JP2001290284A - 現像処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】主面上に露光されたレジスト層を有する基板を
回転台に載せ、レジスト層の現像を行うに際し、基板上
のパーティクルの発生を極力抑えた、簡易な現像処理方
法を提供すること。 【解決手段】基板主面上に現像液を供給して、露光され
た前記レジスト層の現像処理を行う工程と、この工程の
後、現像液の供給を停止し、基板を回転させて現像液を
除去する工程と、現像液が除去された基板主面上にリン
ス液を供給して、レジスト層のリンス処理を行う工程と
を有することで、現像処理後、リンス供給前に、基板を
回転させて現像液を除去するという容易な方法で、上記
課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィー技術において、液晶基板・半導体ウエハのような基
板の表面に現像液を供給し、現像処理を行う方法に関
し、より詳しくは、現像処理からリンス処理に移行する
際の現像液と純水の接触により析出するレジストパーテ
ィクルの発生を防止する現像処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体ウエハ表面に形成される
半導体素子を製造する場合に、その製造工程において、
処理液を用いた種々の処理が行われる。半導体ウエハの
表面に形成される微細パターンは、感光性膜を露光現像
することによって形成され、基板表面にレジスト膜を形
成する工程、基板を露光した後、現像液を用いて現像す
る工程を経て微細パターンが形成される。上述のような
処理液を用いて基板の処理を行う工程のうち、レジスト
膜に所定の化学反応を生じさせる現像工程では、基板表
面にノズル等により現像液を供給して、現像液とレジス
ト膜とを一定時間接触させる。この後純水等を用いて基
板表面から現像液を洗い流し、現像を停止させるリンス
処理を行い、現像を終了させる。

【０００３】ポジ型のレジストを使用する場合、現像液
としてアルカリ性の現像液が使用される。この場合、リ
ンス処理として、純水等のリンス処理液を直接供給する
ことにより、レジストは水溶性でないため、レジスト種
や現像液のアルカリ濃度によってはレジストやその他の
現像液中の溶解物の析出が起こってしまい、パーティク
ル発生の原因となっていた。即ち、レジストの析出物
は、水に溶解しないため、ウエハ表面上に堆積して、乾
燥し、基板上にパーティクルを形成する。このようなパ
ーティクルは、基板上に形成されたホールを埋めたり、
２以上のパターンをレジストの析出物で接続したりする
おそれがあり、問題となっていた。

【０００４】従来、このようなパーティクルの発生を防
止するため、リンス処理の際に、リンス用の純水が直接
レジストを溶解した現像液と急激に混合しないようにす
る手法が提案されている。例えば、特開平９−３２６３
６１号公報には、露光現像後に、基板を回転させなが
ら、再び新たな現像液を散布して、レジストの溶解した
部分を含む現像液の濃度を減少させて、レジストを溶解
した現像液を新しい現像液に素早く置換する方法が開示
され、また、特開平１１−２６０７０７号公報には、露
光現像の際は、ウエハ表面に純水のみを供給した後に、
現像液と純水の混合液を徐々に現像液の混合比率を高く
しながら供給して、ウエハ表面に供給する処理液を純水
から現像液に置換し、リンス処理の際には、現像液と純
水の混合液を徐々に現像液の混合比率を低くしながら供
給して、ウエハ表面に供給する処理液を現像液から純水
に置換する方法が開示されている。

【０００５】しかしながら、特開平１１−２６０７０７
号公報に記載の方法によれば、現像液の濃度を変えなが
ら供給する必要があるため、複雑な構造の装置が必要で
あるという問題があった。また、特開平９−３２６３６
１号公報に記載の方法では、基板の現像処理後に再度現
像液を供給することになるため、現像時間の制御が困難
になり、場合によっては加工精度の劣化を招くおそれが
あるという問題もあった。このため、パーティクルの発
生を充分に抑えることが可能な、簡易な現像方法が強く
望まれていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術の問題点を解決することにあり、パーティクル
の発生を極力抑えた、簡易な現像処理方法を提供するこ
とにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決するため鋭意検討した結果、現像処理後、リンス
液供給前に、基板を回転させて現像液を除去することに
より、パーティクルの発生を容易に、かつ大幅に減らす
ことができることを見出し、本発明に至った。

