JP2001296118A - 加工変質層の測定方法及びサンプル作成用研削装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被加工物について複数箇所の加工変質層を測
定する場合にも、複数枚のサンプル片を作成することな
く、簡易に測定することができる加工変質層の測定方
法、及び、加工変質層測定用のサンプルを作成する研削
装置を提供する。 【解決手段】 加工変質層３０が形成されたウエーハ２
の表面に断面形状が円弧状をなす円周溝１８を形成し、
この円周溝１８の傾斜面２０に現れた加工変質層３０の
Ｘ方向の長さ２１を測定し、その加工変質層３０のＸ方
向の長さ２１に傾斜面２０の傾斜角であるｔａｎθをか
けることにより、加工変質層３０のＹ方向の長さ２２を
測定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、加工によって被加
工物の表面に形成される加工変質層の測定方法及びサン
プルを作成するための研削装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、一般に半導体チップ等に用いら
れるシリコンウエーハは、硬脆材料からなるインゴット
をワイヤソーにより切断し、切断されたウエーハを研削
盤やラップ盤で所望の厚さに研削して製造される。この
とき、図１５に示すように、シリコンウエーハのように
薄く加工することが求められる被加工物３３の場合に
は、特に加工変質層３０の存在が問題となる。加工変質
層３０とは、加工によって仕上げ面の表面又は表面から
ある深さまで、被加工物３３の母材と異なった物質又は
性質に変化した層のことをいい、加工時の熱、圧力、雰
囲気などの影響によって、組織、結晶構造、機械的電気
的性質などが変化したものである。この加工変質層３０
は製品の最終性能に影響を及ぼす重要な要因であり、具
体的には、形状寸法の経年変化を引き起こす残留応力、
表面処理性、反射率、導電性、耐食性、耐摩耗性などに
影響を与える。

【０００３】一般に、ウエーハの製造においては、研削
加工やラッピング加工は仕上ポリシングなどの前加工と
して用いられることが多い。しかし、硬脆材料からなる
シリコンウエーハの前加工として研削加工やラッピング
加工を採用する場合は、上記加工変質層３０の中でも、
特に加工面に残る引っかき傷やクラックの発生に注意す
る必要がある。そのため従来から、加工面に残る引っか
き傷やクラック等の加工変質層３０を測定する方法が種
々考えられている。

【０００４】例えば、シリコンウエーハの一部をＳｉサ
ンプル片として切り出し、Ｓｉサンプル片の一辺を斜め
に研磨して斜め研磨面を形成し、その斜め研磨面を観察
する斜め研磨法がある。この斜め研磨法について、図１
０〜図１４を用いて説明する。

【０００５】まず、円板状のシリコンウエーハの一部を
直方体形状に切断し、図１０に示すように加工変質層３
０を観察するためのＳｉサンプル片２６をつくる。Ｓｉ
サンプル片２６は７ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ程度の直方
体形状をしており、１枚のウエーハについて複数箇所の
加工変質層３０を観察したい場合には、ウエーハを複数
枚に切断して複数枚のＳｉサンプル片２６をつくる。

【０００６】次に、斜め試料台２７にＳｉサンプル片２
６をセットする。斜め試料台２７は直方体の一辺が斜め
に研磨された形状をしており、その斜めに研磨された座
面２８にＳｉサンプル片２６が貼り付けられる。座面２
８は斜め試料台２７の上面に対して角度θをなし、その
角度θは５〜１０°程度である。Ｓｉサンプル片２６を
座面２８に貼り付けた後、斜め試料台２７の上面が下方
に向くように裏返しにし、図１１に示すように斜め試料
台２７の左右の面を固定して、ラップ盤によりＳｉサン
プル片２６を研磨する。ラップ盤は金属板２９とＳｉサ
ンプル片２６との間に砥粒を入れ、両者に圧力を加えな
がら滑り動かし、Ｓｉサンプル片２６の一辺を滑らかに
仕上げるものである。Ｓｉサンプル片２６の研磨作業
は、始めに直径５μｍ程度の比較的大きなダイヤモンド
砥粒を用いて行い、続いて直径１μｍ程度の比較的小さ
なダイヤモンド砥粒で研磨を行う。最後に研磨面をポリ
シングにより、更に滑らかに仕上げる。

