JP2001255115A - 低コヒーレンス干渉測定装置 - Google Patents
低コヒーレンス干渉測定装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の低コヒーレンス干渉測定装置の構成を
一部変更して干渉特性曲線の包絡線を急峻化させ、高精
度化を図ることを目的とする。 【解決手段】 低コヒーレンス光源である主光源と、主
光源から出射された光束を分割し、被検物と参照物との
双方に導くと共に、被検物において反射した被検光と参
照物において反射した参照光とを、互い重ね合わせて干
渉させる干渉光学系と、参照物を移動可能に支持する支
持手段と、被検光と参照光とが成す干渉光の強度を検出
する検出手段とを備える。さらに、主光源とは中心波長
の異なる副光源を備え、副光源から出射された光束を、
統合光学系によって、主光源から出射された光束の光路
のうち、分割される前の光路に重ね合わせている。この
とき、干渉特性曲線の包絡線には、2つの光源の中心波
長の差異によってうなりが生じるので、ピークの両側に
は落ち込みが生じ、包絡線の傾きが急峻化される。
一部変更して干渉特性曲線の包絡線を急峻化させ、高精
度化を図ることを目的とする。 【解決手段】 低コヒーレンス光源である主光源と、主
光源から出射された光束を分割し、被検物と参照物との
双方に導くと共に、被検物において反射した被検光と参
照物において反射した参照光とを、互い重ね合わせて干
渉させる干渉光学系と、参照物を移動可能に支持する支
持手段と、被検光と参照光とが成す干渉光の強度を検出
する検出手段とを備える。さらに、主光源とは中心波長
の異なる副光源を備え、副光源から出射された光束を、
統合光学系によって、主光源から出射された光束の光路
のうち、分割される前の光路に重ね合わせている。この
とき、干渉特性曲線の包絡線には、2つの光源の中心波
長の差異によってうなりが生じるので、ピークの両側に
は落ち込みが生じ、包絡線の傾きが急峻化される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、低コヒーレンス干
渉測定装置に関する。
渉測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光学機器の加工、検査、組立てなどの多
くの工程では、光学素子の位置や間隔などを調べる距離
測定に、干渉測定装置が使用される。特に、光の波長と
比較して長い距離の測定には、低コヒーレンス干渉測定
装置が使用されることが多い。図5は、従来の低コヒー
レンス干渉測定装置50を示す図である。因みに、図5
に示すのは、マイケルソン型の干渉計が適用された干渉
測定装置である。
くの工程では、光学素子の位置や間隔などを調べる距離
測定に、干渉測定装置が使用される。特に、光の波長と
比較して長い距離の測定には、低コヒーレンス干渉測定
装置が使用されることが多い。図5は、従来の低コヒー
レンス干渉測定装置50を示す図である。因みに、図5
に示すのは、マイケルソン型の干渉計が適用された干渉
測定装置である。
【0003】低コヒーレンス干渉測定装置50は、一般
的な干渉測定装置と同様、被検位置Aに配置された被検
ミラー58と、移動ステージ55上に載置された参照ミ
ラー54との双方に、同一の光源51から出射された光
を分割して照射すると共に、被検ミラー58において反
射した被検光と、参照ミラー54において反射した参照
光とを再び重ね合わせ、両光が成す干渉光の強度を検出
器57により検出するものである。
的な干渉測定装置と同様、被検位置Aに配置された被検
ミラー58と、移動ステージ55上に載置された参照ミ
ラー54との双方に、同一の光源51から出射された光
を分割して照射すると共に、被検ミラー58において反
射した被検光と、参照ミラー54において反射した参照
光とを再び重ね合わせ、両光が成す干渉光の強度を検出
器57により検出するものである。
【0004】ここで、低コヒーレンス干渉測定装置50
の光源51は、可干渉距離が十分に短い光を出射する低
コヒーレンス光源である。この光源51には、例えば、
スーパールミネッセントダイオード(SLD)が使用さ
れ、その波長スペクトルの半値全幅Δλ、中心波長λが
それぞれ所定値(例えば、Δλ=7nm、λ=680n
m)に設定されている。
の光源51は、可干渉距離が十分に短い光を出射する低
コヒーレンス光源である。この光源51には、例えば、
スーパールミネッセントダイオード(SLD)が使用さ
れ、その波長スペクトルの半値全幅Δλ、中心波長λが
それぞれ所定値(例えば、Δλ=7nm、λ=680n
m)に設定されている。
【0005】このとき、被検ミラー58からの被検光と
参照ミラー54からの参照光との光路長差は、両光の干
渉光の強度となって現れるので、制御部59は、この光
路長差が0となるような参照ミラー54の位置を検知す
るために、参照ミラー54の位置を走査しながら検出器
57の出力をモニタする。このとき、参照ミラー54の
各位置データ(移動ステージ55内に備えられたリニア
スケールの出力)Xiと、参照ミラーの位置データがXi
であるときの干渉光の光強度データLi(検出器57の
出力)とは、互いに対応づけられる。
参照ミラー54からの参照光との光路長差は、両光の干
渉光の強度となって現れるので、制御部59は、この光
路長差が0となるような参照ミラー54の位置を検知す
るために、参照ミラー54の位置を走査しながら検出器
57の出力をモニタする。このとき、参照ミラー54の