【０００８】即ち、本発明の現像処理方法は、主面上に
露光されたレジスト層を有する基板を回転台に載せ、前
記レジスト層の現像を行う方法であって、前記基板主面
上に現像液を供給して、露光された前記レジスト層の現
像処理を行う工程と、この工程の後、前記現像液の供給
を停止し、前記基板を回転させて前記現像液を除去する
工程と、前記現像液が除去された前記基板主面上にリン
ス液を供給して、前記レジスト層のリンス処理を行う工
程とを有することを特徴とするものである。

【０００９】ここで、前記基板の回転による前記現像液
の除去を２秒以上実施した後に、前記リンス処理を開始
することが好ましい。

【００１０】また、前記現像液を除去するための前記基
板の回転速度および加速度を、前記現像処理によって形
成されたレジストパターンが変形しない範囲に制御する
ことが好ましい。この場合、前記加速度を、５０００ｒ
ｐｍ／秒以下に制御することが更に好ましく、また、前
記基板の最高回転速度を、１０００ｒｐｍ以下に制御す
ることが更に好ましい。

【００１１】また、前記リンス液の供給を開始するとき
の前記基板の回転速度を、前記現像液を除去するための
前記基板の最高回転速度よりも低くすることが好まし
い。この場合、前記現像液を除去する工程の後、前記基
板の回転を停止してから前記リンス液を供給することが
更に好ましく、前記基板の回転を停止した後、前記リン
ス液の供給開始と略同時に、前記基板の回転を再開する
ことが更に好ましい。また、この場合、前記基板の回転
を再開する時の加速度を、５０００ｒｐｍ／秒以下にす
ることが更に好ましい。

【００１２】本発明において、前記現像処理を、パドル
方法によって行うことが好ましく、また、前記現像液
は、アルカリ性の現像液であり、前記リンス液は、純水
であることが好ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の現像処理方法につ
いて、更に詳細に説明する。本発明の現像処理方法は、
主面上に露光されたレジスト層を有する基板を回転台に
載せて、前記レジスト層の現像を行う方法であり、少な
くとも、以下の工程、即ち、前記基板主面上に現像液を
供給して、露光された前記レジスト層の現像処理を行う
工程と、この工程の後、前記現像液の供給を停止し、前
記基板を回転させて前記現像液を除去する工程と、前記
現像液が除去された前記基板主面上にリンス液を供給し
て、前記レジスト層のリンス処理を行う工程とを含む。

【００１４】本発明において、基板とは、基板主面上に
レジストを塗布して露光現像処理を行い、緻密なパター
ンを形成するものであれば、特に制限はなく、液晶基
板、半導体ウエハ等を挙げることができる。

【００１５】本発明の現像処理方法は、基板主面上にレ
ジスト層を形成して露光した基板を使用し、現像処理工
程では露光済基板に現像液を供給して、現像処理を行
う。ここで、使用されるレジストとしては、特に制限は
なく、ポジティブレジストであってもよいし、ネガティ
ブレジストであってもよい。また、必要な種々の溶剤、
増感剤、添加剤等を含んでいてもよい。また、現像液と
しては、露光後のレジスト層と一定時間接触させること
により現像可能な溶液であれば特に制限はないが、本発
明の現像処理方法によって、基板上に発生するパーティ
クル数を著しく減少できるという観点から、アルカリ性
の現像液であることが好ましく、例えば、ｐＨが約１１
〜１３のアルカリ性現像液を好ましく挙げることができ
る。また、現像液とレジスト層との接触方法も特に限定
はされないが、パドル法等を好ましく挙げることができ
る。パドル法では、基板上に表面張力によって現像液が
盛り付けられ、基板が実質的に静止した状態で現像反応
が行われる。また、形成されるパターンも、特に制限は
ない。開口率が５％以下であるパターンを形成する場合
に、本発明の現像処理方法は特に有効である。

【００１６】本発明の現像処理方法では、現像処理工程
の後、リンス工程開始前に、基板を回転し、現像液を振
り切ることによって除去する、現像液除去工程が行われ
る。ここで現像液の除去とは、基板上の現像液があらか
た無くなるレベルまで実質的に除去することを言い、完
全に除去することは必要としない。より具体的には、基
板上の広い平坦部分から液体状の現像液が除去された状
態であればよい。例えばレジストの表面層が現像液を含
んだ状態であったり、微細な構造を有する部分、例えば
ホール内部に現像液が残留していてもよい。