【０００７】研磨後、斜め試料台２７からはずしたＳｉ
サンプル片２６は、図１２に示すように直方体の一辺が
斜めに研磨され、斜め研磨面３４が形成された状態とな
る。この斜め研磨面３４の傾斜角は、斜め試料台２７の
座面２８の傾斜角と同一、すなわち角度θになる。

【０００８】次に、図１３に示すように、斜め研磨した
Ｓｉサンプル片２６を酸の溶液３５の中に浸漬すること
により、クラックや結晶転位が選択的にエッチングされ
る。その後、エッチングをしたＳｉサンプル片２６を水
洗いし、斜め研磨面３４を光学顕微鏡で観察する。

【０００９】上記斜め研磨法は、ウエーハの厚さ方向に
発生している加工変質層３０を斜めに切断して上方から
観察し、その観察結果を投影して加工変質層３０の厚さ
を算出するものである。すなわち、図１４に示すよう
に、Ｓｉサンプル片２６の厚さ方向に発生している加工
変質層３０を、極めて小さな傾斜角θをもたせて研磨す
ることにより、斜め研磨面３４上にクラック等の加工変
質層３０が現れる。その斜め研磨面３４に現れた加工変
質層３０を上方から光学顕微鏡により観察し、加工変質
層３０の横方向（Ｘ方向）の長さ３１を測定する。そし
て、測定された加工変質層３０の横方向（Ｘ方向）の長
さ３１に、斜め研磨面３４の角度であるｔａｎθを掛け
ることにより、加工変質層３０の厚さ方向（Ｙ方向）の
長さ３２、すなわち実際の加工変質層３０の厚さを測定
することができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記斜め研磨法は、加
工変質層３０の厚さを測定するのには適しているが、ウ
エーハの複数箇所において加工変質層３０の厚さを測定
したい場合には、複数枚のＳｉサンプル片２６を切り出
す必要があり、サンプリングに手間がかかるという問題
があった。また、複数枚のＳｉサンプル片２６それぞれ
について、１枚ずつ斜め試料台２７への貼り付け及びラ
ップ盤による研磨作業が必要となり、非常に作業時間を
要する方法であった。

【００１１】本出願に係る発明は、上記のような問題点
を解決するためになされたものであり、その目的とする
ところは、従来の方法に比べて、サンプリングにかかる
時間を短縮した加工変質層測定方法を提供することにあ
る。

【００１２】また、本出願に係る発明の他の目的は、被
加工物について複数箇所の加工変質層を測定する場合に
も、複数枚のＳｉサンプル片を作成することなく、簡易
に加工変質層を測定することができるサンプル作成用研
削装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本出願に係る第１の発明は、加工変質層が形成され
た被加工物の表面に断面形状が円弧状をなす溝を形成
し、該溝の傾斜面に現れた前記加工変質層を測定し、該
加工変質層の測定値に前記傾斜面の角度に応じた演算を
行うことにより、前記被加工物の加工変質層の厚さを測
定する方法である。

【００１４】また、本出願に係る第２の発明は、加工変
質層が形成された被加工物の表面に断面形状が円弧状を
なす円周溝を形成することにより、加工変質層測定用の
サンプルを作成する研削装置であって、前記研削装置
は、ターンテーブルと、該ターンテーブル上に被加工物
を支持する手段と、前記ターンテーブルの中心線と食い
違って直交する中心線を砥石軸中心とする円筒形砥石を
有する砥石頭と、を有することを特徴とする研削装置で
ある。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本出願に係る発明の一実施
の形態を図１〜図９に基づいて詳細に説明する。まず、
本発明の前提として、ウエーハの製造について図９を用
いて簡単に説明する。

