JP2001291943A - 基板への電極パターン形成方法 - Google Patents
基板への電極パターン形成方法Info
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- JP2001291943A JP2001291943A JP2000104643A JP2000104643A JP2001291943A JP 2001291943 A JP2001291943 A JP 2001291943A JP 2000104643 A JP2000104643 A JP 2000104643A JP 2000104643 A JP2000104643 A JP 2000104643A JP 2001291943 A JP2001291943 A JP 2001291943A
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- butyral resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、基板への電極パターン形成方法に
関するものであって、電極パターンの割れ・断線を防止
する事を目的とするものである。 【解決手段】 そしてこの目的を達成する為に、本発明
はセラミック基板１上にブチラール樹脂を用いてアンダ
ーコート２を形成し、次に、このアンダーコート２上に
電極パターン５を形成し、その後、電極パターン５の焼
成を行なうものである。
関するものであって、電極パターンの割れ・断線を防止
する事を目的とするものである。 【解決手段】 そしてこの目的を達成する為に、本発明
はセラミック基板１上にブチラール樹脂を用いてアンダ
ーコート２を形成し、次に、このアンダーコート２上に
電極パターン５を形成し、その後、電極パターン５の焼
成を行なうものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に非常に微
細な電極パターンを形成する基板への電極パターン形成
方法に関するものである。
細な電極パターンを形成する基板への電極パターン形成
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来は、セラミック基板上に非常に微細
な電極パターンを形成する方法として次のような形成方
法を採用していた。その方法は、セラミック基板にエチ
ルセルロースを用いてアンダーコートを形成し、次にこ
のアンダーコート上に電極パターンをスクリーン印刷に
より形成し、その後電極パターンの乾燥・焼成を行なう
ようにしていた。
な電極パターンを形成する方法として次のような形成方
法を採用していた。その方法は、セラミック基板にエチ
ルセルロースを用いてアンダーコートを形成し、次にこ
のアンダーコート上に電極パターンをスクリーン印刷に
より形成し、その後電極パターンの乾燥・焼成を行なう
ようにしていた。
【０００３】即ち、セラミック基板上に直に電極パター
ンをスクリーン印刷形成した場合には、印刷パターンは
印刷によるにじみやかすれの為に精度が出し難いので、
事前にアルミナ基板上にアンダーコートを形成し、次に
このアンダーコート上に電極パターンをスクリーン印刷
形成し、その後電極パターンの乾燥・焼成をしていたの
である。
ンをスクリーン印刷形成した場合には、印刷パターンは
印刷によるにじみやかすれの為に精度が出し難いので、
事前にアルミナ基板上にアンダーコートを形成し、次に
このアンダーコート上に電極パターンをスクリーン印刷
形成し、その後電極パターンの乾燥・焼成をしていたの
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記電極パターンの形
成方法においては、この電極パターンの乾燥・焼成を行
なう際に、電極パターンがアンダーコート上で収縮する
ようになっている。このような状態において問題となる
のは、電極パターンの乾燥を行なう際に、この電極パタ
ーンの収縮により電極パターン下部でのアンダーコート
のひび割れが発生し、これにより電極パターンのひび割
れが起こってしまう、また、焼成を行なう際には、この
電極パターンの収縮が大きく、電極パターンの断線が起
きてしまうということであった。
成方法においては、この電極パターンの乾燥・焼成を行
なう際に、電極パターンがアンダーコート上で収縮する
ようになっている。このような状態において問題となる
のは、電極パターンの乾燥を行なう際に、この電極パタ
ーンの収縮により電極パターン下部でのアンダーコート
のひび割れが発生し、これにより電極パターンのひび割
れが起こってしまう、また、焼成を行なう際には、この
電極パターンの収縮が大きく、電極パターンの断線が起
きてしまうということであった。
【０００５】即ち、電極パターンを乾燥する際に、電極
パターンの収縮力により、セラミック基板上のアンダー
コートは電極パターン下部でひび割れを発生、これによ
り電極パターンもひび割れが起こってしまう、また、焼
成する際には、この電極パターンの収縮量が大きい為、
焼成膜の導体粒子のつながりが破壊され、電極パターン
断線が発生してしまうのであった。そこで本発明は、こ
の電極パターンのひび割れ・断線を防止する事を目的と
するものである。
パターンの収縮力により、セラミック基板上のアンダー
コートは電極パターン下部でひび割れを発生、これによ
り電極パターンもひび割れが起こってしまう、また、焼
