JP2001281672A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置の製造方法に関し、垂直配向膜
を欠陥なく塗布するとともに、欠陥が発生した場合に
は、簡単に垂直配向膜を剥離する。 【解決手段】 基板１に設けた垂直配向膜４を剥離する
際の前工程として、垂直配向膜４成分中のジアミン基に
作用し、垂直配向規制力を低下させる処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の製造
方法に関するものであり、特に、液晶分子を膜面に対し
て垂直に配向させる垂直配向膜を欠陥なく塗布し、或い
は、欠陥が発生した場合に確実に垂直配向膜を剥離させ
ることによって製造歩留りを向上し、且つ、製造コスト
を低減するための構成に特徴のある液晶表示装置の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、アクティブマトリクスを用いた液
晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力が実現できるデ
ィスプレイとして注目されているが、このようなアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置としては、誘電率異方性
が正のｐ型のネマティック液晶を基板面に対しほぼ水平
に配向させ、且つ、互いに対向する基板間で液晶分子の
配向方向を９０°ツイストさせたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）方式が主流である。

【０００３】しかし、このＴＮモードの場合には、視野
角が狭い、応答速度が遅いという致命的な欠点がある。
そこで、本出願人は、このＴＮ方式に替わる方式とし
て、誘電率異方性が負のｎ型の液晶材料を垂直配向さ
せ、且つ、基板表面に設けた突起（Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏ
ｎ）もしくは抜き（Ｓｌｉｔ）により電圧印加時の液晶
分子の傾斜方向を規制するＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍ
ａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式
を開発し、視角特性及び応答速度を大幅に改善すること
に成功している。

【０００４】ここで、図６及び図７を参照してＭＶＡ方
式液晶表示装置を説明する。 図６（ａ）参照 図６（ａ）は、電圧を印加しない状態における液晶分子
の配向状態を概略的に示すＭＡＶ方式液晶表示装置の部
分切り欠き斜視図であり、ガラスからなるＴＦＴ基板２
１にはＴＦＴ及びＴＦＴに接続された画素電極（いずれ
も図示を省略）が形成されており、この上にレジストか
らなる突起２３が設けられると共に、全面を覆うように
垂直配向膜（図示を省略）が設けられている。

【０００５】一方、ＴＦＴ基板２１に対向するＣＦ（カ
ラーフィルタ）基板２２は、ガラスからなるとともに、
ＣＦ基板２２の表面にはＩＴＯ等からなる対向電極（図
示を省略）が設けられており、この上にレジストからな
る突起２４がＴＦＴ基板２１側に設けた突起２３と交互
に位置するように設けられると共に、全面を覆うように
垂直配向膜（図示を省略）が設けられている。

【０００６】次いで、対向するＴＦＴ基板２１とＣＦ基
板２２との間に負の誘電率異方性を有するｎ型液晶を注
入することによってＭＶＡ方式液晶表示装置の基本構成
が完成する。この場合、液晶分子２５は垂直配向膜の規
制を受けてＴＦＴ基板２１及びＣＦ基板２２に対して垂
直に配向するとともに、突起２３，２４の傾斜部におい
ては、傾斜面に垂直に配向することになる。

【０００７】この様なＭＶＡ方式の直視型液晶表示装置
において、ＴＦＴ基板２１側に設ける偏光板とＣＦ基板
２２側に設ける偏光板とを、クロスニコルに配置するこ
とによって、電圧を印加しない状態においては入射光が
透過できずに“黒”表示になる。

【０００８】図６（ｂ）参照 図６（ｂ）は電圧を印加した状態におけるＭＶＡ方式液
晶表示装置の部分切り欠き斜視図であり、電圧を印加す
ることによって、突起２３，２４の形状構造によって液
晶分子２５の傾斜方向が規制されながら印加電圧に応じ
て水平方向に向かって傾き、出射光を透過して“白”表
示が得られることになる。この場合、液晶分子２５の１
画素内において複数の方向に配向することになるため視
角特性は改善され、また、液晶分子２５の傾斜方向は、
突起２３，２４近傍の液晶分子２５の傾斜方向に規制さ
れて傾斜するので応答速度が改善されることになる。

【０００９】図７参照 図７は、画素２６に対する突起２３及び突起２４の配置
パターンを一例を示す平面図であり、ＴＦＴ基板側に設
けられる突起２３及びＣＦ基板側に設けられる突起２４
は互いに一定の間隔で三角波状に配置されている。な
お、図においては、３画素分を概略的に図示しており、
画素２６のほぼ中央に設けた補助容量バスライン３０に
対して突起２３及び突起２４は線対称に設けられてい
る。

【００１０】図に示すように、液晶分子２５は、ゲート
電極２７側においては夫々Ｃ，Ｄで示すように突起２
３，２４に対して垂直方向で且つ互いに逆向きに配向
し、一方、ゲート電極２７から離れた側においても夫々
Ａ，Ｂで示すように突起２３，２４に対して垂直方向で
且つ互いに逆向きに配向され、Ｃ，ＤとＡ，Ｂとは互い
にほぼ直交する方向となる。

【００１１】したがって、この様なＭＶＡ方式液晶表示
装置に電圧を印加した場合には、液晶は１画素内におい
て、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４方向に配向することになるの
で、良好な視角特性を得ることができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この様なＭＶ
Ａ方式液晶表示装置においては、液晶分子を垂直に配向
させる配向膜材料、即ち、垂直配向膜材料を用いなけれ
ばならないが、この垂直配向膜材料は表面張力を小さく
するために非極性であるアルキル基の付いたジアミンを
導入しているため、ガラス基板に対する濡れ性は水平配
向膜に劣り、垂直配向膜材料を塗布する際にはじきやく
すなるのでピンホールや膜面の凹凸が発生しやすい問題
がある。

【００１３】特に、ＭＶＡ方式液晶表示装置において
は、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の少なくとも一方に、突起
或いはスリットを設けているので、通常のＴＦＴ液晶表
示装置より大きな凹凸構造を持ち、したがって、この様
な凹凸の激しい基板の表面に欠陥のない垂直配向膜を再
現性良く形成することは困難になる。

【００１４】この様な垂直配向膜の表面張力の小ささの
原因は垂直配向膜材料の分子構造にあるので、その事情
を図８及び図９を参照して説明する。 図８乃至図９（ｃ）参照 図８は垂直配向膜の基本骨格を構成する有機化合物の構
造式であり、図におけるＲ₁ は、図９（ａ）または図９
（ｂ）に示す酸無水物モノマーであり、また、Ｒ₂ 及び
Ｒ₃ は図９（ｃ）に示すのジアミンである。

