JP2001261454A - セラミックス部品の製造方法 - Google Patents
セラミックス部品の製造方法Info
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- JP2001261454A JP2001261454A JP2000082413A JP2000082413A JP2001261454A JP 2001261454 A JP2001261454 A JP 2001261454A JP 2000082413 A JP2000082413 A JP 2000082413A JP 2000082413 A JP2000082413 A JP 2000082413A JP 2001261454 A JP2001261454 A JP 2001261454A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 形状歪みが抑制されたセラミックス部品の製
造方法を提供する。 【解決手段】 柱状構造を有するセラミックス部品９の
製造方法であって、焼成温度以上の融点を持つ粉末１０
を振りかけた後に、焼成することを特徴とする。
造方法を提供する。 【解決手段】 柱状構造を有するセラミックス部品９の
製造方法であって、焼成温度以上の融点を持つ粉末１０
を振りかけた後に、焼成することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、工業的にさまざま
な分野で使用される微細構造を有するセラミックス部品
の製造方法に関するものであり、たとえば複合圧電材料
等の微細構造を有するセラミックス部品の製造方法に関
するものである。
な分野で使用される微細構造を有するセラミックス部品
の製造方法に関するものであり、たとえば複合圧電材料
等の微細構造を有するセラミックス部品の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は、微細構造を有するセラミックス
部品の一例として、複合圧電材料２１の構造を示す斜視
図である。
部品の一例として、複合圧電材料２１の構造を示す斜視
図である。
【０００３】図１を参照して、この複合圧電材料２１
は、樹脂２３中に四角柱形状の圧電セラミックス柱２２
が林立した構造を有している。
は、樹脂２３中に四角柱形状の圧電セラミックス柱２２
が林立した構造を有している。
【０００４】また、図２は、微細構造を有するセラミッ
クス部品の他の例として、複合圧電材料２５の構造を示
す斜視図である。
クス部品の他の例として、複合圧電材料２５の構造を示
す斜視図である。
【０００５】図２を参照して、この複合圧電材料２５
は、樹脂２３中に円柱形状の圧電セラミックス柱２６が
林立した構造を有している。
は、樹脂２３中に円柱形状の圧電セラミックス柱２６が
林立した構造を有している。
【０００６】従来、このように構成される複合圧電材料
の製造においては、切削や研削等の機械加工、レーザア
ブレーションによる加工等を用いる方法の他、特願平８
−９７４８３号公報に開示されているように、樹脂に微
細パターンを作り込んだものを型として用いる方法があ
った。
の製造においては、切削や研削等の機械加工、レーザア
ブレーションによる加工等を用いる方法の他、特願平８
−９７４８３号公報に開示されているように、樹脂に微
細パターンを作り込んだものを型として用いる方法があ
った。
【０００７】図１１〜図１７は、特開平８−９７４８３
号公報に開示された、微細柱の林立したセラミックス部
品の製造方法の一例を示す断面図である。
号公報に開示された、微細柱の林立したセラミックス部
品の製造方法の一例を示す断面図である。
【０００８】まず、図１１を参照して、Ｘ線リソグラフ
ィ用マスク３を介して、Ｘ線に感度のあるレジスト２が
塗布された導電性基板１に、シンクロトロン放射光（Ｓ
Ｒ）４０を照射して、Ｘ線リソグラフィを行なう。
ィ用マスク３を介して、Ｘ線に感度のあるレジスト２が
塗布された導電性基板１に、シンクロトロン放射光（Ｓ
Ｒ）４０を照射して、Ｘ線リソグラフィを行なう。
【０００９】Ｘ線リソグラフィ用マスク３としては、た
とえば支持膜３１としての厚さが２μｍの窒化シリコ
ン、吸収体パターン３２としての厚さが５μｍのタング
ステンとから構成された、吸収体が比較的厚いマスクを
用いることができる。マスクとしては、このほかに、厚
さが３０μｍ以上のニッケルメッシュを用いることもで
きる。
とえば支持膜３１としての厚さが２μｍの窒化シリコ
ン、吸収体パターン３２としての厚さが５μｍのタング