【００１７】本発明において、現像液除去工程での基板
の回転は、基板上にある現像液を積極的に振り切って除
去するための回転であって、リンス処理工程の際の、リ
ンス液を基板表面に均一に供給するための基板の回転と
は全く異なるものである。本発明の現像液除去工程にお
いて、基板の回転によって振り切り可能な現像液をほぼ
完全に除去し、パーティクルの発生を抑制する観点か
ら、基板の回転は２秒以上行うことが好ましく、現像時
間を正確に制御する観点から、２秒〜１０秒行うことが
更に好ましい

【００１８】本発明の現像液除去工程において、パーテ
ィクルの発生を抑え、かつパターンダレを抑制するた
め、基板の回転速度および回転加速度を制御し、最適化
することが好ましい。回転加速度は、５０００ｒｐｍ／
秒以下が好ましく、５００ｒｐｍ／秒〜１０００ｒｐｍ
／秒であることが更に好ましい。現像液除去工程におい
て、回転開始時の加速度が大き過ぎると、現像液が充分
に振り切れる前に回転速度が上がり、残留した現像液に
遠心力が加わってレジスト表面を高速で流れることによ
ってレジスト表面のだれが発生しやすくなるからであ
る。また、回転速度も、同様の理由から、最高速度が１
０００ｒｐｍ／秒以下が好ましく、５００ｒｐｍ／秒〜
１０００ｒｐｍ／秒であることが更に好ましい。

【００１９】本発明において、上述した現像液除去工程
後、リンス処理工程に入る。リンス処理工程とは、現像
液が除去された基板主面上にリンス液を供給して、レジ
スト層のリンス処理を行う工程をいう。ここで、使用さ
れるリンス液としては、特に制限はないが、純水を使用
するのが好ましい。

【００２０】本発明において、基板上の残存現像液に対
して、リンス液供給のインパクトを下げることが好まし
い。ここで、リンス液供給のインパクトとは、基板、ま
たは基板上の現像液と、リンス液との相対的速度のこと
をいい、リンス液供給のインパクトを下げるとは、リン
ス液の供給を、基板および基板上の現像液に対し、低速
度にて行うことをいう。リンス液供給のインパクトを下
げることにより、パーティクル発生を大幅に減少させる
ことが可能となる。

【００２１】リンス液供給のインパクトを下げる方法と
しては、例えば、リンス液供給を開始する時の基板回転
速度を、現像液除去工程における基板回転速度よりも低
くする方法や、リンス液供給時のリンス液の噴出速度を
低くする方法等を挙げることができるが、操業が簡便で
あるという観点から、前者の方法が好ましい。

【００２２】本発明において、リンス液供給のインパク
トを下げ、パーティクル発生を効果的に抑制する観点か
ら、リンス液供給時の基板回転速度を現像液除去工程の
最高回転速度より低くすることが好ましく、現像液除去
工程後に、一旦基板の回転を停止させることが最も好ま
しい。この場合、リンス液を基板上に均一に分布させる
観点から、リンス液供給開始と略同時に基板の回転を再
開させることが好ましい。また、リンス液供給開始の際
の基板回転加速度は、１０００ｒｐｍ／秒以下にするこ
とが好ましく、５００ｒｐｍ／秒〜１０００ｒｐｍ／秒
にすることが更に好ましい。

【００２３】また、本発明において、同様の理由から、
リンス液供給時の供給速度を低くすることが好ましく、
リンス液の流量が、０．９Ｌ／分以下であることが好ま
しく、更に好ましくは、０．３Ｌ／分〜０．７Ｌ／分で
ある。

【００２４】本発明の現像処理方法は、基本的に以上の
工程を含んで構成されるが、上記のリンス処理工程の後
に、更に１以上のリンス処理工程を設けてもよい。この
場合、大粒径のパーティクルを除去する観点から、２回
目以降のリンス液供給の際の基板回転速度は、２０００
ｒｐｍ以上であることが好ましく、２５００ｒｐｍ〜３
５００ｒｐｍであることが、更に好ましい。また、同様
の理由から、２回目以降のリンス液処理時間は、２０秒
以上であることが好ましく、更に好ましくは、２０秒〜
３０秒である。

