JP2001274135A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
- Publication number
- JP2001274135A JP2001274135A JP2001027706A JP2001027706A JP2001274135A JP 2001274135 A JP2001274135 A JP 2001274135A JP 2001027706 A JP2001027706 A JP 2001027706A JP 2001027706 A JP2001027706 A JP 2001027706A JP 2001274135 A JP2001274135 A JP 2001274135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- semiconductor substrate
- liquid nitrogen
- cleaning
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板上の汚染物を良好に除去する。
【解決手段】 液体窒素を半導体基板上に吹きつけるこ
とにより、基板の表面を洗浄する。
とにより、基板の表面を洗浄する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板など
被洗浄物の洗浄方法に関するものである。
被洗浄物の洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の洗浄は、純水槽ある
いは薬品槽に超音波振動子を付加して純水あるいは薬品
中に超音波を伝搬させ、その槽中に半導体基板を浸漬せ
しめて洗浄を行っている。
いは薬品槽に超音波振動子を付加して純水あるいは薬品
中に超音波を伝搬させ、その槽中に半導体基板を浸漬せ
しめて洗浄を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
洗浄方法では、純水あるいは薬液中で超音波が吸収され
る割合が大きいため、超音波が半導体基板（被洗浄物）
に到達するのが弱くなり、洗浄効果が低い問題点があっ
た。
洗浄方法では、純水あるいは薬液中で超音波が吸収され
る割合が大きいため、超音波が半導体基板（被洗浄物）
に到達するのが弱くなり、洗浄効果が低い問題点があっ
た。
【０００４】また、洗浄効果を上げるために超音波パワ
ーを強力にすると、半導体基板にダメージが生じるとい
う問題点があった。
ーを強力にすると、半導体基板にダメージが生じるとい
う問題点があった。
【０００５】さらに、純水あるいは薬液である有機溶剤
（ＩＰＡ，エチルアルコール等）、酸（Ｈ2 ＳＯ4 ，Ｈ
2 Ｏ2 ，ＮＨ4 ＯＨ等）、アルカリ溶液等は被洗浄物で
ある半導体基板との塗れ性が良いために半導体基板上の
汚染物が超音波洗浄で除去された後、液中に浮遊してい
る汚染物が半導体基板に再び付着する、いわゆる再付着
現象を避けることができなかった。
（ＩＰＡ，エチルアルコール等）、酸（Ｈ2 ＳＯ4 ，Ｈ
2 Ｏ2 ，ＮＨ4 ＯＨ等）、アルカリ溶液等は被洗浄物で
ある半導体基板との塗れ性が良いために半導体基板上の
汚染物が超音波洗浄で除去された後、液中に浮遊してい
る汚染物が半導体基板に再び付着する、いわゆる再付着
現象を避けることができなかった。
【０００６】この発明は上記の点に鑑みなされたもの
で、上記従来の欠点を除去でき、例えば半導体基板の洗
浄方法に適用してダメージを与えることなく半導体基板
のウルトラクリーン化を図ることができる洗浄方法を提
供することを目的とする。
で、上記従来の欠点を除去でき、例えば半導体基板の洗
浄方法に適用してダメージを与えることなく半導体基板
のウルトラクリーン化を図ることができる洗浄方法を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、液体窒素を
半導体基板上に吹きつけることにより、前記基板の表面
の洗浄を行うものである。
半導体基板上に吹きつけることにより、前記基板の表面
の洗浄を行うものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１はこの発明の第１の実施形態を
示す断面図である。
参照して説明する。図１はこの発明の第１の実施形態を
示す断面図である。
【０００９】この図において、３１は断熱材で形成さ
れ、液体窒素３２を満たす槽である。この槽３１の底部
には超音波振動子３３が取付けられており、超音波発振
器（電源）３４と接続されている。
れ、液体窒素３２を満たす槽である。この槽３１の底部
には超音波振動子３３が取付けられており、超音波発振
器（電源）３４と接続されている。
