JP2001261581A - １，２−ジクロロエタンの熱分解物からの塩化ビニルの蒸留方法 - Google Patents
１，２−ジクロロエタンの熱分解物からの塩化ビニルの蒸留方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 １，２−ジクロロエタンの熱分解ガスから、
蒸留工程を経て塩化ビニルを取得する際の塩化ビニル蒸
留塔における経済的な蒸留方法を提供する。 【解決手段】 １，２−ジクロロエタンを熱分解炉１で
熱分解して得られる１，２−ジクロロエタン、塩化ビニ
ル及び塩化水素を主体とする熱分解生成物からＨＣｌ塔
３で塩化水素を蒸留分離して得られた１，２−ジクロロ
エタン及び塩化ビニルを主体とする混合物を、蒸留塔４
に供給して蒸留し、塔頂から精製された塩化ビニルを流
出させ、塔底から１，２−ジクロロエタンを主体とする
留分を抜き出すに際し、蒸留塔の中間段に１，２−ジク
ロロエタン及び塩化ビニルを主体とする混合物を供給
し、かつ供給段と塔底との中間段から塔内液、例えば塔
底液の温度よりも５０℃以上低い塔内液を抜き出し、サ
イドリボイラー５で加熱したのち塔内に流入させること
よりなる蒸留方法。
蒸留工程を経て塩化ビニルを取得する際の塩化ビニル蒸
留塔における経済的な蒸留方法を提供する。 【解決手段】 １，２−ジクロロエタンを熱分解炉１で
熱分解して得られる１，２−ジクロロエタン、塩化ビニ
ル及び塩化水素を主体とする熱分解生成物からＨＣｌ塔
３で塩化水素を蒸留分離して得られた１，２−ジクロロ
エタン及び塩化ビニルを主体とする混合物を、蒸留塔４
に供給して蒸留し、塔頂から精製された塩化ビニルを流
出させ、塔底から１，２−ジクロロエタンを主体とする
留分を抜き出すに際し、蒸留塔の中間段に１，２−ジク
ロロエタン及び塩化ビニルを主体とする混合物を供給
し、かつ供給段と塔底との中間段から塔内液、例えば塔
底液の温度よりも５０℃以上低い塔内液を抜き出し、サ
イドリボイラー５で加熱したのち塔内に流入させること
よりなる蒸留方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１，２−ジクロロ
エタン（以下、ＥＤＣと略記する）の熱分解による生成
ガスから、冷却、蒸留等の精製工程を経て塩化ビニル
（以下、ＶＣＭと略記する）を分離する方法に関するも
のである。詳しくは、本発明は、ＥＤＣの熱分解生成ガ
スから、塩化水素を蒸留分離して得られるＥＤＣ及びＶ
ＣＭを主体とする混合物を蒸留し、精製したＶＣＭを回
収する経済的な方法に関するものである。
エタン（以下、ＥＤＣと略記する）の熱分解による生成
ガスから、冷却、蒸留等の精製工程を経て塩化ビニル
（以下、ＶＣＭと略記する）を分離する方法に関するも
のである。詳しくは、本発明は、ＥＤＣの熱分解生成ガ
スから、塩化水素を蒸留分離して得られるＥＤＣ及びＶ
ＣＭを主体とする混合物を蒸留し、精製したＶＣＭを回
収する経済的な方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＶＣＭを製造する方法としては、
ＥＤＣを熱分解炉において４５０〜５５０℃で熱分解す
る方法が知られており、生成した分解ガスは冷却したの
ち蒸留してＶＣＭを回収している。分解炉から流出する
高温の分解ガスは、主に分解生成物であるＶＣＭ及び塩
化水素並びに未分解のＥＤＣから成っているが、そのま
まクエンチ塔に供給したり、或いは熱交換器で間接冷却
したのちクエンチ塔に供給し、そこで高温の分解ガスが
有する熱エネルギーを回収する。クエンチ塔の塔頂から
得られた留出物はＨＣｌ塔に送られ、その塔頂から精製
された塩化水素を回収する。ＶＣＭ及び未分解ＥＤＣは
