JP2001278823A - トランス−デカヒドロナフタレン化合物の製造方法および当該製造方法に用いられる水素化還元触媒 - Google Patents
トランス−デカヒドロナフタレン化合物の製造方法および当該製造方法に用いられる水素化還元触媒Info
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一般式（３）のトランス−デカヒドロナフタ
レン化合物を高収率で得る。 【解決手段】 一般式（１）のナフタレン化合物を
（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、またはそ
れらの化合物と（ii）アルカリ金属、アルカリ土類金
属、またはそれらの化合物の存在下に水素化還元する。
Ｒ1′およびＲ2′は水素原子、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基または−ＯＲ、Ｒはアシル基、アルキ
ル基、水素原子またはヒドロキシル基の保護に用いられ
る基、Ｒ1およびＲ2はＲ1′およびＲ2′に対応し、
Ｒ1′およびＲ2′が不飽和結合を有する場合にはアルキ
ル基である。 【化１】 【化２】
レン化合物を高収率で得る。 【解決手段】 一般式（１）のナフタレン化合物を
（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ、またはそ
れらの化合物と（ii）アルカリ金属、アルカリ土類金
属、またはそれらの化合物の存在下に水素化還元する。
Ｒ1′およびＲ2′は水素原子、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基または−ＯＲ、Ｒはアシル基、アルキ
ル基、水素原子またはヒドロキシル基の保護に用いられ
る基、Ｒ1およびＲ2はＲ1′およびＲ2′に対応し、
Ｒ1′およびＲ2′が不飽和結合を有する場合にはアルキ
ル基である。 【化１】 【化２】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランス−デカヒ
ドロナフタレン化合物の製造方法および当該製造方法に
用いられる水素化還元触媒に関する。本発明の製造方法
によって得られるトランス−デカヒドロナフタレン化合
物は、医薬、農薬、電子材料、化学薬品などまたはその
原料などの各種用途に用いられ、とくに、液晶の原料と
して非常に重要である。
ドロナフタレン化合物の製造方法および当該製造方法に
用いられる水素化還元触媒に関する。本発明の製造方法
によって得られるトランス−デカヒドロナフタレン化合
物は、医薬、農薬、電子材料、化学薬品などまたはその
原料などの各種用途に用いられ、とくに、液晶の原料と
して非常に重要である。
【０００２】
【従来の技術】デカヒドロナフタレン化合物を製造する
方法としては、シクロヘキサノン化合物をエナミンと
し、これをメチルビニルケトンと反応させて得られるオ
クタヒドロナフタレン化合物を、液体アンモニアなどの
アミン中でリチウム、ナトリウムなどの金属を用いて還
元する方法が知られている。しかし、この方法では生成
物の純度が低く、また低温反応などの特殊な反応設備を
必要とするため実用的とは言いがたい。また、ニッケ
ル、パラジウム、ロジウム、白金、パラジウムなどの各
種水素化還元触媒の存在下で、ナフタレン化合物の芳香
環を脂環構造に水素化還元する方法が知られているが、
このような通常の水素化では、立体選択的にデカヒドロ
ナフタレン化合物を得ることはできない。
方法としては、シクロヘキサノン化合物をエナミンと
し、これをメチルビニルケトンと反応させて得られるオ
クタヒドロナフタレン化合物を、液体アンモニアなどの
アミン中でリチウム、ナトリウムなどの金属を用いて還
元する方法が知られている。しかし、この方法では生成
物の純度が低く、また低温反応などの特殊な反応設備を
必要とするため実用的とは言いがたい。また、ニッケ
ル、パラジウム、ロジウム、白金、パラジウムなどの各
種水素化還元触媒の存在下で、ナフタレン化合物の芳香
環を脂環構造に水素化還元する方法が知られているが、
このような通常の水素化では、立体選択的にデカヒドロ
ナフタレン化合物を得ることはできない。
【０００３】ナフタレン化合物の水素化還元により立体
選択的な脂環構造のデカヒドロナフタレン化合物を製造
する方法としては、ナフタレンを酸化白金触媒の存在下
で水素化するとシス−デカヒドロナフタレンが７７％の
収率で得られること、また１，２，３，４−テトラヒド
ロナフタレン（テトラリン）を水素化還元すると９１％
の収率でシス−デカヒドロナフタレンが得られることが
報告されている（ロバート エッチ．ベーカー（Robert
H. Baker）ら，ジャーナル オブ アメリカン ケミ
カル ソサエティー（J. Am. Chem. Soc.）, 69, 1250
(1947).）。
選択的な脂環構造のデカヒドロナフタレン化合物を製造
する方法としては、ナフタレンを酸化白金触媒の存在下
で水素化するとシス−デカヒドロナフタレンが７７％の
収率で得られること、また１，２，３，４−テトラヒド
ロナフタレン（テトラリン）を水素化還元すると９１％
の収率でシス−デカヒドロナフタレンが得られることが
報告されている（ロバート エッチ．ベーカー（Robert
H. Baker）ら，ジャーナル オブ アメリカン ケミ
カル ソサエティー（J. Am. Chem. Soc.）, 69, 1250
(1947).）。
【０００４】また、各種白金族の触媒を用いたβ−ナフ
トールの水素化還元について、生成したデカヒドロナフ
タレン体の環の立体選択性は圧倒的にシス体が優先する
こと、すなわち、Ｒｕで９６％、Ｒｈで９２％、Ｐｄで
６６％、Ｏｓで６４％、Ｉｒで６６％、Ｐｔで５９％の
収率でシス−デカヒドロナフタレン−２−オールが生成
することが報告されている（西村ら、ブレタン オブ
ザ ケミカル ソサエティー オブ ジャパン（Bull.
Chem. Soc. Jpn.）, 57, 2557 (1984).）。
トールの水素化還元について、生成したデカヒドロナフ
タレン体の環の立体選択性は圧倒的にシス体が優先する
こと、すなわち、Ｒｕで９６％、Ｒｈで９２％、Ｐｄで
６６％、Ｏｓで６４％、Ｉｒで６６％、Ｐｔで５９％の
収率でシス−デカヒドロナフタレン−２−オールが生成
することが報告されている（西村ら、ブレタン オブ
ザ ケミカル ソサエティー オブ ジャパン（Bull.
