ装置の駆動方法を得る。 【解決手段】 ＰＬＺＴからなる基板に複数の光シャッ
タ素子を並設し、該光シャッタ素子に一対の電極から電
界を作用させることで光をオン、オフ制御する光シャッ
タ装置の駆動方法。ＰＬＺＴ基板上で隣接する素子１３
ｃ，１３ｅ，１３ｇにあっては電界のクロストークが互
いに発生し合う。このような素子に対しては実質的に同
時に電界を作用させないように駆動する。即ち、１ライ
ン周期をａ，ｂの期間に分割し、素子１３ｅを期間ａで
オンさせれば、他の素子１３ｃ，１３ｇは期間ｂでオン
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光シャッタ装置の
駆動方法、特に、電気光学効果を有する材料からなる基
板に複数の光シャッタ素子を並設し、該光シャッタ素子
に一対の電極から電界を作用させることで光をオン、オ
フ制御する光シャッタ装置の駆動方法に関する。
駆動方法、特に、電気光学効果を有する材料からなる基
板に複数の光シャッタ素子を並設し、該光シャッタ素子
に一対の電極から電界を作用させることで光をオン、オ
フ制御する光シャッタ装置の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術と課題】従来、銀塩感材を用いた印画紙や
フィルム、あるいは電子写真感光体に画像を形成するの
に、電気光学効果を有する材料であるＰＬＺＴからなる
光シャッタ基板をアレイ状に配置し、光を１画素ずつオ
ン、オフ制御する光シャッタ装置が種々提供されてい
る。
フィルム、あるいは電子写真感光体に画像を形成するの
に、電気光学効果を有する材料であるＰＬＺＴからなる
光シャッタ基板をアレイ状に配置し、光を１画素ずつオ
ン、オフ制御する光シャッタ装置が種々提供されてい
る。
【０００３】具体的には、図９に示すように、光シャッ
タチップ１２上に設けた一対の電極１４，１５に電圧を
印加することで、ＰＬＺＴに複屈折を生じさせ、前段に
配置した偏光子５を通じて光透過部（光シャッタ素子）
１３に入射した光を９０°偏光させ、出射した光が検光
子７を通過することで光のオン、オフを行う。
タチップ１２上に設けた一対の電極１４，１５に電圧を
印加することで、ＰＬＺＴに複屈折を生じさせ、前段に
配置した偏光子５を通じて光透過部（光シャッタ素子）
１３に入射した光を９０°偏光させ、出射した光が検光
子７を通過することで光のオン、オフを行う。
【０００４】図１０に従来用いられてきた光シャッタチ
ップ１２上の電極構成の一例を示す。このチップ１２に
おいては、１ラインの画像データを二つに分割したライ
ンＸ，Ｘ上に光シャッタ素子１３（１３ａ，１３ｂ，
…）を交互に並設し、それらの中央部にグランドに接続
されている共通電極１４が形成され、光シャッタ素子１
３を挟んで所定の電圧が個別に印加される個別電極１５
（１５ａ，１５ｂ，…）が形成されている。
ップ１２上の電極構成の一例を示す。このチップ１２に
おいては、１ラインの画像データを二つに分割したライ
ンＸ，Ｘ上に光シャッタ素子１３（１３ａ，１３ｂ，
…）を交互に並設し、それらの中央部にグランドに接続
されている共通電極１４が形成され、光シャッタ素子１
３を挟んで所定の電圧が個別に印加される個別電極１５
（１５ａ，１５ｂ，…）が形成されている。
【０００５】各光シャッタ素子では入射光を９０°偏光
させたときに最大の透過光量を得ることができ、このと
きの印加電圧を半波長電圧と称する。従って、この種の
光シャッタ素子に対しては、透過光量が最大となる半波
長電圧で駆動するが、隣接する素子から回り込む電界の
影響を受けて半波長電圧や透過光量が変動する現象（本
明細書ではこの現象をクロストークと称する）を生じ
る。
させたときに最大の透過光量を得ることができ、このと
きの印加電圧を半波長電圧と称する。従って、この種の
光シャッタ素子に対しては、透過光量が最大となる半波
長電圧で駆動するが、隣接する素子から回り込む電界の
影響を受けて半波長電圧や透過光量が変動する現象（本
明細書ではこの現象をクロストークと称する）を生じ
る。
【０００６】例えば、図１０において、一つの素子１３
ｅに注目すると、素子１３ｅは、本来、個別電極１５ｅ
と共通電極１４との間に印加される電圧（電界）だけで
その点灯状態（透過光量）が決められなければならな
い。しかし、ラインＸ上で隣接する素子１３ｃ，１３ｇ
をも同時に点灯すると、個別電極１５ｃ，１５ｇからの
電界が素子１３ｅに回り込んでしまう。そのため、素子