塔底液として抜出し、後続するＶＣＭ蒸留塔で蒸留して
精製されたＶＣＭを塔頂から回収する。ＶＣＭ蒸留塔の
段数は、通常５０〜１００段程度であり、中間段にＨＣ
ｌ塔からの塔底液が供給される。
ＥＤＣを熱分解炉において４５０〜５５０℃で熱分解す
る方法が知られており、生成した分解ガスは冷却したの
ち蒸留してＶＣＭを回収している。分解炉から流出する
高温の分解ガスは、主に分解生成物であるＶＣＭ及び塩
化水素並びに未分解のＥＤＣから成っているが、そのま
まクエンチ塔に供給したり、或いは熱交換器で間接冷却
したのちクエンチ塔に供給し、そこで高温の分解ガスが
有する熱エネルギーを回収する。クエンチ塔の塔頂から
得られた留出物はＨＣｌ塔に送られ、その塔頂から精製
された塩化水素を回収する。ＶＣＭ及び未分解ＥＤＣは
塔底液として抜出し、後続するＶＣＭ蒸留塔で蒸留して
精製されたＶＣＭを塔頂から回収する。ＶＣＭ蒸留塔の
段数は、通常５０〜１００段程度であり、中間段にＨＣ
ｌ塔からの塔底液が供給される。
【０００３】ＥＤＣ熱分解ガス中には、上記のＶＣＭ、
塩化水素及び未分解ＥＤＣの他に、微量の不純物成分、
例えば、ベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素、1,1,2-
トリクロロエタン、1,1-ジクロロエタン、クロロプレ
ン、1,3-ブタジエン等が含まれているので、高品質のＶ
ＣＭを得る為にはＶＣＭ蒸留塔の還流比を高くする等の
操作条件の適正な制御が必要とされている。しかしなが
ら、還流比を高めると製品純度は向上するが、塔底のリ
ボイラーで供給する熱量が増加するという問題がある。
塩化水素及び未分解ＥＤＣの他に、微量の不純物成分、
例えば、ベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素、1,1,2-
トリクロロエタン、1,1-ジクロロエタン、クロロプレ
ン、1,3-ブタジエン等が含まれているので、高品質のＶ
ＣＭを得る為にはＶＣＭ蒸留塔の還流比を高くする等の
操作条件の適正な制御が必要とされている。しかしなが
ら、還流比を高めると製品純度は向上するが、塔底のリ
ボイラーで供給する熱量が増加するという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＶＣＭの沸点は、−１
３．７℃、ＥＤＣの沸点は８３．４℃なので、ＶＣＭ蒸
留塔は、例えば塔底が約１５０℃、塔頂が約４０℃とい
うように加圧で操作されている。従って、ＶＣＭ蒸留塔
の熱源としては、通常は１０数ｋｇ／ｃｍ2Ｇ程度の高
圧スチームが用いられている。しかし、高圧スチームは
高価なので、若しこの高圧スチームのうちの実質的割合
をプロセスの廃熱、又はプロセスから回収されるより低
温のスチームなどの安価なもので代替できれば、ＶＣＭ
の精製費用を節減できる。従って、本発明は、リボイラ
ーに供給すべき高温の熱源の実質的割合を低温の熱源で
代替することのできるＶＣＭ蒸留塔の運転方法を提供せ
んとするものである。
３．７℃、ＥＤＣの沸点は８３．４℃なので、ＶＣＭ蒸
留塔は、例えば塔底が約１５０℃、塔頂が約４０℃とい
うように加圧で操作されている。従って、ＶＣＭ蒸留塔
の熱源としては、通常は１０数ｋｇ／ｃｍ2Ｇ程度の高
圧スチームが用いられている。しかし、高圧スチームは
高価なので、若しこの高圧スチームのうちの実質的割合
をプロセスの廃熱、又はプロセスから回収されるより低
温のスチームなどの安価なもので代替できれば、ＶＣＭ
の精製費用を節減できる。従って、本発明は、リボイラ
ーに供給すべき高温の熱源の実質的割合を低温の熱源で
代替することのできるＶＣＭ蒸留塔の運転方法を提供せ
んとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等はＶＣＭ蒸留
塔内の温度分布について検討した結果、塔内の温度は塔
底から塔頂に向けて当初は急激に低下するが、その後は
かなりの段数にわたって温度が極めて緩慢にしか低下し
ない帯域が存在するという、特異な分布をしていること
を見出した。例えば、９０段の段数を有する蒸留塔を用
いて、通常の運転条件の一つである前述の塔底が約１５
０℃、塔頂が約４０℃の場合には、塔底から８〜１０段
で約７０℃まで温度がほぼ直線的に低下するが、そこか
ら約６５℃のところまでは１段当たりの温度低下は約
０．１℃以下と極めて小さい。このように塔下部の塔底
に近い部分の温度が塔底よりも著しく低いので、この部
分にサイドリボイラーで熱エネルギーを供給するなら
ば、蒸留成績に殆ど影響を及ぼさずに塔底のリボイラー
に供給する高圧スチームの相当部分を、より低圧−従っ
て安価−のスチームで代替できる筈である。
塔内の温度分布について検討した結果、塔内の温度は塔
底から塔頂に向けて当初は急激に低下するが、その後は
かなりの段数にわたって温度が極めて緩慢にしか低下し
ない帯域が存在するという、特異な分布をしていること
を見出した。例えば、９０段の段数を有する蒸留塔を用
いて、通常の運転条件の一つである前述の塔底が約１５
０℃、塔頂が約４０℃の場合には、塔底から８〜１０段
で約７０℃まで温度がほぼ直線的に低下するが、そこか
ら約６５℃のところまでは１段当たりの温度低下は約
０．１℃以下と極めて小さい。このように塔下部の塔底
に近い部分の温度が塔底よりも著しく低いので、この部
分にサイドリボイラーで熱エネルギーを供給するなら
ば、蒸留成績に殆ど影響を及ぼさずに塔底のリボイラー
に供給する高圧スチームの相当部分を、より低圧−従っ
て安価−のスチームで代替できる筈である。
【０００６】本発明はこのような知見に基づくもので、
ＥＤＣを熱分解して得られるＥＤＣ、ＶＣＭ及び塩化水
素を主体とする熱分解生成物から塩化水素を蒸留分離し
て得られたＥＤＣ及びＶＣＭを主体とする混合物を、蒸
留塔に供給して蒸留し、塔頂から精製されたＶＣＭを流
出させ、塔底からＥＤＣを主体とする留分を抜き出すに
際し、蒸留塔の中間段にＥＤＣ及びＶＣＭを主体とする
混合物を供給し、かつこの供給段と塔底との中間段から
塔内液を抜き出し、サイドリボイラーで加熱したのち塔
内に流入させることを特徴とする蒸留方法を要旨とする
ものである。
ＥＤＣを熱分解して得られるＥＤＣ、ＶＣＭ及び塩化水
素を主体とする熱分解生成物から塩化水素を蒸留分離し
て得られたＥＤＣ及びＶＣＭを主体とする混合物を、蒸
留塔に供給して蒸留し、塔頂から精製されたＶＣＭを流
出させ、塔底からＥＤＣを主体とする留分を抜き出すに
際し、蒸留塔の中間段にＥＤＣ及びＶＣＭを主体とする
混合物を供給し、かつこの供給段と塔底との中間段から
塔内液を抜き出し、サイドリボイラーで加熱したのち塔
内に流入させることを特徴とする蒸留方法を要旨とする
ものである。
【０００７】本発明の好適な態様は、上記蒸留方法にお
いて蒸留塔内液の温度が塔底液の温度よりも４０℃以上
低い段位から塔内液を抜き出すこと、更には蒸留塔内液
の温度が６０〜１１０℃、特に６０〜８０℃、より好ま
しくは６５〜７５℃である段位から塔内液を抜き出すこ
とよりなる蒸留方法である。
いて蒸留塔内液の温度が塔底液の温度よりも４０℃以上
低い段位から塔内液を抜き出すこと、更には蒸留塔内液
の温度が６０〜１１０℃、特に６０〜８０℃、より好ま
しくは６５〜７５℃である段位から塔内液を抜き出すこ
とよりなる蒸留方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、ＥＤＣの熱分解による