Chem. Soc. Jpn.）, 57, 2557 (1984).）。
【０００５】このように、従来知られているナフタレン
化合物の立体選択的な水素化還元により得られるデカヒ
ドロナフタレン化合物は、いずれもシス体であり、ナフ
タレン化合物を水素化還元することによりトランス体の
デカヒドロナフタレン化合物を選択的に得ることは報告
されていない。
化合物の立体選択的な水素化還元により得られるデカヒ
ドロナフタレン化合物は、いずれもシス体であり、ナフ
タレン化合物を水素化還元することによりトランス体の
デカヒドロナフタレン化合物を選択的に得ることは報告
されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ナフタレン
化合物を立体選択的に水素化還元してトランス−デカヒ
ドロナフタレン化合物を製造する方法、および当該製造
方法に用いられる水素化還元触媒を提供することを目的
とする。
化合物を立体選択的に水素化還元してトランス−デカヒ
ドロナフタレン化合物を製造する方法、および当該製造
方法に用いられる水素化還元触媒を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記従来
技術の課題を解決すべく、ナフタレン化合物のナフタレ
ン環をトランス−デカヒドロナフタレン骨格へ選択的に
水素化還元し得る方法について鋭意研究を重ねた。
技術の課題を解決すべく、ナフタレン化合物のナフタレ
ン環をトランス−デカヒドロナフタレン骨格へ選択的に
水素化還元し得る方法について鋭意研究を重ねた。
【０００８】その結果、水素化還元触媒として、（ｉ）
Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＯｓからなる群か
ら選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とからなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の水素化還元触媒を用い、し
かも（ii）アルカリ金属およびアルカリ土類金属からな
る群から選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とからな
る群から選ばれた少なくとも１種の存在下にナフタレン
化合物を水素化還元することによって、前記課題を解決
できることを見出し、本発明を完成するに到った。
Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＯｓからなる群か
ら選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とからなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の水素化還元触媒を用い、し
かも（ii）アルカリ金属およびアルカリ土類金属からな
る群から選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とからな
る群から選ばれた少なくとも１種の存在下にナフタレン
化合物を水素化還元することによって、前記課題を解決
できることを見出し、本発明を完成するに到った。
【０００９】すなわち本発明は、一般式（１）：
【００１０】
【化３】
【００１１】（式中、Ｒ1′およびＲ2′は水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、アルキニル基または一般式
（２）：−ＯＲで表わされる官能基を表わし、Ｒはアシ
ル基、アルキル基、水素原子またはヒドロキシル基の保
護に用いられる基を表わし、Ｒ1′とＲ2′は同一でも異
なっていてもよい。）で表わされるナフタレン化合物を
原料化合物とし、（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ
およびＯｓからなる群から選ばれる金属と選ばれる金属
の化合物とからなる群から選ばれた少なくとも１種の水
素化還元触媒と、（ii）アルカリ金属およびアルカリ土
類金属からなる群から選ばれる金属と選ばれる金属の化
合物とからなる群から選ばれた少なくとも１種の存在下
に、水素化還元することを特徴とする一般式（３）：
ルキル基、アルケニル基、アルキニル基または一般式
（２）：−ＯＲで表わされる官能基を表わし、Ｒはアシ
ル基、アルキル基、水素原子またはヒドロキシル基の保
護に用いられる基を表わし、Ｒ1′とＲ2′は同一でも異
なっていてもよい。）で表わされるナフタレン化合物を
原料化合物とし、（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ
およびＯｓからなる群から選ばれる金属と選ばれる金属
の化合物とからなる群から選ばれた少なくとも１種の水
素化還元触媒と、（ii）アルカリ金属およびアルカリ土
類金属からなる群から選ばれる金属と選ばれる金属の化
合物とからなる群から選ばれた少なくとも１種の存在下
に、水素化還元することを特徴とする一般式（３）：
【００１２】
【化４】
【００１３】（式中、Ｒ1およびＲ2は原料化合物を表わ
す一般式（１）におけるＲ1′およびＲ2′に対応する官
能基を表わし、Ｒ1′およびＲ2′が不飽和結合を有する
場合には不飽和結合部に水素が付加することによって得
られるアルキル基を表わす。）で表わされるトランス−
デカヒドロナフタレン化合物の製造方法、ならびに前記
トランス−デカヒドロナフタレン化合物の製造方法にお
いて用いられる触媒であって、（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＯｓからなる群から選ばれる金属
と選ばれる金属の化合物とからなる群から選ばれた少な
くとも１種の水素化還元触媒と、（ii）アルカリ金属お
よびアルカリ土類金属からなる群から選ばれる金属と選
ばれる金属の化合物とからなる群から選ばれた少なくと
も１種が、担体に担持されている水素化還元用触媒に関
する。
す一般式（１）におけるＲ1′およびＲ2′に対応する官
能基を表わし、Ｒ1′およびＲ2′が不飽和結合を有する
場合には不飽和結合部に水素が付加することによって得
られるアルキル基を表わす。）で表わされるトランス−
デカヒドロナフタレン化合物の製造方法、ならびに前記
トランス−デカヒドロナフタレン化合物の製造方法にお
いて用いられる触媒であって、（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＯｓからなる群から選ばれる金属
と選ばれる金属の化合物とからなる群から選ばれた少な
くとも１種の水素化還元触媒と、（ii）アルカリ金属お
よびアルカリ土類金属からなる群から選ばれる金属と選
ばれる金属の化合物とからなる群から選ばれた少なくと
も１種が、担体に担持されている水素化還元用触媒に関
する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明では、一般式（３）で表わ
されるトランス−デカヒドロナフタレン化合物の原料と
して、一般式（１）で表わされるナフタレン化合物を用
いる。一般式（１）で表わされるナフタレン化合物は、
ナフタレン環の２，６−位に水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基または一般式（２）：−ＯＲ
で表わされる官能基を有する。一般式（２）中、Ｒはア
シル基、アルキル基、水素原子、またはヒドロキシル基
の保護に用いられる基を表わす。
されるトランス−デカヒドロナフタレン化合物の原料と
して、一般式（１）で表わされるナフタレン化合物を用
いる。一般式（１）で表わされるナフタレン化合物は、
ナフタレン環の２，６−位に水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基または一般式（２）：−ＯＲ
で表わされる官能基を有する。一般式（２）中、Ｒはア
シル基、アルキル基、水素原子、またはヒドロキシル基