１３ｅを駆動するための半波長電圧や透過光量は、隣接
素子１３ｃ，１３ｇのオン、オフ状態で変化してしま
う。
ｅに注目すると、素子１３ｅは、本来、個別電極１５ｅ
と共通電極１４との間に印加される電圧（電界）だけで
その点灯状態（透過光量）が決められなければならな
い。しかし、ラインＸ上で隣接する素子１３ｃ，１３ｇ
をも同時に点灯すると、個別電極１５ｃ，１５ｇからの
電界が素子１３ｅに回り込んでしまう。そのため、素子
１３ｅを駆動するための半波長電圧や透過光量は、隣接
素子１３ｃ，１３ｇのオン、オフ状態で変化してしま
う。
【０００７】なお、このようなクロストークは、共通電
極１４が電界シールド効果を発揮するため、共通電極１
４を挟んで対向する素子間では通常発生しない。しか
し、共通電極１４の幅が狭いと、共通電極１４を挟んで
対向する個別電極１５ｄ，１５ｆからの電界が素子１３
ｅにも回り込み、クロストークが生じる場合がある。
極１４が電界シールド効果を発揮するため、共通電極１
４を挟んで対向する素子間では通常発生しない。しか
し、共通電極１４の幅が狭いと、共通電極１４を挟んで
対向する個別電極１５ｄ，１５ｆからの電界が素子１３
ｅにも回り込み、クロストークが生じる場合がある。
【０００８】図１１は注目素子１３ｅへの印加電圧と透
過光量との関係を示す。図１２は各素子１３ｃ，１３
ｅ，１３ｇへの印加電圧波形と、素子１３ｅの光応答波
形を１ラインの各描画周期ごとに示す。
過光量との関係を示す。図１２は各素子１３ｃ，１３
ｅ，１３ｇへの印加電圧波形と、素子１３ｅの光応答波
形を１ラインの各描画周期ごとに示す。
【０００９】図１１に示す特性Ａは隣接素子１３ｃ，１
３ｇを同時にオンした場合を示し、図１２の第１周期に
相当する。特性Ｂは隣接素子１３ｃ，１３ｇのいずれか
一方のみをオンした場合を示し、図１２の第２，３周期
に相当する。特性Ｃは隣接素子１３ｃ，１３ｇをいずれ
もオフした場合を示し、図１２の第４周期に相当する。
３ｇを同時にオンした場合を示し、図１２の第１周期に
相当する。特性Ｂは隣接素子１３ｃ，１３ｇのいずれか
一方のみをオンした場合を示し、図１２の第２，３周期
に相当する。特性Ｃは隣接素子１３ｃ，１３ｇをいずれ
もオフした場合を示し、図１２の第４周期に相当する。
【００１０】これらの特性Ａ，Ｂ，Ｃから明らかなよう
に、素子１３ｅの半波長電圧及び透過光量は、隣接素子
１３ｃ，１３ｇの動作状態によって変化する。例えば、
素子１３ｅを素子１３ｃ，１３ｇと同時にオンした場合
の半波長電圧（約１４２Ｖ）で駆動するとき、素子１３
ｃ，１３ｇのいずれかがオフであれば、透過光量は約５
％低下し、いずれもがオフであれば約１６％低下する。
に、素子１３ｅの半波長電圧及び透過光量は、隣接素子
１３ｃ，１３ｇの動作状態によって変化する。例えば、
素子１３ｅを素子１３ｃ，１３ｇと同時にオンした場合
の半波長電圧（約１４２Ｖ）で駆動するとき、素子１３
ｃ，１３ｇのいずれかがオフであれば、透過光量は約５
％低下し、いずれもがオフであれば約１６％低下する。
【００１１】そこで、本発明の目的は、光シャッタ素子
間で互いに影響し合うクロストークを効果的に防止する
ことができ、透過光量の安定した光シャッタ装置の駆動
方法を提供することにある。
間で互いに影響し合うクロストークを効果的に防止する
ことができ、透過光量の安定した光シャッタ装置の駆動
方法を提供することにある。
【００１２】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明は、電気光学効果を有する材料からなる基板
に複数の光シャッタ素子を並設し、該光シャッタ素子に
一対の電極から電界を作用させることで光をオン、オフ
制御する光シャッタ装置の駆動方法において、電界のク
ロストークが発生し合う光シャッタ素子に対しては実質
的に同時に電界を作用させないように駆動することを特
徴とする。
め、本発明は、電気光学効果を有する材料からなる基板
に複数の光シャッタ素子を並設し、該光シャッタ素子に
一対の電極から電界を作用させることで光をオン、オフ
制御する光シャッタ装置の駆動方法において、電界のク
ロストークが発生し合う光シャッタ素子に対しては実質
的に同時に電界を作用させないように駆動することを特
徴とする。
【００１３】本発明に係る駆動方法においては、クロス
トークが発生し合う光シャッタ素子には実質的に同時に
電界が作用しない。従って、各光シャッタ素子にあって