生成ガスから、冷却、蒸留等の精製工程を経てＶＣＭを
分離する方法において、ＥＤＣの熱分解生成ガスから、
塩化水素を蒸留分離して得られるＥＤＣ及びＶＣＭを主
体とする混合物を蒸留し、精製したＶＣＭを得る方法に
関するものである。熱分解炉におけるＥＤＣの熱分解
は、液状或いはガス化されたＥＤＣを分解炉に導入し、
４５０〜５５０℃に加熱することにより行われるので、
熱分解炉から流出する分解生成ガスの温度もほぼ４５０
〜５５０℃である。そして、この分解生成ガス中には、
主生成物であるＶＣＭと塩化水素の他に未分解ＥＤＣ、
副生成物、例えばクロロホルム、四塩化炭素、ベンゼ
ン、1,1,2-トリクロロエタン、1,1-ジクロロエタン、ク
ロロプレン、1,3-ブタジエンなどが含まれている。
生成ガスから、冷却、蒸留等の精製工程を経てＶＣＭを
分離する方法において、ＥＤＣの熱分解生成ガスから、
塩化水素を蒸留分離して得られるＥＤＣ及びＶＣＭを主
体とする混合物を蒸留し、精製したＶＣＭを得る方法に
関するものである。熱分解炉におけるＥＤＣの熱分解
は、液状或いはガス化されたＥＤＣを分解炉に導入し、
４５０〜５５０℃に加熱することにより行われるので、
熱分解炉から流出する分解生成ガスの温度もほぼ４５０
〜５５０℃である。そして、この分解生成ガス中には、
主生成物であるＶＣＭと塩化水素の他に未分解ＥＤＣ、
副生成物、例えばクロロホルム、四塩化炭素、ベンゼ
ン、1,1,2-トリクロロエタン、1,1-ジクロロエタン、ク
ロロプレン、1,3-ブタジエンなどが含まれている。
【０００９】熱分解炉から流出する４５０〜５５０℃の
分解生成ガスは、所望により熱交換器で間接冷却したの
ち、クエンチ塔で直接冷却し、部分的に液化させる。ク
エンチ塔の塔頂からは、塩化水素、ＶＣＭ及び未分解Ｅ
ＤＣを主体とする混合物を留出させ、ＨＣｌ塔に供給す
る。一方、塔底流出物は未分解ＥＤＣとＶＣＭの一部、
更にコーク及び高沸物等を含有しており、この流出物は
必要に応じて分離装置によりコーク等を除去した後、Ｈ
Ｃｌ塔に供給され、塔頂流出物と一緒に蒸留に付され
る。
分解生成ガスは、所望により熱交換器で間接冷却したの
ち、クエンチ塔で直接冷却し、部分的に液化させる。ク
エンチ塔の塔頂からは、塩化水素、ＶＣＭ及び未分解Ｅ
ＤＣを主体とする混合物を留出させ、ＨＣｌ塔に供給す
る。一方、塔底流出物は未分解ＥＤＣとＶＣＭの一部、
更にコーク及び高沸物等を含有しており、この流出物は
必要に応じて分離装置によりコーク等を除去した後、Ｈ
Ｃｌ塔に供給され、塔頂流出物と一緒に蒸留に付され
る。
【００１０】ＨＣｌ塔では、クエンチ塔からの塩化水
素、ＶＣＭ、未分解ＥＤＣ等を含む混合物を蒸留して、
塔頂から塩化水素を留出させる。ＨＣｌ塔の塔底から
は、主としてＥＤＣ及びＶＣＭを含む流出物が得られ、
この流出物は後続するＶＣＭ塔に供給して蒸留し、精製
ＶＣＭを回収する。
素、ＶＣＭ、未分解ＥＤＣ等を含む混合物を蒸留して、
塔頂から塩化水素を留出させる。ＨＣｌ塔の塔底から
は、主としてＥＤＣ及びＶＣＭを含む流出物が得られ、
この流出物は後続するＶＣＭ塔に供給して蒸留し、精製
ＶＣＭを回収する。
【００１１】ＶＣＭ塔は、精製ＶＣＭを取得するための
ものであり、塔頂から留出するＶＣＭはコンデンサーで
凝縮され、凝縮液の一部はＶＣＭ塔に還流され、残部は
必要に応じ脱ＨＣｌ工程を経て純度を高めた後、製品Ｖ
ＣＭとして取得される。塔底からのＥＤＣを含む留分
は、ＥＤＣ精製工程に送られる。
ものであり、塔頂から留出するＶＣＭはコンデンサーで
凝縮され、凝縮液の一部はＶＣＭ塔に還流され、残部は
必要に応じ脱ＨＣｌ工程を経て純度を高めた後、製品Ｖ
