JP2001294814A - 膜形成用塗布液および絶縁膜 - Google Patents
膜形成用塗布液および絶縁膜Info
- Publication number
- JP2001294814A JP2001294814A JP2000111681A JP2000111681A JP2001294814A JP 2001294814 A JP2001294814 A JP 2001294814A JP 2000111681 A JP2000111681 A JP 2000111681A JP 2000111681 A JP2000111681 A JP 2000111681A JP 2001294814 A JP2001294814 A JP 2001294814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- membrane
- forming
- coating
- film
- coating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】溶解性および安全性に優れ、かつ粘度が低く塗
布性が良好な膜形成用塗布液、およびこれを用いて得ら
れる、半導体装置の絶縁膜、フォトレジスト膜、パッシ
ベーション膜を提供する。 【解決手段】〔１〕下記の（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）
を含む膜形成用塗布液。 （Ａ）芳香族環を主鎖に有するポリマー、（Ｂ）フェニ
ルエーテル類、（Ｃ）２０℃、大気圧下における粘度が
１．０ｃＰ以下である有機溶媒 〔２〕前記の膜形成用塗布液を用いて形成されてなる絶
縁膜、フォトレジスト膜またはパッシベーション膜。
布性が良好な膜形成用塗布液、およびこれを用いて得ら
れる、半導体装置の絶縁膜、フォトレジスト膜、パッシ
ベーション膜を提供する。 【解決手段】〔１〕下記の（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）
を含む膜形成用塗布液。 （Ａ）芳香族環を主鎖に有するポリマー、（Ｂ）フェニ
ルエーテル類、（Ｃ）２０℃、大気圧下における粘度が
１．０ｃＰ以下である有機溶媒 〔２〕前記の膜形成用塗布液を用いて形成されてなる絶
縁膜、フォトレジスト膜またはパッシベーション膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス、シリコ
ン、アルミ、銅、プラスチック等の基材に有機ポリマー
膜を形成させる塗布液、およびこれを用いて得られる、
半導体または液晶ディスプレイ装置に使用される絶縁
膜、フォトレジスト膜またはパッシベーション膜に関す
る。
ン、アルミ、銅、プラスチック等の基材に有機ポリマー
膜を形成させる塗布液、およびこれを用いて得られる、
半導体または液晶ディスプレイ装置に使用される絶縁
膜、フォトレジスト膜またはパッシベーション膜に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造プロセスでは、絶縁膜、
フォトレジスト膜、パッシベーション膜等、種々の塗布
膜が使用される。これらの塗布膜は、有機溶媒を使用し
た塗布液を用いて形成される。該塗布液については、該
塗布液の塗布性自体が良好であることに加えて、該有機
溶媒が蒸散した蒸気または飛沫等の、作業者に対する安
全性を配慮することが重要視されている。
フォトレジスト膜、パッシベーション膜等、種々の塗布
膜が使用される。これらの塗布膜は、有機溶媒を使用し
た塗布液を用いて形成される。該塗布液については、該
塗布液の塗布性自体が良好であることに加えて、該有機
溶媒が蒸散した蒸気または飛沫等の、作業者に対する安
全性を配慮することが重要視されている。
【０００３】また、絶縁膜では、配線間が微細化するこ
とによって、絶縁膜自体の誘電率が問題視されてきた。
これまで絶縁膜として使用されてきたシリカ系絶縁膜で
は、伝達速度低下を抑制することが難しい。この解決案
として、有機ポリマーがその優れた電気特性から注目さ
れてきた。また、絶縁膜としては、電気特性のみなら
ず、優れた耐熱性が求められることから、芳香族環を主
鎖に有するポリマーが期待されている。
とによって、絶縁膜自体の誘電率が問題視されてきた。
これまで絶縁膜として使用されてきたシリカ系絶縁膜で
は、伝達速度低下を抑制することが難しい。この解決案
として、有機ポリマーがその優れた電気特性から注目さ
れてきた。また、絶縁膜としては、電気特性のみなら
ず、優れた耐熱性が求められることから、芳香族環を主
鎖に有するポリマーが期待されている。
【０００４】例えば、特表平５−５０２２６１号公報、