【００１６】インゴットをワイヤソーにより輪切りにし
て形成されたシリコンウエーハ２は、例えば直径約２０
０ｍｍ、圧さ約７００〜９００μｍの円板状をなしてい
る。このウエーハ２を所定の寸法形状にするために、研
削盤１５の砥石１６の送り速度を変化させて、粗加工か
ら仕上げ加工へと、ウエーハ２の表面研削が行われる。
例えば、最初の加工として、ワイヤソーにより輪切りに
されたウエーハ２を、砥石１６の送り速度を４０μｍ／
ｍｉｎとして粗加工する。この粗加工は、ウエーハ２の
加工面の粗さや精度を重視するのではなく、ウエーハ２
の厚さを所望の値に速やかに近づけるものであるため、
砥石１６の送り速度は比較的速い。粗加工が終わった段
階では、ウエーハ２の表面は粗く、加工変質層３０も厚
いため製品として出荷するには不充分である。そこで、
研削盤１５の砥石１６の送り速度を２０μｍ／ｍｉｎ、
５μｍ／ｍｉｎと遅くしていき、仕上げ加工を行う。

【００１７】仕上げ加工を終えたウエーハ２は表面粗さ
も滑らかであり、仕上げ寸法も高精度なものとなってい
るため、次工程へ送って良いか否か、本発明の加工変質
層測定方法により加工変質層３０の測定を行う。

【００１８】本発明の加工変質層測定方法は、加工変質
層測定用のサンプルの作成方法に特徴がある。従来のＳ
ｉサンプル片２６の作成は円板状のウエーハから、直方
体形状のＳｉサンプル片２６を切り出して行っていた。
しかし、従来の方法では、複数箇所の加工変質層３０の
厚さを測定する場合には、複数枚のＳｉサンプル片２６
を作成するためにウエーハを細切れにし、それぞれにつ
いて斜め研磨面３４を作成する必要があり、非常に手間
のかかる作業であった。これに対し本発明は、ウエーハ
を細切れにすることなく、ウエーハの複数箇所に簡易に
斜め研磨面を作成するものである。

【００１９】以下、本発明の加工変質層測定用のサンプ
ルを作成するための研削装置について説明する。図１
は，本発明の加工変質層３０の測定に用いるサンプル作
成用研削装置を、模式的に現した正面図である。サンプ
ル作成用研削装置１は、前述の研削加工等を終えた被加
工物を加工変質層３０の測定が可能な状態に加工する装
置であり、ベッド３の上にコラム４が立設され、コラム
４には砥石頭５が上下方向の位置を調節可能に設けられ
ている。

【００２０】ベッド３には、被加工物であるウエーハ２
を固定する被加工物支持機構が装設されている。被加工
物支持機構は、被加工物を取付けるターンテーブル６
と、ターンテーブル６の回転支軸７、及び、回転支軸７
に回転動力を与える原動機８を備えている。この被加工
物支持機構は、ＸＹテーブル３６によりターンテーブル
６の位置を水平方向に調節することができる。ターンテ
ーブル６はウエーハ２を固定するものであり、図１に示
すように、真空ポンプ１７より真空に吸引することによ
ってターンテーブル６上面にウエーハ２を真空吸着させ
るものである。ターンテーブル６の回転支軸７はベッド
３内に装設されて上方に伸びた垂直軸であり、その外形
は円柱状をなし、上端部にはフランジ部（不図示）が形
成されている。フランジ部には前記ターンテーブル６が
設けられており、ターンテーブル６は回転支軸７の回転
により回転する構造になっている。回転支軸７にはベル
ト又は回転ギヤにより原動機８から回転動力が伝えられ
るようになっており、原動機８の回転により回転支軸７
も軸中心に回転を行う。すなわち、原動機８からの回転
動力に伴って回転支軸７が回転し、その回転支軸７の回
転によりターンテーブル６は回転支軸の周りに回転運動
を行うため、ターンテーブル６上に吸着されたウエーハ
２も、ターンテーブル６と共に回転する仕組みになって
いる。