ＣＭとして取得される。塔底からのＥＤＣを含む留分
は、ＥＤＣ精製工程に送られる。
【００１２】本発明方法では、このＶＣＭ塔としてサイ
ドリボイラーを設置した蒸留塔を使用し、且つＶＣＭ塔
の下部で相当に温度の低下した部分から塔内液を抜き出
し、サイドリボイラーで加熱した後塔内にフィードする
ことを特徴とする。ＶＣＭ塔は、ＶＣＭとＥＤＣ及び副
生成物とを分離し、純度の高いＶＣＭを得ることを目的
としており、一般にＶＣＭ塔としては５０〜１００段の
加圧蒸留塔が使用される。操作温度は圧力により異なる
が、通常、塔底温度は１５０℃近辺であり、塔頂温度は
３５〜４０℃である。ＶＣＭ塔は塔底に極く近い部分に
おいて急激に温度が低下するという、極めて特異的な温
度分布を有している。
ドリボイラーを設置した蒸留塔を使用し、且つＶＣＭ塔
の下部で相当に温度の低下した部分から塔内液を抜き出
し、サイドリボイラーで加熱した後塔内にフィードする
ことを特徴とする。ＶＣＭ塔は、ＶＣＭとＥＤＣ及び副
生成物とを分離し、純度の高いＶＣＭを得ることを目的
としており、一般にＶＣＭ塔としては５０〜１００段の
加圧蒸留塔が使用される。操作温度は圧力により異なる
が、通常、塔底温度は１５０℃近辺であり、塔頂温度は
３５〜４０℃である。ＶＣＭ塔は塔底に極く近い部分に
おいて急激に温度が低下するという、極めて特異的な温
度分布を有している。
【００１３】例えば、第１図は９０段の加圧蒸留塔を用
い塔底温度約１５０℃、塔頂温度約３７℃で、ＶＣＭ
（約40.0wt%）とＥＤＣ（約58.9wt%）を含む混合物を塔
頂から３７段目に約１００℃で供給して蒸留した場合の
塔内における温度分布を示すものであるが、第１図から
明らかな様に、塔底より約１０段程度までは略直線的に
温度が急激に低下しているが、その後のおよそ５０段程
度の間では温度は４〜５℃程度しか低下しない。その
後、温度はまた急激に低下するが、塔頂より約２５段あ
たりから温度低下は再び極めて緩慢となり塔頂温度に達
しているのである。
い塔底温度約１５０℃、塔頂温度約３７℃で、ＶＣＭ
（約40.0wt%）とＥＤＣ（約58.9wt%）を含む混合物を塔
頂から３７段目に約１００℃で供給して蒸留した場合の
塔内における温度分布を示すものであるが、第１図から
明らかな様に、塔底より約１０段程度までは略直線的に
温度が急激に低下しているが、その後のおよそ５０段程
度の間では温度は４〜５℃程度しか低下しない。その
後、温度はまた急激に低下するが、塔頂より約２５段あ
たりから温度低下は再び極めて緩慢となり塔頂温度に達
しているのである。
【００１４】本発明では、この特異的な温度分布を利用
して、塔底と供給段との中間で、塔底よりも相当に温度
の低下した部分から塔内液を抜出し、塔底のリボイラー
の熱源よりも低温−従って安価−な熱源、例えばプロセ
スから回収される低圧スチームで加熱されるサイドリボ
イラーを経て再び塔内に戻すことにより、塔底のリボイ
ラーの熱源の使用量を節減する。このようにするとＶＣ
Ｍ蒸留塔に供給される全熱量は若干増加し、従って塔頂
のコンデンサーの負荷も若干増加するが、塔底のリボイ
ラーの熱源の相当部分を、より安価な低温の熱源で代替
できることのもたらす利益の方がはるかに大きい。例え
ばサイドリボイラーにより塔底のリボイラーで供給すべ
き熱量の約４０％を削減した場合、サイドリボイラーの
設置場所にもよるが、供給すべき全熱量は１％程度増加
するに過ぎず、６０％を削減した場合でも２％程度増加
するに過ぎない。従って、塔頂のコンデンサーの負荷の
増加も、２％程度である。
して、塔底と供給段との中間で、塔底よりも相当に温度
の低下した部分から塔内液を抜出し、塔底のリボイラー
の熱源よりも低温−従って安価−な熱源、例えばプロセ
