JP2001291223A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体及び磁気記憶装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関
し、ＳＮＲ、オーバーライト特性及び熱安定性を同時に
向上可能とすることを目的とする。 【解決手段】 基板と、基板の上方に設けられた磁性層
とを備えた磁気記録媒体において、磁性層は、基板に近
い側に設けられた初期層と、基板から遠い側に設けられ
た最終層とからなり、初期層の飽和磁化ＭＳａ、最終層
の飽和磁化ＭＳｂ及び磁性層全体としての飽和磁化Ｍ
Ｓｔｏｔは、ＭＳａ＜ＭＳｔｏｔ＜ＭＳｂなる関係、又
は、ＭＳａ＞ＭＳｔｏｔ＞ＭＳｂなる関係を満足するよ
うに構成する。
し、ＳＮＲ、オーバーライト特性及び熱安定性を同時に
向上可能とすることを目的とする。 【解決手段】 基板と、基板の上方に設けられた磁性層
とを備えた磁気記録媒体において、磁性層は、基板に近
い側に設けられた初期層と、基板から遠い側に設けられ
た最終層とからなり、初期層の飽和磁化ＭＳａ、最終層
の飽和磁化ＭＳｂ及び磁性層全体としての飽和磁化Ｍ
Ｓｔｏｔは、ＭＳａ＜ＭＳｔｏｔ＜ＭＳｂなる関係、又
は、ＭＳａ＞ＭＳｔｏｔ＞ＭＳｂなる関係を満足するよ
うに構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体およ
び磁気記憶装置に関し、特に高密度記録に適した磁気記
録媒体及び磁気記憶装置に関する。
び磁気記憶装置に関し、特に高密度記録に適した磁気記
録媒体及び磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク等の水平磁気記録媒体の記
録密度は、媒体ノイズの低減及び磁気抵抗効果型ヘッド
や高感度スピンバルブヘッドの開発により、著しく増大
した。磁気ディスクについては、最近２０Ｇｂ/ｉｎ２
以上の記録密度のものも開発されている。しかし、コン
ピュータの性能向上に伴い、記録密度を更に向上するこ
とが要求されており、記録媒体及び他の装置の設計に更
なる向上が求められている。
録密度は、媒体ノイズの低減及び磁気抵抗効果型ヘッド
や高感度スピンバルブヘッドの開発により、著しく増大
した。磁気ディスクについては、最近２０Ｇｂ/ｉｎ２
以上の記録密度のものも開発されている。しかし、コン
ピュータの性能向上に伴い、記録密度を更に向上するこ
とが要求されており、記録媒体及び他の装置の設計に更
なる向上が求められている。
【０００３】図１は、代表的な水平磁気記録媒体の要部
を示す断面図である。磁気記録媒体は、基盤１、Ｃｒ又
はＣｒ系の下地層２、情報が書き込まれるＣｏ系の磁性
層３及びＣ又はＤＬＣの保護層４が図示の如く積層され
た構造を有する。保護層４上には、有機物からなる潤滑
剤が塗布されている。
を示す断面図である。磁気記録媒体は、基盤１、Ｃｒ又
はＣｒ系の下地層２、情報が書き込まれるＣｏ系の磁性
層３及びＣ又はＤＬＣの保護層４が図示の如く積層され
た構造を有する。保護層４上には、有機物からなる潤滑
剤が塗布されている。
【０００４】媒体ノイズを低減するためには、磁性層３
に磁気遷移をよりシャープに書き込む必要がある。これ
は通常、媒体保磁力の増大、磁性層３の膜厚の減少、磁
性層３の粒子サイズ及び粒子サイズ分布の広がりの減
少、磁性層３の粒子の磁気的孤立化等により達成され
る。
に磁気遷移をよりシャープに書き込む必要がある。これ
は通常、媒体保磁力の増大、磁性層３の膜厚の減少、磁
性層３の粒子サイズ及び粒子サイズ分布の広がりの減
少、磁性層３の粒子の磁気的孤立化等により達成され
る。
【０００５】磁性層３の粒子サイズが小さく、且つ、粒
子サイズ分布が狭い場合には、より高い信号対雑音比
（以下、単に、ＳＮＲ：Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓ
ｅ Ｒａｔｉｏと言う）を得ることができる。磁性層３
の粒子サイズを小さくする１つの方法として、下地層２
の粒子径を減少させる方法がある。下地層２の粒子サイ
ズは、Ｍｏ，Ｖ，Ｗ，Ｔｉ等を含むＣｒ系合金を用いる
ことにより減少させることができる。又、下地層２を２
層構造とすることにより、単層構造の場合より小さい粒
子サイズを実現できることもある。Ｃｏ系の磁性層３に
Ｂを添加することによっても、磁性層３の粒子サイズを
減少させることができる。
子サイズ分布が狭い場合には、より高い信号対雑音比
（以下、単に、ＳＮＲ：Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓ
ｅ Ｒａｔｉｏと言う）を得ることができる。磁性層３
の粒子サイズを小さくする１つの方法として、下地層２
の粒子径を減少させる方法がある。下地層２の粒子サイ
ズは、Ｍｏ，Ｖ，Ｗ，Ｔｉ等を含むＣｒ系合金を用いる
ことにより減少させることができる。又、下地層２を２
層構造とすることにより、単層構造の場合より小さい粒
子サイズを実現できることもある。Ｃｏ系の磁性層３に
Ｂを添加することによっても、磁性層３の粒子サイズを
減少させることができる。
【０００６】ところが、磁性層３の粒子サイズが小さい
と、磁気記録媒体の熱安定性に悪影響を及ぼす。通常、
磁性層３の熱安定性は、熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴの大
きさで表される。ここで、Ｋｕは磁気異方性定数、Ｖは
粒子量、Ｔは温度、ｋはボルツマン定数を表す。熱安定
性の良い小さな粒子を得るためには、磁気異方性定数Ｋ
ｕを増大させる必要がある。
と、磁気記録媒体の熱安定性に悪影響を及ぼす。通常、
磁性層３の熱安定性は、熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴの大
きさで表される。ここで、Ｋｕは磁気異方性定数、Ｖは
粒子量、Ｔは温度、ｋはボルツマン定数を表す。熱安定
性の良い小さな粒子を得るためには、磁気異方性定数Ｋ
ｕを増大させる必要がある。
【０００７】磁気異方性磁界Ｈｋは、飽和磁化をＭｓで
表すと、Ｈｋ＝２Ｋｕ/Ｍｓで定義される。磁気異方性
磁界Ｈｋが大きいということは、通常高データ転送速度
の高密度磁気記録媒体における情報書き込みが行われる
ナノ秒（ｎｓ）領域において保磁力Ｈｃが大きいという
ことである。書き込み周波数における大きな保磁力Ｈｃ
は、このような磁気記録媒体に対して情報を書き込むの
に大きな書き込み電流が必要となることから、書き込み
ヘッドに対して厳しい制約を課してしまう。しかし、書
き込みヘッドにより得られる書き込み電流は、高い磁気
モーメントを有する書き込みヘッドの開発が難しいこと
から、非常に制限されてしまう。
表すと、Ｈｋ＝２Ｋｕ/Ｍｓで定義される。磁気異方性
磁界Ｈｋが大きいということは、通常高データ転送速度
の高密度磁気記録媒体における情報書き込みが行われる
ナノ秒（ｎｓ）領域において保磁力Ｈｃが大きいという
ことである。書き込み周波数における大きな保磁力Ｈｃ
は、このような磁気記録媒体に対して情報を書き込むの
に大きな書き込み電流が必要となることから、書き込み
ヘッドに対して厳しい制約を課してしまう。しかし、書
き込みヘッドにより得られる書き込み電流は、高い磁気
モーメントを有する書き込みヘッドの開発が難しいこと
から、非常に制限されてしまう。
【０００８】図２に示すように、新たなデータを既に書
き込まれたデータの上に書き込める性能を表すオーバー
ライト性能（以下、オーバーライト特性と言う）は、高
い磁気異方性磁界Ｈｋを有する磁気記録媒体程低下す
る。図２は、１００ｎｓのスウィープ時間で各種保磁力
を有する磁気記録媒体のオーバーライト特性を示す図で
ある。同図中、縦軸はオーバーライト特性ＯＷ（ｄ
Ｂ）、横軸は１００ｎｓのスウィープ時間での保磁力Ｈ
ｃ（Ｏｅ）を示す。磁気異方性定数Ｋｕが増加して磁気
異方性磁界Ｈｋが増加するにつれて、オーバーライト特
性ＯＷは図２に示すように制限されてしまう。しかし、
磁気異方性定数Ｋｕの増加に伴う磁気異方性磁界Ｈｋの
増加は、磁気異方性定数Ｋｕの増加が飽和磁化Ｍｓの増
加を伴えば、制限又は逆転可能である。
き込まれたデータの上に書き込める性能を表すオーバー
ライト性能（以下、オーバーライト特性と言う）は、高
い磁気異方性磁界Ｈｋを有する磁気記録媒体程低下す
る。図２は、１００ｎｓのスウィープ時間で各種保磁力
を有する磁気記録媒体のオーバーライト特性を示す図で
ある。同図中、縦軸はオーバーライト特性ＯＷ（ｄ
Ｂ）、横軸は１００ｎｓのスウィープ時間での保磁力Ｈ
ｃ（Ｏｅ）を示す。磁気異方性定数Ｋｕが増加して磁気
異方性磁界Ｈｋが増加するにつれて、オーバーライト特
性ＯＷは図２に示すように制限されてしまう。しかし、
磁気異方性定数Ｋｕの増加に伴う磁気異方性磁界Ｈｋの