【００２５】本発明において、必要に応じて、リンス処
理工程後に、更に基板を回転させて、脱水、乾燥を行っ
てもよい。この場合、脱水・乾燥時間、回転速度および
回転加速度は、パーティクル発生の抑制と関係ないた
め、公知の時間、速度および加速度を採用することがで
きる。

【００２６】

【実施例】６インチφのシリコン基板を用意し、ノボラ
ック樹脂系のポジ型フォトレジストを塗布してレジスト
層を形成し、ＴＭＡＨ（TetraMethyl Ammonium Hydroxi
de）系のアルカリ性の現像液をレジスト層の上に盛りつ
け、５１．２秒のパドル法による現像処理を行った。現
像処理後、以下の表に示す回転速度、回転加速度、回転
時間で各工程を経た。処理後に基板表面上に発生してい
た０．３μｍ以上の径のパーティクルの数を数え、結果
を各表に示した。すべての処理は、２ステップのリンス
処理工程を含み、その後、脱水工程、乾燥工程を経たあ
とで、基板の回転を停止させている。

【００２７】同時に、実際のパターニング工程における
パターン崩れの有無を検討するため、開口率２％の０．
５μｍホールパターンの形成を行った。以下の表に示す
パーティクル数は、パターン形成を行っていない、すな
わち全面にレジスト層が残った状態で測定された値であ
る。実際には、開口部以外でもレジストは現像液に徐々
に溶解する。従って、このような開口率の小さいパター
ンを形成する際の、現像処理工程における現像液中への
レジストの溶解量は、パターンを形成しない場合と同程
度であると考えられる。従って、このようにパターン形
成を行わずに測定したパーティクル数によって、少なく
とも開口率の小さなホールパターンの形成工程に対して
は、実際のパターン形成工程におけるパーティクル発生
状態をほぼ正確に推定することができる。

【００２８】＜現像液除去工程の有無の依存＞ 比較例１、実施例１ 現像液除去工程を行わない表１に示す処理を行い、比較
例１とした。また、現像液除去工程を２秒行う以外は比
較例１と同じ処理である、表２に示す処理を行い、実施
例１とした。例えば、表１に示された比較例１におい
て、第１ステップのパドル現像処理における回転速度は
０であり、第２ステップの純水リンス１における回転速
度は２０００ｒｐｍ、加速度は１００００ｒｐｍ／秒で
ある。すなわち、第２ステップの開始と共に回転が開始
され、加速度１００００ｒｐｍ／秒、すなわち毎秒１０
０００ｒｐｍの割合で回転速度が増大する。そして、２
０００ｒｐｍに達した段階で一定回転速度の定常状態に
到達する。すなわちこの場合は０．２秒で２０００ｒｐ
ｍに到達する。この、加速している期間を含めた時間が
２秒である。次に第３ステップの純水リンス２における
回転速度は５００ｒｐｍであり、加速度は１００００ｒ
ｐｍである。この場合、前ステップに比較して回転速度
が小さいので、毎秒１００００ｒｐｍの割合で回転速度
が減少し、０．１５秒後に５００ｒｐｍの定常状態に達
する。前のステップとの回転速度の差、加速度、および
時間によっては、定常状態に到達する以前に次のステッ
プに移る場合もある。

【００２９】

【表１】

【００３０】

【表２】

【００３１】表１，２から、現像液除去工程を経るだけ
で、発生するパーティクルの数を１／５以下に減らすこ
とができることがわかる。ただし、現像液除去の時間が
１秒の場合にはパーティクル数の有意な減少は見られな
かった。除去時間１秒ではまだ基板上に盛られた現像液
が残っていることが目視で観察され、本発明の現像処理
方法に必要な現像液除去が行えていないことが分かっ
た。これに対して除去時間２秒では、基板上の現像液が
除去されたことが目視で確認された。もちろん、現像液
除去のために必要な時間は基板寸法、回転速度、現像液
の種類等によって異なるが、目視によって確認できる程
度に現像液が除去されるに十分な時間に設定すれば大幅
なパーティクル数削減が達成できる。