は電極間に常時一定の電圧を印加することで、一定の透
過光量を得ることができ、ひいては高品位の画像を形成
することができる。
トークが発生し合う光シャッタ素子には実質的に同時に
電界が作用しない。従って、各光シャッタ素子にあって
は電極間に常時一定の電圧を印加することで、一定の透
過光量を得ることができ、ひいては高品位の画像を形成
することができる。
【００１４】なお、「実質的に同時に電界を作用させな
い」とは、各光シャッタ素子への電界の作用が完全に分
離されている場合を含めて、電界の作用が若干重なって
いても実質的にクロストークの影響が画像に現れない程
度をも含む。
い」とは、各光シャッタ素子への電界の作用が完全に分
離されている場合を含めて、電界の作用が若干重なって
いても実質的にクロストークの影響が画像に現れない程
度をも含む。
【００１５】実質的に同時に電界を作用させないように
駆動するためには、１ライン周期を少なくとも二つの期
間に分割し、クロストークが発生し合う光シャッタ素子
ごとに分割された期間にオンさせることが、駆動を簡略
化する点で好ましい。１／２ラインピッチで配置されて
いる光シャッタ素子に対して、１ライン周期で２分割さ
れた期間ごとにオンさせれば、簡略化した駆動でクロス
トークの解消と共に１ラインの画像の微小なずれをも解
消できる。
駆動するためには、１ライン周期を少なくとも二つの期
間に分割し、クロストークが発生し合う光シャッタ素子
ごとに分割された期間にオンさせることが、駆動を簡略
化する点で好ましい。１／２ラインピッチで配置されて
いる光シャッタ素子に対して、１ライン周期で２分割さ
れた期間ごとにオンさせれば、簡略化した駆動でクロス
トークの解消と共に１ラインの画像の微小なずれをも解
消できる。
【００１６】また、１ライン周期ごとに多数のパルスを
与え、隣接素子どうしが同じタイミングでオンされない
ように各パルスを割り当てるようにしてもよい。駆動周
波数が高くなるが、クロストーク及び１ラインの画像の
微小なずれを解消できる。
与え、隣接素子どうしが同じタイミングでオンされない
ように各パルスを割り当てるようにしてもよい。駆動周
波数が高くなるが、クロストーク及び１ラインの画像の
微小なずれを解消できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光シャッタ素
子の駆動方法の実施形態について、添付図面を参照して
説明する。
子の駆動方法の実施形態について、添付図面を参照して
説明する。
【００１８】（光シャッタ装置、図１参照）まず、本発
明に係る駆動方法が適用される光シャッタ装置の全体構
成を図１に示す。この光シャッタ装置は、光源（ハロゲ
ンランプ）１と、熱線吸収フィルタ２と、光ファイバア
レイ４と、偏光子５と、光シャッタモジュール６と、検
光子７と、結像レンズアレイ８とで構成されている。
明に係る駆動方法が適用される光シャッタ装置の全体構
成を図１に示す。この光シャッタ装置は、光源（ハロゲ
ンランプ）１と、熱線吸収フィルタ２と、光ファイバア
レイ４と、偏光子５と、光シャッタモジュール６と、検
光子７と、結像レンズアレイ８とで構成されている。
【００１９】光ファイバアレイ４は、多数本の光ファイ
バ単体を集束したもので、光源１から放射された光は熱
線吸収フィルタ２を介して入射端部４ａを照射し、他端
部４ｂから直線状に出射する。偏光子５と検光子７とは
クロスニコルに配置され、かつ、各偏向面が各光シャッ
タ素子へ印加される電界方向に対して４５°になるよう
に配置されている。
バ単体を集束したもので、光源１から放射された光は熱
線吸収フィルタ２を介して入射端部４ａを照射し、他端
部４ｂから直線状に出射する。偏光子５と検光子７とは
クロスニコルに配置され、かつ、各偏向面が各光シャッ
タ素子へ印加される電界方向に対して４５°になるよう
に配置されている。
【００２０】（光シャッタモジュールの構成）光シャッ
タモジュール６は、スリット状の開口を有するセラミッ
ク製あるいはガラス製の基板１１上に、ＰＬＺＴからな
る複数の光シャッタチップ１２及び駆動回路（ドライバ
ＩＣ）３０を並べたものである。光シャッタチップ１２
上の電極１４，１５は、例えば、図１０に示すように、
ラインＸ，Ｘに２分割して配置した光シャッタ素子１３
から１ラインの画像データを出力するように構成されて
いる。
タモジュール６は、スリット状の開口を有するセラミッ
ク製あるいはガラス製の基板１１上に、ＰＬＺＴからな