スから回収される低圧スチームで加熱されるサイドリボ
イラーを経て再び塔内に戻すことにより、塔底のリボイ
ラーの熱源の使用量を節減する。このようにするとＶＣ
Ｍ蒸留塔に供給される全熱量は若干増加し、従って塔頂
のコンデンサーの負荷も若干増加するが、塔底のリボイ
ラーの熱源の相当部分を、より安価な低温の熱源で代替
できることのもたらす利益の方がはるかに大きい。例え
ばサイドリボイラーにより塔底のリボイラーで供給すべ
き熱量の約４０％を削減した場合、サイドリボイラーの
設置場所にもよるが、供給すべき全熱量は１％程度増加
するに過ぎず、６０％を削減した場合でも２％程度増加
するに過ぎない。従って、塔頂のコンデンサーの負荷の
増加も、２％程度である。
【００１５】塔内液を抜出す位置は、供給段よりも下方
で、かつ塔底よりも相当に低温の部分であればよく、通
常は塔底温度よりも４０℃以上、好ましくは５０℃以上
低い部分から塔内液を抜出す。リボイラーで用いる熱源
の温度にもよるが、通常は６０〜１１０℃、特に６０か
ら８０℃、より望ましくは６５〜７５℃の位置から塔内
液を抜出すのが好ましい。塔底のリボイラーで供給すべ
き熱量の一定割合をサイドリボイラーで供給する熱エネ
ルギーにより代替する場合、塔内液の抜出し位置が高い
ほどサイドリボイラーで供給すべき熱量は増加する。こ
の供給熱量の増加の程度は比較的小さく、通常は数％で
あるが、供給熱量の増加は同時に塔頂のコンデンサーの
負荷を増加させるので、塔内液の抜出し位置はリボイラ
ーで用いる熱源の温度と、抜出し位置を上方にすること
によるこれらの不利益とを総合して決定すべきである。
で、かつ塔底よりも相当に低温の部分であればよく、通
常は塔底温度よりも４０℃以上、好ましくは５０℃以上
低い部分から塔内液を抜出す。リボイラーで用いる熱源
の温度にもよるが、通常は６０〜１１０℃、特に６０か
ら８０℃、より望ましくは６５〜７５℃の位置から塔内
液を抜出すのが好ましい。塔底のリボイラーで供給すべ
き熱量の一定割合をサイドリボイラーで供給する熱エネ
ルギーにより代替する場合、塔内液の抜出し位置が高い
ほどサイドリボイラーで供給すべき熱量は増加する。こ
の供給熱量の増加の程度は比較的小さく、通常は数％で
あるが、供給熱量の増加は同時に塔頂のコンデンサーの
負荷を増加させるので、塔内液の抜出し位置はリボイラ
ーで用いる熱源の温度と、抜出し位置を上方にすること
によるこれらの不利益とを総合して決定すべきである。
【００１６】
【実施例】本発明を実施例により、更に詳細に説明する
が本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定
されるものではない。
が本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定
されるものではない。
【００１７】実施例１〜３ 第２図に示す工程図に従って、９０段の蒸留塔を用い、
ＶＣＭ（約４０．０ｗｔ％）及びＥＤＣ（約５８．９ｗ
ｔ％）を主成分とする１００℃のＨＣｌ塔の流出液を１
００重量部／ｈｒで塔頂から３７段目に供給し、塔頂が
約３７℃、塔底が約１５２℃で蒸留して、塔頂より純度
９９．９９％のＶＣＭを３９．６重量部／ｈｒで取得す
る場合において、サイドリボイラーの有無による塔底リ
ボイラーの負荷を計算した一例を表−１に示す。但し、
表−１の数値は、サイドリボイラーが無い場合に対する
比である。また、計算はサイドリボイラーが無い場合に
塔底リボイラーで供給すべき熱量の４１％をサイドリボ
イラーで供給するものとして行った。なお、サイドリボ
イラーの無い場合の還流比は０．５８０である。
ＶＣＭ（約４０．０ｗｔ％）及びＥＤＣ（約５８．９ｗ
