JP2001253775A - 低誘電率磁器の製造方法、低誘電率磁器および電子部品 - Google Patents
低誘電率磁器の製造方法、低誘電率磁器および電子部品Info
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- JP2001253775A JP2001253775A JP2000066042A JP2000066042A JP2001253775A JP 2001253775 A JP2001253775 A JP 2001253775A JP 2000066042 A JP2000066042 A JP 2000066042A JP 2000066042 A JP2000066042 A JP 2000066042A JP 2001253775 A JP2001253775 A JP 2001253775A
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳｉＯ2 系の誘電率が１０以下の低誘電率磁器
を製造するのに際して、低誘電率磁器のＱ値を向上さ
せ、あるいは、所望のＱ値を得るのに必要な仮焼温度を
下げる。 【解決手段】ＳｉＯ2 粉末を含む出発原料を仮焼して仮
焼体を得、この仮焼体を粉砕し、焼結することによっ
て、ＳｉＯ2 系の誘電率が１０以下の低誘電率磁器を製
造するのに際して、ＳｉＯ2 粉末の５０％平均粒子径が
３．０μｍ以下（好ましくは２．０μｍ以下）である。
を製造するのに際して、低誘電率磁器のＱ値を向上さ
せ、あるいは、所望のＱ値を得るのに必要な仮焼温度を
下げる。 【解決手段】ＳｉＯ2 粉末を含む出発原料を仮焼して仮
焼体を得、この仮焼体を粉砕し、焼結することによっ
て、ＳｉＯ2 系の誘電率が１０以下の低誘電率磁器を製
造するのに際して、ＳｉＯ2 粉末の５０％平均粒子径が
３．０μｍ以下（好ましくは２．０μｍ以下）である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低誘電率磁器の製
造方法およびこれによって得られた低誘電率磁器に関す
るものである。
造方法およびこれによって得られた低誘電率磁器に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機等の高周波回路無線機器にお
いては、高周波回路フィルターとして、例えばトップフ
ィルター、送信用段間フィルター、ローカルフィルタ
ー、受信用段間フィルター等として、積層型誘電体フィ
ルターが使用されている。こうした誘電体積層フィルタ
ーの例は、例えば特開平５−２４３８１０号公報に開示
されている。
いては、高周波回路フィルターとして、例えばトップフ
ィルター、送信用段間フィルター、ローカルフィルタ
ー、受信用段間フィルター等として、積層型誘電体フィ
ルターが使用されている。こうした誘電体積層フィルタ
ーの例は、例えば特開平５−２４３８１０号公報に開示
されている。
【０００３】誘電体積層フィルターを製造するために
は、誘電体を構成するセラミックス粉末の成形体を複数
作製し、各成形体に対して、所定の導体ペーストを塗布
することによって所定の電極パターンを各成形体に作製
する。次いで、各成形体を積層して積層体を得、この積
層体を焼成することによって、導体ペースト層と各成形
体とを同時に焼成し、緻密化させる。
は、誘電体を構成するセラミックス粉末の成形体を複数
作製し、各成形体に対して、所定の導体ペーストを塗布
することによって所定の電極パターンを各成形体に作製
する。次いで、各成形体を積層して積層体を得、この積
層体を焼成することによって、導体ペースト層と各成形
体とを同時に焼成し、緻密化させる。
【０００４】こうした複合電子部品においては、ＳｉＯ
2 系の誘電率が１０以下の低誘電率磁器が使用されてい
る。低誘電率磁器を製造する際には、ＳｉＯ2 粉末を含
む出発原料を仮焼して仮焼体を得、この仮焼体を粉砕
し、適宜ガラス粉末を添加した後に有機バインダー類、
有機溶剤と共に混合し、ドクターブレードによってグリ
ーンシートを成形し、このグリーンシートを積層し、焼
結している。この仮焼工程においては、仮焼温度をでき
るだけ下げることが望ましい。なぜなら、仮焼温度を下
げることによって、仮焼体の硬度が下がり、仮焼体の粉
砕が容易になるからである。
2 系の誘電率が１０以下の低誘電率磁器が使用されてい
る。低誘電率磁器を製造する際には、ＳｉＯ2 粉末を含
む出発原料を仮焼して仮焼体を得、この仮焼体を粉砕
し、適宜ガラス粉末を添加した後に有機バインダー類、
有機溶剤と共に混合し、ドクターブレードによってグリ
ーンシートを成形し、このグリーンシートを積層し、焼
結している。この仮焼工程においては、仮焼温度をでき
るだけ下げることが望ましい。なぜなら、仮焼温度を下
げることによって、仮焼体の硬度が下がり、仮焼体の粉