各位置データ(移動ステージ55内に備えられたリニア
スケールの出力)Xiと、参照ミラーの位置データがXi
であるときの干渉光の光強度データLi(検出器57の
出力)とは、互いに対応づけられる。
【0006】図6は、低コヒーレンス干渉測定装置50
の光路長差−干渉光強度特性曲線(以下「干渉特性曲
線」という。)を示す図である。この図6に明らかなよ
うに、干渉特性曲線は多数の極値を示し、干渉特性曲線
の包絡線(前記干渉特性曲線が接する定曲線)は光路長
差0のときに極値(以下、包絡線の極値を「ピーク」と
いう。)を示す。
の光路長差−干渉光強度特性曲線(以下「干渉特性曲
線」という。)を示す図である。この図6に明らかなよ
うに、干渉特性曲線は多数の極値を示し、干渉特性曲線
の包絡線(前記干渉特性曲線が接する定曲線)は光路長
差0のときに極値(以下、包絡線の極値を「ピーク」と
いう。)を示す。
【0007】演算処理部510は、制御部59が得た各
実測データ(Li,Xi)に、例えば平滑微分などの所定
の演算を施して、干渉光強度Lと参照ミラー54の位置
Xとの関係を得ると、前記ピークに対応する干渉光強度
LAを峻別する。そして、その値LAを与える参照ミラー
54の位置XAを、光路長差0を実現する位置とみな
し、その値XAを、被検位置Aを示す値として記憶す
る。
実測データ(Li,Xi)に、例えば平滑微分などの所定
の演算を施して、干渉光強度Lと参照ミラー54の位置
Xとの関係を得ると、前記ピークに対応する干渉光強度
LAを峻別する。そして、その値LAを与える参照ミラー
54の位置XAを、光路長差0を実現する位置とみな
し、その値XAを、被検位置Aを示す値として記憶す
る。
【0008】以上の動作は、被検ミラー58を被検位置
Bに配置した状態でも同様に行われ、光路長差0を実現
する参照ミラー54の位置XBが、被検位置Bを示す値
として記憶される。したがって、位置Aと位置Bとの間
隔は、|XA−XB|により得られる。なお、本明細書で
は、このように、少なくとも測定範囲においては光路長
差0のときにのみ前記包絡線にピークが発生するよう、
十分に可干渉距離が短く設定された光を「低コヒーレン
ス光」と称し、低コヒーレンス光を出射する光源を「低
コヒーレンス光源」と称する。
Bに配置した状態でも同様に行われ、光路長差0を実現
する参照ミラー54の位置XBが、被検位置Bを示す値
として記憶される。したがって、位置Aと位置Bとの間
隔は、|XA−XB|により得られる。なお、本明細書で
は、このように、少なくとも測定範囲においては光路長
差0のときにのみ前記包絡線にピークが発生するよう、
十分に可干渉距離が短く設定された光を「低コヒーレン
ス光」と称し、低コヒーレンス光を出射する光源を「低
コヒーレンス光源」と称する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上説明し
た低コヒーレンス干渉測定装置50を高精度化するに
は、被検光と参照光との光路長差が0となる状態、つま
り、前記ピークに対応する干渉光強度LAを正確に検知
する必要がある。そのためには、各光強度データLiを
十分な精度で取得すればよいが、検出器57の光強度分
解能を向上させるのは、周知のとおり非常に困難であ
る。
た低コヒーレンス干渉測定装置50を高精度化するに
は、被検光と参照光との光路長差が0となる状態、つま
り、前記ピークに対応する干渉光強度LAを正確に検知
する必要がある。そのためには、各光強度データLiを
十分な精度で取得すればよいが、検出器57の光強度分
解能を向上させるのは、周知のとおり非常に困難であ
る。
【0010】そこで、誤差を圧縮するために、各実測デ
ータ(Li,Xi)に最小二乗法などの演算処理を適用す
ることが考えられる。しかしこの場合、演算処理部51
0が複雑化し、かつ処理速度の低下が避けられない。ま
た、仮にそれを許容したとしても、各光強度データLi
が十分な精度で取得されない以上は、演算による誤差の
圧縮には限界がある。
ータ(Li,Xi)に最小二乗法などの演算処理を適用す
ることが考えられる。しかしこの場合、演算処理部51
0が複雑化し、かつ処理速度の低下が避けられない。ま
た、仮にそれを許容したとしても、各光強度データLi
が十分な精度で取得されない以上は、演算による誤差の
圧縮には限界がある。
【0011】一方、光源51の波長スペクトル幅を広げ
てその可干渉距離をさらに短くすれば、干渉特性曲線の
包絡線の半値全幅が狭まるので、ピーク周辺で干渉光強
度が大きく変化することとなり、光路長差0の状態を検
知し易くなる。しかし、一般の光は、波長スペクトル幅
を広げる(すなわち白色光に近づける)ほど指向性が低
下するので、装置への適用が困難となる。
てその可干渉距離をさらに短くすれば、干渉特性曲線の
包絡線の半値全幅が狭まるので、ピーク周辺で干渉光強
度が大きく変化することとなり、光路長差0の状態を検
知し易くなる。しかし、一般の光は、波長スペクトル幅
を広げる(すなわち白色光に近づける)ほど指向性が低
下するので、装置への適用が困難となる。
【0012】そこで本発明は、従来の低コヒーレンス干
渉測定装置の構成を一部変更することにより前記包絡線
の傾きを急峻化させて、高精度化された低コヒーレンス
干渉測定装置を提供することを目的とする。
渉測定装置の構成を一部変更することにより前記包絡線
の傾きを急峻化させて、高精度化された低コヒーレンス
干渉測定装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1または請求項2