ｔ％）を主成分とする１００℃のＨＣｌ塔の流出液を１
００重量部／ｈｒで塔頂から３７段目に供給し、塔頂が
約３７℃、塔底が約１５２℃で蒸留して、塔頂より純度
９９．９９％のＶＣＭを３９．６重量部／ｈｒで取得す
る場合において、サイドリボイラーの有無による塔底リ
ボイラーの負荷を計算した一例を表−１に示す。但し、
表−１の数値は、サイドリボイラーが無い場合に対する
比である。また、計算はサイドリボイラーが無い場合に
塔底リボイラーで供給すべき熱量の４１％をサイドリボ
イラーで供給するものとして行った。なお、サイドリボ
イラーの無い場合の還流比は０．５８０である。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】本発明方法によれば、蒸留塔内液を加熱
するためのサイドリボイラーを蒸留塔の適当な位置に設
け、加熱した塔内液を塔内に流入させることにより、コ
ンデンサーの負荷および全供給熱量の増加を僅少に抑え
ながら塔底のリボイラーの高圧蒸気の使用量を減じ、ま
た、サイドリボイラーの熱源としてプロセス排熱の有効
利用を可能にするので、全体として省エネルギーの経済
性に富む方法とすることが出来る。
するためのサイドリボイラーを蒸留塔の適当な位置に設
け、加熱した塔内液を塔内に流入させることにより、コ
ンデンサーの負荷および全供給熱量の増加を僅少に抑え
ながら塔底のリボイラーの高圧蒸気の使用量を減じ、ま
た、サイドリボイラーの熱源としてプロセス排熱の有効
利用を可能にするので、全体として省エネルギーの経済
性に富む方法とすることが出来る。
【図１】 第１図は、ＨＣｌ塔から流出するＶＣＭ及び
ＥＤＣ混合物の蒸留塔における段数と温度分布の関係の
一例を示すものである。縦軸は温度（℃）、横軸は塔頂
からの段数を示す。
ＥＤＣ混合物の蒸留塔における段数と温度分布の関係の
一例を示すものである。縦軸は温度（℃）、横軸は塔頂
からの段数を示す。
【図２】 第２図は、本発明方法の実施態様の一例を示
す工程概略図である。
す工程概略図である。
１ 熱分解炉 ２ クエンチ塔 ３ ＨＣｌ塔 ４ ＶＣＭ塔 ５ サイドリボイラー ６ 塔底リボイラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 21/06 Ｃ０７Ｃ 21/06 Ｆターム(参考） 4D076 AA16 AA22 BB03 BB25 CA06 CB02 CB06 DA25 EA05Y EA08Z EA12Z EA17Y FA02 FA11 FA16 FA31 HA11 JA03 4H006 AA05 AC13 AD11
Claims (3)
- 【請求項１】１，２−ジクロロエタンを熱分解して得ら
れる１，２−ジクロロエタン、塩化ビニル及び塩化水素
を主体とする熱分解生成物から塩化水素を蒸留分離して
得られた１，２−ジクロロエタン及び塩化ビニルを主体
とする混合物を、蒸留塔に供給して蒸留し、塔頂から精
製された塩化ビニルを流出させ、塔底から１，２−ジク
ロロエタンを主体とする留分を抜き出すに際し、蒸留塔
の中間段に１，２−ジクロロエタン及び塩化ビニルを主
体とする混合物を供給し、かつ供給段と塔底との中間段
から塔内液を抜き出し、サイドリボイラーで加熱したの
ち塔内に流入させることを特徴とする蒸留方法。 - 【請求項２】蒸留塔内液の温度が塔底液の温度よりも４
０℃以上低い段位から、塔内液を抜き出すことを特徴と
する請求項１記載の蒸留方法。 - 【請求項３】蒸留塔内液の温度が６０〜１１０℃の段位
から塔内液を抜き出すことを特徴とする請求項１又は２