増加は、磁気異方性定数Ｋｕの増加が飽和磁化Ｍｓの増
加を伴えば、制限又は逆転可能である。
【０００９】磁性層３の磁気異方性定数Ｋｕは、通常は
磁性層３を構成するＣｏ系合金にＰｔ等の元素を添加す
ることで増加させることができる。しかし、Ｐｔを添加
することにより磁気異方性定数Ｋｕを増加させると、必
然的に飽和磁化Ｍｓの減少を招き、その結果オーバーラ
イト特性ＯＷが制限されてしまう。他方、磁気異方性定
数Ｋｕを増加させるのに、磁性層３のＣｏ量を増加させ
る方法もある。しかし、磁性層３のＣｏ量を増加させる
と、磁気異方性定数Ｋｕだけではなく、飽和磁化Ｍｓを
も増加させてしまう。
磁性層３を構成するＣｏ系合金にＰｔ等の元素を添加す
ることで増加させることができる。しかし、Ｐｔを添加
することにより磁気異方性定数Ｋｕを増加させると、必
然的に飽和磁化Ｍｓの減少を招き、その結果オーバーラ
イト特性ＯＷが制限されてしまう。他方、磁気異方性定
数Ｋｕを増加させるのに、磁性層３のＣｏ量を増加させ
る方法もある。しかし、磁性層３のＣｏ量を増加させる
と、磁気異方性定数Ｋｕだけではなく、飽和磁化Ｍｓを
も増加させてしまう。
【００１０】磁性層３は、一般的にはＣｏＣｒ合金から
なり、ＣｒはＣｏ粒子間の偏析を促進する。このような
偏析は、低媒体ノイズを実現する上で非常に重要であ
る。磁性層３がＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒ
ＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢ等の合金からなる一般的な磁
気記録媒体を製造する場合、Ｃｒ濃度が１８〜２６原子
％（Ａｔ％）のターゲットを用いる。Ｃｒの大部分は粒
子境界部分に残るが、Ｃｒのかなりの部分は依然として
粒子内に残る。又、必要な保磁力Ｈｃと磁気異方性定数
Ｋｕを得るために、８〜１４Ａｔ％のＰｔを更に添加す
る。これにより、粒子内のＣｏは、Ｃｒや他の添加物に
より希釈され、結果的に磁性層３の飽和磁化Ｍｓを大幅
に減少させてしまう。ところが、磁性層３が単層構造を
有する磁気記録媒体においては、高いＳＮＲを得るため
に必要な偏析を考慮すると、このようなＣｏの希釈は避
けられない。
なり、ＣｒはＣｏ粒子間の偏析を促進する。このような
偏析は、低媒体ノイズを実現する上で非常に重要であ
る。磁性層３がＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒ
ＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢ等の合金からなる一般的な磁
気記録媒体を製造する場合、Ｃｒ濃度が１８〜２６原子
％（Ａｔ％）のターゲットを用いる。Ｃｒの大部分は粒
子境界部分に残るが、Ｃｒのかなりの部分は依然として
粒子内に残る。又、必要な保磁力Ｈｃと磁気異方性定数
Ｋｕを得るために、８〜１４Ａｔ％のＰｔを更に添加す
る。これにより、粒子内のＣｏは、Ｃｒや他の添加物に
より希釈され、結果的に磁性層３の飽和磁化Ｍｓを大幅
に減少させてしまう。ところが、磁性層３が単層構造を
有する磁気記録媒体においては、高いＳＮＲを得るため
に必要な偏析を考慮すると、このようなＣｏの希釈は避
けられない。
【００１１】図３は、保磁力の増加に伴うＳＮＲの増加
傾向を示す図である。同図中、縦軸は磁気記録媒体のＳ
ＮＲ（又は媒体ＳＮＲ）（ｄＢ）、横軸は磁気記録媒体
の保磁力Ｈｃ（又は媒体保磁力）（Ｏｅ）を示す。媒体
保磁力の増大は、磁性層３を高い磁気異方性定数Ｋｕを
有する磁性材料で構成することにより可能である。上述
の如く、良いオーバーライト特性ＯＷを得るためには、
高い磁気異方性定数Ｋｕを有する磁性材料は、飽和磁化
Ｍｓの増加を伴わなければならない。
傾向を示す図である。同図中、縦軸は磁気記録媒体のＳ
ＮＲ（又は媒体ＳＮＲ）（ｄＢ）、横軸は磁気記録媒体
の保磁力Ｈｃ（又は媒体保磁力）（Ｏｅ）を示す。媒体
保磁力の増大は、磁性層３を高い磁気異方性定数Ｋｕを
有する磁性材料で構成することにより可能である。上述
の如く、良いオーバーライト特性ＯＷを得るためには、
高い磁気異方性定数Ｋｕを有する磁性材料は、飽和磁化
Ｍｓの増加を伴わなければならない。
【００１２】ある組成材料の場合、保磁力Ｈｃは磁性性
層３の面内ｃ軸配向を向上させることで向上可能であ
る。このように向上された面内ｃ軸配向は、ｄｃ−消去
されたノイズを低減させる残留磁化Ｍｒの増加を引き起
こす。磁性層３の面内ｃ軸配向は、好ましくは
層３の面内ｃ軸配向を向上させることで向上可能であ
る。このように向上された面内ｃ軸配向は、ｄｃ−消去
されたノイズを低減させる残留磁化Ｍｒの増加を引き起
こす。磁性層３の面内ｃ軸配向は、好ましくは
【００１３】
【外１】 面がＣｒ下地層２の（２００）面にエピタキシャル成長
されるか、或いは、
されるか、或いは、
【００１４】
【外２】 面がＮｉＡｌ下地層２の（２１１）面にエピタキシャル
成長されるＣｏ系合金で磁性層３を構成することで促進
される。下地層２と磁性層３との間の格子不整合は、積
層不良を引き起こして保磁力Ｈｃの低下を招く可能性が
ある。そこで、上記の如き格子不整合は、Ｃｒ下地層２
にＭｏ，Ｖ，Ｗ等の元素を添加することで最小限に抑え
ることができる。
成長されるＣｏ系合金で磁性層３を構成することで促進
される。下地層２と磁性層３との間の格子不整合は、積
層不良を引き起こして保磁力Ｈｃの低下を招く可能性が
ある。そこで、上記の如き格子不整合は、Ｃｒ下地層２
にＭｏ，Ｖ，Ｗ等の元素を添加することで最小限に抑え
ることができる。
【００１５】磁性層３のうち、数単分子層は、ｈｃｐ−
ｂｃｃ界面でのストレスや欠陥により非磁性である可能
性がある。このような場合、非磁性又は多少磁性でｈｃ
ｐ構造の薄い中間層を設けることで、欠陥を減少させて
面内保磁力を向上することができ、このような方法は例
えば米国特許第５，８２０，９６３号公報や米国特許第
５，８４８，３８６号公報等にて提案されている。
ｂｃｃ界面でのストレスや欠陥により非磁性である可能
性がある。このような場合、非磁性又は多少磁性でｈｃ
ｐ構造の薄い中間層を設けることで、欠陥を減少させて
面内保磁力を向上することができ、このような方法は例
えば米国特許第５，８２０，９６３号公報や米国特許第
５，８４８，３８６号公報等にて提案されている。
【００１６】媒体ノイズは、残留磁化をＭｒ、磁性層３
の膜厚をｔで表すと、Ｍｒｔなるパラメータを減少させ
ることでも低減可能である。パラメータＭｒｔは、媒体
厚を減少させるか、或いは、磁性層３の飽和磁化Ｍｓを
減少させることで減少させることができる。しかし、媒
体厚をある程度以上に減少させると、それ以上の媒体ノ
イズの低下は不可能である。これは、磁性粒が熱安定性
を失い、保磁力Ｈｃが減少し、媒体ノイズが増加してし
まうからである。従って、ある組成材料からなる磁性層
３については、ＳＮＲが最大となる最適な媒体厚が存在
する。このため、あるＭｒｔ値に対しては、高い飽和磁
化Ｍｓと小さい媒体厚の組み合わせの方が、低い飽和磁
化Ｍｓと大きな媒体厚の組み合わせより好ましい。
の膜厚をｔで表すと、Ｍｒｔなるパラメータを減少させ
ることでも低減可能である。パラメータＭｒｔは、媒体
厚を減少させるか、或いは、磁性層３の飽和磁化Ｍｓを
減少させることで減少させることができる。しかし、媒
体厚をある程度以上に減少させると、それ以上の媒体ノ
イズの低下は不可能である。これは、磁性粒が熱安定性
を失い、保磁力Ｈｃが減少し、媒体ノイズが増加してし
まうからである。従って、ある組成材料からなる磁性層
３については、ＳＮＲが最大となる最適な媒体厚が存在
する。このため、あるＭｒｔ値に対しては、高い飽和磁
化Ｍｓと小さい媒体厚の組み合わせの方が、低い飽和磁
化Ｍｓと大きな媒体厚の組み合わせより好ましい。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、磁気記録
媒体において高密度記録を実現するためには、媒体ノイ
ズを低減する必要がある。又、磁気記録媒体のオーバー
ライト特性および熱安定性を向上する必要もある。しか
し、熱安定性に悪影響を及ぼすことなく良いオーバーラ
イト特性を得るためには、磁性層の飽和磁化Ｍｓを増大
させる必要がある。ところが、単層構造の磁性層を有す
る磁気記録媒体では、飽和磁化Ｍｓを増大させると、通
常は粒子間相互作用に影響を及ぼしてしまい、結果的に
ＳＮＲの低下につながってしまう。
媒体において高密度記録を実現するためには、媒体ノイ
ズを低減する必要がある。又、磁気記録媒体のオーバー
ライト特性および熱安定性を向上する必要もある。しか
し、熱安定性に悪影響を及ぼすことなく良いオーバーラ
イト特性を得るためには、磁性層の飽和磁化Ｍｓを増大
