JP2001267677A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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- JP2001267677A JP2001267677A JP2000075886A JP2000075886A JP2001267677A JP 2001267677 A JP2001267677 A JP 2001267677A JP 2000075886 A JP2000075886 A JP 2000075886A JP 2000075886 A JP2000075886 A JP 2000075886A JP 2001267677 A JP2001267677 A JP 2001267677A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器端面の反射膜へのレーザ光吸収を防止
し、ＣＯＤ劣化を起こさない半導体レーザ装置、および
それを安定に供給できる製造方法を提供する。 【解決手段】 共振器端面の後面反射膜に用いられてい
るＳｉ膜に酸素を含有させており、その酸素濃度が３０
〜６０ａｔｍ％であることを特徴とする。Ｓｉ膜は酸素
ガスを供給しながらＳｉを成膜、または予め酸素を含有
させた材料を蒸着源として成膜することにより形成す
る。これによりＳｉ膜のレーザ光に対する消衰係数を低
減し、レーザ光吸収に起因するＣＯＤ劣化を防止するこ
とができる。
し、ＣＯＤ劣化を起こさない半導体レーザ装置、および
それを安定に供給できる製造方法を提供する。 【解決手段】 共振器端面の後面反射膜に用いられてい
るＳｉ膜に酸素を含有させており、その酸素濃度が３０
〜６０ａｔｍ％であることを特徴とする。Ｓｉ膜は酸素
ガスを供給しながらＳｉを成膜、または予め酸素を含有
させた材料を蒸着源として成膜することにより形成す
る。これによりＳｉ膜のレーザ光に対する消衰係数を低
減し、レーザ光吸収に起因するＣＯＤ劣化を防止するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置お
よびその製造方法に関し、特に短波長帯における高出力
半導体レーザ装置およびその製造方法に関するものであ
る。
よびその製造方法に関し、特に短波長帯における高出力
半導体レーザ装置およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体レーザ装置の構成を
示す断面図である。ＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇ
ａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）等の結晶成長方法により、ＧａＡｓ基板１上
にレーザ発振領域となる活性層２、レーザ光及びキャリ
アを閉じ込める機能を呈するクラッド層３が形成されて
いる。また半導体レーザ装置の表面と裏面には一対の電
極４が設けられている。かかる半導体レーザ装置本体は
ウエハからバー状に劈開することにより得られ、この一
対の劈開端面が半導体レーザ装置の共振器端面となる前
端面及び後端面を構成する。
示す断面図である。ＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇ
ａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）等の結晶成長方法により、ＧａＡｓ基板１上
にレーザ発振領域となる活性層２、レーザ光及びキャリ
アを閉じ込める機能を呈するクラッド層３が形成されて
いる。また半導体レーザ装置の表面と裏面には一対の電
極４が設けられている。かかる半導体レーザ装置本体は
ウエハからバー状に劈開することにより得られ、この一
対の劈開端面が半導体レーザ装置の共振器端面となる前
端面及び後端面を構成する。
【０００３】レーザ光５が出射される前端面には、端面