砕が容易になるからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＳｉＯ2 系の
誘電率が１０以下の低誘電率磁器において、仮焼温度を
１０００℃以下、更には９５０℃以下といった低温に下
げると、焼結体の誘電特性、特にＱ値に対して寄与しな
い不要な結晶相が析出する傾向があり、これによって焼
結体のＱ値が低下する傾向があった。例えば、ＳｉＯ2
−ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 の組成系の低誘電率磁器において
は、Ｂａ2Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相、ＢａＣ
ｒＯ4 相が好ましく、特にＢａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａ
Ｓｉ2 Ｏ5 相がＱ値向上に寄与する。一方、Ｂａ2 Ｓｉ
4 Ｏ 10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相に対する異相であるＢａ
4 Ｓｉ6 Ｏ16相およびＢａ5Ｓｉ8 Ｏ21相が析出する
と、Ｑ値がその分低下するので、これらの析出を抑制す
る必要がある。
誘電率が１０以下の低誘電率磁器において、仮焼温度を
１０００℃以下、更には９５０℃以下といった低温に下
げると、焼結体の誘電特性、特にＱ値に対して寄与しな
い不要な結晶相が析出する傾向があり、これによって焼
結体のＱ値が低下する傾向があった。例えば、ＳｉＯ2
−ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 の組成系の低誘電率磁器において
は、Ｂａ2Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相、ＢａＣ
ｒＯ4 相が好ましく、特にＢａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａ
Ｓｉ2 Ｏ5 相がＱ値向上に寄与する。一方、Ｂａ2 Ｓｉ
4 Ｏ 10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相に対する異相であるＢａ
4 Ｓｉ6 Ｏ16相およびＢａ5Ｓｉ8 Ｏ21相が析出する
と、Ｑ値がその分低下するので、これらの析出を抑制す
る必要がある。
【０００６】ところが、仮焼温度を低下させると、Ｂａ
4 Ｓｉ6 Ｏ16相およびＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ21相が優先的に析
出する傾向があった。例えば、９１０−９５０℃といっ
た低温度域では、珪素が少ないＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ16相およ
びＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ 21相が優先する傾向があり、１０００
℃まで温度が上昇すると、珪素の割合が多い目的のＢａ
2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相が生成する傾向が
あった。このため、仮焼温度の低下には限界があった。
4 Ｓｉ6 Ｏ16相およびＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ21相が優先的に析
出する傾向があった。例えば、９１０−９５０℃といっ
た低温度域では、珪素が少ないＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ16相およ
びＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ 21相が優先する傾向があり、１０００
℃まで温度が上昇すると、珪素の割合が多い目的のＢａ
2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相が生成する傾向が
あった。このため、仮焼温度の低下には限界があった。
【０００７】本発明の課題は、ＳｉＯ2 粉末を含む出発
原料を仮焼して仮焼体を得、この仮焼体を造粒し、焼結
することによって、ＳｉＯ2 系の誘電率が１０以下の低
誘電率磁器を製造するのに際して、低誘電率磁器のＱ値
を向上させることである。
原料を仮焼して仮焼体を得、この仮焼体を造粒し、焼結
することによって、ＳｉＯ2 系の誘電率が１０以下の低
誘電率磁器を製造するのに際して、低誘電率磁器のＱ値
を向上させることである。
【０００８】また、本発明の課題は、低温度域で仮焼し
た場合にも高いＱ値が得られるようにすることである。