に記載の低コヒーレンス干渉測定装置は、低コヒーレン
ス光源である主光源を備え、その主光源から出射された
光束を分割し、被検物と参照物との双方に導くと共に、
被検物において反射した被検光と参照物において反射し
た参照光とを、互い重ね合わせて干渉させる干渉光学系
と、前記参照物を移動可能に支持する支持手段と、前記
被検光と参照光とが成す干渉光の強度を検出する検出手
段とを備える。さらに、この低コヒーレンス干渉測定装
置は、前記主光源とは中心波長の異なる副光源を備え、
前記副光源から出射された光束を、統合光学系によっ
て、前記主光源から出射された光束の光路のうち、前記
分割される前の光路に重ね合わせている。
に記載の低コヒーレンス干渉測定装置は、低コヒーレン
ス光源である主光源を備え、その主光源から出射された
光束を分割し、被検物と参照物との双方に導くと共に、
被検物において反射した被検光と参照物において反射し
た参照光とを、互い重ね合わせて干渉させる干渉光学系
と、前記参照物を移動可能に支持する支持手段と、前記
被検光と参照光とが成す干渉光の強度を検出する検出手
段とを備える。さらに、この低コヒーレンス干渉測定装
置は、前記主光源とは中心波長の異なる副光源を備え、
前記副光源から出射された光束を、統合光学系によっ
て、前記主光源から出射された光束の光路のうち、前記
分割される前の光路に重ね合わせている。
【0014】上記2つの光源の下で生じる干渉光強度
は、主光源を単独で用いた場合に生じる干渉光強度と、
副光源を単独で用いた場合に生じる干渉光強度との和と
なる。したがって、この低コヒーレンス干渉測定装置の
干渉特性曲線の包絡線には、従来と同様、光路長差が0
の状態においてピークが発生する。ただし、この包絡線
には、2つの光源の中心波長の差異によってうなりが生
じるので、前記ピークの両側には落ち込みが生じ、包絡
線の傾きが急峻化される。
は、主光源を単独で用いた場合に生じる干渉光強度と、
副光源を単独で用いた場合に生じる干渉光強度との和と
なる。したがって、この低コヒーレンス干渉測定装置の
干渉特性曲線の包絡線には、従来と同様、光路長差が0
の状態においてピークが発生する。ただし、この包絡線
には、2つの光源の中心波長の差異によってうなりが生
じるので、前記ピークの両側には落ち込みが生じ、包絡
線の傾きが急峻化される。
【0015】そして、請求項2に記載の低コヒーレンス
干渉測定装置では、前記参照物の位置を走査し、そのと
きに前記検出手段が検出する前記干渉光の強度の変化か
ら、前記参照物の位置を基準とした前記被検物の位置を
求める。上記のように干渉特性曲線の包絡線の傾きが急
峻化されたこの低コヒーレンス干渉測定装置では、光路
長差0の周辺で干渉光強度が大きく変化する。したがっ
て、干渉光の強度の変化から光路長差0の状態を確実に
峻別することができる。そして、この状態での参照物の
位置を参照すれば、被検物の位置は高精度に求められ
る。
干渉測定装置では、前記参照物の位置を走査し、そのと
きに前記検出手段が検出する前記干渉光の強度の変化か
ら、前記参照物の位置を基準とした前記被検物の位置を
求める。上記のように干渉特性曲線の包絡線の傾きが急
峻化されたこの低コヒーレンス干渉測定装置では、光路
長差0の周辺で干渉光強度が大きく変化する。したがっ
て、干渉光の強度の変化から光路長差0の状態を確実に
峻別することができる。そして、この状態での参照物の
位置を参照すれば、被検物の位置は高精度に求められ
る。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施形態について説明する。図1は、本実施形態の低コヒ
ーレンス干渉測定装置10を示す図である。なお、図1
において、図5に示した従来の低コヒーレンス干渉測定
装置50と同じ箇所については、同一の符号を付して示
している。
施形態について説明する。図1は、本実施形態の低コヒ
ーレンス干渉測定装置10を示す図である。なお、図1
において、図5に示した従来の低コヒーレンス干渉測定
装置50と同じ箇所については、同一の符号を付して示
している。
【0017】低コヒーレンス干渉測定装置10におい
て、従来の低コヒーレンス干渉測定装置50との主な相
違点は、副光源12、コリメータレンズ13、およびハ
ーフミラー14が付加されている点である。すなわち、
低コヒーレンス干渉測定装置10は、二つの光源(主光
源11、副光源12)、それぞれの光源に対応する2つ
のコリメータレンズ(コリメータレンズ52、13)、
ハーフミラー14(統合光学系に対応する)、ビームス
プリッタ53(干渉光学系に対応する)、被検ミラー5
8(被検物に対応する)、参照ミラー54(参照物に対
応する)、集光レンズ56、検出器57(検出手段に対
応する)、移動ステージ55(支持手段に対応する)、
制御部59(位置取得手段に対応する)、および演算処
理部110(位置取得手段に対応する)を備えている。
て、従来の低コヒーレンス干渉測定装置50との主な相
違点は、副光源12、コリメータレンズ13、およびハ
ーフミラー14が付加されている点である。すなわち、
低コヒーレンス干渉測定装置10は、二つの光源(主光
源11、副光源12)、それぞれの光源に対応する2つ
のコリメータレンズ(コリメータレンズ52、13)、
ハーフミラー14(統合光学系に対応する)、ビームス
プリッタ53(干渉光学系に対応する)、被検ミラー5
8(被検物に対応する)、参照ミラー54(参照物に対
応する)、集光レンズ56、検出器57(検出手段に対
応する)、移動ステージ55(支持手段に対応する)、