【００２１】コラム４はベッド３から上方に向かって立
設された支柱であり、その前面に設けた上下方向のガイ
ドウエイに砥石頭５が係合している。また、図示されな
いねじ送り装置によって砥石頭５とサーボモータ１３が
連結されている。

【００２２】砥石頭５は、研削用の砥石９を備えている
部分であり、砥石回転機構と砥石送り機構とからなって
いる。砥石回転機構は、図１に示すように、円板状の砥
石９を回転させる機構であり、円板状の砥石９は両端面
の中心部を砥石軸１０によって支持されており、その砥
石軸１０を中心として円周方向に回転する構造となって
いる。また、砥石９は円筒形砥石であるが、砥石９の研
削作用面は砥石軸１０の中心を含む平面で切ると円弧面
となっている。砥石軸１０は水平に配置されており、砥
石回転機構に備えられている原動機１１からベルト１２
等によって回転動力が伝えられて回転するものである。
砥石軸１０には砥石９が取付けられ、砥石軸１０が回転
することによって砥石９も回転を行う。

【００２３】砥石送り機構は、砥石９を垂直方向に往復
移動させる機構であり、砥石９を移動させる動力である
サーボモータ１３と、サーボモータ１３の回転を制御す
る制御部１４とを有する。サーボモータ１３はコラム４
に固定されており、サーボモータ１３の回転により、砥
石頭５をターンテーブル６に近づく方向又は離れる方向
に移動させ、砥石９の送り移動量及び切込み量を管理し
ている。切込み量とは、研削加工を施す被加工物の加工
前の表面である被削面と、研削加工後の表面である仕上
げ面との距離をいう。また、研削加工中以外のときには
砥石は退避位置にあり、研削加工の際には退避位置から
被加工物の被削面まで送り移動させられ、この移動量を
砥石の送り移動量という。サーボモータ１３は制御部１
４に接続されており、制御部１４からの制御信号により
その回転数が制御されるため、制御部１４への入力によ
り切込み量を管理できる。なお、本実施の形態において
は、サーボモータ１３及び制御部１４を設けているが、
それらを設けずに手動で切込み量を管理することも可能
である。

【００２４】次に、上記のサンプル作成用研削装置１に
より、加工変質層の測定に用いるサンプルを作成する方
法について、図１を用いて説明する。

【００２５】前述のように研削盤１５による仕上げ加工
が終わったシリコンウエーハ２を、サンプル作成用研削
装置１のターンテーブル６上に装着する。ターンテーブ
ル６は真空吸着式であり、ターンテーブル６上にウエー
ハ２を搭載した後、真空ポンプ１７を作動させることに
よりターンテーブル６上に形成された小穴からウエーハ
２とターンテーブル６間の空気が吸引されて、ウエーハ
２がターンテーブル６上に真空吸着される。

【００２６】ここで、ターンテーブル６の回転支軸７の
中心線と砥石軸１０の中心線とが食い違って直交する位
置にターンテーブル６が配置されるように、ＸＹテーブ
ル３６を調節する。

【００２７】次に、砥石回転機構の原動機１１を作動さ
せて砥石９を円周方向に回転させるとともに、原動機８
を作動させてターンテーブル６を回転させる。砥石９は
砥石軸１０を中心に図２に示す矢印Ｈ１の方向に回転
し、ターンテーブル６及びウエーハ２は矢印Ｈ２の方向
に回転する。

【００２８】砥石送り機構により回転砥石９を速やかに
被削面位置まで下降させ、その後砥石９の送り移動速度
を遅くして、ウエーハ２に切込む。このとき、ターンテ
ーブル６と供にウエーハ２が回転しているため、図３に
示すようにウエーハ２の上面には円周状をなす円周溝１
８が形成される。また、この円周溝１８の断面形状は、
砥石９の回転により砥石９の形状が反映されるため、図
４に示すように砥石９の直径と同じ直径をもつ円弧状に
研削される。本実施の形態においては、研削用の砥石９
としては、まず粗研削として砥石直径がφ１００ｍｍ
で、砥粒が♯２０００の砥石９を用いて研削している。