【００１０】槽３１内には隔壁３５が設けられており、
この隔壁３５上より液体窒素３２が排出側にオーバーフ
ローするようになっている。オーバーフローした液体窒
素３２は排出口３６を通じポンプ３７により加圧され、
フィルタ３８を介して循環するようになっている。
この隔壁３５上より液体窒素３２が排出側にオーバーフ
ローするようになっている。オーバーフローした液体窒
素３２は排出口３６を通じポンプ３７により加圧され、
フィルタ３８を介して循環するようになっている。
【００１１】半導体基板３９を洗浄する場合は、半導体
基板３９を収容したキャリア４０を液体窒素３２中に浸
漬し、かつ超音波を液体窒素３２に伝搬させて超音波を
半導体基板３９に照射する。すると、液体窒素３２によ
り基板３９上の汚染物が凍結され脆くなり、しかも収縮
することと、超音波振動により汚染物が半導体基板３９
から除去され洗浄が行われる。
基板３９を収容したキャリア４０を液体窒素３２中に浸
漬し、かつ超音波を液体窒素３２に伝搬させて超音波を
半導体基板３９に照射する。すると、液体窒素３２によ
り基板３９上の汚染物が凍結され脆くなり、しかも収縮
することと、超音波振動により汚染物が半導体基板３９
から除去され洗浄が行われる。
【００１２】この時、液体窒素３２は非常に表面張力が
強いので、基板３９から除去された後も液体窒素３２中
に浮遊している汚染物が半導体基板３９に再び付着する
ことを回避できる。このようにして洗浄した後、半導体
基板３９を液体窒素３２中から引上げたところ、汚染物
（パーティクル）付着は皆無であった。
強いので、基板３９から除去された後も液体窒素３２中
に浮遊している汚染物が半導体基板３９に再び付着する
ことを回避できる。このようにして洗浄した後、半導体
基板３９を液体窒素３２中から引上げたところ、汚染物
（パーティクル）付着は皆無であった。
【００１３】また、液体窒素３２を用いることで超音波
の波長が短かくなり、１フォノン当りのエネルギーが小
さくなるので、半導体基板３９に、超音波によるダメー
ジが生じなかった。このダメージは、液体窒素で基板３
９が冷却されるため発生しなくなるとも考えられる。
の波長が短かくなり、１フォノン当りのエネルギーが小
さくなるので、半導体基板３９に、超音波によるダメー
ジが生じなかった。このダメージは、液体窒素で基板３
９が冷却されるため発生しなくなるとも考えられる。
【００１４】なお、超音波をムラなく基板３９に当てる
ため、超音波振動子３３を振動させるようにしてもよ
い。また、液体窒素を用いたが、例えばヘリウム（Ｈ
ｅ）など他の液化ガスを用いても同様の効果がある。ま
た、半導体基板以外の他の被洗浄物も同様にして洗浄で
きる。
ため、超音波振動子３３を振動させるようにしてもよ
い。また、液体窒素を用いたが、例えばヘリウム（Ｈ
ｅ）など他の液化ガスを用いても同様の効果がある。ま
た、半導体基板以外の他の被洗浄物も同様にして洗浄で
きる。
【００１５】図２は、半導体基板を１枚ないし数枚ずつ
洗浄する第２の実施形態を説明するための図である。
洗浄する第２の実施形態を説明するための図である。
【００１６】この実施形態では、液体窒素５４を満たす
槽として、第１槽５１、第２槽５２、第３槽５３の３つ
を設ける。第２槽５２は主槽にして半導体基板５５を超
音波にて洗浄するものである。
槽として、第１槽５１、第２槽５２、第３槽５３の３つ
を設ける。第２槽５２は主槽にして半導体基板５５を超
音波にて洗浄するものである。
【００１７】第１槽５１は、洗浄前のキャリア５６に収
容された半導体基板５５を液体窒素５４に浸漬しておく
槽であり、第２槽５２中の半導体基板５５の洗浄が終了
し、第３槽（回収槽）５３に半導体基板５５が移送され
た後、第１槽５１中の半導体基板５５が第２槽５２に移
送される。第１槽５１には液体窒素５４を注入するため
の注入口５７が設けられており、清浄な液体窒素が注入
される。
容された半導体基板５５を液体窒素５４に浸漬しておく
槽であり、第２槽５２中の半導体基板５５の洗浄が終了
し、第３槽（回収槽）５３に半導体基板５５が移送され
た後、第１槽５１中の半導体基板５５が第２槽５２に移
送される。第１槽５１には液体窒素５４を注入するため
の注入口５７が設けられており、清浄な液体窒素が注入
される。
【００１８】そして注入された液体窒素５４は各槽の隔
壁を通じて第２槽５２、第３槽５３を更に満たしてお
り、第３槽５３に設けた排出口５８から排出される。な
お、第１、第２、第３の各槽５１，５２，５３にそれぞ
れ注入口，排出口を設けて、各槽独自で液体窒素の注
入，排出を行ってもよい。
壁を通じて第２槽５２、第３槽５３を更に満たしてお
り、第３槽５３に設けた排出口５８から排出される。な
お、第１、第２、第３の各槽５１，５２，５３にそれぞ
れ注入口，排出口を設けて、各槽独自で液体窒素の注