反射率が４〜10％程度になるよう層厚が調整されたＡｌ
2Ｏ3膜やＳｉＯ2膜等の低反射膜６が電子ビーム蒸着法
により形成されている。また後端面には、例えば特開平
６−８５３８６号公報に開示されているような手法によ
り、Ａｌ2Ｏ3膜８とシリコン（Ｓｉ）膜１０を交互に積
層させ端面反射率が６０％以上になるような高反射膜７
が電子ビーム蒸着法により形成されている。
反射率が４〜10％程度になるよう層厚が調整されたＡｌ
2Ｏ3膜やＳｉＯ2膜等の低反射膜６が電子ビーム蒸着法
により形成されている。また後端面には、例えば特開平
６−８５３８６号公報に開示されているような手法によ
り、Ａｌ2Ｏ3膜８とシリコン（Ｓｉ）膜１０を交互に積
層させ端面反射率が６０％以上になるような高反射膜７
が電子ビーム蒸着法により形成されている。
【０００４】前記低反射膜は前端面からレーザ光を有効
に取り出すために用いられる。一方、前記高反射膜は、
一般に後端面から出射されたレーザ光は利用されること
はないので、後端面からの出射レーザ光を抑制するため
に用いられる。
に取り出すために用いられる。一方、前記高反射膜は、
一般に後端面から出射されたレーザ光は利用されること
はないので、後端面からの出射レーザ光を抑制するため
に用いられる。
【０００５】すなわち、半導体レーザ装置の前端面側に
低反射膜、後端面側に高反射膜という構成にするとレー
ザ光は専ら前端面から出射するので、かかる反射膜が無
い場合と比べ低動作電流で高い光出力を得ることがで
き、半導体レーザ装置の高効率化、長寿命化が図れるよ
うになる。
低反射膜、後端面側に高反射膜という構成にするとレー
ザ光は専ら前端面から出射するので、かかる反射膜が無
い場合と比べ低動作電流で高い光出力を得ることがで
き、半導体レーザ装置の高効率化、長寿命化が図れるよ
うになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特に発振波長
７００ｎｍ以下のいわゆる短波長帯の半導体レーザ装置
において、前述のごとく後端面の高反射膜７の構成膜と
してＳｉ膜１０を用いた場合には、後端面である確率で
瞬時光学的損傷（ＣＯＤ：Catastrophic OpticalDamag
e）が発生し、これが歩留りの低下要因となっていた。
７００ｎｍ以下のいわゆる短波長帯の半導体レーザ装置
において、前述のごとく後端面の高反射膜７の構成膜と
してＳｉ膜１０を用いた場合には、後端面である確率で
瞬時光学的損傷（ＣＯＤ：Catastrophic OpticalDamag
e）が発生し、これが歩留りの低下要因となっていた。
【０００７】ＣＯＤ劣化は、後端面反射膜７に用いられ
ているＳｉ膜１０にレーザ光が吸収され、端面領域が発
熱する結果、端面領域のバンドギャップエネルギーがそ
の温度依存性によって内部領域より小さくなり、さらに
レーザ光吸収が増大・発熱するといった悪循環によっ
て、最終的には自己発熱により結晶が融解し、端面破壊
に至ることによって生じる。
ているＳｉ膜１０にレーザ光が吸収され、端面領域が発
熱する結果、端面領域のバンドギャップエネルギーがそ
の温度依存性によって内部領域より小さくなり、さらに
レーザ光吸収が増大・発熱するといった悪循環によっ
て、最終的には自己発熱により結晶が融解し、端面破壊
に至ることによって生じる。
【０００８】本発明の目的は、端面反射膜に用いられる
Ｓｉ膜へのレーザ光吸収を防止し、ＣＯＤ劣化を起こさ
ない半導体レーザ装置、およびかかる半導体レーザ装置
を安定に供給できる製造方法を提供するものである。
Ｓｉ膜へのレーザ光吸収を防止し、ＣＯＤ劣化を起こさ
ない半導体レーザ装置、およびかかる半導体レーザ装置
を安定に供給できる製造方法を提供するものである。
【０００９】かかる問題点に鑑み、本発明者らは、鋭意
研究を行った結果、前記高反射膜を構成するＳｉ膜とし
て成膜時に酸素ガスを導入することにより得られる酸素
含有シリコン膜を用いることにより、前記問題点が解消
できる事実を発見した。
研究を行った結果、前記高反射膜を構成するＳｉ膜とし