制御部59(位置取得手段に対応する)、および演算処
理部110(位置取得手段に対応する)を備えている。
【0018】この低コヒーレンス干渉測定装置10にお
いて、主光源11から射出した光束LMはコリメータレ
ンズ52により平行光束に変換される。また、副光源1
2から射出した光束LSはコリメータレンズ13により
平行光束に変換される。これらの光束LMと光束LSと
は、ハーフミラー14を介して同一光路に導かれて重ね
合わされ、光束Lとなる。光束Lは、ビームスプリッタ
53により分割され、一部が被検ミラー58へ導かれ、
他の一部が参照ミラー54へと導かれる。被検ミラー5
8において反射した被検光と、参照ミラー54において
反射した参照光とは再びビームスプリッタ53へ入射
し、その後集光レンズ56を介して検出器57上に干渉
光を生起させる。
いて、主光源11から射出した光束LMはコリメータレ
ンズ52により平行光束に変換される。また、副光源1
2から射出した光束LSはコリメータレンズ13により
平行光束に変換される。これらの光束LMと光束LSと
は、ハーフミラー14を介して同一光路に導かれて重ね
合わされ、光束Lとなる。光束Lは、ビームスプリッタ
53により分割され、一部が被検ミラー58へ導かれ、
他の一部が参照ミラー54へと導かれる。被検ミラー5
8において反射した被検光と、参照ミラー54において
反射した参照光とは再びビームスプリッタ53へ入射
し、その後集光レンズ56を介して検出器57上に干渉
光を生起させる。
【0019】また、参照ミラー54は、移動ステージ5
5上に設置されている。ステッピングモータ駆動の直進
ステージなどからなるこの移動ステージ55は、制御部
59によって光軸方向に移動可能である。また、この移
動ステージ55には、移動ステージ55の光軸方向の位
置を検出するリニアスケール(不図示)が搭載されてお
り、その位置を示す信号が、参照ミラー54の位置を示
す位置データXiとして出力される。
5上に設置されている。ステッピングモータ駆動の直進
ステージなどからなるこの移動ステージ55は、制御部
59によって光軸方向に移動可能である。また、この移
動ステージ55には、移動ステージ55の光軸方向の位
置を検出するリニアスケール(不図示)が搭載されてお
り、その位置を示す信号が、参照ミラー54の位置を示
す位置データXiとして出力される。
【0020】また、検出器57は、入射した光の強度を
検出する光電子増倍管などからなり、制御部59の指示
に応じて干渉光の強度を示す光強度データLiを出力す
る。図2は、主光源11、副光源12の波長スペクトル
分布を示す図である。本実施形態の主光源11は、従来
の光源51(図5参照)と同様、低コヒーレンス光源で
ある。主光源11には、例えば、ガウス型の波長スペク
トル分布をした、スーパールミネッセントダイオード
(SLD)が使用され、波長スペクトルの半値全幅Δλ
1、中心波長λ1がそれぞれ所定値(例えば、Δλ1=
7nm、λ1=680nm)に設定される。
検出する光電子増倍管などからなり、制御部59の指示
に応じて干渉光の強度を示す光強度データLiを出力す
る。図2は、主光源11、副光源12の波長スペクトル
分布を示す図である。本実施形態の主光源11は、従来
の光源51(図5参照)と同様、低コヒーレンス光源で
ある。主光源11には、例えば、ガウス型の波長スペク
トル分布をした、スーパールミネッセントダイオード
(SLD)が使用され、波長スペクトルの半値全幅Δλ
1、中心波長λ1がそれぞれ所定値(例えば、Δλ1=
7nm、λ1=680nm)に設定される。
【0021】一方、副光源12は、その中心波長λ2
が、主光源11の中心波長λ1とは異なる所定値に設定
された光源である。副光源12には、例えば、単一波長
のHeNeレーザ(Δλ2≒0nm、λ2=632.8
nm)が使用される。そして、この副光源12と、主光
源11との間では、非干渉性(インコヒーレント)の関
係が成り立つ。
が、主光源11の中心波長λ1とは異なる所定値に設定
された光源である。副光源12には、例えば、単一波長
のHeNeレーザ(Δλ2≒0nm、λ2=632.8
nm)が使用される。そして、この副光源12と、主光
源11との間では、非干渉性(インコヒーレント)の関
係が成り立つ。
【0022】これら2つの光源の下で生じる干渉光強度
は、主光源11を単独で用いた場合に生じる干渉光強度
(図6参照)と、副光源12を単独で用いた場合に生じ
る干渉光強度(光路長差の単なる正弦関数である)との
和となる。
は、主光源11を単独で用いた場合に生じる干渉光強度
(図6参照)と、副光源12を単独で用いた場合に生じ
る干渉光強度(光路長差の単なる正弦関数である)との
和となる。
【0023】図3は、低コヒーレンス干渉測定装置10
の干渉特性曲線を示す図である。したがって、図3に明
らかなように、本実施形態の干渉特性曲線の包絡線に
は、従来と同様、光路長差0の状態においてピーク(最
大ピーク)が発生する。但し、2つの光源は中心波長が
異なるので、本実施形態の包絡線には、うなりが生じて
いる。このうなりは、主光源11と副光源12との間の
波数差ΔD(ΔD=|(1/λ1)−(1/λ2)|)
に応じた間隔(L5=1/ΔD)で発生している。
の干渉特性曲線を示す図である。したがって、図3に明
らかなように、本実施形態の干渉特性曲線の包絡線に
は、従来と同様、光路長差0の状態においてピーク(最
大ピーク)が発生する。但し、2つの光源は中心波長が
異なるので、本実施形態の包絡線には、うなりが生じて