る複数の光シャッタチップ１２及び駆動回路（ドライバ
ＩＣ）３０を並べたものである。光シャッタチップ１２
上の電極１４，１５は、例えば、図１０に示すように、
ラインＸ，Ｘに２分割して配置した光シャッタ素子１３
から１ラインの画像データを出力するように構成されて
いる。
【００２１】即ち、光シャッタ素子１３（１３ａ，１３
ｂ，…）はラインＸ，Ｘに沿った２列で１ラインの画像
を形成するように、各ラインＸ，Ｘごとにオン、オフ駆
動されて１次元の画像を形成する。そして、各ライン
Ｘ，Ｘのオン、オフ駆動を受光面の移動に同期させるこ
とで、受光面上に２次元の画像を形成する。
ｂ，…）はラインＸ，Ｘに沿った２列で１ラインの画像
を形成するように、各ラインＸ，Ｘごとにオン、オフ駆
動されて１次元の画像を形成する。そして、各ライン
Ｘ，Ｘのオン、オフ駆動を受光面の移動に同期させるこ
とで、受光面上に２次元の画像を形成する。
【００２２】なお、以下に具体的に説明するように、光
シャッタ素子は図１０に示すもの以外に種々の配置／構
成を採用することができる。
シャッタ素子は図１０に示すもの以外に種々の配置／構
成を採用することができる。
【００２３】（駆動回路）光シャッタ素子１３を駆動す
るドライバＩＣ３０は、図２に示すように、シフトレジ
スタ３１、ラッチ回路３２、各素子１３に対応するアン
ドゲート３３及び高電圧ドライバ３４によって構成され
ている。
るドライバＩＣ３０は、図２に示すように、シフトレジ
スタ３１、ラッチ回路３２、各素子１３に対応するアン
ドゲート３３及び高電圧ドライバ３４によって構成され
ている。
【００２４】画像データＤＡＴＡはクロック信号ＣＬＫ
に同期してシフトレジスタ３１に転送され、ラッチスト
ローブ信号ＬＳのオンによってラッチ回路３２にラッチ
される。画像データＤＡＴＡと信号ＢＬＫのオン、オフ
に基づいて各アンドゲート３３を介して各高電圧ドライ
バ３４から高電圧ＶＤが個別電極１５を介してパルス状
に各素子１３に印加される。
に同期してシフトレジスタ３１に転送され、ラッチスト
ローブ信号ＬＳのオンによってラッチ回路３２にラッチ
される。画像データＤＡＴＡと信号ＢＬＫのオン、オフ
に基づいて各アンドゲート３３を介して各高電圧ドライ
バ３４から高電圧ＶＤが個別電極１５を介してパルス状
に各素子１３に印加される。
【００２５】（第１実施形態、図３参照）ここで、以上
の構成からなる光シャッタ装置に対する駆動方法の第１
実施形態を図３を参照して説明する。
の構成からなる光シャッタ装置に対する駆動方法の第１
実施形態を図３を参照して説明する。
【００２６】図３は図１２で説明したのと同じ画像デー
タに基づいて光シャッタ素子を駆動する場合の素子１３
ｃ，１３ｅ，１３ｇへの印加電界波形と素子１３ｅの光
応答波形を示す。素子１３ｃ，１３ｅ，１３ｇは互いに
クロストークが発生し合う素子の一例として取り上げた
ものである。本第１実施形態では、１ラインの描画周期
をａ，ｂの二つに期間に分割し、各素子１３ｃ，１３
ｅ，１３ｇが同時にオンしないように別々のタイミング
でオンさせる。各素子に印加する電圧は、図１１に示し
たように、素子１３ｅを単独でオンする場合の半波長電
圧（約１５５Ｖ）とする。
タに基づいて光シャッタ素子を駆動する場合の素子１３
ｃ，１３ｅ，１３ｇへの印加電界波形と素子１３ｅの光
応答波形を示す。素子１３ｃ，１３ｅ，１３ｇは互いに
クロストークが発生し合う素子の一例として取り上げた
ものである。本第１実施形態では、１ラインの描画周期
をａ，ｂの二つに期間に分割し、各素子１３ｃ，１３
ｅ，１３ｇが同時にオンしないように別々のタイミング
でオンさせる。各素子に印加する電圧は、図１１に示し
たように、素子１３ｅを単独でオンする場合の半波長電
圧（約１５５Ｖ）とする。
【００２７】このように、１ライン周期をａ，ｂに分割
して隣接する素子が同時にオンしないタイミングで駆動
することにより、画像データに基づいて各素子の駆動パ
ターンがどのように変化してもクロストークが発生する
ことはなく、各素子において常時一定の透過光量を得る
ことができる。
して隣接する素子が同時にオンしないタイミングで駆動
することにより、画像データに基づいて各素子の駆動パ
ターンがどのように変化してもクロストークが発生する
ことはなく、各素子において常時一定の透過光量を得る
ことができる。
【００２８】本第１実施形態での駆動は、図２に示した
ドライバＩＣ３０を用いる場合、駆動周波数を図１２に
