JP2001257336A - 高設アクティブ・ピクセル・センサ・アレイのための導電性メッシュ・バイアス接続 - Google Patents
高設アクティブ・ピクセル・センサ・アレイのための導電性メッシュ・バイアス接続Info
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L31/02—Details
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アクティブ・センサによって受光された光が、
アレイの他のアクティブ・ピクセル・センサに及ぼす影
響を軽減する。 【解決手段】アクティブ・ピクセル・センサは、基板上
に隣接して置かれた複数の導電性バイアを含む相互接続
構造２１０と、対応する導電性バイアを介して基板に電
気的に接続されたピクセル電極及びその上に形成された
Ｉ層を含む複数の光センサと、光センサに隣接して形成
され導電性バイアを介して基板に電気的に接続された導
電性メッシュ２４０とを含む。導電性メッシュ２４０に
よって、光センサのピクセル電極の少なくとも１つとア
ライメントのとれるアパーチャ３１０が形成される。
アレイの他のアクティブ・ピクセル・センサに及ぼす影
響を軽減する。 【解決手段】アクティブ・ピクセル・センサは、基板上
に隣接して置かれた複数の導電性バイアを含む相互接続
構造２１０と、対応する導電性バイアを介して基板に電
気的に接続されたピクセル電極及びその上に形成された
Ｉ層を含む複数の光センサと、光センサに隣接して形成
され導電性バイアを介して基板に電気的に接続された導
電性メッシュ２４０とを含む。導電性メッシュ２４０に
よって、光センサのピクセル電極の少なくとも１つとア
ライメントのとれるアパーチャ３１０が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、フォト・
ダイオード・アクティブ・ピクセル・センサに関するも
のである。とりわけ、本発明は、アクティブ・ピクセル
・センサ間に遮光を施す、高設アクティブ・ピクセル・
センサ・アレイの導電性メッシュ・バイアス接続に関す
るものである。
ダイオード・アクティブ・ピクセル・センサに関するも
のである。とりわけ、本発明は、アクティブ・ピクセル
・センサ間に遮光を施す、高設アクティブ・ピクセル・
センサ・アレイの導電性メッシュ・バイアス接続に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】イメージ・センサまたは感光センサのア
レイは、イメージ・センサが受光した光の強度を検出す
る。イメージ・センサは、一般に、イメージ・センサが
受光した光の強度に比例する振幅を備えた電子信号を発
生する。イメージ・センサは、光イメージを１組の電子
信号に変換することができる。電子信号は、イメージ・
センサが受光した光の色の強度を表すことが可能であ
る。電子信号に調整及びサンプリングを施して、イメー
ジ処理することが可能である。
レイは、イメージ・センサが受光した光の強度を検出す
る。イメージ・センサは、一般に、イメージ・センサが
受光した光の強度に比例する振幅を備えた電子信号を発
生する。イメージ・センサは、光イメージを１組の電子
信号に変換することができる。電子信号は、イメージ・
センサが受光した光の色の強度を表すことが可能であ
る。電子信号に調整及びサンプリングを施して、イメー
ジ処理することが可能である。
【０００３】イメージ・センサと信号処理回路の一体化
によって、イメージング・システムの小型化及び単純化
が可能になるため、ますます重要になっている。イメー
ジ・センサとアナログ及びデジタル信号処理回路要素を
一体化すると、電子イメージング・システムを低コスト
で、コンパクトなものにし、必要な電力消費を少なくす
ることが可能になる。
によって、イメージング・システムの小型化及び単純化
が可能になるため、ますます重要になっている。イメー
ジ・センサとアナログ及びデジタル信号処理回路要素を
一体化すると、電子イメージング・システムを低コスト
で、コンパクトなものにし、必要な電力消費を少なくす
ることが可能になる。
【０００４】歴史的に、イメージ・センサは、主として
電荷結合素子（ＣＣＤ）であった。ＣＣＤは、比較的小
さく、高充填率をもたらすことができる。しかし、ＣＣ
Ｄは、デジタル及びアナログ回路要素との一体化が極め
て困難である。更に、ＣＣＤは、大量の電力を消費し、
画像のスミア問題に悩まされる。
電荷結合素子（ＣＣＤ）であった。ＣＣＤは、比較的小
さく、高充填率をもたらすことができる。しかし、ＣＣ
Ｄは、デジタル及びアナログ回路要素との一体化が極め
て困難である。更に、ＣＣＤは、大量の電力を消費し、
画像のスミア問題に悩まされる。
【０００５】ＣＣＤセンサに代替し得るのが、アクティ
ブ・ピクセル・センサである。アクティブ・ピクセル・
センサは、標準的なＣＭＯＳプロセスを利用して製造す
ることが可能である。従って、アクティブ・ピクセル・
センサは、デジタル及びアナログ信号処理回路要素との
一体化を容易に実施することが可能である。更に、ＣＭ
ＯＳ回路は、電力消費量が少ない。
ブ・ピクセル・センサである。アクティブ・ピクセル・
センサは、標準的なＣＭＯＳプロセスを利用して製造す
ることが可能である。従って、アクティブ・ピクセル・
センサは、デジタル及びアナログ信号処理回路要素との
一体化を容易に実施することが可能である。更に、ＣＭ
ＯＳ回路は、電力消費量が少ない。
【０００６】図１には、先行技術によるイメージ・セン
サ・アレイの断面図が示されている。このイメージ・セ
ンサ・アレイには、基板１０の上に配置されたＰＩＮダ
イオード・センサが含まれている。相互接続構造１２に
よって、ＰＩＮダイオードのＮ層１４が基板１０に電気
的に接続される。Ｎ層１４の上に、Ｉ層１６が形成され
る。Ｐ層１８はＩ層の上に形成される。Ｐ層１８、Ｉ層
１６、及び、Ｎ層１４によって、ＰＩＮダイオード・セ
ンサのアレイが形成される。第１の導電性バイア２０に
よって、第１のダイオード・センサが基板１０に電気的
に接続され、第２の導電性バイア２２によって、第２の
ダイオード・センサが基板１０に電気的に接続される。
ダイオード・センサ・アレイの上に透明導電層２４が配
置される。導電性リード２６が、透明導電層２４に接続
される。導電性リード２６が、ＰＩＮダイオード・セン
サ・アレイのＰ層１８にバイアスをかけて、選択された
電圧電位にするバイアス電圧に接続される。
サ・アレイの断面図が示されている。このイメージ・セ
ンサ・アレイには、基板１０の上に配置されたＰＩＮダ
イオード・センサが含まれている。相互接続構造１２に
よって、ＰＩＮダイオードのＮ層１４が基板１０に電気
的に接続される。Ｎ層１４の上に、Ｉ層１６が形成され
る。Ｐ層１８はＩ層の上に形成される。Ｐ層１８、Ｉ層
１６、及び、Ｎ層１４によって、ＰＩＮダイオード・セ
ンサのアレイが形成される。第１の導電性バイア２０に
よって、第１のダイオード・センサが基板１０に電気的
に接続され、第２の導電性バイア２２によって、第２の
