JP2001255556A - アクティブマトリクス基板及びその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板及びその製造方法Info
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- JP2001255556A JP2001255556A JP2000066859A JP2000066859A JP2001255556A JP 2001255556 A JP2001255556 A JP 2001255556A JP 2000066859 A JP2000066859 A JP 2000066859A JP 2000066859 A JP2000066859 A JP 2000066859A JP 2001255556 A JP2001255556 A JP 2001255556A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリクス基板の製造工程を複雑
化することなく、良好な拡散反射性を有する反射型アク
ティブマトリクス基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板上に少なくとも一つの第１の
絶縁膜を有するアクティブ素子及びアドレス配線を設
け、アクティブ素子及びアドレス配線を覆うように第２
の絶縁膜を設け、第２の絶縁膜上に第１の開口部を通じ
てアクティブ素子と接続された画素電極をマトリクス状
に配置するアクティブマトリクス基板の製造方法であっ
て、第２の絶縁膜のエッチング速度を第１の絶縁膜のエ
ッチング速度よりも速く設定してエッチングを行い、す
り鉢状の凹凸部を設け、凹凸部を有する基板表面を覆
い、かつ画素電極をアクティブ素子と接続するための第
２の開口部を有する第３の絶縁膜を設ける。
化することなく、良好な拡散反射性を有する反射型アク
ティブマトリクス基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板上に少なくとも一つの第１の
絶縁膜を有するアクティブ素子及びアドレス配線を設
け、アクティブ素子及びアドレス配線を覆うように第２
の絶縁膜を設け、第２の絶縁膜上に第１の開口部を通じ
てアクティブ素子と接続された画素電極をマトリクス状
に配置するアクティブマトリクス基板の製造方法であっ
て、第２の絶縁膜のエッチング速度を第１の絶縁膜のエ
ッチング速度よりも速く設定してエッチングを行い、す
り鉢状の凹凸部を設け、凹凸部を有する基板表面を覆
い、かつ画素電極をアクティブ素子と接続するための第
２の開口部を有する第３の絶縁膜を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型の液晶表示
装置（以下、「ＬＣＤ」という。）に用いられる表示画
素ごとにアクティブ素子を備えたアクティブマトリクス
基板及びその製造方法に関する。
装置（以下、「ＬＣＤ」という。）に用いられる表示画
素ごとにアクティブ素子を備えたアクティブマトリクス
基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＣＤが携帯情報端末等のモバイ
ル分野に広く適用されるのに伴い、より軽量・薄型・低
消費電力のディスプレイの開発が強く求められている。
かかる状況下において、バックライトを必要としない反
射型ＬＣＤ、特にカラー型の反射型ＬＣＤが注目を集め
ている。
ル分野に広く適用されるのに伴い、より軽量・薄型・低
消費電力のディスプレイの開発が強く求められている。
かかる状況下において、バックライトを必要としない反
射型ＬＣＤ、特にカラー型の反射型ＬＣＤが注目を集め
ている。
【０００３】反射型ＬＣＤは、既に携帯情報端末用のＳ
ＴＮ−ＬＣＤとして商品化されており、アクティブ素子
として薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という。）
を用いたＬＣＤも商品化に向けて、開発が激化してい
る。今後、表示の多色化や色再現性の改善によって、モ
バイル用途の中・小型ＬＣＤだけでなく、現在透過型Ｌ
ＣＤが主流であるノート型パソコン用等にも、その低消
費電力化のメリットから、急速に展開していくことが予
想され、さらに大型・高精細の反射型ＬＣＤの実現に向
けての開発も急激な進展を見せている。
ＴＮ−ＬＣＤとして商品化されており、アクティブ素子
として薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という。）
を用いたＬＣＤも商品化に向けて、開発が激化してい
る。今後、表示の多色化や色再現性の改善によって、モ
バイル用途の中・小型ＬＣＤだけでなく、現在透過型Ｌ
ＣＤが主流であるノート型パソコン用等にも、その低消
費電力化のメリットから、急速に展開していくことが予