の保護に用いられる基を表わす。
【００１５】アルキル基、アルケニル基およびアルキニ
ル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、ま
たこれらが組み合わされたものでもよい。
ル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、ま
たこれらが組み合わされたものでもよい。
【００１６】アルキル基としては、たとえば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル基、４−ｎ−ブチルシクロヘキシル
基、４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル基などをあげるこ
とができる。
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル基、４−ｎ−ブチルシクロヘキシル
基、４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル基などをあげるこ
とができる。
【００１７】アルケニル基としてはとくに制限されず、
前記アルキル基の一部に少なくとも１つ以上の二重結合
を有するものをあげることができる。アルケニル基とし
ては、たとえば、エテニル基、２−ブテニル基、１−ペ
ンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２
−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、１−デセニル基、
アリル基などをあげることができる。
前記アルキル基の一部に少なくとも１つ以上の二重結合
を有するものをあげることができる。アルケニル基とし
ては、たとえば、エテニル基、２−ブテニル基、１−ペ
ンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２
−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、１−デセニル基、
アリル基などをあげることができる。
【００１８】アルキニル基としてはとくに制限されず、
前記アルキル基の一部に少なくとも１つ以上の三重結合
を有するものをあげることができる。アルキニル基とし
ては、たとえば、エチニル基、１−プロピニル基、２−
プロピニル基などをあげることができる。
前記アルキル基の一部に少なくとも１つ以上の三重結合
を有するものをあげることができる。アルキニル基とし
ては、たとえば、エチニル基、１−プロピニル基、２−
プロピニル基などをあげることができる。
【００１９】一般式（２）：−ＯＲで表わされる官能基
におけるＲで表わされるアシル基としては、たとえば、
アセチル基、ベンゾイル基、ピバロイル基などを、アル
キル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基などをあげることができる。なお、Ｒが水素原子
の場合は−ＯＲはヒドロキシル基である。
におけるＲで表わされるアシル基としては、たとえば、
アセチル基、ベンゾイル基、ピバロイル基などを、アル
キル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基などをあげることができる。なお、Ｒが水素原子
の場合は−ＯＲはヒドロキシル基である。
【００２０】Ｒで表わされるヒドロキシル基の保護に用
いられる基としては、たとえば、トリメチルシリル基、
ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチルシリル基、パラトルエンス
ルホニル基、テトラヒドロピラニル基、メタンスルホニ
ル基、ベンゼンスルホニル基などをあげることができ
る。
いられる基としては、たとえば、トリメチルシリル基、
ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチルシリル基、パラトルエンス
ルホニル基、テトラヒドロピラニル基、メタンスルホニ
ル基、ベンゼンスルホニル基などをあげることができ
る。
【００２１】本発明では、ナフタレン化合物を水素化還
元することによって、トランス−デカヒドロナフタレン
化合物を得る。
元することによって、トランス−デカヒドロナフタレン
化合物を得る。
【００２２】本発明では、ナフタレン化合物の水素化還
元触媒として、（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒお
よびＯｓからなる群から選ばれる金属と選ばれる金属の
化合物とからなる群から選ばれた少なくとも１種を用い
る。すなわち、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＯ
ｓの０価の金属そのもの；これらの金属の硝酸塩、硫酸
塩、酢酸塩、塩化物、臭化物、酸化物、水酸化物などの
各種無機化合物；アセチルアセトナト化合物などの各種
有機化合物；アンミン錯体、ホスフィン錯体、カルボニ
ル化合物などの各種錯体化合物などを水素化還元触媒と
して用いることができる。
元触媒として、（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒお
よびＯｓからなる群から選ばれる金属と選ばれる金属の
化合物とからなる群から選ばれた少なくとも１種を用い
る。すなわち、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＯ
ｓの０価の金属そのもの；これらの金属の硝酸塩、硫酸
塩、酢酸塩、塩化物、臭化物、酸化物、水酸化物などの
各種無機化合物；アセチルアセトナト化合物などの各種
有機化合物；アンミン錯体、ホスフィン錯体、カルボニ
ル化合物などの各種錯体化合物などを水素化還元触媒と
して用いることができる。
【００２３】これら水素化還元触媒のなかでも、得られ
るトランス−デカヒドロナフタレン化合物の選択性が高
いことから、Ｐｄおよび／またはＰｄの化合物（以下パ
ラジウム成分という）を用いることが好ましい。
るトランス−デカヒドロナフタレン化合物の選択性が高
いことから、Ｐｄおよび／またはＰｄの化合物（以下パ
ラジウム成分という）を用いることが好ましい。
【００２４】パラジウム成分としては、たとえば、パラ
ジウムブラック、パラジウムパウダー、酸化パラジウ
ム、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウ
ム、テトラアンミンパラジウム塩化物、テトラアンミン
パラジウム硝酸塩、テトラアンミンパラジウム酢酸塩、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビ
ス（アセチルアセトナト）パラジウム、ビス（シクロペ
ンタジエニル）パラジウムなどをあげることができる。
これらは１種を単独でまたは２種以上を併用して用いる
ことができる。なお、Ｐｄ以外の、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、
ＩｒおよびＯｓの金属および／またはその金属化合物の
具体例は、パラジウム成分と同様のものを例示すること
ができる。また、これら金属の価数はとくに制限されな
い。
ジウムブラック、パラジウムパウダー、酸化パラジウ
ム、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウ
ム、テトラアンミンパラジウム塩化物、テトラアンミン
パラジウム硝酸塩、テトラアンミンパラジウム酢酸塩、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビ
ス（アセチルアセトナト）パラジウム、ビス（シクロペ
ンタジエニル）パラジウムなどをあげることができる。
これらは１種を単独でまたは２種以上を併用して用いる
ことができる。なお、Ｐｄ以外の、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、