特表平５−５０３１１２号公報、特開平９−２０２８２
３号公報、特開平９−２０２８２４号公報、特表平１０
−５１０５８０号公報の実施例に示されているシクロヘ
キサノンでは、国立環境研究所化学物質データベース
（Ｗｅｂ−Ｋｉｓ Ｐｌｕｓ）に記載の通り、催奇性
（変異原性）に問題があることが知られている。また、
特開平９−２４６４２９号公報では、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼンのような芳香族系溶媒や、クロロホ
ルム、トリクロロエチレンのようなハロゲン系溶媒が提
案されているが、これらの有機溶媒の蒸気は、麻酔性、
粘膜刺激性等を有していることが知られている。さら
に、比較的溶解性、安全性に優れた溶媒としてアニソー
ルなどのフェニルエーテル類が挙げられるが、これらを
単独で用いた場合、塗布液の粘度が高いという問題があ
った。特に、メタルエッチングプロセスに適用する場
合、ストリエーション、塗布欠陥が生じることや膜厚自
体の均質性が悪化することがあった。
特表平５−５０３１１２号公報、特開平９−２０２８２
３号公報、特開平９−２０２８２４号公報、特表平１０
−５１０５８０号公報の実施例に示されているシクロヘ
キサノンでは、国立環境研究所化学物質データベース
（Ｗｅｂ−Ｋｉｓ Ｐｌｕｓ）に記載の通り、催奇性
（変異原性）に問題があることが知られている。また、
特開平９−２４６４２９号公報では、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼンのような芳香族系溶媒や、クロロホ
ルム、トリクロロエチレンのようなハロゲン系溶媒が提
案されているが、これらの有機溶媒の蒸気は、麻酔性、
粘膜刺激性等を有していることが知られている。さら
に、比較的溶解性、安全性に優れた溶媒としてアニソー
ルなどのフェニルエーテル類が挙げられるが、これらを
単独で用いた場合、塗布液の粘度が高いという問題があ
った。特に、メタルエッチングプロセスに適用する場
合、ストリエーション、塗布欠陥が生じることや膜厚自
体の均質性が悪化することがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、溶解
性および安全性に優れ、かつ粘度が低く塗布性が良好な
膜形成用塗布液、およびこれを用いて得られる、半導体
装置の絶縁膜、フォトレジスト膜、パッシベーション膜
を提供することにある。
性および安全性に優れ、かつ粘度が低く塗布性が良好な
膜形成用塗布液、およびこれを用いて得られる、半導体
装置の絶縁膜、フォトレジスト膜、パッシベーション膜
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、〔１〕下記の
（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を含む膜形成用塗布液に係
るものである。 （Ａ）芳香族環を主鎖に有するポリマー、（Ｂ）フェニ
ルエーテル類、（Ｃ）２０℃、大気圧下における粘度が
１．０ｃＰ以下である有機溶媒 また、本発明は、〔２〕前記の膜形成用塗布液を用いて
形成されてなる絶縁膜、フォトレジスト膜またはパッシ
ベーション膜に係るものである。次に、本発明を詳細に
説明する。
（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を含む膜形成用塗布液に係
るものである。 （Ａ）芳香族環を主鎖に有するポリマー、（Ｂ）フェニ
ルエーテル類、（Ｃ）２０℃、大気圧下における粘度が
１．０ｃＰ以下である有機溶媒 また、本発明は、〔２〕前記の膜形成用塗布液を用いて
形成されてなる絶縁膜、フォトレジスト膜またはパッシ
ベーション膜に係るものである。次に、本発明を詳細に
説明する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明におけるフェニルエーテル
類としては特に限定されるものではないが、アニソール
（メトキシベンゼン）、フェネトール（エトキシベンゼ
ン）、メトキシトルエン、メトキシエチルベンゼン、エ
トキシトルエン、エトキシエチルベンゼン、ベラトロー
ル（ジメトキシベンゼン）、ジエトキシベンゼン、ブト
キシベンゼン、ペンチルフェニルエーテル、ジフェニル
エーテル等が挙げられ、アニソール、フェネトール、メ
トキシトルエンから選ばれる少なくとも１種が好まし
い。
類としては特に限定されるものではないが、アニソール
（メトキシベンゼン）、フェネトール（エトキシベンゼ
ン）、メトキシトルエン、メトキシエチルベンゼン、エ
トキシトルエン、エトキシエチルベンゼン、ベラトロー
ル（ジメトキシベンゼン）、ジエトキシベンゼン、ブト
