JP2001303256A

JP2001303256A - 粉粒体メッキ品の製造方法および製造装置

Info

Publication number: JP2001303256A
Application number: JP2000123410A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Umeda; 泰梅田; Kenichi Chiba; 健一千葉
Original assignee: NOGE DENKI KOGYO KK; Noge Electric Industries Co Ltd
Current assignee: NOGE DENKI KOGYO KK; Noge Electric Industries Co Ltd
Priority date: 2000-04-25
Filing date: 2000-04-25
Publication date: 2001-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】凝集を抑えて均一なメッキを施した粉粒体メ
ッキ品の製造する方法および装置を提供する。【解決手段】触媒液に粉粒体を浸漬して、粉粒体に触
媒を付着させる工程と、触媒が付着された粉粒体をメッ
キ浴に投入してメッキを行う工程とを含む。触媒を付着
させる工程では、触媒液１１１に流れを形成して粉粒体
を移動させると共に、流れを、それを妨げる突き当て部
材３００に突き当てる。メッキを行う工程は、少なくと
も２層のメッキを行い、第１メッキ層を形成するメッキ
工程では、メッキ浴１２１に流れを形成して粉粒体を移
動させると共に、流れを、それを妨げる突き当て部材３
００に突き当てる。第２メッキ層以降をそれぞれ形成す
るメッキ工程では、少なくとも第２メッキ層を形成する
メッキ工程において、粉粒体のメッキ浴投入時に、投入
された粉粒体をメッキ浴中で超音波振動に曝す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性を有する粉
粒体の製造方法およびそれに用いる製造装置に係り、特
に、粉粒体芯材に無電解メッキを施して製造される粉粒
体メッキ品の製造方法およびそれに用いる製造装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】最近、半導体チップの接続、配線基板、
回路基板等での配線の接続、素子の接続等において、半
田付け、ワイヤボンディング等の手間のかかる接続では
なく、接続端子を圧接することで、接続を行うことが行
われている。そのための材料として、導電性の粉粒体が
用いられる。この粉粒体は、金属、無機材料、有機材料
とで構成される。ここで、それ自身が導電性を有しない
材料である場合には、表面に金属をメッキして、導電性
を持たせている。

【０００３】従来、この種の粉粒体のメッキ品は、粉粒
体芯材に無電解メッキを施して製造される。例えば、特
公平２−２５４３１号公報に記載されるように、粉粒体
芯材を分散させた水性懸濁体に無電解メッキ液を制御し
て添加しながら、該芯材を無電解メッキすることで製造
される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、粉粒体に無
電解メッキする場合に生ずる問題の一つに、粉粒体が凝
集して二次粒子を生成し、それにメッキが施されてしま
うことがある。二次粒子は、大きさが大きくなってしま
うことの他、メッキ後に複数の粒子に割れることが起こ
り、その場合、割れた面にはメッキがなされていないた
め、導電性を持っていない。このため、その部分が他の
導体に接触する場合に、接触不良の問題が生じることと
なる。

【０００５】これに対して、従来の対策としては、メッ
キ液を撹拌するなどの手段が採られている。しかし、そ
れによっても、凝集による二次粒子の生成を抑えること
が十分には行えていない。

【０００６】本発明の目的は、凝集による二次粒子の生
成を抑えて一次粒子の状態で均一なメッキを施した粉粒
体メッキ品を製造する方法、および、それに用いる製造
装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の第１の態様によれば、表面にメッキを施し
た粉粒体メッキ品の製造方法において、触媒を含む溶液
に粉粒体を浸漬して、粉粒体に触媒を付着させる工程
と、触媒が付着された粉粒体をメッキ浴に投入してメッ
キを行う工程とを含み、前記触媒を付着させる工程で
は、前記溶液に流れを形成して粉粒体を移動させると共
に、溶液の流れを、それを妨げる突き当て部材に突き当
て、前記メッキを行う工程は、少なくとも２層のメッキ
を行い、第１メッキ層を形成するメッキ工程では、前記
メッキ浴に流れを形成して粉粒体を移動させると共に、
メッキ浴の流れを、それを妨げる突き当て部材に突き当
て、前記第２メッキ層以降をそれぞれ形成するメッキ工
程では、少なくとも第２メッキ層を形成するメッキ工程
において、粉粒体のメッキ浴投入時に、投入された粉粒
体をメッキ浴中で超音波振動に曝すことを特徴とする粉
粒体メッキ品の製造方法が提供される。