ダイオード・センサが基板１０に電気的に接続される。
ダイオード・センサ・アレイの上に透明導電層２４が配
置される。導電性リード２６が、透明導電層２４に接続
される。導電性リード２６が、ＰＩＮダイオード・セン
サ・アレイのＰ層１８にバイアスをかけて、選択された
電圧電位にするバイアス電圧に接続される。
【０００７】図１のイメージ・センサ構造の制限となる
のは、イメージ・センサ間に遮光が施されていない点で
ある。近傍のセンサ間に遮光が施されていないので、所
定のセンサが受光する光が近傍のセンサにも受光される
ことになる。電流が、Ｎ層１４を介して、近傍のイメー
ジセンサ間を流れることができるので、所定のイメージ
・センサが受光する光は、近傍のイメージ・センサにも
影響する。電荷は、とりわけ、受光した光の強度が近傍
のイメージ・センサ間で大幅に変動する場合に、イメー
ジ・センサ間を流れることが可能になる。Ｐ層１８、Ｉ
層１６、及び、Ｎ層１４は、近傍イメージセンサによっ
て共用されている。近傍イメージ・センサのＮ層セクシ
ョン間における抵抗を増大させることによって、イメー
ジ・センサ間に多少の遮断を施すため、トレンチ２８が
形成されている。
のは、イメージ・センサ間に遮光が施されていない点で
ある。近傍のセンサ間に遮光が施されていないので、所
定のセンサが受光する光が近傍のセンサにも受光される
ことになる。電流が、Ｎ層１４を介して、近傍のイメー
ジセンサ間を流れることができるので、所定のイメージ
・センサが受光する光は、近傍のイメージ・センサにも
影響する。電荷は、とりわけ、受光した光の強度が近傍
のイメージ・センサ間で大幅に変動する場合に、イメー
ジ・センサ間を流れることが可能になる。Ｐ層１８、Ｉ
層１６、及び、Ｎ層１４は、近傍イメージセンサによっ
て共用されている。近傍イメージ・センサのＮ層セクシ
ョン間における抵抗を増大させることによって、イメー
ジ・センサ間に多少の遮断を施すため、トレンチ２８が
形成されている。
【０００８】図１のイメージ・センサ構造のもう１つの
制限は、導電性リード２６と透明な導電層２４間の電気
的接続である。透明な導電層２４は、ＰＩＮダイオード
にバイアスをかけることができるように導電性でなけれ
ばならないし、ＰＩＮダイオードが受光できるように透
明でなければならない。一般に、透明導電層２４の形成
に利用しなければならないタイプの材料との結合は極め
て困難である。従って、導電性リード２６は、何らかの
タイプのクランプまたは支持構造を用いて透明導電層２
４に取り付けなければならない。この結果得られる電気
接続は、信頼性に欠け、生産コストが高くつくものにな
る。
制限は、導電性リード２６と透明な導電層２４間の電気
的接続である。透明な導電層２４は、ＰＩＮダイオード
にバイアスをかけることができるように導電性でなけれ
ばならないし、ＰＩＮダイオードが受光できるように透
明でなければならない。一般に、透明導電層２４の形成
に利用しなければならないタイプの材料との結合は極め
て困難である。従って、導電性リード２６は、何らかの
タイプのクランプまたは支持構造を用いて透明導電層２
４に取り付けなければならない。この結果得られる電気
接続は、信頼性に欠け、生産コストが高くつくものにな
る。
【０００９】
【発明の解決すべき課題】アレイのあるアクティブ・ピ
クセル・センサによって受光された光が、アレイの他の
アクティブ・ピクセル・センサに対して遮蔽されるよう
に、アクティブ・ピクセル・センサ・アレイを基板に隣
接して形成することが望ましい。すなわち、アクティブ
・ピクセル・センサ間を遮断することによって、アレイ
のあるアクティブ・センサによって受光された光がアレ
イの他のアクティブ・ピクセル・センサに及ぼす影響を
軽減することが望ましい。また、アクティブ・ピクセル
・センサ・アレイには、アクティブ・ピクセル・センサ
・アレイにバイアス電圧を供給する、基板に生じるピク
セル・センサ・バイアス電圧に電気的にしっかりと接続
された、導電層を含むことも望ましい。
クセル・センサによって受光された光が、アレイの他の
アクティブ・ピクセル・センサに対して遮蔽されるよう
に、アクティブ・ピクセル・センサ・アレイを基板に隣
接して形成することが望ましい。すなわち、アクティブ
・ピクセル・センサ間を遮断することによって、アレイ
のあるアクティブ・センサによって受光された光がアレ
イの他のアクティブ・ピクセル・センサに及ぼす影響を
軽減することが望ましい。また、アクティブ・ピクセル
・センサ・アレイには、アクティブ・ピクセル・センサ
・アレイにバイアス電圧を供給する、基板に生じるピク
セル・センサ・バイアス電圧に電気的にしっかりと接続
された、導電層を含むことも望ましい。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ピクセル・セ
ンサ及び基板に生じるピクセル・センサ・バイアス電圧
に電気的にしっかりと接続される導電性メッシュを含
む、基板に隣接して形成される高設アクティブ・ピクセ
ル・センサ・アレイである。導電性メッシュは、各ピク
セルが受光する光を他のピクセル・センサに対して遮蔽
する。すなわち、導電性メッシュは、アクティブ・ピク
セル・センサ間を遮断することによって、アレイのある
アクティブ・ピクセル・センサによって受光された光が
アレイの他のアクティブ・ピクセル・センサに及ぼす影
響を軽減させる。導電性メッシュは、アクティブ・ピク
セル・センサ・アレイにバイアス電圧を供給する。基板
は、イメージ処理回路要素を含むＣＭＯＳ基板とするこ
とが可能である。
ンサ及び基板に生じるピクセル・センサ・バイアス電圧
に電気的にしっかりと接続される導電性メッシュを含
む、基板に隣接して形成される高設アクティブ・ピクセ
ル・センサ・アレイである。導電性メッシュは、各ピク
セルが受光する光を他のピクセル・センサに対して遮蔽
する。すなわち、導電性メッシュは、アクティブ・ピク
セル・センサ間を遮断することによって、アレイのある
アクティブ・ピクセル・センサによって受光された光が
アレイの他のアクティブ・ピクセル・センサに及ぼす影
響を軽減させる。導電性メッシュは、アクティブ・ピク
セル・センサ・アレイにバイアス電圧を供給する。基板
は、イメージ処理回路要素を含むＣＭＯＳ基板とするこ
とが可能である。
【００１１】本発明の第１の実施態様によれば、アクテ
ィブ・センサ・アレイが含まれている。アクティブ・セ
ンサ・アレイには、基板が含まれている。相互接続構造
は、基板に隣接して形成される。相互接続構造には、複
数の導電性バイアが含まれている。複数のフォトセンサ
が、相互接続構造に隣接して形成される。各光センサに
は、ピクセル電極が含まれている。各ピクセル電極は、
対応する導電性バイアを介して基板に電気的に接続され
る。ピクセル電極のそれぞれの上に、Ｉ層が形成され
る。アクティブ・ピクセル・センサ・アレイには、更
に、光センサに隣接して形成された導電性メッシュが含
まれている。導電性メッシュの内側表面は、光センサに
電気的及び物理的に接続されており、導電性バイアを介
