JP2001253855A - アミノジフェニルアミンの製造方法 - Google Patents
アミノジフェニルアミンの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アミノジフェニルアミンの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 芳香族アミンをパラジウム触媒および塩
基の存在下にニトロハロベンゼンと反応させ、こうして
得られた生成物を引き続き水素を用いて水素化する。 【効果】 良好な収率および純度の高い生成物が得られ
る。
る。 【解決手段】 芳香族アミンをパラジウム触媒および塩
基の存在下にニトロハロベンゼンと反応させ、こうして
得られた生成物を引き続き水素を用いて水素化する。 【効果】 良好な収率および純度の高い生成物が得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ニトロハロベンゼ
ンと芳香族アミンとをパラジウム触媒および塩基の存在
下に反応させ、かつ引き続きこうして得られた中間生成
物を水素化することによりアミノジフェニルアミン、特
に４−アミノジフェニルアミン（４−ＡＤＰＡ）を製造
する方法に関する。
ンと芳香族アミンとをパラジウム触媒および塩基の存在
下に反応させ、かつ引き続きこうして得られた中間生成
物を水素化することによりアミノジフェニルアミン、特
に４−アミノジフェニルアミン（４−ＡＤＰＡ）を製造
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】４−アミノジフェニルアミン（４−ＡＤ
ＰＡ）は、ゴムおよびポリマー工業における酸化防止剤
および安定剤の合成のために重要な出発物質である（Ki
rk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology、第
４版、１９９２年、第３巻、第４２４〜４５６頁；Ullm
ann's Encyclopedia of Industrial Chemistry、第５
版、第Ａ３巻、１９８５、第９１〜１１１頁）。
ＰＡ）は、ゴムおよびポリマー工業における酸化防止剤
および安定剤の合成のために重要な出発物質である（Ki
rk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology、第
４版、１９９２年、第３巻、第４２４〜４５６頁；Ullm
ann's Encyclopedia of Industrial Chemistry、第５
版、第Ａ３巻、１９８５、第９１〜１１１頁）。
【０００３】４−ＡＤＰＡは種々の方法により製造する
ことができる。４−ＡＤＰＡを製造するための１つの可
能な方法は、酸受容体もしくは中和剤の存在下に、場合
により触媒の存在下でのアニリンもしくはアニリン誘導
体とｐ−ニトロクロロベンゼンとの２段階の反応であ
る。この方法による製造は例えばＤＥ−Ａ３２４６１５
１号、ＤＥ−Ａ３５０１６９８号、ＤＥ−Ａ１８５６６
３号、ＵＳ−Ａ４６７０５９５号、ＵＳ−Ａ４１８７２
４９号、ＵＳ−Ａ４６８３３３号およびＵＳ−Ａ４１８
７２４８号に記載されている。最初の段階は一般に銅触
媒を使用して行い、かつ第二の段階は異なった金属成
分、例えばニッケル（例えばＵＳ−Ａ５８４０９８２号
を参照のこと）を使用して行う。例えばパラジウム触媒
の存在下でのハロゲン化ニトロベンゼンとアミンとの反
応もまたＵＳ−Ａ５５７６４６０号およびＥＰ−Ａ８４
６６７６号に記載されている。
ことができる。４−ＡＤＰＡを製造するための１つの可
能な方法は、酸受容体もしくは中和剤の存在下に、場合
により触媒の存在下でのアニリンもしくはアニリン誘導
体とｐ−ニトロクロロベンゼンとの２段階の反応であ
る。この方法による製造は例えばＤＥ−Ａ３２４６１５
１号、ＤＥ−Ａ３５０１６９８号、ＤＥ−Ａ１８５６６
３号、ＵＳ−Ａ４６７０５９５号、ＵＳ−Ａ４１８７２
４９号、ＵＳ−Ａ４６８３３３号およびＵＳ−Ａ４１８
７２４８号に記載されている。最初の段階は一般に銅触
媒を使用して行い、かつ第二の段階は異なった金属成
分、例えばニッケル（例えばＵＳ−Ａ５８４０９８２号
を参照のこと）を使用して行う。例えばパラジウム触媒
の存在下でのハロゲン化ニトロベンゼンとアミンとの反
応もまたＵＳ−Ａ５５７６４６０号およびＥＰ−Ａ８４
６６７６号に記載されている。
【０００４】上記の刊行物に記載されている方法の欠点
は、しばしば特に中間生成物を形成する間の不適切な選
択率であり、その際、水素化により４−アミノジフェニ
ルアミンを形成することができる前に、程度の差はあれ
複雑な精製工程の結果として収率の損失が生じる。
は、しばしば特に中間生成物を形成する間の不適切な選
択率であり、その際、水素化により４−アミノジフェニ
ルアミンを形成することができる前に、程度の差はあれ
複雑な精製工程の結果として収率の損失が生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、芳香族アミンから出発し、適切なニトロハロベンゼ
ン(nitrohalobenzene)との反応および引き続き形成され
る中間生成物の水素化により所望のアミノジフェニルア
ミンを良好な収率および高められた純度で得るための製
造方法を提供することである。
は、芳香族アミンから出発し、適切なニトロハロベンゼ
ン(nitrohalobenzene)との反応および引き続き形成され
る中間生成物の水素化により所望のアミノジフェニルア
ミンを良好な収率および高められた純度で得るための製
造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、アミノジフェニルアミンを製造する方法において、
芳香族アミンをパラジウム触媒および塩基の存在下にニ
トロハロベンゼンと反応させ、かつ引き続きこうして得
られた生成物を引き続き水素を用いて水素化することに
より解決される。
り、アミノジフェニルアミンを製造する方法において、
芳香族アミンをパラジウム触媒および塩基の存在下にニ