【００２９】また、ウエーハ２の中心から円周方向に向
かって、複数のサンプルをとりたい場合は、砥石９を一
旦上昇させてウエーハ２から離し、砥石頭５をウエーハ
２に対して右若しくは左に水平方向に相対移動させた
後、再度砥石９を下降させてウエーハ２への切込みを行
えばよい。すると、図５に示すように、ウエーハ２の上
面には前記円周溝１８とは異なった位置に円周溝１８’
が形成される。この円周溝１８’は、前記円周溝１８と
同心円状に形成されるものであり、その断面形状は前記
円周溝１８と同様、砥石９の回転により砥石９の形状が
反映されるため、砥石９の直径と同じ直径をもつ円弧状
をなしている。更に、多くのサンプルが必要である場合
は、前記のように砥石頭５を水平移動させ、円周溝１
８’と同様に同心円状の円周溝を複数形成すれば良い。
なお、円周溝１８，１８’等はその研削面を後に光学顕
微鏡で観察するものであるため、それぞれの円周溝１
８，１８’等が重ならないように形成する。また、本実
施の形態においては、ＸＹテーブル３６によりターンテ
ーブル６を水平方向に移動させる構造にしているが、砥
石９とウエーハ２の相対的な位置が移動すれば良いた
め、砥石頭５の位置を水平方向に移動させる構造にして
も良い。

【００３０】次に、仕上げ研削として、砥石直径がφ１
００ｍｍで、砥粒が♯８０００の砥石９を用いて研削を
行う。この研削は、先の研削により形成された円周溝１
８，１８’等の内面を滑らかに仕上げるものであるた
め、砥石９とウエーハ２の位置は、先の粗研削のときと
同じ位置関係になるように移動させて研削する。粗研削
の際に、複数の円周溝１８，１８’等を形成した場合に
は、それぞれの円周溝１８，１８’等について仕上げ研
削を行う。

【００３１】円周溝１８の仕上げ研削を終えたら、今度
は円周溝１８内面のポリシングを行う。ポリシングは、
被加工物であるウエーハ２の材質よりも軟らかいパウダ
を用いて円周溝１８の内面を研磨するものであり、Ｓｉ
単結晶を研磨する場合には、パウダとしてＢａＣＯ₃，
ＣａＣＯ₃，Ｆｅ₃Ｏ₄などを用いる。本実施の形態にお
いては、パウダとしてコロイダルシリカを用いて、円周
溝１８のポリシングを行っている。ポリシングにより鏡
面仕上げが行われた円周溝１８内の傾斜面２０（図４参
照）が、従来技術の斜め研磨法でいうところの斜め研磨
面３４と同様の役割を果たす。

【００３２】一般に、研削加工によって生じるウエーハ
２の加工変質層３０の厚さは、通常は１〜２０μｍの範
囲内に収まるものであり、厚い場合でも３０μｍ程度で
ある。従って、砥石９の切込み量としては、加工変質層
３０の厚さよりも大きい必要があるため、５０μｍ以上
であればよい。本実施の形態においては、砥石直径がφ
１００ｍｍの砥石９で、切込み量を１９０μｍにしてい
る。従って、図４に示すように、円周溝１８の幅である
研削幅１９は約１０ｍｍとなる。

【００３３】円周溝１８内面のポリシングが終了した
ら、サンプル作成用研削装置１のターンテーブル６から
ウエーハ２を取り外す。その後、円周溝１８が形成され
たウエーハ２を酸の溶液（例えば、ＪＩＳ Ｈ ０６９
０のＡ液）の中に浸漬することにより、ウエーハ２の研
削加工によって生じたクラックや結晶転位が選択的にエ
ッチングされる。その後、エッチングをしたウエーハ２
を水洗いし、円周溝１８の傾斜面２０を光学顕微鏡で観
察する。