記載の蒸留方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000071109A JP2001261581A (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | １，２−ジクロロエタンの熱分解物からの塩化ビニルの蒸留方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071109A JP2001261581A (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | １，２−ジクロロエタンの熱分解物からの塩化ビニルの蒸留方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001261581A true JP2001261581A (ja) | 2001-09-26 |
Family
ID=18589740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000071109A Pending JP2001261581A (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | １，２−ジクロロエタンの熱分解物からの塩化ビニルの蒸留方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001261581A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009263349A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 易重合性化合物の製造方法及び重合防止方法 |
| US9663427B2 (en) | 2003-11-20 | 2017-05-30 | Solvay (Société Anonyme) | Process for producing epichlorohydrin |
| JP2018047459A (ja) * | 2013-02-11 | 2018-03-29 | ジーティーシー テクノロジー ユーエス， エルエルシー | 熱的結合を用いてエネルギー消費を低減するための方法 |
| US10031388B2 (en) | 2013-11-14 | 2018-07-24 | Sakai Display Products Corporation | Circuit board and display apparatus |
| CN110115850A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-08-13 | 宁夏凤城装备制造有限公司 | 一种残液蒸出塔 |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000071109A patent/JP2001261581A/ja active Pending
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| US10031388B2 (en) | 2013-11-14 | 2018-07-24 | Sakai Display Products Corporation | Circuit board and display apparatus |
| CN110115850A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-08-13 | 宁夏凤城装备制造有限公司 | 一种残液蒸出塔 |
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