いる。このうなりは、主光源11と副光源12との間の
波数差ΔD(ΔD=|(1/λ1)−(1/λ2)|)
に応じた間隔(L5=1/ΔD)で発生している。
【0024】このため、光路長差0に対応する最大ピー
クの両側には、落ち込みが生じ、包絡線の傾きが急峻化
されている。なお、この包絡線には、光路長差0に対応
する最大ピークの他に、やや小さなピークが発生する。
しかし、本実施形態では最大ピークを確実に峻別するた
めに、予め主光源11および副光源12の中心波長λ
1、λ2の値は適当な関係に選択され、光路長差0に対
応する最大ピークとそれに隣接するピーク(隣接ピー
ク)との強度差ΔLは、検出器57によって検出可能な
程度の大きさに確保されている。
クの両側には、落ち込みが生じ、包絡線の傾きが急峻化
されている。なお、この包絡線には、光路長差0に対応
する最大ピークの他に、やや小さなピークが発生する。
しかし、本実施形態では最大ピークを確実に峻別するた
めに、予め主光源11および副光源12の中心波長λ
1、λ2の値は適当な関係に選択され、光路長差0に対
応する最大ピークとそれに隣接するピーク(隣接ピー
ク)との強度差ΔLは、検出器57によって検出可能な
程度の大きさに確保されている。
【0025】図1に戻り、低コヒーレンス干渉測定装置
10では、被検位置Aと被検位置Bとの間隔を測定する
際に、従来と同様、被検位置A、被検位置Bのそれぞれ
に被検ミラー58が配置され、被検位置A、Bを示す値
XA、XBが個別に取得される。すなわち、被検位置Aに
被検ミラー58が配置された状態で、制御部59は、主
光源11、副光源12、移動ステージ55、および検出
器57を駆動し、参照ミラー54の位置を走査しながら
検出器57の出力をモニタして、参照ミラー54の各位
置データXiと、干渉光の各光強度データLiとを互いに
対応づけて演算処理部110に与える。
10では、被検位置Aと被検位置Bとの間隔を測定する
際に、従来と同様、被検位置A、被検位置Bのそれぞれ
に被検ミラー58が配置され、被検位置A、Bを示す値
XA、XBが個別に取得される。すなわち、被検位置Aに
被検ミラー58が配置された状態で、制御部59は、主
光源11、副光源12、移動ステージ55、および検出
器57を駆動し、参照ミラー54の位置を走査しながら
検出器57の出力をモニタして、参照ミラー54の各位
置データXiと、干渉光の各光強度データLiとを互いに
対応づけて演算処理部110に与える。
【0026】上述したように、本実施形態では、干渉特
性曲線の包絡線の傾きが急峻化されているので、光路長
差0の周辺では干渉光の強度が大きく変化すはずであ
る。このため、実測データである各光強度データLi
も、光路長差0の周辺で大きな変化を示す。
性曲線の包絡線の傾きが急峻化されているので、光路長
差0の周辺では干渉光の強度が大きく変化すはずであ
る。このため、実測データである各光強度データLi
も、光路長差0の周辺で大きな変化を示す。
【0027】したがって、本実施形態では、たとえ演算
処理部110における演算内容が従来と同じであったと
しても、前記包絡線の傾きが急峻化された分だけ、光路
差0に対応する干渉光強度LAの峻別精度は高まり、光
路長差0を示す位置XA、すなわち被検位置Aの測定精
度が高まる。因みに、演算処理部110における演算
は、各実測データ(Li,Xi)に、例えば平滑微分など
の所定の演算を施して、干渉光強度Lと参照ミラー54
の位置Xとの関係を得ると、例えば最大の干渉光強度L
Aを前記最大ピークに対応する値とみなして峻別する。
そして、その値LAを与える参照ミラー54の位置XA
を、光路長差0を実現する位置とみなし、その値XA
を、被検位置Aを示す値として記憶するものである。さ
らに 高精度化を図る場合には、演算処理部110に、
予め、干渉特性曲線の形状(図3参照)、またはその包
絡線の形状を示す形状情報を記憶させる。そして、演算
処理部110は、その形状情報に基づく最小二乗法など
の演算処理を各実測データ(Li,Xi)に適用すること
によって、干渉光強度Lと参照ミラー54の位置Xとの
関係から、測定誤差を除去すればよい。
処理部110における演算内容が従来と同じであったと
しても、前記包絡線の傾きが急峻化された分だけ、光路
差0に対応する干渉光強度LAの峻別精度は高まり、光
路長差0を示す位置XA、すなわち被検位置Aの測定精
度が高まる。因みに、演算処理部110における演算
は、各実測データ(Li,Xi)に、例えば平滑微分など
の所定の演算を施して、干渉光強度Lと参照ミラー54
の位置Xとの関係を得ると、例えば最大の干渉光強度L
Aを前記最大ピークに対応する値とみなして峻別する。
そして、その値LAを与える参照ミラー54の位置XA
を、光路長差0を実現する位置とみなし、その値XA
を、被検位置Aを示す値として記憶するものである。さ
らに 高精度化を図る場合には、演算処理部110に、
予め、干渉特性曲線の形状(図3参照)、またはその包
絡線の形状を示す形状情報を記憶させる。そして、演算
処理部110は、その形状情報に基づく最小二乗法など
の演算処理を各実測データ(Li,Xi)に適用すること
によって、干渉光強度Lと参照ミラー54の位置Xとの
関係から、測定誤差を除去すればよい。
【0028】何れにせよ、本実施形態では、干渉特性曲
線の包絡線の傾きが急峻化された分だけ、被検位置Aの
測定精度は高まる。そして、以上の動作は被検ミラー5
8を被検位置Bに配置した状態でも同様に行われ、光路
長差0を実現する参照ミラー54の位置XBが、被検位
置Bを示す値として記憶される。本実施形態では、被検