成する際には、この電極パターンの収縮量が大きい為、
焼成膜の導体粒子のつながりが破壊され、電極パターン
断線が発生してしまうのであった。そこで本発明は、こ
の電極パターンのひび割れ・断線を防止する事を目的と
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
る為に本発明は、基板上にブチラール樹脂を用いてアン
ダーコートを形成し、次にこのアンダーコート上に電極
パターンをスクリーン印刷により形成し、その後電極パ
ターンの乾燥・焼成を行なうものである。
る為に本発明は、基板上にブチラール樹脂を用いてアン
ダーコートを形成し、次にこのアンダーコート上に電極
パターンをスクリーン印刷により形成し、その後電極パ
ターンの乾燥・焼成を行なうものである。
【０００７】つまり、ブチラール樹脂は従来のエチルセ
ルロースに比較してその分子構造的に緻密な膜を作るた
め、基板との密着性に優れ電極パターンの乾燥時におい
ても、電極パターンの収縮によるアンダーコートのひび
割れが発生せず、焼成時においても、従来のエチルセル
ロースに比較してその導体膜中への拡散のし易さから焼
成によるパターン収縮が小さくなる。
ルロースに比較してその分子構造的に緻密な膜を作るた
め、基板との密着性に優れ電極パターンの乾燥時におい
ても、電極パターンの収縮によるアンダーコートのひび
割れが発生せず、焼成時においても、従来のエチルセル
ロースに比較してその導体膜中への拡散のし易さから焼
成によるパターン収縮が小さくなる。
【０００８】即ち、このように電極パターンの乾燥時に
おいて、ブチラール樹脂を用いたアンダーコートは基板
との密着性が強く、結果として、電極パターン収縮力に
よっても、ブチラール樹脂によるアンダーコートは基板
上でのひび割れを生じる事が無く、また、焼成時におい
ても、ブチラール樹脂を用いたアンダーコートは導体膜
中への拡散がし易く、結果として、導体の焼結状態がポ
ーラスとなり電極パターンの収縮量が小さく抑えられ、
乾燥・焼成による電極パターンのひび割れ・断線を防止
できるものである。
おいて、ブチラール樹脂を用いたアンダーコートは基板
との密着性が強く、結果として、電極パターン収縮力に
よっても、ブチラール樹脂によるアンダーコートは基板
上でのひび割れを生じる事が無く、また、焼成時におい
ても、ブチラール樹脂を用いたアンダーコートは導体膜
中への拡散がし易く、結果として、導体の焼結状態がポ
ーラスとなり電極パターンの収縮量が小さく抑えられ、
乾燥・焼成による電極パターンのひび割れ・断線を防止
できるものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基板上にブチラール樹脂を用いてアンダーコートを
形成し、次にこのアンダーコート上に電極パターンをス
クリーン印刷により形成し、その後電極パターンの乾燥
・焼成を行なう基板への電極パターン形成方法であっ
て、アンダーコートとしてブチラール樹脂を用いて形成
する事により、電極パターンの乾燥において、即ち、こ
の電極パターンが乾燥により収縮しようとする時におい
て、ブチラール樹脂によるアンダーコートが基板との密
着性に優れ、このことが電極パターンの収縮しようとす
る力に対しアンダーコートのひび割れ防止となり、この
結果として電極パターンのひび割れが生じなくなるもの
である。
は、基板上にブチラール樹脂を用いてアンダーコートを
形成し、次にこのアンダーコート上に電極パターンをス
クリーン印刷により形成し、その後電極パターンの乾燥
・焼成を行なう基板への電極パターン形成方法であっ
て、アンダーコートとしてブチラール樹脂を用いて形成
する事により、電極パターンの乾燥において、即ち、こ
の電極パターンが乾燥により収縮しようとする時におい
て、ブチラール樹脂によるアンダーコートが基板との密
着性に優れ、このことが電極パターンの収縮しようとす
る力に対しアンダーコートのひび割れ防止となり、この
結果として電極パターンのひび割れが生じなくなるもの
である。
【００１０】また、焼成においては、即ち、焼成により
収縮しようとする時において、ブチラール樹脂によるア
ンダーコートは導体膜中への拡散がし易く導体焼成膜質
がポーラスとなり、このことが電極パターンの収縮量を
小さく抑え、この結果電極パターンの断線を防止できる
ものとなる。
収縮しようとする時において、ブチラール樹脂によるア
ンダーコートは導体膜中への拡散がし易く導体焼成膜質
がポーラスとなり、このことが電極パターンの収縮量を
小さく抑え、この結果電極パターンの断線を防止できる
ものとなる。
【００１１】次に本発明の請求項２に記載の発明は、電
極パターンをＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ、またはＡｇ−Ｐｔ
系とした請求項１に記載の基板への電極パターン形成方
法であって、電極パターンをＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−
Ｐｔ系のいずれか一つとする事により、その焼成をＡｉ
ｒ雰囲気とする事ができる。即ち、焼成をＡｉｒ雰囲気
とする事によりブチラール樹脂を用いたアンダーコート
上の電極パターンを焼成できるものである。
極パターンをＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ、またはＡｇ−Ｐｔ
