JP2001269790A - レーザ加工方法及び加工装置 - Google Patents

レーザ加工方法及び加工装置

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JP2001269790A JP2000086109A JP2000086109A JP2001269790A JP 2001269790 A JP2001269790 A JP 2001269790A JP 2000086109 A JP2000086109 A JP 2000086109A JP 2000086109 A JP2000086109 A JP 2000086109A JP 2001269790 A JP2001269790 A JP 2001269790A
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史郎 浜田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工速度の向上を図ることができると共に、
光学系の位置的な制約をできるだけ受けずに済むような
レーザ加工装置を提供すること。 【解決手段】 レーザ発振器1からのレーザ光を第1の
偏光成分と第2の偏光成分とに分光する偏光ビームスプ
リッタ2と、第1の偏光成分をワーク3上の所望の位置
に照射するように二軸方向に振らせるためのガルバノス
キャナ4と、第2の偏光成分をワーク上の所定の位置に
照射するように二軸方向に振らせるためのガルバノスキ
ャナ5と、第1の偏光成分を偏光ビームスプリッタ6に
おいて虚像として投影させるためのコリメートレンズ7
と、第2の偏光成分を偏光ビームスプリッタ6において
虚像として投影させるためのコリメートレンズ8とを含
む。偏光ビームスプリッタ6は、コリメートレンズ7、
8からの第1、第2の偏光成分を共通の光路上にあるよ
うに重ね、2種類のレーザ光を出射する。fθレンズ9
は、偏光ビームスプリッタ6からの2種類のレーザ光を
ワークに照射する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ加工方法及び
加工装置に関し、特に穴あけ加工を主目的とし、その加
工速度を向上させることができるように改良されたレー
ザ加工方法及び加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】穴あけ加工を主目的としたレーザ加工装
置は、ワークを搭載するステージをX軸方向、Y軸方向
に水平移動可能な、いわゆるX−Yステージを備えたも
のが一般的である。このレーザ加工装置は、X−Yステ
ージによりワークを移動させることでパルス状のレーザ
ビームの照射位置を変える。このため、X−Yステージ
によるポジショニングに時間がかかり、加工速度に制限
がある。便宜上、このレーザ加工装置を第1の方式と呼
ぶ。
【0003】これに対し、ガルバノスキャナを用いてレ
ーザビームを振らせることで加工速度の向上を図ったレ
ーザ加工装置が提供されている。簡単に説明すると、レ
ーザ発振器から出力されたレーザビームを、その断面形
状を規定するためのマスクを通したうえでX−Yガルバ
ノスキャナに導く。X−Yガルバノスキャナは、良く知
られているように、入射したレーザビームを加工領域に
配置されたワーク上においてX軸方向に振らせるための
X軸ガルバノミラーと、Y軸方向に振らせるためのY軸
ガルバノミラーとから成る。このようなX−Yガルバノ
スキャナにより、レーザ光はfθレンズを通してワーク
上に設定された所定領域の全域にわたるように振られ
る。なお、ワークはX軸方向、Y軸方向に可動のX−Y
ステージに搭載されている。便宜上、このレーザ加工装
置を第2の方式と呼ぶ。
【0004】この第2の方式では、ワーク上の所定領域
に対してレーザ光を振らせることで加工を行った後、X
−Yステージにより次のワークを加工領域に配置する。
このような第2の方式によれば、X−Yガルバノスキャ
ナとX−Yステージとの組み合わせにより加工速度の向
上を図ることができるが、加工面積に制約がある。加工
面積を広くするにはfθレンズの径を大きくすれば良い
が、大口径のfθレンズは高価格であるので、コスト上
の問題が生ずる。
【0005】これに対し、本発明者は、上記第2の方式
の問題点を解消することのできるレーザ加工装置を提案
(特開平8−141769号)した。これを図8を参照
して説明する。
【0006】図8において、図示しないレーザ発振器か
らのパルス状のレーザ光をマスク20を通し、ハーフミ
ラー21で分岐する。ハーフミラー21の透過光はダイ
クロイックミラー22に導く。ハーフミラー21、ダイ
クロイックミラー22の反射光はそれぞれ、それらの下
方に配置されたミラー23、24に導かれる。
【0007】本加工装置においては、ミラー23の反射
光は、第1のX−Yガルバノスキャナを構成する第1、
第2のガルバノミラー26、27を介してfθレンズ2
5の半分の領域に導入する。一方、ミラー24の反射光
は、第2のX−Yガルバノスキャナを構成する第3、第
4のガルバノミラー28、29を介してfθレンズ25
の残り半分の領域に導入するようにしている。このよう
にするには、第1、第3のガルバノミラー26、28
を、fθレンズ25の入射側において中心軸に関して対
称に配置し、第2、第4のガルバノミラー27、29も
同様に対称配置とすれば良い。
【0008】fθレンズ25の直下領域には2等分され
た第1、第2のフィールドF1、F2が設定され、それ
ぞれのフィールドにワーク31、32が配置される。こ
れらのワーク31、32は同時に加工される。勿論、第