【００３２】一方、除去時間を１０秒まで長くしても、
２秒の場合に比較して顕著なパーティクル数の減少は観
察されなかった。除去時間を長くするほど微小な部分で
の現像液除去が進むと考えられるが、完全な現像液除去
は必須ではなく、目視によって除去が確認できる、すな
わち、基板上に盛られた現像液が広い部分から除去され
る程度で、顕著な効果が得られることが分かった。な
お、現像時間の制御性や、生産性を考慮すると、必要以
上に現像液除去時間を長くすることは好ましくない。

【００３３】このように、現像液除去ステップを追加す
ることで大幅にパーティクル数を減少できることが分か
った。しかし、除去の際の回転速度および加速度を適切
に設定しないと、特にウエハの周辺部分において、レジ
ストの表面が流れたような、レジストパターンの崩れが
発生することが分かった。前述のように、回転速度２０
００ｒｐｍ、加速度１００００ｒｐｍ／秒においても、
回転開始後約１秒間は、基板上に現像液が残っている。
このような状態で基板の回転速度が高くなっていると、
遠心力で振り切られる現像液が、レジストの表面を高速
で流れることになり、その流れに引きずられて、レジス
トの表面が変形し、パターン崩れが発生するものと考え
られる。

【００３４】このようなパターン崩れは、回転速度およ
び加速度を、それぞれ１０００ｒｐｍ、加速度１０００
ｒｐｍ／秒にまで低くすることによって防止することが
できた。しかし、回転速度２０００ｒｐｍ、加速度１０
００ｒｐｍ／秒では観察された。従って、以下の実験に
おいては現像液除去のための回転の速度および加速度を
１０００ｒｐｍ、１０００ｒｐｍ／秒に固定した。この
条件においても、回転時間２秒以上であれば現像液は除
去され、パーティクル発生抑制効果の劣化は見られなか
った。むしろ、現像液除去のための回転の加速度を１０
０００ｒｐｍ／秒から１０００ｒｐｍ／秒に下げること
により、パーティクル数をさらに６０％程度にまで低減
することができた。

【００３５】同程度の時間内で現像液が除去できる範囲
であれば、さらに回転速度および加速度を下げることも
可能である。装置の限界のため、これらの値の下限値を
確認することはできていないが、例えば速度、加速度を
上記の値の１／２（５００ｒｐｍ、５００ｒｐｍ／秒）
程度にすることは可能と考えられる。ただしもちろん、
回転速度や加速度を低くしすぎて、現像液除去のために
極端に長い時間が必要になったのでは、現像時間制御の
観点で好ましくない。現実には、レジストおよび現像液
の種類、パターン形状、基板寸法、等によって、この、
レジストの変形を防ぐために適切な回転速度および加速
度は異なる。それぞれの場合に合わせて実験的に決定す
ることが好ましい。

【００３６】＜現像液除去工程後の回転停止依存＞ 実施例２、実施例３ 表３に従って、回転速度１０００ｒｐｍ、加速度１００
０ｒｐｍ／秒で１０秒間の現像液除去工程後に、基板の
回転速度の設定値を０にして、１秒間、加速度１０００
ｒｐｍ／秒で減速する、回転停止工程を挿入する以外
は、実施例１と同様の処理を行い、実施例２とした。こ
の時、回転停止工程終了時には、基板の回転はほぼ停止
したが、完全には停止しなかった。表４に従って、回転
速度１０００ｒｐｍ、加速度１０００ｒｐｍ／秒で１０
秒間の現像液除去工程後に、基板の回転速度の設定値を
０にして、２秒間、加速度１０００ｒｐｍ／秒で減速す
る、回転停止工程を挿入する以外は、実施例１と同様の
処理を行い、実施例３とした。この時、回転停止工程終
了時には、基板の回転は完全に停止した。

【００３７】

【表３】

【００３８】

【表４】

【００３９】表２〜４から、現像液除去工程後、回転停
止工程を挿入することによってさらに約１桁パーティク
ル数を低減できることが分かった。さらに表３，４か
ら、完全に回転を停止することは必須では無いが、回転
速度を低くしてからリンスを開始することが好ましいこ
とが分かる。回転速度が速いままリンスを開始した場
合、純水リンス液の供給が開始される時の基板に対する
相対速度が大きく、リンス液供給のインパクトが大きい
ため、パーティクルが発生するものと考えられる。具体
的には例えば、レジストの表面層に含まれた状態で残留
する現像液と純水とが急激に混合し、析出物を発生する
ためであると考えられる。

【００４０】＜純水リンス１流量依存＞ 実施例４、実施例５ 上記の、純水供給開始時の基板との相対速度の影響を確
認するため、基板の回転条件は一定にして、純水リンス
液の供給流量を変化させることによって基板との相対速
度を変化させ、パーティクル数の変化を調べた。なお、
比較の対象となる表４の場合の供給流量は０．９Ｌ／分
である。表５に従って、純水リンス液１の流量を０．５
Ｌ／分に調整する以外は、実施例３と同様の処理を行
い、実施例４とした。表６に従って、純水リンス液１の
流量を１．５Ｌ／分に調整する以外は、実施例３と同様
の処理を行い、実施例５とした。

【００４１】

【表５】

【００４２】

【表６】

【００４３】表４〜６から、純水リンス液１の流量が少
ないほど発生するパーティクル数を抑制できることがわ
かる。このように、純水リンス液の供給開始時の、基板
との相対速度を小さくし、リンス液供給時のインパクト
を小さくすることによって、パーティクル数をさらに削
減できることが確認できた。

【００４４】＜純水リンス１処理工程の基板回転速度・
加速度依存＞ 実施例６ 表７に従って、純水リンス１処理工程での基板回転速度
を１０００ｒｐｍとし、回転加速度を１０００ｒｐｍ／
秒とする以外は、実施例３と同様の処理を行い、実施例
６とした。

【００４５】

【表７】

【００４６】表４と表７の比較から、リンス１工程の回
転速度および加速度を２０００ｒｐｍ，１００００ｒｐ
ｍ／秒から、１０００ｒｐｍ，１０００ｒｐｍ／秒に小
さくすることにより、さらに約１桁、パーティクル数を
低減できることが分かった。この実施例では、回転停止
工程で回転が停止され、リンス１工程に進んで基板の回
転が再開されると略同時に、純水リンス液の供給が開始
される。従って、リンス１工程の回転速度および加速度
が小さいほど、供給開始時の純水リンス液と基板との相
対速度が小さくなる。回転速度を低くしたことと加速度
を低くしたこととのどちらの影響が主体であるのかは明
確ではないが、前述のように、純水リンス液の供給開始
時の基板との相対速度を下げ、インパクトを小さくする
ことにより、パーティクル発生をさらに低減できたこと
が分かる。

【００４７】リンス１工程での回転速度および加速度
は、リンス液を基板上に均一に供給できる範囲でさらに
小さくすることが可能であると考えられる。下限値を確
認することはできていないが、例えば、回転加速度は１
０００ｒｐｍ／秒のままで回転速度を５００ｒｐｍまで
遅くすることは可能であった。ただしこの場合、表７
（回転速度１０００ｒｐｍ）の場合に比較してパーティ
クル数のさらなる減少は観察されなかった。表７の条件
で、残留した現像液と純水リンス液とが急激に混合する
ことによるパーティクル発生は十分に抑制できたものと
考えられる。すなわち、表１の条件において、リンス液
供給のインパクトを、パーティクル発生を防止するため
に十分なレベルにまで下げることができたと考えられ
る。

【００４８】リンス液供給のインパクトは、回転停止工
程の条件、純水リンス１工程の基板回転の条件、純水リ
ンス液供給条件等のさまざまな条件によって変化する。
また当然ながら、レジストおよび現像液の種類、および
基板の径によって、パーティクル発生を防止することが
できるインパクトのレベルも異なる。具体的な条件は、
それぞれの場合に合わせて実験的に定めればよい。

【００４９】＜純水リンス２処理工程の基板回転速度・
時間依存＞ 実施例７ 表８に従って、純水リンス２処理工程の回転時間を２５
秒とし、回転速度を２５００ｒｐｍとする以外は、実施
例６と同様の処理を行い、実施例７とした。