させる必要がある。ところが、単層構造の磁性層を有す
る磁気記録媒体では、飽和磁化Ｍｓを増大させると、通
常は粒子間相互作用に影響を及ぼしてしまい、結果的に
ＳＮＲの低下につながってしまう。
【００１８】そこで、本発明は、ＳＮＲ、オーバーライ
ト特性及び熱安定性を同時に向上可能な磁気記録媒体及
び磁気記憶装置を提供することを目的とする。
ト特性及び熱安定性を同時に向上可能な磁気記録媒体及
び磁気記憶装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、基板と該
基板の上方に設けられた磁性層とを備えた磁気記録媒体
であって、該磁性層は、該基板に近い側に設けられた初
期層と、該基板から遠い側に設けられた最終層とからな
り、該初期層の飽和磁化ＭＳａ、該最終層の飽和磁化Ｍ
Ｓｂ及び該磁性層全体としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、
ＭＳａ＜ＭＳｔ ｏｔ＜ＭＳｂなる関係、又は、ＭＳａ＞
ＭＳｔｏｔ＞ＭＳｂなる関係を満足することを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。
基板の上方に設けられた磁性層とを備えた磁気記録媒体
であって、該磁性層は、該基板に近い側に設けられた初
期層と、該基板から遠い側に設けられた最終層とからな
り、該初期層の飽和磁化ＭＳａ、該最終層の飽和磁化Ｍ
Ｓｂ及び該磁性層全体としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、
ＭＳａ＜ＭＳｔ ｏｔ＜ＭＳｂなる関係、又は、ＭＳａ＞
ＭＳｔｏｔ＞ＭＳｂなる関係を満足することを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。
【００２０】前記磁性層全体としての信号対雑音比は、
前記初期層単体の場合の信号対雑音比及び前記最終層単
体の場合の信号対雑音比のいずれよりも高い構成として
も良い。又、前記磁性層全体としての保磁力は、前記初
期層単体の場合の保磁力及び前記最終層単体の場合の保
磁力のいずれよりも高い構成としても良い。
前記初期層単体の場合の信号対雑音比及び前記最終層単
体の場合の信号対雑音比のいずれよりも高い構成として
も良い。又、前記磁性層全体としての保磁力は、前記初
期層単体の場合の保磁力及び前記最終層単体の場合の保
磁力のいずれよりも高い構成としても良い。
【００２１】前記初期層は、ＣｏＣｒｘ１合金からな
り、前記最終層はＣｏＣｒｘ２合金からなり、ｘ１は１
８＜ｘ１＜２７を満足する原子％を示し、ｘ２は１０＜
ｘ２＜２４を満足する原子％を示す構成としても良い。
又、前記初期層は、ＣｏＣｒＢ ｙ合金からなり、前記最
終層はＣｏＣｒＢｚ合金からなり、ｙは１＜ｙ＜８を満
足する原子％を示し、ｚは０＜ｚ＜６を満足する原子％
を示す構成としても良い。
り、前記最終層はＣｏＣｒｘ２合金からなり、ｘ１は１
８＜ｘ１＜２７を満足する原子％を示し、ｘ２は１０＜
ｘ２＜２４を満足する原子％を示す構成としても良い。
又、前記初期層は、ＣｏＣｒＢ ｙ合金からなり、前記最
終層はＣｏＣｒＢｚ合金からなり、ｙは１＜ｙ＜８を満
足する原子％を示し、ｚは０＜ｚ＜６を満足する原子％
を示す構成としても良い。
【００２２】従って、本発明によれば、ＳＮＲ、オーバ
ーライト特性及び熱安定性を同時に向上可能な磁気記録
媒体及び磁気記憶装置を実現できる。
ーライト特性及び熱安定性を同時に向上可能な磁気記録
媒体及び磁気記憶装置を実現できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明になる磁気記録媒体及び本
発明になる磁気記憶装置の各実施例を、以下に図４以降
と共に説明する。
発明になる磁気記憶装置の各実施例を、以下に図４以降
と共に説明する。
【００２４】
【実施例】図４は、本発明になる磁気記録媒体の第１実
施例の要部を示す断面図である。磁気記録媒体は、基板
１１、Ｃｒ又はＣｒ系下地層１２、情報が書き込まれる
Ｃｏ系磁性層１３及びＣ又はＤＬＣ保護層１４が、同図
に示す順序で積層されている。保護層１４上には、有機
物からなる潤滑剤が塗布されている。本実施例では、磁
性層１３は２層構造を有する。磁性層１３の２層構造
は、初期層２１と、初期層２１上に設けられた最終層２
２とからなる。
施例の要部を示す断面図である。磁気記録媒体は、基板
１１、Ｃｒ又はＣｒ系下地層１２、情報が書き込まれる
Ｃｏ系磁性層１３及びＣ又はＤＬＣ保護層１４が、同図
に示す順序で積層されている。保護層１４上には、有機
物からなる潤滑剤が塗布されている。本実施例では、磁
性層１３は２層構造を有する。磁性層１３の２層構造
は、初期層２１と、初期層２１上に設けられた最終層２
２とからなる。
【００２５】初期層２１の飽和磁化ＭＳａ、最終層２２
の飽和磁化ＭＳｂ及び磁性層１３全体としての飽和磁化
ＭＳｔｏｔは、ＭＳａ＜ＭＳｔｏｔ＜ＭＳｂなる関係を
満足するように設定されている。この結果、磁性層１３
全体としての信号対雑音比（ＳＮＲ）は、初期層２１単
体に対応する単層構造の磁性層の場合のＳＮＲ及び最終
層２２単体に対応する単層構造の磁性層の場合のＳＮＲ
のいずれよりも高い。
の飽和磁化ＭＳｂ及び磁性層１３全体としての飽和磁化
ＭＳｔｏｔは、ＭＳａ＜ＭＳｔｏｔ＜ＭＳｂなる関係を
満足するように設定されている。この結果、磁性層１３
全体としての信号対雑音比（ＳＮＲ）は、初期層２１単
体に対応する単層構造の磁性層の場合のＳＮＲ及び最終
層２２単体に対応する単層構造の磁性層の場合のＳＮＲ
のいずれよりも高い。
【００２６】本実施例では、初期層２１は、ＣｏＣｒ，
ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣ
ｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ
Ｂ，ＣｏＣｒＰｔＷ，ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ又はこれら
の合金からなるグループから選択された材料からなる。
ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣ
ｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ
Ｂ，ＣｏＣｒＰｔＷ，ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ又はこれら
の合金からなるグループから選択された材料からなる。
【００２７】又、最終層２２は、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴ
ａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣ
ｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒ
ＰｔＷ，ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ又はこれらの合金からな
るグループから選択された材料からなる。
ａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣ
ｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒ
ＰｔＷ，ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ又はこれらの合金からな
るグループから選択された材料からなる。
【００２８】初期層２１及び最終層２２がいずれもＣｏ
Ｃｒ合金からなる場合、初期層２１は、ＣｏＣｒｘ１合
金からなり、最終層２２はＣｏＣｒｘ２合金からなり、
ｘ１は１８＜ｘ１＜２７を満足する原子％（Ａｔ％）を
示し、ｘ２は１０＜ｘ２＜２４を満足するＡｔ％を示す
構成とすることが望ましい。
Ｃｒ合金からなる場合、初期層２１は、ＣｏＣｒｘ１合
金からなり、最終層２２はＣｏＣｒｘ２合金からなり、
ｘ１は１８＜ｘ１＜２７を満足する原子％（Ａｔ％）を
示し、ｘ２は１０＜ｘ２＜２４を満足するＡｔ％を示す
構成とすることが望ましい。
【００２９】又、初期層２１及び最終層２２がいずれも
ＣｏＣｒＢ合金からなる場合、初期層２１は、ＣｏＣｒ
Ｂｙ合金からなり、最終層２２はＣｏＣｒＢｚ合金から
なり、ｙは１＜ｙ＜８を満足するＡｔ％を示し、ｚは０
＜ｚ＜６を満足するＡｔ％を示す構成とすることが望ま
しい。
ＣｏＣｒＢ合金からなる場合、初期層２１は、ＣｏＣｒ
Ｂｙ合金からなり、最終層２２はＣｏＣｒＢｚ合金から
なり、ｙは１＜ｙ＜８を満足するＡｔ％を示し、ｚは０
＜ｚ＜６を満足するＡｔ％を示す構成とすることが望ま
しい。