1、第2のフィールドF1、F2に対応する大きさのワ
ークを配置して1つのワークを同時に半分ずつ加工する
場合もある。ワーク31、32はX−Yステージ33上
に載置されている。
【0009】ハーフミラー21、ダイクロイックミラー
22の上方にはそれぞれ、第1のレンズ35と第1のC
CDカメラ36とによる第1のアライメント系と第2の
レンズ37と第2のCCDカメラ38とによる第2のア
ライメント系とが配置されている。
【0010】第1、第2のガルバノミラー26、27と
第3、第4のガルバノミラー28、29の組み合わせ
は、図示しない制御装置により同じ動きとなるように駆
動制御される。X−Yステージ33もまた、制御装置に
よりレーザ加工の終了後にワークを移動させるために駆
動され、X軸方向、Y軸方向に水平移動する。
【0011】ワーク31、32に対する加工位置は制御
装置から各ガルバノミラーに与えられる回転角度の指令
値によって決まり、規則正しく配列される穴にとどまら
ず、不規則な配列の穴、更には文字、記号のような刻印
加工も可能である。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記提案によるレーザ
加工装置は、第2の方式に比べて加工速度が少なくとも
2倍となるが、第1、第3のガルバノミラー26、2
8、第2、第3のガルバノミラー27、29を互いに対
称な位置であって、しかもfθレンズ25の上方にコン
パクトにまとめて配置しなければならないというような
位置的な制約がある。特に、第1、第2のガルバノスキ
ャナは、fθレンズ25の瞳位置に設計位置として配置
されるのが最も好ましい。しかしながら、第1、第2の
ガルバノスキャナは、各ガルバノミラーが機械的に干渉
しないように配置する必要があるため、設計位置からず
らさざるを得ないという問題点がある。
【0013】それ故、本発明の課題は加工速度の向上を
実現できると共に、光学系、特にガルバノスキャナの位
置的な制約をできるだけ受けずに済むようなレーザ加工
方法及び加工装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザ加工
方法は、レーザ発振器からのレーザ光を第1の偏光ビー
ムスプリッタにより第1の偏光成分と第2の偏光成分と
に分け、前記第1の偏光成分を第1のガルバノスキャナ
に導き、前記第2の偏光成分を第2のガルバノスキャナ
に導き、前記第1のガルバノスキャナ、前記第2のガル
バノスキャナからのレーザ光をそれぞれ、第2の偏光ビ
ームスプリッタに導入して2種類のレーザ光を共通の光
路上にあるように重ね合わせ、該第2の偏光ビームスプ
リッタからの2種類のレーザ光をそれぞれfθレンズを
通して被加工部材の異なる位置に照射して同時加工を行
うことを特徴とする。
【0015】本発明によるレーザ加工装置は、レーザ発
振器と、該レーザ発振器からのレーザ光を第1の偏光成
分と第2の偏光成分とに分ける第1の偏光ビームスプリ
ッタと、前記第1の偏光成分を被加工部材上の所望の位
置に照射するように少なくとも一軸方向に振らせるため
の第1のガルバノスキャナと、前記第2の偏光成分を前
記被加工部材上の所定の位置に照射するように少なくと
も一軸方向に振らせるための第2のガルバノスキャナ
と、前記第1、第2のガルバノスキャナからの前記第
1、第2の偏光成分を共通の光路上にあるように重ね合
わせて2種類のレーザ光を出射するための前記第2の偏
光ビームスプリッタと、該第2の偏光ビームスプリッタ
からの2種類のレーザ光を前記被加工部材に照射するた
めのfθレンズとを含むことを特徴とする。
【0016】なお、前記第1、第2のガルバノスキャナ
は前記第1、第2の偏光成分をそれぞれ、互いに直交す
る二軸方向に振らせるものである。
【0017】また、前記第1の偏光ビームスプリッタに
おける前記第1、第2の偏光成分の出射側にそれぞれレ
ーザ光の断面形状を規定するための第1、第2のマスク
が配置されていることが好ましい。
【0018】更に、前記第1の偏光ビームスプリッタの
入射側、前記第2の偏光ビームスプリッタの出射側にそ
れぞれ直線偏光を円偏光に変換するための第1、第2の
光学手段が配置されていても良い。
【0019】本発明によるレーザ加工装置の具体的な第
1の形態においては、前記第1のガルバノスキャナから
の前記第1の偏光成分を前記第2の偏光ビームスプリッ
タ内に虚像として投影させるための第1のコリメートレ
ンズと、前記第2のガルバノスキャナからの前記第2の
偏光成分を前記第2の偏光ビームスプリッタ内に虚像と
して投影させるための第2のコリメートレンズとを更に
備え、前記第1、第2のガルバノスキャナがそれぞれ、
前記fθレンズの入射瞳位置に配置される。
【0020】具体的な第2の形態においては、前記第
1、第2のガルバノスキャナがそれぞれ、前記fθレン
ズの入射瞳位置に配置される。
【0021】具体的な第3の形態においては、前記第1
のガルバノスキャナと前記第2の偏光ビームスプリッタ
との間、前記第2のガルバノスキャナと前記第2の偏光
ビームスプリッタとの間にそれぞれ第1、第2のコリメ
ートレンズを配置して、該第1、第2のコリメートレン
ズからのレーザ光がそれぞれ常に一定角度で前記第2の
偏光ビームスプリッタに入射するようにし、前記第2の
偏光ビームスプリッタと前記fθレンズとの間にレンズ
を配置して前記第1、第2のガルバノスキャナからのレ
ーザ光が前記fθレンズの入射瞳位置で虚像を形成する
ようにされる。
【0022】上記のいずれの形態においても、前記第1
のガルバノスキャナの入射側に第3のコリメートレンズ
が配置され、前記第2のガルバノスキャナの入射側には