キシベンゼン、ペンチルフェニルエーテル、ジフェニル
エーテル等が挙げられ、アニソール、フェネトール、メ
トキシトルエンから選ばれる少なくとも１種が好まし
い。
【０００８】本発明における粘度とは、２０℃、大気圧
下における粘性率である。例えば、ＪＩＳ Ｚ ８８０
３・液体粘度測定方法（円すい−平板回転粘度計）など
により測定することができる。
下における粘性率である。例えば、ＪＩＳ Ｚ ８８０
３・液体粘度測定方法（円すい−平板回転粘度計）など
により測定することができる。
【０００９】本発明における粘度が１．０ｃＰ以下であ
る有機溶媒は、粘度が規定の範囲にあれば特に限定はさ
れないが、具体的に例示すれば、ヘキサン、ヘプタン、
シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；ベンゼ
ン、トルエン、キシレンなどの炭化水素系溶媒；アセチ
ルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン等のケトン系溶
媒；酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸
エチル等のエステル系溶媒；ジイソプロピルエーテル、
ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒が工業的に入手可
能な溶媒として用いることができる。特に、テトラヒド
ロフラン、テトラヒドロピラン、メチルテトラヒドロフ
ラン、メチルテトラヒドロピラン、メトキシテトラヒド
ロピランなどの脂環式エーテル類は、より溶解性、安全
性に優れた溶媒であるため好ましい。
る有機溶媒は、粘度が規定の範囲にあれば特に限定はさ
れないが、具体的に例示すれば、ヘキサン、ヘプタン、
シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；ベンゼ
ン、トルエン、キシレンなどの炭化水素系溶媒；アセチ
ルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン等のケトン系溶
媒；酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸
エチル等のエステル系溶媒；ジイソプロピルエーテル、
ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒が工業的に入手可
能な溶媒として用いることができる。特に、テトラヒド
ロフラン、テトラヒドロピラン、メチルテトラヒドロフ
ラン、メチルテトラヒドロピラン、メトキシテトラヒド
ロピランなどの脂環式エーテル類は、より溶解性、安全
性に優れた溶媒であるため好ましい。
【００１０】本発明の塗布液において、フェニルエーテ
ル類である有機溶媒の割合は、全有機溶媒に対して好ま
しくは５〜９５重量％、更に好ましくは２０〜９０重量
％である。この割合が９５％よりも高い場合、塗布液の
粘度の十分な低下がみられず、効果が十分に得られない
ことがある。また、５％よりも低い場合は、樹脂の溶解
性が低下し、樹脂結晶が析出することがある。
ル類である有機溶媒の割合は、全有機溶媒に対して好ま
しくは５〜９５重量％、更に好ましくは２０〜９０重量
％である。この割合が９５％よりも高い場合、塗布液の
粘度の十分な低下がみられず、効果が十分に得られない
ことがある。また、５％よりも低い場合は、樹脂の溶解
性が低下し、樹脂結晶が析出することがある。
【００１１】本発明の塗布液において、粘度が１．０ｃ
Ｐ以下である有機溶媒の割合は、全有機溶媒に対して好
ましくは９５〜５重量％、さらに好ましくは９０〜２０
重量％である。本発明の膜形成用塗布液は、本発明の目
的を損なわない範囲で、（Ｂ）フェニルエーテル類と
（Ｃ）粘度が１．０ｃＰ以下である有機溶媒以外の有機
溶媒を含んでいてもよい。
Ｐ以下である有機溶媒の割合は、全有機溶媒に対して好
ましくは９５〜５重量％、さらに好ましくは９０〜２０
重量％である。本発明の膜形成用塗布液は、本発明の目
的を損なわない範囲で、（Ｂ）フェニルエーテル類と
（Ｃ）粘度が１．０ｃＰ以下である有機溶媒以外の有機
溶媒を含んでいてもよい。
【００１２】本発明における芳香族環を主鎖に有する有
機ポリマーは、特に限定されものではないが、化１に示
す構造のいずれかを繰返し単位に有する有機ポリマーが
挙げられる。
機ポリマーは、特に限定されものではないが、化１に示
す構造のいずれかを繰返し単位に有する有機ポリマーが
挙げられる。
【化１】−Ａｒ−Ｒ−、 −Ａｒ−Ｏ−、 −Ａｒ−ＣＯＮＨ− （Ａｒは側鎖を有してもよい炭素数６〜２０のアリーレ
