JP2001253491A - Case for storing and transporting member for fabricating semiconductor device - Google Patents
Case for storing and transporting member for fabricating semiconductor deviceInfo
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体プロセスに
おける、製品及びプロセスに付随するフォトマスク等の
半導体装置製造用部材の収納運搬ケースに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a case for transporting a member for manufacturing a semiconductor device such as a product and a photomask accompanying the process in a semiconductor process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来では、半導体ウェーハや、フォトリ
ソグラフィー技術に用いられるレチクル等の半導体装置
製造部材の収納運搬ケースは、おもに、プラスチック樹
脂により形成されていた。2. Description of the Related Art Heretofore, storage and transport cases for semiconductor device manufacturing members such as semiconductor wafers and reticles used in photolithography technology have been mainly formed of plastic resin.
【０００３】しかし、半導体デバイス及びレチクルなど
のフォトマスク等、半導体装置製造用部材におけるデバ
イスパターン微細化に伴い、そのようなケースに保管し
た半導体装置製造用部材のパターンが静電気により破壊
されたり、その表面にパーティクルが付着し汚染される
ことが問題となっている。この結果、半導体製造工程に
おける製品の品質・歩留まりが低下することになる。However, with the miniaturization of device patterns in semiconductor device manufacturing members such as semiconductor devices and photomasks such as reticles, the patterns of semiconductor device manufacturing members stored in such cases are destroyed by static electricity, The problem is that particles adhere to the surface and become contaminated. As a result, the quality and yield of products in the semiconductor manufacturing process are reduced.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述したパーティクル
の付着による製品の汚染と半導体デバイスパターンの静
電破壊の問題の原因の一つが、製品や、半導体ウェー
ハ、レチクルなどのフォトマスク等の半導体装置製造用
部材の収納運搬ケース自身にあることが判明しつつあ
る。したがって、そのようなケースの設計・機能制御
は、半導体デバイスの信頼性に重要な意味をもつことに
なる。One of the causes of the above-mentioned problems of product contamination due to the adhesion of particles and electrostatic breakdown of semiconductor device patterns is the manufacture of semiconductor devices such as products, photomasks such as semiconductor wafers and reticles. It is becoming clear that the storage and transport case of the member for use is in the case itself. Therefore, the design and function control in such a case has an important meaning in the reliability of the semiconductor device.
【０００５】本発明の目的は、半導体ウェーハやレチク
ル等のパーティクルの付着による汚染を抑制し、かつそ
れらのデバイスパターンの静電破壊を防止することがで
きる半導体装置製造用部材の収納運搬ケースを提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing member storage / transport case capable of suppressing contamination due to adhesion of particles such as semiconductor wafers and reticles and preventing electrostatic destruction of those device patterns. Is to do.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体装置
製造用部材を載置する底皿と、前記底皿に蓋をする上蓋
とを有する半導体装置製造用部材の収納運搬ケースにお
いて、前記底皿は、カーボン入りポリカーボネートによ
り形成され、前記上蓋は、非導電性プラスチック樹脂に
より形成されていることを特徴とする半導体装置製造用
部材の収納運搬ケースにより達成される。The object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing member storage / transport case having a bottom plate on which a semiconductor device manufacturing member is placed and an upper lid for covering the bottom plate. The dish is formed by a polycarbonate containing carbon, and the upper lid is formed by a non-conductive plastic resin.
【０００７】また、上記目的は、半導体装置製造用部材
を載置する底皿と、前記底皿に蓋をする上蓋とを有する
半導体装置製造用部材の収納運搬ケースにおいて、前記
底皿は、導電性プラスチック樹脂製により形成され、帯
電量の絶対値が１００Ｖ以下であり、前記上蓋は、非導
電性プラスチック樹脂製により形成され、帯電量の絶対
値が１５００Ｖ以上であることを特徴とする半導体装置
製造用部材の収納運搬ケースにより達成される。The object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing member storage / transport case having a bottom plate on which a semiconductor device manufacturing member is placed, and an upper lid for covering the bottom plate. A semiconductor device formed of a conductive plastic resin and having an absolute value of an electric charge of 100 V or less, and the upper lid made of a non-conductive plastic resin and having an absolute value of an electric charge of 1500 V or more. This is achieved by a storage / transport case for manufacturing members.