【００３０】基板１１は、ＮｉＰがめっきされたＡｌ系
合金、ＮｉＰがめっき或いはめっきされていないガラ
ス、Ｓｉ、ＳｉＣ等からなる。下地層１２は、非磁性の
ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、Ｃｒ、ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，Ｃ
ｒＴｉ，ＣｒＶ，ＣｒＷ等のＣｒ系合金、又はＢ２結晶
構造を有する合金からなる。非磁性下地層１２がＣｒ，
ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＴｉ，ＣｒＶ，ＣｒＷから
なるグループから選択された材料で構成される場合に
は、下地層１２の膜厚は好ましくは約１〜２５ｎｍに設
定される。他方、非磁性下地層１２がＮｉＡｌ又はＦｅ
Ａｌで構成される場合には、下地層１２の膜厚は約５〜
８０ｎｍに設定される。
合金、ＮｉＰがめっき或いはめっきされていないガラ
ス、Ｓｉ、ＳｉＣ等からなる。下地層１２は、非磁性の
ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、Ｃｒ、ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，Ｃ
ｒＴｉ，ＣｒＶ，ＣｒＷ等のＣｒ系合金、又はＢ２結晶
構造を有する合金からなる。非磁性下地層１２がＣｒ，
ＣｒＭｏ，ＣｒＭｏＷ，ＣｒＴｉ，ＣｒＶ，ＣｒＷから
なるグループから選択された材料で構成される場合に
は、下地層１２の膜厚は好ましくは約１〜２５ｎｍに設
定される。他方、非磁性下地層１２がＮｉＡｌ又はＦｅ
Ａｌで構成される場合には、下地層１２の膜厚は約５〜
８０ｎｍに設定される。
【００３１】図５は、磁気記録媒体の第１実施例のＳＮ
Ｒ特性を説明する図である。同図中、縦軸はＳＮＲ（ｄ
Ｂ）、横軸は初期層２１の膜厚（ｎｍ）及び最終層２２
の膜厚（ｎｍ）を示す。同図は、初期層２１がＣｏ５９
Ｃｒ２４Ｐｔ９Ｂ８からなり、最終層２２がＣｏ６２Ｃ
ｒ２２Ｐｔ１０Ｂ６からなる場合のＳＮＲを示す。尚、
同図に示すＣＣＰＢ及びこれに続く数字は、夫々ＣｏＣ
ｒＰｔＢ及びＣｒ，Ｐｔ，Ｂの濃度のＡｔ％値を示す。
Ｒ特性を説明する図である。同図中、縦軸はＳＮＲ（ｄ
Ｂ）、横軸は初期層２１の膜厚（ｎｍ）及び最終層２２
の膜厚（ｎｍ）を示す。同図は、初期層２１がＣｏ５９
Ｃｒ２４Ｐｔ９Ｂ８からなり、最終層２２がＣｏ６２Ｃ
ｒ２２Ｐｔ１０Ｂ６からなる場合のＳＮＲを示す。尚、
同図に示すＣＣＰＢ及びこれに続く数字は、夫々ＣｏＣ
ｒＰｔＢ及びＣｒ，Ｐｔ，Ｂの濃度のＡｔ％値を示す。
【００３２】図５において、初期層２１の膜厚が０ｎｍ
である点は、膜厚が２０ｎｍである従来のＣｏ６２Ｃｒ
２２Ｐｔ１０Ｂ６からなる単層構造の磁性層のＳＮＲに
対応する。同様に、最終層２２の膜厚が０ｎｍである点
は、膜厚が２０ｎｍである従来のＣｏ５９Ｃｒ２４Ｐｔ
９Ｂ８からなる単層構造の磁性層のＳＮＲに対応する。
同図中の他の点は、初期層２１と最終層２２からなる２
層構造を有し、総膜厚がいずれも２０ｎｍである本実施
例の磁性層１３のＳＮＲに対応する。従って、同図は、
第１実施例において得られるＳＮＲと、従来の単層構造
の磁性層で得られるＳＮＲとを、実質的に比較するもの
である。同図からもわかるように、初期層２１と最終層
２２の膜厚がいずれも１０ｎｍであると、第１実施例で
得られるＳＮＲは、従来の単層構造の磁性層で得られる
ＳＮＲと比較すると、約１.５ｄＢの改善が確認され
た。
である点は、膜厚が２０ｎｍである従来のＣｏ６２Ｃｒ
２２Ｐｔ１０Ｂ６からなる単層構造の磁性層のＳＮＲに
対応する。同様に、最終層２２の膜厚が０ｎｍである点
は、膜厚が２０ｎｍである従来のＣｏ５９Ｃｒ２４Ｐｔ
９Ｂ８からなる単層構造の磁性層のＳＮＲに対応する。
同図中の他の点は、初期層２１と最終層２２からなる２
層構造を有し、総膜厚がいずれも２０ｎｍである本実施
例の磁性層１３のＳＮＲに対応する。従って、同図は、
第１実施例において得られるＳＮＲと、従来の単層構造
の磁性層で得られるＳＮＲとを、実質的に比較するもの
である。同図からもわかるように、初期層２１と最終層
２２の膜厚がいずれも１０ｎｍであると、第１実施例で
得られるＳＮＲは、従来の単層構造の磁性層で得られる
ＳＮＲと比較すると、約１.５ｄＢの改善が確認され
た。
【００３３】図６は、磁気記録媒体の第１実施例の各種
磁性層組成についてのＳＮＲ特性を示す図である。同図
中、縦軸はＳＮＲ（ｄＢ）を示し、磁性層１３の各種組
成が横軸に沿って示されている。又、黒色で示すデータ
は、第１実施例において初期層２１及び最終層２２の膜
厚がいずれも１０ｎｍである場合のＳＮＲを示し、両側
の灰色及び白色で示すデータは、夫々磁性層１３が膜厚
が２０ｎｍの初期層２１のみからなる場合と膜厚が２０
ｎｍの最終層２２のみからなる場合のＳＮＲを示す。つ
まり、黒色の両側の灰色及び白色で示すデータは、夫々
従来の単層構造の磁性層のデータに対応する。尚、図６
において、ＣＣＰＢはＣｏＣｒＰｔＢ、ＣＣＰＴはＣｏ
ＣｒＰｔＴａ、ＣＣＰＴＢはＣｏＣｒＰｔＴａＢを示
し、これらに続く数字は、Ｃｒ以降の元素の濃度のＡｔ
％値を示す。図６からもわかるように、第１実施例で得
られるＳＮＲは、従来の単層構造の磁性層のＳＮＲと比
較して改善されていることがわかる。
磁性層組成についてのＳＮＲ特性を示す図である。同図
中、縦軸はＳＮＲ（ｄＢ）を示し、磁性層１３の各種組
成が横軸に沿って示されている。又、黒色で示すデータ
は、第１実施例において初期層２１及び最終層２２の膜
厚がいずれも１０ｎｍである場合のＳＮＲを示し、両側
の灰色及び白色で示すデータは、夫々磁性層１３が膜厚
が２０ｎｍの初期層２１のみからなる場合と膜厚が２０
ｎｍの最終層２２のみからなる場合のＳＮＲを示す。つ
まり、黒色の両側の灰色及び白色で示すデータは、夫々
従来の単層構造の磁性層のデータに対応する。尚、図６
において、ＣＣＰＢはＣｏＣｒＰｔＢ、ＣＣＰＴはＣｏ
ＣｒＰｔＴａ、ＣＣＰＴＢはＣｏＣｒＰｔＴａＢを示
し、これらに続く数字は、Ｃｒ以降の元素の濃度のＡｔ
％値を示す。図６からもわかるように、第１実施例で得
られるＳＮＲは、従来の単層構造の磁性層のＳＮＲと比
較して改善されていることがわかる。
【００３４】図７は、磁気記録媒体の第１実施例の飽和
磁化を示す図である。同図中、縦軸は飽和磁化Ｍｓ（ｅ
ｍｕ/ｃｃ）、横軸は磁性層１３を構成する初期層２１
の膜厚（ｎｍ）及び最終層２２の膜厚（ｎｍ）を示す。
同図においては、図５と同一記号を用いる。図７からも
わかるように、第１実施例で得られる飽和磁化Ｍｓは、
初期層２１のみの場合に得られる飽和磁化より高い。即
ち、本実施例で得られる飽和磁化Ｍｓは、膜厚が２０ｎ
ｍの初期層２１単体のみからなる従来の単層構造の磁性
層で得られる飽和磁化よりも高い。
磁化を示す図である。同図中、縦軸は飽和磁化Ｍｓ（ｅ
ｍｕ/ｃｃ）、横軸は磁性層１３を構成する初期層２１
の膜厚（ｎｍ）及び最終層２２の膜厚（ｎｍ）を示す。
同図においては、図５と同一記号を用いる。図７からも
わかるように、第１実施例で得られる飽和磁化Ｍｓは、
初期層２１のみの場合に得られる飽和磁化より高い。即
ち、本実施例で得られる飽和磁化Ｍｓは、膜厚が２０ｎ
ｍの初期層２１単体のみからなる従来の単層構造の磁性
層で得られる飽和磁化よりも高い。
【００３５】図８は、磁気記録媒体の第１実施例の保磁
力を示す図である。同図中、縦軸は保磁力Ｈｃ（Ｏ
ｅ）、横軸は磁性層１３を構成する初期層２１の膜厚
（ｎｍ）及び最終層２２の膜厚（ｎｍ）を示す。同図に
おいては、図５と同一記号を用いる。図８からもわかる
ように、第１実施例で得られる保磁力Ｈｃは、初期層２
１のみの場合に得られる保磁力より高い。即ち、本実施
例で得られる保磁力Ｈｃは、膜厚が２０ｎｍの初期層２
１単体のみからなる従来の単層構造の磁性層で得られる
保磁力よりも高い。
力を示す図である。同図中、縦軸は保磁力Ｈｃ（Ｏ
ｅ）、横軸は磁性層１３を構成する初期層２１の膜厚
（ｎｍ）及び最終層２２の膜厚（ｎｍ）を示す。同図に
おいては、図５と同一記号を用いる。図８からもわかる
ように、第１実施例で得られる保磁力Ｈｃは、初期層２
１のみの場合に得られる保磁力より高い。即ち、本実施
例で得られる保磁力Ｈｃは、膜厚が２０ｎｍの初期層２
１単体のみからなる従来の単層構造の磁性層で得られる
保磁力よりも高い。
【００３６】図９は、磁気記録媒体の第１実施例のオー
バーライト特性を示す図である。同図中、縦軸はオーバ
ーライト特性ＯＷ（ｄＢ）、横軸は磁性層１３を構成す
る初期層２１の膜厚（ｎｍ）及び最終層２２の膜厚（ｎ
ｍ）を示す。同図においては、図５と同一記号を用い
る。図９からもわかるように、第１実施例で得られるオ
ーバーライト特性ＯＷは、最終層２２のみの場合に得ら