系とした請求項１に記載の基板への電極パターン形成方
法であって、電極パターンをＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−
Ｐｔ系のいずれか一つとする事により、その焼成をＡｉ
ｒ雰囲気とする事ができる。即ち、焼成をＡｉｒ雰囲気
とする事によりブチラール樹脂を用いたアンダーコート
上の電極パターンを焼成できるものである。
【００１２】次に本発明の請求項３に記載の発明は、電
極パターンの焼成温度を５００℃以上とした基板への電
極パターン形成方法であって、電極パターンの焼成温度
を５００℃以上とする事により、ブチラール樹脂を用い
て形成したアンダーコートは完全に燃焼消出し基板上に
は電極パターンのみを焼結状態で形成する事ができる。
極パターンの焼成温度を５００℃以上とした基板への電
極パターン形成方法であって、電極パターンの焼成温度
を５００℃以上とする事により、ブチラール樹脂を用い
て形成したアンダーコートは完全に燃焼消出し基板上に
は電極パターンのみを焼結状態で形成する事ができる。
【００１３】以下本発明の一実施形態を添付図面に従っ
て説明する。図１において、１はセラミック基板で、こ
のセラミック基板１の表面にはブチラール樹脂を用いた
アンダーコート２が設けられている。また、このアンダ
ーコート２の上面にはマスク３とスキージ４を用いてス
クリーン印刷により電極パターン５が形成された状態と
なる。図２は、図１のようにアンダーコート２上に電極
パターン５を形成した状態を示すものである。この状態
で、電極パターン５部分について注目し、次に乾燥につ
いて説明を行なう。この電極パターン５の乾燥について
はセラミック基板１を１００℃から１５０℃の雰囲気中
で５分から１０分間程度でペースト中の溶剤分を除去す
ると、図３のごとく電極パターン５の収縮力により、電
極パターン５下面のアンダーコート２を引き裂こうとす
る（図３は従来例のアンダーコート材）。しかし、ブチ
ラール樹脂を用いたアンダーコート２はセラミック基板
１との密着力の強さにより電極パターン５下面のアンダ
ーコート２は引き裂かれる事なくセラミック基板１上に
残り、電極パターン５も引き裂かれる事なく乾燥した状
態として残る。また、この電極パターン５の焼成につい
ても、セラミック基板１をピーク温度５００℃から９０
０℃の雰囲気中に５分から１０分（ピーク温度保持時
間）間程度焼成すると、図４のごとく、電極パターン５
の下面にアンダーコート２が存在していたものが２５０
℃付近を超えたあたりでブチラール樹脂を用いたアンダ
ーコート２が電極パターン５中に拡散を始め、ブチラー
ル樹脂の消出温度である４００℃以上で完全に大気中へ
燃焼消出し、セラミック基板１上には電極パターン５だ
けが焼結して形成された状態となる。この時、ブチラー
ル樹脂を用いたアンダーコート２は、電極パターン５中
への拡散がし易く、この結果、電極パターン５の焼成膜
はポーラスとなり収縮量が抑えられる。このようにアン
ダーコート２はブチラール樹脂を用いて形成する事によ
り、セラミック基板１との密着力が強くなり、電極パタ
ーン２の乾燥時の収縮力によるアンダーコート２のひび
割れを防止し、さらに、アンダーコート２の焼成時の電
極パターン５中への拡散のし易さから、電極パターン５
がポーラスとなり導体収縮量が抑えられ、結果として、
セラミック基板１上に電極パターン５が乾燥・焼成され
る際に、従来発生していた電極パターン５の断線を防止
する事になるものである。
て説明する。図１において、１はセラミック基板で、こ
のセラミック基板１の表面にはブチラール樹脂を用いた
アンダーコート２が設けられている。また、このアンダ
ーコート２の上面にはマスク３とスキージ４を用いてス
クリーン印刷により電極パターン５が形成された状態と
なる。図２は、図１のようにアンダーコート２上に電極
パターン５を形成した状態を示すものである。この状態
で、電極パターン５部分について注目し、次に乾燥につ
いて説明を行なう。この電極パターン５の乾燥について
はセラミック基板１を１００℃から１５０℃の雰囲気中
で５分から１０分間程度でペースト中の溶剤分を除去す
ると、図３のごとく電極パターン５の収縮力により、電
極パターン５下面のアンダーコート２を引き裂こうとす
る（図３は従来例のアンダーコート材）。しかし、ブチ
ラール樹脂を用いたアンダーコート２はセラミック基板
１との密着力の強さにより電極パターン５下面のアンダ
ーコート２は引き裂かれる事なくセラミック基板１上に
残り、電極パターン５も引き裂かれる事なく乾燥した状
態として残る。また、この電極パターン５の焼成につい
ても、セラミック基板１をピーク温度５００℃から９０
０℃の雰囲気中に５分から１０分（ピーク温度保持時
間）間程度焼成すると、図４のごとく、電極パターン５
の下面にアンダーコート２が存在していたものが２５０
℃付近を超えたあたりでブチラール樹脂を用いたアンダ
ーコート２が電極パターン５中に拡散を始め、ブチラー
ル樹脂の消出温度である４００℃以上で完全に大気中へ
燃焼消出し、セラミック基板１上には電極パターン５だ
けが焼結して形成された状態となる。この時、ブチラー
ル樹脂を用いたアンダーコート２は、電極パターン５中
への拡散がし易く、この結果、電極パターン５の焼成膜
はポーラスとなり収縮量が抑えられる。このようにアン
ダーコート２はブチラール樹脂を用いて形成する事によ
り、セラミック基板１との密着力が強くなり、電極パタ