【００１５】また、Ｒ₂ は、図９（ｃ）における垂直配
向成分となる側鎖部を有する側鎖型ジアミンモノマーで
あり、また、Ｒ₃ は図９（ｃ）における垂直配向成分と
なる側鎖部を除去した水平配向成分からなるジアミンで
あり、Ｒ₂ ：Ｒ₃ の比率を変えることによって、即ち、
ｍ：ｎの比を変えることによって垂直配向能力を制御し
ている。

【００１６】また、凹凸の激しい基板の表面に欠陥のな
い垂直配向膜を形成するためには、基板に対する濡れ性
に関して高いレベルのものが要求されるとともに、配向
膜材料を塗布する際の溶剤としては、突起を構成するレ
ジストに対する膨潤度の小さな材料を選択する必要があ
る。

【００１７】上述の各問題は、垂直配向膜としてポリイ
ミド系配向膜材料を用いた場合に特に顕著になる。即
ち、ポリイミド或いは部分的にポリイミド骨格を有する
配向膜材料はポリマーの剛直性が強く、且つ、図８に示
すように分子が長い等の理由から溶剤に対して濡れにく
いだけでなく、溶けにくく、且つ、吸湿により析出して
沈澱しやすいという問題がある。

【００１８】そのため、通常のポリイミド系水平配向膜
材料では、上記の可溶性という点に重点がおかれ、ポリ
マーを溶解させるためのＮＭＰ（１−メチル−２−ピロ
リドン）と吸湿性を抑えるためのγ−ＢＬ（γ−ブチル
ラクトン）とで溶媒成分のおよそ８０％〜９０％を占め
ているのが現状である。

【００１９】しかし、このγ−ＢＬ（表面張力≒４３ｄ
ｙｎ／ｃｍ）は極性が大きいので主要な溶剤成分の中で
最も表面張力が大きく、配向膜材料であるポリマーの可
溶性自体は高くなるものの、極性が高い溶剤ほど凸版を
介して基板に転写された時、凸版のメッシュ跡がそのま
ま残る等のレベリング性に問題があり、膜の平坦化が困
難である。

【００２０】また、γ−ＢＬはＮＭＰと比較すると極性
の低い溶剤と混ざった時の可溶性が悪く、表面張力を小
さくするために非極性成分を多くしている垂直配向膜材
料は、非極性成分が少なく表面張力が大きな水平配向膜
材料と比較してγ−ＢＬに溶けずらくなっている。その
ため、極性が大きな溶媒に対して、印刷後の焼成時に疎
水性相互作用により凝集しやすく、基板に対するバジキ
やピンホールが生じやすくなる。なお、極性の高い溶剤
の比率を減らしていくほど、この凝集はなくなる傾向に
あるが、あまり減らすと今度はポリマー中の極性の大き
な酸無水物が溶けなくなるため、バランスが重要にな
る。

【００２１】また、印刷面にハジキによる微小なピンホ
ールが生じたとき、ピンホールにおいては液晶分子が水
平配向となり、従来のＴＮ方式、或いは、電圧無印加時
の初期配向が水平であるモードでは平均化されて問題と
ならないものの、垂直配向モードでは黒表示時に輝点と
して現れ、表示品質を大きく落としてしまうという問題
がある。

【００２２】例えば、突起を設けたＭＶＡ基板の表面
に、感光性ポリブタジエン（コムラテック製）からなる
メッシュサイズが３００ライン／インチの印刷版を備え
た日本写真印刷（株）製の印刷装置を用いて、０．１５
ｍｍの印刷圧によって、ポリイミド材料からなる垂直配
向膜ａ（ＲＮ−１３５８：日産化学社製製品名）を塗布
する際に、溶媒組成として、ＮＭＰ：γ−ＢＬ：ＢＣ
（ブチルセロソルブ）＝５０：３０：２０とする。

【００２３】この場合、垂直配向膜の膜厚に、２５０Å
程度の凹凸が観察され、この基板を用いて液晶セルを作
製したところ、表示にザラツキが強く生じるとともに、
画素と同程度の大きさのハジキにより輝点が多く発生し
た。

【００２４】また、同様に、ＭＶＡ基板に、溶媒組成と
してＮＭＰ：γ−ＢＬ：ＢＣ＝５０：４０：１０を用い
て、ポリイミド骨格を有する垂直配向膜Ａ（ＪＡＬＳ−
２０４６：ＪＳＲ社製製品名）を塗布した場合、配向膜
厚に３００Å程度の凹凸が観察され、この基板を用いて
液晶セルを作製したところ、表示にザラツキが強く生じ
るとともに、画素と同程度の大きさのハジキにより輝点
が多く発生した。

【００２５】この様なハジキの問題を改善するために
は、溶剤として表面張力の小さな材料であるＢＣ（ブチ
ルセロソルブ：表面張力≒２７ｄｙｎ／ｃｍ）をより多
く用いれば良いが、このＢＣは極性が高く、ポリマーの
溶解性を低下させるという問題が発生する。

【００２６】また、配向膜材料を塗布する際に、例え
ば、感光性ポリブタジエンからなるメッシュを用いた印
刷版を用いて塗布することになるが、印刷面にメッシュ
跡による凹凸が形成され、この印刷面の凹凸が表示にザ
ラツキ感を与え、このザラツキ感は特に垂直配向モード
の場合に顕著になるので問題となる。

【００２７】この様な印刷版のメッシュに起因するザラ
ツキ感は、メッシュを膨潤させることによって改善する
ことができるものの、上述のように、溶剤として吸湿性
を抑えるためのγ−ＢＬは、主要な溶剤成分の中で印刷
版に対する膨潤度（０．５％）が最も低いために問題と
なる。一方、γ−ＢＬの比率を低下させると吸湿による
ポリマーの析出が問題となる。

【００２８】一方、配向膜に欠陥が発生した場合には、
ＴＦＴ等を形成した高価な基板を有効利用するために、
基板に形成した配向膜を剥離工程により一旦除去し、再
度配向膜形成工程に投入することになる。この様な剥離
工程は、特別な装置及び材料を用いずに現行の設備或い
は材料を流用して行うことが望ましいく、この様な現行
の設備或いは材料としては感光性樹脂の現像装置及び現
像液が挙げられる。例えば、剥離液としては、アルカリ
水溶液、特に、現像液として多用されているＴＭＡＨ
（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶
液中で揺動することによって配向膜を剥離することが好
適である。