示した従来の２倍に設定し、各周期において出力すべき
画像データを展開する。動作させない素子に対してはダ
ミーの画像データ（素子が実質的に動作しない画像デー
タ）を与えてもよい。あるいは、ドライバＩＣを２組用
意し、隣接する素子ごとに異なるＩＣに接続し、各ＩＣ
に別々の信号ＢＬＫを入力してもよい。また、一つのド
ライバＩＣ３０を使用する場合であっても、信号ＢＬＫ
を複数入力できるようにすれば、出力ビットごとに別の
信号ＢＬＫに同期させて駆動することができる。
ドライバＩＣ３０を用いる場合、駆動周波数を図１２に
示した従来の２倍に設定し、各周期において出力すべき
画像データを展開する。動作させない素子に対してはダ
ミーの画像データ（素子が実質的に動作しない画像デー
タ）を与えてもよい。あるいは、ドライバＩＣを２組用
意し、隣接する素子ごとに異なるＩＣに接続し、各ＩＣ
に別々の信号ＢＬＫを入力してもよい。また、一つのド
ライバＩＣ３０を使用する場合であっても、信号ＢＬＫ
を複数入力できるようにすれば、出力ビットごとに別の
信号ＢＬＫに同期させて駆動することができる。
【００２９】（第２実施形態、図４参照）ところで、前
記第１実施形態にあっては、隣接する各素子は同時にオ
ンしないため、受光面上では１ライン上での画像に微小
なずれを生じてしまう。このような画像のずれを防止で
きる駆動方法を第２実施形態として図４を参照して説明
する。
記第１実施形態にあっては、隣接する各素子は同時にオ
ンしないため、受光面上では１ライン上での画像に微小
なずれを生じてしまう。このような画像のずれを防止で
きる駆動方法を第２実施形態として図４を参照して説明
する。
【００３０】本第２実施形態では、図４に示すように、
１ライン周期ごとに多数のパルス（偶数であることが好
ましい）を与え、隣接素子どうしが同じタイミングでオ
ンされないように各パルスを割り当てる。
１ライン周期ごとに多数のパルス（偶数であることが好
ましい）を与え、隣接素子どうしが同じタイミングでオ
ンされないように各パルスを割り当てる。
【００３１】（第３実施形態、図５参照）ところで、前
記第２実施形態にあっては、駆動周波数が高くなり、消
費電力の増加、高速対応のドライバが必要になる。この
ような問題点と前記第１実施形態で生じる画像の微小な
ずれを同時に解決できる駆動方法を第３実施形態として
図５を参照して説明する。
記第２実施形態にあっては、駆動周波数が高くなり、消
費電力の増加、高速対応のドライバが必要になる。この
ような問題点と前記第１実施形態で生じる画像の微小な
ずれを同時に解決できる駆動方法を第３実施形態として
図５を参照して説明する。
【００３２】図５は本第３実施形態で使用される光シャ
ッタチップ１２の素子構成を示す。ここでは、共通電極
１４を挟んで同じ側で隣接する光シャッタ素子を１／２
ラインピッチでずらせた状態でラインＸ1，Ｘ2上に配置
した。各素子に印加する電界波形は図３に示した第１実
施形態と同様である。
ッタチップ１２の素子構成を示す。ここでは、共通電極
１４を挟んで同じ側で隣接する光シャッタ素子を１／２
ラインピッチでずらせた状態でラインＸ1，Ｘ2上に配置
した。各素子に印加する電界波形は図３に示した第１実
施形態と同様である。
【００３３】（第４実施形態、図６，７参照）本第４実
施形態は、図６に示すように、共通電極１４の幅が狭い
ために、素子１３ｅが隣接素子１３ｃ，１３ｇに加え
て、向かい側の近接素子１３ｄ，１３ｆともクロストー
クし合う場合の駆動方法である。この場合にも、素子１
３ｅに着目すると、クロストークし合う素子１３ｃ〜１
３ｇを同時にはオンしないように駆動する。図７は、本
第４実施形態において光シャッタ素子を駆動する場合の
素子１３ｃ〜１３ｇへの印加電界波形を示す。
施形態は、図６に示すように、共通電極１４の幅が狭い
ために、素子１３ｅが隣接素子１３ｃ，１３ｇに加え
て、向かい側の近接素子１３ｄ，１３ｆともクロストー
クし合う場合の駆動方法である。この場合にも、素子１
３ｅに着目すると、クロストークし合う素子１３ｃ〜１
３ｇを同時にはオンしないように駆動する。図７は、本
第４実施形態において光シャッタ素子を駆動する場合の
素子１３ｃ〜１３ｇへの印加電界波形を示す。
【００３４】図６に示す各素子１３の配置は、クロスト
ークし合う素子のオンタイミングをずらすことによる画
像の微小なずれを解消するようにしたものである。即
ち、共通電極１４の両側で、描画ラインをＸ1，Ｘ2とＸ