【０００８】また、本発明の第２の態様によれば、表面
にメッキを施した粉粒体メッキ品を製造するための粉粒
体メッキ品製造装置において、触媒を含む溶液に粉粒体
を浸漬して、粉粒体に触媒を付着させるための触媒槽
と、触媒が付着された粉粒体をメッキ浴に投入してメッ
キを行うための第１および第２メッキ浴槽と、前記触媒
漕および第１メッキ浴槽のそれぞれに設置され、触媒漕
内の溶液に流れを形成して粉粒体を移動させるための撹
拌装置と、前記撹拌槽で生成された溶液の流れを邪魔す
る邪魔板と、前記第２メッキ浴槽に設置され、粉粒体の
メッキ浴に投入時に、投入された粉粒体をメッキ浴中で
超音波振動に曝すための超音波発生装置とを備えること
を特徴とする粉粒体メッキ品の製造装置が提供される。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、それぞれ図面を参照して説明する。以下に述べる実
施の形態では、芯材に触媒を付着して、第１メッキ層の
金属と第２メッキ層の金属とをメッキした粉粒体メッキ
品の製造について述べる。

【００１０】図１に、本発明により製造される粉粒体メ
ッキ品の構成の概要について示す。本発明の第１の実施
形態は、図１（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、芯材１０
に、触媒１１を付着し、その上に第１層メッキ層１２を
形成した中間品を生成し、さらに、第２メッキ層１３を
形成して粉粒体メッキ品を製造する。

【００１１】芯材１０は、無機材料、有機材料の何れで
あってもよい。芯材の大きさは、例えば、０．２μｍ〜
２５μｍ程度の大きさである。形状は、球形とは限らな
い。材料としては、例えば、特公平２−２５４３１号公
報に挙げられているように、金属粉体、金属酸化物、非
金属酸化物、アミノ珪酸塩を含む金属珪酸塩、金属炭化
物、金属燐酸塩、金属硫化物、金属炭酸塩、金属ハロゲ
ン化物、炭素等が挙げられる。有機材料としては、天然
繊維、天然樹脂、合成樹脂等が挙げられる。合成樹津市
としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリスチレン、ポリブテン、ポリアミド、ポリア
クリル酸エステル、ポリアクリルニトリル、ポリアセタ
ール、アイオノマー、ポリエステル等の熱可塑性樹脂、
アルキッド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン
樹脂、キシレン樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレ
ート樹脂等の熱硬化性樹脂などが挙げられる。

【００１２】触媒としては、代表的には、例えば、パラ
ジウムが用いられる。具体的には、塩化パラジウムの溶
液が用いられる。もちろん、第１層のメッキ層を形成す
ることに有効なものであれば、他の材料を用いることが
できる。本実施形態では、塩化パラジウムを含むの溶液
中に芯材を浸漬して、芯材表面に吸着させる。この際、
芯材が凝集することを防ぐことが重要である。本発明で
は、後述するようにして、凝集を防いでいる。

【００１３】第１メッキ層は、第２メッキ層として付着
される金属との関係を考慮して好ましい金属が選ばれ
る。代表的には、例えば、ニッケル等の金属で形成され
る。具体的には、例えば、硫酸ニッケルの溶液で無電解
メッキにより形成される。もちろん、他の金属塩を用い
ることができる。本実施形態では、硫酸ニッケルを含む
溶液中に触媒を付着した芯材を浸漬して、ニッケルを無
電解メッキする。これにより中間品が得られる。この場
合においても、芯材の凝集を防ぐことが重要である。本
発明では、後述するようにして、凝集を防いでいる。

【００１４】第２メッキ層は、本実施形態では最表面層
を構成する。代表的には、金で形成される。具体的に
は、例えば、シアン化金カリウム溶液に、置換金液を加
えた溶液中に、第１メッキ層を形成した中間品を浸漬す
る。この際にも、中間品の凝集を防ぐため、後述する処
理を行う。

