JP2001255643A - リソグラフィー用ペリクル - Google Patents
リソグラフィー用ペリクルInfo
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
m)に対して透過率の高い、高性能なリソグラフィー用
ペリクルを提供する。 【解決手段】 本発明のリソグラフィー用ペリクルは、
少なくともペリクル膜とペリクルフレームからなるペリ
クルにおいて、該ペリクルフレームに張設されるペリク
ル膜が、繰り返し構造単位中の主鎖を形成する部分にエ
ーテル結合を含み、かつ環状構造を含まないフッ素樹脂
を主成分としてなることを特徴としている。
Description
ペリクル、特にはLSI、超LSIなどの半導体装置あ
るいは液晶表示板を製造する際の露光原版(レチクル)
のゴミよけとして使用されるリソグラフィー用ペリクル
に関する。
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウエハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングされる
が、このとき用いる露光原版にゴミ等の異物が付着して
いると、異物が光を吸収したり反射するため、転写した
パターンが変形したり、エッジががさついたものとなる
ほか、下地が黒く汚れたりして、寸法、品質、外観など
が損われ、半導体装置や液晶表示板などの性能や歩留り
の低下を来すという問題があった。
ーム内で行われているが、クリーンルーム内でも露光原
版を常に清浄に保つことが難しいため、ゴミ等の異物よ
けとして露光原版の表面に、露光用の光をよく透過させ
るペリクルを装着する方法が採られている。この場合、
異物は露光原版の表面には直接付着せず、ペリクル膜に
付着するため、リソグラフィー時に焦点を露光原版のパ
ターン上に合わせておけば、ペリクル膜面上の異物は転
写に無関係となる。
称する)に張設されるペリクル膜は、通常光をよく透過
させるニトロセルロース、酢酸セルロースなどからなる
透明な膜を、アルミニウム、ステンレス、ポリエチレン
などからなるフレームの上端面に、ペリクル膜の良溶媒
を塗布して、風乾し接着することにより(特開昭58‐21
9023号公報参照)、あるいはペリクル膜をアクリル樹脂
やエポキシ樹脂などの接着剤で接着することにより作製
される(米国特許第4,861,402号明細書、特公昭63‐277
07号公報参照)。ペリクルを露光原版に装着するため
に、フレームの下部にはポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニ
ル樹脂、アクリル樹脂などからなる粘着層、及びこの粘
着層の保護を目的とした保護シート(セパレータ)が貼付
されている。
の解像度は次第に高くなってきており、その解像度を実
現するために、徐々に波長の短い光が光源として用いら
れるようになってきている。具体的には、g線(436
nm)やi線(365nm)の紫外光から、現在は、遠
紫外光のKrFエキシマレーザー(248nm)へと移
行している。近い将来には、真空紫外光のArFエキシ
マレーザー(193nm)が使用されるようになり、さ
らに、より高い解像度を実現するため、F2エキシマレ
ーザー(158nm)が使用される可能性が高い。
レーザー用ペリクルの膜材料には、エーテル結合を含ま
ない直鎖タイプのパーフルオロ樹脂(特開昭60‐83082
号公報参照)や、環状エーテル結合を有する非晶質パー
フルオロ樹脂で、パーフルオロブテニルビニルエーテル
の重合体による非晶質フッ素樹脂、あるいは70モル%
以下のパーフルオロ−2,2−ジメチル−1,3−ジオ
キソールと30モル%以上のテトラフルオロエチレンの
共重合体による非晶質フッ素樹脂(特開平3‐67262号
公報、米国特許第4,754,009号明細書参照)が使用され
ている。
以上の波長域において高い透過率を有し、これを用いた
ペリクル膜は、KrFエキシマレーザー光やArFエキ
シマレーザー光の照射に対して、実用に耐え得る耐光性
を有している。しかし、このペリクル膜は、フッ素エキ