ステンとから構成された、吸収体が比較的厚いマスクを
用いることができる。マスクとしては、このほかに、厚
さが３０μｍ以上のニッケルメッシュを用いることもで
きる。
【００１０】次に、図１２を参照して、現像処理によ
り、レジスト構造体４を作製する。次に、図１３を参照
して、作製されたレジスト構造体４にニッケルめっきを
施して、ニッケル金型５を作製する。その後、導電性基
板１とレジスト構造体４を除去する。
り、レジスト構造体４を作製する。次に、図１３を参照
して、作製されたレジスト構造体４にニッケルめっきを
施して、ニッケル金型５を作製する。その後、導電性基
板１とレジスト構造体４を除去する。
【００１１】続いて、図１４を参照して、作製されたニ
ッケル金型５を用いて樹脂モールドを行ない、樹脂型６
を作製する。この樹脂型６は、たとえば、直径５０μｍ
で深さ４００μｍの孔が、ピッチ１００μｍで２次元に
並んだ構造とすることができる。
ッケル金型５を用いて樹脂モールドを行ない、樹脂型６
を作製する。この樹脂型６は、たとえば、直径５０μｍ
で深さ４００μｍの孔が、ピッチ１００μｍで２次元に
並んだ構造とすることができる。
【００１２】次に、図１５を参照して、作製された樹脂
型６に、セラミックススラリー１７を注入した後乾燥さ
せる。
型６に、セラミックススラリー１７を注入した後乾燥さ
せる。
【００１３】次に、図１６を参照して、プラズマ５０に
より、樹脂型６を除去する。続いて、図１７を参照し
て、脱バインダおよび焼成を行ない、剣山状のセラミッ
クス構造体９が得られる。
より、樹脂型６を除去する。続いて、図１７を参照し
て、脱バインダおよび焼成を行ない、剣山状のセラミッ
クス構造体９が得られる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平８−９７４８３号公報に開示された従来の技術
においては、焼成時に、温度斑やセラミックス注入密度
斑により、形状歪みを生じやすいという問題があった。
た特開平８−９７４８３号公報に開示された従来の技術
においては、焼成時に、温度斑やセラミックス注入密度
斑により、形状歪みを生じやすいという問題があった。
【００１５】この発明の目的は、上述した問題を解決
し、形状歪みが抑制されたセラミックス部品の製造方法
を提供することにある。
し、形状歪みが抑制されたセラミックス部品の製造方法
を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明によるセラミッ
クス部品の製造方法は、柱状構造を有するセラミックス
部品の製造方法であって、焼成温度以上の融点を持つ粉
末を振りかけた後に、焼成することを特徴としている。
クス部品の製造方法は、柱状構造を有するセラミックス
部品の製造方法であって、焼成温度以上の融点を持つ粉
末を振りかけた後に、焼成することを特徴としている。
【００１７】この発明によるセラミックス部品の製造方
法は、微細な柱状構造を有するセラミックス部品の製造
方法であって、微細な柱状構造に対応する形状の孔を持
つ樹脂型に、セラミックススラリーを充填して固化させ
るステップと、樹脂型を除去して、セラミックス構造体
を作製するステップと、焼成温度以上の融点を持つ粉末
を振りかけた後に、焼成するステップと、を備えること
を特徴としている。
法は、微細な柱状構造を有するセラミックス部品の製造
方法であって、微細な柱状構造に対応する形状の孔を持
つ樹脂型に、セラミックススラリーを充填して固化させ
るステップと、樹脂型を除去して、セラミックス構造体
を作製するステップと、焼成温度以上の融点を持つ粉末
を振りかけた後に、焼成するステップと、を備えること
を特徴としている。
【００１８】好ましくは、柱状構造は、１辺が３０μｍ
以下で、アスペクト比（柱の高さ／１辺の長さ）が４以
上の複数の四角柱を含んでいるとよい。
以下で、アスペクト比（柱の高さ／１辺の長さ）が４以
上の複数の四角柱を含んでいるとよい。
【００１９】また、好ましくは、柱状構造は、直径が５
０μｍ以下で、アスペクト比（柱の高さ／直径）が４以
上の複数の円柱を含んでいるとよい。
０μｍ以下で、アスペクト比（柱の高さ／直径）が４以
上の複数の円柱を含んでいるとよい。
【００２０】このような微細な柱状構造を有する場合
に、特に形状歪みの発生が問題となるからである。さら
に、形状歪みを戻そうとして力を加えた際、このような
微細構造の場合、柱状構造が壊れてしまうおそれがある
からである。
に、特に形状歪みの発生が問題となるからである。さら