れるオーバーライト特性より高い。即ち、本実施例で得
られるオーバーライト特性ＯＷは、膜厚が２０ｎｍの最
終層２２単体のみからなる従来の単層構造の磁性層で得
られるオーバーライト特性よりも高い。
バーライト特性を示す図である。同図中、縦軸はオーバ
ーライト特性ＯＷ（ｄＢ）、横軸は磁性層１３を構成す
る初期層２１の膜厚（ｎｍ）及び最終層２２の膜厚（ｎ
ｍ）を示す。同図においては、図５と同一記号を用い
る。図９からもわかるように、第１実施例で得られるオ
ーバーライト特性ＯＷは、最終層２２のみの場合に得ら
れるオーバーライト特性より高い。即ち、本実施例で得
られるオーバーライト特性ＯＷは、膜厚が２０ｎｍの最
終層２２単体のみからなる従来の単層構造の磁性層で得
られるオーバーライト特性よりも高い。
【００３７】図１０は、磁気記録媒体の第１実施例の１
００ｎｓにおける保磁力を説明する図である。同図中、
縦軸は１００ｎｓにおける保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）を示
し、磁性層１３の各種組成が横軸に沿って示されてい
る。同図においては、図６と同一記号を用いる。図１０
からもわかるように、第１実施例で得られる１００ｎｓ
における保磁力Ｈｃは、初期層２１のみの場合に得られ
る１００ｎｓにおける保磁力より高い。即ち、本実施例
で得られる１００ｎｓにおける保磁力Ｈｃは、膜厚が２
０ｎｍの初期層２１単体のみからなる従来の単層構造の
磁性層で得られる１００ｎｓにおける保磁力よりも高
い。
００ｎｓにおける保磁力を説明する図である。同図中、
縦軸は１００ｎｓにおける保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）を示
し、磁性層１３の各種組成が横軸に沿って示されてい
る。同図においては、図６と同一記号を用いる。図１０
からもわかるように、第１実施例で得られる１００ｎｓ
における保磁力Ｈｃは、初期層２１のみの場合に得られ
る１００ｎｓにおける保磁力より高い。即ち、本実施例
で得られる１００ｎｓにおける保磁力Ｈｃは、膜厚が２
０ｎｍの初期層２１単体のみからなる従来の単層構造の
磁性層で得られる１００ｎｓにおける保磁力よりも高
い。
【００３８】図１１は、磁気記録媒体の第１実施例の熱
安定性係数を説明する図である。同図中、縦軸は熱安定
性係数ＫｕＶ/ｋＴを示し、磁性層１３の各種組成が横
軸に沿って示されている。同図においては、図６と同一
記号を用いる。図１１からもわかるように、第１実施例
で得られる熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴは、初期層２１の
みの場合に得られる熱安定性係数より高い。即ち、本実
施例で得られる熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴは、膜厚が２
０ｎｍの初期層２１単体のみからなる従来の単層構造の
磁性層で得られる熱安定性係数よりも高い。
安定性係数を説明する図である。同図中、縦軸は熱安定
性係数ＫｕＶ/ｋＴを示し、磁性層１３の各種組成が横
軸に沿って示されている。同図においては、図６と同一
記号を用いる。図１１からもわかるように、第１実施例
で得られる熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴは、初期層２１の
みの場合に得られる熱安定性係数より高い。即ち、本実
施例で得られる熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴは、膜厚が２
０ｎｍの初期層２１単体のみからなる従来の単層構造の
磁性層で得られる熱安定性係数よりも高い。
【００３９】図１２は、磁気記録媒体の第１実施例の磁
気異方性定数を説明する図である。同図中、縦軸は磁気
異方性定数Ｋｕ（ｘ１０６ ｒｇ/ｃｃ）、横軸は磁性
層１３を構成する初期層２１の膜厚（ｎｍ）及び最終層
２２の膜厚（ｎｍ）を示す。同図においては、図５と同
一記号を用いる。図１２からもわかるように、第１実施
例で得られる磁気異方性定数Ｋｕは、初期層２１のみの
場合に得られる磁気異方性定数より高い。即ち、本実施
例で得られる磁気異方性定数Ｋｕは、膜厚が２０ｎｍの
初期層２１単体のみからなる従来の単層構造の磁性層で
得られる磁気異方性定数よりも高い。
気異方性定数を説明する図である。同図中、縦軸は磁気
異方性定数Ｋｕ（ｘ１０６ ｒｇ/ｃｃ）、横軸は磁性
層１３を構成する初期層２１の膜厚（ｎｍ）及び最終層
２２の膜厚（ｎｍ）を示す。同図においては、図５と同
一記号を用いる。図１２からもわかるように、第１実施
例で得られる磁気異方性定数Ｋｕは、初期層２１のみの
場合に得られる磁気異方性定数より高い。即ち、本実施
例で得られる磁気異方性定数Ｋｕは、膜厚が２０ｎｍの
初期層２１単体のみからなる従来の単層構造の磁性層で
得られる磁気異方性定数よりも高い。
【００４０】初期層２１は良いオーバーライト特性ＯＷ
を有するが、飽和磁化Ｍｓ及び熱安定性係数ＫｕＶ/ｋ
Ｔは夫々最終層２２より低い。他方、最終層２２は高い
飽和磁化Ｍｓ及び熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴを有する
が、オーバーライト特性ＯＷは初期層２１より低い。こ
のような特性を有する初期層２１と最終層２２の組み合
わせにより磁性層１３を構成することにより、従来の単
層構造の磁性層の場合のように、初期層２１のみ、或い
は、最終層２２のみが設けられている場合と比較する
と、ＳＮＲを改善することが可能となる。又、初期層２
１と最終層２２の組み合わせにより磁性層１３を構成す
ることにより、オーバーライト特性ＯＷ及び熱安定性係
数ＫｕＶ/ｋＴは、夫々従来の単層構造の磁性層のよう
に最終層２２のみが設けられている場合と比較すると改
善される。
を有するが、飽和磁化Ｍｓ及び熱安定性係数ＫｕＶ/ｋ
Ｔは夫々最終層２２より低い。他方、最終層２２は高い
飽和磁化Ｍｓ及び熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴを有する
が、オーバーライト特性ＯＷは初期層２１より低い。こ
のような特性を有する初期層２１と最終層２２の組み合
わせにより磁性層１３を構成することにより、従来の単
層構造の磁性層の場合のように、初期層２１のみ、或い
は、最終層２２のみが設けられている場合と比較する
と、ＳＮＲを改善することが可能となる。又、初期層２
１と最終層２２の組み合わせにより磁性層１３を構成す
ることにより、オーバーライト特性ＯＷ及び熱安定性係
数ＫｕＶ/ｋＴは、夫々従来の単層構造の磁性層のよう
に最終層２２のみが設けられている場合と比較すると改
善される。
【００４１】次に、本発明になる磁気記録媒体の第２実
施例を説明する。磁気記録媒体の第２実施例の基本構成
は、図４に示す上記磁気記録媒体の第１実施例の基本構
成と同じで良いため、その図示及び説明は省略する。
施例を説明する。磁気記録媒体の第２実施例の基本構成
は、図４に示す上記磁気記録媒体の第１実施例の基本構
成と同じで良いため、その図示及び説明は省略する。
【００４２】本実施例では、初期層２１の飽和磁化Ｍ
Ｓａ、最終層２２の飽和磁化ＭＳｂ及び磁性層１３全体
としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、ＭＳａ＞ＭＳｔｏｔ＞
ＭＳｂなる関係を満足するように設定されている。この
結果、磁性層１３全体としてのＳＮＲは、初期層２１単
体に対応する単層構造の磁性層の場合のＳＮＲ及び最終
層２２単体に対応する単層構造の磁性層の場合のＳＮＲ
のいずれよりも高い。
Ｓａ、最終層２２の飽和磁化ＭＳｂ及び磁性層１３全体
としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、ＭＳａ＞ＭＳｔｏｔ＞
ＭＳｂなる関係を満足するように設定されている。この
結果、磁性層１３全体としてのＳＮＲは、初期層２１単
体に対応する単層構造の磁性層の場合のＳＮＲ及び最終
層２２単体に対応する単層構造の磁性層の場合のＳＮＲ
のいずれよりも高い。
【００４３】図１３は、磁気記録媒体の第２実施例のＳ
ＮＲ特性を説明する図である。同図中、縦軸はＳＮＲ
（ｄＢ）、横軸は初期層２１の膜厚（ｎｍ）及び最終層
２２の膜厚（ｎｍ）を示す。同図は、初期層２１がＣｏ
６５Ｃｒ２１Ｐｔ１２Ｔａ２からなり、最終層２２がＣ
ｏ６２Ｃｒ２２Ｐｔ９Ｂ７からなる場合のＳＮＲを示
す。同図においては、図５及び図６と同一記号を用い
る。初期層２１の飽和磁化Ｍｓは４２０ｅｍｕ/ｃｃで
あり、最終層２２の飽和磁化Ｍｓは３００ｅｍｕ/ｃｃ
であり、磁性層１３全体としての飽和磁化Ｍｓは３７０
ｅｍｕ/ｃｃである。
ＮＲ特性を説明する図である。同図中、縦軸はＳＮＲ