【００１５】これにより、図１（ｄ）に模式的に示すよ
うに、芯材１０に、第１メッキ層１２および第２メッキ
層１３が被覆された粉粒体メッキ品が得られる。

【００１６】次に、図２〜図６を参照して、本実施形態
の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法
は、図２（ａ）〜（ｅ）に示すように、大別して、
（ａ）前処理、（ｂ）触媒付着処理、（ｃ）活性化処
理、（ｄ）第１メッキ層処理、および、（ｅ）第２メッ
キ層処理を行う。

【００１７】製造方法の説明に先立ち、製造に用いる装
置について説明する。図３（ａ）〜（ｃ）に、本実施形
態に係る製造法において使用する装置の概要を示す。本
実施形態では、触媒漕１１０、第１メッキ浴槽１２０お
よび第２メッキ浴槽１３０とを有する。

【００１８】触媒漕１１０と第１メッキ浴槽１２０と
は、ほぼ同様の装置を用いる。その一例を図４に示す。
なお、説明を簡単にするため、ここでは、触媒漕１１０
を例として説明するが、第１メッキ浴槽１２０について
も同様である。図４に示すように、本実施形態において
触媒付着に用いられる装置は、触媒漕１１０と、撹拌装
置２００と、凝集防止のために用いられる突き当て部材
３００とで構成される。

【００１９】触媒漕１１０には、触媒を含む触媒液１１
１が必要量満たされる。触媒溶液については後述する。

【００２０】撹拌装置２００は、それ自身を触媒漕１１
０に設置した際に支持するための支持板２４０と、この
支持板２４０に、回転自在に取り付けられた回転軸２２
０と、この回転軸を回転駆動する回転駆動機構２１０
と、触媒液１１１を撹拌すると共に、触媒液１１１に流
れを生じさせるための羽根２３０とを有する。回転駆動
機構２１０は、例えば、モータと、モータのトルクを回
転軸２２０に伝達するためのギア機構等で構成される。
もちろん、モータを回転軸２２０に直結する構成として
もよい。羽根２３０は、回転軸の先端に取り付けられ、
回転軸の回転に伴って回転する。

【００２１】突き当て部材３００は、本実施形態では、
板材で構成される。この突き当て部材３００は、支持板
２４０に取り付けられて、前述した撹拌装置２００と共
に、触媒漕１１０に装着される。突き当て部材３００
は、図５に示すように、その主たる面が、前述の羽根２
３０により生成される触媒液１１１の流れに対してその
流れを邪魔する状態で触媒液１１１中に置かれるよう
に、支持板２４０に取り付けられる。これにより、触媒
液１１１の流れが突き当て部材３００に突き当たって、
流れを乱され、向きが急激に変わる状態となる。このよ
うな状態を生成することで、触媒液１１１中に存在する
芯材に力が加わって、凝集しかかっている芯材を分離す
る。これを絶えず行うことにより、芯材の凝集を防ぐこ
とができる。

【００２２】次に、図６に示すように、第２メッキ浴槽
の構成を示す。第２メッキ浴槽１３０は、槽内にメッキ
液１３１が必要量満たされる。第２メッキ浴槽１３０
は、超音波発生装置４００上に置かれる。これは、一例
に過ぎない。例えば、第２メッキ浴槽１３０の側面に超
音波発生装置４００の振動子を配置することができる。
また、第２メッキ浴槽１３０の第２メッキ浴中に振動子
部分を存在させて、第２メッキ浴に超音波振動を与える
構成としてもよい。

【００２３】また、第２メッキ浴槽１３０には、撹拌装
置２００が装着される。この撹拌装置２００は、前述し
た第４図に示すものと同様である。ただし、突き当て部
材３００は取り付けられていない。

【００２４】次に、上述した装置を用いて、粉粒体メッ
キ品の製造方法について、工程に分けて説明する。（ａ）前処理前処理では、まず、メッキすべき芯材の秤量を行う。こ
こでは、平均粒径が目的の範囲である芯材を、必要量、
秤量する。秤量は、例えば、重量で行う。

【００２５】この後、芯材を水洗する。水洗に際して
は、できる限り表面を清浄にするため、洗浄液として純
水を用い、かつ、超音波振動を付与する。超音波として
は、例えば、２７ｋＨｚの振動が利用される。もちろ
ん、これに限定されない。洗浄後、吸引濾過して、芯材
と洗浄液とを分離する。なお、水洗時に用いられる装置
として、例えば、図６に示すような装置を用いることが
できる。水洗は、例えば、１分間程度行う。