ン基を示し、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数
４〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜１０のア
ルケニル基を示す） さらに、前記（Ａ）として、化１に示す構造のいずれか
と、化２に示す構造のいずれかとを繰返し単位に有する
有機ポリマーが挙げられる。
ン基を示し、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数
４〜１０のシクロアルキル基または炭素数２〜１０のア
ルケニル基を示す） さらに、前記（Ａ）として、化１に示す構造のいずれか
と、化２に示す構造のいずれかとを繰返し単位に有する
有機ポリマーが挙げられる。
【化２】−Ａｒ−ＳＯ2− −Ａｒ−ＣＯ−、 −Ａｒ−ＣＯＯ− （Ａｒは、化１における定義と同じである。） 該有機ポリマーは、ランダム共重合体でもブロック共重
合体でもよい。また、側鎖または末端基に他のポリマー
を結合させたグラフト共重合体、ブロック共重合体であ
ってもよい。また、側鎖または末端基にエポキシ基、シ
アネート基、プロパギル基、アリル基、ビニル基等の熱
硬化基を有していても差し支えない。これらは１種また
は２種以上を混合して使用することができる。
合体でもよい。また、側鎖または末端基に他のポリマー
を結合させたグラフト共重合体、ブロック共重合体であ
ってもよい。また、側鎖または末端基にエポキシ基、シ
アネート基、プロパギル基、アリル基、ビニル基等の熱
硬化基を有していても差し支えない。これらは１種また
は２種以上を混合して使用することができる。
【００１３】本発明における芳香族環を主鎖に有する有
機ポリマーとして、特に、ポリアリーレンエーテル類、
ポリアリーレンエーテルケトン類、ポリアリーレンエ−
テルスルホン類、ポリアリーレンエーテルアミド類等
の、エーテル結合を主鎖に有するポリマーが耐熱性、絶
縁性等が優れているため好ましい。中でもポリアリーレ
ンエーテル類が比誘電率３．０以下であるため、更に好
適である。
機ポリマーとして、特に、ポリアリーレンエーテル類、
ポリアリーレンエーテルケトン類、ポリアリーレンエ−
テルスルホン類、ポリアリーレンエーテルアミド類等
の、エーテル結合を主鎖に有するポリマーが耐熱性、絶
縁性等が優れているため好ましい。中でもポリアリーレ
ンエーテル類が比誘電率３．０以下であるため、更に好
適である。
【００１４】また、本発明の効果を損なわない範囲で界
面活性剤、シランカップリング剤等の他の添加剤を混合
することもできる。
面活性剤、シランカップリング剤等の他の添加剤を混合
することもできる。
【００１５】また、本発明の塗布液は、スピンコート
法、ローラープレーティング法または浸漬法によって、
半導体デバイス基板上に塗布し、必要に応じて熱処理、
光照射等の方法によって電気特性・耐熱性に優れた絶縁
膜を形成することが可能であり、良好な溶解性を有する
ことから経時的な安定性にも優れる。
法、ローラープレーティング法または浸漬法によって、
半導体デバイス基板上に塗布し、必要に応じて熱処理、
光照射等の方法によって電気特性・耐熱性に優れた絶縁
膜を形成することが可能であり、良好な溶解性を有する
ことから経時的な安定性にも優れる。
【００１６】また、本発明の塗布液に、紫外線または可
視光線で反応する感光剤を配合させることにより、該塗
布液を用いてフォトレジスト膜を形成することが可能で
ある。本発明の塗布液は、スピンコート法または浸漬法
によって、半導体デバイス基板上に塗布し、必要に応じ
て熱処理を行い耐熱性（耐ドライエッチング性）に優れ
たフォトレジスト膜を形成することが可能であり、良好
な溶解性を有することから経時的な安定性にも優れる。
視光線で反応する感光剤を配合させることにより、該塗
布液を用いてフォトレジスト膜を形成することが可能で
ある。本発明の塗布液は、スピンコート法または浸漬法
によって、半導体デバイス基板上に塗布し、必要に応じ
て熱処理を行い耐熱性（耐ドライエッチング性）に優れ
たフォトレジスト膜を形成することが可能であり、良好
な溶解性を有することから経時的な安定性にも優れる。
【００１７】また、本発明の塗布液は、スピンコート法
または浸漬法によって、半導体デバイス基板上に塗布
し、必要に応じて熱処理、光照射等の方法によって耐吸
湿性に優れたパッシベーション膜を形成することが可能
であり、良好な溶解性を有することから経時的な安定性
にも優れる。
または浸漬法によって、半導体デバイス基板上に塗布
し、必要に応じて熱処理、光照射等の方法によって耐吸
湿性に優れたパッシベーション膜を形成することが可能
であり、良好な溶解性を有することから経時的な安定性