（ｄＢ）、横軸は初期層２１の膜厚（ｎｍ）及び最終層
２２の膜厚（ｎｍ）を示す。同図は、初期層２１がＣｏ
６５Ｃｒ２１Ｐｔ１２Ｔａ２からなり、最終層２２がＣ
ｏ６２Ｃｒ２２Ｐｔ９Ｂ７からなる場合のＳＮＲを示
す。同図においては、図５及び図６と同一記号を用い
る。初期層２１の飽和磁化Ｍｓは４２０ｅｍｕ/ｃｃで
あり、最終層２２の飽和磁化Ｍｓは３００ｅｍｕ/ｃｃ
であり、磁性層１３全体としての飽和磁化Ｍｓは３７０
ｅｍｕ/ｃｃである。
【００４４】図１３において、初期層２１の膜厚が０ｎ
ｍである点は、膜厚が２０ｎｍである従来のＣｏ６２Ｃ
ｒ２２Ｐｔ９Ｂ７からなる単層構造の磁性層のＳＮＲに
対応する。同様に、最終層２２の膜厚が０ｎｍである点
は、膜厚が２０ｎｍである従来のＣｏ６５Ｃｒ２１Ｐｔ
１２Ｔａ２からなる単層構造の磁性層のＳＮＲに対応す
る。同図中の他の点は、初期層２１と最終層２２からな
る２層構造を有し、総膜厚がいずれも２０ｎｍである本
実施例の磁性層１３のＳＮＲに対応する。従って、同図
は図５の場合と同様に、第２実施例において得られるＳ
ＮＲと、従来の単層構造の磁性層で得られるＳＮＲと
を、実質的に比較するものである。同図からもわかるよ
うに、初期層２１と最終層２２の膜厚がいずれも１０ｎ
ｍであると、第２実施例で得られるＳＮＲは、従来の単
層構造の磁性層で得られるＳＮＲと比較すると、約１.
５ｄＢの改善が確認された。
ｍである点は、膜厚が２０ｎｍである従来のＣｏ６２Ｃ
ｒ２２Ｐｔ９Ｂ７からなる単層構造の磁性層のＳＮＲに
対応する。同様に、最終層２２の膜厚が０ｎｍである点
は、膜厚が２０ｎｍである従来のＣｏ６５Ｃｒ２１Ｐｔ
１２Ｔａ２からなる単層構造の磁性層のＳＮＲに対応す
る。同図中の他の点は、初期層２１と最終層２２からな
る２層構造を有し、総膜厚がいずれも２０ｎｍである本
実施例の磁性層１３のＳＮＲに対応する。従って、同図
は図５の場合と同様に、第２実施例において得られるＳ
ＮＲと、従来の単層構造の磁性層で得られるＳＮＲと
を、実質的に比較するものである。同図からもわかるよ
うに、初期層２１と最終層２２の膜厚がいずれも１０ｎ
ｍであると、第２実施例で得られるＳＮＲは、従来の単
層構造の磁性層で得られるＳＮＲと比較すると、約１.
５ｄＢの改善が確認された。
【００４５】図１４は、従来の単層構造の磁性層の粒子
径を説明する図である。又、図１５は、第１実施例にお
ける２層構造の磁性層における粒子径を説明する図であ
る。図１４中、（ａ）は粒子径分布を示し、（ｂ）は膜
厚が２０ｎｍでＣＣＰＢ２２−１０−６からなる単層構
造の磁性層のＴＥＭ像を示す。この場合、平均粒径Ｄａ
ｖｅ＝１０.９ｎｍ、標準偏差σ＝４.７ｎｍ、ＳＮＲ＝
２４.５ｄＢである。
径を説明する図である。又、図１５は、第１実施例にお
ける２層構造の磁性層における粒子径を説明する図であ
る。図１４中、（ａ）は粒子径分布を示し、（ｂ）は膜
厚が２０ｎｍでＣＣＰＢ２２−１０−６からなる単層構
造の磁性層のＴＥＭ像を示す。この場合、平均粒径Ｄａ
ｖｅ＝１０.９ｎｍ、標準偏差σ＝４.７ｎｍ、ＳＮＲ＝
２４.５ｄＢである。
【００４６】図１５中、（ａ）は粒子径分布を示し、
（ｂ）は磁性層１３が膜厚が１０ｎｍでＣＣＰＢ２４−
９−８からなる初期層２１と、膜厚が１０ｎｍでＣＣＰ
Ｂ２２−１０−６からなる最終層２２の２層構造からな
る第１実施例のＴＥＭ像を示す。この場合、平均粒径Ｄ
ａｖｅ＝７.４ｎｍ、標準偏差σ＝２.１ｎｍ、ＳＮＲ＝
２４.９ｄＢである。
（ｂ）は磁性層１３が膜厚が１０ｎｍでＣＣＰＢ２４−
９−８からなる初期層２１と、膜厚が１０ｎｍでＣＣＰ
Ｂ２２−１０−６からなる最終層２２の２層構造からな
る第１実施例のＴＥＭ像を示す。この場合、平均粒径Ｄ
ａｖｅ＝７.４ｎｍ、標準偏差σ＝２.１ｎｍ、ＳＮＲ＝
２４.９ｄＢである。
【００４７】図１６は、従来の単層構造の磁性層の粒子
径を説明する図である。又、図１７は、第２実施例にお
ける２層構造の磁性層における粒子径を説明する図であ
る。図１６中、（ａ）は粒子径分布を示し、（ｂ）は膜
厚が２０ｎｍでＣＣＰＢ２４−９−８からなる単層構造
の磁性層のＴＥＭ像を示す。この場合、平均粒径Ｄａｖ
ｅ＝６.１ｎｍ、標準偏差σ＝１.４ｎｍ、ＳＮＲ＝２
４.６ｄＢである。
径を説明する図である。又、図１７は、第２実施例にお
ける２層構造の磁性層における粒子径を説明する図であ
る。図１６中、（ａ）は粒子径分布を示し、（ｂ）は膜
厚が２０ｎｍでＣＣＰＢ２４−９−８からなる単層構造
の磁性層のＴＥＭ像を示す。この場合、平均粒径Ｄａｖ
ｅ＝６.１ｎｍ、標準偏差σ＝１.４ｎｍ、ＳＮＲ＝２
４.６ｄＢである。
【００４８】図１７中、（ａ）は粒子径分布を示し、
（ｂ）は磁性層１３が膜厚が１０ｎｍでＣＣＰＢ２２−
１０−６からなる初期層２１と、膜厚が１０ｎｍでＣＣ
ＰＢ２４−９−８からなる最終層２２の２層構造からな
る第２実施例のＴＥＭ像を示す。この場合、平均粒径Ｄ
ａｖｅ＝６.３ｎｍ、標準偏差σ＝１.５ｎｍ、ＳＮＲ＝
２５.９ｄＢである。
（ｂ）は磁性層１３が膜厚が１０ｎｍでＣＣＰＢ２２−
１０−６からなる初期層２１と、膜厚が１０ｎｍでＣＣ
ＰＢ２４−９−８からなる最終層２２の２層構造からな
る第２実施例のＴＥＭ像を示す。この場合、平均粒径Ｄ
ａｖｅ＝６.３ｎｍ、標準偏差σ＝１.５ｎｍ、ＳＮＲ＝
２５.９ｄＢである。
【００４９】図１４〜図１７からもわかるように、磁気
記録媒体の上記第１及び第２実施例によれば、初期層２
１及び最終層２２の両方の良い特性を十分生かすことが
できる。
記録媒体の上記第１及び第２実施例によれば、初期層２
１及び最終層２２の両方の良い特性を十分生かすことが
できる。
【００５０】図１８は、本発明と２層構造の磁性層を有
する従来の磁気記録媒体の特性の違いを説明する図であ
る。
する従来の磁気記録媒体の特性の違いを説明する図であ
る。
【００５１】例えば、米国特許第５，７７２，８５７号
公報及び米国特許第５，９５２，０９７号公報にて提案
されている磁気記録媒体は、２層構造の磁性層を有す
る。しかし、このような２層構造は、例えばＣｏＣｒＴ
ａ初期層とＣｏＣｒＰｔＴａ最終層で構成され、初期層
及び最終層の両方と比較して２層構造のＳＮＲを向上さ
せる構成ではない。図１８は、米国特許第５，７７２，
８５７号公報及び米国特許第５，９５２，０９７号公報
にて提案されている２層構造の磁性層で得られるＳＮＲ
を示す。図１８からも明らかなように、提案されている
２層構造で得られるＳＮＲは、初期層で得られるＳＮＲ
と最終層で得られるＳＮＲの平均値である。従って、こ
の提案されている２層構造で得られるＳＮＲは、初期層
のＳＮＲ及び最終層のＳＮＲのいずれに対しても改善さ
れているわけではない。このように、米国特許第５，７
７２，８５７号公報及び米国特許第５，９５２，０９７
号公報にて提案されている磁気記録媒体の２層構造の磁
性層は、本発明で用いる磁性層の２層構造とは全く異な
るものである。
公報及び米国特許第５，９５２，０９７号公報にて提案
されている磁気記録媒体は、２層構造の磁性層を有す
る。しかし、このような２層構造は、例えばＣｏＣｒＴ
ａ初期層とＣｏＣｒＰｔＴａ最終層で構成され、初期層
及び最終層の両方と比較して２層構造のＳＮＲを向上さ
せる構成ではない。図１８は、米国特許第５，７７２，
８５７号公報及び米国特許第５，９５２，０９７号公報
にて提案されている２層構造の磁性層で得られるＳＮＲ
を示す。図１８からも明らかなように、提案されている
２層構造で得られるＳＮＲは、初期層で得られるＳＮＲ
と最終層で得られるＳＮＲの平均値である。従って、こ
の提案されている２層構造で得られるＳＮＲは、初期層
のＳＮＲ及び最終層のＳＮＲのいずれに対しても改善さ
れているわけではない。このように、米国特許第５，７
７２，８５７号公報及び米国特許第５，９５２，０９７
号公報にて提案されている磁気記録媒体の２層構造の磁
性層は、本発明で用いる磁性層の２層構造とは全く異な
るものである。
【００５２】次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施
例を、図１９及び図２０と共に説明する。図１９は、磁
気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図２
０は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図であ
る。
例を、図１９及び図２０と共に説明する。図１９は、磁
気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図２
０は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図であ
る。
【００５３】図１９及び図２０に示すように、磁気記憶