た場合にも高いＱ値が得られるようにすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＳｉＯ2 粉末
を含む出発原料を仮焼して仮焼体を得、この仮焼体を造
粒し、焼結することによって、ＳｉＯ2 系の誘電率が１
０以下の低誘電率磁器を製造するのに際して、ＳｉＯ2
粉末の５０％平均粒子径が３．０μｍ以下とすることを
特徴とする。
を含む出発原料を仮焼して仮焼体を得、この仮焼体を造
粒し、焼結することによって、ＳｉＯ2 系の誘電率が１
０以下の低誘電率磁器を製造するのに際して、ＳｉＯ2
粉末の５０％平均粒子径が３．０μｍ以下とすることを
特徴とする。
【００１０】また、本発明は、この製造方法によって得
られた低誘電率磁器に係るものである。
られた低誘電率磁器に係るものである。
【００１１】本発明者は、５０％平均粒子径が３．０μ
ｍ以下のＳｉＯ2 粉末を使用することで、仮焼体におけ
る不要な結晶相、例えばＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ16相およびＢａ
5 Ｓｉ8 Ｏ21相の生成を抑制することができ、これによ
って焼結体のＱ値を向上させ得ることを発見した。
ｍ以下のＳｉＯ2 粉末を使用することで、仮焼体におけ
る不要な結晶相、例えばＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ16相およびＢａ
5 Ｓｉ8 Ｏ21相の生成を抑制することができ、これによ
って焼結体のＱ値を向上させ得ることを発見した。
【００１２】特に、仮焼温度を低温にしても、不要な結
晶相が生成しにくくなった点が注目される。即ち、従来
は、低温度域では、珪素が少ないＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ 16相お
よびＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ21相が優先する傾向があり、１００
０℃まで温度が上昇すると、珪素の割合が多い目的のＢ
ａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相が生成する傾向
があった。ところが、本発明では、低温領域において珪
素の割合が多い目的のＢａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ
2 Ｏ5 相が生成し、かつ珪素が少ないＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ16
相およびＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ21相が生成しにくかった。
晶相が生成しにくくなった点が注目される。即ち、従来
は、低温度域では、珪素が少ないＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ 16相お
よびＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ21相が優先する傾向があり、１００
０℃まで温度が上昇すると、珪素の割合が多い目的のＢ
ａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相が生成する傾向
があった。ところが、本発明では、低温領域において珪
素の割合が多い目的のＢａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ
2 Ｏ5 相が生成し、かつ珪素が少ないＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ16
相およびＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ21相が生成しにくかった。
【００１３】本発明において、ＳｉＯ2 粉末の全体が結
晶質であってよい。しかし、一部または全部が非晶質の
ＳｉＯ2 粉末を使用すると、焼結体のＱ値が一層向上す
るし、また仮焼温度を一層低減することが可能である。
晶質であってよい。しかし、一部または全部が非晶質の
ＳｉＯ2 粉末を使用すると、焼結体のＱ値が一層向上す
るし、また仮焼温度を一層低減することが可能である。
【００１４】本発明の低誘電率磁器の組成系は限定され
ないが、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の他、ＭｇＯ
−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2 系が好ましい。
ないが、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の他、ＭｇＯ