トロハロベンゼンと反応させ、かつ引き続きこうして得
られた生成物を引き続き水素を用いて水素化することに
より解決される。
【０００７】使用されるニトロハロベンゼンは有利には
ハロゲン基に対してニトロ基がパラ位にあるものであ
る。可能なハロゲン基はフッ素、塩素、臭素およびヨウ
素であり、有利には塩素および臭素である。ニトロハロ
ベンゼンは１つ以上の基、例えばＣ１〜Ｃ４−アルキル
基により置換されていてもよいことは自明である。ハロ
ゲン基に対するニトロ基の位置はパラ位以外、例えば２
位もしくは３位であってもよいことは当然である。
ハロゲン基に対してニトロ基がパラ位にあるものであ
る。可能なハロゲン基はフッ素、塩素、臭素およびヨウ
素であり、有利には塩素および臭素である。ニトロハロ
ベンゼンは１つ以上の基、例えばＣ１〜Ｃ４−アルキル
基により置換されていてもよいことは自明である。ハロ
ゲン基に対するニトロ基の位置はパラ位以外、例えば２
位もしくは３位であってもよいことは当然である。
【０００８】ニトロハロベンゼンの例として４−ニトロ
−２−メチルクロロベンゼン、４−ニトロ−３−メチル
クロロベンゼン、４−ニトロクロロベンゼン、３−ニト
ロクロロベンゼンおよび２−ニトロクロロベンゼンが挙
げられる。４−ニトロクロロベンゼンは特に有利であ
る。
−２−メチルクロロベンゼン、４−ニトロ−３−メチル
クロロベンゼン、４−ニトロクロロベンゼン、３−ニト
ロクロロベンゼンおよび２−ニトロクロロベンゼンが挙
げられる。４−ニトロクロロベンゼンは特に有利であ
る。
【０００９】本発明による方法において使用することが
できる芳香族アミンはこのような反応に関して公知の芳
香族アミンであり、例えばアニリン、ｏ−トルイジン、
ｍ−トルイジン、ｐ−トルイジン、４−エチルアニリ
ン、４−ブチルアニリン、４−イソプロピルアニリン、
３，５−ジメチルアニリンまたは２，４−ジメチルアニ
リンである。アニリンが有利である。芳香族アミンは混
合物の形で、特に異性体混合物の形で使用してもよいこ
とは自明である。
できる芳香族アミンはこのような反応に関して公知の芳
香族アミンであり、例えばアニリン、ｏ−トルイジン、
ｍ−トルイジン、ｐ−トルイジン、４−エチルアニリ
ン、４−ブチルアニリン、４−イソプロピルアニリン、
３，５−ジメチルアニリンまたは２，４−ジメチルアニ
リンである。アニリンが有利である。芳香族アミンは混
合物の形で、特に異性体混合物の形で使用してもよいこ
とは自明である。
【００１０】本発明による方法においてニトロハロベン
ゼン１モルあたり、芳香族アミンを一般に１〜１０モ
ル、有利には１．５〜６モル、特に有利には２〜４モル
使用する。
ゼン１モルあたり、芳香族アミンを一般に１〜１０モ
ル、有利には１．５〜６モル、特に有利には２〜４モル
使用する。
【００１１】本発明によればパラジウム触媒、例えばパ
ラジウム／ホスフィン錯体、またはその他の公知のパラ
ジウム化合物もしくは錯体を使用することができる。
ラジウム／ホスフィン錯体、またはその他の公知のパラ
ジウム化合物もしくは錯体を使用することができる。
【００１２】適切なパラジウム／ホスフィン錯化合物
は、パラジウムが０もしくは２の原子価を有し、かつ適
切なホスフィンリガンドがトリフェニルホスフィン、ト
リ−ｏ−トルイルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、トリ−ｔ−ブチル−ホスフィン、ビスジフェニ
ルホスフィン、エタン、ビスジフェニルホスフィンプロ
パン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジ
シクロヘキシルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニル
ホスフィノ）フェロセン、５，５′−ジクロロ−６，
６′−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル−ビス
ジフェニルホスフィン、ビス−４，４′−ジベンゾフラ
ン−３，３′−イル−ビスジフェニルホスフィン、１，
１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）ジフェニルエーテ
ルまたはビス（ジフェニルホスフィノ）ビナフチルのよ
うな化合物であるものであり、その際、上記のフェニル
基はスルホン酸基および／または１つ以上のＣ１〜Ｃ
１２−アルキル基またはＣ３〜Ｃ１０−シクロアルキル
基により置換されていてもよい。さらにポリマー結合し
たホスフィン、例えばｔＰＰポリマー（市販品）をリガ
ンドとして使用してもよい。有利にはトリフェニルホス
フィンをリガンドとして使用する。
は、パラジウムが０もしくは２の原子価を有し、かつ適
切なホスフィンリガンドがトリフェニルホスフィン、ト
リ−ｏ−トルイルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、トリ−ｔ−ブチル−ホスフィン、ビスジフェニ
ルホスフィン、エタン、ビスジフェニルホスフィンプロ
パン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジ
シクロヘキシルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニル
ホスフィノ）フェロセン、５，５′−ジクロロ−６，
６′−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル−ビス
ジフェニルホスフィン、ビス−４，４′−ジベンゾフラ
ン−３，３′−イル−ビスジフェニルホスフィン、１，
１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）ジフェニルエーテ
ルまたはビス（ジフェニルホスフィノ）ビナフチルのよ
うな化合物であるものであり、その際、上記のフェニル
基はスルホン酸基および／または１つ以上のＣ１〜Ｃ
１２−アルキル基またはＣ３〜Ｃ１０−シクロアルキル
基により置換されていてもよい。さらにポリマー結合し