想され、さらに大型・高精細の反射型ＬＣＤの実現に向
けての開発も急激な進展を見せている。
【０００４】図７は、従来のアクティブ素子としてＴＦ
Ｔを用いたアクティブマトリクス基板を用いた反射型Ｌ
ＣＤの断面構造図である。図７において、アクティブマ
トリクス基板はガラス基板等の絶縁性基板１に走査線で
あるゲート線電極２と、第１の絶縁膜である窒化シリコ
ン（ＳｉＮx）膜３と、半導体膜４と、信号線であるソ
ース線電極５及びドレイン電極６を順次形成することに
より、アクティブ素子であるＴＦＴとゲート線及びソー
ス線により構成されるアドレス配線をマトリックス状に
形成している。そして、これらの表面を覆うように絶縁
膜７を形成し、不要な凹凸を平滑にする絶縁膜１０を形
成し、ＴＦＴと接続するための第１のコンタクト穴を介
して、絶縁膜上に反射電極１３を設けている。通常、反
射電極を形成する金属膜１３は、真空装置を用いたスパ
ッタリング法により成膜される。
Ｔを用いたアクティブマトリクス基板を用いた反射型Ｌ
ＣＤの断面構造図である。図７において、アクティブマ
トリクス基板はガラス基板等の絶縁性基板１に走査線で
あるゲート線電極２と、第１の絶縁膜である窒化シリコ
ン（ＳｉＮx）膜３と、半導体膜４と、信号線であるソ
ース線電極５及びドレイン電極６を順次形成することに
より、アクティブ素子であるＴＦＴとゲート線及びソー
ス線により構成されるアドレス配線をマトリックス状に
形成している。そして、これらの表面を覆うように絶縁
膜７を形成し、不要な凹凸を平滑にする絶縁膜１０を形
成し、ＴＦＴと接続するための第１のコンタクト穴を介
して、絶縁膜上に反射電極１３を設けている。通常、反
射電極を形成する金属膜１３は、真空装置を用いたスパ
ッタリング法により成膜される。
【０００５】また、このアクティブマトリクス基板と対
向電極２１と、ブラックマトリックス２２と、カラーフ
ィルタ２３を形成した対向基板２０の間に配向膜２４を
介して液晶２５を挟持することによって、反射型ＬＣＤ
は構成されている。
向電極２１と、ブラックマトリックス２２と、カラーフ
ィルタ２３を形成した対向基板２０の間に配向膜２４を
介して液晶２５を挟持することによって、反射型ＬＣＤ
は構成されている。
【０００６】上記のようなアクティブマトリクス基板の
構成によると、アドレス配線と反射電極とは別平面に分
離されており、双方が近接したとしても短絡することは
無い。また、積極的に反射電極をアドレス配線にオーバ
ーラップするような構成も可能となり、反射電極により
アドレス配線を電気的に遮蔽することもできることか
ら、アドレス配線の電界による表示異常に関しても抑制
することが可能である。
構成によると、アドレス配線と反射電極とは別平面に分
離されており、双方が近接したとしても短絡することは
無い。また、積極的に反射電極をアドレス配線にオーバ
ーラップするような構成も可能となり、反射電極により
アドレス配線を電気的に遮蔽することもできることか
ら、アドレス配線の電界による表示異常に関しても抑制
することが可能である。
【０００７】したがって、開口率を容易に高めることが
できることから、飛躍的に有効表示領域の向上が図れる
ことになる。また、アクティブマトリクス基板表面に有
する各種の段差が絶縁膜によって平坦化されるため、段
差に起因する反射光の散乱が無く、反射効率の損失が大
幅に軽減されることになる。
できることから、飛躍的に有効表示領域の向上が図れる
ことになる。また、アクティブマトリクス基板表面に有
する各種の段差が絶縁膜によって平坦化されるため、段
差に起因する反射光の散乱が無く、反射効率の損失が大
幅に軽減されることになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来の反射型Ｌ
ＣＤにおける最も大きな課題の一つは紙の白さをＬＣＤ
上で表示することにある。かかる課題を実現するために
は、（１）紙と同じように明るいこと、（２）紙と同じ
ように視角が広いこと、という表示性能を実現すること
が必要となる。
ＣＤにおける最も大きな課題の一つは紙の白さをＬＣＤ
上で表示することにある。かかる課題を実現するために
は、（１）紙と同じように明るいこと、（２）紙と同じ
ように視角が広いこと、という表示性能を実現すること
が必要となる。
【０００９】上記表示性能を実現する手段としては、反
射電極に高反射率材料を用いる方法、あるいは反射電極
に強い拡散反射性を付与する方法等が考えられている。
（１）に関しては、高い反射率を得るべくアクティブマ
トリクス基板表面を平滑にした上に、反射電極としてア
ルミニウム等の高反射率の金属材料を用いることで解決
することが可能である。
射電極に高反射率材料を用いる方法、あるいは反射電極
に強い拡散反射性を付与する方法等が考えられている。
（１）に関しては、高い反射率を得るべくアクティブマ
トリクス基板表面を平滑にした上に、反射電極としてア