して基板に電気的に接続されている。
ィブ・センサ・アレイが含まれている。アクティブ・セ
ンサ・アレイには、基板が含まれている。相互接続構造
は、基板に隣接して形成される。相互接続構造には、複
数の導電性バイアが含まれている。複数のフォトセンサ
が、相互接続構造に隣接して形成される。各光センサに
は、ピクセル電極が含まれている。各ピクセル電極は、
対応する導電性バイアを介して基板に電気的に接続され
る。ピクセル電極のそれぞれの上に、Ｉ層が形成され
る。アクティブ・ピクセル・センサ・アレイには、更
に、光センサに隣接して形成された導電性メッシュが含
まれている。導電性メッシュの内側表面は、光センサに
電気的及び物理的に接続されており、導電性バイアを介
して基板に電気的に接続されている。
【００１２】本発明の第２の実施態様は、第１の実施態
様と類似する。第２の実施態様には、光センサ間に遮光
を施すことによって、光センサ間のクロストークを軽減
する導電性メッシュが含まれている。
様と類似する。第２の実施態様には、光センサ間に遮光
を施すことによって、光センサ間のクロストークを軽減
する導電性メッシュが含まれている。
【００１３】本発明の第３の実施態様は、第２の実施態
様と類似する。第３の実施態様には、光センサのピクセ
ル電極のうち少なくとも１つとアライメントがとれる導
電性メッシュのアパーチャが含まれている。
様と類似する。第３の実施態様には、光センサのピクセ
ル電極のうち少なくとも１つとアライメントがとれる導
電性メッシュのアパーチャが含まれている。
【００１４】本発明の第４の実施態様は、第１の実施態
様と類似するが、更に、Ｉ層と導電性メッシュの間に形
成されたＰ層も含まれている。導電性メッシュの内側表
面は、Ｐ層及び相互接続構造に対して電気的に接続され
ている。
様と類似するが、更に、Ｉ層と導電性メッシュの間に形
成されたＰ層も含まれている。導電性メッシュの内側表
面は、Ｐ層及び相互接続構造に対して電気的に接続され
ている。
【００１５】本発明の他の態様及び利点については、本
発明の原理を例示した添付の図面に関連してなされる下
記の実施形態の説明から明らかになるであろう。
発明の原理を例示した添付の図面に関連してなされる下
記の実施形態の説明から明らかになるであろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】図面に例示されているように、本
発明は、ピクセル・センサ及び基板に生じるピクセル・
センサ・バイアス電圧に電気的にしっかりと接続された
導電性メッシュを含む基板に隣接して形成された、高設
アクティブ・ピクセル・センサ・アレイによって具現化
される。導電性メッシュは、各ピクセルセンサによって
受光された光を他のピクセル・センサに対して遮蔽す
る。すなわち、導電性メッシュは、アクティブ・ピクセ
ル・センサ間を遮断することによって、アレイのあるア
クティブ・ピクセル・センサによって受光された光がア
レイの他のアクティブ・ピクセル・センサに及ぼす影響
を軽減させる。導電性メッシュは、アクティブ・ピクセ
ル・センサ・アレイにバイアス電圧を供給する。
発明は、ピクセル・センサ及び基板に生じるピクセル・
センサ・バイアス電圧に電気的にしっかりと接続された
導電性メッシュを含む基板に隣接して形成された、高設
アクティブ・ピクセル・センサ・アレイによって具現化
される。導電性メッシュは、各ピクセルセンサによって
受光された光を他のピクセル・センサに対して遮蔽す
る。すなわち、導電性メッシュは、アクティブ・ピクセ
ル・センサ間を遮断することによって、アレイのあるア
クティブ・ピクセル・センサによって受光された光がア
レイの他のアクティブ・ピクセル・センサに及ぼす影響
を軽減させる。導電性メッシュは、アクティブ・ピクセ
ル・センサ・アレイにバイアス電圧を供給する。
【００１７】図２には、本発明の第１の実施形態が示さ
れている。本実施形態には、基板２００が含まれてい
る。基板２００には、電子回路要素が含まれている。相
互接続構造２１０は、基板２００に隣接して形成されて
いる。ピクセル・センサ・アレイの各ピクセル・センサ
には、個別ピクセル電極２２２、２２４、２２６が含ま
れている。ピクセル電極２２２、２２４、２２６に隣接
して、Ｉ層２２０が形成されている。Ｉ層２２０に隣接
して、Ｐ層２３０が形成される。Ｐ層２３０に隣接し
て、導電性メッシュ２４０が形成される。第１のピクセ
ル・センサの第１のピクセル電極２２２が、第１の導電
性バイア２１４を介して基板２００に電気的に接続され
ている。第２のピクセル・センサの第２のピクセル電極
２２４が、第２の導電性バイア２１６を介して基板２０
０に電気的に接続されている。第３のピクセル・センサ
の第３のピクセル電極２２６が、第２の導電性バイア２
１８を介して基板２００に電気的に接続されている。導
電性メッシュ２４０が、第４の導電性バイア２１２を介
して基板２００に電気的に接続されている。
れている。本実施形態には、基板２００が含まれてい
る。基板２００には、電子回路要素が含まれている。相
互接続構造２１０は、基板２００に隣接して形成されて
いる。ピクセル・センサ・アレイの各ピクセル・センサ
には、個別ピクセル電極２２２、２２４、２２６が含ま
れている。ピクセル電極２２２、２２４、２２６に隣接
して、Ｉ層２２０が形成されている。Ｉ層２２０に隣接
して、Ｐ層２３０が形成される。Ｐ層２３０に隣接し
て、導電性メッシュ２４０が形成される。第１のピクセ
ル・センサの第１のピクセル電極２２２が、第１の導電
性バイア２１４を介して基板２００に電気的に接続され
ている。第２のピクセル・センサの第２のピクセル電極
２２４が、第２の導電性バイア２１６を介して基板２０
０に電気的に接続されている。第３のピクセル・センサ
の第３のピクセル電極２２６が、第２の導電性バイア２
１８を介して基板２００に電気的に接続されている。導
電性メッシュ２４０が、第４の導電性バイア２１２を介
して基板２００に電気的に接続されている。
【００１８】図３には、本発明の実施形態によるアクテ
ィブ・ピクセル・センサ・アレイの平面図が示されてい
る。平面図には、導電性メッシュ２４０の物理的特性が
明確に示されている。導電性メッシュ２４０には、ピク
セル・センサのピクセル電極２２２、２２４、２２６と
アライメントがとれたアパーチャ３１０が含まれてい
る。導電性メッシュ２４０によって、ピクセル・センサ
間に遮光が施される。導電性メッシュ２４０内のアパー
チャ３１０によって、アパーチャ３１０とアライメント
のとれたピクセル・センサの受光が可能になるが、その
受光された光は他のピクセル・センサに対して遮蔽され
ることになる。
ィブ・ピクセル・センサ・アレイの平面図が示されてい
る。平面図には、導電性メッシュ２４０の物理的特性が
明確に示されている。導電性メッシュ２４０には、ピク
セル・センサのピクセル電極２２２、２２４、２２６と
アライメントがとれたアパーチャ３１０が含まれてい
る。導電性メッシュ２４０によって、ピクセル・センサ
間に遮光が施される。導電性メッシュ２４０内のアパー