シマレーザー光に対しては透過率が低く、実用上問題が
あった。このため、未だフッ素エキシマレーザー用とし
て使用可能なペリクルは実用化されていない。本発明
は、このような問題点に鑑みなされたもので、フッ素エ
キシマレーザー光(波長:158nm)に対して透過率
の高い、高性能なリソグラフィー用ペリクルを提供する
ことを課題としている。
解決すべく真空紫外光に対するペリクル膜の光吸収につ
いて検討した結果、繰り返し構造単位中の主鎖を形成す
る部分にエーテル結合を含み、かつ環状構造を含まない
フッ素樹脂が、真空紫外光に対して高い透光性を示すこ
とを見出し、さらに耐光性、製膜性に対する検討を加え
て本発明を完成させた。
クルは、少なくともペリクル膜とペリクルフレームから
なるペリクルにおいて、該ペリクルフレームに張設され
るペリクル膜が、繰り返し構造単位中の主鎖を形成する
部分にエーテル結合を含み、かつ環状構造を含まないフ
ッ素樹脂を主成分としてなることを特徴としている。本
発明で使用するフッ素樹脂は、例えば、下記の化学式
(化1)〜(化4)に示されるものであり、形成された
膜の強度、柔軟性を良好なものとするためには非晶質て
あることが望ましい。なお、式中のRi(iは1〜8)
は1価の有機基であり、m,n,p,q,r,s,tは
正数である。
酸素原子1に対して炭素原子3以下とするのが好まし
い。この理由は、エーテル結合(C−O−C)の多い方
が透過率が高くなる、つまり光吸収が減るためであり、
この値が3を超えるとCFX‐CFX‐CFX結合が長く
なりすぎて光吸収を生じるため好ましくない。このよう
な構成からなる本発明のリソグラフィー用ペリクルは、
照射される露光用光源の波長が200nm以下であって
も極めて高い透光性を有している。
説明する。図1は、ペリクルの構造を示す拡大断面図で
あり、ペリクル膜1は膜接着層2を介してフレーム3の
上端面に張設され、フレーム3は基板粘着層4を介して
露光基板5に粘着されている。
用に薄膜化する場合、公知の方法で薄膜化することがで
きる。例えば、平滑な基板上に透明フッ素樹脂溶液を滴
下し、スピンコート法で均一に薄膜化し、その後溶媒を
蒸発させ、基板から薄膜のみを剥離して得られる。この
場合、ペリクル膜の厚さは、0.1μmよりも薄いと強
度が不足し、一方10μmよりも厚くなると光の透過率
が低下する恐れがあるので、0.1μm〜10μmの範
囲にすることが望ましい。
ず、アルミ材に陽極酸化処理を行ったものや、ステンレ
ス、ポリアセタール、ポリカーボネート、PMMA、ア
クリル樹脂等の樹脂、青板ガラス等が挙げられる。ま
た、膜接着層には、ペリクル膜とフレームとを接着でき
る材料であればよく、例えば、アクリル樹脂、エポキシ
樹脂あるいはフッ素樹脂などの接着剤が用いられる。基
板粘着層には、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、
アクリル樹脂、シリコーン樹脂等からなる粘着剤を用い
ることができる。露光基板は、レチクル、フォトマスク
等、その名称に関係なく、光を照射してリソグラフィー
に供されるものであれば如何なるものであってもよい。
ラフィー用ペリクルは、フッ素エキシマレーザー光に対
して優れた透光性を有し、その分、シリコンウエハ等の
露光基板に与え得るエネルギーが多くなるという効果を
奏する。また、透光性が高いということは、それだけ吸
収される光が少ないということであり、耐光性にも好ま
しい効果をもたらす。
さらに詳細に説明する。 (実施例1)下記の化学式(化5)で示され、繰り返し
構造単位中の主鎖を形成する部分にエーテル結合を含
み、かつ環状構造を含まない透明フッ素樹脂を、フッ素
系溶媒IL−263(トクヤマ社製、商品名)に溶解
し、15重量%の溶液とした。次いで、この溶液を表面
研磨したシリコン基板上に滴下し、スピンコーターを用
いて基板を回転させた後、基板を180℃で10分間加
熱し、膜厚1μmの透明膜を形成した。その後、シリコ
ン基板から薄膜を剥離し、ペリクル膜を得た。次に、ア
ルミ製フレームの上端面に接着剤を塗布してペリクル膜
を貼り付け、フレームの下端面には粘着剤を塗布した。