第4のコリメートレンズが配置されていても良い。
【0023】
【発明の実施の形態】図1を参照して、本発明によるレ
ーザ加工装置の第1の実施の形態について説明する。図
1において、本レーザ加工装置は、レーザ発振器1と、
レーザ発振器1からのレーザ光を第1の偏光成分、例え
ばP波偏光成分と、第2の偏光成分、例えばS波偏光成
分とに分ける第1の偏光ビームスプリッタ2とを有す
る。第1の偏光ビームスプリッタ2は、周知のように、
P波偏光成分を透過させ、S波偏光成分を反射させる性
質を持つ。本レーザ加工装置はまた、第1の偏光ビーム
スプリッタ2からの第1の偏光成分をワーク3上の所望
の位置に照射するように振らせるための第1のガルバノ
スキャナ4と、第1の偏光ビームスプリッタ2からの第
2の偏光成分をワーク3上の所定の位置に照射するよう
に振らせるための第2のガルバノスキャナ5と、第1の
ガルバノスキャナ4からの第1の偏光成分を第2の偏光
ビームスプリッタ6内において虚像として投影させるた
めの第1のコリメートレンズ7と、第2のガルバノスキ
ャナ5からの第2の偏光成分を第2の偏光ビームスプリ
ッタ7内において虚像として投影させるための第2のコ
リメートレンズ8と、第1、第2のコリメートレンズ
7、8からの第1、第2の偏光成分を共通の光路上にあ
るように重ね合わせ、第1、第2のレーザ光を出射する
ための第2の偏光ビームスプリッタ7と、第2の偏光ビ
ームスプリッタ6からの2種類のレーザ光をワーク3に
照射するためのfθレンズ9とを含む。
【0024】通常、第1のガルバノスキャナ4による前
記所望の位置と、第2のガルバノスキャナ5による前記
所望の位置とは異なる位置であるが、同じ位置に照射さ
れる場合もあり得る。
【0025】ここで、図1においては、第1、第2のガ
ルバノスキャナ4、5はそれぞれ、ガルバノミラー1つ
で象徴的に示されているが、本形態では図8で説明した
ように、入射レーザ光を互いに直交するX軸方向及びY
軸方向の二軸方向に振らせることができる、いわゆるX
−Yガルバノスキャナが用いられる。しかし、場合によ
っては、第1、第2のガルバノスキャナ4、5はそれぞ
れ、ガルバノミラーを1つだけ備えることにより入射レ
ーザ光を一軸方向のみに振らせるものが用いられる場合
もある。
【0026】第1の偏光ビームスプリッタ2における第
1、第2の偏光成分の出射側にそれぞれレーザ光の断面
形状を規定するための第1、第2のマスク11、12が
配置されている。第1、第2のマスク11、12はそれ
ぞれ、通常、円形の通過穴を持ち、断面形状における周
辺部分、すなわちエネルギー強度の低い部分をカットし
て断面形状におけるエネルギー密度分布が均一になるよ
うにする。
【0027】また、第1のガルバノスキャナ4の入射側
に第3のコリメートレンズ13が配置され、第2のガル
バノスキャナ5の入射側には第4のコリメートレンズ1
4が配置されている。第3、第4のコリメートレンズ1
3、14は、入射するレーザ光のビーム径が拡大しよう
とするのを抑制するためのものである。
【0028】更に、第1の偏光ビームスプリッタ2の入
射側に第1の(1/4)λ板15が配置され、第2の偏
光ビームスプリッタ6の出射側に第2の(1/4)λ板
16が配置されている。第1の(1/4)λ板15は、
レーザ発振器1からのレーザ光がS波偏光成分、P波偏
光成分を持つ直線偏光であり、この直線偏光を円偏光に
変換するためのものであり、位相板とも呼ばれる。すな
わち、S波偏光成分、P波偏光成分の間に位相差を与え
ることにより直線偏光を円偏光に変換したり、円偏光を
直線偏光に変換するもので、第1の偏光ビームスプリッ
タ2において分光された第1、第2の偏光成分のエネル
ギー密度が1:1になるようにするためのものである。
なお、第1の偏光ビームスプリッタ2から出射される第
1、第2の偏光成分は直線偏光となっている。一方、第
2の(1/4)λ板16は、第2の偏光ビームスプリッ
タ6からの直線偏光を円偏光に変換するためのものであ
る。なお、ワーク3は、X−Yステージ17上に搭載さ
れている。
【0029】図2は、図1の構成において、レーザ発振
器1からのレーザ光が第1の(1/4)λ板15に入射
してから第2の(1/4)λ板16を経由してワーク3
に照射されるまでの偏光形態を示している。図2中、円
形で示した成分がP波偏光成分を示し、直線で示した成
分がS波偏光成分を示している。
【0030】本形態においては、特に第1、第2のコリ
メートレンズ7、8を用いて第2の偏光ビームスプリッ
タ6に入射した2種類のレーザ光が第2の偏光ビームス
プリッタ6中内において虚像を結ぶようにし、第1、第
2のガルバノスキャナ4、5からのレーザ光が互いに干
渉しないように合成している点に特徴を有する。しか
も、第1、第2のガルバノスキャナ4、5をそれぞれ、
fθレンズ9の瞳位置に配置し、第2の偏光ビームスプ
リッタ6からの2種類のレーザ光を円偏光にしたうえで
fθレンズ9を通すことで、2種類のレーザ光はワーク
3上に焦点を結ぶように照射される。そして、ワーク3
に対する、例えば穴あけ加工を2種類のレーザ光で同時
に行うことができる。厳密に言えば、第1のガルバノス
キャナ4からのレーザ光はfθレンズ9の図1中左側の
領域に入射し、第2のガルバノスキャナ5からのレーザ
光はfθレンズ9の図1中右側の領域に入射する。
【0031】穴あけのパターン(形成された穴の配置パ
ターン)はまったく同じでも異なっていても良い。すな
わち、第1、第2のガルバノスキャナ4、5に対する制
御を同じにすれば同じパターンの穴あけが行われるし、
異なる制御を行うようにすれば異なったパターンの穴あ
けが行われることになる。また、図1ではワーク3は1
つであるが、2つのワークに対して同じパターンの穴あ
けあるいは異なったパターンの穴あけを行うようにして
も良い。
【0032】上記のように、レーザ発振器1からのレー
ザ光を第1の偏光ビームスプリッタ2で2分岐して第
1、第2のガルバノスキャナ4、5に入射させ、第1、
第2のガルバノスキャナ4、5からのレーザ光を第1、
第2のコリメートレンズ7、8により第2の偏光ビーム
スプリッタ6に虚像として投影させていることにより、
第1、第2のガルバノスキャナ4、5の機械的干渉を避
けながらこれらをfθレンズ9の瞳位置に配置すること
ができる。
【0033】図3は、第1の偏光ビームスプリッタ2か
らの直線偏光による第1の偏光成分、すなわちP偏光成
分のレーザ光が第2の偏光ビームスプリッタ6を経由
し、更に第2の(1/4)λ板16で円偏光に変換され
てfθレンズ9に入射する過程を示している。
【0034】また、図4、図5は、ワーク3に照射され
たS偏光成分の一部がそこで反射されて逆の経路で戻る
場合について示している。すなわち、ワーク3で反射さ
れた円偏光によるS偏光成分は第2の(1/4)λ板1
6で直線偏光に変換され、第2の偏光ビームスプリッタ
6で反射されて第2のガルバノスキャナ5の各ガルバノ
ミラーを経由して第1の偏光ビームスプリッタ2に戻る
光路が形成される場合がある。しかしながら、本形態で
は、第2のマスク12があるので、このような戻り光は
第2のマスク12でカットされる。したがって、ワーク
3からの戻り光がレーザ発振器1に到達して悪影響を及
ぼすようなことは無い。これは、後述する第2、第3の
実施の形態でも同じである。
【0035】ところで、fθレンズ9は、そこに入射す
るレーザ光がその中心軸に平行に入射すると、fθレン
ズ9から出射されるレーザ光はワーク3の水平面に対し
てある角度を持って照射される傾向がある。そして、レ
ーザ光がワーク3に対してある角度を持って入射する
と、照射されるレーザ光のパターンが円形ではなく楕円
形に変形してしまう。これは、ワーク3に形成される穴
の形状が真円ではなく楕円形になってしまうことを意味
する。しかしながら、本形態においては、第2の偏光ビ
ームスプリッタ6からの2つのレーザ光はそれぞれ、f
θレンズ9の中心軸に平行ではなく斜めに入射される。
このように斜めに入射したレーザ光はfθレンズ9によ
りその中心軸に平行になるように出射される。このこと
により、ワーク3には真円に近い穴あけを行うことがで
きる。
【0036】図6を参照して、本発明の第2の実施の形
態について説明する。本形態においても、第1、第2の
ガルバノスキャナ4、5がそれぞれ、fθレンズ9の入
射瞳位置に配置されている。図1の第1の形態との違い
は、第1、第2のコリメートレンズ7、8が省略されて
いる点にある。その他の要素は第1の形態と同じである
が、作用的には第1の形態に比べれば2種類のレーザ光
の間に干渉を発生する場合がある。
【0037】図7を参照して、本発明の第3の実施の形
態について説明する。本形態は、構成要素は図1に示さ
れた第1の実施の形態とほぼ同じであるが、第1、第2
のコリメートレンズ7、8からのレーザ光がそれぞれ常
に一定角度で第2の偏光ビームスプリッタ6に入射する
ようにしている。更に、第2の(1/4)λ板16とf
θレンズ9との間にレンズ18を配置して第1、第2の
ガルバノスキャナ4、5からのレーザ光がfθレンズ9
の入射瞳位置で虚像を形成するようにしている。このよ
うな形態によれば、第2の偏光ビームスプリッタ6には
第1、第2のガルバノスキャナ4、5からのレーザ光が
どのように振られようとも常に同じ入射角度で入射する
ので、透過率などの変化が生じない点において第1の実
施の形態によりも優れている。
【0038】なお、本発明において使用されるレーザ発
振器のタイプは、特に制限されるものではないが、例え
ばCO2 レーザ発振器、YAGレーザ発振器あるいはそ
の第2、第3高調波、YLFレーザ発振器あるいはその
第2、第3高調波等が適している。また、加工対称とな
るワークは、プリント配線基板における樹脂層やセラミ
ック基板等があげられ、加工も穴あけ加工に限るもので
はない。
【0039】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば1つのfθレンズに2種類のレーザ光を入射させて同
時加工を行うことで加工速度の向上を図り、しかもfθ
レンズの入射側に偏光ビームスプリッタを配置したこと
によりガルバノスキャナ等の光学系要素の位置的な制約
をできるだけ受けずに済むようなレーザ加工装置を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態によるレーザ加工装
置の要部構成を概略的に示した図である。
【図2】図1の構成におけるP波偏光成分、S波偏光成
分の光路及び第1、第2の(1/4)λ板の作用につい
て説明するための図である。
【図3】図1の構成における第2の偏光ビームスプリッ
タの作用をP波偏光成分について説明するための図であ
る。
【図4】図1の構成におけるワークからの反射光の経路
をS波偏光成分について説明するための図である。
【図5】図4に示されたワークからの反射光のS波偏光
成分に対して第2のマスクが果たす付加的な機能を説明
するための図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態によるレーザ加工装
置の要部構成を概略的に示した図である。
【図7】本発明の第3の実施の形態によるレーザ加工装
置の要部構成を概略的に示した図である。
【図8】本発明者により提案されている方式によるレー
ザ加工装置の要部構成を概略的に示した図である。
【符号の説明】
1 レーザ発振器 2 第1の偏光ビームスプリッタ 3、31、32 ワーク 4、26 第1のガルバノスキャナ 5、27 第2のガルバノスキャナ 6 第2の偏光ビームスプリッタ 7、8、13、14 コリメートレンズ 9、25 fθレンズ 11、12、20 マスク 15、16 (1/4)λ板 17、33 X−Yステージ 18 レンズ 21 ハーフミラー 22 ダイクロイックミラー 23、24 ミラー 28 第3のガルバミラー 29 第4のガルバノスキャナ 36 第1のCCDカメラ 38 第2のCCDカメラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑原 尚 神奈川県平塚市夕陽ヶ丘63番30号 住友重 機械工業株式会社平塚事業所内 Fターム(参考) 4E068 CB10 CD03 CD06 CD08 CD13

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ発振器からのレーザ光を第1の偏
    光ビームスプリッタにより第1の偏光成分と第2の偏光
    成分とに分け、前記第1の偏光成分を第1のガルバノス
    キャナに導き、前記第2の偏光成分を第2のガルバノス
    キャナに導き、前記第1のガルバノスキャナ、前記第2
    のガルバノスキャナからのレーザ光をそれぞれ、第2の
    偏光ビームスプリッタに導入して2種類のレーザ光を共
    通の光路上にあるように重ね合わせ、該第2の偏光ビー
    ムスプリッタからの2種類のレーザ光をそれぞれfθレ
    ンズを通して被加工部材の異なる位置に照射して同時加
    工を行うことを特徴とするレーザ加工方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のレーザ加工方法におい
    て、前記第1のガルバノスキャナと前記第2の偏光ビー
    ムスプリッタとの間、前記第2のガルバノスキャナと前
    記第2の偏光ビームスプリッタとの間にそれぞれ、第
    1、第2のコリメートレンズを配置して、前記第1、第
    2のガルバノスキャナからのレーザ光が前記第2の偏光
    ビームスプリッタの内部で虚像を形成するようにし、前
    記第1、第2のガルバノスキャナをそれぞれ、前記fθ
    レンズの入射瞳位置に配置したことを特徴とするレーザ
    加工方法。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のレーザ加工方法におい
    て、前記第1、第2のガルバノスキャナをそれぞれ、前
    記fθレンズの入射瞳位置に配置したことを特徴とする
    レーザ加工方法。
  4. 【請求項4】 請求項1記載のレーザ加工方法におい
    て、前記第1のガルバノスキャナと前記第2の偏光ビー
    ムスプリッタとの間、前記第2のガルバノスキャナと前
    記第2の偏光ビームスプリッタとの間にそれぞれ、第
    1、第2のコリメートレンズを配置して、該第1、第2
    のコリメートレンズからのレーザ光がそれぞれ常に一定
    角度で前記第2の偏光ビームスプリッタに入射するよう
    にし、前記第2の偏光ビームスプリッタと前記fθレン
    ズとの間にレンズを配置して前記第1、第2のガルバノ
    スキャナからのレーザ光が前記fθレンズの入射瞳位置
    で虚像を形成するようにしたことを特徴とするレーザ加
    工方法。
  5. 【請求項5】 レーザ発振器と、 該レーザ発振器からのレーザ光を第1の偏光成分と第2
    の偏光成分とに分ける第1の偏光ビームスプリッタと、 前記第1の偏光成分を被加工部材上の所望の位置に照射
    するように少なくとも一軸方向に振らせるための第1の
    ガルバノスキャナと、 前記第2の偏光成分を前記被加工部材上の所定の位置に
    照射するように少なくとも一軸方向に振らせるための第
    2のガルバノスキャナと、 前記第1、第2のガルバノスキャナからの前記第1、第
    2の偏光成分を共通の光路上にあるように重ね合わせて
    2種類のレーザ光を出射するための前記第2の偏光ビー
    ムスプリッタと、 該第2の偏光ビームスプリッタからの2種類のレーザ光
    を前記被加工部材に照射するためのfθレンズとを含む
    ことを特徴とするレーザ加工装置。
  6. 【請求項6】 請求項5記載のレーザ加工装置におい
    て、前記第1、第2のガルバノスキャナは前記第1、第
    2の偏光成分をそれぞれ、互いに直交する二軸方向に振
    らせるものであることを特徴とするレーザ加工装置。
  7. 【請求項7】 請求項5あるいは6記載のレーザ加工装
    置において、前記第1の偏光ビームスプリッタにおける
    前記第1、第2の偏光成分の出射側にそれぞれレーザ光
    の断面形状を規定するための第1、第2のマスクが配置
    されていることを特徴とするレーザ加工装置。
  8. 【請求項8】 請求項5〜6のいずれかに記載のレーザ
    加工装置において、前記第1の偏光ビームスプリッタの
    入射側、前記第2の偏光ビームスプリッタの出射側にそ
    れぞれ直線偏光を円偏光に変換するための第1、第2の
    光学手段が配置されていることを特徴とするレーザ加工
    装置。
  9. 【請求項9】 請求項8記載のレーザ加工装置におい
    て、 前記第1のガルバノスキャナからの前記第1の偏光成分
    を前記第2の偏光ビームスプリッタ内に虚像として投影
    させるための第1のコリメートレンズと、 前記第2のガルバノスキャナからの前記第2の偏光成分
    を前記第2の偏光ビームスプリッタ内に虚像として投影
    させるための第2のコリメートレンズとを更に備え、 前記第1、第2のガルバノスキャナをそれぞれ、前記f
    θレンズの入射瞳位置に配置したことを特徴とするレー
    ザ加工装置。
  10. 【請求項10】 請求項8記載のレーザ加工装置におい
    て、前記第1、第2のガルバノスキャナをそれぞれ、前
    記fθレンズの入射瞳位置に配置したことを特徴とする
    レーザ加工装置。
  11. 【請求項11】 請求項8記載のレーザ加工装置におい
    て、 前記第1のガルバノスキャナと前記第2の偏光ビームス
    プリッタとの間、前記第2のガルバノスキャナと前記第
    2の偏光ビームスプリッタとの間にそれぞれ第1、第2
    のコリメートレンズを配置して、該第1、第2のコリメ
    ートレンズからのレーザ光がそれぞれ常に一定角度で前
    記第2の偏光ビームスプリッタに入射するようにし、 前記第2の偏光ビームスプリッタと前記fθレンズとの
    間にレンズを配置して前記第1、第2のガルバノスキャ
    ナからのレーザ光が前記fθレンズの入射瞳位置で虚像
    を形成するようにしたことを特徴とするレーザ加工装
    置。
  12. 【請求項12】 請求項9〜11のいずれかに記載のレ
    ーザ加工装置において、前記第1のガルバノスキャナの
    入射側に第3のコリメートレンズが配置され、前記第2
    のガルバノスキャナの入射側には第4のコリメートレン
    ズが配置されていることを特徴とするレーザ加工装置。
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1271219A1 (en) * 2001-06-19 2003-01-02 Nanovia, LP Laser beam delivery system with trepanning module
WO2003041904A1 (fr) * 2001-11-15 2003-05-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil d'usinage a faisceau laser
JP2004276063A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ加工装置
US6849824B2 (en) * 2002-12-26 2005-02-01 Hitachi Via Mechanics, Ltd. Multibeam laser drilling apparatus
JP2006326603A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工装置
US7245412B2 (en) 2001-02-16 2007-07-17 Electro Scientific Industries, Inc. On-the-fly laser beam path error correction for specimen target location processing
US7289549B2 (en) 2004-12-09 2007-10-30 Electro Scientific Industries, Inc. Lasers for synchronized pulse shape tailoring
US7425471B2 (en) 2004-06-18 2008-09-16 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset
US7435927B2 (en) 2004-06-18 2008-10-14 Electron Scientific Industries, Inc. Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset
DE102008027891A1 (de) * 2008-03-12 2009-04-23 Rofin Sinar Laser Gmbh Vorrichtung zum simultanen Laserbearbeiten eines oder einer Mehrzahl von Bauteilen
JP2009106979A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
US7629234B2 (en) 2004-06-18 2009-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling
US7633034B2 (en) 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7666759B2 (en) 2002-03-27 2010-02-23 Gsi Lumonics Corporation Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
US7687740B2 (en) 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
KR100955149B1 (ko) 2007-05-28 2010-04-28 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