チャ３１０によって、アパーチャ３１０とアライメント
のとれたピクセル・センサの受光が可能になるが、その
受光された光は他のピクセル・センサに対して遮蔽され
ることになる。
【００１９】導電性メッシュ２４０は、Ｐ層２３０に物
理的及び電気的に接続されている。導電性メッシュ２４
０は、第４の導電性バイアを介して基板２００にも電気
的に接続されている。導電性メッシュ２４０は、基板２
００内の電子回路要素によってバイアス電圧電位に達す
ることになる。このバイアス電圧電位によって、ピクセ
ル・センサにバイアスがかけられる。
理的及び電気的に接続されている。導電性メッシュ２４
０は、第４の導電性バイアを介して基板２００にも電気
的に接続されている。導電性メッシュ２４０は、基板２
００内の電子回路要素によってバイアス電圧電位に達す
ることになる。このバイアス電圧電位によって、ピクセ
ル・センサにバイアスがかけられる。
【００２０】ピクセル・センサは、受光すると、電荷を
伝導する。基板２００には、一般に、検知回路要素及び
信号処理回路要素が含まれている。検知回路要素は、ピ
クセル・センサによって伝導された電荷量を検知する。
伝導された電荷量は、ピクセル・センサが受光した光の
強度を表している。一般に、基板２００は、ＣＭＯＳ
（相補型金属酸化膜シリコン）、ＢｉＣＭＯＳ、また
は、バイポーラとすることが可能である。基板２００に
は、電荷結合素子を含むさまざまタイプの基板テクノロ
ジを含むことが可能である。
伝導する。基板２００には、一般に、検知回路要素及び
信号処理回路要素が含まれている。検知回路要素は、ピ
クセル・センサによって伝導された電荷量を検知する。
伝導された電荷量は、ピクセル・センサが受光した光の
強度を表している。一般に、基板２００は、ＣＭＯＳ
（相補型金属酸化膜シリコン）、ＢｉＣＭＯＳ、また
は、バイポーラとすることが可能である。基板２００に
は、電荷結合素子を含むさまざまタイプの基板テクノロ
ジを含むことが可能である。
【００２１】一般に、相互接続構造２１０は、標準的な
ＣＭＯＳ相互接続構造である。この相互接続構造２１０
の構造及び形成方法は、電子集積回路製造分野において
周知のところである。相互接続構造２１０は、サブトラ
クティブ金属構造または単一または二重象眼構造とする
ことが可能である。
ＣＭＯＳ相互接続構造である。この相互接続構造２１０
の構造及び形成方法は、電子集積回路製造分野において
周知のところである。相互接続構造２１０は、サブトラ
クティブ金属構造または単一または二重象眼構造とする
ことが可能である。
【００２２】導電性バイア２１４、２１６、２１８は、
ピクセル相互接続構造２１０を通り、ピクセル電極２２
２、２２４、２２６と基板２００を電気的に接続する。
第４の導電性バイア２１２は、ピクセル相互接続構造２
１０を通り、導電性メッシュ２４０と基板２００の間を
電気的にしっかりと接続する。一般に、導電性バイア２
１２、２１４、２１６、２１８は、タングステンから形
成される。タングステンは、高アスペクト比の穴を充填
することができるので、一般に、製造中に利用される。
すなわち、タングステンを利用して、細くて、比較的長
い相互接続を形成することが可能である。一般に、導電
性バイア２１２、２１４、２１６、２１８は、化学蒸着
（ＣＶＤ）プロセスを利用して形成される。導電性バイ
ア２１２、２１４、２１６、２１８の形成に用いること
が可能な他の材料には、銅、アルミニウム、または、他
の任意の導電材料が含まれる。
ピクセル相互接続構造２１０を通り、ピクセル電極２２
２、２２４、２２６と基板２００を電気的に接続する。
第４の導電性バイア２１２は、ピクセル相互接続構造２
１０を通り、導電性メッシュ２４０と基板２００の間を
電気的にしっかりと接続する。一般に、導電性バイア２
１２、２１４、２１６、２１８は、タングステンから形
成される。タングステンは、高アスペクト比の穴を充填
することができるので、一般に、製造中に利用される。
すなわち、タングステンを利用して、細くて、比較的長
い相互接続を形成することが可能である。一般に、導電
性バイア２１２、２１４、２１６、２１８は、化学蒸着
（ＣＶＤ）プロセスを利用して形成される。導電性バイ
ア２１２、２１４、２１６、２１８の形成に用いること
が可能な他の材料には、銅、アルミニウム、または、他
の任意の導電材料が含まれる。
【００２３】ピクセル電極２２２、２２４、２２６は、
一般に、ドープした半導体から形成される。ドープした
半導体は、非晶質シリコンのＮ層とすることが可能であ
る。電極２２２、２２４、２２６は、動作中にバイアス
がかけられた時、完全に空乏状態にならないように、十
分に厚くなければならないし、十分な量のドーピングが
施されなければならない。ピクセル電極２２２、２２
４、２２６は、一般に、リンがドープされる。
一般に、ドープした半導体から形成される。ドープした
半導体は、非晶質シリコンのＮ層とすることが可能であ
る。電極２２２、２２４、２２６は、動作中にバイアス
がかけられた時、完全に空乏状態にならないように、十
分に厚くなければならないし、十分な量のドーピングが
施されなければならない。ピクセル電極２２２、２２
４、２２６は、一般に、リンがドープされる。
【００２４】ピクセル電極２２２、２２４、２２６は、
一般に、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を利用して堆
積させられる。ＰＥＣＶＤは、リンを含有するガスを用
いて実施される。リン含有ガスは、ＰＨ3である。非晶
質シリコンのピクセル電極を形成する場合には、シリコ
ン含有ガスが含まれる。
一般に、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を利用して堆
積させられる。ＰＥＣＶＤは、リンを含有するガスを用
いて実施される。リン含有ガスは、ＰＨ3である。非晶
質シリコンのピクセル電極を形成する場合には、シリコ
ン含有ガスが含まれる。
【００２５】非晶質シリコンのＮ層は、一般に、ＰＩＮ
ダイオード・アクティブ・ピクセル・センサのピクセル
電極２２２、２２４、２２６を形成する際に用いられ
る。しかし、ダイオード・アクセス・ピクセル・センサ
には、ＮＩＰセンサ構成を含むことも可能である。この
場合、ピクセル電極２２２、２２４、２２６は、Ｐ層か
ら形成され、図２のＰ層２３０は、Ｎ層に置き換えられ
る。
ダイオード・アクティブ・ピクセル・センサのピクセル
電極２２２、２２４、２２６を形成する際に用いられ
る。しかし、ダイオード・アクセス・ピクセル・センサ
には、ＮＩＰセンサ構成を含むことも可能である。この
場合、ピクセル電極２２２、２２４、２２６は、Ｐ層か
ら形成され、図２のＰ層２３０は、Ｎ層に置き換えられ
る。
【００２６】Ｉ層２２０は、一般に、水素化非晶質シリ
コンから形成される。Ｉ層２２０は、ＰＥＣＶＤまたは
反応スパッタリング・プロセスを利用して堆積させるこ
とが可能である。ＰＥＣＶＤプロセスには、シリコン含
有ガスを含まなければならない。堆積は、水素が薄膜内