ルミニウム等の高反射率の金属材料を用いることで解決
することが可能である。
【００１０】しかし、（２）に関しては、上記のような
方法では、逆に反射光が全く散乱されることがないこと
から、特定の角度に対する正反射光のみになってしま
い、角度依存性が極めて大きな表示特性を有する結果と
なってしまう。
方法では、逆に反射光が全く散乱されることがないこと
から、特定の角度に対する正反射光のみになってしま
い、角度依存性が極めて大きな表示特性を有する結果と
なってしまう。
【００１１】そこで、反射板表面に凹凸部を形成し、そ
の分布状態や密度あるいは凹凸部の高さ等のファクタを
最適化して、拡散反射性を付与する方法が考えられてい
る。かかる方法を用いて拡散反射性を付与した反射板に
ついては、反射板単体において角度依存性が極めて小さ
く、白い紙に近い表示特性を得ることができている。
の分布状態や密度あるいは凹凸部の高さ等のファクタを
最適化して、拡散反射性を付与する方法が考えられてい
る。かかる方法を用いて拡散反射性を付与した反射板に
ついては、反射板単体において角度依存性が極めて小さ
く、白い紙に近い表示特性を得ることができている。
【００１２】なお、凹凸部の形状としては凸型を主体と
したものより、すり鉢状の凹型を主体としたものの方
が、ある角度領域において集光性がよく、より視認性が
良い結果が得られているため、凹凸部の形状としては凹
型の方が望ましい。
したものより、すり鉢状の凹型を主体としたものの方
が、ある角度領域において集光性がよく、より視認性が
良い結果が得られているため、凹凸部の形状としては凹
型の方が望ましい。
【００１３】上述したような凹凸部を形成する方法につ
いて、図８から図１２を参照しながら説明する。まず図
８に示すように、アクティブ素子であるＴＦＴとゲート
線及びソース線のアドレス配線をマトリックス状に形成
する。次に図９に示すように、これらの表面を覆うよう
に絶縁膜７（通常、ＳｉＮx膜等を用いることが多
い。）を設け、かつ反射電極１３と接続するための第１
の開口部８を形成する。
いて、図８から図１２を参照しながら説明する。まず図
８に示すように、アクティブ素子であるＴＦＴとゲート
線及びソース線のアドレス配線をマトリックス状に形成
する。次に図９に示すように、これらの表面を覆うよう
に絶縁膜７（通常、ＳｉＮx膜等を用いることが多
い。）を設け、かつ反射電極１３と接続するための第１
の開口部８を形成する。
【００１４】そして図１０に示すように、感光性樹脂等
による絶縁膜を用いて散乱反射性を持たすための核とな
る凹凸部９を形成し、図１１に示すように、同様な感光
性樹脂等による絶縁膜１０を用いてアクティブマトリク
ス基板の有する不要な凹凸（アクティブ素子であるＴＦ
Ｔ及びアドレス配線等による凹凸）を平滑にし、有用な
凹凸部１１の傾斜を制御する。凹凸部１１の傾斜を制御
することにより所望の拡散反射特性を得ることができる
ので、図１２に示すように反射電極１３と接続するため
に先の絶縁膜と同様に第２の開口部１２を形成すること
により反射型ＬＣＤを実現することができる。
による絶縁膜を用いて散乱反射性を持たすための核とな
る凹凸部９を形成し、図１１に示すように、同様な感光
性樹脂等による絶縁膜１０を用いてアクティブマトリク
ス基板の有する不要な凹凸（アクティブ素子であるＴＦ
Ｔ及びアドレス配線等による凹凸）を平滑にし、有用な
凹凸部１１の傾斜を制御する。凹凸部１１の傾斜を制御
することにより所望の拡散反射特性を得ることができる
ので、図１２に示すように反射電極１３と接続するため
に先の絶縁膜と同様に第２の開口部１２を形成すること
により反射型ＬＣＤを実現することができる。
【００１５】しかし、かかる構成及び製造方法にする
と、従来のアクティブマトリクス基板の構成及び製造方
法に比して、製造工程数が増加することに伴うＬＣＤの
歩留まり低下や、工程設備の追加による工程コストの増
大及び感光性樹脂等の高価な材料を複数回使用すること
による部材コストの増大等、いずれもコストアップ要因
となりうるという問題を生じていた。
と、従来のアクティブマトリクス基板の構成及び製造方
法に比して、製造工程数が増加することに伴うＬＣＤの
歩留まり低下や、工程設備の追加による工程コストの増
大及び感光性樹脂等の高価な材料を複数回使用すること
による部材コストの増大等、いずれもコストアップ要因
となりうるという問題を生じていた。
【００１６】本発明は上記問題を解消すべく、アクティ
ブマトリクス基板の製造工程を複雑にすることなく、比
較的簡単な方法で、拡散反射特性を有するアクティブマ
トリクス基板を作成することができる反射型アクティブ
マトリクス基板及びその製造方法を提供することを目的
とする。
ブマトリクス基板の製造工程を複雑にすることなく、比
較的簡単な方法で、拡散反射特性を有するアクティブマ
トリクス基板を作成することができる反射型アクティブ