−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2 系が好ましい。
【００１５】ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系において
は、特に下記の組成が好ましい。 ＢａＯ：３５−７０重量％（好ましくは４０−６５重量
％） ＳｉＯ2 ：２５−４６重量％（好ましくは３０−４０重
量％） Ａｌ2 Ｏ3 ：０．１−２０重量％（好ましくは２−１５
重量％）
は、特に下記の組成が好ましい。 ＢａＯ：３５−７０重量％（好ましくは４０−６５重量
％） ＳｉＯ2 ：２５−４６重量％（好ましくは３０−４０重
量％） Ａｌ2 Ｏ3 ：０．１−２０重量％（好ましくは２−１５
重量％）
【００１６】これにはＺｎＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 を下記の割合
で含有させることができる。 ＺｎＯ：０．５−２０重量％（好ましくは１．０−１５
重量％） Ｃｒ2 Ｏ3 ：０．１−３．５重量％（好ましくは０．５
−２．５重量％）
で含有させることができる。 ＺｎＯ：０．５−２０重量％（好ましくは１．０−１５
重量％） Ｃｒ2 Ｏ3 ：０．１−３．５重量％（好ましくは０．５
−２．５重量％）
【００１７】この他、下記の金属酸化物成分を、合計で
０．１−３０重量％（好ましくは２０重量％以下）含有
させることができる。 ＭｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｒＯ、ＴｉＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｚ
ｒＯ2 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｓｍ2
Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3
０．１−３０重量％（好ましくは２０重量％以下）含有
させることができる。 ＭｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｒＯ、ＴｉＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｚ
ｒＯ2 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｓｍ2
Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3
【００１８】また、ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系のガ
ラス成分を、合計で０．１−１０重量％添加することが
できる。
ラス成分を、合計で０．１−１０重量％添加することが
できる。
【００１９】本発明の対象となる電子部品は特に限定さ
れないが、例えば積層誘電体フィルターの他、多層配線
基板、誘電体アンテナ、誘電体カップラー、誘電体複合
モジュール等がある。
れないが、例えば積層誘電体フィルターの他、多層配線
基板、誘電体アンテナ、誘電体カップラー、誘電体複合
モジュール等がある。
【００２０】本発明の低温焼成磁器を製造する際には、
好ましくは、各金属成分の原料を所定比率で混合して混
合粉末を得、混合粉末を仮焼し、仮焼体を粉砕し、セラ
ミック粉末を得る。そして、好ましくは、セラミック粉
末と、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＺｎＯからなるガラス
粉末とを使用して、グリーンシートを作製し、グリーン
シートを８５０−９２０℃で焼成する。各金属成分の原
料としては、各金属の酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩
などを使用できる。例えば、銀の材料としては、硝酸
銀、銀金属、酸化銀を好適に使用できる。
好ましくは、各金属成分の原料を所定比率で混合して混
合粉末を得、混合粉末を仮焼し、仮焼体を粉砕し、セラ
ミック粉末を得る。そして、好ましくは、セラミック粉
末と、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＺｎＯからなるガラス
粉末とを使用して、グリーンシートを作製し、グリーン
シートを８５０−９２０℃で焼成する。各金属成分の原
料としては、各金属の酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩
などを使用できる。例えば、銀の材料としては、硝酸
銀、銀金属、酸化銀を好適に使用できる。
【００２１】仮焼体の結晶相は、主としてＢａ2 Ｓｉ4
Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ 5 相、ＢａＣｒＯ4 相およびＳ