ＩｒおよびＯｓの金属および／またはその金属化合物の
具体例は、パラジウム成分と同様のものを例示すること
ができる。また、これら金属の価数はとくに制限されな
い。
【００２５】水素化還元触媒は、そのまま反応系に存在
させること、担体に担持して使用することができる。本
発明では水素化還元触媒を担体に担持して使用すること
が好ましい。水素化還元触媒を担体に担持して使用する
場合、使用される担体は多孔性の物質であればとくに制
限されない。担体としては、たとえば、アルミナ、シリ
カ、シリカアルミナ、ゼオライト、珪藻土、チタニア、
ジルコニアなどの結晶性もしくは非結晶性の金属酸化物
または複合酸化物、テニオライト、ヘクトライトなどの
層状粘土化合物、活性炭などをあげることができる。こ
れらのなかでもアルミナ、シリカ、活性炭が好ましく、
さらに好ましくは活性炭である。また、担体担持触媒の
形状もとくに制限はなく、粉末のまま、または成形して
用いることができる。
させること、担体に担持して使用することができる。本
発明では水素化還元触媒を担体に担持して使用すること
が好ましい。水素化還元触媒を担体に担持して使用する
場合、使用される担体は多孔性の物質であればとくに制
限されない。担体としては、たとえば、アルミナ、シリ
カ、シリカアルミナ、ゼオライト、珪藻土、チタニア、
ジルコニアなどの結晶性もしくは非結晶性の金属酸化物
または複合酸化物、テニオライト、ヘクトライトなどの
層状粘土化合物、活性炭などをあげることができる。こ
れらのなかでもアルミナ、シリカ、活性炭が好ましく、
さらに好ましくは活性炭である。また、担体担持触媒の
形状もとくに制限はなく、粉末のまま、または成形して
用いることができる。
【００２６】担体担持触媒の調製はとくに制限されず、
たとえば、含浸法、イオン交換法、物理混合法などの各
種方法を採用することができる。なお、前記担体担持触
媒の活性化方法としては、とくに限定されるものではな
いが、通常は還元により活性化することができる。たと
えば、水素化還元触媒を担体に担持したのち、これを直
接還元すること、これを焼成したのちに還元することに
よって活性化することができる。また、反応系中で還元
することによっても活性化することができる。還元方法
はとくに制限されず、気相または液相で還元することが
できる。還元操作後の金属の価数はとくに制限なく、０
価の金属であっても、酸化された状態であってもよい。
たとえば、含浸法、イオン交換法、物理混合法などの各
種方法を採用することができる。なお、前記担体担持触
媒の活性化方法としては、とくに限定されるものではな
いが、通常は還元により活性化することができる。たと
えば、水素化還元触媒を担体に担持したのち、これを直
接還元すること、これを焼成したのちに還元することに
よって活性化することができる。また、反応系中で還元
することによっても活性化することができる。還元方法
はとくに制限されず、気相または液相で還元することが
できる。還元操作後の金属の価数はとくに制限なく、０
価の金属であっても、酸化された状態であってもよい。
【００２７】担体担持触媒における（ｉ）水素化還元触
媒の金属担持率はとくに制限はないが、反応速度や経済
的効果を勘案すると０．０１〜２５質量％程度が好まし
い。金属担持率は、少なくなると反応速度が低下して反
応時間が長くなる傾向があることから０．１質量％以上
とすることが好ましく、経済性を考慮すると１０質量％
以下とすることが好ましい。
媒の金属担持率はとくに制限はないが、反応速度や経済
的効果を勘案すると０．０１〜２５質量％程度が好まし
い。金属担持率は、少なくなると反応速度が低下して反
応時間が長くなる傾向があることから０．１質量％以上
とすることが好ましく、経済性を考慮すると１０質量％
以下とすることが好ましい。
【００２８】本発明における（ｉ）水素化還元触媒の使
用量は（ｉ）水素化還元触媒の金属分を基準とし、原料
であるナフタレン化合物に対する当該金属分の使用量が
下限が通常は金属として０．００５モル％以上、好まし
くは０．０１モル％以上、とくに好ましくは２モル％以
上であり、上限が通常は金属として１００モル％以下、
好ましくは２５モル％以下、さらに好ましくは１０モル
％以下である。
用量は（ｉ）水素化還元触媒の金属分を基準とし、原料
であるナフタレン化合物に対する当該金属分の使用量が
下限が通常は金属として０．００５モル％以上、好まし
くは０．０１モル％以上、とくに好ましくは２モル％以
上であり、上限が通常は金属として１００モル％以下、
好ましくは２５モル％以下、さらに好ましくは１０モル
％以下である。
【００２９】０．００５モル％より少ない場合には反応
が充分に進行しなかったり、トランス−デカヒドロナフ
タレン化合物の収率が低くなるおそれがある。なお、本
発明においては、反応速度を高めるために相対的に多量
の触媒を用いることによって、主反応であるトランス−
デカヒドロナフタレン化合物の生成速度を選択的に顕著
に促進することができる。
が充分に進行しなかったり、トランス−デカヒドロナフ
タレン化合物の収率が低くなるおそれがある。なお、本
発明においては、反応速度を高めるために相対的に多量
の触媒を用いることによって、主反応であるトランス−
デカヒドロナフタレン化合物の生成速度を選択的に顕著
に促進することができる。
【００３０】本発明のトランス−デカヒドロナフタレン
化合物の製造方法における反応系には、原料となるナフ
タレン化合物および（ｉ）水素化還元触媒に加えて、
（ii）アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群
から選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とからなる群
から選ばれた少なくとも１種（以下、アルカリ（土類）
金属成分という）を存在させる。
化合物の製造方法における反応系には、原料となるナフ
タレン化合物および（ｉ）水素化還元触媒に加えて、
（ii）アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群
から選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とからなる群
から選ばれた少なくとも１種（以下、アルカリ（土類）
金属成分という）を存在させる。
【００３１】アルカリ金属としては、たとえば、リチウ
ム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムなど
の０価の金属そのものをあげることができる。アルカリ
土類金属としては、たとえば、マグネシウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、バリウムなどの０価の金属そのも
のをあげることができる。
ム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムなど
の０価の金属そのものをあげることができる。アルカリ
土類金属としては、たとえば、マグネシウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、バリウムなどの０価の金属そのも
のをあげることができる。
【００３２】アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金
属化合物としては各種の化合物を使用することができる
が、なかでもアルカリ金属塩およびアルカリ土類金属塩
が好ましく、たとえば、硝酸塩、炭酸塩、塩化物などの
各種無機塩；各種錯塩；酢酸塩などのカルボン酸金属塩
などの有機酸塩などをあげることができる。とくにアル
カリ（土類）金属成分のアルカリ金属種としてはナトリ
ウムおよびカリウムが、アルカリ土類金属種としてはマ
グネシウムおよびカルシウムが好ましい。
属化合物としては各種の化合物を使用することができる
が、なかでもアルカリ金属塩およびアルカリ土類金属塩