【００２６】水洗された芯材に、触媒を付着しやすくす
るための極性付与処理を行う。すなわち、界面活性剤を
含む液中に浸漬し、芯材表面に極性を持たせる。例え
ば、５％アニオン系界面活性剤中に浸漬する。この際、
超音波振動を付与する。超音波としては、例えば、２７
ｋＨｚの振動が利用される。もちろん、これに限定され
ない。なお、この極性付与処理時に用いられる装置とし
て、例えば、図６に示すような装置を用いることができ
る。極性付与処理は、例えば、３分間程度行う。

【００２７】この後、純水で水洗する。水洗は、例え
ば、吸引濾過しながら純水で洗浄する。洗浄後、吸引濾
過して、芯材１０を洗浄液から分離する。（ｂ）触媒付着処理前処理が終わった芯材について、触媒付着を行う。触媒
としては、例えば、パラジウムを用いる。具体的には、
例えば、塩化パラジウムを含む触媒液に、芯材を浸漬す
る。この処理では、図４に示す装置を用いる。すなわ
ち、触媒液１１１を必要量満たした触媒漕１１０に、前
述した前処理が終わった芯材を投入し、撹拌装置２００
を装着して、駆動機構２１０により回転軸２２０を回転
駆動し、羽根２３０を回転させて、触媒液１１１を撹拌
すると共に、旋回流を形成させる。撹拌は、例えば、毎
秒１〜３回転程度の回転数で行われる。もちろん、これ
に限定されない。この状態では、前述したように、触媒
液中に含まれる芯材が、旋回流が突き当て部材３００に
突き当たる際に、衝撃力を受け、凝集しかかっていたも
のが分離することとなる。この触媒付与処理は、例え
ば、５分間程度行う。

【００２８】なお、この過程で超音波振動を付与するこ
とが考えられる。しかし、超音波振動を芯材に与える
と、付着している触媒が脱離するおそれがある。従っ
て、本実施形態では、突き当て部材３００を用いてい
る。これによれば、触媒が脱離することを防ぎつつ、凝
集を防ぐことができる。

【００２９】この後、純水で水洗する。水洗は、例え
ば、吸引濾過しながら純水で洗浄する。洗浄後、吸引濾
過して、触媒１１が付着された芯材１０を洗浄液から分
離する（図１（Ｂ）参照）。（ｃ）活性化処理芯材に付着された触媒についての活性化処理を行う。活
性化は、例えば、塩酸等の酸に、触媒が付着された芯材
を、吸引濾過しつつ、酸洗いすることによって処理す
る。この処理は、例えば、２０秒間程度行う。

【００３０】この後、純水で水洗する。水洗は、例え
ば、吸引濾過しながら純水で洗浄する。洗浄後、吸引濾
過して、触媒１１が付着された芯材１０と洗浄液とを分
離する。（ｄ）第１メッキ層処理活性化処理が終わった芯材について、第１メッキ層形成
処理を行う。メッキすべき金属としては、例えば、ニッ
ケルを用いる。具体的には、例えば、硫酸ニッケルを含
む第１メッキ浴に、芯材を浸漬する。このメッキ浴に
は、この他に、例えば、次亜リン酸ソーダ、酢酸ソーダ
等の錯化剤、界面活性剤、イオウ系添加剤等が含まれ、
ｐＨ５．８である。液温度は、例えば、７５℃等の、室
温より高い温度とする。

【００３１】このメッキを行う場合には、図４に示す装
置を用いる。すなわち、第１メッキ浴１２１を必要量満
たした第１メッキ浴槽１２０に、前述した活性化処理が
終わった芯材を投入し、撹拌装置２００を装着して、駆
動機構２１０により回転軸２２０を回転駆動し、羽根２
３０を回転させて、触媒液１１１を撹拌すると共に、旋
回流を形成させる。撹拌は、例えば、毎秒５〜８回転程
度の回転数で、メッキ作業の間、連続して行われる。も
ちろん、これに限定されない。この状態では、前述した
ように、メッキ浴中に含まれる芯材が、旋回流が突き当
て部材３００に突き当たる際に、衝撃力を受け、凝集し
つつあるものが分離することとなる。この第１メッキ層
処理は、例えば、４５分間程度行う。