位置Bの測定精度についても、前記包絡線の傾きが急峻
化された分だけ高まる。そしてその結果、位置Aと位置
Bとの間隔|XA−XB|は、高精度に得られる。
線の包絡線の傾きが急峻化された分だけ、被検位置Aの
測定精度は高まる。そして、以上の動作は被検ミラー5
8を被検位置Bに配置した状態でも同様に行われ、光路
長差0を実現する参照ミラー54の位置XBが、被検位
置Bを示す値として記憶される。本実施形態では、被検
位置Bの測定精度についても、前記包絡線の傾きが急峻
化された分だけ高まる。そしてその結果、位置Aと位置
Bとの間隔|XA−XB|は、高精度に得られる。
【0029】以上説明したように、本実施形態の構成
は、従来の低コヒーレンス干渉測定装置50に、主とし
て副光源12を付加しただけであるが、確実に高精度化
される。なお、上記実施形態では、主光源11に低コヒ
ーレンス光源が用いられ、かつ副光源12にコヒーレン
ス光源が用いられているが、これらの光源としては、両
者の中心波長が異って(λ1≠λ2)いさえすれば、主
光源11の波長スペクトル幅と、副光源12の波長スペ
クトル幅とのそれぞれを、その指向性が失われない限り
においてなるべく広くすることが好ましい。一般に、干
渉特性曲線の包絡線の半値全幅ΔXは、光源の波長スペ
クトル分布の半値全幅Δλが大きいほど小さくなる(因
みに、単一光源の場合、ΔX=0.693/(πΔ
ν)、但しΔνは光源の波長スペクトル分布をガウス分
布と仮定し波数νの関数として表したときの半値全幅で
ある。)ので、このようにすれば、最大ピークの両側
を、より急峻に落ち込ませることができる。
は、従来の低コヒーレンス干渉測定装置50に、主とし
て副光源12を付加しただけであるが、確実に高精度化
される。なお、上記実施形態では、主光源11に低コヒ
ーレンス光源が用いられ、かつ副光源12にコヒーレン
ス光源が用いられているが、これらの光源としては、両
者の中心波長が異って(λ1≠λ2)いさえすれば、主
光源11の波長スペクトル幅と、副光源12の波長スペ
クトル幅とのそれぞれを、その指向性が失われない限り
においてなるべく広くすることが好ましい。一般に、干
渉特性曲線の包絡線の半値全幅ΔXは、光源の波長スペ
クトル分布の半値全幅Δλが大きいほど小さくなる(因
みに、単一光源の場合、ΔX=0.693/(πΔ
ν)、但しΔνは光源の波長スペクトル分布をガウス分
布と仮定し波数νの関数として表したときの半値全幅で
ある。)ので、このようにすれば、最大ピークの両側
を、より急峻に落ち込ませることができる。
【0030】また、上記実施形態においては、両光源の
波数差ΔD(ΔD=|(1/λ1)−(1/λ2)|)
を十分に大きくとることが好ましい。波数差ΔDが大き
くなるほど、包絡線のピーク同士の間隔L5(L5=1
/ΔD)が小さくなるので、最大ピークの両側を、より
急峻に落ち込ませることができる。また、上記実施形態
においては、移動ステージ55や検出器57の精度が高
まるのに応じて、両光源の中心波長λ1、λ2のそれぞ
れを短くして、干渉光強度Lと参照ミラー54の位置X
との関係を、より柔軟に求めることとしてもよい。
波数差ΔD(ΔD=|(1/λ1)−(1/λ2)|)
を十分に大きくとることが好ましい。波数差ΔDが大き
くなるほど、包絡線のピーク同士の間隔L5(L5=1
/ΔD)が小さくなるので、最大ピークの両側を、より
急峻に落ち込ませることができる。また、上記実施形態
においては、移動ステージ55や検出器57の精度が高
まるのに応じて、両光源の中心波長λ1、λ2のそれぞ
れを短くして、干渉光強度Lと参照ミラー54の位置X
との関係を、より柔軟に求めることとしてもよい。
【0031】また、上記実施形態において、主光源11
から出射された光束LMと副光源12から出射された光
束LSとの重ね合わせ方については、これら光束LMと
LSとが同一の光路に導かれるのであれば、如何なる方
法を採用してもよい。なお、上記実施形態において、制
御部59または演算処理部110は、低コヒーレンス干
渉測定装置10に内蔵されていなくてもよい。例えば、
演算処理部110に代えて、外部のコンピュータに同じ
処理を行わせてもよい。
から出射された光束LMと副光源12から出射された光
束LSとの重ね合わせ方については、これら光束LMと
LSとが同一の光路に導かれるのであれば、如何なる方
法を採用してもよい。なお、上記実施形態において、制
御部59または演算処理部110は、低コヒーレンス干
渉測定装置10に内蔵されていなくてもよい。例えば、
演算処理部110に代えて、外部のコンピュータに同じ
処理を行わせてもよい。
【0032】また、以上説明した本発明は、高い精度が
要求される面精度測定において、特定種類の光学素子の
間隔を測定する場合に、好適である。以下、本発明の他
の実施形態として、上記低コヒーレンス干渉測定装置1
0が面精度測定に適用された場合について説明する。
要求される面精度測定において、特定種類の光学素子の
間隔を測定する場合に、好適である。以下、本発明の他
の実施形態として、上記低コヒーレンス干渉測定装置1
0が面精度測定に適用された場合について説明する。
【0033】図4は、他の実施形態を説明する図であ
る。先ず、面精度測定には、面精度測定装置40が使用
される。面精度測定装置40は、低コヒーレンス干渉測
定装置10と同様、光の干渉を利用した装置であるが、
面精度を二次元的に観察するために、被検面40aに所
定波面の光を照射すると共に、参照面45aにも所定波
面の光を照射して、双方の面における反射光が成す干渉