3，Ｘ4とに分割し、Ｘ1，Ｘ2とＸ3，Ｘ4は１／４ライン
ピッチ、Ｘ1，Ｘ3は３／２ラインピッチ、Ｘ1，Ｘ4は７
／４ラインピッチに設定している。
ークし合う素子のオンタイミングをずらすことによる画
像の微小なずれを解消するようにしたものである。即
ち、共通電極１４の両側で、描画ラインをＸ1，Ｘ2とＸ
3，Ｘ4とに分割し、Ｘ1，Ｘ2とＸ3，Ｘ4は１／４ライン
ピッチ、Ｘ1，Ｘ3は３／２ラインピッチ、Ｘ1，Ｘ4は７
／４ラインピッチに設定している。
【００３５】（第５実施形態、図８参照）本第５実施形
態は、図８に示すように、共通電極を設けない光シャッ
タチップ１２に対する駆動方法である。この場合、各光
シャッタ素子１３は互いに対向する個別電極１５に電位
差が生じるとオンされ、同電位のときはオフされる。即
ち、素子１３ｅにあっては個別電極１５ｅ，１５ｇに電
位差が生じるとオンされる。
態は、図８に示すように、共通電極を設けない光シャッ
タチップ１２に対する駆動方法である。この場合、各光
シャッタ素子１３は互いに対向する個別電極１５に電位
差が生じるとオンされ、同電位のときはオフされる。即
ち、素子１３ｅにあっては個別電極１５ｅ，１５ｇに電
位差が生じるとオンされる。
【００３６】従って、各個別電極１５に電圧を印加する
か否かは、個別電極１５を共有する素子１３の画像デー
タの有無によって決定される。素子１３ｅに着目する
と、該素子１３ｅとクロストークし合う素子は隣接素子
１３ｃ，１３ｇに加えて近接素子１３ｄ，１３ｆであ
る。よって、前記第４実施形態と同様に、クロストーク
し合う素子１３ｃ〜１３ｇを同時にはオンしないように
駆動する（図７参照）。
か否かは、個別電極１５を共有する素子１３の画像デー
タの有無によって決定される。素子１３ｅに着目する
と、該素子１３ｅとクロストークし合う素子は隣接素子
１３ｃ，１３ｇに加えて近接素子１３ｄ，１３ｆであ
る。よって、前記第４実施形態と同様に、クロストーク
し合う素子１３ｃ〜１３ｇを同時にはオンしないように
駆動する（図７参照）。
【００３７】さらに、本第５実施形態では、各素子１３
をラインＸ1，Ｘ2，Ｘ3，Ｘ4に分割して配置し、各ライ
ンのピッチを前記第４実施形態と同様に設定し、画像の
微小なずれを防止するようにした。
をラインＸ1，Ｘ2，Ｘ3，Ｘ4に分割して配置し、各ライ
ンのピッチを前記第４実施形態と同様に設定し、画像の
微小なずれを防止するようにした。
【００３８】なお、素子１３ｅに対して素子１３ｄ、１
３ｆをクロストークしないように十分な距離に設定すれ
ば、これらの素子を同時にオンしても何ら支障はない。
しかし、素子１３ｅに対して素子１３ｄ，１３ｆを大き
く離すことは、照明系や結像系に無理が生じ、画像デー
タを展開するメモリの増大などコストアップにも繋がる
ため、できるだけ近接させることが好ましい。それ故、
本発明のクロストーク対策が有効である。
３ｆをクロストークしないように十分な距離に設定すれ
ば、これらの素子を同時にオンしても何ら支障はない。
しかし、素子１３ｅに対して素子１３ｄ，１３ｆを大き
く離すことは、照明系や結像系に無理が生じ、画像デー
タを展開するメモリの増大などコストアップにも繋がる
ため、できるだけ近接させることが好ましい。それ故、
本発明のクロストーク対策が有効である。
【００３９】（他の実施形態）なお、本発明に係る光シ
ャッタ装置の駆動方法は前記実施形態に限定するもので
はなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。
ャッタ装置の駆動方法は前記実施形態に限定するもので
はなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。
【００４０】特に、光シャッタ装置として全体的な構成
や光シャッタモジュールの細部の構成、あるいはドライ
バ回路の構成は任意である。
や光シャッタモジュールの細部の構成、あるいはドライ
バ回路の構成は任意である。
【図１】本発明に係る駆動方法が適用される光シャッタ
装置の概略構成を示す斜視図。
装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】前記光シャッタ装置に組み込まれている光シャ
ッタ素子のドライバＩＣを示すブロック図。
ッタ素子のドライバＩＣを示すブロック図。
【図３】本発明に係る駆動方法の第１実施形態における
印加電界波形と注目素子の光応答波形を示すチャート
図。
印加電界波形と注目素子の光応答波形を示すチャート