【００３２】上記第１メッキ層処理では、その過程で、
硫酸ニッケルを補給しつつ行う。具体的には、例えば、
硫酸ニッケルと、水酸化ナトリウムと、酢酸ソーダとを
混合し、それらを滴下することで補給する。

【００３３】なお、この過程で超音波振動を付与するこ
とが考えられる。しかし、超音波振動を芯材に与える
と、金属が付着する前に、触媒が脱離するおそれがあ
る。従って、本実施形態では、突き当て部材３００を用
いている。これによれば、触媒の脱離を防ぎつつ、凝集
を防止し、その結果、金属が均等にメッキされるように
することができる。

【００３４】この後、純水で水洗する。水洗は、例え
ば、図６に示すものと同様の装置を用いて行う。すなわ
ち、必要量の純水を満たした洗浄槽に、第１メッキ層が
形成された中間品を投入し、例えば、２７ｋＨｚの超音
波振動を付与して、例えば、２分間程度洗浄する。その
後、放置して、上澄みを除去し、新たな純水を補給し
て、同様の洗浄を行う。この操作を、例えば、２回行
う。

【００３５】洗浄後、吸引濾過して、第１メッキ層１２
が付着された芯材１０を洗浄液から分離する。このよう
にして、中間品（図１（Ｃ）参照）が得られる。（ｅ）第２メッキ層処理中間品に対して第２メッキ層を形成する処理を行う。メ
ッキすべき金属としては、例えば、金を用いる。具体的
には、例えば、シアン化金カリウム溶液と、置換金液と
を含む第２メッキ浴に、中間品を浸漬する。このメッキ
浴は、例えば、９５℃等の、室温より高い温度とする。
このメッキを行う場合には、図６に示す装置を用いる。
すなわち、第２メッキ浴１３１を必要量満たした第２メ
ッキ浴槽１３０に、前述した中間品を投入し、撹拌装置
２００を装着して、駆動機構２１０により回転軸２２０
を回転駆動し、羽根２３０を回転させて、触媒液１１１
を撹拌すると共に、流れを形成させる。撹拌は、例え
ば、毎秒５〜８回転程度の回転数で行われる。もちろ
ん、これに限定されない。

【００３６】また、第２メッキ層処理では、中間品であ
る粉粒体のメッキ浴投入時に、投入された粉粒体をメッ
キ浴中で超音波振動に曝す。すなわち、中間品の第２メ
ッキ処理の初期に超音波振動に曝す処理を行う。この処
理は、例えば、数秒程度、具体的には、２〜３秒程度行
う。超音波に曝す時間が長くなると、第１メッキ層であ
るニッケルが剥離することが起こりやすくなる。従っ
て、超音波振動に曝す時間は、短時間とすることがよ
い。

【００３７】この後、純水で水洗する。水洗は、例え
ば、図６に示すものと同様の装置を用いて行う。すなわ
ち、必要量の純水を満たした洗浄槽に、第２メッキ層が
形成された粉粒体を投入し、例えば、２７ｋＨｚの超音
波振動に曝して、例えば、２分程度洗浄する。その後、
放置して、上澄みを除去し、新たな純水を補給して、同
様の洗浄を行う。この操作を、例えば、１０回繰り返
す。

【００３８】洗浄後、吸引濾過して、第２メッキ層１３
が付着された粉粒体を洗浄液から分離する。

【００３９】この後、さらに最終洗浄を行う。すなわ
ち、図６示すような槽に、純水を満たし、これに、粉粒
体を投入して、超音波振動に、例えば、２分間程度曝
す。ここでは、撹拌装置は使用しない。その後、水洗水
の電気伝導度を測定して、その値が５μＳ以下になるま
で、純水を取り替えて洗浄を行う。

【００４０】その後、吸引濾過して、第２メッキ層１３
が付着された粉粒体を洗浄液から分離する。分離した粉
粒体の水切りを行い、水分を完全に除去する。そして、
例えば、１１０℃で、数時間、例えば、８時間程度乾燥
させる。このようにして、粉粒体メッキ品（図１（Ｄ）
参照）が得られる。（実施例）次に、本発明に係る、粉粒体メッキ品の製造
方法の実施例について説明する。