マトリクス基板及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、絶縁性
基板上に第１の絶縁膜を有するアクティブ素子及びアド
レス配線を設け、アクティブ素子及びアドレス配線を覆
う第２の絶縁膜を設け、第２の絶縁膜上に設けた第１の
開口部を通じてアクティブ素子と接続された画素電極を
マトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板であ
って、すり鉢状の凹凸部を設け、凹凸部を有する基板表
面を覆い、かつ画素電極をアクティブ素子と接続するた
めの第２の開口部を有する第３の絶縁膜を設けることを
特徴とする。
に本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、絶縁性
基板上に第１の絶縁膜を有するアクティブ素子及びアド
レス配線を設け、アクティブ素子及びアドレス配線を覆
う第２の絶縁膜を設け、第２の絶縁膜上に設けた第１の
開口部を通じてアクティブ素子と接続された画素電極を
マトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板であ
って、すり鉢状の凹凸部を設け、凹凸部を有する基板表
面を覆い、かつ画素電極をアクティブ素子と接続するた
めの第２の開口部を有する第３の絶縁膜を設けることを
特徴とする。
【００１８】かかる構成により、アクティブマトリクス
基板の製造工程を複雑にすることなく、あるいは感光性
樹脂等の高価な材料を複数回使用することもなく、反射
電極下部の絶縁膜に微細な凹凸部を形成することができ
ることから、良好な拡散反射特性を得ることができ、金
属光沢的な表示品位を飛躍的に改善することが可能とな
る。したがって、視認性の高い良好な表示性能を有する
反射型アクティブマトリクス基板及びＬＣＤを安価に実
現することが可能となる。
基板の製造工程を複雑にすることなく、あるいは感光性
樹脂等の高価な材料を複数回使用することもなく、反射
電極下部の絶縁膜に微細な凹凸部を形成することができ
ることから、良好な拡散反射特性を得ることができ、金
属光沢的な表示品位を飛躍的に改善することが可能とな
る。したがって、視認性の高い良好な表示性能を有する
反射型アクティブマトリクス基板及びＬＣＤを安価に実
現することが可能となる。
【００１９】次に、上記目的を達成するために本発明に
かかるアクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性
基板上に少なくとも一つの第１の絶縁膜を有するアクテ
ィブ素子及びアドレス配線を設け、アクティブ素子及び
アドレス配線を覆うように第２の絶縁膜を設け、第２の
絶縁膜上に第１の開口部を通じてアクティブ素子と接続
された画素電極をマトリクス状に配置するアクティブマ
トリクス基板の製造方法であって、第２の絶縁膜のエッ
チング速度を第１の絶縁膜のエッチング速度よりも速く
設定してエッチングを行い、すり鉢状の凹凸部を設け、
凹凸部を有する基板表面を覆い、かつ画素電極をアクテ
ィブ素子と接続するための第２の開口部を有する第３の
絶縁膜を設けることを特徴とする。
かかるアクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性
基板上に少なくとも一つの第１の絶縁膜を有するアクテ
ィブ素子及びアドレス配線を設け、アクティブ素子及び
アドレス配線を覆うように第２の絶縁膜を設け、第２の
絶縁膜上に第１の開口部を通じてアクティブ素子と接続
された画素電極をマトリクス状に配置するアクティブマ
トリクス基板の製造方法であって、第２の絶縁膜のエッ
チング速度を第１の絶縁膜のエッチング速度よりも速く
設定してエッチングを行い、すり鉢状の凹凸部を設け、
凹凸部を有する基板表面を覆い、かつ画素電極をアクテ
ィブ素子と接続するための第２の開口部を有する第３の
絶縁膜を設けることを特徴とする。
【００２０】かかる構成により、アクティブマトリクス
基板の製造工程を複雑にすることなく、あるいは感光性
樹脂等の高価な材料を複数回使用することもなく、反射
電極下部の絶縁膜に微細な凹凸部を形成することができ
ることから、良好な拡散反射特性を得ることができ、金
属光沢的な表示品位を飛躍的に改善することが可能とな
る。したがって、視認性の高い良好な表示性能を有する
反射型アクティブマトリクス基板及びＬＣＤを安価に実
現することが可能となる。
基板の製造工程を複雑にすることなく、あるいは感光性
樹脂等の高価な材料を複数回使用することもなく、反射
電極下部の絶縁膜に微細な凹凸部を形成することができ
ることから、良好な拡散反射特性を得ることができ、金
属光沢的な表示品位を飛躍的に改善することが可能とな
る。したがって、視認性の高い良好な表示性能を有する
反射型アクティブマトリクス基板及びＬＣＤを安価に実
現することが可能となる。