たホスフィン、例えばｔＰＰポリマー（市販品）をリガ
ンドとして使用してもよい。有利にはトリフェニルホス
フィンをリガンドとして使用する。
【００１３】しかし上記のパラジウム／ホスフィン錯化
合物以外に本発明による方法では例えば窒素含有もしく
は酸素含有のリガンド、例えば１，１０−フェナントロ
リン、ジフェニルエタンジアミン、［１，１′］−ビナ
フテニル−２，２′−ジオール（ＢＩＮＯＬ）および
１，１′−ビナフテニル−２，２′−ジチオール（ＢＩ
ＮＡＳ）、あるいはそれどころか２つ以上の異なったヘ
テロ原子、例えばＯ、Ｎ、Ｓを有するものを使用しても
よい。
合物以外に本発明による方法では例えば窒素含有もしく
は酸素含有のリガンド、例えば１，１０−フェナントロ
リン、ジフェニルエタンジアミン、［１，１′］−ビナ
フテニル−２，２′−ジオール（ＢＩＮＯＬ）および
１，１′−ビナフテニル−２，２′−ジチオール（ＢＩ
ＮＡＳ）、あるいはそれどころか２つ以上の異なったヘ
テロ原子、例えばＯ、Ｎ、Ｓを有するものを使用しても
よい。
【００１４】触媒として使用することができるパラジウ
ム化合物は次の化合物クラス、例えばハロゲン化パラジ
ウム、アセテート、カーボネート、ケトネート、ニトレ
ート、アセトネートまたはパラダシクレン(palladacycl
ene)、例えばＰｄ２ｄｂａ３、Ｐｄ（ａｃａｃ）２、Ｐ
ｄ（ＯＡｃ）２、ＰｄＣｌ２、（ＣＨ３ＣＮ）２Ｐｄ
（ＮＯ２）Ｃｌを含む。Ｐｄ２ｄｂａ３、Ｐｄ（ａｃａ
ｃ）２、Ｐｄ（ＯＡｃ） ２、ＰｄＣｌ２は有利である。
さらに不均一系もしくは不動態化パラジウム触媒、つま
り例えば適切な不活性支持体に適用された触媒を本発明
による方法において使用することもできる。
ム化合物は次の化合物クラス、例えばハロゲン化パラジ
ウム、アセテート、カーボネート、ケトネート、ニトレ
ート、アセトネートまたはパラダシクレン(palladacycl
ene)、例えばＰｄ２ｄｂａ３、Ｐｄ（ａｃａｃ）２、Ｐ
ｄ（ＯＡｃ）２、ＰｄＣｌ２、（ＣＨ３ＣＮ）２Ｐｄ
（ＮＯ２）Ｃｌを含む。Ｐｄ２ｄｂａ３、Ｐｄ（ａｃａ
ｃ）２、Ｐｄ（ＯＡｃ） ２、ＰｄＣｌ２は有利である。
さらに不均一系もしくは不動態化パラジウム触媒、つま
り例えば適切な不活性支持体に適用された触媒を本発明
による方法において使用することもできる。
【００１５】本発明により使用するパラジウム／ホスフ
ィン錯体の場合、相応するリガンド対パラジウムのモル
比はおよそ４０：１〜１：１、有利には１０：１〜２：
１、特に有利には８：１〜４：１である。
ィン錯体の場合、相応するリガンド対パラジウムのモル
比はおよそ４０：１〜１：１、有利には１０：１〜２：
１、特に有利には８：１〜４：１である。
【００１６】本発明によればパラジウム触媒、例えばパ
ラジウム／ホスフィン錯体および／または使用すること
ができるその他の錯体もしくは化合物は一般に使用され
るニトロハロベンゼンに対して０．０００１モル％〜１
０モル％、有利には０．００１モル％〜５モル％の量で
使用する。
ラジウム／ホスフィン錯体および／または使用すること
ができるその他の錯体もしくは化合物は一般に使用され
るニトロハロベンゼンに対して０．０００１モル％〜１
０モル％、有利には０．００１モル％〜５モル％の量で
使用する。
【００１７】本発明による方法で使用することができる
塩基はアルカリ金属および／またはアルカリ土類金属の
炭酸塩、アルコキシドおよび／または水酸化物であり、
その際、特に炭酸カリウムおよび／または炭酸ナトリウ
ム、炭酸セシウム、ナトリウムメタノレートおよび水酸
化バリウムが挙げられる。有利には炭酸カリウムおよび
／または炭酸ナトリウムを使用する。塩基は不足当量(s
ubstoichiometric amount)で、またはニトロハロベンゼ
ンに対して当量の１０倍までの過剰量で使用することが
できる。塩基は特にニトロハロベンゼンに対して当量の
０．３〜２倍の量で使用すると有利である。
塩基はアルカリ金属および／またはアルカリ土類金属の
炭酸塩、アルコキシドおよび／または水酸化物であり、
その際、特に炭酸カリウムおよび／または炭酸ナトリウ
ム、炭酸セシウム、ナトリウムメタノレートおよび水酸
化バリウムが挙げられる。有利には炭酸カリウムおよび
／または炭酸ナトリウムを使用する。塩基は不足当量(s
ubstoichiometric amount)で、またはニトロハロベンゼ
ンに対して当量の１０倍までの過剰量で使用することが
できる。塩基は特にニトロハロベンゼンに対して当量の
０．３〜２倍の量で使用すると有利である。
【００１８】使用される塩基を粉砕および／または乾燥
により予備処理することは本発明による方法にとって有
利である。
により予備処理することは本発明による方法にとって有
利である。
【００１９】本発明による方法において粉砕は市販のミ
ルにより行うことができる。粉砕は比表面積の劇的な増
大をもたらし、その結果、反応率が明らかに増大する。
多くの場合、粉砕は比表面積を１０〜２０倍増加する。
ルにより行うことができる。粉砕は比表面積の劇的な増
大をもたらし、その結果、反応率が明らかに増大する。
多くの場合、粉砕は比表面積を１０〜２０倍増加する。
【００２０】粉砕後、塩基の比表面積は約０．１〜１０
ｍ２／ｇ、有利には０．２〜１ｍ２／ｇ（ＢＥＴ）であ
る。
ｍ２／ｇ、有利には０．２〜１ｍ２／ｇ（ＢＥＴ）であ
る。
【００２１】本発明による方法において使用される塩基
の著しい吸湿性の結果として該塩基は程度の差はあるも
のの著しく大気成分、例えば水または二酸化炭素を吸収
する傾向を有している。約３０質量％の大気成分の吸収
レベルから達成可能な反応レベルに対する著しい影響が
特筆される。従って粉砕に加えて塩基の乾燥もまたしば
しば必要とされる。
の著しい吸湿性の結果として該塩基は程度の差はあるも
のの著しく大気成分、例えば水または二酸化炭素を吸収
する傾向を有している。約３０質量％の大気成分の吸収
レベルから達成可能な反応レベルに対する著しい影響が
特筆される。従って粉砕に加えて塩基の乾燥もまたしば
しば必要とされる。
【００２２】塩基の乾燥は例えば塩基を約０．０１〜１