が好ましく、たとえば、硝酸塩、炭酸塩、塩化物などの
各種無機塩；各種錯塩；酢酸塩などのカルボン酸金属塩
などの有機酸塩などをあげることができる。とくにアル
カリ（土類）金属成分のアルカリ金属種としてはナトリ
ウムおよびカリウムが、アルカリ土類金属種としてはマ
グネシウムおよびカルシウムが好ましい。
【００３３】アルカリ（土類）金属成分としては、たと
えば、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硝酸カルシウ
ム、硝酸マグネシウム、炭酸ナトリウム、塩化ナトリウ
ム、酢酸ナトリウム、ジカルボン酸化合物（具体例とし
てはマロン酸、シュウ酸などをあげることができる。）
のナトリウム塩などをあげることができる。これらは１
種を単独で、または２種以上を併用して用いることがで
きる。
えば、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硝酸カルシウ
ム、硝酸マグネシウム、炭酸ナトリウム、塩化ナトリウ
ム、酢酸ナトリウム、ジカルボン酸化合物（具体例とし
てはマロン酸、シュウ酸などをあげることができる。）
のナトリウム塩などをあげることができる。これらは１
種を単独で、または２種以上を併用して用いることがで
きる。
【００３４】アルカリ（土類）金属成分をナフタレン化
合物および水素化還元触媒とともに反応系内に存在させ
る方法としては、たとえば、単にアルカリ（土類）金属
成分を反応系内に加えて共存させる方法がある。なお、
アルカリ（土類）金属成分は反応系の形態に応じて、均
一または不均一に混合することができる。
合物および水素化還元触媒とともに反応系内に存在させ
る方法としては、たとえば、単にアルカリ（土類）金属
成分を反応系内に加えて共存させる方法がある。なお、
アルカリ（土類）金属成分は反応系の形態に応じて、均
一または不均一に混合することができる。
【００３５】アルカリ（土類）金属成分は、水素化還元
触媒成分を担持した担体に、担持させて使用することに
よっても、反応系内に存在させることができる。担体へ
の担持方法、触媒の活性化方法は前記と同様の方法を採
用することができる。アルカリ（土類）金属成分を担体
に担持して用いることによって、トランス−デカヒドロ
ナフタレン化合物の選択性を高くすることができる。
触媒成分を担持した担体に、担持させて使用することに
よっても、反応系内に存在させることができる。担体へ
の担持方法、触媒の活性化方法は前記と同様の方法を採
用することができる。アルカリ（土類）金属成分を担体
に担持して用いることによって、トランス−デカヒドロ
ナフタレン化合物の選択性を高くすることができる。
【００３６】アルカリ（土類）金属成分の使用割合は、
水素化還元触媒の金属：アルカリ金属およびアルカリ土
類金属の原子比が１００：１〜１：５０、好ましくは５
０：１〜１：２０である。トランス−デカヒドロナフタ
レン化合物の収率に着目した場合、水素化還元触媒の金
属：アルカリ金属およびアルカリ土類金属の原子比は
４：１〜１：２０であることが好ましく、１：１〜１：
１０であることがより好ましい。
水素化還元触媒の金属：アルカリ金属およびアルカリ土
類金属の原子比が１００：１〜１：５０、好ましくは５
０：１〜１：２０である。トランス−デカヒドロナフタ
レン化合物の収率に着目した場合、水素化還元触媒の金
属：アルカリ金属およびアルカリ土類金属の原子比は
４：１〜１：２０であることが好ましく、１：１〜１：
１０であることがより好ましい。
【００３７】本発明のトランス−デカヒドロナフタレン
化合物の製造方法では、一般式（１）で表わされるナフ
タレン化合物を、（ｉ）水素化還元触媒と、（ii）アル
カリ（土類）金属成分の存在下に、水素化還元すること
により、ナフタレン化合物のナフタレン環をトランス体
の脂環構造に還元して、一般式（３）で表わされるトラ
ンス−デカヒドロナフタレン化合物を製造する。
化合物の製造方法では、一般式（１）で表わされるナフ
タレン化合物を、（ｉ）水素化還元触媒と、（ii）アル
カリ（土類）金属成分の存在下に、水素化還元すること
により、ナフタレン化合物のナフタレン環をトランス体
の脂環構造に還元して、一般式（３）で表わされるトラ
ンス−デカヒドロナフタレン化合物を製造する。
【００３８】水素化還元方法は、溶媒の存在下または非
存在下で行なうことができるが、溶媒の存在下で行なう
ことが望ましい。前記溶媒としては、ナフタレン化合物
を溶解させるものが好ましい。
存在下で行なうことができるが、溶媒の存在下で行なう
ことが望ましい。前記溶媒としては、ナフタレン化合物
を溶解させるものが好ましい。
【００３９】たとえば、メタノール、エタノール、プロ
パノール、ブタノール、ペンタノール、シクロヘキサノ
ールなどのアルコール系溶媒；テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチ
ルエーテル、メチルターシャリーブチルエーテル、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジメトキシエタン
などのエーテル系溶媒；クロロホルム、四塩化炭素、ジ
クロロメタンなどのハロゲン系溶媒などをあげることが
できる。
パノール、ブタノール、ペンタノール、シクロヘキサノ
ールなどのアルコール系溶媒；テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチ
ルエーテル、メチルターシャリーブチルエーテル、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジメトキシエタン
などのエーテル系溶媒；クロロホルム、四塩化炭素、ジ
クロロメタンなどのハロゲン系溶媒などをあげることが
できる。
【００４０】これら溶媒のなかでも、アルコール系溶媒
およびエーテル系溶媒が好ましく、とくにテトラヒドロ
フラン、１，４−ジオキサンなどの環状エーテル系溶
媒；プロパノール、ブタノールなどの炭素数３〜６のア
ルコール系溶媒が、水素化還元により生成したトランス
−デカヒドロナフタレン化合物のヒドロキシル基の水素
化分解を抑制する効果が大きい点から好ましい。
およびエーテル系溶媒が好ましく、とくにテトラヒドロ
フラン、１，４−ジオキサンなどの環状エーテル系溶
媒；プロパノール、ブタノールなどの炭素数３〜６のア
ルコール系溶媒が、水素化還元により生成したトランス
−デカヒドロナフタレン化合物のヒドロキシル基の水素
化分解を抑制する効果が大きい点から好ましい。
【００４１】水素化還元は、水素雰囲気下、水素気流下
もしくは水素圧力下で行なうことができる。反応時の水
素圧力、反応器中の水素の状態については、とくに制限
はないが、反応効率と反応設備の面より考えて圧力は
０．１〜２０ＭＰａ程度が好ましく、０．１〜１０ＭＰ
ａ程度がより好ましい。なお、本記述は減圧条件を排除
するものではないが、０．１ＭＰａ未満であると減圧水
素を作りだす装置が必要となるため不経済となる傾向が
あり、１０ＭＰａを超えるとそれだけより高い加圧水素
が必要であるため不経済となる傾向がある。
もしくは水素圧力下で行なうことができる。反応時の水
素圧力、反応器中の水素の状態については、とくに制限
はないが、反応効率と反応設備の面より考えて圧力は
０．１〜２０ＭＰａ程度が好ましく、０．１〜１０ＭＰ
ａ程度がより好ましい。なお、本記述は減圧条件を排除
するものではないが、０．１ＭＰａ未満であると減圧水
素を作りだす装置が必要となるため不経済となる傾向が
あり、１０ＭＰａを超えるとそれだけより高い加圧水素
が必要であるため不経済となる傾向がある。
【００４２】水素化還元の反応温度は、反応速度、溶媒
の蒸気圧と反応圧力の関係より考えて、１０〜３００℃
程度が望ましい。反応温度が低くなると反応速度が低下
し、反応の完結にかかる時間が長くなるため、反応温度
は８０℃以上とすることが好ましく、２５０℃以上とす
ることがより好ましい。
の蒸気圧と反応圧力の関係より考えて、１０〜３００℃
程度が望ましい。反応温度が低くなると反応速度が低下