図。
【図４】本発明に係る駆動方法の第２実施形態における
印加電界波形と注目素子の光応答波形を示すチャート
図。
印加電界波形と注目素子の光応答波形を示すチャート
図。
【図５】本発明に係る駆動方法の第３実施形態が適用さ
れる光シャッタチップを示す平面図。
れる光シャッタチップを示す平面図。
【図６】本発明に係る駆動方法の第４実施形態が適用さ
れる光シャッタチップを示す平面図。
れる光シャッタチップを示す平面図。
【図７】本発明に係る駆動方法の第４実施形態における
印加電界波形を示すチャート図。
印加電界波形を示すチャート図。
【図８】本発明に係る駆動方法の第５実施形態が適用さ
れる光シャッタチップを示す平面図。
れる光シャッタチップを示す平面図。
【図９】ＰＬＺＴからなる光シャッタ素子の動作原理を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図１０】従来通常に使用されている光シャッタチップ
（本発明に係る駆動方法の第１，２実施形態が適用され
るものでもある）を示す平面図。
（本発明に係る駆動方法の第１，２実施形態が適用され
るものでもある）を示す平面図。
【図１１】光シャッタ素子への印加電圧と透過光量の関
係を隣接素子のオン／オフ状態に分けて示すグラフ。
係を隣接素子のオン／オフ状態に分けて示すグラフ。
【図１２】従来の駆動方法における印加電界波形と注目
素子の光応答波形を示すチャート図。
素子の光応答波形を示すチャート図。
【符号の説明】 ６：光シャッタモジュール １２：光シャッタチップ １３（１３ａ，１３ｂ，…）：光シャッタ素子 １４：共通電極 １５（１５ａ，１５ｂ，…）：個別電極 ３０：ドライバＩＣ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八木 司 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 鴨田 雄二 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 2C162 AF20 AF52 FA08 FA09 2H079 AA02 AA12 BA01 BA02 CA22 DA04 FA02 FA03 GA04 HA11 KA05 5C051 AA02 CA11 DA03 DB02 DB08 DE02 DE03 DE13 FA01
Claims (4)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する材料からなる基板
に複数の光シャッタ素子を並設し、該光シャッタ素子に
一対の電極から電界を作用させることで光をオン、オフ
制御する光シャッタ装置の駆動方法において、 電界のクロストークが発生し合う光シャッタ素子に対し
ては実質的に同時に電界を作用させないこと、 を特徴とする光シャッタ装置の駆動方法。 - 【請求項２】 １ライン周期を少なくとも二つの期間に
分割し、クロストークが発生し合う光シャッタ素子ごと
に分割された期間にオンさせることを特徴とする請求項
１記載の光シャッタ装置の駆動方法。 - 【請求項３】 １／２ラインピッチで配置されている光
シャッタ素子に対して、１ライン周期で２分割された期
間ごとにオンさせることを特徴とする請求項２記載の光
シャッタ装置の駆動方法。 - 【請求項４】 １ライン周期ごとに多数のパルスを与
え、隣接素子どうしが同じタイミングでオンされないよ
うに各パルスを割り当てることを特徴とする請求項１記
載の光シャッタ装置の駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000125703A JP2001305499A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 光シャッタ装置の駆動方法 |
| US09/838,394 US6561703B2 (en) | 2000-04-26 | 2001-04-19 | Light shutter device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000125703A JP2001305499A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 光シャッタ装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001305499A true JP2001305499A (ja) | 2001-10-31 |