に保持されるのに十分なほど低い温度で実施すべきであ
る。Ｉ層２２０は、厚さが約１ミクロンである。
コンから形成される。Ｉ層２２０は、ＰＥＣＶＤまたは
反応スパッタリング・プロセスを利用して堆積させるこ
とが可能である。ＰＥＣＶＤプロセスには、シリコン含
有ガスを含まなければならない。堆積は、水素が薄膜内
に保持されるのに十分なほど低い温度で実施すべきであ
る。Ｉ層２２０は、厚さが約１ミクロンである。
【００２７】Ｐ層２３０は、一般に、非晶質シリコンか
ら形成される。一般に、Ｐ層２３０には、ホウ素がドー
プされる。Ｐ層２３０は、ＰＥＣＶＤを利用して堆積さ
せることが可能である。ホウ素含有ガスは、Ｂ2Ｈ6とす
ることが可能である。非晶質シリコンのＰ層２３０を形
成する場合は、シリコン含有ガスが含まれる。Ｐ層２３
０の厚さは、一般に、あまりにも多量の短波長（青色）
光を吸収しないという保証が得られるように、制御しな
ければならない。
ら形成される。一般に、Ｐ層２３０には、ホウ素がドー
プされる。Ｐ層２３０は、ＰＥＣＶＤを利用して堆積さ
せることが可能である。ホウ素含有ガスは、Ｂ2Ｈ6とす
ることが可能である。非晶質シリコンのＰ層２３０を形
成する場合は、シリコン含有ガスが含まれる。Ｐ層２３
０の厚さは、一般に、あまりにも多量の短波長（青色）
光を吸収しないという保証が得られるように、制御しな
ければならない。
【００２８】本発明の他の１つの実施形態では、Ｐ層２
３０は含まれていない。導電性メッシュ２４０内におけ
る材料の組成を適正に選択し、ピクセル電極２２２、２
２４、２２６のドーピング・レベルを適正に選択すれ
ば、Ｐ層２３０を排除することが可能である。この実施
形態の場合、導電性メッシュ２４０によって、ピクセル
・センサのＩ層２２０の上部表面と相互接続構造２１０
の間に導電接続が施される。
３０は含まれていない。導電性メッシュ２４０内におけ
る材料の組成を適正に選択し、ピクセル電極２２２、２
２４、２２６のドーピング・レベルを適正に選択すれ
ば、Ｐ層２３０を排除することが可能である。この実施
形態の場合、導電性メッシュ２４０によって、ピクセル
・センサのＩ層２２０の上部表面と相互接続構造２１０
の間に導電接続が施される。
【００２９】前述のように、ピクセル電極２２２、２２
４、２２６、Ｉ層２２０、及び、Ｐ層２３０は、一般
に、非晶質シリコンから形成される。しかし、ピクセル
電極２２２、２２４、２２６、Ｉ層２２０、及び、Ｐ層
２３０は、非晶質炭素、非晶質炭化珪素、非晶質ゲルマ
ニウム、または、非晶質シリコン・ゲルマニウムから形
成することも可能である。もちろん、これは余すところ
なくリスト・アップしたものではない。
４、２２６、Ｉ層２２０、及び、Ｐ層２３０は、一般
に、非晶質シリコンから形成される。しかし、ピクセル
電極２２２、２２４、２２６、Ｉ層２２０、及び、Ｐ層
２３０は、非晶質炭素、非晶質炭化珪素、非晶質ゲルマ
ニウム、または、非晶質シリコン・ゲルマニウムから形
成することも可能である。もちろん、これは余すところ
なくリスト・アップしたものではない。
【００３０】導電性メッシュ２４０によって、Ｐ層２３
０と相互接続構造２１０の間に導電性接続が施される。
光は、導電性メッシュ２４０のアパーチャ３１０を通過
して、ピクセル・センサに受光されなければならない。
導電性メッシュ２４０は、不透明導電材料から形成され
る。導電性メッシュ２４０を形成するために利用可能な
材料には、アルミニウム、タングステン、または、銅が
含まれる。もちろん、これは余すところなくリスト・ア
ップしたものではない。
０と相互接続構造２１０の間に導電性接続が施される。
光は、導電性メッシュ２４０のアパーチャ３１０を通過
して、ピクセル・センサに受光されなければならない。
導電性メッシュ２４０は、不透明導電材料から形成され
る。導電性メッシュ２４０を形成するために利用可能な
材料には、アルミニウム、タングステン、または、銅が
含まれる。もちろん、これは余すところなくリスト・ア
ップしたものではない。
【００３１】導電性メッシュ２４０は、スパッタリング
・プロセスによって導電性メッシュ材料２４０を堆積さ
せ、次に、導電性メッシュを形成するためのメッシュ・
パターンに従って、導電性メッシュ材料にエッチングを
施すことによって形成可能である。スパッタリングによ
る堆積、及び、パターンに基づくエッチングは、集積回
路製造技術において周知のところである。
・プロセスによって導電性メッシュ材料２４０を堆積さ
せ、次に、導電性メッシュを形成するためのメッシュ・
パターンに従って、導電性メッシュ材料にエッチングを
施すことによって形成可能である。スパッタリングによ
る堆積、及び、パターンに基づくエッチングは、集積回
路製造技術において周知のところである。
【００３２】図４には、本発明の更に他の１つの実施形
態が示されている。この実施形態には、単一のＩ層２２
０ではなく、Ｉ層セクション（又は部分）２２７が含ま
れている。すなわち、各ピクセル・センサには、多くの
ピクセル・センサの一部として形成される単一Ｉ層２２
０ではなく、独立したＩ層セクション２２７が含まれて
いる。ピクセル電極２１２、２１４、２１６と同様、Ｉ
層セクションは、所定のパターンに従ってエッチングを
施すことが可能である。
態が示されている。この実施形態には、単一のＩ層２２
０ではなく、Ｉ層セクション（又は部分）２２７が含ま
れている。すなわち、各ピクセル・センサには、多くの
ピクセル・センサの一部として形成される単一Ｉ層２２
０ではなく、独立したＩ層セクション２２７が含まれて
いる。ピクセル電極２１２、２１４、２１６と同様、Ｉ
層セクションは、所定のパターンに従ってエッチングを
施すことが可能である。
【００３３】図５乃至図９には、図２、図３、及び、図
４に示す実施形態の製造に利用可能な処理ステップが示
されている。
４に示す実施形態の製造に利用可能な処理ステップが示
されている。
【００３４】図５には、その上に相互接続構造２１０が
形成された基板２００が示されている。相互接続構造２
１０の上には、ピクセル電極２２２、２２４、２２６が
形成されている。この相互接続構造２１０の構造及び形
成法は、電子集積回路製造の分野において周知のところ
である。相互接続構造２１０は、サブトラクティブ金属
構造、または、単一または二重象眼構造とすることが可
能である。
形成された基板２００が示されている。相互接続構造２
１０の上には、ピクセル電極２２２、２２４、２２６が
形成されている。この相互接続構造２１０の構造及び形
成法は、電子集積回路製造の分野において周知のところ
である。相互接続構造２１０は、サブトラクティブ金属
構造、または、単一または二重象眼構造とすることが可
能である。
【００３５】相互接続構造２１０には、一般にタングス
テンから形成される導電性バイア２１２、２１４、２１
６、２１８が含まれている。タングステンは、一般に、
製造中、高アスペクト比の穴を充填することが可能であ
るために利用される。一般に、導電性バイア２１２、２
１４、２１６、２１８は、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス
を利用して形成される。導電性バイア２１２、２１４、
２１６、２１８の形成に利用できる他の材料には、銅、
アルミニウム、または、他の導電性材料が含まれる。
テンから形成される導電性バイア２１２、２１４、２１
６、２１８が含まれている。タングステンは、一般に、
製造中、高アスペクト比の穴を充填することが可能であ
るために利用される。一般に、導電性バイア２１２、２
１４、２１６、２１８は、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス
を利用して形成される。導電性バイア２１２、２１４、
２１６、２１８の形成に利用できる他の材料には、銅、
アルミニウム、または、他の導電性材料が含まれる。
【００３６】ピクセル電極２２２、２２４、２２６は、
相互接続構造２１０上に堆積させられる。まず、相互接
続構造２１０の上に、ピクセル電極層が堆積させられ
る。次に、ピクセル電極２２２、２２４、２２６を形成
する所定のパターンに従って、ピクセル電極層にエッチ
ングが施される。各ピクセル・センサ毎に、個別ピクセ
ル電極２２２、２２４、２２６が形成される。ピクセル
電極２２２、２２４、２２６は、Ｎ層セクションによっ
て実施可能である。あるいはまた、ピクセル電極２２
２、２２４、２２６は、窒化チタンのような導電性窒化
物によって実施することも可能である。
相互接続構造２１０上に堆積させられる。まず、相互接
続構造２１０の上に、ピクセル電極層が堆積させられ
る。次に、ピクセル電極２２２、２２４、２２６を形成
する所定のパターンに従って、ピクセル電極層にエッチ
ングが施される。各ピクセル・センサ毎に、個別ピクセ
ル電極２２２、２２４、２２６が形成される。ピクセル
電極２２２、２２４、２２６は、Ｎ層セクションによっ
て実施可能である。あるいはまた、ピクセル電極２２
２、２２４、２２６は、窒化チタンのような導電性窒化
物によって実施することも可能である。
【００３７】ピクセル電極２２２、２２４、２２６は、
一般に、ＰＥＣＶＤを利用して堆積させられる。ＰＥＣ
ＶＤは、リンを含有するガスによって実施される。リン
含有ガスはＰＨ3とすることが可能である。非晶質シリ
コンのピクセル電極を形成する場合には、Ｓｉ2Ｈ6また
はＳｉＨ4のようなシリコン含有ガスが含まれる。所定
のピクセル電極パターンが、堆積したピクセル電極材料
にウェットまたはドライ・エッチングを施すことによっ
て形成される。
一般に、ＰＥＣＶＤを利用して堆積させられる。ＰＥＣ
ＶＤは、リンを含有するガスによって実施される。リン
含有ガスはＰＨ3とすることが可能である。非晶質シリ
コンのピクセル電極を形成する場合には、Ｓｉ2Ｈ6また
はＳｉＨ4のようなシリコン含有ガスが含まれる。所定
のピクセル電極パターンが、堆積したピクセル電極材料
にウェットまたはドライ・エッチングを施すことによっ
て形成される。
【００３８】図６には、複数のピクセル電極２２２、２
２４、２２６の上に堆積させられたＩ層２２０及びＰ層
２３０が示されている。Ｉ層２２０は、一般に、ＰＥＣ
ＶＤまたは反応スパッタリング・プロセスを利用して堆
積させられる。ＰＥＣＶＤには、シリコン含有ガスを含
まなければならない。堆積は、水素が薄膜内に保持され
るのに十分なほど低い温度で実施すべきである。Ｐ層２
３０も、ＰＥＣＶＤを利用して堆積させることが可能で
ある。ＰＥＣＶＤは、ホウ素を含有するガスによって実
施される。ホウ素含有ガスは、Ｂ2Ｈ6とすることが可能
である。非晶質シリコンのＰ層２３０を形成する場合に
は、シリコン含有ガスが含まれる。
２４、２２６の上に堆積させられたＩ層２２０及びＰ層
２３０が示されている。Ｉ層２２０は、一般に、ＰＥＣ
ＶＤまたは反応スパッタリング・プロセスを利用して堆
積させられる。ＰＥＣＶＤには、シリコン含有ガスを含
まなければならない。堆積は、水素が薄膜内に保持され
るのに十分なほど低い温度で実施すべきである。Ｐ層２
３０も、ＰＥＣＶＤを利用して堆積させることが可能で
ある。ＰＥＣＶＤは、ホウ素を含有するガスによって実
施される。ホウ素含有ガスは、Ｂ2Ｈ6とすることが可能
である。非晶質シリコンのＰ層２３０を形成する場合に
は、シリコン含有ガスが含まれる。
【００３９】図７には、第４の導電性バイア２１２への
アクセスを可能にするため、エッチングを施されたＰ層
２３０及びＩ層２２０が示されている。第４の導電性バ
イア２１２は、ピクセル・センサ・アレイにバイアスを
かけるために用いられる基板２００の基準電圧に電気的
に接続されている。
アクセスを可能にするため、エッチングを施されたＰ層
２３０及びＩ層２２０が示されている。第４の導電性バ
イア２１２は、ピクセル・センサ・アレイにバイアスを
かけるために用いられる基板２００の基準電圧に電気的
に接続されている。
【００４０】図８には、Ｐ層２３０と第４の導電性バイ
ア２１２の間に電気的接続を施す、Ｐ層２３０に堆積さ
せられた導電層８１０が示されている。導電層８１０
は、不透明な導電性材料から形成される。導電層８１０
の形成に利用可能な材料には、アルミニウム、タングス
テン、または、銅が含まれる。もちろん、これは、余す
ところなくリスト・アップしたものではない。
ア２１２の間に電気的接続を施す、Ｐ層２３０に堆積さ
せられた導電層８１０が示されている。導電層８１０
は、不透明な導電性材料から形成される。導電層８１０
の形成に利用可能な材料には、アルミニウム、タングス
テン、または、銅が含まれる。もちろん、これは、余す
ところなくリスト・アップしたものではない。
【００４１】導電層８１０は、一般に、反応スパッタリ
ングによって堆積させられる。しかし、導電層８１０
は、蒸着によって、すなわち、化学蒸着またはプラズマ
蒸着によって成長させることも可能である。
ングによって堆積させられる。しかし、導電層８１０
は、蒸着によって、すなわち、化学蒸着またはプラズマ
蒸着によって成長させることも可能である。
【００４２】図９には、導電性メッシュ２４０を形成す
る所定のパターンに従ってエッチングを施された導電層
８１０が示されている。導電性材料のエッチングは、半
導体処理技術において周知のところである。
る所定のパターンに従ってエッチングを施された導電層
８１０が示されている。導電性材料のエッチングは、半
導体処理技術において周知のところである。
【００４３】本発明の特定の実施形態について解説し、
例示してきたが、本発明は、こうして解説し、例示した
部分の特定の形態または構成に制限されるものではな
い。本発明は請求項による制限しか受けない。
例示してきたが、本発明は、こうして解説し、例示した
部分の特定の形態または構成に制限されるものではな
い。本発明は請求項による制限しか受けない。
【００４４】本発明を、上述の実施形態に即して説明す
ると、本発明は、基板２００と、該基板に隣接し、複数
の導電性バイアを含む相互接続構造２１０と、該相互接
続構造に隣接し、それぞれ、対応する導電性バイア２１
４、２１６、２１８を介して基板に電気的に接続された