ーン２の乾燥時の収縮力によるアンダーコート２のひび
割れを防止し、さらに、アンダーコート２の焼成時の電
極パターン５中への拡散のし易さから、電極パターン５
がポーラスとなり導体収縮量が抑えられ、結果として、
セラミック基板１上に電極パターン５が乾燥・焼成され
る際に、従来発生していた電極パターン５の断線を防止
する事になるものである。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明は、基板上にブチラ
ール樹脂を用いたアンダーコートを形成し、次にこのア
ンダーコート上に非常に微細な電極パターンをスクリー
ン印刷により形成し、その後電極パターンの乾燥・焼成
を行なう基板への電極パターン形成方法であって、アン
ダーコートをブチラール樹脂を用いて形成する事によ
り、アンダーコートの基板への密着力を強くする事によ
り、電極パターンの乾燥における、電極パターン下面の
アンダーコートひび割れによる電極パターンのひび割れ
を防止する事ができる。
ール樹脂を用いたアンダーコートを形成し、次にこのア
ンダーコート上に非常に微細な電極パターンをスクリー
ン印刷により形成し、その後電極パターンの乾燥・焼成
を行なう基板への電極パターン形成方法であって、アン
ダーコートをブチラール樹脂を用いて形成する事によ
り、アンダーコートの基板への密着力を強くする事によ
り、電極パターンの乾燥における、電極パターン下面の
アンダーコートひび割れによる電極パターンのひび割れ
を防止する事ができる。
【００１５】また、電極パターン下面のアンダーコート
の導体膜中への拡散をし易くする事により、電極パター
ンの焼成時の収縮を抑え電極パターンの断線を防止する
事ができる。
の導体膜中への拡散をし易くする事により、電極パター
ンの焼成時の収縮を抑え電極パターンの断線を防止する
事ができる。
【００１６】この結果、アンダーコート上の電極パター
ンの乾燥・焼成での電極パターンひび割れ・断線防止に
つながった。本発明は、セラミック基板の他にガラス基
板及びアルマイト処理したアルミナ基板等無機系の多く
の基板にも適用できる。
ンの乾燥・焼成での電極パターンひび割れ・断線防止に
つながった。本発明は、セラミック基板の他にガラス基
板及びアルマイト処理したアルミナ基板等無機系の多く
の基板にも適用できる。
【図１】本発明の一実施形態を示す断面図
【図２】同断面図
【図３】従来例の要部拡大断面図
【図４】本発明の一実施形態の要部拡大断面図
１ セラミック基板 ２ アンダーコート ３ 印刷マスク ４ 印刷スキージ ５ 電極パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にブチラール樹脂を用いてアンダ
ーコートを形成し、次にこのアンダーコート上に電極パ
ターンを形成し、その後電極パターンの乾燥・焼成を行
なう基板への電極パターン形成方法。 - 【請求項２】 電極パターンは、ＡｇまたはＡｇ−Ｐ
ｄ、またはＡｇ−Ｐｔ系とした請求項１に記載の基板へ
の電極パターン形成方法。 - 【請求項３】 電極パターンの焼成温度は５００℃以上
の請求項１に記載の基板への電極パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000104643A JP2001291943A (ja) | 2000-04-06 | 2000-04-06 | 基板への電極パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000104643A JP2001291943A (ja) | 2000-04-06 | 2000-04-06 | 基板への電極パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291943A true JP2001291943A (ja) | 2001-10-19 |
Family
ID=18618151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000104643A Pending JP2001291943A (ja) | 2000-04-06 | 2000-04-06 | 基板への電極パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001291943A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016092142A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | シチズンホールディングス株式会社 | 配線基板およびそれを用いた発光装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-04-06 JP JP2000104643A patent/JP2001291943A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016092142A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | シチズンホールディングス株式会社 | 配線基板およびそれを用いた発光装置の製造方法 |
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