し、反応の完結にかかる時間が長くなるため、反応温度
は８０℃以上とすることが好ましく、２５０℃以上とす
ることがより好ましい。
【００４３】反応時間は、温度、圧力および触媒量など
の反応条件によって変わるため、一概にその範囲を決め
ることは困難であるが、回分式、半回分式においては通
常０．５〜３０時間程度とすることができる。反応時間
が短いと高い転化率が得られないことがあるため、反応
時間は０．５時間以上とすることが好ましく、１時間以
上とすることがより好ましい。反応時間は３０時間より
も長くてもよく、通常は３０時間で充分に反応は進行す
るが、反応時間が長時間になると副反応がおこりやすく
なるため、反応時間は２０時間以下にすることが好まし
く、１０時間以下にすることがより好ましく、７時間以
下にすることがさらに好ましい。
の反応条件によって変わるため、一概にその範囲を決め
ることは困難であるが、回分式、半回分式においては通
常０．５〜３０時間程度とすることができる。反応時間
が短いと高い転化率が得られないことがあるため、反応
時間は０．５時間以上とすることが好ましく、１時間以
上とすることがより好ましい。反応時間は３０時間より
も長くてもよく、通常は３０時間で充分に反応は進行す
るが、反応時間が長時間になると副反応がおこりやすく
なるため、反応時間は２０時間以下にすることが好まし
く、１０時間以下にすることがより好ましく、７時間以
下にすることがさらに好ましい。
【００４４】触媒の使用量などについては、水素化還元
反応に用いる装置として回分式反応器を用いる場合を中
心に記載したが、水素化還元反応に用いる装置として、
流通式反応器を用いることもできる。また、反応装置の
形状はとくに限定されず、たとえば、加圧条件ではオー
トクレーブなどの耐圧容器、常圧条件では水素の流通が
可能な装置というように、反応水素圧力や反応温度によ
って適宜選択することができる。
反応に用いる装置として回分式反応器を用いる場合を中
心に記載したが、水素化還元反応に用いる装置として、
流通式反応器を用いることもできる。また、反応装置の
形状はとくに限定されず、たとえば、加圧条件ではオー
トクレーブなどの耐圧容器、常圧条件では水素の流通が
可能な装置というように、反応水素圧力や反応温度によ
って適宜選択することができる。
【００４５】
【実施例】以下に、実施例および比較例をあげて本発明
をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に
限定されるものではない。
をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に
限定されるものではない。
【００４６】実施例１ 内容積１５ｍｌの電磁攪拌式オートクレーブに、原料の
２，６−ナフタレンジオール（一般式（１）においてＲ
1′およびＲ2′がともにヒドロキシル基であるもの）
０．３ｇ、ナトリウムで修飾された５質量％パラジウム
活性炭担持（Ｎａ修飾５％Ｐｄ／Ｃ）触媒０．０１５ｇ
およびＴＨＦ５ｇを加えた。触媒中のナトリウムの量は
全触媒量に対して２質量％であった。反応系を水素で充
分に置換したのち、オートクレーブ内圧が６ＭＰａとな
るまで水素を導入したのち、２００℃まで昇温した。つ
いで、６時間攪拌させながら反応を続けた。冷却後、触
媒を除き、さらにロータリーエバポレータを用いて溶媒
を除いた。
２，６−ナフタレンジオール（一般式（１）においてＲ
1′およびＲ2′がともにヒドロキシル基であるもの）
０．３ｇ、ナトリウムで修飾された５質量％パラジウム
活性炭担持（Ｎａ修飾５％Ｐｄ／Ｃ）触媒０．０１５ｇ
およびＴＨＦ５ｇを加えた。触媒中のナトリウムの量は
全触媒量に対して２質量％であった。反応系を水素で充
分に置換したのち、オートクレーブ内圧が６ＭＰａとな
るまで水素を導入したのち、２００℃まで昇温した。つ
いで、６時間攪拌させながら反応を続けた。冷却後、触
媒を除き、さらにロータリーエバポレータを用いて溶媒
を除いた。
【００４７】得られた水素化還元生成物をガスクロマト
グラフィー（以下、ＧＣと表わす。）、質量分析ガスク
ロマトグラフィー（以下、ＧＣ／ＭＳと表わす）および
ＮＭＲで分析した。８０％の収率でトランス−デカヒド
ロナフタレン−２，６−ジオール（一般式（３）におい
てＲ1およびＲ2がともにヒドロキシル基のもの）を得る
ことができた。結果を表１に示す。
グラフィー（以下、ＧＣと表わす。）、質量分析ガスク
ロマトグラフィー（以下、ＧＣ／ＭＳと表わす）および
ＮＭＲで分析した。８０％の収率でトランス−デカヒド
ロナフタレン−２，６−ジオール（一般式（３）におい
てＲ1およびＲ2がともにヒドロキシル基のもの）を得る
ことができた。結果を表１に示す。
【００４８】実施例２ 内容積２００ｍｌの攪拌式オートクレーブに、原料の
２，６−ナフタレンジオール（一般式（１）においてＲ
1′およびＲ2′がともにヒドロキシル基のもの）５ｇ、
ナトリウムで修飾された５質量％パラジウム活性炭担持
（Ｎａ修飾５％Ｐｄ／Ｃ）触媒０．２５ｇおよびＴＨＦ
５０ｇを加えた。触媒中のナトリウムの量は全触媒量に
対して２質量％であった。反応系を水素で充分に置換
し、オートクレーブ内圧が６ＭＰａとなるまで水素を導
入したのち、２００℃まで昇温した。２００℃となった
ところで圧力を１０ＭＰａに調整し、３時間反応を行な
った。
２，６−ナフタレンジオール（一般式（１）においてＲ
1′およびＲ2′がともにヒドロキシル基のもの）５ｇ、
ナトリウムで修飾された５質量％パラジウム活性炭担持
（Ｎａ修飾５％Ｐｄ／Ｃ）触媒０．２５ｇおよびＴＨＦ
５０ｇを加えた。触媒中のナトリウムの量は全触媒量に
対して２質量％であった。反応系を水素で充分に置換
し、オートクレーブ内圧が６ＭＰａとなるまで水素を導
入したのち、２００℃まで昇温した。２００℃となった
ところで圧力を１０ＭＰａに調整し、３時間反応を行な
った。
【００４９】得られた水素化還元生成物をＧＣ、ＧＣ／
ＭＳおよびＮＭＲで分析した。７８％の収率でトランス
−デカヒドロナフタレン−２，６−ジオール（一般式
（３）においてＲ1およびＲ2ともにヒドロキシル基のも
の）を得ることができた。結果を表１に示す。
ＭＳおよびＮＭＲで分析した。７８％の収率でトランス
−デカヒドロナフタレン−２，６−ジオール（一般式
（３）においてＲ1およびＲ2ともにヒドロキシル基のも
の）を得ることができた。結果を表１に示す。
【００５０】実施例３ 反応温度を２５０℃としたほかは実施例２と同様の操作
を行なって水素化還元生成物を得た。８６％の収率でト
ランス−デカヒドロナフタレン−２，６−ジオール（一
般式（３）においてＲ1およびＲ2がともにヒドロキシル
基であるもの）を得ることができた。結果を表１に示
す。
を行なって水素化還元生成物を得た。８６％の収率でト
ランス−デカヒドロナフタレン−２，６−ジオール（一
般式（３）においてＲ1およびＲ2がともにヒドロキシル
基であるもの）を得ることができた。結果を表１に示
す。
【００５１】比較例１ 用いる触媒を５質量％パラジウム活性炭担持（５％Ｐｄ
／Ｃ）触媒に代えたほかは実施例１と同様の操作を行な
って水素化還元生成物を得た。トランス−デカヒドロナ
フタレン−２，６−ジオール（一般式（３）においてＲ
1およびＲ2がともにヒドロキシル基であるもの）の収率
は６０％であった。
／Ｃ）触媒に代えたほかは実施例１と同様の操作を行な
って水素化還元生成物を得た。トランス−デカヒドロナ
フタレン−２，６−ジオール（一般式（３）においてＲ
1およびＲ2がともにヒドロキシル基であるもの）の収率
は６０％であった。
【００５２】実施例４ 内容積３００ｍｌの攪拌式オートクレーブに、原料の６
−プロピル−２−ナフトール（一般式（１）においてＲ
1がプロピル基、Ｒ2が水素原子であるのもの）１０ｇ、
ナトリウムで修飾された５質量％パラジウム活性炭担持
（Ｎａ修飾５％Ｐｄ／Ｃ）触媒１０ｇ（原料に対して１
００質量％）およびＴＨＦ９０ｇを加えた。触媒中のナ
トリウムの量は全触媒量に対して２質量％であった。反