縞を2次元画像検出器410にて検出するものである。
被検面40aの面精度は、その干渉縞のパターンを演算
装置411において解析することによって得ることがで
きる。
る。先ず、面精度測定には、面精度測定装置40が使用
される。面精度測定装置40は、低コヒーレンス干渉測
定装置10と同様、光の干渉を利用した装置であるが、
面精度を二次元的に観察するために、被検面40aに所
定波面の光を照射すると共に、参照面45aにも所定波
面の光を照射して、双方の面における反射光が成す干渉
縞を2次元画像検出器410にて検出するものである。
被検面40aの面精度は、その干渉縞のパターンを演算
装置411において解析することによって得ることがで
きる。
【0034】ここで、被検面40aの設計形状が非球面
である場合、それに対応するべく、面精度測定装置40
が被検面40aに照射する光の波面を、非球面形状に設
定することがある。しかし、このような光は、進行して
もその波面形状を変化させない球面波と異なり、進行す
るに従ってその波面形状を変化させるので、被検面40
aの位置Aと面精度測定装置40の位置Bとの関係が光
軸方向にわずかでもずれると、被検面40aに入射する
光の状態が大きく変化し、測定誤差が生じてしまう。測
定誤差をなくすためには、被検面40aと面精度測定装
置40との間隔を測定しておく必要がある。
である場合、それに対応するべく、面精度測定装置40
が被検面40aに照射する光の波面を、非球面形状に設
定することがある。しかし、このような光は、進行して
もその波面形状を変化させない球面波と異なり、進行す
るに従ってその波面形状を変化させるので、被検面40
aの位置Aと面精度測定装置40の位置Bとの関係が光
軸方向にわずかでもずれると、被検面40aに入射する
光の状態が大きく変化し、測定誤差が生じてしまう。測
定誤差をなくすためには、被検面40aと面精度測定装
置40との間隔を測定しておく必要がある。
【0035】そこで、本実施形態では、この測定に、上
記低コヒーレンス干渉測定装置10を適用する。ただ
し、このとき演算装置411は、取得した干渉縞のパタ
ーンと、低コヒーレンス干渉測定装置10が測定した間
隔とに基づいて、被検面40aの面精度を求める。上述
したように低コヒーレンス干渉測定装置10によれば高
精度な距離測定が可能なので、光の波長未満の精度が要
求されるこの面精度測定を、確実に高精度化させること
ができる。
記低コヒーレンス干渉測定装置10を適用する。ただ
し、このとき演算装置411は、取得した干渉縞のパタ
ーンと、低コヒーレンス干渉測定装置10が測定した間
隔とに基づいて、被検面40aの面精度を求める。上述
したように低コヒーレンス干渉測定装置10によれば高
精度な距離測定が可能なので、光の波長未満の精度が要
求されるこの面精度測定を、確実に高精度化させること
ができる。
【0036】なお、低コヒーレンス干渉測定装置10が
演算装置411に対して与える情報は、位置Aと位置B
との間隔を示す情報であれば、間隔を示す値|XA−XB
|の他、位置Aを示す値XAと位置Bを示す値XBとの
組み合わせや、光強度データLiと位置データXiとの組
み合わせなど、如何なる形態の情報としてもよい。ま
た、低コヒーレンス干渉測定装置10の測定結果が利用
されるのは、被検面40aと面精度測定装置40との位
置合わせの時であってもよい。
演算装置411に対して与える情報は、位置Aと位置B
との間隔を示す情報であれば、間隔を示す値|XA−XB
|の他、位置Aを示す値XAと位置Bを示す値XBとの
組み合わせや、光強度データLiと位置データXiとの組
み合わせなど、如何なる形態の情報としてもよい。ま
た、低コヒーレンス干渉測定装置10の測定結果が利用
されるのは、被検面40aと面精度測定装置40との位
置合わせの時であってもよい。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来の装置に一部変更を加えるだけで干渉特性曲線の包
絡線の傾きが急峻化し、これによって高精度な低コヒー
レンス干渉測定装置が実現する。
従来の装置に一部変更を加えるだけで干渉特性曲線の包
絡線の傾きが急峻化し、これによって高精度な低コヒー
レンス干渉測定装置が実現する。
【図1】本実施形態の低コヒーレンス干渉測定装置10
を示す図である。
を示す図である。
【図2】主光源11、副光源12の波長スペクトル分布
を示す図である。
を示す図である。
【図3】低コヒーレンス干渉測定装置10の干渉特性曲
線を示す図である。
線を示す図である。
【図4】本発明の他の実施形態を説明する図である。
【図5】従来の低コヒーレンス干渉測定装置50を説明
する図である。
する図である。
【図6】低コヒーレンス干渉測定装置50の干渉特性曲
線を示す図である。
線を示す図である。
10、50 低コヒーレンス干渉測定装置 11 主光源 12 副光源 51 光源 13、52、42 コリメータレンズ 110、510 演算処理部 53、43 ビームスプリッタ 58 被検ミラー 54 参照ミラー 55 移動ステージ 56 集光レンズ 57 検出器 59 制御部 40 面精度測定装置 41 レーザ光源 49 ビーム系変換光学系 410 2次元画像検出器 411 演算装置 45 波面変換手段
フロントページの続き Fターム(参考) 2F064 AA04 AA15 BB05 CC04 EE09 FF02 FF03 FF06 GG12 GG22 HH03 HH05 HH08 JJ03 2F065 AA02 AA06 DD03 FF42 FF51 GG04 GG07 GG21 HH03 HH04 HH13 JJ01 LL00 LL04 LL12 LL46 MM03 QQ13 QQ25 QQ29