【００３４】次に、加工変質層３０の厚さを算出する方
法について説明する。

【００３５】図６に示すように、エッチング処理が施さ
れたウエーハ２の円周溝１８内面には、加工変質層３０
が円周溝１８の傾斜面２０に沿って拡大して現れる。こ
の加工変質層３０は光学顕微鏡でも観察が可能な大きさ
で現れるため、円周溝１８の傾斜面２０に現れた加工変
質層３０のＸ方向の長さ２１を光学顕微鏡によって測定
することが可能となる。そして、加工変質層３０のＸ方
向の長さ２１に傾斜面２０の角度であるｔａｎθを掛け
ることにより、近似的に加工変質層３０のＹ方向の長さ
２２、即ち加工変質層３０の厚さを測定することができ
る。

【００３６】図７に示すように、円周溝１８の傾斜面２
０の角度であるｔａｎθは、研削幅１９の半分の長さ２
４（５ｍｍ）を、砥石９の半径（５０ｍｍ）から切込み
量（１９０μｍ）を引いた長さ２３で割ることにより表
すことができる。本実施の形態のように、砥石９の半径
（５０ｍｍ）に対して、切込み量（１９０μｍ）が小さ
い場合には、（砥石の半径）−（切込み量）≒（砥石の
半径）と近似することができる。従って、研削幅が１０
ｍｍの場合には、ｔａｎθ≒｛研削幅の半分（５ｍ
ｍ）｝÷｛砥石半径（５０ｍｍ）｝＝０．１として、近
似的に求めることができる。

【００３７】例えば、光学顕微鏡によって円周溝１８の
一部の傾斜面２０を観察して、加工変質層３０のＸ方向
の長さ２１を測定したところ１０μｍであった場合に
は、加工変質層３０のＹ方向の長さ２２は、１０μｍ×
ｔａｎθ（≒０．１）＝１μｍというように求めること
ができる。もちろん、幾何計算を厳密に行うことによっ
ても加工変質層３０のＹ方向の長さ２２を求めることが
できるのは言うまでもない。また、円周溝１８に沿っ
て、複数箇所の傾斜面２０を観察して加工変質層３０の
Ｘ方向の長さ２１を測定すれば、複数箇所の加工変質層
３０の厚さを簡易に算出することができる。

【００３８】すなわち、本発明によれば、従来の斜め研
磨法のように複数枚のＳｉサンプル片２６を切り出し
て、各々のＳｉサンプル片２６について斜め研磨を行わ
なくても、複数箇所の加工変質層３０の厚さを容易に測
定することができる。

【００３９】また、加工変質層測定用サンプルの作成に
おいて複数の円周溝１８を形成した場合には、各円周溝
１８について加工変質層３０のＸ方向の長さ２１を測定
し、加工変質層３０のＹ方向の長さ２２を算出すること
により、複数箇所の加工変質層３０の厚さを簡易に測定
することができる。

【００４０】更に、各円周溝１８について加工変質層３
０のＹ方向の長さ２２を測定することにより、ウエーハ
２の半径方向に対する加工変質層３０の厚さの変化も容
易に測定することができる。

【００４１】また、本発明の加工変質層測定において
は、ウエーハ２の上面に形成するのは円周溝１８に限ら
れるものではなく、その断面形状が円弧状をなす溝であ
れば、図８に示すように直線状に形成された直線溝２５
であっても良い。この直線溝２５を形成する場合にも、
上記円周溝１８の場合と同様、複数箇所の加工変質層３
０の厚さを容易に測定することができる。