入，排出を行ってもよい。
【００１９】また、第２槽５２にはＸ−Ｙスキャナー５
９が設けられる。このＸ−Ｙスキャナー５９は、２つの
モータ６０ａ，６０ｂと、この各モータ６０ａ，６０ｂ
に連結した２組のギア機構６１ａ，６１ｂとによって、
半導体基板５５を載置したテーブル部を上下方向および
左右方向に移動できる。
９が設けられる。このＸ−Ｙスキャナー５９は、２つの
モータ６０ａ，６０ｂと、この各モータ６０ａ，６０ｂ
に連結した２組のギア機構６１ａ，６１ｂとによって、
半導体基板５５を載置したテーブル部を上下方向および
左右方向に移動できる。
【００２０】上下方向の移動は、後述する超音波振動子
と半導体基板５５間の間隔を調整して、超音波の定在波
の影響を無くすために用いられる。一方、左右方向の移
動は、超音波を半導体基板５５の全面に照射するために
用いられる。
と半導体基板５５間の間隔を調整して、超音波の定在波
の影響を無くすために用いられる。一方、左右方向の移
動は、超音波を半導体基板５５の全面に照射するために
用いられる。
【００２１】第２槽５２内の上部には超音波振動子６２
が設けられ、超音波発振器６３に接続されている。この
超音波振動子６２の具体的形状を図３に示す。
が設けられ、超音波発振器６３に接続されている。この
超音波振動子６２の具体的形状を図３に示す。
【００２２】超音波振動子６２は細長い形状をしてお
り、したがって前記Ｘ−Ｙスキャナー５９で半導体基板
５５を、超音波振動子６２と直交する左右方向に移動さ
せることにより、半導体基板５５の全面に超音波を照射
することができる。
り、したがって前記Ｘ−Ｙスキャナー５９で半導体基板
５５を、超音波振動子６２と直交する左右方向に移動さ
せることにより、半導体基板５５の全面に超音波を照射
することができる。
【００２３】なお、この実施形態では超音波振動子６２
と細長い形状としたが、円球状の超音波振動子で放射状
に超音波を照射することによっても洗浄が行える。
と細長い形状としたが、円球状の超音波振動子で放射状
に超音波を照射することによっても洗浄が行える。
【００２４】また、矩形状の超音波振動子を左右方向お
よび前後方向にスキャンさせて半導体基板の全面に超音
波を照射することもできる。さらに超音波振動子は、液
体窒素と接する部分を断熱材で被覆して低温から保護し
てもよい。
よび前後方向にスキャンさせて半導体基板の全面に超音
波を照射することもできる。さらに超音波振動子は、液
体窒素と接する部分を断熱材で被覆して低温から保護し
てもよい。
【００２５】しかしてこの第２の実施形態においては、
キャリア５６に収容して半導体基板５５を第１槽５１の
液体窒素５４中に浸漬し、そこから半導体基板５５を例
えば１枚ずつ第２槽５２に送って液体窒素による超音波
洗浄を行い、その後、半導体基板５５を第３槽５３に送
ってキャリア５６内に収容し、液体窒素５４中から引上
げる。
キャリア５６に収容して半導体基板５５を第１槽５１の
液体窒素５４中に浸漬し、そこから半導体基板５５を例
えば１枚ずつ第２槽５２に送って液体窒素による超音波
洗浄を行い、その後、半導体基板５５を第３槽５３に送
ってキャリア５６内に収容し、液体窒素５４中から引上
げる。
【００２６】このような第２の実施形態においても、従
来の薬品や純水洗浄より清浄な表面が得られた。従来は
パーティクルが少なくとも２〜３個存在していたが、本
実施形態では皆無であった。
来の薬品や純水洗浄より清浄な表面が得られた。従来は
パーティクルが少なくとも２〜３個存在していたが、本
実施形態では皆無であった。
【００２７】次に、この発明の第３の実施形態を図４〜
図６を参照して説明する。この第３の実施形態は、最初
に薬品（濃硝酸）洗浄を行い、次に純水洗浄を行い、最
後に液体窒素洗浄を行う。液体窒素洗浄部分では、超音
波は使用しない。
図６を参照して説明する。この第３の実施形態は、最初
に薬品（濃硝酸）洗浄を行い、次に純水洗浄を行い、最
後に液体窒素洗浄を行う。液体窒素洗浄部分では、超音
波は使用しない。
【００２８】まず、図４（ａ）に示すように、薬品槽１
１は濃硝酸槽であり、この薬品槽１１内には濃硝酸１２
が充填されている。また、薬品槽１１内には仕切り板１
３が設けられており、濃硝酸１２はこの仕切り板１３上
をオーバーフローして流れ流出液１４となって排出口１
５ｂから排出される。
１は濃硝酸槽であり、この薬品槽１１内には濃硝酸１２
が充填されている。また、薬品槽１１内には仕切り板１
３が設けられており、濃硝酸１２はこの仕切り板１３上
をオーバーフローして流れ流出液１４となって排出口１
５ｂから排出される。
【００２９】一方、薬品槽１１の底部の注入口１５ａを
通して新しい濃硝酸が薬品槽１１内に注入され、薬品槽
１１内の濃硝酸１２は循環するようになっている。キャ