【０００８】また、上記の半導体装置製造用部材の収納
運搬ケースにおいて、前記底皿の表面抵抗値は１０6Ω
・ｃｍ以下であることが望ましい。In the above-mentioned semiconductor device manufacturing member storage and transport case, the bottom plate has a surface resistance of 10 6 Ω.
-It is desirable that the diameter be not more than cm.
【０００９】また、上記目的は、半導体装置製造用部材
を載置する底皿と、前記底皿に蓋をする上蓋とを有する
半導体装置製造用部材の収納運搬ケースにおいて、前記
上蓋は、非導電性プラスチック樹脂により形成され、前
記底皿は、前記上蓋と同材質の非導電性プラスチック樹
脂にカーボンを添加した材質により形成されていること
を特徴とする半導体装置製造用部材の収納運搬ケースに
より達成される。Further, the object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing member storage / transport case having a bottom plate on which a semiconductor device manufacturing member is placed and an upper cover for covering the bottom plate. The bottom plate is formed of a material obtained by adding carbon to a non-conductive plastic resin of the same material as the upper lid, and the bottom plate is formed of a conductive plastic resin. Is done.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態による半導体
装置製造用部材の収納運搬ケースについて、半導体装置
製造用部材の収納運搬ケースとして、フォトリソグラフ
ィー技術に用いられるレチクルの収納運搬ケースを例に
詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A storage and transport case for a member for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to an example of a storage and transport case for a reticle used in photolithography technology as a storage and transport case for a member for manufacturing a semiconductor device. This will be described in detail.
【００１１】図１は、本実施形態によるレチクルケース
の構造を示す断面図である。底皿１０には、レチクル１
２を中空に浮かせて載置するレチクル保持体１４が形成
されている。レチクル１２は、そのガラス面１６を上
に、パターンが形成されている膜面１８を下に向けてレ
チクル保持体１４に載置される。レチクル保持体１４を
介して底皿１０に載置されたレチクル１２は、上蓋２０
により密閉される。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a reticle case according to the present embodiment. The reticle 1 is placed on the bottom plate 10.
A reticle holder 14 for mounting the reticle 2 in a hollow state is formed. The reticle 12 is placed on the reticle holder 14 with its glass surface 16 facing upward and the film surface 18 on which the pattern is formed facing downward. The reticle 12 placed on the bottom plate 10 via the reticle holder 14 is
Sealed.
【００１２】（材質選定のための実験）このようなレチ
クルケースにおいて，パーティクルの付着を効果的に抑
制する底皿１０と上蓋２０の材質及び電気的性質を決定
するために，以下に述べる実験を行った。(Experiment for Material Selection) In order to determine the material and electrical properties of the bottom plate 10 and the top lid 20 in such a reticle case in which particles are effectively prevented from adhering, an experiment described below is performed. went.
【００１３】（実験に用いた底皿１０の材質）まず、底
皿１０の材質としては、帯電防止用アクリロニトリル−
ブタジエン−スチレン樹脂（以後、「帯電防止用ＡＢ
Ｓ」という）、半導体装置製造部材の収納運搬ケースの
材質として従来使用されている導電性のＢＡＹＯＮ（商
品名、呉羽化学製）、カーボンを添加したポリカーボネ
ート（以後、「カーボン添加ＰＣ」という）を選択し
た。ここで、カーボン添加ＰＣの表面抵抗値は、０〜１
０6Ω・ｃｍである。(Material of the bottom plate 10 used in the experiment) First, the material of the bottom plate 10 was acrylonitrile for antistatic.