【００２１】また、本発明にかかるアクティブマトリク
ス基板の製造方法は、第１の絶縁膜が複数存在し、絶縁
性基板から離れるにつれてエッチング速度が速くなり、
かつ第２の絶縁膜のエッチング速度よりも遅くなるよう
に設定してエッチングを行うことが好ましい。順次エッ
チング速度を変えることにより、エッチング工程におい
て容易に拡散反射性の核となる凹部を形成することがで
きるからである。
ス基板の製造方法は、第１の絶縁膜が複数存在し、絶縁
性基板から離れるにつれてエッチング速度が速くなり、
かつ第２の絶縁膜のエッチング速度よりも遅くなるよう
に設定してエッチングを行うことが好ましい。順次エッ
チング速度を変えることにより、エッチング工程におい
て容易に拡散反射性の核となる凹部を形成することがで
きるからである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態にかか
るアクティブマトリクス基板について、図面を参照しな
がら説明する。図１から図５は、アクティブ素子として
ＴＦＴを用いた本発明にかかるアクティブマトリクス基
板の製造工程を説明するための断面構造図である。図１
から図５において、図７と同等もしくは相当する部分に
ついては同一符号を付することで、詳細な説明は省略し
ている。
るアクティブマトリクス基板について、図面を参照しな
がら説明する。図１から図５は、アクティブ素子として
ＴＦＴを用いた本発明にかかるアクティブマトリクス基
板の製造工程を説明するための断面構造図である。図１
から図５において、図７と同等もしくは相当する部分に
ついては同一符号を付することで、詳細な説明は省略し
ている。
【００２３】まず図１において、アクティブマトリクス
基板はガラス基板等の絶縁性基板１に走査線であるゲー
ト線電極２と、第１の絶縁膜である窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎx）膜３と、半導体膜４と、信号線であるソース線電
極５及びドレイン電極６を順次形成することにより、ア
クティブ素子であるＴＦＴとゲート線及びソース線のア
ドレス配線をマトリックス状に形成する。
基板はガラス基板等の絶縁性基板１に走査線であるゲー
ト線電極２と、第１の絶縁膜である窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎx）膜３と、半導体膜４と、信号線であるソース線電
極５及びドレイン電極６を順次形成することにより、ア
クティブ素子であるＴＦＴとゲート線及びソース線のア
ドレス配線をマトリックス状に形成する。
【００２４】次に図２に示すように、第２の絶縁膜とし
てこれらの表面を覆うように第２の絶縁膜７（通常、第
１の絶縁膜と同様にＳｉＮx膜が用いられる。）を形成
し、図３に示すようにＴＦＴと接続するための第１の開
口部８を形成する。
てこれらの表面を覆うように第２の絶縁膜７（通常、第
１の絶縁膜と同様にＳｉＮx膜が用いられる。）を形成
し、図３に示すようにＴＦＴと接続するための第１の開
口部８を形成する。
【００２５】ＴＦＴに用いられるＳｉＮx膜はプラズマ
化学気相反応成膜法（ＰＣＶＤ法）により成膜される
が、図６に示すように、ＰＣＶＤ法ではプロセスパラメ
ータの設定により比較的容易に膜質、本実施の形態では
エッチング速度を任意に制御することができる。そこ
で、第１の絶縁膜のエッチング速度を第２の絶縁膜のエ
ッチング速度よりも速くするようにエッチング速度を設
定し、第１の開口部８の形成と同時に拡散反射性の核と
なる微小な第１の凹凸部９を形成する。エッチング速度
が相異することから、上層の第２の絶縁膜については広
くエッチングされ、下層の第１の絶縁膜については狭く
エッチングされるため、エッチング完了後の断面形状と
してはすり鉢状の形状となる。
化学気相反応成膜法（ＰＣＶＤ法）により成膜される
が、図６に示すように、ＰＣＶＤ法ではプロセスパラメ
ータの設定により比較的容易に膜質、本実施の形態では
エッチング速度を任意に制御することができる。そこ
で、第１の絶縁膜のエッチング速度を第２の絶縁膜のエ
ッチング速度よりも速くするようにエッチング速度を設
定し、第１の開口部８の形成と同時に拡散反射性の核と
なる微小な第１の凹凸部９を形成する。エッチング速度
が相異することから、上層の第２の絶縁膜については広
くエッチングされ、下層の第１の絶縁膜については狭く
エッチングされるため、エッチング完了後の断面形状と
してはすり鉢状の形状となる。
【００２６】次に図４に示すように、アクティブマトリ
クス基板に内在する不要な凹凸部（ＴＦＴやアドレス配
線によって形成される凹凸部）を平滑化し、かつ既に形
成されている拡散反射性の核となる凹凸部を所望の形状
に整えるために、感光性樹脂等を平滑性能を有する第３
の絶縁膜１０を形成することで、所望の第２の凹凸部１
１と同時に反射電極との接続をするために第２の絶縁膜