【００２９】例えば、ガラス基板上にＩＴＯ電極を設け
たＩＴＯベタ基板上に、全面に、垂直配向膜材料を塗布
したのち、８０℃で焼成した状態のものを、ＴＭＡＨ
２．３８％水溶液中に浸漬して、２分間揺動させて垂直
配向膜の剥離を試みた。

【００３０】この場合、垂直配向膜として、垂直配向膜
Ｂ（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製製品名）、垂直配向
膜Ｃ（ＪＡＬＳ−２００８：ＪＳＲ社製製品名）、及
び、垂直配向膜ｂ（ＲＮ−１２７６：日産化学社製製品
名）を用いた場合、垂直配向膜Ｂの剥離はできたもの
の、垂直配向膜Ｃ，ｂの場合には剥離ができなかった。

【００３１】さらに、ガラス基板上にＩＴＯ電極を設け
た基板上に、レジストＬＣ−２００（シプレイ社製製品
名）により高さ１．３μｍで幅５μｍの突起を６０μｍ
の間隙で設け、次いで、全面に、垂直配向膜材料を塗布
したのち、８０℃で焼成した状態のものを、ＴＭＡＨ
２．３８％水溶液中に浸漬して、２分間揺動させて垂直
配向膜の剥離を試みた。この場合、垂直配向膜Ｂの場合
には、残渣が多く残り、ほとんど剥離することができ
ず、垂直配向膜Ｃ，ｂの場合には、全く剥離することが
できなかった。

【００３２】以上のように、表面張力が小さな垂直配向
膜の場合には、ＴＭＡＨ水溶液中の揺動では剥離させる
ことが困難であり、特に、突起やスリットを設けるＭＶ
Ａ方式液晶表示装置の場合には、突起の近傍に残渣が残
りやすく、配向膜の剥離がより困難になる。

【００３３】一方、塗布時の溶剤であるＮＭＰを剥離液
として用いた場合には剥離が可能であるものの、ＮＭＰ
はＴＭＡＨと比較して非常に高価であり、且つ、剥離装
置の材質としてＮＭＰに対する耐性の強いテフロン（登
録商標）製装置等を用いる必要があり、コスト面で不利
であり、さらに、環境に対する影響についても考慮する
必要がある。

【００３４】したがって、本発明は、垂直配向膜を欠陥
なく塗布するとともに、欠陥が発生した場合には、簡単
に垂直配向膜を剥離することを目的とする。

【００３５】

【課題を解決するための手段】ここで、図１を参照して
本発明における課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、液晶表示装置の製造方法において、基
板１に設けた垂直配向膜４を剥離する際の前工程とし
て、垂直配向膜成分中のジアミン基に作用し、垂直配向
規制力を低下させる処理を行うことを特徴とする。

【００３６】この様に、ピンホール等の欠陥を有する垂
直配向膜４を基板１から剥離する際に、前処理として、
垂直配向膜成分中のジアミン基に作用し、垂直配向規制
力を低下させる処理を行うことにより、垂直配向膜４の
表面張力が大きくなり、剥離液６に対する濡れ性が向上
するので、通常の剥離液６中で揺動するだけで、垂直配
向膜４を確実に剥離することが可能になる。

【００３７】また、本発明は、上記（１）において、垂
直配向規制力を低下させた後の垂直配向膜４の表面張力
を４０ｄｙｎ／ｃｍ以上とするとが望ましい。即ち、前
処理によって垂直配向膜４の表面張力を４０ｄｙｎ／ｃ
ｍ以上にすることによって、通常のレジストの現像液で
あるＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド）水溶液を用いても剥離が可能になるので、低コ
スト化が可能になる。

【００３８】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、垂直配向規制力を低下させる処理として、酸素雰囲
気中での紫外線照射処理を行うことを特徴とする。

【００３９】この様に、垂直配向規制力を低下させる処
理としては、酸素雰囲気中、特に、大気中で紫外線５を
照射する紫外線照射処理を行うことが好適であり、それ
によって、特別の装置及び材料を用いることなく、垂直
配向規制力を低下させることができ、低コスト化に寄与
することになる。

【００４０】また、本発明は、上記（１）において、垂
直配向規制力を低下させる処理として、酸素プラズマ処
理或いはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）での超音波
振動処理のいずれかを行っても良いものである。即ち、
酸素プラズマ中で垂直配向膜４をアッシング処理しても
良いし、或いは、表面活性作用のあるＩＰＡ中に浸漬す
ることによって濡れ性が高まり、超音波振動によって剥
離しやすくなる。さらに、アルコール系は垂直配向膜４
を構成する分子間の結合を切る作用もあるので、垂直配
向規制力が弱まる。

【００４１】また、本発明は、上記（１）または（２）
において、剥離液６として、アルカリ水溶液、特に、Ｔ
ＭＡＨを用いることが好適である。即ち、ＴＭＡＨは非
常に安価であり、且つ、入手が容易であるので、剥離工
程を現行の装置及び材料を用いて低コストで行うことが
できる。

【００４２】また、本発明は、上記（１）または（２）
において、剥離液６中に、垂直配向膜４に対する接触角
を低下させる界面活性剤を添加しても良いものである。
即ち、界面活性剤を添加することによって濡れ性が改善
されるので、剥離が容易になる。なお、界面活性剤とし
て、通常の界面活性剤以外にも、界面活性作用のあるＩ
ＰＡを添加しても良いものである。

【００４３】また、本発明は、上記（１）または（２）
において、基板１として、基板１上に突起３または電極
２の抜き部が形成されて表面に凹凸のある基板１に適用
することが好適である。即ち、表面に凹凸のあるＭＶＡ
基板の場合には、凹凸の近傍で垂直配向膜４の膜厚が厚
くなりやすく、それによって剥離がより困難になるの
で、上記（１）または（２）の手法は、ＭＶＡ基板に好
適である。

【００４４】（３）また、本発明は、液晶表示装置の製
造方法において、互いに対向させるとともに、少なくと
も一方の表面に突起３或いは電極２の抜き部を設けた基
板１の表面に垂直配向膜４を形成する工程において、表
面張力が３１ｄｙｎ／ｃｍ以下の溶剤の比率が３０重量
％以上である溶媒に溶解されているポリイミド或いは部
分的にポリイミド骨格を有する高分子を用いることを特
徴とする。