て成膜時に酸素ガスを導入することにより得られる酸素
含有シリコン膜を用いることにより、前記問題点が解消
できる事実を発見した。
【００１０】なお、従来の成膜方法では真空チャンバー
内で蒸着源であるＳｉに電子ビームを照射し、蒸発させ
ることによりＳｉ膜１０を形成しており、チャンバー内
の残留ガス、蒸着源の脱ガス状態、防着板への膜の付着
量、真空ポンプの排気能力等の装置的要因によって成膜
中に残留酸素が偶発的にＳｉ膜１０に取り込まれる場合
もあった。しかし、かかる場合においてもＳｉ膜１０中
の含有酸素濃度はせいぜい５％以上３０ａｔｍ％未満で
あり、３０ａｔｍ％以上の高い酸素濃度を含有したＳｉ
膜を高反射膜に用いるようなことは従来全く知られてい
ない。
内で蒸着源であるＳｉに電子ビームを照射し、蒸発させ
ることによりＳｉ膜１０を形成しており、チャンバー内
の残留ガス、蒸着源の脱ガス状態、防着板への膜の付着
量、真空ポンプの排気能力等の装置的要因によって成膜
中に残留酸素が偶発的にＳｉ膜１０に取り込まれる場合
もあった。しかし、かかる場合においてもＳｉ膜１０中
の含有酸素濃度はせいぜい５％以上３０ａｔｍ％未満で
あり、３０ａｔｍ％以上の高い酸素濃度を含有したＳｉ
膜を高反射膜に用いるようなことは従来全く知られてい
ない。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体レ
ーザ装置は、一対の共振器端面及びこの共振器端面の少
なくとも一方に反射膜を備えている半導体レーザ装置で
あって、前記反射膜がシリコンと酸素からなり、かつ含
有酸素濃度が３０〜６０ａｔｍ％の酸素含有シリコン膜
であることを特徴とする。
ーザ装置は、一対の共振器端面及びこの共振器端面の少
なくとも一方に反射膜を備えている半導体レーザ装置で
あって、前記反射膜がシリコンと酸素からなり、かつ含
有酸素濃度が３０〜６０ａｔｍ％の酸素含有シリコン膜
であることを特徴とする。
【００１２】また、本発明にかかる半導体レーザ装置の
製造方法では、含有酸素濃度が３０〜６０ａｔｍ％にな
るように真空チャンバー内に酸素ガスを供給しながら成
膜することを特徴とする。
製造方法では、含有酸素濃度が３０〜６０ａｔｍ％にな
るように真空チャンバー内に酸素ガスを供給しながら成
膜することを特徴とする。
【００１３】上記のような半導体レーザ装置では、Ｓｉ
膜へのレーザ光吸収に起因するＣＯＤ劣化を防止でき、
かつその半導体レーザ装置を安定に供給することが可能
となる。
膜へのレーザ光吸収に起因するＣＯＤ劣化を防止でき、
かつその半導体レーザ装置を安定に供給することが可能
となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 図１は本発明の一実施例を示す半導体レーザ装置の断面
構成図である。ＧａＡｓ基板１、活性層２、クラッド層
３、電極４、および前端面の低反射膜６の構成は従来と
同じである。後端面に用いられている高反射膜７はＡｌ
2Ｏ3膜８とＳｉ膜９から成る５層の多層反射膜で、Ｓｉ
膜９には酸素が含有されている。
構成図である。ＧａＡｓ基板１、活性層２、クラッド層
３、電極４、および前端面の低反射膜６の構成は従来と
同じである。後端面に用いられている高反射膜７はＡｌ
2Ｏ3膜８とＳｉ膜９から成る５層の多層反射膜で、Ｓｉ
膜９には酸素が含有されている。
【００１５】図２は含有酸素濃度をパラメータとした場
合におけるシリコンの消衰係数の波長依存性を示したも
のである。従来の製造方法によって得られる酸素濃度１
５ａｔｍ％を含有したＳｉ膜１０では図2中の曲線ａで
示されるように、波長が７００ｎｍより短くなると消衰
係数が増加、すなわち光吸収が起こりやすくなることが
判った。
合におけるシリコンの消衰係数の波長依存性を示したも
のである。従来の製造方法によって得られる酸素濃度１
５ａｔｍ％を含有したＳｉ膜１０では図2中の曲線ａで
示されるように、波長が７００ｎｍより短くなると消衰
係数が増加、すなわち光吸収が起こりやすくなることが