にも優れる。
【００１８】
【実施例】本発明を更に詳細に説明するために以下に実
施例を示すが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。 合成例１ ２Ｌ４つ口フラスコに１，１−ビス（４−ヒドロキシ−
３−シクロヘキシルフェニル）シクロヘキシリデン１７
２．８ｇ、苛性ソーダ３２．０ｇ、ベンゾフェノン５６
０ｇおよびトルエン３００ｇを仕込み、還流脱水を行っ
た。脱水が完了した後、ジヨードビフェニル１６２．４
ｇを添加した。更に塩化第１銅０．４ｇをピリジン４０
ｇに溶解させた溶液を添加し、内温約１８０℃で６時間
反応させた。室温まで冷却させた後、イソプロピルアル
コール３０００ｇに酢酸８０．０ｇを混合した溶液に反
応溶液を加え、生成物を析出させた。析出した結晶をろ
過し、大量のメタノールで洗浄し、ドライケーキとして
１７５ｇの製品を得た。ＧＰＣによるポリスチレン換算
重量平均分子量は約５０００であった。これを樹脂Ａと
呼ぶ。
施例を示すが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。 合成例１ ２Ｌ４つ口フラスコに１，１−ビス（４−ヒドロキシ−
３−シクロヘキシルフェニル）シクロヘキシリデン１７
２．８ｇ、苛性ソーダ３２．０ｇ、ベンゾフェノン５６
０ｇおよびトルエン３００ｇを仕込み、還流脱水を行っ
た。脱水が完了した後、ジヨードビフェニル１６２．４
ｇを添加した。更に塩化第１銅０．４ｇをピリジン４０
ｇに溶解させた溶液を添加し、内温約１８０℃で６時間
反応させた。室温まで冷却させた後、イソプロピルアル
コール３０００ｇに酢酸８０．０ｇを混合した溶液に反
応溶液を加え、生成物を析出させた。析出した結晶をろ
過し、大量のメタノールで洗浄し、ドライケーキとして
１７５ｇの製品を得た。ＧＰＣによるポリスチレン換算
重量平均分子量は約５０００であった。これを樹脂Ａと
呼ぶ。
【００１９】窒素置換した１Ｌの４つ口フラスコに上記
記載の樹脂Ａを４ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを
４００ｍＬ加え、該樹脂Ａを溶解させた。ｎ−ブチルリ
チウム（１．５Ｍ、ｎ−ヘキサン溶液）を２３０ｍＬ加
え、窒素気流下１時間攪拌し、その後ジメチルビニルシ
リルクロライドを４１．６ｇ加え、さらに攪拌を約１時
間続けた。反応終了後、メタノール１６００ｇ、酢酸４
０ｇの混合溶媒中に反応溶液をチャージし、高分子量物
を析出させ、濾過した後メタノール洗浄および水洗を行
い、白色粉末状の生成物を得た。ＧＰＣによるポリスチ
レン換算重量平均分子量は約７０００であった。これを
樹脂Ｂと呼ぶ。
記載の樹脂Ａを４ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを
４００ｍＬ加え、該樹脂Ａを溶解させた。ｎ−ブチルリ
チウム（１．５Ｍ、ｎ−ヘキサン溶液）を２３０ｍＬ加
え、窒素気流下１時間攪拌し、その後ジメチルビニルシ
リルクロライドを４１．６ｇ加え、さらに攪拌を約１時
間続けた。反応終了後、メタノール１６００ｇ、酢酸４
０ｇの混合溶媒中に反応溶液をチャージし、高分子量物
を析出させ、濾過した後メタノール洗浄および水洗を行
い、白色粉末状の生成物を得た。ＧＰＣによるポリスチ
レン換算重量平均分子量は約７０００であった。これを
樹脂Ｂと呼ぶ。
【００２０】実施例１〜４、比較例１ 合成例１で選られた樹脂Ｂを減圧乾燥させた後、固形分
が１５重量％になるようにアニソールとテトラヒドロピ
ランの混合溶媒に溶解させた。調製した溶液を０．１μ
ｍフィルターでろ過し、８インチパターンウェハーに回
転数４０００ｒｐｍでスピンコートし、１５０℃で１分
間ベークした。面内の塗布ムラは光学顕微鏡４０倍観察
を行った。各々の溶媒混合比における塗布性評価結果を
表１に示す。
が１５重量％になるようにアニソールとテトラヒドロピ
ランの混合溶媒に溶解させた。調製した溶液を０．１μ
ｍフィルターでろ過し、８インチパターンウェハーに回
転数４０００ｒｐｍでスピンコートし、１５０℃で１分
間ベークした。面内の塗布ムラは光学顕微鏡４０倍観察
を行った。各々の溶媒混合比における塗布性評価結果を
表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】本発明の膜形成用塗布液は、耐熱性に優
れた芳香族環を主鎖に有する有機ポリマーをたやすく塗
布、成膜することが可能であり、溶解性および安全性に
優れ、かつ粘度が低く塗布性が良好なものである。該膜
形成用塗布液を用いることにより、絶縁膜、フォトレジ
スト膜、パッシベーション膜等を好適に形成することが