【００４１】１０μｍ〜２５μｍの粒径を有する粉粒体
を含み、平均粒径が平均粒径１５μｍのＳｉＯ₂の芯材
を、３００ｇ秤量した。また、図６に示す装置と同様の
装置（撹拌装置は不要）に１０リットルの純水を入れ、
この純水中に、３００ｇの芯材を投入した。そして、２
７ｋＨｚの超音波に、１分間曝しつつ水洗し、その後、
吸引濾過して、芯材を分離した。

【００４２】次に、同様の装置に５％アニオン系界面活
性剤を含む１０リットルの水を入れ、これを４５℃〜５
０℃に保持し、この液中に芯材を浸漬し、超音波振動に
３分間程度曝した。

【００４３】この後、吸引濾過しながら、約１０リット
ルの純水で洗浄し、洗浄後、吸引濾過して、芯材を洗浄
液から分離した。

【００４４】前処理が終わった芯材を、塩化パラジウム
０．１ｇ／リットル、塩化スズ０．５ｇ／リットル、塩
酸１０容量パーセントを含む触媒液中に浸漬した。この
ときの液温度は、室温とした。ここでの処理には、本実
施例では、図４に示す装置を用いた。すなわち、前述し
た組成の触媒液１１１を１０リットル満たした触媒漕１
１０に、前述した前処理が終わった芯材を投入し、撹拌
装置２００を装着して、駆動機構２１０により回転軸２
２０を回転駆動し、羽根２３０を回転させて、触媒液１
１１を毎秒１〜３回転程度の回転数で撹拌した。この触
媒付与処理を、５分間行った。

【００４５】この後、吸引濾過しながら、１０リットル
の純水で洗浄し、洗浄後、吸引濾過して、触媒が付着さ
れた芯材を洗浄液から分離した。

【００４６】この後、３５％の塩酸を１０容量％含む１
０リットルの水に、触媒が付着された芯材を投入し、吸
引濾過しつつ、２０秒間、酸洗いした。

【００４７】この後、吸引濾過しながら、約１０リット
ルの純水で洗浄し、洗浄後、吸引濾過して、活性化処理
された芯材を洗浄液から分離した。

【００４８】活性化処理が終わった芯材を、硫酸ニッケ
ル３０ｇ／リットル、次亜リン酸ソーダ１５ｇ／リット
ル、酢酸ソーダ１５ｇ／リットル、界面活性剤およびイ
オウ系添加剤少量が含まれ、ｐＨ５．８である無電解Ｎ
ｉメッキ浴中に浸漬して第１メッキ層を形成した。液温
度は、７５℃とした。

【００４９】この処理では、図４に示す装置を用いた。
すなわち、前述したメッキ浴１２１を２０リットル満た
した第１メッキ浴槽１２０に、前述した活性化処理が終
わった芯材を投入し、撹拌装置２００を装着して、駆動
機構２１０により回転軸２２０を回転駆動し、羽根２３
０を回転させて、触媒液１１１を毎秒５〜８回転程度の
回転数で撹拌すると共に、旋回流を形成させた。このと
き、第１メッキ浴槽１２０には、突き当て部材３００を
配置して、生成したメッキ浴の旋回流を突き当て部材
３００につき当てさせた。また、上記第１メッキ層処理
では、その過程で、硫酸ニッケルと、水酸化ナトリウム
と、酢酸ソーダとを混合し、それらを第１メッキ浴槽に
滴下して補給した。ここでの処理を４５分間行った。

【００５０】この後、図６に示すものと同様の装置に、
１０リットルの純水を満たして、第１メッキ層が形成さ
れた芯材を投入し、２７ｋＨｚの超音波振動に２分間曝
して洗浄した。その後、放置して、上澄みを除去し、新
たな純水を補給して、同様の洗浄を２回繰り返して行っ
た。