【００４５】この様に、垂直配向膜４を構成するポリイ
ミド或いは部分的にポリイミド骨格を有する高分子を溶
解させる溶媒中の表面張力が３１ｄｙｎ／ｃｍ以下の溶
剤の比率を３０％重量以上とすることによって、塗布時
の基板１の表面におけるハジケによる膜厚の凹凸を小さ
くすることができ、それによって、ピンホールがない垂
直配向膜４を再現性良く形成することができ、且つ、ザ
ラツキ感のない表示を実現することができる。

【００４６】（４）また、本発明は、上記（３）におい
て、ポリイミド或いは部分的にポリイミド骨格を有する
高分子を溶解させる溶媒中の１−メチル−２−ピロリド
ンの重量比が、２５％＜１−メチル−２−ピロリドンの
重量比≦６０％であることを特徴とする。

【００４７】この様に、溶媒中のＮＭＰ（１−メチル−
２−ピロリドン）の重量比は、２５％以下であるとポリ
マーの析出が起こり、一方、６０％を越えると突起３を
構成するレジストに対する膨潤度が極めて高くなり、且
つ、残留ＤＣ、即ち、残留電荷による配向のバラツキが
大きくなるので、２５％＜１−メチル−２−ピロリドン
の重量比≦６０％にすることが好適である。

【００４８】（５）また、本発明は、上記（３）または
（４）において、ポリイミド或いは部分的にポリイミド
骨格を有する高分子を溶解させる溶媒が、ブチルセロソ
ルブを含まず、１−メチル−２−ピロリドン及びγ−ブ
チルラクトンを除いて、ブチルセロソルブより極性の低
い溶剤のみからなることを特徴とする。

【００４９】この様に、溶剤には、極性が高くポリマー
の溶解性を低下させるＢＣ（ブチルセロソルブ）を含ま
せないことが好適であり、ＢＣの替わりに、表面張力が
低く、且つ、ＢＣより極性の低い溶剤を用いることが好
適である。

【００５０】また、本発明は、上記（５）において、溶
媒中のγ−ＢＬ（γ−ブチルラクトン）の重量比が０〜
４０％であることを特徴とする。即ち、γ−ＢＬは表面
張力が高く、且つ、印刷版に対する膨潤度が低く、４０
％を越えるとザラツキ感は強くなるので、４０％以下に
することが望ましい。

【００５１】また、本発明は、上記（５）において、溶
媒中のγ−ＢＬ（γ−ブチルラクトン）の重量比を０と
し、ＤＡＡ（ジアセトアルコール）を添加することを特
徴とする。即ち、ＤＡＡは表面張力が小さく、且つ、吸
湿によるポリマー析出を抑制する作用があるので、γ−
ＢＬの替わりにＤＡＡを用いることが望ましく、特に、
溶媒を約６０重量％のＮＭＰと約４０重量％のＤＡＡの
みで構成した場合に、残留ＤＣのバラツキを最低にする
ことができる。

【００５２】また、本発明は、上記（５）において、溶
媒中におけるＢＣ（ブチルセロソルブ）よりも印刷版に
対する膨潤度の大きな溶剤の重量比を３０％以上とした
ことを特徴とする。この様に、印刷版に対する膨潤度の
大きな溶剤の重量比を３０％以上とすることによって、
印刷版のメッシュ跡による膜厚の凹凸を小さくすること
ができ、ザラツキ感のない表示を実現することができ
る。なお、この様な溶剤としては、印刷版に対する膨潤
度が６０％程度であり、且つ、表面張力がＢＣとほぼ同
程度のＤＧＤＥ（ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル）が好適である。

【００５３】

【発明の実施の形態】ここで、本発明の第１の実施の形
態の垂直配向膜の剥離工程を説明する。まず、ガラス基
板の全面にＩＴＯを設けたＩＴＯベタ基板と、ＩＴＯベ
タ基板上にレジストＬＣ−２００（シプレイ社製製品
名）により高さ１．３μｍで幅５μｍの突起を６０μｍ
の間隙で設けたＭＶＡ基板を用意したのち、ＩＴＯ基板
及びＭＶＡ基板の表面に垂直配向膜材料を塗布し、例え
ば、８０℃で焼成して垂直配向膜を形成する。

【００５４】次いで、各種の垂直配向規制力を低下させ
る前処理を行ったのち、ＴＭＡＨ２．３８％水溶液中に
浸漬して、２分間揺動させて垂直配向膜の剥離を試みる
とともに、前処理前後の垂直配向膜の表面張力を測定す
る。この場合の表面張力は、表面張力が既知である水と
ジオドメタンを垂直配向膜上に滴下してその接触角を測
定し、測定結果を拡張ホークスの式に代入して求めたも
のである。

【００５５】以上を前提として、本発明の第１の実施の
形態における前処理に関する具体的実施例を説明する。 （実施例１）ＩＴＯベタ基板及びＭＶＡ基板の双方に、
垂直配向膜材料を塗布したのち、８０℃で焼成した垂直
配向膜に対し、エキシマＵＶを用いて、波長が、例え
ば、２５４ｎｍの紫外線を２０００ｍＪ照射する前処理
を行い、次いで、ＴＭＡＨ２．３８％水溶液中に浸漬し
て、２分間揺動させて垂直配向膜の剥離を試みた。例え
ば、エキシマ光照射装置としては、ウシオ電機（株）製
ＵＥＲ４６５３０８−１７２（製品名）を用いた。

【００５６】垂直配向膜として、垂直配向膜Ｂ（ＪＡＬ
Ｓ−６８４：ＪＳＲ社製製品名）、垂直配向膜Ｃ（ＪＡ
ＬＳ−２００８：ＪＳＲ社製製品名）、及び、垂直配向
膜ｂ（ＲＮ−１２７６：日産化学社製製品名）を用いた
場合、ＩＴＯ基板及びＭＶＡ基板の双方において、いず
れの垂直配向膜の剥離が可能であった。

【００５７】そこで、各垂直配向膜の表面張力の変化を
調べてみた結果を纏めたのが表１である。

【表１】

【００５８】表１から明らかなように、垂直配向膜Ｂ
（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製製品名）の場合には、
紫外線照射前に３８．２〜３８．８ｄｙｎ／ｃｍであっ
た表面張力が紫外線照射後には４２．３〜４３．４ｄｙ
ｎ／ｃｍに上昇し、垂直配向膜Ｃ（ＪＡＬＳ−２００
８：ＪＳＲ社製製品名）の場合には、紫外線照射前に３
６．５〜３７．２ｄｙｎ／ｃｍであった表面張力が紫外
線照射後には４１．２〜４２．７ｄｙｎ／ｃｍに上昇
し、また、垂直配向膜ｂ（ＲＮ−１２７６：日産化学社
製製品名）の場合には、紫外線照射前に３４．８〜３
５．５ｄｙｎ／ｃｍであった表面張力が紫外線照射後に
は４０．５〜４１．３ｄｙｎ／ｃｍに上昇しているのが
確認された。なお、上記の各数値は、６枚の基板の最低
値と最高値を表示している。