００ミリバールの減圧下で数時間、約５０〜２００℃、
有利には１００〜１６０℃の温度に加熱することにより
行う。
００ミリバールの減圧下で数時間、約５０〜２００℃、
有利には１００〜１６０℃の温度に加熱することにより
行う。
【００２３】本発明による方法の最初の段階は２０〜２
５０℃の範囲の温度、有利には１２０〜１８０℃の温度
で行うことができる。反応温度は特に出発物質、触媒お
よび使用される塩基のタイプに依存する。
５０℃の範囲の温度、有利には１２０〜１８０℃の温度
で行うことができる。反応温度は特に出発物質、触媒お
よび使用される塩基のタイプに依存する。
【００２４】本発明による方法は適切な溶剤の存在下で
も不在下でも実施することができる。可能な溶剤の例は
不活性有機炭化水素、例えばキシレンおよびトルエンで
ある。さらに使用される芳香族アミン自体が溶剤として
機能する。
も不在下でも実施することができる。可能な溶剤の例は
不活性有機炭化水素、例えばキシレンおよびトルエンで
ある。さらに使用される芳香族アミン自体が溶剤として
機能する。
【００２５】本発明による方法において生じる反応水
を、所望の場合には（ＤＥ−Ａ２６３３８１１号および
ＤＥ−Ａ３２４６１５１号におけるように）、例えば適
切な共留剤を用いて蒸留することにより除去してもよ
い。
を、所望の場合には（ＤＥ−Ａ２６３３８１１号および
ＤＥ−Ａ３２４６１５１号におけるように）、例えば適
切な共留剤を用いて蒸留することにより除去してもよ
い。
【００２６】使用される溶剤の量は適切な予備試験によ
り容易に決定することができる。
り容易に決定することができる。
【００２７】本発明による方法は、通例の方法により連
続的に行ってもよいし、不連続的に行ってもよい。
続的に行ってもよいし、不連続的に行ってもよい。
【００２８】本発明による方法では芳香族アミンとハロ
ニトロ芳香族化合物との反応の後に得られる反応生成物
を水素で水素化し、その際、場合により付加的に適切な
不活性の触媒支持体と共に、すでに存在するパラジウム
触媒の存在下に水素化を実施する。
ニトロ芳香族化合物との反応の後に得られる反応生成物
を水素で水素化し、その際、場合により付加的に適切な
不活性の触媒支持体と共に、すでに存在するパラジウム
触媒の存在下に水素化を実施する。
【００２９】水素化を付加的な水素化触媒、例えば場合
により適切な触媒支持体を使用したニッケル、パラジウ
ムまたは白金をベースとする触媒の存在下に実施するこ
とができることは自明である。
により適切な触媒支持体を使用したニッケル、パラジウ
ムまたは白金をベースとする触媒の存在下に実施するこ
とができることは自明である。
【００３０】触媒支持体としての使用のために適切な材
料は、種々の形状の炭素、元素の酸化物、元素の炭化物
または元素の塩をベースとする工業的に通例の触媒支持
体全てである。炭素を含有する支持体の例は、コーク
ス、グラファイト、カーボンブラックまたは活性炭であ
る。元素の酸化物の触媒支持体の例はＳｉＯ２（天然も
しくは合成の珪酸、石英）、Ａｌ２Ｏ３（α，γ−Ａｌ
２Ｏ３）、アルミン酸塩、天然もしくは合成のアルミノ
ケイ酸塩（ゼオライト）、フィロケイ酸塩、例えばベン
トナイトおよびモンモリロナイト、ＴｉＯ２（ルチル、
アナタース）、ＺｒＯ２、ＭｇＯまたはＺｎＯである。
元素の炭化物および塩の例は、ＳｉＣ、ＡｌＰＯ４、Ｂ
ａＳｏ４、ＣａＣＯ３である。原則として合成材料も天
然由来の支持体、例えば軽石、カオリン、漂白土、ボー
キサイト、ベントナイト、ケイ藻土、アスベストまたは
ゼオライトも使用することができる。
料は、種々の形状の炭素、元素の酸化物、元素の炭化物
または元素の塩をベースとする工業的に通例の触媒支持
体全てである。炭素を含有する支持体の例は、コーク
ス、グラファイト、カーボンブラックまたは活性炭であ
る。元素の酸化物の触媒支持体の例はＳｉＯ２（天然も
しくは合成の珪酸、石英）、Ａｌ２Ｏ３（α，γ−Ａｌ
２Ｏ３）、アルミン酸塩、天然もしくは合成のアルミノ
ケイ酸塩（ゼオライト）、フィロケイ酸塩、例えばベン
トナイトおよびモンモリロナイト、ＴｉＯ２（ルチル、
アナタース）、ＺｒＯ２、ＭｇＯまたはＺｎＯである。
元素の炭化物および塩の例は、ＳｉＣ、ＡｌＰＯ４、Ｂ
ａＳｏ４、ＣａＣＯ３である。原則として合成材料も天
然由来の支持体、例えば軽石、カオリン、漂白土、ボー
キサイト、ベントナイト、ケイ藻土、アスベストまたは
ゼオライトも使用することができる。
【００３１】本発明により使用可能な触媒のために使用
することができる支持体はさらに元素の混合酸化物およ
び希土類金属と一緒に用いる、周期表の第２〜１６族の
元素（原子番号５８〜７１）、有利にはＡｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｎ、ＮｂおよびＣｅか
らの元素の水素化酸化物であり、これらは特に当業者に
公知の通り、機械的な混合、塩の共沈により、または塩
および／またはアルコキシドを同時ゲル化したもの(cog
els)を経由して製造することができる。
することができる支持体はさらに元素の混合酸化物およ
び希土類金属と一緒に用いる、周期表の第２〜１６族の
元素（原子番号５８〜７１）、有利にはＡｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｎ、ＮｂおよびＣｅか
らの元素の水素化酸化物であり、これらは特に当業者に
公知の通り、機械的な混合、塩の共沈により、または塩
および／またはアルコキシドを同時ゲル化したもの(cog
els)を経由して製造することができる。
【００３２】支持体は化学的に均一で純粋な物質として
も、混合物としても使用することができる。塊状もしく
は粉末状の形の材料はいずれも触媒支持体として本発明
による使用にとって適切である。担持触媒を固定床とし
て配置する場合、支持体を有利には成形品、例えばボー
ル、シリンダ、ロッド、中空シリンダまたはリングの形
で使用する。触媒支持体は場合によりさらに、場合によ
り別の触媒支持体またはバインダー、例えばＳｉＯ２ま
たはＡｌ２Ｏ３の混合物と一緒に、押出、錠剤化により