【００５１】洗浄後、吸引濾過して、第１メッキ層１２
が付着された芯材（中間品）を洗浄液から分離した。

【００５２】得られた中間品を、シアン化金カリウム３
ｇ／リットルと、置換金液（日本高純度化学社製ＩＭ−
ＧＯＬＤ−ＩＢ）５０ｇ／リットルとを含む第２メッキ
浴に浸漬して、第２メッキ層を形成した。このメッキ浴
は、９５℃に加熱した。

【００５３】このメッキでは、図６に示す装置を用い
た。すなわち、第２メッキ浴１３１を２リットル満たし
た第２メッキ浴槽１３０に、前述した中間品を投入し、
撹拌装置２００を装着して、駆動機構２１０により回転
軸２２０を回転駆動し、毎秒５〜８回転程度の回転数で
羽根２３０を回転させて、触媒液１１１を撹拌すると共
に、流れを形成させた。また、中間品である粉粒体のメ
ッキ浴投入時に、投入された粉粒体をメッキ浴中で、２
秒〜３秒間、超音波振動に曝した。

【００５４】この後、図６に示すものと同様の装置に、
１０リットルの純水を満たして、第２メッキ層が形成さ
れた粉粒体を投入し、２７ｋＨｚの超音波振動に曝し
て、２分洗浄した。その後、放置して、上澄みを除去
し、新たな純水を補給して、同様の洗浄を計１０回繰り
返した。

【００５５】洗浄後、吸引濾過して、第２メッキ層１３
が付着された粉粒体を洗浄液から分離し、さらに最終洗
浄を行った。すなわち、図６示すような槽に、純水１０
リットルを満たし、これに、粉粒体を投入して、超音波
振動に、例えば、２分間程度曝した。その後、水洗水の
電気伝導度を測定して、その値が５μＳ以下になるま
で、純水を取り替えて洗浄を行った。

【００５６】その後、吸引濾過して、第２メッキ層１３
が付着された粉粒体を洗浄液から分離し、さらに、水切
りを行って、水分を完全に除去し、１１０℃で、８時間
乾燥させた。このようにして、粉粒体メッキ品が得られ
た。

【００５７】このようにして得られた粉粒体メッキ品か
ら複数個を無作為に抜き取って、それらについて顕微鏡
で観察したところ、抜き取りサンプルには、凝集した状
態の二次粒子は見いだせなかった。また、一部にメッキ
がついていない部分を有する粉粒体メッキ品は見いだせ
なかった。従って、本実施例の粉粒体メッキ品製造方法
では、凝集による二次粒子が生成されていないことが確
認された。また、二次粒子の分割が原因となるメッキの
一部欠落が生じていないことが確認された。すなわち、
上記の実施例では、均一に金メッキされた粉粒体メッキ
品が得られた。

【００５８】以上の実施例では、無電解メッキの例を示
したが、本発明はこれに限定されない。例えば、電解メ
ッキでも、同様に行うことができる。

【００５９】また、以上の実施例では、第１メッキ層お
よび第２メッキ層を有する粉粒体メッキ品の例を示した
が、第１メッキ層のみとすることもできる。例えば、第
１メッキ層を銀で構成することができる。これによれ
ば、安価な粉粒体メッキ品を得ることができる。

【００６０】さらに、本発明は、第３メッキ層以上の多
層メッキ層を有する粉粒体メッキ品の製造にも適用可能
である。この場合、第３層以上の層についてのメッキに
際し、凝集がほとんど起こらない場合には、超音波振動
に曝すことを省略することができる。

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、凝集による二次粒子の
生成を抑えて一次粒子の状態で均一なメッキを施した粉
粒体メッキ品を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の製造方法によ
り製造される粉粒体メッキ品の構造を模式的に示す説明
図。

【図２】図２は本発明に係る製造方法の工程の概要を
示す説明図。

【図３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の製造方法で用
いられる製造装置の概要を示す説明図。

【図４】図４は本発明の製造方法において、触媒付着
処理および第１メッキ層処理に用いることができる装置
の一例を示す斜視図。

【図５】図５は本発明の製造方法において、第１メッ
キ層処理に用いることができる装置の一例を示す斜視
図。

【図６】図６は本発明の製造方法において、第２メッ
キ層処理および超音波洗浄に用いることができる装置の
一例を示す斜視図。

【符号の説明】

１０…芯材、１１…触媒、１２…第１メッキ層、１３…
第２メッキ層、１１０…触媒漕、１１１…触媒液、１２
０…第１メッキ浴槽、１２１…第１メッキ浴、１３０…
第２メッキ浴槽、１３１…第２メッキ浴、２００…撹拌
装置、２１０…回転駆動機構、２２０…回転軸、２３０
…羽根、２４０…支持板、３００…突き当て部材、４０
０…超音波発生装置。