７に設けた第１の開口部８と同位置に第２の開口部１２
を形成する。そして図５に示すように、これらの開口部
を覆うように、この絶縁膜上に反射電極１３を形成する
ことによりアクティブマトリクス基板が作成される。
クス基板に内在する不要な凹凸部（ＴＦＴやアドレス配
線によって形成される凹凸部）を平滑化し、かつ既に形
成されている拡散反射性の核となる凹凸部を所望の形状
に整えるために、感光性樹脂等を平滑性能を有する第３
の絶縁膜１０を形成することで、所望の第２の凹凸部１
１と同時に反射電極との接続をするために第２の絶縁膜
７に設けた第１の開口部８と同位置に第２の開口部１２
を形成する。そして図５に示すように、これらの開口部
を覆うように、この絶縁膜上に反射電極１３を形成する
ことによりアクティブマトリクス基板が作成される。
【００２７】上記のようなアクティブマトリクス基板の
構成及び製造方法とすることで、第１の開口部の形成と
同時に拡散反射性の核となる凹部を形成することがで
き、かつ比較的高価である感光性樹脂等を用いる必要性
もないことから、凹凸形成のための絶縁膜形成及びその
パターニングするための部材、工程及び設備が不要とな
る。したがって、完成されたアクティブマトリクス基板
においては、良好な拡散反射性が得られることが期待で
き、金属光沢的な表示品位が飛躍的に改善された反射型
アクティブマトリクス基板及びＬＣＤを安価に実現する
ことが可能となる。
構成及び製造方法とすることで、第１の開口部の形成と
同時に拡散反射性の核となる凹部を形成することがで
き、かつ比較的高価である感光性樹脂等を用いる必要性
もないことから、凹凸形成のための絶縁膜形成及びその
パターニングするための部材、工程及び設備が不要とな
る。したがって、完成されたアクティブマトリクス基板
においては、良好な拡散反射性が得られることが期待で
き、金属光沢的な表示品位が飛躍的に改善された反射型
アクティブマトリクス基板及びＬＣＤを安価に実現する
ことが可能となる。
【００２８】なお、本実施の形態では絶縁膜としてＳi
Ｎxを用いることとしているが、特にこれに限定される
ものではなく、酸化膜（ＳｉＯ2）や、窒化酸化膜（Ｓ
ｉＯN）や各種金属酸化膜（酸化アルミニウム：Ａｌ
Ｏx、酸化タンタル：ＴａＯx等）の膜種であっても良
い。また、ＴＦＴの第１の絶縁膜と第２の絶縁膜に用い
られる絶縁膜の膜種が異なっていても良く、膜種に依存
することなく、両者のエッチング速度が本発明の要件を
満たしていれば、同様な効果が得られることになる。
Ｎxを用いることとしているが、特にこれに限定される
ものではなく、酸化膜（ＳｉＯ2）や、窒化酸化膜（Ｓ
ｉＯN）や各種金属酸化膜（酸化アルミニウム：Ａｌ
Ｏx、酸化タンタル：ＴａＯx等）の膜種であっても良
い。また、ＴＦＴの第１の絶縁膜と第２の絶縁膜に用い
られる絶縁膜の膜種が異なっていても良く、膜種に依存
することなく、両者のエッチング速度が本発明の要件を
満たしていれば、同様な効果が得られることになる。
【００２９】また、本実施の形態におけるＴＦＴの絶縁
膜としての第１の絶縁膜としては、アンダーコート膜
（ガラス基板とＴＦＴとの間に設ける絶縁膜を意味す
る）を設けたものでも良く、アンダーコート膜と、第１
の絶縁膜と、第２の絶縁膜の３種類の絶縁膜で凹凸の核
形成をすることも可能である。その場合、エッチング速
度の関係は、本実施の形態と同様に第２の絶縁膜のエッ
チング速度が一番速く、順次、第１の絶縁膜のエッチン
グ速度、アンダーコート膜のエッチング速度と遅くなっ
ていくという関係、すなわち下層に設けた膜ほどエッチ
ング速度が遅くなるという関係さえ具備すれば、本発明
と同様な効果を得られることが期待できる。
膜としての第１の絶縁膜としては、アンダーコート膜
（ガラス基板とＴＦＴとの間に設ける絶縁膜を意味す
る）を設けたものでも良く、アンダーコート膜と、第１
の絶縁膜と、第２の絶縁膜の３種類の絶縁膜で凹凸の核
形成をすることも可能である。その場合、エッチング速
度の関係は、本実施の形態と同様に第２の絶縁膜のエッ
チング速度が一番速く、順次、第１の絶縁膜のエッチン
グ速度、アンダーコート膜のエッチング速度と遅くなっ
ていくという関係、すなわち下層に設けた膜ほどエッチ
ング速度が遅くなるという関係さえ具備すれば、本発明
と同様な効果を得られることが期待できる。
【００３０】以上のように本実施の形態によれば、アク
ティブマトリクス基板の製造工程を複雑にすることな
く、良好なる反射電極の拡散反射性能を得ることができ
ることから、大型化・高精細度化に対応し得る視認性の
高い良好な表示性能を、安価に実現することが可能とな
る。
ティブマトリクス基板の製造工程を複雑にすることな
く、良好なる反射電極の拡散反射性能を得ることができ
ることから、大型化・高精細度化に対応し得る視認性の
高い良好な表示性能を、安価に実現することが可能とな
