KR20180048665A - 첨가제 제조방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
층상 물체를 제조하기 위한 첨가제 제조 장치 및 방법. 상기 장치는 소정의 두께(d1)을 갖는 슬러리의 층을 제공하기 위한 슬러리 도포기(5)를 갖는다. 상기 슬러리(3)은 액체 및 결과적으로 물체를 형성하는 입자를 함유하는 서스펜션이다. 입자 연결 유닛(7)은 슬러리(3)의 층 상에서 작동하여 상기 슬러리(3)의 새로운 층을 도포하기 전에 단일 단계 입자 연결 공정을 수행한다.
Description
본 발명은 입자들의 용융 또는 소결을 사용하는 층상 물체(object layer by layer)를 제조하는 첨가제 제조방법에 관한 것이며, 또 다른 견지에서, 층상 물체를 제조하는 첨가제 제조 장치에 관한 것이다.
국제특허공개 WO98/24574는 용융 온도에서 선택적 레이저 소결하여 물체의 층상 첨가제 제조 공정을 제공하는 것을 개시한다. 레이저는 층상 물체를 형성하기 위해 금속 입자들의 층의 선택적 부분을 용융하는데 사용된다.
US 특허 공개 US2006/119017는 세라믹 또는 서멧 시편을 제조하는 방법을 개시한다. 슬러리의 층(얇은 그린 층, thin green layer)이 증착되고, 그 후에 (예를 들어, 적외선에 의해) 가열 및 건조되어 경화된 얇은 그린 층을 형성한다. 결과 물질의 상기 경화된 층을 건조한 후에, 세라믹 입자는 고에너지 빔, 예를 들어, 레이저 빔을 사용하여 부분적으로 (그리고, 이전의 층에 대하여) 본딩된다.
유럽 특허공개 EP-A-1 266 878는 유체 서스펜션을 사용하여 세라믹 재료를 제조하는 방법을 개시한다. 상기 방법은 특히 세라믹 재료에 관한 것으로서, 이러한 재료는 입자 또는 금속과 같은 통상적으로 사용되는 재료보다 첨가제 제조 방법에서 취급하기가 더욱 어려운 것으로 여겨지고 있다. 상기 개시된 방법은 슬러리를 사용하여 그린 바디(green body)를 형성하고, 이어서 적용된 층을 건조하는 단계 및 잔류하는 재료를 레이저 소결하는 것을 포함한다. 건조는 제1층에 대하여 섭씨 100도 미만으로 한정되지만, 그 다음의 층을 위해 상승될 수 있으며, 나아가 위에서부터 복사열에 의해 지원될 수 있다.
본 발명은 입자들의 레이저 용융 또는 소결에 기초한 첨가제 제조를 위한 개선된 방법을 제공하고자 한다.
본 발명에 따르면, 위에서 정의된 전제부에 따른 방법이 제공되며, 상기 방법은 처리될 층으로서 슬러리를 (예를 들어, 기재 상에) 도포하는 단계를 포함하고, 여기서, 상기 슬러리는 액체 및 결과적으로 물체를 형성하는 입자들을 함유하는 서스펜션이고, 그리고, 여기서 상기 슬러리는 10부피%와 70부피% 사이의 입자 함량을 가지며, 상기 슬러리의 새로운 층을 도포하기 전에 입자 연결 공정(particle connection process)을 수행하는 단계를 포함하며, 여기서 상기 입자 연결 공정은 단일 단계 공정(single step process)이다. 상기 슬러리는 (추가로 사용되는 액체 및/또는 첨가제에 따라) 페이스트(paste), 디스퍼션(dispersion), 서스펜션 등으로서 수행될 수 있다. 상기 나타낸 입자 함량 범위는 상기 물체의 이미 형성된 층 상에 안정한, 새로운 층을 반복적으로 도포함으로써 삼차원 물체의 첨가제 제조를 허용한다. 또한 가공될 매우 균질한 층은 물론, 상기 물체를 결과적으로 형성하는 입자들의 안정적인 분산을 갖도록 한다. 나아가, 층 형성 공정 중 파우더의 스플래터링(splattering)이 효과적으로 방지된다.