変性し、かつか焼してもよい。支持体の内部表面積（Ｂ
ＥＴ表面積）は１〜２０００ｍ２／ｇ、有利には１０〜
１６００ｍ２／ｇ、特に有利には２０〜１５００ｍ２／
ｇである。製造およびその後の加工は当業者に公知であ
り、かつ従来技術のものである。
も、混合物としても使用することができる。塊状もしく
は粉末状の形の材料はいずれも触媒支持体として本発明
による使用にとって適切である。担持触媒を固定床とし
て配置する場合、支持体を有利には成形品、例えばボー
ル、シリンダ、ロッド、中空シリンダまたはリングの形
で使用する。触媒支持体は場合によりさらに、場合によ
り別の触媒支持体またはバインダー、例えばＳｉＯ２ま
たはＡｌ２Ｏ３の混合物と一緒に、押出、錠剤化により
変性し、かつか焼してもよい。支持体の内部表面積（Ｂ
ＥＴ表面積）は１〜２０００ｍ２／ｇ、有利には１０〜
１６００ｍ２／ｇ、特に有利には２０〜１５００ｍ２／
ｇである。製造およびその後の加工は当業者に公知であ
り、かつ従来技術のものである。
【００３３】活性炭ならびにＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｒお
よびＴｉを含有する材料を有利に支持体材料として使用
することができる。活性炭は特に有利である。
よびＴｉを含有する材料を有利に支持体材料として使用
することができる。活性炭は特に有利である。
【００３４】上記の支持体は触媒の全質量に対して０．
０１〜５０質量％、有利には０．１〜１０質量％の金属
含有率でパラジウムを担持していてもよい。
０１〜５０質量％、有利には０．１〜１０質量％の金属
含有率でパラジウムを担持していてもよい。
【００３５】上記の支持体材料またはパラジウムを担持
させた支持体材料は、使用されるハロニトロベンゼンに
対して０．０１〜２０質量％の量で使用することができ
る。パラジウムを担持させた活性炭の使用が有利であ
る。
させた支持体材料は、使用されるハロニトロベンゼンに
対して０．０１〜２０質量％の量で使用することができ
る。パラジウムを担持させた活性炭の使用が有利であ
る。
【００３６】水素化は、当業者に公知であり、かつ例え
ば「Reductions in Organic Chemistry, Second Editio
n, ACS Monograph 188」に記載されているその他の還元
法を使用して実施することもできることは自明である。
ば「Reductions in Organic Chemistry, Second Editio
n, ACS Monograph 188」に記載されているその他の還元
法を使用して実施することもできることは自明である。
【００３７】水素化温度は約０〜２００℃、特に４０〜
１５０℃であり、圧力（水素圧）は０．１〜１５０バー
ル、特に０．５〜７０バール、殊に有利には１〜５０バ
ールである。
１５０℃であり、圧力（水素圧）は０．１〜１５０バー
ル、特に０．５〜７０バール、殊に有利には１〜５０バ
ールである。
【００３８】本発明による方法を使用して相応する４−
アミノジフェニルアミンが高い選択率（＞９８％）およ
び９９％までの収率で得られる。
アミノジフェニルアミンが高い選択率（＞９８％）およ
び９９％までの収率で得られる。
【００３９】
【実施例】例１ アニリン３７２．０ｇ（４．００モル）、パラジウムア
セトニルアセトネート０．２５ｇ（０．０００８２モ
ル）およびトリフェニルホスフィン０．８６ｇ（０．０
０３２８モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで、粉砕した
炭酸カリウム１２０．０ｇ（０．８７モル）およびキシ
レン４０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌すること
により水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマト
グラフィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベ
ンゼンの完全な反応率を示す。混合物を８５℃に冷却さ
せ、かつ水３００ｍｌで希釈する。有機相をＰｄ／Ｃ
（５％Ｐｄ／Ｃ）１．０ｇを用いて水素圧１０バールで
１５分間水素化し、その際、温度は１１０℃に達する。
セトニルアセトネート０．２５ｇ（０．０００８２モ
ル）およびトリフェニルホスフィン０．８６ｇ（０．０
０３２８モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで、粉砕した
炭酸カリウム１２０．０ｇ（０．８７モル）およびキシ
レン４０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌すること
により水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマト
グラフィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベ
ンゼンの完全な反応率を示す。混合物を８５℃に冷却さ
せ、かつ水３００ｍｌで希釈する。有機相をＰｄ／Ｃ
（５％Ｐｄ／Ｃ）１．０ｇを用いて水素圧１０バールで
１５分間水素化し、その際、温度は１１０℃に達する。
【００４０】濾過および蒸留後に、４−アミノジフェニ
ルアミン１８２ｇ（理論値の９９％）が得られる。
ルアミン１８２ｇ（理論値の９９％）が得られる。
【００４１】例２ アニリン３７２．０ｇ（４．００モル）、パラジウムア
セトニルアセトネート０．２０ｇ（０．０００６６モ
ル）およびトリフェニルホスフィン０．６９ｇ（０．０
０２６３モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで粉砕した炭
酸カリウム１２０．０ｇ（０．８７モル）およびキシレ
ン４０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌することに
より水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマトグ
ラフィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベン
ゼンの完全な反応率を示す。
セトニルアセトネート０．２０ｇ（０．０００６６モ
ル）およびトリフェニルホスフィン０．６９ｇ（０．０
０２６３モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで粉砕した炭
酸カリウム１２０．０ｇ（０．８７モル）およびキシレ
ン４０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌することに
より水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマトグ
ラフィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベン
ゼンの完全な反応率を示す。
【００４２】該混合物を８５℃に冷却させ、かつ水３０
０ｍｌで希釈する。有機相をＰｄ／Ｃ（３％Ｐｄ／Ｃ）
１．０ｇを用いて水素圧１０バールで１１分間水素化
し、その際温度は１２０℃に達する。
０ｍｌで希釈する。有機相をＰｄ／Ｃ（３％Ｐｄ／Ｃ）
１．０ｇを用いて水素圧１０バールで１１分間水素化
し、その際温度は１２０℃に達する。
【００４３】濾過および希釈後、４−アミノジフェニル
アミン１８１ｇ（理論値の９８％）が得られる。
アミン１８１ｇ（理論値の９８％）が得られる。
【００４４】例３ アニリン３７２．０ｇ（４．００モル）、パラジウムア
セトニルアセトネート０．２５ｇ（０．０００８２モ
ル）およびトリフェニルホスフィン０．８６ｇ（０．０
０３２８モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで粉砕した炭
酸カリウム９６．６ｇ（０．７０モル）およびキシレン
５０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌することによ
り水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマトグラ
フィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベンゼ
ンの完全な反応率を示す。該混合物を８５℃に冷却さ
せ、かつ水３００ｍｌで希釈する。有機相をＰｄ／Ｃ
（５％Ｐｄ／Ｃの負荷率）１．０ｇを用いて水素圧１０
バールで１４分間水素化し、その際温度は１２０℃に達
する。
セトニルアセトネート０．２５ｇ（０．０００８２モ
ル）およびトリフェニルホスフィン０．８６ｇ（０．０
０３２８モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで粉砕した炭
酸カリウム９６．６ｇ（０．７０モル）およびキシレン
５０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌することによ
り水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマトグラ
フィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベンゼ
ンの完全な反応率を示す。該混合物を８５℃に冷却さ
せ、かつ水３００ｍｌで希釈する。有機相をＰｄ／Ｃ
（５％Ｐｄ／Ｃの負荷率）１．０ｇを用いて水素圧１０
バールで１４分間水素化し、その際温度は１２０℃に達
する。
【００４５】ガスクロマトグラフィーによる検査により
４−アミノジフェニルアミン９９％が得られる。
４−アミノジフェニルアミン９９％が得られる。
【００４６】例４ アニリン３７２．０ｇ（４．００モル）、酢酸パラジウ
ム０．２２ｇ（０．０００９８モル）およびトリフェニ
ルホスフィン１．０４ｇ（０．００３９７モル）を不活
性雰囲気下で多口丸底フラスコ中に装入し、かつ室温で
１０分間攪拌する。４−クロロニトロベンゼン１５７．
６ｇ（１．００モル）を添加し、かつ室温でさらに１０
分間攪拌する。次いで粉砕した炭酸カリウム９６．６ｇ
（０．７０モル）およびキシレン５０ｍｌを添加する。
４５分間強力に攪拌することにより水の分離を伴った還
流を実施する。ガスクロマトグラフィーによるモニタリ
ングはパラ−クロロニトロベンゼンの完全な反応率を示
す。有機相を水素圧１０バールで２５分間水素化し、そ
の際温度は１４０℃に達する。
ム０．２２ｇ（０．０００９８モル）およびトリフェニ
ルホスフィン１．０４ｇ（０．００３９７モル）を不活
性雰囲気下で多口丸底フラスコ中に装入し、かつ室温で
１０分間攪拌する。４−クロロニトロベンゼン１５７．
６ｇ（１．００モル）を添加し、かつ室温でさらに１０
分間攪拌する。次いで粉砕した炭酸カリウム９６．６ｇ
（０．７０モル）およびキシレン５０ｍｌを添加する。
４５分間強力に攪拌することにより水の分離を伴った還
流を実施する。ガスクロマトグラフィーによるモニタリ
ングはパラ−クロロニトロベンゼンの完全な反応率を示
す。有機相を水素圧１０バールで２５分間水素化し、そ
の際温度は１４０℃に達する。
【００４７】ガスクロマトグラフィーによる検査により
４−アミノジフェニルアミン９８％が得られる。
４−アミノジフェニルアミン９８％が得られる。
【００４８】例５ アニリン３７２．０ｇ（４．００モル）、パラジウムア
セトニルアセトネート０．３０ｇ（０．０００９８モ
ル）およびトリフェニルホスフィン１．０４ｇ（０．０
０３９７モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで粉砕した炭
酸カリウム９６．６ｇ（０．７０モル）およびキシレン
５０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌することによ
り水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマトグラ
フィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベンゼ
ンの完全な反応率を示す。有機相を水素圧１０バールで
３４分間水素化し、その際、温度は１４０℃に達する。
セトニルアセトネート０．３０ｇ（０．０００９８モ
ル）およびトリフェニルホスフィン１．０４ｇ（０．０
０３９７モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで粉砕した炭
酸カリウム９６．６ｇ（０．７０モル）およびキシレン
５０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌することによ
り水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマトグラ
フィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベンゼ
ンの完全な反応率を示す。有機相を水素圧１０バールで
３４分間水素化し、その際、温度は１４０℃に達する。
【００４９】ガスクロマトグラフィーによる検査により
４−アミノジフェニルアミン９９％が得られる。
４−アミノジフェニルアミン９９％が得られる。
【００５０】例６ アニリン３７２．０ｇ（４．００モル）、パラジウムア
セトニルアセトネート０．３０ｇ（０．０００９８モ
ル）およびトリフェニルホスフィン１．０４ｇ（０．０
０３９７モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで粉砕した炭
酸カリウム９６．６ｇ（０．７０モル）およびキシレン
５０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌することによ
り水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマトグラ
フィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベンゼ
ンの完全な反応率を示す。該混合物を８５℃に冷却さ
せ、かつ水３００ｍｌで希釈する。活性炭２．０ｇを添
加後、有機相を水素圧１０バールで２４分間水素化し、
その際温度は１４０℃に達する。
セトニルアセトネート０．３０ｇ（０．０００９８モ
ル）およびトリフェニルホスフィン１．０４ｇ（０．０
０３９７モル）を不活性雰囲気下で多口丸底フラスコ中
に装入し、かつ室温で１０分間攪拌する。４−クロロニ
トロベンゼン１５７．６ｇ（１．００モル）を添加し、
かつ室温でさらに１０分間攪拌する。次いで粉砕した炭
酸カリウム９６．６ｇ（０．７０モル）およびキシレン
５０ｍｌを添加する。４５分間強力に攪拌することによ
り水の分離を伴った還流を実施する。ガスクロマトグラ
フィーによるモニタリングはパラ−クロロニトロベンゼ
ンの完全な反応率を示す。該混合物を８５℃に冷却さ
せ、かつ水３００ｍｌで希釈する。活性炭２．０ｇを添
加後、有機相を水素圧１０バールで２４分間水素化し、
その際温度は１４０℃に達する。
【００５１】ガスクロマトグラフィーによる検査により
４−ＡＤＰＡ９９％が得られる。
４−ＡＤＰＡ９９％が得られる。
【００５２】例７ 塩基の予備処理：市販の炭酸カリウムを、例えばキッチ
ンミルまたはボールミルで約５分間粉砕する。このこと
によりGruessingにより製造され、かつこの方法で処理
された炭酸カリウムは比表面積が０．０４ｍ２／ｇから
０．５２ｍ２／ｇに増加し、かつ一次クリスタリットサ
イズ１０μｍ以下を示す。次いで粉砕した炭酸カリウム
を圧力１ミリバールおよび温度１５０℃で５時間乾燥さ
せる。その他の塩基を使用する場合、該塩基を類似の方
法で予備処理する。
ンミルまたはボールミルで約５分間粉砕する。このこと
によりGruessingにより製造され、かつこの方法で処理
された炭酸カリウムは比表面積が０．０４ｍ２／ｇから
０．５２ｍ２／ｇに増加し、かつ一次クリスタリットサ
イズ１０μｍ以下を示す。次いで粉砕した炭酸カリウム
を圧力１ミリバールおよび温度１５０℃で５時間乾燥さ
せる。その他の塩基を使用する場合、該塩基を類似の方
法で予備処理する。
【手続補正書】
【提出日】平成１３年２月９日（２００１．２．９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 アミノジフェニルアミンの製造方法にお
いて、芳香族アミンをパラジウム触媒および塩基の存在
下にニトロハロベンゼンと反応させ、こうして得られた
生成物を引き続き水素を用いて水素化することを特徴と
する、アミノジフェニルアミンの製造方法。
いて、芳香族アミンをパラジウム触媒および塩基の存在
下にニトロハロベンゼンと反応させ、こうして得られた
生成物を引き続き水素を用いて水素化することを特徴と
する、アミノジフェニルアミンの製造方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 591063187 Ｂａｙｅｒｗｒｋ，Ｌｅｖｅｒｋｕｓｅ ｎ，ＢＲＤ (72)発明者 ウーヴェ フッガー ドイツ連邦共和国 レリンゲン エアレン グルント ７ (72)発明者 アドルフ ジッヒェネーダー ドイツ連邦共和国 ホーエンロックシュテ ット バーンホーフスヴェーク ７ (72)発明者 フレート シューマッハー ドイツ連邦共和国 シェネフェルト ブー ヘンヴェーク ２ (72)発明者 アドルフ ブリル ドイツ連邦共和国 ブルンスビュッテル シュタインメッツリング 24
Claims (9)
- 【請求項１】 アミノジフェニルアミンの製造方法にお
いて、芳香族アミンをパラジウム触媒および塩基の存在
下にニトロハロベンゼンと反応させ、こうして得られた
生成物を引き続き水素を用いて水素化することを特徴と
する、アミノジフェニルアミンの製造方法。 - 【請求項２】 使用されるニトロハロベンゼンは有利に
ニトロ基がハロゲン基に対してパラ位にあるニトロハロ
ベンゼンである、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 使用される芳香族アミンがアニリン、ｏ
−トルイジン、ｍ−トルイジン、ｐ−トルイジン、４−