【００５９】したがって、ＴＭＡＨ水溶液中での剥離が
可能な表面張力の境界は４０ｄｙｎ／ｃｍであると考え
られるので、紫外線照射後の表面張力が４０ｄｙｎ／ｃ
ｍ以上になるように紫外線の波長及び照射エネルギーを
決定すれば良い。

【００６０】（実施例２）ＩＴＯベタ基板及びＭＶＡ基
板の双方に、垂直配向膜Ｂ（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ
社製製品名）を形成したのち、ＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）中に浸漬し、例えば、１５分間超音波を印加
する前処理を行う。

【００６１】次いで、ＴＭＡＨ２．３８％水溶液中に浸
漬して、２分間揺動させて垂直配向膜の剥離を試みた結
果、ＩＴＯベタ基板及びＭＶＡ基板の双方において、垂
直配向膜の剥離が可能であった。

【００６２】この場合、ＩＰＡは界面活性作用があるの
で、濡れ性が改善され、超音波振動によって剥離しやす
くなるとともに、アルコールは垂直配向膜の分子結合を
切る作用があるので、表面配向規制力が低減し表面張力
が上昇するためと考えられる。

【００６３】（実施例３）ＩＴＯベタ基板及びＭＶＡ基
板の双方に、実施例１と同様に、垂直配向膜Ｂ（ＪＡＬ
Ｓ−６８４：ＪＳＲ社製製品名）、垂直配向膜Ｃ（ＪＡ
ＬＳ−２００８：ＪＳＲ社製製品名）、及び、垂直配向
膜ｂ（ＲＮ−１２７６：日産化学社製製品名）を形成し
たのち、Ｏ₂ プラズマ用いたアッシング処理を行って、
垂直配向膜の表面張力を４０ｄｙｎ／ｃｍ以上にする。

【００６４】次いで、ＴＭＡＨ２．３８％水溶液中に浸
漬して、２分間揺動させて垂直配向膜の剥離を試みた結
果、ＩＴＯベタ基板及びＭＶＡ基板の双方において、い
ずれの垂直配向膜の剥離が可能であった。この場合、Ｏ
₂ プラズマアッシングによって垂直配向膜の表面が荒ら
され、ＴＭＡＨ水溶液との濡れ性が改善されるためと考
えられる。

【００６５】（実施例４）ＭＶＡ基板に、図８（ｃ）に
示した垂直配向成分比率、即ち、Ｒ₂ ／（Ｒ₂ ＋Ｒ₃ ）
＝ｒを変化させた各種の配向膜、即ち、ｒ＝０．０５の
垂直配向膜Ｄ（ＪＡＬＳ−２０２３：ＪＳＲ社製製品
名）、ｒ＝０．１の垂直配向膜Ｅ（ＪＡＬＳ−２００
４：ＪＳＲ社製製品名）、ｒ＝０．２５の垂直配向膜Ｆ
（ＪＡＬＳ−６８８：ＪＳＲ社製製品名）、ｒ＝０．６
５の垂直配向膜Ｇ（ＪＡＬＳ−２００９：ＪＳＲ社製製
品名）、及び、ｒ＝１．０の垂直配向膜Ｈ（ＪＡＬＳ−
２０２４：ＪＳＲ社製製品名）を形成したのち、波長
が、例えば、２５４ｎｍの紫外線を２０００ｍＪ照射す
る前処理を行った。

【００６６】次いで、紫外線照射前のＭＶＡ基板と紫外
線照射後のＭＶＡ基板の双方をＴＭＡＨ２．３８％水溶
液中に浸漬して、２分間揺動させて垂直配向膜の剥離を
試みた結果、垂直配向成分比率ｒが０．１以下で表面張
力が４０ｄｙｎ／ｃｍ以上の垂直配向膜Ｄ及び垂直配向
膜Ｅの場合には、紫外線照射前のＭＶＡ基板において
も、いずれの垂直配向膜の剥離が可能であった。

【００６７】一方、垂直配向成分ｒが０．２５，０．６
５の垂直配向膜Ｆ及び垂直配向膜Ｇの場合には、紫外線
照射後の基板においてのみ垂直配向膜の剥離が可能であ
った。

【００６８】また、垂直配向成分ｒが１．０の垂直配向
膜Ｈの場合には、紫外線照射後においても通常のＴＭＡ
Ｈ水溶液中での揺動では剥離は不可能であり、ＴＭＡＨ
に界面活性剤を加えた水溶液を用いた場合に剥離が可能
であった。

【００６９】これは、ＴＭＡＨに接触角を低下させる界
面活性剤を加えることによって、垂直配向膜との濡れ性
が改善されるためと考えられる。なお、この場合の界面
活性剤入りのＴＭＡＨ水溶液としては、ＣＳ−５０００
（ＪＳＲ社製製品名）及びＴＳ−２０１（三洋化成工業
社製製品名）を用いたが、いずれの場合も剥離が可能で
あった。

【００７０】（実施例５）この実施例５は、実際にＴＦ
Ｔを形成したＴＦＴ基板、及び、実際にカラーフィルタ
を形成したＣＦ基板を用いたものであり、ＴＦＴ基板及
びＣＦ基板の双方に、実施例１と同様に、レジストＬＣ
−２００（シプレイ社製製品名）により高さ１．３μｍ
で幅５μｍの突起を６０μｍの間隙で設けたのち、双方
に基板の表面に、垂直配向膜Ｂ（ＪＡＬＳ−６８４：Ｊ
ＳＲ社製製品名）、垂直配向膜Ｃ（ＪＡＬＳ−２００
８：ＪＳＲ社製製品名）、及び、垂直配向膜ｂ（ＲＮ−
１２７６：日産化学社製製品名）を形成したのち、波長
が、例えば、２５４ｎｍの紫外線を３０００ｍＪ照射す
る前処理を行った。