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面にメッキを施した粉粒体メッキ品の
製造方法において、触媒を含む溶液に粉粒体を浸漬して、粉粒体に触媒を付
着させる工程と、触媒が付着された粉粒体をメッキ浴に投入してメッキを
行う工程とを含み、前記触媒を付着させる工程では、前記溶液に流れを形成
して粉粒体を移動させると共に、溶液の流れを、それを
妨げる突き当て部材に突き当て、前記メッキを行う工程は、少なくとも２層のメッキを行
い、第１メッキ層を形成するメッキ工程では、前記メッ
キ浴に流れを形成して粉粒体を移動させると共に、メッ
キ浴の流れを、それを妨げる突き当て部材に突き当て、
前記第２メッキ層以降をそれぞれ形成するメッキ工程で
は、少なくとも第２メッキ層を形成するメッキ工程にお
いて、粉粒体のメッキ浴投入時に、投入された粉粒体を
メッキ浴中で超音波振動に曝すことを特徴とする粉粒体
メッキ品の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の粉粒体メッキ品の製造
方法において、前記第２メッキ層以降をそれぞれ形成するメッキ工程の
うち、粉粒体をメッキ浴中で超音波振動に曝すことが行
われる工程では、超音波振動に曝される段階と、その後
の、曝されない段階とを含むことを特徴とする粉粒体メ
ッキ品の製造方法。
【請求項３】表面にメッキを施した粉粒体メッキ品の
製造方法において、触媒を含む溶液に粉粒体を浸漬して、粉粒体に触媒を付
着させる工程と、触媒が付着された粉粒体をメッキ浴に投入してメッキを
行う工程とを含み、前記触媒を付着させる工程では、前記溶液に流れを形成
して粉粒体を移動させると共に、溶液の流れを、それを
妨げる突き当て部材に突き当て、前記メッキを行う工程では、前記メッキ浴に流れを形成
して粉粒体を移動させると共に、メッキ浴の流れを、そ
れを妨げる突き当て部材に突き当てることを特徴とする
粉粒体メッキ品の製造方法。
【請求項４】請求項１、２および３のいずれか一項に
記載の粉粒体メッキ品の製造方法において、前記触媒を付着する工程では、前記溶液を撹拌して旋回
流を生成し、この旋回流を、前記突き当て部材に突き当
てることを特徴とする粉粒体メッキ品の製造方法。
【請求項５】表面にメッキを施した粉粒体メッキ品を
製造するための粉粒体メッキ品製造装置において、触媒を含む溶液に粉粒体を浸漬して、粉粒体に触媒を付
着させるための触媒槽と、触媒が付着された粉粒体をメッキ浴に投入してメッキを
行うための第１および第２メッキ浴槽と、前記触媒漕および第１メッキ浴槽のそれぞれに設置さ
れ、触媒漕内の溶液に流れを形成して粉粒体を移動させ
るための撹拌装置と、前記撹拌槽で生成された溶液の流れを邪魔する邪魔板
と、前記第２メッキ浴槽に設置され、粉粒体のメッキ浴に投
入時に、投入された粉粒体をメッキ浴中で超音波振動に
曝すための超音波発生装置とを備えることを特徴とする
粉粒体メッキ品の製造装置。
【請求項６】表面にメッキを施した粉粒体メッキ品を
製造するための粉粒体メッキ品製造装置において、触媒を含む溶液に粉粒体を浸漬して、粉粒体に触媒を付
着させるための触媒槽と、触媒が付着された粉粒体をメッキ浴に投入してメッキを
行うためのメッキ浴槽と、前記触媒漕およびメッキ浴槽のそれぞれに設置され、触
媒漕内の溶液に流れを形成して粉粒体を移動させるため
の撹拌装置と、前記撹拌槽で生成された溶液の流れを邪魔する邪魔板と
を備えることを特徴とする粉粒体メッキ品の製造装置。