最後に、フレームの外周に沿って不要の膜を切断するこ
とによりペリクルを完成させた。このペリクルの透過率
を測定すると、フッ素エキシマレーザー光に対する透過
率は99.8%と、非常に高い値を示した。
れ、繰り返し構造単位中の主鎖を形成する部分にエーテ
ル結合を含み、かつ環状構造を含まない透明フッ素樹脂
を用いた以外は、実施例1と同じ条件でペリクル膜を形
成し、これを用いてペリクルを作製した。このペリクル
の透過率を測定すると、フッ素エキシマレーザー光に対
する透過率は99.8%と、非常に高い値を示した。
れ、繰り返し構造単位中の主鎖に、エーテル結合と側鎖
を含み、環状構造を含まない透明フッ素樹脂を用いた以
外は、実施例1と同じ条件でペリクル膜を形成し、これ
を用いてペリクルを作製した。このペリクルの透過率を
測定すると、フッ素エキシマレーザー光に対する透過率
は99.5%と、非常に高い値を示した。
れ、繰り返し構造単位中の主鎖に、エーテル結合と側鎖
を含み、環状構造を含まない透明フッ素樹脂を用いた以
外は、実施例1と同じ条件でペリクル膜を形成し、これ
を用いてペリクルを作製した。このペリクルの透過率を
測定すると、フッ素エキシマレーザー光に対する透過率
は99.0%と、非常に高い値を示した。これらの樹脂
は、繰り返し構造単位中の主鎖を形成する部分にエーテ
ル結合を有し、該単位の元素構成比は、酸素原子1に対
して炭素原子が3以下となっている。
れ、繰り返し構造単位中の主鎖を形成する部分に環状構
造を含む透明環状エーテルフッ素樹脂 サイトップCT
X−S(旭硝子社製、商品名)をフッ素系溶媒IL−2
63(トクヤマ社製、商品名)に溶解し、5重量%の溶
液とした以外は、実施例1と同じ条件でペリクル膜を形
成し、これを用いてペリクルを作製した。このペリクル
の透過率を測定すると、157nmに対する透過率は2
%と、非常に低い値を示した。上記実施例1乃至4、比
較例1の透過率値の測定結果を表1にまとめて示した。
なお、化学式(化5)〜(化9)の式中の記号a〜e、
k〜n,p,qは、いずれも正数である。c,dはc≦
dの関係を有している。
の繰り返し構造単位中の主鎖を形成する部分にエーテル
結合を含み、かつ環状構造を含まないフッ素樹脂を用い
て形成したペリクルは、フッ素エキシマレーザー光に対
して極めて高い透過率値を示し、実用可能なものであっ
たが、比較例1の繰り返し構造単位中の主鎖を形成する
部分に環状構造を有する透明環状エーテルフッ素樹脂を
用いて形成したペリクルは、透過率が低く、実用に耐え
ないものであった。
るものではない。これらはあくまでも本発明の例示であ
り、本発明の特許請求の範囲に記載された技術思想と実
質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するもの
は、如何なるものであっても本発明の技術的範囲に含ま
れる。
る本発明のリソグラフィー用ペリクルは、真空紫外光に
対して高い透光性と耐光性を有し、従来、実用化されて
いなかったフッ素エキシマレーザーリソグラフィーへの
実用化を可能にした。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 少なくともペリクル膜とペリクルフレー
ムからなるペリクルにおいて、該ペリクルフレームに張
設されるペリクル膜が、繰り返し構造単位中の主鎖を形
成する部分にエーテル結合を含み、かつ環状構造を含ま
ないフッ素樹脂を主成分としてなることを特徴とするリ
ソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項2】 前記繰り返し構造単位中の元素構成比
が、酸素原子1に対して炭素原子が3以下である請求項
1に記載のリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項3】 前記ペリクルに対して照射される露光用
光源の波長が、200nm以下である請求項1または2
に記載のリソグラフィー用ペリクル。
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