リア１６に入れられた半導体基板１７は図４（ａ）の矢
印Ａ1 および図４（ｂ）に示すように、薬品槽１１内の
濃硝酸に浸漬される。
通して新しい濃硝酸が薬品槽１１内に注入され、薬品槽
１１内の濃硝酸１２は循環するようになっている。キャ
リア１６に入れられた半導体基板１７は図４（ａ）の矢
印Ａ1 および図４（ｂ）に示すように、薬品槽１１内の
濃硝酸に浸漬される。
【００３０】次に、前記半導体基板１７とキャリア１６
は図４（ｂ）の矢印Ａ2 で示すように薬品槽１１から引
き上げられ、図５（ａ）の矢印Ａ3 で示すように純水槽
１８中に入れられる。この図５（ａ）の純水槽１８内に
は、純水１８ａが充填される。
は図４（ｂ）の矢印Ａ2 で示すように薬品槽１１から引
き上げられ、図５（ａ）の矢印Ａ3 で示すように純水槽
１８中に入れられる。この図５（ａ）の純水槽１８内に
は、純水１８ａが充填される。
【００３１】その純水１８ａは、純水槽１８の底部の注
入口１８ｂから注入され、純水槽１８内に設けた仕切り
板１８ｃの上部からオーバフローして排水１８ｄとして
排出口１８ｅより排出されるようになっており、純水１
８ａは純水槽１８内を循環するようになっている。
入口１８ｂから注入され、純水槽１８内に設けた仕切り
板１８ｃの上部からオーバフローして排水１８ｄとして
排出口１８ｅより排出されるようになっており、純水１
８ａは純水槽１８内を循環するようになっている。
【００３２】この純水槽１８内の純水１８ａにキャリア
１６とともに半導体基板１７を図５（ｂ）に示すように
浸漬することにより純水槽１８内で半導体基板１７に付
着した薬品を洗浄する。
１６とともに半導体基板１７を図５（ｂ）に示すように
浸漬することにより純水槽１８内で半導体基板１７に付
着した薬品を洗浄する。
【００３３】純水１８ａで洗浄された半導体基板１７は
図５（ｂ）の矢印Ａ4 で示すように純水槽１８から引き
上げられ、次に、図６（ａ）の矢印Ａ5 で示すように液
体窒素槽１９に入れられる。
図５（ｂ）の矢印Ａ4 で示すように純水槽１８から引き
上げられ、次に、図６（ａ）の矢印Ａ5 で示すように液
体窒素槽１９に入れられる。
【００３４】液体窒素槽１９は断熱槽１９ｆにより内部
の液体窒素１９ａと外部とを熱的に分離している。かつ
純水槽１８や薬品槽１１と同様に、液体窒素１９ａは注
入口１９ｂから注入され、仕切り板１９ｃの上部からオ
ーバーフローして排出液１９ｄとして排出口１９ｅから
排出されて循環している。
の液体窒素１９ａと外部とを熱的に分離している。かつ
純水槽１８や薬品槽１１と同様に、液体窒素１９ａは注
入口１９ｂから注入され、仕切り板１９ｃの上部からオ
ーバーフローして排出液１９ｄとして排出口１９ｅから
排出されて循環している。
【００３５】このような液体窒素槽１９内の液体窒素１
９ａ中に、図６（ａ）の矢印Ａ5 および図６（ｂ）に示
すように半導体基板１７を浸漬する。
９ａ中に、図６（ａ）の矢印Ａ5 および図６（ｂ）に示
すように半導体基板１７を浸漬する。
【００３６】図７（ａ）は、液体窒素槽１９内の液体窒
素１９ａ中に浸漬された１枚の半導体基板１７の一部の
拡大断面図である。この図７（ａ）に示すように、半導
体基板１７の表面には、純水槽１８の浸漬時に水分２１
およびパーティクル２２が付着している。
素１９ａ中に浸漬された１枚の半導体基板１７の一部の
拡大断面図である。この図７（ａ）に示すように、半導
体基板１７の表面には、純水槽１８の浸漬時に水分２１
およびパーティクル２２が付着している。
【００３７】この水分２１とパーティクル２２が付着し
た半導体基板１７を図６（ｂ）に示すように液体窒素槽
１９内の液体窒素１９ａ中に浸漬することにより、この
液体窒素１９ａにより、図７（ｂ）に示すように水分２
１は氷片２３となり、その時の膨張作用により、パーテ
ィクル２２とともに半導体基板１７ａより剥離し、半導
体基板１７の表面は清浄な状態で乾燥する。
た半導体基板１７を図６（ｂ）に示すように液体窒素槽
１９内の液体窒素１９ａ中に浸漬することにより、この
液体窒素１９ａにより、図７（ｂ）に示すように水分２
１は氷片２３となり、その時の膨張作用により、パーテ
ィクル２２とともに半導体基板１７ａより剥離し、半導
体基板１７の表面は清浄な状態で乾燥する。
【００３８】しかる後、図６（ｃ）に示すように半導体
基板１７を液体窒素槽１９から引上げることにより、全
工程を終了する。
基板１７を液体窒素槽１９から引上げることにより、全
工程を終了する。
【００３９】なお、この第３の実施形態において、液体
窒素槽１９の液体窒素１９ａを槽外のポンプとフィルタ
を介して循環させ、半導体基板より分離した水分（氷状
態）や微粒子汚染物をフィルタで回収するようにする
と、なお良い。
窒素槽１９の液体窒素１９ａを槽外のポンプとフィルタ