ｉＯ2 相からなることが好ましい。特に好ましくは、仮
焼体の結晶相が主としてＢａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳ
ｉ2 Ｏ5 相およびＢａＣｒＯ4 相からなる。この際、Ｂ
ａ4 Ｓｉ6 Ｏ16相およびＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ21相は存在しな
いか、あるいは存在する場合にも反射ピーク強度が小さ
いことが好ましい。
Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ 5 相、ＢａＣｒＯ4 相およびＳ
ｉＯ2 相からなることが好ましい。特に好ましくは、仮
焼体の結晶相が主としてＢａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳ
ｉ2 Ｏ5 相およびＢａＣｒＯ4 相からなる。この際、Ｂ
ａ4 Ｓｉ6 Ｏ16相およびＢａ5 Ｓｉ8 Ｏ21相は存在しな
いか、あるいは存在する場合にも反射ピーク強度が小さ
いことが好ましい。
【００２２】出発原料の仮焼温度は限定されないが、仮
焼体の硬度を下げるためには１０００℃以下が好まし
く、９７５℃以下が更に好ましく、９５０℃以下が一層
好ましい。仮焼温度の下限は特にないが、Ｑ値を向上さ
せるという観点からは９００℃以上が好ましく、９１０
℃以上が更に好ましい。
焼体の硬度を下げるためには１０００℃以下が好まし
く、９７５℃以下が更に好ましく、９５０℃以下が一層
好ましい。仮焼温度の下限は特にないが、Ｑ値を向上さ
せるという観点からは９００℃以上が好ましく、９１０
℃以上が更に好ましい。
【００２３】Ｑ値の向上と仮焼温度の低下という観点か
らは、ＳｉＯ2 粉末の５０％平均粒子径を２．０μｍ以
下とすることが好ましい。この平均粒子径の下限は特に
ないが、粉末の取り扱い易さという観点からは０．１μ
ｍ以上とすることが好ましい。
らは、ＳｉＯ2 粉末の５０％平均粒子径を２．０μｍ以
下とすることが好ましい。この平均粒子径の下限は特に
ないが、粉末の取り扱い易さという観点からは０．１μ
ｍ以上とすることが好ましい。
【００２４】
【実施例】（実験１）炭酸バリウム、アルミナ、酸化珪
素、酸化亜鉛、酸化クロムをそれぞれ秤量し、湿式混合
することによって、混合粉末を得、混合粉末を、表１−
表４に示す各温度で仮焼し、仮焼体を得た。仮焼体を粉
砕し、粉末Ｘ線回折装置によって、仮焼体の結晶相と、
Ｂａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相の３１０面反
射ピーク強度とを測定し、測定結果を表１−表４に示し
た。また、仮焼体を粉砕し、仮焼粉末をボールミルに
て、所定粒度まで粉砕し、乾燥させ、セラミック粉末を
得た。
素、酸化亜鉛、酸化クロムをそれぞれ秤量し、湿式混合
することによって、混合粉末を得、混合粉末を、表１−
表４に示す各温度で仮焼し、仮焼体を得た。仮焼体を粉
砕し、粉末Ｘ線回折装置によって、仮焼体の結晶相と、
Ｂａ2 Ｓｉ4 Ｏ10またはＢａＳｉ2 Ｏ5 相の３１０面反
射ピーク強度とを測定し、測定結果を表１−表４に示し
た。また、仮焼体を粉砕し、仮焼粉末をボールミルに
て、所定粒度まで粉砕し、乾燥させ、セラミック粉末を
得た。
【００２５】酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素の各粉末
を秤量し、乾式混合し、混合粉末を白金ルツボ中で溶融
させ、溶融物を水中に投下して急速冷却し、塊状のガラ
スを得た。このガラスを湿式粉砕し、低融点ガラス粉末
を得た。
を秤量し、乾式混合し、混合粉末を白金ルツボ中で溶融
させ、溶融物を水中に投下して急速冷却し、塊状のガラ
スを得た。このガラスを湿式粉砕し、低融点ガラス粉末
を得た。
【００２６】得られたセラミック粉末とガラス粉末と
を、有機バインダー、可塑剤、分散剤および有機溶剤と
共に、アルミナポット、アルミナボールを使用して混合
し、乾燥し、得られた粉体を金型プレスにて所定の形状
に成形し、所定温度にて焼成し、加工した。３ＧＨｚで
のＱ値を測定し、表１−表４に示した。
を、有機バインダー、可塑剤、分散剤および有機溶剤と
共に、アルミナポット、アルミナボールを使用して混合
し、乾燥し、得られた粉体を金型プレスにて所定の形状
に成形し、所定温度にて焼成し、加工した。３ＧＨｚで
のＱ値を測定し、表１−表４に示した。
【００２７】ＳｉＯ2 粉末としては、全部が非晶質の場
合と、一部が非晶質の場合とが、全部が結晶質の場合と
がある。また、前記平均粒子径は０．１−４．０μｍの
間で種々変更した。
合と、一部が非晶質の場合とが、全部が結晶質の場合と
がある。また、前記平均粒子径は０．１−４．０μｍの