보다 바람직한 구현예로서, 입자 연결 공정은 (레이저) 용융 또는 (레이저) 소결 공정이다. 이러한 공정을 사용하는 것은 상기 층의 완전한 용융 및 고형화를 허용하며, 그러나, 또한 상기 층의 개방된 구조를 얻도록 허용할 것이다. 입자 연결 공정 수행으로서 레이저를 사용할 때, 펄스된 또는 CW 레이저가 사용될 수 있으며, 이는 또한 상기 층의 표면 위에 수치적으로 제어된 가이던스(guidance)를 사용하는 것을 허용할 것이다.
다른 구현예로서, 상기 입자들은 300㎛ 미만, 예를 들어, 5㎛ 미만의 직경을 갖는다. 마이크로-입자들(1㎛ 차원의 직경) 또는 나노-입자들(1㎚ 차원의 직경) 또한 유효하게 사용될 수 있다. 상기 슬러리는 액체 및 궁극적으로 물체를 형성하는 입자들을 함유하는 서스펜션이며, 여기서 상기 액체는 상기 입자들에 대한 서스펜션제(또는 결합제)로서 역할을 하며, 이 경우 상기 슬러리는 예를 들어, 물, 또는 톨루엔과 같은 대안적 용매를 사용하는 서스펜션이다.
상기 입자 연결 공정은 다른 구현예로서, 예를 들어 가열 단계를 포함하는 치밀화 공정에 선행된다. 이는 에너지 효율적 공정을 사용하는 입자 연결 단계 전에 이미 상기 층에 보다 고밀도를 얻도록 허용한다.
상기 입자들은 (반도체 입자를 포함하는) 금속 입자들, 금속 전구체 물질 입자들, 폴리머 입자들, 유리 입자들의 그룹의 하나 이상일 수 있다. 이는 3차원 물체를 제조하는 다양한 재료의 사용을 허용한다.
다른 구현예로서, 상기 슬러리는 예를 들어, 입자 연결 (소결) 단계를 강화하는 첨가제들을 더욱 포함한다.
처리될 층은, 또 다른 구현예로서 300㎛ 미만의 두께를 가지며, 고 정밀도를 갖는 3차원 물체를 제조하는 것을 허용한다.
다른 구현예로서, 상기 방법은 처리될 층의 상부(top) 상에 보호성 가스(protective gas)의 흐름을 적어도 상기 입자 연결 공정 중에 제공하는 단계를 포함한다. 특정 환경에서, 이는 입자 연결 단계 및 본 발명의 방법의 가능한 다른 단계들의 적절한 실행에 도움을 준다.
상기 입자 연결 공정은 다른 구현예로서 소정의 패턴으로 적용되어, 첨가제 제조 공정의 각 층에 미세 구조물들을 사용하는 것을 허용한다.
상기 입자 연결 공정은 다른 구현예로서, 세정 공정이 뒤따른다. 잔류하는 슬러리의 일부 액체 성분이 여전히 존재할 수 있기 때문에, 사용되지 않은 물질을 쉽게 세척하여 제거할 수 있으며, 또한 상기 슬러리의 입자를 재사용할 수 있게 한다.
다른 슬러리 조성물이 상기 물체의 새로운 층을 위해 사용될 수 있으며, 이는 차등 구조(graded structure)를 갖는 3차원 물체를 얻는 것을 가능하게 한다.
다른 견지로서, 첨가제 제조 장치가 층상 물체를 제조하기 위해 제공되며, 상기 장치는 슬러리 층을 제공하기 위한 슬러리 도포기(slurry applicator), 여기서, 상기 슬러리는 액체 및 상기 물체를 궁극적으로 형성하는 입자들을 함유하는 서스펜션이고, 10부피%와 70부피% 사이의 입자 함량을 갖는 소정 두께를 갖는다; 및 상기 슬러리의 층상에서 작동하여 상기 슬러리의 새로운 층을 도포하기 전에 단일 단계 입자 연결 공정을 수행하는 입자 연결 유닛을 포함한다. 이러한 장치는 보호성 환경을 사용하는 다양한 형태의 SLM/SLS 장치에 대하여 현재 요구되는 특별한 작동 환경의 필요성을 제거시킬 것이다. 상기 장치는 나아가 슬러리 도포기에 연결된 제어 유닛, 임의의 치밀화 유닛 및 상기 입자 연결 유닛을 포함할 수 있으며, 여기서, 제어 유닛은 본 발명 방법 구현예 중의 어떠한 단계들을 실행하도록 배치된다.
본 발명은 이하에서 첨부된 도면을 참조하여 많은 대표적인 구현예를 사용하여 보다 상세하게 논의될 것이며, 여기서,
도 1a-c는 본 발명의 일 구현예의 다양한 단계를 나타내며;
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 장치의 모식도를 나타낸다.
도 1a-c는 본 발명의 일 구현예의 다양한 단계를 나타내며;
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 장치의 모식도를 나타낸다.
3차원 물체(층상, layer-by-layer)의 첨가제 제조를 위한 현재의 선택적 레이저 용융(Selective Laser Melting, SLM)/선택적 레이저 소결(Selective Laser Sintering, SLS) 공정에 있어서, 출발 생성물(starting product)은 통상적으로 균일한 층상의 (금속) 입자들의 파우더이며, 상기 금속 입자들은 함께 선택적으로 용융 또는 소결된다. 현재 공정들은 30㎛ 차원의 최소 층 두께를 가지며, (예를 들어, 상기 파우더 표면 상에 불활성 가스를 공급함에 의한) 보호성 환경을 필요로 한다. 상기 층의 충분한 균일성을 유지하면서 보다 얇은 층들이 달성되기가 어렵다. 이러한 경우, 그러나 또한 보다 두꺼운 층들을 처리할 때, 부분적 오버히팅(overheating)으로 인해 상기 공정 중에 미처리된 파우더가 떨어져 나가는 것(splashing away)이 가능하다. 또한, 통상, 처리된 층의 결과 표면은 (입자들의 그레인 사이즈 및 용융 공정으로 인해) 여전히 상당히 거칠며(coarse), (미소 구조체 내의 부분적 용융, 그로 인한 스트레스 및 오리엔테이션(stress and orientation)으로 인해) 이방성(anisotropic)이다. 또한, 용융되지 않은 파우더는 용융 공정 중 상기 물체에 둘러싸일 수 있으며, 이는 나중에 제거될 수 없으므로, 상기 공정은 최종 제품의 형태 관점에서 상당히 제한된다. 예를 들어, 미세한 채널들은 일반적인 SLM/SLS 공정을 사용하여 형성하기가 어렵다. 나아가, 각 제조된 물체는 군집을 이룬 파우더 결함(clustered powder debris)을 제거하고, 상기 물체의 표면 품질을 향상시키기 위해, 예를 들어, 샌드블라스팅(sandblasting), 텀블링(tumbling) 또는 수동 샌딩/폴리싱(manual sanding/polishing)에 의한 후처리를 필요로 한다.
본 발명의 구현예들에 따르면, 다른 공정이 제공되며, 여기서 출발 물질은 입자 파우더가 아니라 액체 및 궁극적으로 상기 물체를 형성하는 입자를 함유하는 서스펜션, 예를 들어, 슬러리이다. 예를 들어, 물과 같은 액체에 부유된 금속 입자들의 서스펜션을 사용하는 것은 상기 입자들이 예를 들어, 레이저 용융 또는 레이저 소결을 사용하여 균일한 층에 대해 서로 연결되기 전에 상기 입자들을 적절히 쌓는 것을 가능하게 한다.
도 1a-c는 층상 물체를 제조하는 본 발명의 방법의 일 구현예의 단계들을 보여주며, 여기서, 다량의 슬러리(3)가 기재(2)(또는 다른 적합한 표면, 예를 들어, 이미 제조된 층의 표면) 상에 처리될 층(3)으로서 증착된다. 상기 층(3)은 예를 들어, 입자 함량 33부피%를 갖는 40㎛의 두께(d1)을 갖는다(도 1a). 상기 슬러리는 입자들을 포함하며, 10부피%와 70부피% 사이의 입자 함량, 예를 들어, 적어도 35부피%의 입자 함량을 갖는다. 슬러리 내의 상기 입자들은 예를 들어, 금속 입자들, 또는 이들의 전구체일 수 있으며, 또한 폴리머 입자들, 유리 입자들, 또는 나아가 세라믹 입자들일 수도 있다. 상기 슬러리는 예를 들어, 서스펜션(예를 들어, 물과 같은 액체 내의 금속 입자들), 디스퍼션, 또는 페이스트로 제조되며, 또한 사용되는 입자들의 타입에 따라 졸/겔 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 특별한 적용처에 있어서, 예를 들어, 초기 슬러리는 입자 함량 50%를 가지며, 이는 이어지는 단계에서 양호한 치밀화(입자들의 적층)의 결과로 될 것이다.
도 1b에 있어서, 이러한 현상은 임의의 처리 단계 후에 나타나며, 상기 임의의 처리단계는 상기 도포된 슬러리 층(3)의 치밀화 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 이러한 대표적인 구현예로서, 상기 결과 층(3a)는 약 66부피%의 입자 함량을 갖는다(모든 입자는 차곡차곡 쌓이고, 구상 입자의 경우에 약 66%의 입자 함량으로 나타난다). 완전한 구상 입자가 아닌 경우에, 이러한 처리 단계는 초기 층(3)의 부피의 약 70% 미만으로 잔류하는 결과를 나타낼 수 있다. 상기 나타낸 대표적인 구현예에서, 치밀화 공정 후의 상기 층(3a)의 결과 두께(d2)는 그리하여 20㎛이다(33부피% 입자에서 66부피% 입자로 됨). 이러한 공정은 또한 상기 입자들을 배열(또는 적층)하는 것을 보다 도우며, 이는 본 방법 구현예의 최종 단계에 대한 보다 좋은 출발 포인트를 제공함을 알 수 있다.
도 1c는 입자 연결 공정 중의 현상을 나타내며, 여기서, 결과 층(3b)는 부분적 고에너지 조사(localized high energy radiation)의 빔(4)를 사용하여 형성된다. 이는 한층 더 치밀화의 결과를 가져올 것이며, 예를 들어, 모든 입자를 용융하면, 상기 물질이 함께 유동하는 것을 가능하게 한다. 결과 층(3b)는, 이러한 예에서, 상기 입자들로부터 예를 들어 99부피%의 고체 물질의 밀도에 도달한 후, 예를 들어, 단지 13.3㎛의 두께(d3)를 갖는다. 한층 더 높은 층 두께 감소는 예를 들어, 99.99부피%에 도달될 수 있다. 입자 연결 공정은 슬러리(3)의 새로운 층을 도포하기 전에 수행되며, 상기 입자 연결 공정은 단일 단계 공정임을 알 수 있다. 선택적인 것으로서, 이러한 입자 연결 공정은 다공성 층의 형태로 결과층(3b)을 제공하도록 수행될 수 있다.
이러한 마지막 단계(상기 입자 연결 공정)는 예를 들어, 선택적 (레이저) 용융 (또는 소결) 단계이다.
10%와 70% 사이의 입자 함량을 갖는 슬러리를 사용하는 것은 물체의 이미 형성된 층 상에 안정한, 새로운 슬러리 층을 도포함으로써 물체의 첨가제 제조를 허용하고, 또한, 매우 균질한 층을 갖도록 처리되는 것을 허용하여, 상기 방법 단계 중에 안정한 분산 및 적절한 배열의 결과를 가져오며, 결과적으로, (보이지 않는 층 구조와 같은) 매우 양호한 물체 특성을 갖는 물체를 제공한다.
상기 슬러리(3) 내의 (고체) 입자들은 본 발명의 구현예에서, 300㎛ 미만의 직경을 가지며, 그러나, 5㎛ 정도로 작을 수 있고, 또는 1㎛ 차원(마이크로 입자들) 또는 1㎚ 차원(나노-입자들)일 수 있다. 이는 원하는 두께의 처리된 층(3b), 10㎛ 또는 더 작은 두께의 한층 얇은 층(3b)을 얻을 수 있도록 하며, 보다 높은 해상도(resolution) 및 보다 좋은 미세 구조를 갖는 3차원 물체를 제공한다.
다른 구현예에 있어서, 슬러리 3은 상기 입자들을 위한 서스펜션제 (또는 결합제)를 포함하며, 예를 들어, (금속) 입자들의 서스펜션을 제공하기 위해 물, 또는 선택적인 톨루엔과 같은 용매를 사용한다. 이는 슬러리(3)에서 입자들 사이의 응집을 향상시키며, 상기 입자들의 보다 좋은 배열을 제공한다.
상기 치밀화 공정(도 1b 참조)은 예를 들어, 66% 또는 95% 정도의 입자 함량을 갖는 중간층(intermediate layer)(3a)를 제공한다. 상기 치밀화 공정은 예를 들어, 가열 단계를 포함한다. 가열은 직접 또는 간접적인 가열의 다양한 기술을 사용하는 매우 효과적인 방법으로 기재(2) 상의 슬러리(3)의 함량에 대하여 적용될 수 있으며, 결과 중간층(3a)의 입자 함량을 효과적으로 증대시킬 수 있다.
상기 입자 연결 공정(도 1c 참조)은 적어도 98%의 고체 물질(입자) 함량, 예를 들어, 적어도 99.99%를 갖는 층상, 즉, 매우 균일한 층(3b)을 만든 물체를 제공할 수 있다. 이러한 입자 연결 공정은 예를 들어, (레이저) 용융 또는 (레이저) 소결 공정이다. 이러한 SLM 또는 SLS 공정은 잘 알려져 있으며, 매우 효과적인 입자 연결 단계를 위해 제공될 수 있다.
본 발명의 일 구현예는 다음 그룹의 하나 이상인 입자들을 가짐으로써 다양한 물질의 물체를 얻기 위해 적용될 수 있다: 금속 입자들, 금속 전구체 물질 입자들, 폴리머 입자들, 세라믹 입자들, 유리 입자들. 금속 전구체 물질 입자들의 예는 한정하는 것은 아니지만, 금속하이드라이드 입자들, 금속옥사이드 입자들, 금속하이드록사이드 입자들, 금속설파이드 입자들, 금속할라이드 입자들, 금속유기화합물 입자들 또는 다른 미네랄 입자들. 상기 금속 입자들은 티타늄, 텅스텐 등일 수 있으며, 그러나, 또한 실리콘, 저마늄 등과 같은 반도체 물질 입자들일 수 있다.
금속 전구체 물질 입자들을 사용하는 경우, 이들은 예를 들어, 탄소, 수소, 하이드라이드, Na 또는 Mg와 같은 알칼리금속과 같은 환원제로 환원을 사용하거나 또는 전기화학적 방법에 의해 처리되어야 한다. 이러한 방법에서, (일부) 금속은 금속 전구체 물질 입자로부터 형성될 수 있으며, 추가적인 치밀화 또는 금속 형성 중 내부적 환원 분위기를 야기할 수 있다. 이는 그리하여 제조된 물체의 보다 고품질 재료로 향상시킬 것이다. 상기 전구체 물질 가공 단계(precursor material processing step)는 개별 단계일 수 있으며, 또는 (부분적으로) 치밀화 단계 및/또는 입자 연결 단계와 함께 수행될 수 있다.
적절한 열적 특성을 갖는 물질의 입자를 사용하는 경우, 이들은 예를 들어, 글레이징 또는 에나멜 층(glazing or enamel layer)을 제공하기 위해 본 발명의 구현예를 사용하는데 사용될 수 있다.
상기 슬러리(3)는, 본 방법 구현예의 하나 이상의 단계를 더욱 향상시키기 위해, 예를 들어, 입자 연결 공정의 소결 또는 치밀화 공정 수행을 향상시키기 위해, 또한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, (서브-) 나노 소결 활성 금속 부분은 중간 스테이지(intermediate stages)에서 제공될 수 있으며, 전체 소결 공정을 향상시킬 수 있다. 나아가, 상기 슬러리(3)는 또한, 합금 물질의 층 (및 첨가제 제조된 물체(additive manufactured object))를 제공하기 위해, 금속 혼합물들 또는 다른 입자들을 또한 포함할 수 있다. 또한, 상기 슬러리(3)는 예를 들어, 이트리움 도핑된 물체를 얻기 위해, 주된 입자 물질 및 소량으로 제2 입자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 제2 입자 물질은 적합한 액체 매질을 사용하는 슬러리에 쉽게 첨가될 수 있다.
본 발명 구현예는 부유된 입자들을 갖는 슬러리를 사용함으로써, 최종적인 물체 내에 매우 얇은 층을 얻는 것이 가능하다. 예를 들어, 도 1a-c를 참고하여 상기 예시한 것으로서, 상기 처리될 슬러리(3)의 층은 40㎛ 미만의 두께(d1)를 가지며, 결과적으로, 단지 10㎛ 두께의 처리된 층(3b)으로 된다. 추가적인 예시로서, 출발 층(3)은 더욱 두꺼워지고, 300㎛까지 된다. 비록 상기 슬러리(3)에 마이크로-입자들을 사용하는 경우에도, 상기 처리될 슬러리의 층은 층의 정밀도 및 균질성/균일성의 면에서 관리가능하다.
추가적인 구현예에서, 상기 방법은 적어도 상기 입자 연결 공정 중에 (그러나, 또한 (임의의) 치밀화 공정 중에) 상기 처리될 슬러러의 층(3)의 상부에 보호성 가스의 흐름을 제공하는 단계를 더욱 포함한다. 이는 특히, 예를 들어, 상기 사용된 금속 입자들이 보통의 대기 환경과 반응할 가능성이 있는 경우, 이러한 방법을 사용하여 형성된 층의 품질을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 입자 연결 공정은 또 다른 구현예에서 소정의 패턴으로 적용된다. 이는 물체들의 첨가제 제조를 위한 각 층에 미세한 구조를 얻는 것을 허용한다. 이러한 및 다른 구현예들을 더욱 향상시키기 위해, 상기 입자 연결 공정은 추가적인 구현예에서 세정 공정이 뒤따른다. 상기 입자 연결 공정 후에 잔류하는 물질은 여전히 일부 슬러리성 특징을 가지므로(슬러리 내의 모든 용매/물이 증발되는 것은 아니므로), 상기 방금 처리된 물체를 세정하여 최종 적용된 층의 미처리된 부분을 제거할 수 있다. 이는 본 발명의 구현예를 사용하여 제조된 3차원 물체에 미세 구조 및 특성을 제공하는 가능성을 더욱 향상시킨다. 나아가, 추가 량의 슬러리를 제조하기 위한 잔존하는 입자들을 회수하여 재사용하는 것을 쉽게 허용한다.
또 다른 구현예로서, 상기 방법은 상기 물체의 새로운 층을 위한 다른 슬러리 조성물을 사용하는 것을 더욱 포함한다. 이는 3차원 물체에 층을 갖는 구조들을 얻기 위해, 또는 예를 들어, 치밀 물체(dense object) 내에 부분적 막(local membrane)(심지어 구조화된 질감(structured texture)을 갖는 막)을 제공하기 위해 유리하게 사용될 수 있다. 예를 들어, 상이한 물질의 하나 이상의 층을 제공하기 위해 경화성 수지를 갖는 슬러리를 사용하는 또 다른 층 증착 기술이, 상기한 치밀화/입자 연결 단계와 함께 간헐적으로 사용될 수 있다.
상기된 방법 구현예들은 층상 물체를 제공하기 위한 첨가제 제조 장치를 사용하여 실시될 수 있다. 도 2에 나타낸 것으로서, 본 발명 장치의 구현예의 개략도에 나타낸 바와 같이, 상기 장치는 소정의 두께(d1)을 갖는 슬러리(또는 서스펜션, 페이스트, 디스퍼션)의 층(3)을 제공하기 위한 슬러리 도포기(slurry applicator)(5)를 포함하며, 여기서 상기 슬러리는 액체 및 결과적으로 상기 물체를 형성하는 (고체) 입자를 함유하는 서스펜션이고, 상기 슬러리(3)는 10%와 70% 사이의 입자 함량을 갖는다. 나아가, (임의의) 치밀화 유닛(densification unit)(6)이 존재하며, 이는 슬러리(3)의 층 상에서 작동하며, 또한 상기 슬러리(3)의 층 상에서 입자 연결 유닛(particle connection unit)(7)이 작동하여 (만약 존재한다면 치밀화 유닛에 연속적으로) 슬러리(3)의 새로운 층을 도포하기 전에 단일 단계 입자 연결 공정을 실행한다. 이러한 장치에 있어서는, 파우더화된 물질의 스플래쉬(splashing)를 방지하기 위해 레이저 용융/소결 주변에 보호성 환경을 필요로 하는 종래의 SLM/SLS 시스템에 반하여, 특별한 환경은 필요하지 않다.
도 2에 나타낸 구현예와 같이, 치밀화 유닛(6)은 가열장치(heating device)일 수 있으며, 입자 연결 유닛(7)은 레이저 장치(laser device)이다. 상기 레이저 장치는 예를 들어, 고상 또는 반도체 (다이오드) 레이저를 사용하는, 펄스 또는 연속 파장 레이저(a pulsedorcontinuous wave laser)일 수 있다. 상기 입자 연결 유닛(7)은 용융/소결 공정을 수행하기 위해 특정한 소규모 지점(specific small point) 상에 에너지를 가하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, CNC 제어된 레이저원(CNC controlled laser source)을 사용하여, 상기 층(3)의 전 표면이 (패턴화된) 조사량에 노출될 수 있다.
나아가, 첨가제 제조 장치는 슬러리 도포기(5), 치밀화 유닛(6) 및 입자 연결 유닛(7)에 연결된 제어 유닛(control unit)(8)을 더욱 포함할 수 있다. 이러한 구현예에서 상기 제어 유닛(8)은 상기한 구현예들 중 어느 하나에 따른 방법을 수행하도록 배치된다. 이는 3차원 물체의 첨가제 제조를 위한 전 공정을 자동적으로 제어하는 것을 허용한다. 나아가, 제어 유닛(8)에 대한 대체재는 제조되는 3차원 물체의 연속적 층들에 대한 입자 연결 공정(레이저 용융/소결)을 위한 새로운 층(3a)의 높이 위치(또는 x-y 위치도 또한)를 제어하기 위한 (직접 또는 간접적으로, 예를 들어, 스테이지를 통해) 기재(2)에 상기 제어 유닛이 또한 연결된 것일 수 있다.
본 발명 구현예들을 도면들에 나타낸 바와 같은 복수의 대표적인 구현예들을 참조하여 상기에 기재하였다. 일부 부분 또는 요소의 개조 및 선택적 실행이 가능하고, 첨부된 청구범위에서 정의된 보호범위에 포함된다.
Claims (15)
- 층상 물체를 생산하는 첨가제 제조 방법으로서,
처리될 층으로서 슬러리(3)를 도포하는 단계, 여기서, 상기 슬러리(3)는 액체 및 결과적으로 상기 물체를 형성하는 입자를 함유하는 서스펜션이고, 여기서 상기 슬러리(3)는 10부피%와 70부피% 사이의 입자 함량을 갖는다; 및
상기 슬러리(3)의 새로운 층을 도포하기 전에 입자 연결 공정을 수행하는 단계
를 포함하며, 여기서 상기 입자 연결 공정은 단일 단계 공정인 방법. - 제1항에 있어서, 상기 입자 연결 공정은 (레이저) 용융 또는 (레이저) 소결 공정인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 입자는 300㎛ 미만, 예를 들어, 5㎛ 미만의 직경을 갖는 것인 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자 연결 공정은 치밀화 공정에 선행되는 것인 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자는 금속 입자들, 금속 전구체 물질 입자들, 폴리머 입자들, 유리 입자들의 그룹의 하나 이상인 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬러리(3)는 첨가제를 더 포함하는 것인 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리될 층은 300㎛ 미만의 두께를 갖는 것인 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 상기 입자 연결 공정 중에 상기 처리될 층의 상부에 보호성 가스의 흐름을 제공하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자 연결 공정은 소정의 패턴으로 적용되는 것인 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자 연결 공정은 세정 공정이 뒤따르는 것인 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물체의 새로운 층을 위해 상이한 슬러리 조성물을 사용하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 층상 물체를 제조하기 위한 첨가제 제조 장치로서,
소정의 두께(d1)를 갖는 슬러리의 층을 제공하기 위한 슬러리 도포기(5), 여기서, 상기 슬러리(3)는 액체 및 결과적으로 상기 물체를 형성하는 입자를 함유하는 서스펜션이고, 상기 슬러리(3)는 10부피%와 70부피% 사이의 입자 함량을 갖는다; 및
상기 슬러리(3)의 층 상에서 작동하여 상기 슬러리(3)의 새로운 층을 도포하기 전에 단일 단계 입자 연결 공정을 수행하는 입자 연결 유닛(7)
을 포함하는 장치. - 제12항에 있어서, 상기 입자 연결 유닛(7) 전에 상기 슬러리(3)의 층 상에서 작동하는 치밀화 유닛(6)을 더 포함하는 것인 장치.
- 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 입자 연결 유닛(7)은 레이저 장치인 장치.
- 제12항, 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 슬러리 도포기(5)에 연결된 제어유닛(8), 임의의 치밀화 유닛(6) 및 입자 연결 유닛(7)을 더 포함하며, 상기 제어유닛(8)은 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하도록 배치된 것인 장치.
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