を介して循環させ、半導体基板より分離した水分（氷状
態）や微粒子汚染物をフィルタで回収するようにする
と、なお良い。
【００４０】また、第３の実施形態では液体窒素槽１９
に半導体基板１７を浸漬したが、液体窒素槽１９に代え
て液体窒素をスプレーして半導体基板１７上に吹きつけ
るようにしてもよい。
に半導体基板１７を浸漬したが、液体窒素槽１９に代え
て液体窒素をスプレーして半導体基板１７上に吹きつけ
るようにしてもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
よれば、液化窒素を半導体基板の表面に吹きつけるよう
にしたので、半導体基板上の汚染物を良好かつ確実に除
去できる。
よれば、液化窒素を半導体基板の表面に吹きつけるよう
にしたので、半導体基板上の汚染物を良好かつ確実に除
去できる。
【図１】この発明の第１の実施形態を示す構成図であ
る。
る。
【図２】この発明の第２の実施形態を示す構成図であ
る。
る。
【図３】第２の実施形態における超音波振動子の一具体
的形状を示す斜視図である。
的形状を示す斜視図である。
【図４】この発明の第３の実施形態の一部を示す断面図
である。
である。
【図５】この発明の第３の実施形態の一部を示す断面図
である。
である。
【図６】この発明の第３の実施形態の一部を示す断面図
である。
である。
【図７】この発明の第３の実施形態による付着物除去状
況を示す断面図である。
況を示す断面図である。
１６ 半導体基板 １８ 純水槽 １８ａ 純水 １９ 液体窒素槽 １９ａ 液体窒素 ３１ 槽 ３２ 液体窒素 ３３ 超音波振動子 ３９ 半導体基板 ５１ 第１槽 ５２ 第２槽 ５３ 第３槽 ５４ 液体窒素 ５５ 半導体基板 ５６ 超音波振動子
Claims (1)
- 【請求項１】 液化窒素を半導体基板に吹きつけること
により、前記基板の表面を洗浄することを特徴とする洗
浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001027706A JP3357037B2 (ja) | 1990-08-31 | 2001-02-05 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-228359 | 1990-08-31 | ||
| JP22835990 | 1990-08-31 | ||
| JP2001027706A JP3357037B2 (ja) | 1990-08-31 | 2001-02-05 | 半導体基板の洗浄方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24428591A Division JP3249551B2 (ja) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | 洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274135A true JP2001274135A (ja) | 2001-10-05 |
| JP3357037B2 JP3357037B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=26528203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001027706A Expired - Fee Related JP3357037B2 (ja) | 1990-08-31 | 2001-02-05 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3357037B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7264679B2 (en) | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
| JP2018026432A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 東芝メモリ株式会社 | 基板の洗浄方法および基板処理装置 |
| CN111906077A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-11-10 | 广州国显科技有限公司 | 清洗装置 |
-
2001
- 2001-02-05 JP JP2001027706A patent/JP3357037B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7264679B2 (en) | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