判った。
【００１６】さらに、シリコンの消衰係数はＳｉ膜中の
含有酸素濃度に大きく依存しており、図２に示すように
レーザ波長が一定の場合は、含有酸素濃度が４０％（図
中の曲線ｂ）、５０％（図中の曲線ｃ）、６０％（図中
の曲線ｄ）と増加するに従い消衰係数も減少し、光吸収
が低減される結果、ＣＯＤ劣化が防止される傾向にある
ことが判った。
含有酸素濃度に大きく依存しており、図２に示すように
レーザ波長が一定の場合は、含有酸素濃度が４０％（図
中の曲線ｂ）、５０％（図中の曲線ｃ）、６０％（図中
の曲線ｄ）と増加するに従い消衰係数も減少し、光吸収
が低減される結果、ＣＯＤ劣化が防止される傾向にある
ことが判った。
【００１７】上記結果から、Ｓｉ膜中の含有酸素濃度は
レーザ光５の発振波長、後端面の端面反射率を考慮して
調整する必要があることが見出された。すなわちＳｉ膜
中の含有酸素濃度が高い程、消衰係数は低下し、ＣＯＤ
劣化に対しては効果が大きくなる。
レーザ光５の発振波長、後端面の端面反射率を考慮して
調整する必要があることが見出された。すなわちＳｉ膜
中の含有酸素濃度が高い程、消衰係数は低下し、ＣＯＤ
劣化に対しては効果が大きくなる。
【００１８】６５０ｎｍの半導体レーザ装置において、
ＣＯＤ劣化素子と未劣化素子を解析したところ、ＣＯＤ
劣化した素子のＳｉ膜には１４ａｔｍ％の含有酸素濃
度、ＣＯＤ劣化しなかった素子では３０ａｔｍ％の含有
酸素濃度であったことから、含有酸素濃度としては３０
ａｔｍ％以上が望ましい。
ＣＯＤ劣化素子と未劣化素子を解析したところ、ＣＯＤ
劣化した素子のＳｉ膜には１４ａｔｍ％の含有酸素濃
度、ＣＯＤ劣化しなかった素子では３０ａｔｍ％の含有
酸素濃度であったことから、含有酸素濃度としては３０
ａｔｍ％以上が望ましい。
【００１９】一方、含有酸素濃度が高い程、前述したよ
うにＣＯＤ防止効果は大きくなるものの、図４に示すよ
うに屈折率が低下し、この結果として端面反射率も低下
する。屈折率が低くても、Ａｌ2Ｏ3膜８とＳｉ膜９の積
層数を増やせば端面反射率を高くすることができるが、
端面反射膜の生産性および膜ストレスを考慮すると７層
以下が望ましい。図５はＡｌ2Ｏ3膜８とＳｉ膜９を７層
コーティングした場合の端面反射率のシュミュレーショ
ン結果であるが、８０％以上の高端面反射率を実現する
には屈折率として2.18以上必要であり、図４から含有酸
素濃度の上限値としては６０ａｔｍ％となる。
うにＣＯＤ防止効果は大きくなるものの、図４に示すよ
うに屈折率が低下し、この結果として端面反射率も低下
する。屈折率が低くても、Ａｌ2Ｏ3膜８とＳｉ膜９の積
層数を増やせば端面反射率を高くすることができるが、
端面反射膜の生産性および膜ストレスを考慮すると７層
以下が望ましい。図５はＡｌ2Ｏ3膜８とＳｉ膜９を７層
コーティングした場合の端面反射率のシュミュレーショ
ン結果であるが、８０％以上の高端面反射率を実現する
には屈折率として2.18以上必要であり、図４から含有酸
素濃度の上限値としては６０ａｔｍ％となる。
【００２０】上述の結果からＳｉ膜９中の含有酸素濃度
は３０〜６０ａｔｍ％の範囲が望ましい。例えば、波長
650ｎｍの半導体レーザ装置においては、３０〜４０ａ
ｔｍ％程度の含有酸素濃度でレーザ光吸収を充分に抑え
られ、かつ７層で９０％の端面反射率を実現できる。
は３０〜６０ａｔｍ％の範囲が望ましい。例えば、波長
650ｎｍの半導体レーザ装置においては、３０〜４０ａ
ｔｍ％程度の含有酸素濃度でレーザ光吸収を充分に抑え
られ、かつ７層で９０％の端面反射率を実現できる。
【００２１】なお、本発明におけるＳｉ膜中の含有酸素
濃度は、オージェ電子分光法により、シリコンと酸素の
ピーク強度の比から含有酸素濃度を算定した値である。
かかる方法では、標準サンプルとしてSiO2を用い、これ
を基準に測定サンプルの強度比を含有酸素濃度に換算し
た。
濃度は、オージェ電子分光法により、シリコンと酸素の
ピーク強度の比から含有酸素濃度を算定した値である。
かかる方法では、標準サンプルとしてSiO2を用い、これ