る。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明にかかるアクティブ
マトリクス基板の製造方法によれば、アクティブマトリ
クス基板の製造工程を複雑にすることなく、良好な拡散
反射特性が得られることから、大型化・高精細度化に対
応し得る視認性の高い良好な表示性能を、安価に実現す
ることが可能となる。
マトリクス基板の製造方法によれば、アクティブマトリ
クス基板の製造工程を複雑にすることなく、良好な拡散
反射特性が得られることから、大型化・高精細度化に対
応し得る視認性の高い良好な表示性能を、安価に実現す
ることが可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態にかかるアクティブマト
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
【図２】 本発明の実施の形態にかかるアクティブマト
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
【図３】 本発明の実施の形態にかかるアクティブマト
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
【図４】 本発明の実施の形態にかかるアクティブマト
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
【図５】 本発明の実施の形態にかかるアクティブマト
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
リクス基板の製造方法の一工程における断面構造図
【図６】 ＰＣＶＤ法によるＳｉＮx膜のエッチング速
度制御を示す図
度制御を示す図
【図７】 従来例を示すアクティブマトリクス基板を用
いた液晶表示装置の断面構造図
いた液晶表示装置の断面構造図
【図８】 従来のアクティブマトリクス基板の製造方法
の一工程における断面構造図
の一工程における断面構造図
【図９】 従来のアクティブマトリクス基板の製造方法
の一工程における断面構造図
の一工程における断面構造図
【図１０】 従来のアクティブマトリクス基板の製造方
法の一工程における断面構造図
法の一工程における断面構造図
【図１１】 従来のアクティブマトリクス基板の製造方
法の一工程における断面構造図
法の一工程における断面構造図
【図１２】 従来のアクティブマトリクス基板の製造方
法の一工程における断面構造図
法の一工程における断面構造図
１ 絶縁性基板 ２ ゲート線電極 ３ 第１の絶縁膜 ４ 半導体膜 ５ ソース線電極 ６ ドレイン電極 ７ 第２の絶縁膜 ８ 第１の開口部 ９ 第１の凹凸部 １０ 第３の絶縁膜 １１ 第２の開口部 １２ 第２の凹凸部 １３ 反射電極 ２０ 対向基板 ２１ 対向電極 ２２ ブラックマトリックス ２３ カラーフィルタ ２４ 配向膜 ２５ 液晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｓ ５Ｇ４３５ 29/786 29/78 ６１９Ａ Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HA07 HB03X HC09 HC12 HC19 HD06 JA07 LA04 2H092 HA05 HA28 JA24 JB05 JB07 KB13 MA08 MA17 NA01 5C094 AA01 AA05 AA12 AA14 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 DA13 DA15 EA04 EA06 ED11 ED13 FA01 FA02 FB12 FB15 GB10 5F033 HH08 QQ35 RR03 RR04 RR06 RR08 SS15 VV00 VV15 XX00 5F110 AA30 BB01 CC07 DD02 DD13 DD14 DD15 FF01 FF02 FF03 FF04 HL14 NN03 NN22 NN23 NN24 NN35 NN80 QQ03 5G435 AA01 AA17 BB12 BB16 CC09 FF03 FF06 HH08 HH12 KK05
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に第１の絶縁膜を有するア
クティブ素子及びアドレス配線を設け、 前記アクティブ素子及び前記アドレス配線を覆う第２の
絶縁膜を設け、 前記第２の絶縁膜上に設けた第１の開口部を通じて前記
アクティブ素子と接続された画素電極をマトリクス状に
配置したアクティブマトリクス基板であって、 すり鉢状の凹凸部を設け、前記凹凸部を有する基板表面
を覆い、かつ前記画素電極を前記アクティブ素子と接続
するための第２の開口部を有する第３の絶縁膜を設ける