できる。
れた芳香族環を主鎖に有する有機ポリマーをたやすく塗
布、成膜することが可能であり、溶解性および安全性に
優れ、かつ粘度が低く塗布性が良好なものである。該膜
形成用塗布液を用いることにより、絶縁膜、フォトレジ
スト膜、パッシベーション膜等を好適に形成することが
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 チェ ヒョンチョル 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA10 AA18 AA20 AB17 CB21 CB41 CC03 CC20 4J038 CP091 DB251 DC001 DD061 DF031 DF061 DG261 DH011 DJ011 FA241 JA01 JA26 JA28 JA33 JA56 JA62 JA70 JA72 KA06 NA21 PB08 5G305 AA07 AA11 AB10 AB24 AB35 AB36 BA09 CA13 CA14 CA20 CA35 CB09 CD12
Claims (7)
- 【請求項１】下記の（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を含む
膜形成用塗布液。 （Ａ）芳香族環を主鎖に有するポリマー、（Ｂ）フェニ
ルエーテル類、（Ｃ）２０℃、大気圧下における粘度が
１．０ｃＰ以下である有機溶媒 - 【請求項２】芳香族環を主鎖に有するポリマーが、さら
に主鎖にエーテル結合を有するポリマーであることを特
徴とする請求項１に記載の膜形成用塗布液。 - 【請求項３】フェニルエーテル類がアニソール、フェネ
トール、メトキシトルエンから選ばれる少なくとも１種
であることを特徴とする請求項１に記載の膜形成用塗布
液。 - 【請求項４】（Ｃ）２０℃、大気圧下における粘度が
１．０ｃＰ以下である有機溶媒が脂環式エーテル類であ
ることを特徴とする請求項１〜３に記載の膜形成用塗布
液。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の膜形成用
塗布液を用いて形成されてなる絶縁膜。 - 【請求項６】請求項１〜４のいずれかに記載の膜形成用
塗布液を用いて形成されてなるフォトレジスト膜。 - 【請求項７】請求項１〜４のいずれかに記載の膜形成用
塗布液を用いて形成されてなるパッシベーション膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000111681A JP2001294814A (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 膜形成用塗布液および絶縁膜 |
| KR1020000051814A KR20010067143A (ko) | 1999-09-08 | 2000-09-02 | 막 형성용 코팅 용액 |
| TW089118172A TWI229116B (en) | 1999-09-08 | 2000-09-05 | Coating solution for film formation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000111681A JP2001294814A (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 膜形成用塗布液および絶縁膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001294814A true JP2001294814A (ja) | 2001-10-23 |
Family
ID=18623971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000111681A Pending JP2001294814A (ja) | 1999-09-08 | 2000-04-13 | 膜形成用塗布液および絶縁膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001294814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007015352A1 (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
-
2000