KR100955150B1 (ko) 2007-11-21 2010-04-28 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
JP2010260063A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置
US7935941B2 (en) 2004-06-18 2011-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures
KR101053978B1 (ko) 2008-10-08 2011-08-04 주식회사 이오테크닉스 편광 특성을 이용한 레이저 가공 장치
US8383982B2 (en) 2004-06-18 2013-02-26 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US8497450B2 (en) 2001-02-16 2013-07-30 Electro Scientific Industries, Inc. On-the fly laser beam path dithering for enhancing throughput
JP2013255944A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Disco Corp レーザー加工装置
US8809734B2 (en) 2001-03-29 2014-08-19 Electron Scientific Industries, Inc. Methods and systems for thermal-based laser processing a multi-material device
CN106918920A (zh) * 2017-04-20 2017-07-04 长春理工大学 利用偏振co2激光干涉加工镜片防雾结构的装置与方法
WO2017126363A1 (ja) * 2016-01-18 2017-07-27 三菱電機株式会社 レーザ光のためのパワーバランス装置、レーザ加工装置
DE102021106407A1 (de) 2021-03-16 2022-09-22 Carl Zeiss Meditec Ag Strahlteilungsvorrichtung, ophthalmologisches Lasertherapiesystem, Verfahren zum Scannen eines Patientenauges und Verfahren zum Aufteilen

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8238007B2 (en) 2001-02-16 2012-08-07 Electro Scientific Industries, Inc. On-the-fly laser beam path error correction for specimen target location processing
US7245412B2 (en) 2001-02-16 2007-07-17 Electro Scientific Industries, Inc. On-the-fly laser beam path error correction for specimen target location processing
US8497450B2 (en) 2001-02-16 2013-07-30 Electro Scientific Industries, Inc. On-the fly laser beam path dithering for enhancing throughput
US8809734B2 (en) 2001-03-29 2014-08-19 Electron Scientific Industries, Inc. Methods and systems for thermal-based laser processing a multi-material device
EP1271219A1 (en) * 2001-06-19 2003-01-02 Nanovia, LP Laser beam delivery system with trepanning module
WO2003041904A1 (fr) * 2001-11-15 2003-05-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil d'usinage a faisceau laser
US6984802B2 (en) 2001-11-15 2006-01-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser beam machining device
US7666759B2 (en) 2002-03-27 2010-02-23 Gsi Lumonics Corporation Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
US6849824B2 (en) * 2002-12-26 2005-02-01 Hitachi Via Mechanics, Ltd. Multibeam laser drilling apparatus
CN1319695C (zh) * 2002-12-26 2007-06-06 日立比亚机械股份有限公司 多束激光开孔加工装置
JP2004276063A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ加工装置