を基準に測定サンプルの強度比を含有酸素濃度に換算し
た。
【００２２】以上のように、適当な含有酸素濃度のＳｉ
膜９を後端面反射膜７として用いることにより、従来の
動作特性を損なうことなくレーザ光吸収を抑制し、ＣＯ
Ｄ劣化を防止することができる。
膜９を後端面反射膜７として用いることにより、従来の
動作特性を損なうことなくレーザ光吸収を抑制し、ＣＯ
Ｄ劣化を防止することができる。
【００２３】実施の形態２ 以下に本発明による特徴的な製造方法の部分に限定して
説明する。なお、活性層２、クラッド層３、電極４等が
形成されたウエハをバー状に劈開する工程までは、通常
の半導体レーザ装置の製造方法と同一であるので省略す
る。
説明する。なお、活性層２、クラッド層３、電極４等が
形成されたウエハをバー状に劈開する工程までは、通常
の半導体レーザ装置の製造方法と同一であるので省略す
る。
【００２４】まず、後端面に端面反射膜７を形成するた
め、劈開されたバー状の半導体レーザ装置を電子ビーム
蒸着装置の真空チャンバー内に設置する。真空ポンプに
より1〜2×10-6Torr程度まで真空排気を行い、蒸着源の
Ａｌ2Ｏ3に電子ビームを照射して、第１層目であるＡｌ
2Ｏ3膜８を成膜する。
め、劈開されたバー状の半導体レーザ装置を電子ビーム
蒸着装置の真空チャンバー内に設置する。真空ポンプに
より1〜2×10-6Torr程度まで真空排気を行い、蒸着源の
Ａｌ2Ｏ3に電子ビームを照射して、第１層目であるＡｌ
2Ｏ3膜８を成膜する。
【００２５】次に第２層目のＳｉ膜９を成膜するため蒸
着源をＳｉに変え、Ａｌ2Ｏ3膜８の成膜により一時的に
低下した真空度が1〜2×10-6Torr程度に回復するまで待
ち、その後、真空チャンバー内に酸素ガスを０．４ＳＣ
ＣＭ程度供給する。この状態で電子ビームをＳｉに照射
して、０．１ｎｍ／ｓｅｃ程度の速度で成膜する。この
とき、供給された酸素ガスの一部はＳｉ膜中に取り込ま
れ、約４０ａｔｍ％の酸素を含有するＳｉ膜９が形成さ
れる。Ｓｉ膜９の成膜終了後、酸素ガスの供給を停止
し、第３層目のＡｌ2Ｏ3膜８を成膜するため、蒸着源を
Ａｌ2Ｏ3に変える。以下、同様の作業を繰り返し、Ａｌ
2Ｏ3膜８とＳｉ膜９を交互に７層成膜する。
着源をＳｉに変え、Ａｌ2Ｏ3膜８の成膜により一時的に
低下した真空度が1〜2×10-6Torr程度に回復するまで待
ち、その後、真空チャンバー内に酸素ガスを０．４ＳＣ
ＣＭ程度供給する。この状態で電子ビームをＳｉに照射
して、０．１ｎｍ／ｓｅｃ程度の速度で成膜する。この
とき、供給された酸素ガスの一部はＳｉ膜中に取り込ま
れ、約４０ａｔｍ％の酸素を含有するＳｉ膜９が形成さ
れる。Ｓｉ膜９の成膜終了後、酸素ガスの供給を停止
し、第３層目のＡｌ2Ｏ3膜８を成膜するため、蒸着源を
Ａｌ2Ｏ3に変える。以下、同様の作業を繰り返し、Ａｌ
2Ｏ3膜８とＳｉ膜９を交互に７層成膜する。
【００２６】なお、図３に示すように酸素ガスの供給量
を調整すれば、Ｓｉ膜９中の含有酸素濃度を容易に変え
ることができるので、レーザの発振波長、要求される端
面反射膜７の端面反射率に応じて供給する酸素流量を決
めればよい。
を調整すれば、Ｓｉ膜９中の含有酸素濃度を容易に変え
ることができるので、レーザの発振波長、要求される端
面反射膜７の端面反射率に応じて供給する酸素流量を決
めればよい。
【００２７】また、図３に示すように酸素ガスを供給し
ない従来の手法ではＳｉ膜中の含有酸素濃度は5ａｔｍ
％以上３０ａｔｍ％未満の広い範囲でしかもバッチ毎に
大幅に変動していたが、酸素ガスを供給することにより
従来では達成できなかった３０〜６０ａｔｍ％の高酸素
濃度を極めて安定に成膜できるようになった。
ない従来の手法ではＳｉ膜中の含有酸素濃度は5ａｔｍ
％以上３０ａｔｍ％未満の広い範囲でしかもバッチ毎に
大幅に変動していたが、酸素ガスを供給することにより
従来では達成できなかった３０〜６０ａｔｍ％の高酸素
濃度を極めて安定に成膜できるようになった。
【００２８】上記のようにＳｉ膜の成膜中に酸素ガスを
供給することによって、３０〜６０ａｔｍ％の含有酸素
濃度のＳｉ膜９を安定に形成することが可能となり、Ｃ
ＯＤ劣化による歩留り低下を防止できる。
供給することによって、３０〜６０ａｔｍ％の含有酸素
濃度のＳｉ膜９を安定に形成することが可能となり、Ｃ
ＯＤ劣化による歩留り低下を防止できる。
【００２９】実施の形態３ 上記実施例２では酸素ガスを供給しながらＳｉ膜９を成
膜する方法について述べたが、蒸着源にあらかじめ酸素
を含有させたＳｉを用いても、Ｓｉ膜９中に酸素を取り
込ませることは可能である。この場合、Ｓｉ膜９中の含
有酸素濃度は蒸着源の含有酸素濃度を調整することで制
御できる。
膜する方法について述べたが、蒸着源にあらかじめ酸素
を含有させたＳｉを用いても、Ｓｉ膜９中に酸素を取り
込ませることは可能である。この場合、Ｓｉ膜９中の含
有酸素濃度は蒸着源の含有酸素濃度を調整することで制
御できる。
【００３０】また、上記実施例２および３では電子ビー
ム蒸着法における酸素供給について述べたが、スパッタ
リング等他の成膜方法においても、同様の方法で酸素供
給が可能である。
ム蒸着法における酸素供給について述べたが、スパッタ
リング等他の成膜方法においても、同様の方法で酸素供
給が可能である。
【００３１】実施例１〜３では、後端面の高反射膜７を
構成するＳｉ膜以外の膜の一例としてＡｌ2Ｏ3膜８を挙
げたが、他の誘電体膜、例えばＳｉＯ2膜でも同様の効
果を奏することは言うまでもない。
構成するＳｉ膜以外の膜の一例としてＡｌ2Ｏ3膜８を挙
げたが、他の誘電体膜、例えばＳｉＯ2膜でも同様の効
果を奏することは言うまでもない。
【００３２】また実施例１〜３では、後端面の高反射膜
７を構成するＳｉ膜について説明したが、前端面６の反
射膜を構成するＳｉ膜でも同様の効果を奏することは言
うまでもない。
７を構成するＳｉ膜について説明したが、前端面６の反
射膜を構成するＳｉ膜でも同様の効果を奏することは言
うまでもない。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一対の共
振器端面及びこの共振器端面の少なくとも一方に反射膜
を備えている半導体レーザ装置であって、前記反射膜が
シリコンと酸素からなり、かつ含有酸素濃度が３０〜６
０ａｔｍ％の酸素含有シリコン膜であることとしたの
で、Ｓｉ膜へのレーザ光吸収に起因するＣＯＤ劣化を防
止できる。
振器端面及びこの共振器端面の少なくとも一方に反射膜
を備えている半導体レーザ装置であって、前記反射膜が
シリコンと酸素からなり、かつ含有酸素濃度が３０〜６
０ａｔｍ％の酸素含有シリコン膜であることとしたの
で、Ｓｉ膜へのレーザ光吸収に起因するＣＯＤ劣化を防
止できる。
【００３４】また、シリコンを材料とし、成膜チャンバ
ー内に酸素ガスを供給しながら成膜することにより、前
記シリコンと前記酸素から成る膜を形成する方法により
上述の半導体レーザ装置を製造することとしたので、歩
留りを向上させることができる。
ー内に酸素ガスを供給しながら成膜することにより、前
記シリコンと前記酸素から成る膜を形成する方法により
上述の半導体レーザ装置を製造することとしたので、歩
留りを向上させることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１を示す半導体レーザ装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】 Ｓｉにおける消衰係数の波長依存性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図３】 電子ビーム蒸着法における酸素ガスの供給量
とＳｉ膜中の含有酸素濃度との関係を示すグラフであ
る。
とＳｉ膜中の含有酸素濃度との関係を示すグラフであ
る。
【図４】 波長６５０ｎｍの場合の屈折率とＳｉ膜中の
含有酸素濃度の関係を示すグラフである。
含有酸素濃度の関係を示すグラフである。
【図５】 Ａｌ2Ｏ3膜とＳｉ膜を交互に７層コーティン
グした場合の端面反射率のシュミュレーション結果であ
る。
グした場合の端面反射率のシュミュレーション結果であ
る。
【図６】 従来の半導体レーザ装置における共振器方向
の断面図である。
の断面図である。
１ ＧｓＡｓ基板、 ２ 活性層、 ３ クラッド層、
４ 電極、 ５ レーザ光、 ６ 低反射膜、 ７
高反射膜、 ８ Ａｌ2Ｏ3膜、 ９ 本発明のＳｉ膜、
１０ 従来のＳｉ膜
４ 電極、 ５ レーザ光、 ６ 低反射膜、 ７
高反射膜、 ８ Ａｌ2Ｏ3膜、 ９ 本発明のＳｉ膜、
１０ 従来のＳｉ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 康幸 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA83 CB20 DA33 EA28
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の共振器端面及びこの共振器端面の
少なくとも一方に反射膜を備えている半導体レーザ装置
であって、前記反射膜がシリコンと酸素からなり、かつ
含有酸素濃度が３０〜６０ａｔｍ％の酸素含有シリコン
膜であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 シリコンを原材料とし、膜形成時に酸素
ガスを供給しながら成膜することにより、シリコンと酸
素からなる反射膜を形成して請求項1記載の半導体レー
ザ装置を得ることを特徴とする半導体レーザ装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000075886A JP2001267677A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000075886A JP2001267677A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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ID=18593708
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000075886A Pending JP2001267677A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2001267677A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7039085B2 (en) | 2003-04-23 | 2006-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP7329095B2 (ja) | 2017-06-08 | 2023-08-17 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 端面発光型半導体レーザおよび端面発光型半導体レーザの動作方法 |
-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000075886A patent/JP2001267677A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7039085B2 (en) | 2003-04-23 | 2006-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP7329095B2 (ja) | 2017-06-08 | 2023-08-17 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 端面発光型半導体レーザおよび端面発光型半導体レーザの動作方法 |
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