装置は大略ハウジング１１３からなる。ハウジング１１
３内には、モータ１１４、ハブ１１５、複数の磁気記録
媒体１１６、複数の記録再生（書き込み/読み出し又は
リード／ライト）ヘッド１１７、複数のサスペンション
１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエータユニッ
ト１２０が設けられている。磁気記録媒体１１６は、モ
ータ１１４により回転されるハブ１１５に取り付けられ
ている。記録再生ヘッド１１７は、ＭＲヘッドやＧＭＲ
ヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記
録ヘッドとからなる。各記録再生ヘッド１１７は、対応
するアーム１１９の先端にサスペンション１１８を介し
て取り付けられている。アーム１１９は、アクチュエー
タユニット１２０により駆動される。この磁気記憶装置
の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細
書では省略する。
装置は大略ハウジング１１３からなる。ハウジング１１
３内には、モータ１１４、ハブ１１５、複数の磁気記録
媒体１１６、複数の記録再生（書き込み/読み出し又は
リード／ライト）ヘッド１１７、複数のサスペンション
１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエータユニッ
ト１２０が設けられている。磁気記録媒体１１６は、モ
ータ１１４により回転されるハブ１１５に取り付けられ
ている。記録再生ヘッド１１７は、ＭＲヘッドやＧＭＲ
ヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記
録ヘッドとからなる。各記録再生ヘッド１１７は、対応
するアーム１１９の先端にサスペンション１１８を介し
て取り付けられている。アーム１１９は、アクチュエー
タユニット１２０により駆動される。この磁気記憶装置
の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細
書では省略する。
【００５４】本実施例の磁気記憶装置は、磁気記録媒体
１１６に特徴がある。各磁気記録媒体１１６は、上記磁
気記録媒体の実施例又は後述する変形例のいずれかの構
成を有する。勿論、磁気記録媒体１１６の数は３枚に限
定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上であっても良
い。
１１６に特徴がある。各磁気記録媒体１１６は、上記磁
気記録媒体の実施例又は後述する変形例のいずれかの構
成を有する。勿論、磁気記録媒体１１６の数は３枚に限
定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上であっても良
い。
【００５５】磁気記憶装置の基本構成は、図１９及び図
２０に示すものに限定されるものではない。又、本発明
で用いる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されな
い。
２０に示すものに限定されるものではない。又、本発明
で用いる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されな
い。
【００５６】図２１は、磁気記録媒体の第１及び第２実
施例の変形例の要部を示す断面図である。同図中、図４
と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
施例の変形例の要部を示す断面図である。同図中、図４
と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００５７】本変形例は、上記磁気記録媒体の第１及び
第２実施例のいずれにも適用可能である。図２１に示す
ように、本変形例では、下地層１２と、磁性層１３の初
期層２１との間に、中間層２３が設けられている。この
中間層２３は、例えばＣｏＣｒ系合金からなり、膜厚は
約１〜５ｎｍである。中間層２３は、ｈｃｐ結晶構造の
非磁性又は多少磁性の材料でも構成可能である。このよ
うな中間層２３を設けることにより、保磁力Ｈｃの増大
及び媒体ノイズの低減効果を更に向上することができ
る。
第２実施例のいずれにも適用可能である。図２１に示す
ように、本変形例では、下地層１２と、磁性層１３の初
期層２１との間に、中間層２３が設けられている。この
中間層２３は、例えばＣｏＣｒ系合金からなり、膜厚は
約１〜５ｎｍである。中間層２３は、ｈｃｐ結晶構造の
非磁性又は多少磁性の材料でも構成可能である。このよ
うな中間層２３を設けることにより、保磁力Ｈｃの増大
及び媒体ノイズの低減効果を更に向上することができ
る。
【００５８】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
【００５９】本発明は、以下に付記する発明をも包含す
るものである。
るものである。
【００６０】（付記１） 基板と該基板の上方に設けら
れた磁性層とを備えた磁気記録媒体であって、該磁性層
は、該基板に近い側に設けられた初期層と、該基板から
遠い側に設けられた最終層とからなり、該初期層の飽和
磁化ＭＳａ、該最終層の飽和磁化ＭＳｂ及び該磁性層全
体としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、ＭＳａ＜ＭＳｔｏｔ
＜ＭＳｂなる関係を満足することを特徴とする、磁気記
録媒体。
れた磁性層とを備えた磁気記録媒体であって、該磁性層
は、該基板に近い側に設けられた初期層と、該基板から
遠い側に設けられた最終層とからなり、該初期層の飽和
磁化ＭＳａ、該最終層の飽和磁化ＭＳｂ及び該磁性層全
体としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、ＭＳａ＜ＭＳｔｏｔ
＜ＭＳｂなる関係を満足することを特徴とする、磁気記
録媒体。
【００６１】（付記２） 基板と該基板の上方に設けら
れた磁性層とを備えた磁気記録媒体であって、該磁性層
は、該基板に近い側に設けられた初期層と、該基板から
遠い側に設けられた最終層とからなり、該初期層の飽和
磁化ＭＳａ、該最終層の飽和磁化ＭＳｂ及び該磁性層全
体としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、ＭＳａ＞ＭＳｔｏｔ
＞ＭＳｂなる関係を満足することを特徴とする、磁気記
録媒体。
れた磁性層とを備えた磁気記録媒体であって、該磁性層
は、該基板に近い側に設けられた初期層と、該基板から
遠い側に設けられた最終層とからなり、該初期層の飽和
磁化ＭＳａ、該最終層の飽和磁化ＭＳｂ及び該磁性層全
体としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、ＭＳａ＞ＭＳｔｏｔ
＞ＭＳｂなる関係を満足することを特徴とする、磁気記
録媒体。
【００６２】（付記３） 前記磁性層全体としての信号
対雑音比は、前記初期層単体の場合の信号対雑音比及び
前記最終層単体の場合の信号対雑音比のいずれよりも高
いことを特徴とする、（付記１）又は（付記２）記載の
磁気記録媒体。
対雑音比は、前記初期層単体の場合の信号対雑音比及び
前記最終層単体の場合の信号対雑音比のいずれよりも高
いことを特徴とする、（付記１）又は（付記２）記載の
磁気記録媒体。
【００６３】（付記４） 前記磁性層全体としての保磁
力は、前記初期層単体の場合の保磁力及び前記最終層単
体の場合の保磁力のいずれよりも高いことを特徴とす
る、（付記１）〜（付記３）のいずれか１項記載の磁気
記録媒体。
力は、前記初期層単体の場合の保磁力及び前記最終層単
体の場合の保磁力のいずれよりも高いことを特徴とす
る、（付記１）〜（付記３）のいずれか１項記載の磁気
記録媒体。
【００６４】（付記５） 前記初期層の膜厚は１〜１０
ｎｍであり、前記最終層の膜厚は１〜１０ｎｍであるこ
とを特徴とする、（付記１）〜（付記４）のいずれか１
項記載の磁気記録媒体。
ｎｍであり、前記最終層の膜厚は１〜１０ｎｍであるこ
とを特徴とする、（付記１）〜（付記４）のいずれか１
項記載の磁気記録媒体。
【００６５】（付記６） 前記初期層は、ＣｏＣｒｘ１
合金からなり、前記最終層はＣｏＣｒｘ２合金からな
り、ｘ１は１８＜ｘ１＜２７を満足する原子％を示し、
ｘ２は１０＜ｘ２＜２４を満足する原子％を示すことを
特徴とする、（付記１）〜（付記５）のいずれか１項記
載の磁気記録媒体。
合金からなり、前記最終層はＣｏＣｒｘ２合金からな
り、ｘ１は１８＜ｘ１＜２７を満足する原子％を示し、
ｘ２は１０＜ｘ２＜２４を満足する原子％を示すことを
特徴とする、（付記１）〜（付記５）のいずれか１項記
載の磁気記録媒体。
【００６６】（付記７） 前記初期層は、ＣｏＣｒＢｙ