【００７１】次いで、ＴＭＡＨ２．３８％水溶液中に浸
漬して、２分間揺動させて垂直配向膜の剥離を試みた結
果、ＣＦ基板の場合には、いずれの垂直配向膜も剥離が
可能であった。しかし、表面の凹凸がより大きなＴＦＴ
基板の場合には、垂直配向膜Ｃ及び垂直配向膜ｂでは僅
かに残渣が見られた。

【００７２】そこで、ＴＦＴ基板について、界面活性剤
入りのＴＭＡＨ水溶液であるＣＳ−５０００（ＪＳＲ社
製製品名）及びＴＳ−２０１（三洋化成工業社製製品
名）中で揺動を行った結果、いずれの液においても残渣
について大きな改善効果が確認された。

【００７３】次に、ＭＶＡ基板に対して、欠陥の発生の
ない垂直配向膜を塗布するための溶媒の組成に特徴のあ
る本発明の第２の実施の形態を説明する。この第２の実
施の形態においては、突起を設けたＭＶＡ基板の表面
に、感光性ポリブタジエン（コムラテック製）からなる
メッシュサイズが３００ライン／インチの印刷版を備え
た日本写真印刷（株）製の印刷装置を用いて、０．１５
ｍｍの印刷圧によって、垂直配向膜材料を塗布する際
に、垂直配向膜材料を溶解する溶媒組成として、ＮＭＰ
（１−メチル−２−ピロリドン）、γ−ＢＬ（γ−ブチ
ルラクトン）、ＢＣ（ブチルセロソルブ）、ＤＡＡ（ジ
アセトンアルコール）、及び、ＤＧＤＥ（ジエチレング
リコールジエチルエーテル）を各種組み合わせて用いて
塗布し、その結果について、垂直配向膜の膜厚の凹凸の
大きさ、ザラツキ感、及び、溶解性、或いは、残留ＤＣ
バラツキについての測定を行う。

【００７４】図３参照 図３は、本発明の第２の実施の形態に用いる各種の溶剤
の表面張力と感光性ポリブタジエン（コムラテック製）
からなるメッシュに対する膨潤度の相関図であり、ＮＭ
Ｐとγ−ＢＬ、ＢＣとＤＡＡとは夫々ほぼ同様の相関を
示し、ＤＧＤＥは他と異なった相関を示している。

【００７５】以上を前提に、本発明の第２の実施の形態
に関する具体的実施例を説明する。 （実施例６）従来の溶媒中の表面張力を低下させるため
の溶剤としてＢＣ（表面張力≒２７ｄｙｎ／ｃｍ）を用
いているが、この場合のＢＣの比は２０重量％であるた
め、さらに表面張力を低下させるためにＢＣの比率を増
やした場合にはＢＣの極性の高さに起因してポリマーの
析出が見られ、印刷性の改善を図ることができなかっ
た。

【００７６】そこで、実施例６においては、表面張力を
低下させるための溶剤としてＢＣの替わりにＤＧＤＥ
（表面張力≒２７〜２８ｄｙｎ／ｃｍ）を用いたもので
あり、γ−ＢＬを３０重量％にした状態で、ＮＭＰとＤ
ＧＤＥの相対比率を変化させたものであり、この溶媒中
に垂直配向膜材料としてポリイミド材料である垂直配向
膜ａ（ＲＮ−１３５８：日産化学株式会社製製品名）を
溶解させて塗布したものであり、その結果を表２として
示す。

【００７７】

【表２】 表２に示すように、ＤＧＤＥの増加とともに、垂直配向
膜ａの膜厚における凹凸は漸減し、ＤＧＤＥが３０重量
％において、凹凸が１００Å程度になり、輝点は少なく
なり、また、ＤＧＤＥが４０重量％において、凹凸が１
００Å以下になり、輝点のほとんどない優れた表示特性
が得られた。したがって、ＤＧＤＥを溶剤として用いる
場合には、その比率としては、３０重量％以上にするこ
とが必要である。

【００７８】（実施例７）実施例７においては、表面張
力を低下させるための溶剤としてＢＣの替わりに用いる
ＤＧＤＥの比率を３０重量％にした状態で、ＮＭＰとγ
−ＢＬの相対比率を変化させたものであり、この溶媒中
に垂直配向膜材料としてポリイミド材料である垂直配向
膜ａ（ＲＮ−１３５８：日産化学株式会社製製品名）を
溶解させたものであり、その結果を表３として示す。

【００７９】

【表３】 表３に示すように、ポリマーを溶解させる性質の強いＮ
ＭＰの低下とともに、ポリイミド材料の可溶性が低下
し、ＮＭＰが２５重量％において、ポリマーの析出が見
られた。この様な傾向は、γ−ＢＬの比率を３０重量％
とした状態で、ＮＭＰの比率を下げ、ＤＧＤＥの比率を
高めた場合にも同様であり、したがって、ＮＭＰの比率
としては、２５重量％を越えた値とする必要がある。

【００８０】（実施例８）実施例８においては、表面張
力を低下させるための溶剤としてＢＣの替わりにＤＧＤ
Ｅを用い、γ−ＢＬの比率を４０重量％にした状態で、
ＮＭＰとＤＧＤＥの相対比率を変化させたものであり、
この第８の実施例においては、溶媒中に垂直配向膜材料
としてポリイミド骨格も持つ材料である垂直配向膜Ａ
（ＪＡＬＳ−２０４６：ＪＳＲ社製製品名）を溶解させ
て塗布したものであり、その結果を表４として示す。

【００８１】

【表４】 表４に示すように、ＤＧＤＥの増加とともに、垂直配向
膜ａの膜厚における凹凸は漸減し、ＤＧＤＥが３０重量
％において、凹凸が１００Å以下になり、輝点のない優
れた表示特性が得られた。

【００８２】但し、ＤＧＤＥの比率が４０重量％におい
て、ポリマーの析出が見られたが、これは、ＮＭＰの比
率が２０重量％であるためである。したがって、この結
果からも、ＤＧＤＥを溶剤として用いる場合には、その
比率としては、３０重量％以上にすることが必要である
ことが理解される。

【００８３】（実施例９）実施例９においては、表面張
力を低下させるための溶剤としてＢＣの替わりに用いる
ＤＧＤＥの比率を３０重量％にした状態で、ＮＭＰとγ
−ＢＬの相対比率を変化させた溶媒、及び、γ−ＢＬの
比率を４０重量％にした状態で、ＮＭＰとＤＧＤＥの相
対比率を変化させた溶媒を用い、これらの溶媒中に垂直
配向膜材料としてポリイミド骨格も持つ材料である垂直
配向膜Ａ（ＪＡＬＳ−２０４６：ＪＳＲ社製製品名）を
溶解させて塗布したものであり、その結果を表５として
示す。