Claims (2)
- 【請求項1】 低コヒーレンス光源である主光源と、 前記主光源から出射された光束を分割し、被検物と参照
物との双方に導くと共に、被検物において反射した被検
光と参照物において反射した参照光とを、互い重ね合わ
せて干渉させる干渉光学系と、 前記参照物を移動可能に支持する支持手段と、 前記被検光と参照光とが成す干渉光の強度を検出する検
出手段とを備えた低コヒーレンス干渉測定装置におい
て、 前記主光源とは中心波長の異なる副光源と、 前記副光源から出射された光束を、前記主光源から出射
された光束の光路のうち、前記分割される前の光路に重
ね合わせる統合光学系とを備えたことを特徴とする低コ
ヒーレンス干渉測定装置。 - 【請求項2】 前記参照物の位置を走査し、そのときに
前記検出手段が検出する前記干渉光の強度の変化から、
前記参照物の位置を基準とした前記被検物の位置を求め
る位置取得手段を備えたことを特徴とする請求項1記載
の低コヒーレンス干渉測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000068575A JP2001255115A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 低コヒーレンス干渉測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000068575A JP2001255115A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 低コヒーレンス干渉測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001255115A true JP2001255115A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18587610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000068575A Pending JP2001255115A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 低コヒーレンス干渉測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001255115A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7050175B1 (en) | 2003-08-08 | 2006-05-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for calibrating an interferometer apparatus, for qualifying an optical surface, and for manufacturing a substrate having an optical surface |
JP2006194679A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Ltd | 温度/厚さ測定装置,温度/厚さ測定方法,温度/厚さ測定システム,制御システム,制御方法 |
JP2007333469A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 干渉測定装置 |
JP2017044565A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社東京精密 | 距離測定装置及びその方法 |
-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000068575A patent/JP2001255115A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7050175B1 (en) | 2003-08-08 | 2006-05-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for calibrating an interferometer apparatus, for qualifying an optical surface, and for manufacturing a substrate having an optical surface |
JP2006194679A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Ltd | 温度/厚さ測定装置,温度/厚さ測定方法,温度/厚さ測定システム,制御システム,制御方法 |
JP2007333469A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 干渉測定装置 |
JP2017044565A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社東京精密 | 距離測定装置及びその方法 |
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