合金からなり、前記最終層はＣｏＣｒＢｚ合金からな
り、ｙは１＜ｙ＜８を満足する原子％を示し、ｚは０＜
ｚ＜６を満足する原子％を示すことを特徴とする、（付
記１）〜（付記５）のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
合金からなり、前記最終層はＣｏＣｒＢｚ合金からな
り、ｙは１＜ｙ＜８を満足する原子％を示し、ｚは０＜
ｚ＜６を満足する原子％を示すことを特徴とする、（付
記１）〜（付記５）のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
【００６７】（付記８） Ｋｕが磁気異方性定数、Ｖが
粒子量、Ｔが温度、ｋがボルツマン定数を表すとする
と、前記磁性層全体としての熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴ
は、前記初期層単体の場合の熱安定性係数よりも高いこ
とを特徴とする、（付記１）〜（付記７）のいずれか１
項記載の磁気記録媒体。
粒子量、Ｔが温度、ｋがボルツマン定数を表すとする
と、前記磁性層全体としての熱安定性係数ＫｕＶ/ｋＴ
は、前記初期層単体の場合の熱安定性係数よりも高いこ
とを特徴とする、（付記１）〜（付記７）のいずれか１
項記載の磁気記録媒体。
【００６８】（付記９） 前記磁性層全体としての粒子
径は、該磁性層全体としての膜厚と同じ膜厚の前記最終
層単体の場合の粒子径よりも小さいことを特徴とする、
（付記１）〜（付記８）のいずれか１項記載の磁気記録
媒体。
径は、該磁性層全体としての膜厚と同じ膜厚の前記最終
層単体の場合の粒子径よりも小さいことを特徴とする、
（付記１）〜（付記８）のいずれか１項記載の磁気記録
媒体。
【００６９】（付記１０） 前記初期層及び前記最終層
は、いずれもＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，
ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＷ，ＣｏＣｒＰ
ｔＴａＮｂ又はこれらの合金からなるグループから選択
された材料からなることを特徴とする、（付記１）〜
（付記９）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
は、いずれもＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，
ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＴ
ａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢ，ＣｏＣｒＰｔＷ，ＣｏＣｒＰ
ｔＴａＮｂ又はこれらの合金からなるグループから選択
された材料からなることを特徴とする、（付記１）〜
（付記９）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００７０】（付記１１） ヘッドと、（付記１）〜
（付記１０）のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少な
くとも１つ備えたことを特徴とする、磁気記憶装置。
（付記１０）のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少な
くとも１つ備えたことを特徴とする、磁気記憶装置。
【００７１】
【発明の効果】本発明によれば、ＳＮＲ、オーバーライ
ト特性及び熱安定性を同時に向上可能な磁気記録媒体及
び磁気記憶装置を実現できる。
ト特性及び熱安定性を同時に向上可能な磁気記録媒体及
び磁気記憶装置を実現できる。
【図１】代表的な水平磁気記録媒体の要部を示す断面図
である。
である。
【図２】１００ｎｓのスウィープ時間で各種保磁力を有
する磁気記録媒体のオーバーライト特性を示す図であ
る。
する磁気記録媒体のオーバーライト特性を示す図であ
る。
【図３】保磁力の増加に伴うＳＮＲの増加傾向を示す図
である。
である。
【図４】本発明になる磁気記録媒体の第１実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】磁気記録媒体の第１実施例のＳＮＲ特性を説明
する図である。
する図である。
【図６】磁気記録媒体の第１実施例の各種磁性層組成に
ついてのＳＮＲ特性を示す図である。
ついてのＳＮＲ特性を示す図である。
【図７】磁気記録媒体の第１実施例の飽和磁化を示す図
である。
である。
【図８】磁気記録媒体の第１実施例の保磁力を示す図で
ある。
ある。
【図９】磁気記録媒体の第１実施例のオーバーライト特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図１０】磁気記録媒体の第１実施例の１００ｎｓにお
ける保磁力を説明する図である。
ける保磁力を説明する図である。
【図１１】磁気記録媒体の第１実施例の熱安定性係数を
説明する図である。
説明する図である。
【図１２】磁気記録媒体の第１実施例の磁気異方性定数
を説明する図である。
を説明する図である。
【図１３】本発明になる磁気記録媒体の第２実施例のＳ
ＮＲ特性を示す図である。
ＮＲ特性を示す図である。
【図１４】従来の単層構造の磁性層の粒子径を説明する
図である。
図である。
【図１５】第１実施例における２層構造の磁性層におけ
る粒子径を説明する図である。
る粒子径を説明する図である。
【図１６】従来の単層構造の磁性層の粒子径を説明する
図である。
図である。
【図１７】第２実施例における２層構造の磁性層におけ
る粒子径を説明する図である。
る粒子径を説明する図である。
【図１８】本発明と２層構造の磁性層を有する従来の磁
気記録媒体の特性の違いを説明する図である。
気記録媒体の特性の違いを説明する図である。
【図１９】本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２０】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図
である。
である。
【図２１】磁気記録媒体の第１及び第２実施例の変形例
の要部を示す断面図である。
の要部を示す断面図である。
１１ 基板 １２ 下地層 １３ 磁性層 １４ 保護層 ２１ 初期層 ２２ 最終層
Claims (6)
- 【請求項１】 基板と該基板の上方に設けられた磁性層
とを備えた磁気記録媒体であって、 該磁性層は、該基板に近い側に設けられた初期層と、該
基板から遠い側に設けられた最終層とからなり、 該初期層の飽和磁化ＭＳａ、該最終層の飽和磁化ＭＳｂ
及び該磁性層全体としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、Ｍ
Ｓａ＜ＭＳｔｏｔ＜ＭＳｂなる関係を満足することを特
徴とする、磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板と該基板の上方に設けられた磁性層
とを備えた磁気記録媒体であって、 該磁性層は、該基板に近い側に設けられた初期層と、該
基板から遠い側に設けられた最終層とからなり、 該初期層の飽和磁化ＭＳａ、該最終層の飽和磁化ＭＳｂ
及び該磁性層全体としての飽和磁化ＭＳｔｏｔは、Ｍ
Ｓａ＞ＭＳｔｏｔ＞ＭＳｂなる関係を満足することを特
徴とする、磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記磁性層全体としての信号対雑音比
は、前記初期層単体の場合の信号対雑音比及び前記最終
層単体の場合の信号対雑音比のいずれよりも高いことを
特徴とする、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記磁性層全体としての保磁力は、前記
初期層単体の場合の保磁力及び前記最終層単体の場合の
保磁力のいずれよりも高いことを特徴とする、請求項１
〜３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記初期層は、ＣｏＣｒｘ１合金からな
り、前記最終層はＣｏＣｒｘ２合金からなり、ｘ１は１
８＜ｘ１＜２７を満足する原子％を示し、ｘ２は１０＜
ｘ２＜２４を満足する原子％を示すことを特徴とする、
請求項１〜４のいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記初期層は、ＣｏＣｒＢｙ合金からな
り、前記最終層はＣｏＣｒＢｚ合金からなり、ｙは１＜
ｙ＜８を満足する原子％を示し、ｚは０＜ｚ＜６を満足
する原子％を示すことを特徴とする、請求項１〜４のい
ずれか１項記載の磁気記録媒体。
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