ピクセル電極２２２、２２４、２２６、及び、前記ピク
セル電極の上に形成されたＩ層２２０を含む複数の光セ
ンサと、該光センサに隣接して形成され、その内側表面
が前記光センサに電気的及び物理的に接続され、導電性
バイア２１２を介して前記基板に電気的に接続された導
電性メッシュ２４０とが含まれていることを特徴とする
アクティブ・ピクセル・センサ・アレイを提供する。
ると、本発明は、基板２００と、該基板に隣接し、複数
の導電性バイアを含む相互接続構造２１０と、該相互接
続構造に隣接し、それぞれ、対応する導電性バイア２１
４、２１６、２１８を介して基板に電気的に接続された
ピクセル電極２２２、２２４、２２６、及び、前記ピク
セル電極の上に形成されたＩ層２２０を含む複数の光セ
ンサと、該光センサに隣接して形成され、その内側表面
が前記光センサに電気的及び物理的に接続され、導電性
バイア２１２を介して前記基板に電気的に接続された導
電性メッシュ２４０とが含まれていることを特徴とする
アクティブ・ピクセル・センサ・アレイを提供する。
【００４５】好ましくは、前記導電性メッシュ２４０
に、それぞれ、前記光センサの前記ピクセル電極の少な
くとも１つとアライメントのとれるアパーチャ３１０が
含まれる。
に、それぞれ、前記光センサの前記ピクセル電極の少な
くとも１つとアライメントのとれるアパーチャ３１０が
含まれる。
【００４６】好ましくは、前記ピクセル電極２２２、２
２４、２２６の各々にＮ層が含まれる。
２４、２２６の各々にＮ層が含まれる。
【００４７】好ましくは、前記相互接続構造２１０によ
って、前記ピクセル電極が前記基板に電気的に相互接続
される。
って、前記ピクセル電極が前記基板に電気的に相互接続
される。
【００４８】好ましくは、前記Ｉ層２２０及び前記ピク
セル電極２２２、２２４、２２６に、それぞれ、非晶質
シリコンが含まれる。
セル電極２２２、２２４、２２６に、それぞれ、非晶質
シリコンが含まれる。
【００４９】好ましくは、更に、前記Ｉ層２２０と前記
導電性メッシュ２４０との間に形成されたＰ層２３０が
含まれ、前記導電性メッシュの内側表面が、前記Ｐ層、
前記Ｉ層に物理的に接続され、導電性バイアを介して前
記基板に電気的に接続される。
導電性メッシュ２４０との間に形成されたＰ層２３０が
含まれ、前記導電性メッシュの内側表面が、前記Ｐ層、
前記Ｉ層に物理的に接続され、導電性バイアを介して前
記基板に電気的に接続される。
【００５０】好ましくは、前記Ｐ層２３０に非晶質シリ
コンが含まれる。
コンが含まれる。
【００５１】好ましくは、前記導電性メッシュ２４０の
前記内側表面が、少なくとも１つのタングステン・プラ
グ２１２を介して、前記基板に電気的に接続される。
前記内側表面が、少なくとも１つのタングステン・プラ
グ２１２を介して、前記基板に電気的に接続される。
【００５２】好ましくは、前記導電性メッシュ２４０
に、酸化インジウム・スズが含まれる。
に、酸化インジウム・スズが含まれる。
【００５３】好ましくは、前記基板２００が、ＣＭＯ
Ｓ、受光によって前記光センサに蓄積される電荷を検知
する能動回路、及び、電荷結合素子を含むグループから
選択される。
Ｓ、受光によって前記光センサに蓄積される電荷を検知
する能動回路、及び、電荷結合素子を含むグループから
選択される。
【００５４】好ましくは、前記ピクセル電極２２２、２
２４、２２６の各々にＰ層が含まれる。
２４、２２６の各々にＰ層が含まれる。
【００５５】好ましくは、前記ピクセル電極２２２、２
２４、２２６の各々に導電性金属が含まれる。
２４、２２６の各々に導電性金属が含まれる。
【図１】先行技術によるイメージ・センサ・アレイの断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施態様を示す図である。
【図３】本発明の実施態様の平面図である。
【図４】本発明のもう１つの実施態様を示す図である。
【図５】ピクセル相互接続構造上に堆積させられたピク
セル電極を示す図である。
セル電極を示す図である。
【図６】複数のピクセル電極上に堆積させられたＩ層及
びＰ層を示す図である。
びＰ層を示す図である。
【図７】導電性バイアへのアクセスを可能にするため選
択的にエッチングを施されたＰ層及びＩ層を示す図であ
る。
択的にエッチングを施されたＰ層及びＩ層を示す図であ
る。
【図８】Ｐ層と相互接続構造の間に電気的接続を施す、
Ｐ層の上に堆積させられた導電層を示す図である。
Ｐ層の上に堆積させられた導電層を示す図である。
【図９】所定のパターンに従ってエッチングを施された
透明な導電層を示す図である。
透明な導電層を示す図である。
２００ 基板 ２１０ 相互接続構造 ２１２ 導電性バイア ２１４ 導電性バイア ２１６ 導電性バイア ２１８ 導電性バイア ２２０ Ｉ層 ２２２ ピクセル電極 ２２４ ピクセル電極 ２２６ ピクセル電極 ２３０ Ｐ層 ２４０ 導電性メッシュ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｈ (71)出願人 399117121 395 Ｐａｇｅ Ｍｉｌｌ Ｒｏａｄ Ｐ ａｌｏ Ａｌｔｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジェーン・メイ−ジェック・リン アメリカ合衆国カリフォルニア州サン・ノ ゼ グレンモーア・ウェイ1367 (72)発明者 ミン・カオ アメリカ合衆国カリフォルニア州マウンテ ンビュー ローレル・ウェイ101 (72)発明者 ガリイ・ダブリュウ・レイ アメリカ合衆国カリフォルニア州マウンテ ンビュー ブレントン・コート131−Ａ (72)発明者 シャーミング・マ アメリカ合衆国カリフォルニア州サニーベ ール ガビラン・アベニュー244 (72)発明者 ジン・サン アメリカ合衆国カリフォルニア州サン・ノ ゼ ノース・スター・コート1956
Claims (12)
- 【請求項１】基板と、 該基板に隣接し、複数の導電性バイアを含む相互接続構
造と、 該相互接続構造に隣接し、それぞれ、対応する導電性バ
イアを介して基板に電気的に接続されたピクセル電極及
び、前記ピクセル電極の上に形成されたＩ層を含む複数
の光センサと、 該光センサに隣接して形成され、その内側表面が前記光
センサに電気的及び物理的に接続され、導電性バイアを
介して前記基板に電気的に接続された導電性メッシュと
が含まれていることを特徴とするアクティブ・ピクセル
・センサ・アレイ。 - 【請求項２】前記導電性メッシュに、それぞれ、前記光
センサの前記ピクセル電極の少なくとも１つとアライメ
ントのとれるアパーチャが含まれることを特徴とする、
請求項１に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。 - 【請求項３】前記ピクセル電極の各々にＮ層が含まれる
ことを特徴とする、請求項１に記載のアクティブ・ピク
セル・センサ。 - 【請求項４】前記相互接続構造によって、前記ピクセル
電極が前記基板に電気的に相互接続されることを特徴と
する、請求項１に記載のアクティブ・ピクセル・セン