- 2000-04-13 JP JP2000111681A patent/JP2001294814A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007015352A1 (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2007041313A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US8007981B2 (en) | 2005-08-03 | 2011-08-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2450412B1 (en) | Silicone coating composition | |
| US6512071B1 (en) | Organohydridosiloxane resins with high organic content | |
| TWI462969B (zh) | 圖型反轉膜形成用組成物及反轉圖型之形成方法 | |
| US20030105264A1 (en) | Organosiloxanes | |
| TWI621666B (zh) | 用於形成氧化矽層的組成物、製造氧化矽層的方法、氧化矽層及電子裝置 | |
| TWI649624B (zh) | Pattern forming method, resin and photoresist underlayer film forming composition | |
| TW200806714A (en) | Organic silica film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing the same, wiring structure and semiconductor device | |
| TWI597321B (zh) | 有機層組成物以及形成圖案的方法 | |
| JP2004509191A (ja) | 有機シリケート重合体の製造方法 | |
| US20050090570A1 (en) | Composition for forming dielectric film and method for forming dielectric film or pattern using the composition | |
| TW201623457A (zh) | 用於形成二氧化矽類層的組成物、用於製造二氧化矽類層的方法以及電子裝置 | |
| CN104823106B (zh) | 硬掩膜组合物、用于其的单体及使用其形成图案的方法 | |
| TW200404838A (en) | Organic silicate polymer and insulation film comprising the same | |
| TWI386438B (zh) | 用於半導體元件之具改良填隙特性的有機矽烷聚合物以及使用該聚合物之塗覆組成物 | |
| US8642437B2 (en) | Gap-filling composition with excellent shelf life by end-capping | |
| KR101425135B1 (ko) | 용해도가 개선된 고내에칭성 카본 하드마스크 중합체 및 이를 포함하는 카본 하드마스크 조성물, 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
| JP2003041184A (ja) | 耐熱性ポリエーテル、熱硬化性ポリエーテル、およびポリエーテル膜形成用塗布液。 | |
| CN111647160A (zh) | 芳香聚酰胺磺酰胺聚合物、含有芳香聚酰胺磺酰胺聚合物的正型光敏性组合物及其应用 | |
| JP2001294814A (ja) | 膜形成用塗布液および絶縁膜 | |
| TWI658003B (zh) | 用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層和電子裝置 | |
| TWI425030B (zh) | 用於填充半導體裝置中之間隙的化合物及使用該化合物之塗覆組成物 | |
| JP2004307693A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置 | |
| JP2006253573A (ja) | 絶縁膜とそれを製造する方法、およびそれを用いた電子デバイス | |
| KR20140038809A (ko) | 스핀 온 카본 하드마스크용 중합체를 포함하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
| JP2001072927A (ja) | 膜形成用塗布液および絶縁膜 |