【００８４】

【表５】 表５に示すように、ポリマーを溶解させる性質の強いＮ
ＭＰの低下とともに、ポリイミド材料の可溶性が低下
し、いずれの溶媒の場合にも、ＮＭＰが２５重量％にお
いて、ポリマーの析出が見られた。

【００８５】したがって、垂直配向膜材料としてポリイ
ミド骨格も持つ材料である垂直配向膜Ａ（ＪＡＬＳ−２
０４６：ＪＳＲ社製製品名）を用いた場合にも、ＮＭＰ
の比率としては、２５重量％を越えた値とする必要があ
ることが理解される。

【００８６】（実施例１０）実施例１０においては、表
面張力を低下させるための溶剤としてＢＣの替わりにＤ
ＡＡ（表面張力≒３０ｄｙｎ／ｃｍ）を用いたものであ
り、ＮＭＰ、γ−ＢＬ、及び、ＤＡＡの相対比率を変化
させた溶媒中に垂直配向膜材料としてポリイミド骨格も
持つ材料である垂直配向膜Ａ（ＪＡＬＳ−２０４６：Ｊ
ＳＲ社製製品名）を溶解させて塗布したものであり、そ
の結果を表６として示す。

【００８７】

【表６】 表６に示すように、表面張力の大きなγ−ＢＬ（表面張
力≒４３ｄｙｎ／ｃｍ）の低下とともに濡れ性が改善さ
れ、γ−ＢＬを０％とした場合には、ＮＭＰを５０重量
％以上とした場合に、垂直配向膜の膜厚の凹凸は１５０
Å以下になり、ＮＭＰ：γ−ＢＬ：ＤＡＡ＝６０：０：
４０の場合にザラツキ感の極めて軽微な優れた表示特性
が得られた。なお、ＤＡＡを用いた場合には、γ−ＢＬ
を０％にしても吸湿性に問題は発生しなかった。

【００８８】また、上記の図３から明らかなように、γ
−ＢＬ（膨潤度≒０．５％）の印刷版に対する膨潤性が
極めて低く、印刷版のメッシュに起因する凹凸がザラツ
キ感に影響を与えるので、表面張力を低下させる溶剤と
して膨潤性の低いＤＡＡ（膨潤度≒２％）を用いた場合
には、γ−ＢＬの比率はできるだけ０に近づけることが
好適である。

【００８９】なお、実施例６〜９のように、表面張力を
低下させる溶剤として膨潤性の高いＤＧＤＥ（膨潤度≒
５９％）を用いた場合には、γ−ＢＬの低膨潤性は問題
にならないものの、高表面張力性の観点からγ−ＢＬの
比率は４０重量％以下にすることが好適である。

【００９０】（実施例１１）実施例１１は、ＭＶＡ基板
に設ける突起を構成するレジストに対する溶媒の膨潤性
を考慮した場合であり、レジストＬＣ−２００（シプレ
イ社製製品名）により高さ１．５μｍで幅１０μｍの突
起を設けたＭＶＡ基板を用意し、ＮＭＰとＢＣの相対比
率を変化させた各種溶媒中に垂直配向膜材料としてポリ
イミド骨格も持つ材料である垂直配向膜Ｂ（ＪＡＬＳ−
６８４：ＪＳＲ社製製品名）を溶解させて塗布し、セル
厚を３．５μｍの実際に表示セルを１条件について６枚
作製し、残留ＤＣバラツキ、即ち、液晶セルにおける残
留電荷に起因する液晶分子の配向のバラツキを測定した
ものであり、結果を表７に示す。

【００９１】

【表７】 表７に示すように、ＮＭＰの比率を６０重量％以下にす
ることによって残留ＤＣバラツキを小さくすることがで
きるので、ＮＭＰの比率としては６０重量％以下が好適
であることが理解される。これは、溶媒の突起を構成す
るレジストに対する膨潤度が影響していると考えられる
ので、この事情を図４及び図５を参照して説明する。

【００９２】図４参照 図４は、各溶剤の突起を構成するレジストに対する膨潤
度を示す図であり、通常の溶剤を構成するＮＭＰの膨潤
度は約３０％であり、γ−ＢＬの膨潤度は約１５°であ
り、ＢＣの膨潤度は約２％である。一方、本発明の実施
の形態に用いいるＤＡＡの膨潤度は約２％であり、ＤＧ
ＤＥの膨潤度は約１％である。

【００９３】図５参照 図５は、膨潤度が約３０％のＮＭＰと膨潤度が約２％の
ＢＣとからなる溶媒のレジストに対する膨潤度を示した
図であり、ＮＭＰ比率の減少とともに膨潤度の低下し、
表７において、優れた残留ＤＣバラツキが得られるＮＭ
Ｐ比率が６０重量％以下において、膨潤度は約１１．５
％以下になっている。

【００９４】これは、膨潤度が高いと、配向膜材料を塗
布する際に溶媒が突起を構成するレジスト中に含浸して
膨潤し、突起の形状が変形し、焼成工程において溶媒が
蒸発した後にも、膨潤に伴う突起の形状変形の影響が残
るため、残留ＤＣバラツキが発生するものと考えられ
る。

【００９５】したがって、残留ＤＣバラツキを許容範囲
に低減するためには、溶媒全体としてのレジストに対す
る膨潤度は約１１．５％以下になるようにする必要があ
り、そのためには、溶媒中におけるＮＭＰの比率は６０
重量％以下にする必要がある。なお、この実施例１１に
おいては、低表面張力の溶剤としてＢＣを用いている
が、印刷性を高めるために比率を増加させた場合、極性
が高いためにポリマーが析出するという上述の理由によ
って、ＢＣの替わりに、ＤＧＤＥ或いはＤＡＡを用いる
ことが望ましい。

【００９６】以上の第２の実施の形態に関する実施例６
乃至実施例１１を総合的に判断すると、ＭＶＡ基板等の
基板との濡れ性を改善するための低表面張力の溶剤の溶
媒中に占める比率としては、表面張力が３１ｄｙｎ／ｃ
ｍ以下の溶剤を３０重量％以上含むようにすれば良い。

【００９７】また、ポリイミド等の垂直配向膜を構成す
る高分子を溶解させるためのＮＭＰの比率は、ポリマー
の析出及び残留ＤＣバラツキの観点から２５重量％＜Ｎ
ＭＰの比率≦６０重量％にすることが望ましい。