サ。 - 【請求項５】前記Ｉ層及び前記ピクセル電極に、それぞ
れ、非晶質シリコンが含まれることを特徴とする、請求
項１に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。 - 【請求項６】更に、前記Ｉ層と前記導電性メッシュとの
間に形成されたＰ層が含まれることと、前記導電性メッ
シュの内側表面が、前記Ｐ層、前記Ｉ層に物理的に接続
され、導電性バイアを介して前記基板に電気的に接続さ
れることを特徴とする、請求項１に記載のアクティブ・
ピクセル・センサ。 - 【請求項７】前記Ｐ層に非晶質シリコンが含まれること
を特徴とする、請求項６に記載のアクティブ・ピクセル
・センサ。 - 【請求項８】前記導電性メッシュの前記内側表面が、少
なくとも１つのタングステン・プラグを介して、前記基
板に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１に
記載のアクティブ・ピクセル・センサ。 - 【請求項９】前記導電性メッシュに、酸化インジウム・
スズが含まれることを特徴とする、請求項１に記載のア
クティブ・ピクセル・センサ。 - 【請求項１０】前記基板が、ＣＭＯＳ、受光によって前
記光センサに蓄積される電荷を検知する能動回路、及
び、電荷結合素子を含むグループから選択されることを
特徴とする、請求項１に記載のアクティブ・ピクセル・
センサ。 - 【請求項１１】前記ピクセル電極の各々にＰ層が含まれ
ることを特徴とする、請求項１に記載のアクティブ・ピ
クセル・センサ。 - 【請求項１２】前記ピクセル電極の各々に導電性金属が
含まれることを特徴とする、請求項１に記載のアクティ
ブ・ピクセル・センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/496,941 US6396118B1 (en) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | Conductive mesh bias connection for an array of elevated active pixel sensors |
| US496941 | 2000-02-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001257336A true JP2001257336A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=23974822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001027942A Pending JP2001257336A (ja) | 2000-02-03 | 2001-02-05 | 高設アクティブ・ピクセル・センサ・アレイのための導電性メッシュ・バイアス接続 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6396118B1 (ja) |
| EP (1) | EP1122790B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001257336A (ja) |
| DE (1) | DE60040055D1 (ja) |
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| JP2018530169A (ja) * | 2015-07-14 | 2018-10-11 | ドース スマート イメージング コーポレーション | デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置 |
| WO2019131134A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子および電子機器 |
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| FR2844098B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2004-11-19 | Atmel Grenoble Sa | Microsysteme optique et procede de fabrication |
| FR2848027B1 (fr) * | 2002-11-29 | 2006-02-10 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection photo-electrique et procede pour sa realisation |
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| ES2246109B2 (es) * | 2003-09-08 | 2007-05-16 | Univ Madrid Politecnica | Sistema escaner multi-resolucion para la exploracion de micromatrices. |
| FR2907261B1 (fr) * | 2006-10-12 | 2009-01-30 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de couplage electromagnetique d'un detecteur de rayonnement electromagnetique |
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| KR100922935B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-10-22 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
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2000
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- 2000-10-11 EP EP00122087A patent/EP1122790B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-05 JP JP2001027942A patent/JP2001257336A/ja active Pending
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| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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