に、形状歪みを戻そうとして力を加えた際、このような
微細構造の場合、柱状構造が壊れてしまうおそれがある
からである。
【００２１】好ましくは、粉末は、セラミックスである
とよい。セラミックスは熱歪みが小さく、かつ融点が高
いからである。すなわち、熱歪みが大きい材料からなる
粉末を用いると、林立する柱に応力がかかってしまい、
壊れる可能性があるからである。
とよい。セラミックスは熱歪みが小さく、かつ融点が高
いからである。すなわち、熱歪みが大きい材料からなる
粉末を用いると、林立する柱に応力がかかってしまい、
壊れる可能性があるからである。
【００２２】好ましくは、粉末の粒径は、柱状構造の間
隔以下であるとよい。林立する各柱の間に入って、歪み
の発生を防止する作用をするためである。
隔以下であるとよい。林立する各柱の間に入って、歪み
の発生を防止する作用をするためである。
【００２３】
【発明の実施の形態】図３〜図１０は、本発明による微
細構造を有するセラミックス部品の製造方法の一例とし
て、複合圧電素子の製造方法を示す断面図である。
細構造を有するセラミックス部品の製造方法の一例とし
て、複合圧電素子の製造方法を示す断面図である。
【００２４】まず、図３を参照して、Ｘ線リソグラフィ
用マスク３を介して、Ｘ線に感度のあるレジスト２が塗
布された導電性基板１に、シンクロトロン放射光（Ｓ
Ｒ）４０を照射して、Ｘ線リソグラフィを行なう。
用マスク３を介して、Ｘ線に感度のあるレジスト２が塗
布された導電性基板１に、シンクロトロン放射光（Ｓ
Ｒ）４０を照射して、Ｘ線リソグラフィを行なう。
【００２５】Ｘ線リソグラフィ用マスク３としては、た
とえば支持膜３１としての厚さが２μｍの窒化シリコ
ン、吸収体パターン３２としての厚さが５μｍのタング
ステンとから構成された、吸収体が比較的厚いマスクを
用いることができる。マスクとしては、このほかに、厚
さが３０μｍ以上のニッケルメッシュを用いることもで
きる。
とえば支持膜３１としての厚さが２μｍの窒化シリコ
ン、吸収体パターン３２としての厚さが５μｍのタング
ステンとから構成された、吸収体が比較的厚いマスクを
用いることができる。マスクとしては、このほかに、厚
さが３０μｍ以上のニッケルメッシュを用いることもで
きる。
【００２６】次に、図４を参照して、現像処理により、
レジスト構造体４を作製する。次に、図５を参照して、
作製されたレジスト構造体４にニッケルめっきを施し
て、ニッケル金型５を作製する。その後、導電性基板１
とレジスト構造体４を除去する。
レジスト構造体４を作製する。次に、図５を参照して、
作製されたレジスト構造体４にニッケルめっきを施し
て、ニッケル金型５を作製する。その後、導電性基板１
とレジスト構造体４を除去する。
【００２７】続いて、図６を参照して、製作されたニッ
ケル金型５を用いて樹脂モールドを行ない、樹脂型６を
作製する。この樹脂型６は、たとえば、直径５０μｍで
深さ４００μｍの孔が、ピッチ１００μｍで２次元に並
んだ構造とすることができる。
ケル金型５を用いて樹脂モールドを行ない、樹脂型６を
作製する。この樹脂型６は、たとえば、直径５０μｍで
深さ４００μｍの孔が、ピッチ１００μｍで２次元に並
んだ構造とすることができる。
【００２８】次に、図７を参照して、圧電セラミックス
粉体とバインダとを混ぜて作製したセラミックススラリ
ー１７を、樹脂型６の上に載せてダイスに入れ、樹脂型
６側からプレス成形する。
粉体とバインダとを混ぜて作製したセラミックススラリ
ー１７を、樹脂型６の上に載せてダイスに入れ、樹脂型
６側からプレス成形する。
【００２９】その後、乾燥させ、図８に示すように、樹
脂型６をプラズマ５０で除去する。続いて、図９を参照
して、脱バインダを行なった後、圧電セラミックス焼成
温度（約１２００℃）以上の融点（約２８００℃）を持
つ直径３μｍ以下の窒化アルミニウム粉末１０を、セラ
ミックス構造体９の隙間に埋込んで焼成を行なう。
脂型６をプラズマ５０で除去する。続いて、図９を参照
して、脱バインダを行なった後、圧電セラミックス焼成
温度（約１２００℃）以上の融点（約２８００℃）を持
つ直径３μｍ以下の窒化アルミニウム粉末１０を、セラ
ミックス構造体９の隙間に埋込んで焼成を行なう。
【００３０】焼成後は、窒化アルミニウム粉末１０を取
除き、図１０に示すセラミックス構造体９を作製する。
除き、図１０に示すセラミックス構造体９を作製する。
【００３１】その後、エポキシ樹脂を含浸して硬化さ
せ、その後研削して複合圧電材料とする。
せ、その後研削して複合圧電材料とする。
【００３２】一方、発明者らは、図１にまたは図２に示