| JP2018026432A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 東芝メモリ株式会社 | 基板の洗浄方法および基板処理装置 |
| US10692715B2 (en) | 2016-08-09 | 2020-06-23 | Toshiba Memory Corporation | Method for cleaning substrate and substrate processing apparatus |
| US11264233B2 (en) | 2016-08-09 | 2022-03-01 | Kioxia Corporation | Method for cleaning substrate and substrate processing apparatus |
| CN111906077A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-11-10 | 广州国显科技有限公司 | 清洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3357037B2 (ja) | 2002-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2696017B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JP3274389B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| US20040055621A1 (en) | Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy | |
| JPH06103678B2 (ja) | 半導体基板の加工方法 | |
| KR920003879B1 (ko) | 반도체기판의 표면처리방법 | |
| JP2002093765A (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
| US20100319726A1 (en) | Substrate preparation using megasonic coupling fluid meniscus | |
| JP3380021B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JP3357037B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3249551B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH07159980A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| US7147721B2 (en) | Apparatus and method for cleaning electronic packages | |
| KR102637827B1 (ko) | 기판 처리 시스템 | |
| JP3937698B2 (ja) | 洗浄方法および液晶装置の製造方法 | |
| JPH05308067A (ja) | 超音波洗浄装置および方法 | |
| JP2003503830A (ja) | 化学的膜洗浄及び乾燥 | |
| JP2002009033A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
| KR102379163B1 (ko) | 제1 세정 장치, 이를 포함하는 세정 장비 및 방법 | |
| JP2767165B2 (ja) | ウエーハ洗浄槽 | |
| JPH0195521A (ja) | 洗浄方法および装置 | |
| KR20020051405A (ko) | 웨이퍼 세정 방법 | |
| JPH0756323A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JPH01278310A (ja) | 半導体ウェハーのダイシング方法 | |
| JP2003163195A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH05175184A (ja) | ウエハの洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081004 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |