JP2001290280A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JP2001290280A
JP2001290280A JP2000106507A JP2000106507A JP2001290280A JP 2001290280 A JP2001290280 A JP 2001290280A JP 2000106507 A JP2000106507 A JP 2000106507A JP 2000106507 A JP2000106507 A JP 2000106507A JP 2001290280 A JP2001290280 A JP 2001290280A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
pattern
exposure
exposure apparatus
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000106507A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuaki Yamazaki
光明 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000106507A priority Critical patent/JP2001290280A/ja
Publication of JP2001290280A publication Critical patent/JP2001290280A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複雑、高価、かつ大きなスペースを必要とす
ることなく、高品位、高精度の焼付けが可能な露光装置
を構成することを目的とする。 【解決手段】 フォトマスク1 を介して未露光フォトマ
スク部材3 に露光用光源11からの光10を照射してフォト
マスクのパターンと同じかまたは反転したパターンを焼
付ける露光装置において、露光用光源を平面発光装置で
構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、カラー受像管の
シャドウマスクや半導体装置のリードフレームなど、フ
ォトエッチング法におけるパターン焼付けに用いられる
フォトマスクを製作するための露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、カラー受像管のシャドウマスクや
半導体装置のリードフレームなど、高精細部品の普及に
ともなって、フォトエッチング法による製造が増加して
いる。
【0003】このフォトエッチング法による製造には、
被加工部材に所定のパターンの形成されたフォトマスク
のパターンを焼付ける露光工程がある。この露光工程で
用いられるフォトマスクは、一般にガラス板などの光透
過性の板を基板とし、この基板上に所定のパターンの遮
光膜が形成されたものとなっている。
【0004】このようなフォトマスクのパターン形成方
法としては、 (a) レーザ光などを光源とする描画装置により、未
露光のフォトマスク部材に直接パターンを描画する方法 (b) レーザ光などを光源とする描画装置により一旦
製作されたフォトマスクを原版として、この原版と未露
光のフォトマスク部材とを密着または一定間隔離して対
峙させ、原版を介して光源から光により露光して、未露
光のフォトマスク部材に原版のパターンと同じかまたは
反転したパターンを焼付ける方法の2通りの方法があ
る。
【0005】特に(b)の方法は、カラー受像管のシャ
ドウマスクや半導体装置のリードフレームなどのよう
に、繰返し露光をおこなって同一部品を大量に生産する
場合や、原版の損傷を回避するため、複数のフォトマス
クを用意しておく場合などに有効であり、広く利用され
ている。
【0006】上記フォトマスクの製作方法をより具体的
に説明すると、第1の方法として、青板ガラス板や石英
板などの基板上にクロム(Cr)などの金属膜が形成さ
れ、この金属膜上にフォトレジスト(ポジ型)が塗布形
成されたハードマスクブランクスといわれる未露光フォ
トマスク部材を用い、描画装置または反転露光装置によ
り露光して、上記未露光フォトマスク部材に所定のパタ
ーンを形成する。その後、このパターンの形成されたフ
ォトマスク部材を現像してフォトレジストの露光部分を
除去して、未露光部分を耐エッチング性レジストパター
ンとして残し、ついで、このレジストパターンの形成さ
れたフォトマスク部材に硝酸セリウムアンモニウム−過
塩素系エツチング液をスプレーまたはディッピングなど
の方法によりエツチングし、その後、レジストを剥離、
水洗、乾燥して、金属膜パターンからなるパターン焼付
け用フォトマスクとする方法がある。
【0007】第2の方法として、青板ガラス板を基板と
してその板面にハロゲン化銀分散ゼラチン膜からなる乳
剤層の形成されたいわゆるエマルジョン乾板(ネガ型)
を未露光フォトマスク部材として用い、描画装置または
反転露光装置により露光して、上記未露光フォトマスク
部材に所定のパターンを形成する。その後、このパター
ンの形成されたフォトマスク部材を現像して、露光部分
を黒色のハロゲン化銀からなる遮光パターンとして残
し、ついで、定着をおこなって未露光部分のハロゲン化
銀を除去するとともに、乳剤層の硬膜化をおこなう。そ
の後、水洗、乾燥して、パターン焼付け用フォトマスク
とする方法がある。
【0008】このようなフォトマスクの製作方法におい
て、描画装置により直接パターンを描画してフォトマス
クを製作する方法は、高品位、高精度のフォトマスクと
することができるが、反面、製作に長時間かかる。ま
た、描画装置自体が高価であるという問題がある。
【0009】これに対して、反転露光装置によりフォト
マスクを製作する方法は、品位、精度の点では、描画装
置により直接パターンを描画する方法にくらべて劣る
が、製作時間が短く、フォトマスクの大量製作に適す
る。また装置自体が安価である。
【0010】このようなことからフォトエッチング法に
用いられるフォトマスクは、反転露光装置により製作す
る場合が多い。
【0011】図3に、従来の反転露光装置の一例を示
す。この露光装置では、所定のパターンの形成されたフ
ォトマスク1(原版)は、保持枠2に保持され、一方、
未露光のフォトマスク部材3は、露光装置のベース部4
に保持され、これらフォトマスク1と未露光フォトマス
ク部材3は、減圧装置より真空密着される。そして、フ
ォトマスク1の前方に配置された露光用光源5から放射
される所定波長の光6により露光して、未露光フォトマ
スク部材3にフォトマスク1のパターンを焼付ける。
【0012】このような露光装置では、光源5が未露光
フォトマスク部材3に焼付けられるパターンの品位、精
度に大きな影響を及ぼす。すなわち、このような露光装
置では、光源5が露光装置の有効照射領域における照度
分布にばらつきが生じないようにするとともに、解像度
を損なうことなくパターンを焼付け、またフォトマスク
1に対して光が交差して入射した場合におこるパターン
寸法の変化が生じないように、フォトマスク1を通って
未露光フォトマスク部材3に入射する照射光を平行光に
することが必要である。
【0013】したがって、図3に示した露光装置では、
光源5に波長の短い光6を放射するランプが用いられ、
かつ光源5からフォトマスク1までの距離を長くして、
照度分布を均一化し、かつ平行に近い照射光が得られる
ようにする必要がある。
【0014】そのため、このような露光装置は、大きな
設置スペースが必要となる。また光源5からフォトマス
ク1までの距離が長いことによる照度低下も無視でき
ず、ランプ出力を大きくする必要があるなどの問題があ
る。
【0015】また、他の反転露光装置として、図4に示
す露光装置がある。この露光装置は、図3に示した露光
装置と同様の光源5を用い、この光源5からの光6を反
射鏡8を介して非球面鏡9に入射させ、この非球面鏡9
によりほぼ平行光にしてフォトマスク1に入射させる構
成になっている。
【0016】このような露光装置によれば、上記図3に
示した露光装置にくらべて小さな設置スペースですむ。
しかし、この露光装置は、平行光を得るための非球面鏡
9の設計、製作がむつかしく、装置が高価になるという
問題がある。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、フォト
エッチング法に用いられる露光装置では、光源が未露光
フォトマスク部材に焼付けられるパターンの品位、精度
に大きな影響を及ぼす。そのため、その焼付けられるパ
ターンを高品位、高精度にしようとすると、装置が複
雑、高価になる。また、装置を単純化した場合には、光
源からフォトマスクまでの距離を長くする必要があり、
大きな設置スペースが必要になるなどの問題がある。
【0018】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、露光装置を複雑、高価にしたり、
大きなスペースを必要とすることなく、高品位、高精度
の焼付けが可能な露光装置を構成することを目的とす
る。
【0019】
【課題を解決するための手段】所定のパターンを有する
フォトマスクを介して未露光フォトマスク部材に露光用
光源から光を照射することによりフォトマスクのパター
ンと同じかまたは反転したパターンを焼付ける露光装置
において、露光用光源を平面発光装置で構成した。
【0020】また、その平面発光装置を有機分散型EL
パネル、無機薄膜ELパネル、有機薄膜ELパネルのい
ずかで構成した。
【0021】また、その平面発光装置をLEDアレイで
構成した。
【0022】さらに、その平面発光装置を露光装置の有
効照射領域とほぼ等大以上の大きさに形成した。
【0023】
【発明の実施の形態】図1にこの発明の実施の一形態で
ある露光装置を示す。この露光装置は、所定のパターン
の形成されたフォトマスク1(原版)を保持する保持枠
2と、未露光フォトマスク部材3、たとえば通常のリス
タイプエマルジョン乾板を上記フォトマスク1と向い合
うように保持するベース部4と、これら保持枠2に保持
されたフォトマスク1とベース部4に保持された未露光
フォトマスク部材3を真空密着させる減圧装置(図示せ
ず)と、上記フォトマスク1の前方に配置され、フォト
マスク1のパターンを未露光のフォトマスク部材3に焼
付ける光10を放射する露光用光源11とから構成され
ている。
【0024】特にこの実施の形態では、上記光源11
が、緑色光を発光する有機分散型ELパネルなどの平面
発光装置からなり、この平面発光装置が露光装置の有効
照射領域、すなわちフォトマスク1を保持する保持枠2
の内側面積とほぼ等大以上の発光面をもつ大きさに形成
されている。そして、このELパネルを駆動するインバ
ータの周波数を変化させることにより、照度を調整する
ことができるように構成されている。
【0025】この露光装置によるフォトマスクの製作
は、保持枠2にフォトマスク1を取付け、ベース部4に
未露光フォトマスク部材3を取付けて、これら保持枠2
およびベース部4に取付けられたフォトマスク1と未露
光フォトマスク部材3を向い合わせ、減圧装置によりこ
れらフォトマスク1と未露光フォトマスク部材3を真空
密着させる。十分に密着させたのち、光源11を発光さ
せて露光し、未露光のフォトマスク部材3にフォトマス
ク1のパターンを焼付ける。その後、このパターンの焼
付けられたフォトマスク部材3を、通常の条件で現像、
定着、水洗、乾燥することにより製作される。
【0026】上記のように光源11を平面発光装置とす
ると、従来の露光装置のように反射鏡や非球面鏡を用い
た露光装置のように複雑な構成にすることなく、また光
源からフォトマスクまでの距離を長くすることなく、簡
単な構成で未露光フォトマスク部材3に入射する照射光
10をほぼ平行光とすることができ、高品位、高精度の
フォトマスクを製作することができる。
【0027】なお、上記実施の形態では、露光用光源を
有機分散型ELパネルで構成したが、光源としては、無
機薄膜ELパネル、有機薄膜ELパネルで構成してもよ
く、また、図2に示すように、多数のLED13を2次
元的に配列したLEDアレイで構成しても同様の効果が
得られる。
【0028】なおまた、上記実施の形態では、フォトマ
スク(原版)のパターンに対して反転したパターンを焼
付ける場合について説明したが、この発明は、フォトマ
スク(原版)のパターンと同じパターンを焼付ける場合
にも適用できる。
【0029】
【発明の効果】上述のように、露光用光源を平面発光装
置で構成すると、従来の露光装置のように反射鏡や非球
面鏡を用いた露光装置のように複雑な構成にすることな
く、また光源からフォトマスクまでの距離を長くするこ
となく、簡単な構成で未露光フォトマスク部材に入射す
る照射光をほぼ平行光とすることができ、高品位、高精
度のフォトマスクを製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の一形態である露光装置の構成