【００９８】また、吸湿性を抑えるためのγ−ＢＬの比
率は、印刷版に対する膨潤性の観点から、４０重量％以
下であることが望ましく、特に、低表面張力溶剤として
膨潤度の低いＤＡＡを用いた場合には、γ−ＢＬはでき
る限り０に近いほど望ましい。

【００９９】また、溶媒としてＢＣを用いない場合に
は、低表面張力の溶剤として、印刷版に対する膨潤度も
考慮して、ＢＣ（表面張力≒２７ｄｙｎ／ｃｍ，膨潤度
≒１３％）より膨潤度の大きな溶剤を用い、その比率を
３０重量％以上にすることが望ましい。例えば、この様
な膨潤度の大きな低表面張力の溶剤としてはＤＧＤＥ
（表面張力≒２７〜２８ｄｙｎ／ｃｍ，膨潤度≒５９
％）が好適であり、上記の実施例６から明らかなように
ＤＧＤＥの比率は３０重量％以上にすることが望まし
い。

【０１００】また、ＢＣは低表面張力であるものの、極
性が大きいので、低表面張力の溶剤としては、ＢＣの替
わりに極性の小さなＤＡＡ或いはＤＧＤＥを用いること
が望ましく、それによって、ポリマーの析出を抑制する
とともに、環境に対する影響を小さくすることが可能に
なる。

【０１０１】以上、本発明の各実施の形態及各実施例を
説明してきたが、本発明は各実施の形態及び各実施例に
記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の
変更が可能である。例えば、上記の各実施の形態におい
ては、本発明の効果が表れやすい表面に突起或いはスリ
ットを有するＭＶＡ基板を用いて説明しているが、本発
明はＭＶＡ方式の液晶表示装置に限られるものではな
く、通常のＴＮ方式の液晶表示装置も対象とするもので
ある。

【０１０２】また、上記の実施の形態或いは各実施例に
おいては、垂直配向膜として、ポリイミド骨格を有する
垂直配向膜Ａ〜Ｈ及びポリイミド材料からなる垂直配向
膜ａ，ｂを用いているがこれらの垂直配向膜に限られる
ものでなく、液晶分子の垂直配向規制力を有する配向膜
であれば適用されるものである。

【０１０３】また、上記の第２の実施の形態において
は、低表面張力の溶剤として、ＤＡＡ及びＤＧＤＥを用
いているが、表面張力が約２９ｄｙｎ／ｃｍのＤＰＭ
（ジプロピレングリコールメチルエーテル）を用いても
良いものである。

【０１０４】

【発明の効果】本発明によれば、紫外線照射処理等の前
処理によって垂直配向膜の表面張力を４０ｄｙｎ／ｃｍ
以上に増大させているので、入手が容易で安価な剥離液
によって垂直配向膜の剥離が可能になり、それによっ
て、塗布段階で垂直配向膜に欠陥が生じた場合にもＭＶ
Ａ基板を廃棄することなく再利用が可能になるので、低
コスト化が可能になり、且つ、対環境への影響も配慮し
た構成とすることができる。

【０１０５】また、本発明によれば、垂直配向膜の塗布
時に用いる溶媒中における表面張力が３１ｄｙｎ／ｃｍ
以下の溶剤の比率を３０重量％以上としているので、基
板に対するハジキが少なくなり、再現性良く欠陥のない
垂直配向膜の形成が可能になり、特に表面に突起等の凹
凸を設けたＭＶＡ基板に対して好適であり、それによっ
て、光漏れやザラツキ感或いは表示ムラのない良好な表
示特性を得ることができ、高品位で広視野角の液晶表示
装置の低コスト化、高製造歩留り化に寄与するところが
大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の垂直配向膜の表面
エネルギーの垂直配向成分比率依存性の説明図である。

【図３】溶剤の表面張力の膨潤度の相関図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態における溶剤のレジ
ストに対する膨潤度の説明図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態におけるレジストに
対する膨潤度のＮＭＰ比率依存性の説明図である。

【図６】ＭＶＡ方式液晶表示装置の概念的構成図であ
る。

【図７】ＭＶＡ方式液晶表示装置における液晶分子の傾
斜方向の説明図である。

【図８】垂直配向膜の基本骨格を構成する有機化合物の
構造式である。

【図９】有機化合物を構成するＲ₁ 〜Ｒ₃ の説明図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 電極 ３ 突起 ４ 垂直配向膜 ５ 紫外線 ６ 剥離液 ２１ ＴＦＴ基板 ２２ ＣＦ基板 ２３ 突起 ２４ 突起 ２５ 液晶分子 ２６ 画素 ２７ ゲート電極 ２８ ゲートバスライン ２９ データバスライン ３０ 補助容量バスライン

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA14 HA03 MA18 2H090 HB08Y HC14 HC19 MA01 4F073 AA01 BA31 BB02 BB05 CA45 CA62

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に設けた垂直配向膜を剥離する際の
   前工程として、前記垂直配向膜成分中のジアミン基に作
   用し、垂直配向規制力を低下させる処理を行うことを特
   徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. 【請求項２】 上記垂直配向規制力を低下させる処理と
   して、酸素雰囲気中での紫外線照射処理を行うことを特
   徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 互いに対向させるとともに、少なくとも
   一方の表面に突起或いは電極の抜き部を設けた基板の表
   面に垂直配向膜を形成する工程において、表面張力が３
   １ｄｙｎ／ｃｍ以下の溶剤の比率が３０重量％以上であ
   る溶媒に溶解されているポリイミド或いは部分的にポリ
   イミド骨格を有する高分子を用いることを特徴とする液
   晶表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 上記ポリイミド或いは部分的にポリイミ
   ド骨格を有する高分子を溶解させる溶媒中の１−メチル
   −２−ピロリドンの重量比が、２５％＜１−メチル−２
   −ピロリドンの重量比≦６０％であることを特徴とする
   請求項３記載の液晶表示装置の製造方法。
5. 【請求項５】 上記ポリイミド或いは部分的にポリイミ
   ド骨格を有する高分子を溶解させる溶媒が、ブチルセロ
   ソルブを含まず、１−メチル−２−ピロリドン及びγ−
   ブチルラクトンを除いて、ブチルセロソルブより極性の
   低い溶剤のみからなることを特徴とする請求項３または
   ４に記載の液晶表示装置の製造方法。