Butadiene-styrene resin (hereinafter referred to as "antistatic AB
S)), conductive BAYON (trade name, manufactured by Kureha Chemical) and carbon-added polycarbonate (hereinafter, referred to as “carbon-added PC”) conventionally used as materials for the storage and transport case of semiconductor device manufacturing members. Selected. Here, the surface resistance value of the carbon-added PC is 0 to 1
0 is a 6 Ω · cm.
【００１４】（実験に用いた上蓋２０の材質）また、上
蓋２０の材質としては、帯電防止用ポリメタクリル酸メ
チル（以後、「帯電防止用ＰＭＭＡ」という）、ＢＡＹ
ＯＮ、カーボンを添加していない非導電性のポリカーボ
ネート（以後、「ＰＣ」という）を選択した。(Material of Upper Lid 20 Used in Experiment) Materials of upper lid 20 include polymethyl methacrylate for antistatic (hereinafter referred to as “PMMA for antistatic”), BAY
ON, non-conductive polycarbonate to which no carbon was added (hereinafter referred to as “PC”) was selected.
【００１５】（実験方法）まず、底皿１０と上蓋２０の
材質の組み合わせが、それぞれ（Ａ）帯電防止用ＡＢＳ
と帯電防止用ＰＭＭＡ、（Ｂ）ＢＡＹＯＮとＢＡＹＯ
Ｎ、（Ｃ）カーボン添加ＰＣとＰＣ、（Ｄ）ＢＡＹＯＮ
とＰＣ、（Ｅ）帯電防止用ＡＢＳとＰＣ、である５種類
のレチクルケースを用意した。(Experimental method) First, the combination of the materials of the bottom plate 10 and the top cover 20 is (A) the antistatic ABS.
And antistatic PMMA, (B) BAYON and BAYO
N, (C) Carbon-added PC and PC, (D) BAYON
And PC, and (E) antistatic ABS and PC, five types of reticle cases were prepared.
【００１６】次に、それぞれのレチクルケースの底皿１
０のレチクル保持体１４にレチクル１２を載置した。続
いて、上蓋２０で蓋をした後、上蓋２０の開閉を２０回
繰り返した。Next, the bottom plate 1 of each reticle case
The reticle 12 was placed on the reticle holder 14 of No. 0. Subsequently, after the upper lid 20 was covered, opening and closing of the upper lid 20 were repeated 20 times.
【００１７】その後、上蓋２０を取り外し、レチクルケ
ースからレチクル１２を取り出し、レチクルのガラス面
１６及び膜面１８に付着したパーティクルをカウントし
た。また、このときの底皿１０及び上蓋２０の帯電量
（表面電位）をそれぞれ測定した。なお、底皿１０及び
上蓋２０の帯電量の測定は、±１０％の誤差を伴ってい
る。Thereafter, the upper lid 20 was removed, the reticle 12 was taken out of the reticle case, and the particles adhered to the glass surface 16 and the film surface 18 of the reticle were counted. At this time, the charge amounts (surface potential) of the bottom plate 10 and the top cover 20 were measured. The measurement of the charge amounts of the bottom plate 10 and the top lid 20 involves an error of ± 10%.
【００１８】（実験結果）図２は、組み合わせ（Ａ）か
ら組み合わせ（Ｅ）のレチクルケースについて、レチク
ル１２へのパーティクルの付着量を示すグラフである。
図２（ａ）は、ガラス面１６へのパーティクルの付着量
と、上蓋２０の帯電量とを示している。図２（ｂ）は、
レチクルのパターン面である膜面１８へのパーティクル
の付着量と、底皿１０の帯電量とを示している。(Experimental Results) FIG. 2 is a graph showing the amount of particles attached to the reticle 12 for the reticle cases of combinations (A) to (E).
FIG. 2A shows the amount of particles attached to the glass surface 16 and the amount of charge of the upper lid 20. FIG. 2 (b)
The amount of particles attached to the film surface 18 which is the pattern surface of the reticle and the amount of charge of the bottom plate 10 are shown.