【００４２】なお、本実施の形態においては被加工物と
してウエーハ２を用いて説明しているが、本発明はウエ
ーハ２のみを対象とするものではなく、ウエーハ２以外
についても加工変質層３０が形成される被加工物であれ
ば適用できるものである。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、従来の斜め研磨法に比
べて、サンプリングにかかる時間を短縮することができ
る。また、従来の斜め研磨法のように被加工物から複数
枚のＳｉサンプル片を切り出して、各々のＳｉサンプル
片について斜め研磨を行わなくても、被加工物の複数箇
所の加工変質層厚を容易に測定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のサンプル作成用研削装置の一実施の形
態を示した正面図である。

【図２】ウエーハ上面に円周溝を形成している斜視図で
ある。

【図３】円周溝が形成されたウエーハを示す斜視図であ
る。

【図４】円周溝が形成されたウエーハの中心を含む縦断
面を示す図である。

【図５】複数の円周溝が形成されたウエーハを示す斜視
図である。

【図６】円周溝の傾斜面に加工変質層が現れた様子を示
す概念図である。

【図７】円周溝の傾斜面の角度の求め方を説明するため
の説明図である。

【図８】ウエーハに直線溝を形成した状態を示す斜視図
である。

【図９】ウエーハ表面を研削加工する研削盤の外観正面
図である。

【図１０】Ｓｉサンプルを斜め試料台の座面に貼り付け
る様子を示す斜視図である。

【図１１】Ｓｉサンプルの一辺をラップ盤で研磨する様
子を示す正面図である。

【図１２】Ｓｉサンプルの外観を示す斜視図である。

【図１３】Ｓｉサンプルを酸の溶液に浸漬して、エッチ
ングを行っている様子を示す斜視図である。

【図１４】エッチング後のＳｉサンプルの外観を示した
斜視図である。

【図１５】被加工物表面に形成された加工変質層のを示
す概念図である。

【符号の説明】

１…サンプル作成用研削装置 ２…ウエーハ ３…ベッド ４…コラム ５…砥石頭 ６…ターンテーブル ７…回転支軸 ８…原動機 ９…砥石 １０…砥石軸 １１…原動機 １２…ベルト １３…サーボモータ １４…制御部 １５…両頭研削盤 １６…砥石 １７…真空ポンプ １８…円周溝 １９…研削幅 ２０…傾斜面 ２１…加工変質層３０のＸ方向の長さ ２２…加工変質層３０のＹ方向の長さ ２３…砥石９の半径から切込み量を引いた長さ ２４…研削幅１９の半分の長さ ２５…直線溝 ２６…Ｓｉサンプル片 ２７…斜め試料台 ２８…座面 ２９…金属板 ３０…加工変質層 ３１…加工変質層３０の横方向（Ｘ方向）の長さ ３２…加工変質層３０の厚さ方向（Ｙ方向）の長さ ３３…被加工物 ３４…斜め研磨面 ３５…酸の溶液 ３６…ＸＹテーブル。

フロントページの続き (72)発明者 村井 史朗 神奈川県横須賀市神明町１番地 株式会社 日平トヤマ技術センター内 Ｆターム(参考） 2F069 AA46 BB15 BB40 CC07 DD15 DD26 GG04 GG07 GG30 HH30 PP04 3C049 AA03 AB01 CA01 CB04

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 加工変質層が形成された被加工物の表面
   に断面形状が円弧状をなす溝を形成し、該溝の傾斜面に
   現れた前記加工変質層を測定し、該加工変質層の測定値
   に前記傾斜面の角度に応じた演算を行うことにより、前
   記被加工物の加工変質層の厚さを測定する方法。
2. 【請求項２】 加工変質層が形成された被加工物の表面
   に断面形状が円弧状をなす円周溝を形成することによ
   り、加工変質層測定用のサンプルを作成する研削装置で
   あって、 前記研削装置は、ターンテーブルと、該ターンテーブル
   上に被加工物を支持する手段と、前記ターンテーブルの
   中心線と食い違って直交する中心線を砥石軸中心とする
   円筒形砥石を有する砥石頭と、を有することを特徴とす
   る研削装置。