されるような柱状構造体の形状歪みの少ないセラミック
ス部品を製作する方法として、まず、焼成時に柱状構造
体を下向きに置くことで、柱の重さにより形状歪みをな
くすことができないかと考えた。しかしながら、柱の重
さが軽いため、効果が得られなかった。
されるような柱状構造体の形状歪みの少ないセラミック
ス部品を製作する方法として、まず、焼成時に柱状構造
体を下向きに置くことで、柱の重さにより形状歪みをな
くすことができないかと考えた。しかしながら、柱の重
さが軽いため、効果が得られなかった。
【００３３】そこで、発明者らは、脱バインダ焼成後に
柱状構造体の隙間に、セラミックス焼成温度以上の融点
を持つ微細セラミックス粉体を埋込んで焼成し、焼成後
に粉体を取除くことにより、形状歪みが低減できるか検
討した。微細セラミックス粉体を用いて焼成したとこ
ろ、形状歪みは抑制されていることがわかり、この手段
は有効であることがわかった。
柱状構造体の隙間に、セラミックス焼成温度以上の融点
を持つ微細セラミックス粉体を埋込んで焼成し、焼成後
に粉体を取除くことにより、形状歪みが低減できるか検
討した。微細セラミックス粉体を用いて焼成したとこ
ろ、形状歪みは抑制されていることがわかり、この手段
は有効であることがわかった。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明によれ
ば、従来法に比べ、１０％以上形状歪みが低減されたセ
ラミックス部品を製造することができる。
ば、従来法に比べ、１０％以上形状歪みが低減されたセ
ラミックス部品を製造することができる。
【図１】 微細構造を有するセラミックス部品の一例の
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図２】 微細構造を有するセラミックス部品の他の例
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
【図３】 本発明による微細構造を有するセラミックス
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
【図４】 本発明による微細構造を有するセラミックス
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
【図５】 本発明による微細構造を有するセラミックス
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
【図６】 本発明による微細構造を有するセラミックス
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
【図７】 本発明による微細構造を有するセラミックス
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
【図８】 本発明による微細構造を有するセラミックス
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
【図９】 本発明による微細構造を有するセラミックス
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方法
を示す断面図である。
【図１０】 本発明による微細構造を有するセラミック
ス部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方
法を示す断面図である。
ス部品の製造方法の一例として、複合圧電素子の製造方
法を示す断面図である。
【図１１】 微細柱の林立したセラミックス部品の製造
方法の一例を示す断面図である。
方法の一例を示す断面図である。
【図１２】 微細柱の林立したセラミックス部品の製造
方法の一例を示す断面図である。
方法の一例を示す断面図である。
【図１３】 微細柱の林立したセラミックス部品の製造
方法の一例を示す断面図である。
方法の一例を示す断面図である。
【図１４】 微細柱の林立したセラミックス部品の製造
方法の一例を示す断面図である。
方法の一例を示す断面図である。
【図１５】 微細柱の林立したセラミックス部品の製造
方法の一例を示す断面図である。
方法の一例を示す断面図である。
【図１６】 微細柱の林立したセラミックス部品の製造
方法の一例を示す断面図である。
方法の一例を示す断面図である。
【図１７】 微細柱の林立したセラミックス部品の製造
方法の一例を示す断面図である。
方法の一例を示す断面図である。
１ 導電性基板、２ レジスト、３ Ｘ線マスク、４
レジスト構造体、５ニッケル金型、６ 樹脂型、９ セ
ラミックス構造体、１０ 微粒粉末、２１，２５ 複合
圧電素子、２２，２６ 圧電セラミックス柱、２３ 樹
脂、３１ 支持膜、３２ 吸収体パターン、４０ シン
クロトロン放射光（ＳＲ）、５０ プラズマ。
レジスト構造体、５ニッケル金型、６ 樹脂型、９ セ
ラミックス構造体、１０ 微粒粉末、２１，２５ 複合
圧電素子、２２，２６ 圧電セラミックス柱、２３ 樹
脂、３１ 支持膜、３２ 吸収体パターン、４０ シン
クロトロン放射光（ＳＲ）、５０ プラズマ。
Claims (6)
- 【請求項１】 柱状構造を有するセラミックス部品の製
造方法であって、 焼成温度以上の融点を持つ粉末を振りかけた後に、焼成
することを特徴とする、セラミックス部品の製造方法。 - 【請求項２】 微細な柱状構造を有するセラミックス部
品の製造方法であって、 前記微細な柱状構造に対応する形状の孔を持つ樹脂型
に、セラミックススラリーを充填して固化させるステッ
プと、 前記樹脂型を除去して、セラミックス構造体を作製する
ステップと、 焼成温度以上の融点を持つ粉末を振りかけた後に、焼成
するステップと、 を備えることを特徴とする、セラミックス部品の製造方
法。 - 【請求項３】 前記柱状構造は、１辺が３０μｍ以下
で、アスペクト比が４以上の複数の四角柱を含む、請求
項１または請求項２記載のセラミックス部品の製造方
法。 - 【請求項４】 前記柱状構造は、直径が５０μｍ以下
で、アスペクト比が４以上の複数の円柱を含む、請求項
１または請求項２記載のセラミックス部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記粉末はセラミックスである、請求項
１〜請求項４のいずれかに記載のセラミックス部品の製
造方法。 - 【請求項６】 前記粉末の粒径は、前記柱状構造の間隔
以下である、請求項１〜請求項５のいずれかに記載のセ
ラミックス部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000082413A JP2001261454A (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | セラミックス部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000082413A JP2001261454A (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | セラミックス部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001261454A true JP2001261454A (ja) | 2001-09-26 |
Family
ID=18599229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000082413A Withdrawn JP2001261454A (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | セラミックス部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001261454A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013168654A (ja) * | 2004-12-20 | 2013-08-29 | Palo Alto Research Center Inc | 微細寸法セラミック厚膜素子アレイ、高精細形状セラミック厚膜素子アレイ及び高アスペクト比セラミック厚膜素子アレイの形成方法 |
-
2000
- 2000-03-23 JP JP2000082413A patent/JP2001261454A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013168654A (ja) * | 2004-12-20 | 2013-08-29 | Palo Alto Research Center Inc | 微細寸法セラミック厚膜素子アレイ、高精細形状セラミック厚膜素子アレイ及び高アスペクト比セラミック厚膜素子アレイの形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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