応系を水素で充分に置換し、オートクレーブ内圧が６Ｍ
Ｐａとなるまで水素を導入したのち、２００℃まで昇温
した。２００℃となったところで圧力を１０ＭＰａに調
整し、５時間反応を行なった。得られた水素化還元生成
物をＧＣ、ＧＣ／ＭＳおよびＮＭＲで分析した。５３％
の収率で６−プロピル−トランス−デカヒドロナフタレ
ン−２−オール（一般式（３）においてＲ1がプロピル
基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）を得ることができ
た。結果を表１に示す。
−プロピル−２−ナフトール（一般式（１）においてＲ
1がプロピル基、Ｒ2が水素原子であるのもの）１０ｇ、
ナトリウムで修飾された５質量％パラジウム活性炭担持
（Ｎａ修飾５％Ｐｄ／Ｃ）触媒１０ｇ（原料に対して１
００質量％）およびＴＨＦ９０ｇを加えた。触媒中のナ
トリウムの量は全触媒量に対して２質量％であった。反
応系を水素で充分に置換し、オートクレーブ内圧が６Ｍ
Ｐａとなるまで水素を導入したのち、２００℃まで昇温
した。２００℃となったところで圧力を１０ＭＰａに調
整し、５時間反応を行なった。得られた水素化還元生成
物をＧＣ、ＧＣ／ＭＳおよびＮＭＲで分析した。５３％
の収率で６−プロピル−トランス−デカヒドロナフタレ
ン−２−オール（一般式（３）においてＲ1がプロピル
基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）を得ることができ
た。結果を表１に示す。
【００５３】実施例５〜９ 触媒量および反応温度を表１に示すように代えたほかは
実施例４と同様の操作を行なって水素化還元生成物を得
た。得られた水素化還元生成物をＧＣ、ＧＣ／ＭＳおよ
びＮＭＲで分析した。得られた６−プロピル−トランス
−デカヒドロナフタレン−２−オール（一般式（３）に
おいてＲ1がプロピル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）
の収率を表１に示す。
実施例４と同様の操作を行なって水素化還元生成物を得
た。得られた水素化還元生成物をＧＣ、ＧＣ／ＭＳおよ
びＮＭＲで分析した。得られた６−プロピル−トランス
−デカヒドロナフタレン−２−オール（一般式（３）に
おいてＲ1がプロピル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）
の収率を表１に示す。
【００５４】実施例１０ 原料を６−ペンチル−２−ナフトール（一般式（１）に
おいてＲ1がペンチル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）
に代えたほかは実施例９と同様の操作を行なって水素化
還元生成物を得た。得られた水素化還元生成物をＧＣ、
ＧＣ／ＭＳおよびＮＭＲで分析した。７９％の収率で６
−ペンチル−トランス−デカヒドロナフタレン−２−オ
ール（一般式（２）においてＲ1がペンチル基、Ｒ2がヒ
ドロキシル基のもの）を得ることができた。結果を表１
に示す。
おいてＲ1がペンチル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）
に代えたほかは実施例９と同様の操作を行なって水素化
還元生成物を得た。得られた水素化還元生成物をＧＣ、
ＧＣ／ＭＳおよびＮＭＲで分析した。７９％の収率で６
−ペンチル−トランス−デカヒドロナフタレン−２−オ
ール（一般式（２）においてＲ1がペンチル基、Ｒ2がヒ
ドロキシル基のもの）を得ることができた。結果を表１
に示す。
【００５５】実施例１１ 原料を６−（４−プロピルシクロヘキシル）−２−ナフ
トール（一般式（１）においてＲ1が４−プロピルシク
ロヘキシル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）に代えた
ほかは実施例９と同様の操作を行なって水素化還元生成
物を得た。得られた水素化還元生成物はＧＣ、ＧＣ／Ｍ
ＳおよびＮＭＲで分析した。６５％の収率で６−（４−
プロピルシクロヘキシル）−デカヒドロナフタレン−２
−オール（一般式（２）においてＲ1が４−プロピルシ
クロヘキシル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）を得る
ことができた。
トール（一般式（１）においてＲ1が４−プロピルシク
ロヘキシル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）に代えた
ほかは実施例９と同様の操作を行なって水素化還元生成
物を得た。得られた水素化還元生成物はＧＣ、ＧＣ／Ｍ
ＳおよびＮＭＲで分析した。６５％の収率で６−（４−
プロピルシクロヘキシル）−デカヒドロナフタレン−２
−オール（一般式（２）においてＲ1が４−プロピルシ
クロヘキシル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）を得る
ことができた。
【００５６】比較例２ 用いる触媒を５質量％パラジウム活性炭担持（５％Ｐｄ
／Ｃ）触媒に代えたほかは実施例４と同様の操作を行な
って水素化還元生成物を得た。６−プロピル−トランス
−デカヒドロナフタレン−２−オール（一般式（３）に
おいてＲ1がプロピル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）
の収率は４１％であった。結果を表１に示す。
／Ｃ）触媒に代えたほかは実施例４と同様の操作を行な
って水素化還元生成物を得た。６−プロピル−トランス
−デカヒドロナフタレン−２−オール（一般式（３）に
おいてＲ1がプロピル基、Ｒ2がヒドロキシル基のもの）
の収率は４１％であった。結果を表１に示す。
【００５７】比較例３ 用いる触媒を５質量％ルテニウム活性炭担持（５％Ｒｕ
／Ｃ）触媒に代えたほかは実施例１６と同様の操作を行
なって水素化還元生成物を得た。６−プロピル−トラン
ス−デカヒドロナフタレン−２−オール（一般式（３）
においてＲ1がプロピル基、Ｒ2がヒドロキシル基である
のもの）の収率は２２％であった。
／Ｃ）触媒に代えたほかは実施例１６と同様の操作を行
なって水素化還元生成物を得た。６−プロピル−トラン
ス−デカヒドロナフタレン−２−オール（一般式（３）
においてＲ1がプロピル基、Ｒ2がヒドロキシル基である
のもの）の収率は２２％であった。
【００５８】
【表１】
【００５９】表１中、触媒種の欄における「Ｎａ修飾５
％Ｐｄ／Ｃ」はナトリウムで修飾された５質量％パラジ
ウム活性炭担持触媒、「５％Ｐｄ／Ｃ」は５質量％パラ
ジウム活性炭担持触媒、「５％Ｒｕ／Ｃ」は５質量％ル
テニウム活性炭担持触媒を表わす。触媒量の欄の値は、
原料（ナフタレン化合物）あたりの触媒の質量％を表わ
す。 触媒量（％）＝触媒の質量÷原料の質量×１００ 反応時間の単位は時間である。
％Ｐｄ／Ｃ」はナトリウムで修飾された５質量％パラジ
ウム活性炭担持触媒、「５％Ｐｄ／Ｃ」は５質量％パラ
ジウム活性炭担持触媒、「５％Ｒｕ／Ｃ」は５質量％ル
テニウム活性炭担持触媒を表わす。触媒量の欄の値は、
原料（ナフタレン化合物）あたりの触媒の質量％を表わ
す。 触媒量（％）＝触媒の質量÷原料の質量×１００ 反応時間の単位は時間である。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、ナフタレン化合物を水
素化還元してトランス−デカヒドロナフタレン化合物を
高収率で得ることができる。とくに（ｉ）水素化還元触
媒としてパラジウム触媒、なかでも担体に担持された触
媒、さらには（ii）アルカリ（土類）金属成分が担持さ
れた触媒を水素化還元触媒として用いることによって、
トランス−デカヒドロナフタレン化合物をより高収率で
得ることができる。
素化還元してトランス−デカヒドロナフタレン化合物を
高収率で得ることができる。とくに（ｉ）水素化還元触
媒としてパラジウム触媒、なかでも担体に担持された触
媒、さらには（ii）アルカリ（土類）金属成分が担持さ
れた触媒を水素化還元触媒として用いることによって、