間で種々変更した。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【表４】
【００３２】番号１−６においては、非晶質のＳｉＯ2
粉末を使用した。前記平均粒子径が２．０μｍ以下であ
ると、１０００℃以下の温度域ではいずれも仮焼体に不
要な結晶相が生成しておらず、焼結体のＱ値も高い。前
記平均粒子径が３．０μｍでも同様の効果は得られる
が、仮焼温度が９２５℃ではＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ 16相が若干
析出した。前記平均粒子径が４．０μｍであると、仮焼
温度を１０００℃まで上げないと不要な結晶相が析出す
るし、また全体にＱ値が本発明内の番号１−５よりも低
い。
粉末を使用した。前記平均粒子径が２．０μｍ以下であ
ると、１０００℃以下の温度域ではいずれも仮焼体に不
要な結晶相が生成しておらず、焼結体のＱ値も高い。前
記平均粒子径が３．０μｍでも同様の効果は得られる
が、仮焼温度が９２５℃ではＢａ4 Ｓｉ6 Ｏ 16相が若干
析出した。前記平均粒子径が４．０μｍであると、仮焼
温度を１０００℃まで上げないと不要な結晶相が析出す
るし、また全体にＱ値が本発明内の番号１−５よりも低
い。
【００３３】番号７−１２においては、非晶質と結晶質
とが混在したＳｉＯ2 粉末を使用した。前記平均粒子径
が２．０μｍ以下であると、１０００℃以下の温度域で
はいずれも仮焼体に不要な結晶相が生成しておらず、焼
結体のＱ値も高い。前記平均粒子径が３．０μｍでも同
様の効果は得られるが、仮焼温度が９２５℃ではＢａ4
Ｓｉ6 Ｏ16相が若干析出した。前記平均粒子径が４．０
μｍであると、仮焼温度を１０００℃まで上げないと不
要な結晶相が析出するし、また全体にＱ値が本発明内の
番号７−１１よりも低い。
とが混在したＳｉＯ2 粉末を使用した。前記平均粒子径
が２．０μｍ以下であると、１０００℃以下の温度域で
はいずれも仮焼体に不要な結晶相が生成しておらず、焼
結体のＱ値も高い。前記平均粒子径が３．０μｍでも同
様の効果は得られるが、仮焼温度が９２５℃ではＢａ4
Ｓｉ6 Ｏ16相が若干析出した。前記平均粒子径が４．０
μｍであると、仮焼温度を１０００℃まで上げないと不
要な結晶相が析出するし、また全体にＱ値が本発明内の
番号７−１１よりも低い。
【００３４】番号１３−１８においては、結晶質のＳｉ
Ｏ2 粉末を使用した。前記平均粒子径が０．３μｍ以下
であると、１０００℃以下の温度域ではいずれも仮焼体
に不要な結晶相が生成しておらず、焼結体のＱ値も高
い。前記平均粒子径が２．０μｍ以下でも同様の効果は
得られるが、仮焼温度が９２５℃ではＳｉＯ 2 相が若干
析出した。前記平均粒子径が３．０μｍであると、仮焼
温度が９２５℃、９５０℃では不要な結晶相が析出す
る。前記平均粒子径が４．０μｍでは、各仮焼温度にお
いて不要な結晶相が析出するし、Ｑ値も全体に低い。
Ｏ2 粉末を使用した。前記平均粒子径が０．３μｍ以下
であると、１０００℃以下の温度域ではいずれも仮焼体
に不要な結晶相が生成しておらず、焼結体のＱ値も高
い。前記平均粒子径が２．０μｍ以下でも同様の効果は
得られるが、仮焼温度が９２５℃ではＳｉＯ 2 相が若干
析出した。前記平均粒子径が３．０μｍであると、仮焼
温度が９２５℃、９５０℃では不要な結晶相が析出す
る。前記平均粒子径が４．０μｍでは、各仮焼温度にお
いて不要な結晶相が析出するし、Ｑ値も全体に低い。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｓ
ｉＯ2 粉末を含む出発原料を仮焼して仮焼体を得、この
仮焼体を粉砕し、焼結することによって、ＳｉＯ 2 系の
誘電率が１０以下の低誘電率磁器を製造するのに際し
て、低誘電率磁器のＱ値を向上させることができ、ある
いは、所望のＱ値を得るのに必要な仮焼温度を下げるこ
とができる。
ｉＯ2 粉末を含む出発原料を仮焼して仮焼体を得、この
仮焼体を粉砕し、焼結することによって、ＳｉＯ 2 系の
誘電率が１０以下の低誘電率磁器を製造するのに際し
て、低誘電率磁器のＱ値を向上させることができ、ある
いは、所望のＱ値を得るのに必要な仮焼温度を下げるこ
とができる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G030 AA10 AA22 AA32 AA36 AA37 BA01 BA12 GA08 GA09 GA11 5E001 AE00 AE02 AH09 AJ02 5G303 AA10 AB06 AB08 BA09 BA12 CA01 CB01 CB03 CB10 CB30 DA04 DA05
Claims (10)
- 【請求項１】ＳｉＯ2 粉末を含む出発原料を仮焼して仮
焼体を得、この仮焼体を粉砕し、焼結することによっ
て、ＳｉＯ2 系の誘電率が１０以下の低誘電率磁器を製
造するのに際して、前記ＳｉＯ2 粉末の５０％平均粒子
径を３．０μｍ以下とすることを特徴とする、低誘電率
磁器の製造方法。 - 【請求項２】前記ＳｉＯ2 粉末が非晶質ＳｉＯ2 粉末と
結晶質ＳｉＯ2 粉末との混合物であることを特徴とす
る、請求項１記載の低誘電率磁器の製造方法。 - 【請求項３】前記ＳｉＯ2 粉末が非晶質ＳｉＯ2 粉末か
らなることを特徴とする、請求項１記載の低誘電率磁器
の製造方法。 - 【請求項４】前記出発原料が、バリウムをＢａＯに換算
して３５−７０重量％、珪素をＳｉＯ2 に換算して２５
−４６重量％、およびアルミニウムをＡｌ2 Ｏ3に換算
して０．１−２０重量％含有することを特徴とする、請
求項１−３のいずれか一つの請求項に記載の低誘電率磁
器の製造方法。 - 【請求項５】前記仮焼体の結晶相が主としてＢａ2 Ｓｉ
4 Ｏ10またはＢａＳｉ2Ｏ5 相、ＢａＣｒＯ4 相および
ＳｉＯ2 相からなることを特徴とする、請求項４記載の
低誘電率磁器の製造方法。 - 【請求項６】前記仮焼体の結晶相が主としてＢａ2 Ｓｉ
4 Ｏ10またはＢａＳｉ2Ｏ5 相およびＢａＣｒＯ4 相か
らなることを特徴とする、請求項４記載の低誘電率磁器
の製造方法。 - 【請求項７】前記出発原料が、他の金属酸化物成分を
０．１−３０重量％含有していることを特徴とする、請
求項４記載の低誘電率磁器の製造方法。 - 【請求項８】前記出発原料を１０００℃以下の温度で仮
焼することを特徴とする、請求項１−７のいずれか一つ
の請求項に記載の低誘電率磁器の製造方法。 - 【請求項９】請求項１−８のいずれか一つの請求項に記
載の製造方法によって得られたことを特徴とする、低誘
電率磁器。 - 【請求項１０】請求項９記載の低誘電率磁器を基材とす
る電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066042A JP2001253775A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 低誘電率磁器の製造方法、低誘電率磁器および電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066042A JP2001253775A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 低誘電率磁器の製造方法、低誘電率磁器および電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001253775A true JP2001253775A (ja) | 2001-09-18 |
Family
ID=18585475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000066042A Pending JP2001253775A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 低誘電率磁器の製造方法、低誘電率磁器および電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001253775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010079696A1 (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-15 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結セラミック材料およびセラミック基板 |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000066042A patent/JP2001253775A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010079696A1 (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-15 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結セラミック材料およびセラミック基板 |
| US8383533B2 (en) | 2009-01-07 | 2013-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Low-temperature sintering ceramic material and ceramic substrate |
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