エチルアニリン、４−ブチルアニリン、４−イソプロピ
ルアニリン、３，５−ジメチルアニリンまたは２，４−
ジメチルアニリンである、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 ニトロハロベンゼン１モルあたり芳香族
アミンを１〜１０モル使用する、請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 パラジウム／ホスフィン錯体をパラジウ
ム触媒として使用する、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 パラジウム／ホスフィン錯体中でホスフ
ィン対パラジウムのモル比が４０：１〜１：１である、
請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 パラジウム触媒をニトロハロベンゼンに
対して０．０００１モル％〜１０モル％の量で使用す
る、請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 使用される塩基を粉砕および／または乾
燥により予備処理する、請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 粉砕後の塩基のＢＥＴによる比表面積が
０．１〜１０ｍ２／ｇである、請求項１記載の方法。
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007161619A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機化合物の製造方法、その製造方法により得られた電子材料、並びに、それを用いた電子デバイス、電子写真感光体及び画像形成装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| DE10300126A1 (de) * | 2003-01-07 | 2004-07-15 | Bayer Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Aminodiphenylaminen |
| US8486223B2 (en) * | 2003-07-04 | 2013-07-16 | Jiangsu Sinorgchem Technology Co., Ltd. | Falling film evaporator |
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| US7176333B2 (en) * | 2003-07-04 | 2007-02-13 | Sinorgchem Company, Shandong | Process for preparing 4-aminodiphenylamine |
| US8686188B2 (en) | 2003-07-04 | 2014-04-01 | Jiangsu Sinorgchem Technology Co., Ltd. | Process for preparing 4-aminodiphenylamine |
| WO2006011879A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-02-02 | Eastman Kodak Company | Process for forming an aromatic amine compound |
| CN100363330C (zh) * | 2005-05-20 | 2008-01-23 | 中国石油天然气集团公司 | 一种提高4-氨基二苯胺产率的方法 |
| US7288500B2 (en) * | 2005-08-31 | 2007-10-30 | Headwaters Technology Innovation, Llc | Selective hydrogenation of nitro groups of halonitro aromatic compounds |
| US7892299B2 (en) * | 2005-09-15 | 2011-02-22 | Headwaters Technology Innovation, Llc | Methods of manufacturing fuel cell electrodes incorporating highly dispersed nanoparticle catalysts |
| US7935652B2 (en) * | 2005-09-15 | 2011-05-03 | Headwaters Technology Innovation, Llc. | Supported nanoparticle catalysts manufactured using caged catalyst atoms |
| US7718710B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-05-18 | Headwaters Technology Innovation, Llc | Stable concentrated metal colloids and methods of making same |
| CN102259029B (zh) | 2010-05-24 | 2014-12-10 | 江苏圣奥化学科技有限公司 | 固体碱催化剂 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE185683C (ja) | ||||
| DE2633811C2 (de) | 1976-07-28 | 1983-11-10 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur Herstellung von Nitrodiphenylaminen |
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