トランス−デカヒドロナフタレン化合物をより高収率で
得ることができる。
フロントページの続き (72)発明者 竹原 貞夫 千葉県佐倉市春路２−23−16 (72)発明者 長島 豊 埼玉県上尾市原市3336 原市団地３−１− 301 Ｆターム(参考） 4G069 AA03 BA08B BC01A BC02B BC08A BC70A BC71A BC72A BC72B BC73A BC74A BC75A CB02 DA03 EA01X EA01Y 4H006 AA02 AC11 AD11 AD17 BA02 BA03 BA06 BA22 BA23 BA24 BA25 BA26 BB12 BB14 BB15 BB25 BC10 BC11 BC19 BC32 BE20 FC26 FE12 4H039 CA40 CB10
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式（１）： 【化１】 （式中、Ｒ1′およびＲ2′は水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基または一般式（２）：−ＯＲ
で表わされる官能基を表わし、Ｒはアシル基、アルキル
基、水素原子またはヒドロキシル基の保護に用いられる
基を表わし、Ｒ1′とＲ2′は同一でも異なっていてもよ
い。）で表わされるナフタレン化合物を原料化合物と
し、（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＯｓか
らなる群から選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とか
らなる群から選ばれた少なくとも１種の水素化還元触媒
と、（ii）アルカリ金属およびアルカリ土類金属からな
る群から選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とからな
る群から選ばれた少なくとも１種の存在下に、水素化還
元することを特徴とする一般式（３）： 【化２】 （式中、Ｒ1およびＲ2は原料化合物を表わす一般式
（１）におけるＲ1′およびＲ2′に対応する官能基を表
わし、Ｒ1′およびＲ2′が不飽和結合を有する場合には
不飽和結合部に水素が付加することによって得られるア
ルキル基を表わす。）で表わされるトランス−デカヒド
ロナフタレン化合物の製造方法。 - 【請求項２】 水素化還元触媒が、担体担持触媒である
請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 アルカリ金属およびアルカリ土類金属か
らなる群から選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とか
らなる群から選ばれた少なくとも１種が、水素化還元触
媒が担持された担体に担持されている請求項２記載の製
造方法。 - 【請求項４】 水素化還元触媒が、Ｐｄおよび／または
Ｐｄの化合物である請求項１、２または３記載の製造方
法。 - 【請求項５】 アルカリ金属およびアルカリ土類金属か
らなる群から選ばれる金属と選ばれる金属の化合物とか
らなる群から選ばれた少なくとも１種が、アルカリ金属
塩またはアルカリ土類金属塩である請求項１、２、３ま
たは４記載の製造方法。 - 【請求項６】 請求項３、４または５記載のトランス−
デカヒドロナフタレン化合物の製造方法において用いら
れる触媒であって、（ｉ）Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉ
ｒおよびＯｓからなる群から選ばれる金属と選ばれる金
属の化合物とからなる群から選ばれた少なくとも１種の
水素化還元触媒と、（ii）アルカリ金属およびアルカリ
土類金属からなる群から選ばれる金属と選ばれる金属の
化合物とからなる群から選ばれた少なくとも１種が、担
体に担持されている水素化還元触媒。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP4421060B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005002045A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | New Japan Chem Co Ltd | ６−エクアトリアル−アルキル−トランス−デカヒドロナフタレン−２−オール及びその誘導体の製造方法 |
| WO2005094993A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nagoya Industrial Science Research Institute | 水素化促進剤、水素化触媒及びアルケン化合物の製法 |
| CN102941093A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-02-27 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 萘加氢制备十氢萘的催化剂及制备方法和应用 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102838441B (zh) * | 2011-06-23 | 2014-07-23 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种萘加氢生产反式十氢萘的方法 |
| JP6193226B2 (ja) | 2011-07-07 | 2017-09-06 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | 液晶媒体 |
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| JP2005002045A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | New Japan Chem Co Ltd | ６−エクアトリアル−アルキル−トランス−デカヒドロナフタレン−２−オール及びその誘導体の製造方法 |
| JP4540307B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2010-09-08 | 新日本理化株式会社 | ６−エクアトリアル−アルキル−トランス−デカヒドロナフタレン−２−オール及びその誘導体の製造方法 |
| WO2005094993A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nagoya Industrial Science Research Institute | 水素化促進剤、水素化触媒及びアルケン化合物の製法 |
| US7619125B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-11-17 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Hydrogenation promoter, hydrogenation catalyst, and process for producing alkene compound |
| CN102941093A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-02-27 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 萘加氢制备十氢萘的催化剂及制备方法和应用 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP4421060B2 (ja) | 2010-02-24 |
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