【００５０】

【表８】

【００５１】表７と表８とを比較して分かるように、純
水リンス２処理工程の時間および回転速度が１０秒、５
００ｒｐｍの場合に比較して、２５秒、２５００ｒｐｍ
にしても、発生するパーティクル全体の個数には顕著な
変化が見られなかった。しかし、発生したパーティクル
の寸法に変化が見られた。すなわち、表７の場合には
３．５μｍ程度の大きな寸法のパーティクルの発生が見
られたのに対して、表８の場合にはこのような大きなパ
ーティクルは見られず、最大のものでも０．８μｍ程度
であった。すなわち、デバイスの歩留りに対する影響と
いう観点では、表８のように純水リンス２工程の条件を
設定することにより、顕著なパーティクル発生抑制が達
成できたと言える。３．５μｍ程度の大きな径を持つパ
ーティクルは、２５００ｒｐｍの高速での回転を行いな
がら純水リンスを行うことによって、物理的に除去され
たものと理解できる。

【００５２】以上の結果により、最終的な現像処理条件
を表９のように決定した。表８の場合には現像液除去の
時間が１０秒であったのだが、表９の条件では、生産性
を向上させると共に現像時間の制御性を高めることを意
図して、２秒に短縮した。前述のように、基板上に盛ら
れた現像液が除去できる時間以上であれば、それ以上除
去時間を長くしても顕著なパーティクル発生抑制効果が
ないことが確認できている。事実、表９と表８の比較で
は、むしろ除去時間が短い方がパーティクル数が減少し
た。もちろん、表８の場合と同様に、発生したパーティ
クルの寸法も小さかった。

【００５３】この結果を、表１の従来の現状処理方法と
比較すると、パーティクルの個数で３桁を越える、極め
て大きな改善が達成できたことが分かる。しかも、発生
するパーティクルの微小化も達成できたので、製品歩留
り向上に対してはさらに大きな効果が得られる。上記の
実験では開口率の小さなホールパターンを形成する場合
を対象に検討を行った。しかし本発明の適用はホールパ
ターン形成の場合のみに限られるのではなく、他のパタ
ーン、例えばラインパターンを形成する場合に対しても
有効である。ただし、異なるパターンに適用する場合に
は、現像液除去工程におけるパターン倒れの有無等を確
認し、必要ならば条件の微調整を行うことが好ましい。

【００５４】

【表９】

【００５５】以上、本発明の現像処理方法について説明
したが、本発明は上記実施例に限定されず、本発明の要
旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を
行ってもよいのはもちろんである。

【００５６】

【発明の効果】本発明の現像処理方法によれば、基板の
回転の速度・加速度等を操作し、処理のタイミングを調
節するという簡便な操作で、基板上に発生するパーティ
クルの発生を著しく減少させることができる。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】主面上に露光されたレジスト層を有する基
   板を回転台に載せ、前記レジスト層の現像を行う方法で
   あって、 前記基板主面上に現像液を供給して、露光された前記レ
   ジスト層の現像処理を行う工程と、 この工程の後、前記現像液の供給を停止し、前記基板を
   回転させて前記現像液を除去する工程と、 前記現像液が除去された前記基板主面上にリンス液を供
   給して、前記レジスト層のリンス処理を行う工程とを有
   することを特徴とする現像処理方法。
2. 【請求項２】前記現像液を除去するための前記基板の回
   転速度および加速度を、前記現像処理によって形成され
   たレジストパターンが変形しない範囲に制御することを
   特徴とする請求項１に記載の現像処理方法。
3. 【請求項３】前記リンス液の供給を開始するときの前記
   基板の回転速度を、前記現像液を除去するための前記基
   板の最高回転速度よりも低くすることを特徴とする請求
   項１または２に記載の現像処理方法。
4. 【請求項４】前記現像液を除去する工程の後、前記基板
   の回転を停止してから前記リンス液を供給することを特
   徴とする請求項３に記載の現像処理方法。
5. 【請求項５】前記現像処理を、パドル方法によって行う
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の現像
   処理方法。
6. 【請求項６】前記現像液は、アルカリ性の現像液であ
   り、前記リンス液は、純水であることを特徴とする請求
   項１〜５のいずれかに記載の現像処理方法。