Family
ID=18635610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000125703A Pending JP2001305499A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 光シャッタ装置の駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6561703B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001305499A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010006023A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Casio Comput Co Ltd | 露光装置及び画像形成装置 |
| JP2014108546A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Canon Components Inc | Ｌｅｄプリンタヘッド、ｌｅｄプリンタ、ｌｅｄプリンタヘッドの制御方法およびプログラム |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5895320A (ja) | 1981-12-01 | 1983-06-06 | Ricoh Co Ltd | 光スイツチングアレイ |
| JPS58130321A (ja) | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Ricoh Co Ltd | 光スイツチングアレイ素子 |
| JPS60159722A (ja) | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Sony Corp | 光制御装置 |
| US4887104A (en) * | 1986-11-19 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Electrooptical light shutter device and printer apparatus using same |
| JPH0611674A (ja) | 1991-05-29 | 1994-01-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 光シャッタ素子 |
| JP2001027768A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | 光シャッタ装置 |
-
2000
- 2000-04-26 JP JP2000125703A patent/JP2001305499A/ja active Pending
-
2001
- 2001-04-19 US US09/838,394 patent/US6561703B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010006023A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Casio Comput Co Ltd | 露光装置及び画像形成装置 |
| JP2014108546A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Canon Components Inc | Ｌｅｄプリンタヘッド、ｌｅｄプリンタ、ｌｅｄプリンタヘッドの制御方法およびプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010038756A1 (en) | 2001-11-08 |
| US6561703B2 (en) | 2003-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050615 |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050704 |