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 【請求項２】 絶縁性基板上に少なくとも一つの第１の
絶縁膜を有するアクティブ素子及びアドレス配線を設
け、 前記アクティブ素子及び前記アドレス配線を覆うように
第２の絶縁膜を設け、 前記第２の絶縁膜上に第１の開口部を通じて前記アクテ
ィブ素子と接続された画素電極をマトリクス状に配置す
るアクティブマトリクス基板の製造方法であって、 前記第２の絶縁膜のエッチング速度を前記第１の絶縁膜
のエッチング速度よりも速く設定してエッチングを行
い、すり鉢状の凹凸部を設け、前記凹凸部を有する基板
表面を覆い、かつ前記画素電極を前記アクティブ素子と
接続するための第２の開口部を有する第３の絶縁膜を設
けることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造
方法。 - 【請求項３】 前記第１の絶縁膜が複数存在し、前記絶
縁性基板から離れるにつれてエッチング速度が速くな
り、かつ前記第２の絶縁膜のエッチング速度よりも遅く
なるように設定してエッチングを行う請求項２記載のア
クティブマトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066859A JP2001255556A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066859A JP2001255556A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001255556A true JP2001255556A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18586149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000066859A Pending JP2001255556A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001255556A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006189811A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US20160284653A1 (en) * | 2013-12-11 | 2016-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fan Out Package Method |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000066859A patent/JP2001255556A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006189811A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4684871B2 (ja) * | 2004-12-31 | 2011-05-18 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US20160284653A1 (en) * | 2013-12-11 | 2016-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fan Out Package Method |
| US9947629B2 (en) * | 2013-12-11 | 2018-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming contact holes in a fan out package |
| US11152316B2 (en) | 2013-12-11 | 2021-10-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming contact holes in a fan out package |
| US11164829B2 (en) | 2013-12-11 | 2021-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming contact holes in a fan out package |
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|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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