を示す図である。
【図2】多数のLEDを2次元的に配列したLEDアレ
イからなる平面発光装置の図である。
【図3】従来の露光装置の構成を示す図である。
【図4】従来の異なる露光装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
1…フォトマスク 3…未露光フォトマスク部材 10…光 11…露光用光源 13…LED

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定のパターンを有するフォトマスクを
    介して未露光フォトマスク部材に露光用光源から光を照
    射することにより上記フォトマスクのパターンと同じか
    または反転したパターンを焼付ける露光装置において、 上記露光用光源が平面発光装置からなることを特徴とす
    る露光装置。
  2. 【請求項2】 平面発光装置が有機分散型ELパネル、
    無機薄膜ELパネル、有機薄膜ELパネルのいずれかで
    あることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 平面発光装置がLEDアレイであること
    を特徴とする請求項1記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 平面発光装置が露光装置の有効照射領域
    とほぼ等大以上の大きさに形成されていることを特徴と
    する請求項1乃至3のいずれかに記載の露光装置。
JP2000106507A 2000-04-07 2000-04-07 露光装置 Pending JP2001290280A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000106507A JP2001290280A (ja) 2000-04-07 2000-04-07 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000106507A JP2001290280A (ja) 2000-04-07 2000-04-07 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001290280A true JP2001290280A (ja) 2001-10-19

Family

ID=18619664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000106507A Pending JP2001290280A (ja) 2000-04-07 2000-04-07 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001290280A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004017069A1 (ja) * 2002-08-16 2004-02-26 Kabushiki Kaisha Hayashi Soken バイオチップ分析装置およびオンライン分析システム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004017069A1 (ja) * 2002-08-16 2004-02-26 Kabushiki Kaisha Hayashi Soken バイオチップ分析装置およびオンライン分析システム
JPWO2004017069A1 (ja) * 2002-08-16 2005-12-08 株式会社林創研 バイオチップ分析装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW511149B (en) Photomask and method for manufacturing the same
JP2000066366A (ja) フォトマスク及びその製造方法
US3761264A (en) Method of defining a detailed pattern on a surface of a body
JP2001290280A (ja) 露光装置
US6854106B2 (en) Reticles and methods of forming and using the same
US4588676A (en) Photoexposing a photoresist-coated sheet in a vacuum printing frame
US20040151989A1 (en) Photo mask, method of manufacturing electronic device, and method of manufacturing photo mask
JP2002072497A (ja) 露光方法
KR20040047235A (ko) 포토마스크
TW516098B (en) Light source generation apparatus and exposure method of contact hole
JPH04163455A (ja) フォトマスク
KR100861196B1 (ko) 반도체 소자의 패턴 형성 방법
JPS61102738A (ja) レジスト膜パタ−ンの形成方法
KR100434707B1 (ko) 반도체 소자 제조용 노광 마스크
KR100235304B1 (ko) Fed용 스페이서의 제조방법
JPH04216553A (ja) 半導体製造用マスク
US3647438A (en) Method of making high area density array photomasks having matching registry
JP2002211030A (ja) Ledプリントヘッド及びその製造方法
KR100800782B1 (ko) 마스크 제조방법
JP2791757B2 (ja) 半導体マスク及びその製造方法
JP2000066362A (ja) シャドウマスク用ハードマスク及びその製造方法
KR20040060162A (ko) 노광 마스크 및 그 제조 방법
JPS63231348A (ja) フオトマスク
JPH09318809A (ja) カラーフィルターの製造方法
JPH11204030A (ja) カラー陰極線管の蛍光面形成用の光量補正フィルター、およびこれを備えた露光装置