JP4662411B2 (ja) * 2003-03-14 2011-03-30 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ加工装置
US7425471B2 (en) 2004-06-18 2008-09-16 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset
US8383982B2 (en) 2004-06-18 2013-02-26 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US7629234B2 (en) 2004-06-18 2009-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling
US7633034B2 (en) 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7435927B2 (en) 2004-06-18 2008-10-14 Electron Scientific Industries, Inc. Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset
US7687740B2 (en) 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
US7935941B2 (en) 2004-06-18 2011-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures
US7923306B2 (en) 2004-06-18 2011-04-12 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US7301981B2 (en) 2004-12-09 2007-11-27 Electro Scientific Industries, Inc. Methods for synchronized pulse shape tailoring
US7289549B2 (en) 2004-12-09 2007-10-30 Electro Scientific Industries, Inc. Lasers for synchronized pulse shape tailoring
JP2006326603A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工装置
KR100955149B1 (ko) 2007-05-28 2010-04-28 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
JP2009106979A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
KR100955150B1 (ko) 2007-11-21 2010-04-28 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
DE102008027891A1 (de) * 2008-03-12 2009-04-23 Rofin Sinar Laser Gmbh Vorrichtung zum simultanen Laserbearbeiten eines oder einer Mehrzahl von Bauteilen
KR101053978B1 (ko) 2008-10-08 2011-08-04 주식회사 이오테크닉스 편광 특성을 이용한 레이저 가공 장치
JP2010260063A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置
JP2013255944A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Disco Corp レーザー加工装置
WO2017126363A1 (ja) * 2016-01-18 2017-07-27 三菱電機株式会社 レーザ光のためのパワーバランス装置、レーザ加工装置
TWI620384B (zh) * 2016-01-18 2018-04-01 三菱電機股份有限公司 雷射光用之功率平衡裝置及雷射加工裝置
JPWO2017126363A1 (ja) * 2016-01-18 2018-05-24 三菱電機株式会社 レーザ光のためのパワーバランス装置、レーザ加工装置
CN108475895A (zh) * 2016-01-18 2018-08-31 三菱电机株式会社 用于激光的功率平衡装置、激光加工装置
CN106918920A (zh) * 2017-04-20 2017-07-04 长春理工大学 利用偏振co2激光干涉加工镜片防雾结构的装置与方法
CN106918920B (zh) * 2017-04-20 2023-02-07 长春理工大学 利用偏振co2激光干涉加工镜片防雾结构的装置与方法
DE102021106407A1 (de) 2021-03-16 2022-09-22 Carl Zeiss Meditec Ag Strahlteilungsvorrichtung, ophthalmologisches Lasertherapiesystem, Verfahren zum Scannen eines Patientenauges und Verfahren zum Aufteilen

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