【００１９】図２（ａ）からわかるように、上蓋２０の
材質がＰＣである組み合わせ（Ｃ）、組み合わせ
（Ｄ）、組み合わせ（Ｅ）のレチクルケースの場合、レ
クチルのガラス面１８にはパーティクルは付着していな
い。このとき、これらのレチクルケースの上蓋２０の帯
電量はおよそ１７００Ｖであった。As can be seen from FIG. 2A, in the case of the combination (C), combination (D), and combination (E) reticle cases in which the material of the upper lid 20 is PC, particles are not formed on the glass surface 18 of the reticle. Not attached. At this time, the charge amount of the upper lid 20 of these reticle cases was about 1700V.
【００２０】また、図２（ｂ）からわかるように、底皿
１０の材質が帯電防止用ＡＢＳである組み合わせ（Ａ）
と、カーボン添加ＰＣである組み合わせ（Ｃ）のレチク
ルケースの場合、レチクルの膜面にパーティクルが付着
していないことがわかる。このとき、底皿１０の帯電量
は、組み合わせ（Ａ）の場合、およそ−１０Ｖ、組み合
わせ（Ｃ）の場合、およそ０Ｖであった。As can be seen from FIG. 2B, a combination (A) in which the material of the bottom plate 10 is an antistatic ABS.
In the case of the reticle case of the combination (C), which is a carbon-added PC, it can be seen that no particles adhere to the film surface of the reticle. At this time, the charge amount of the bottom plate 10 was about −10 V in the case of the combination (A), and was about 0 V in the case of the combination (C).
【００２１】図２（ａ）及び図２（ｂ）の結果から、組
み合わせ（Ｃ）のレチクルケース、すなわち、底皿１０
が導電性のカーボン添加ＰＣで形成され、上蓋２０が非
導電性のＰＣで形成されたレチクルケースが、レチクル
へのパーティクルの付着を最も効果的に防いでいること
がわかる。From the results of FIGS. 2A and 2B, the reticle case of the combination (C), that is, the bottom plate 10
It can be seen that the reticle case formed of conductive carbon-added PC and the upper lid 20 formed of non-conductive PC most effectively prevents particles from adhering to the reticle.
【００２２】したがって、底皿１０が導電性プラスチッ
ク樹脂により形成され、その帯電量の絶対値が１００Ｖ
以下であり、上蓋２０が非導電性プラスチック樹脂によ
り形成され、その帯電量が１５００Ｖ以上であるレチク
ルケースが、保管したレチクル表面へのパーティクルの
付着を効果的に抑制するといえる。Therefore, the bottom plate 10 is formed of a conductive plastic resin, and the absolute value of the charge amount is 100 V
It can be said that the reticle case in which the upper lid 20 is formed of a non-conductive plastic resin and whose charge amount is 1500 V or more effectively suppresses the adhesion of particles to the surface of the stored reticle.
【００２３】（本実施形態によるレチクルケースの材質
及び電気的性質）上記の実験の結果から、レチクルケー
スを構成する部材の材質及び電気的性質を以下に記述す
るように決定した。(Material and Electrical Properties of Reticle Case According to the Present Embodiment) From the results of the above experiments, the materials and electrical properties of the members constituting the reticle case were determined as described below.
【００２４】（底皿１０の材質及び電気的性質）底皿１
０及びレチクル保持体１４は、カーボンが添加された導
電性を有するプラスチック樹脂により形成する。カーボ
ンを添加するプラスチック樹脂としては、ポリカーボネ
ート（ＰＣ）や、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
Ｋ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、テフロ
ン（登録商標）（ＰＦＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）な
どがある。これらのプラスチック樹脂へのカーボンの添
加量は、底皿１０としたときに表面抵抗値が１０6Ω・
ｃｍ以下になるように制御する。(Material and Electrical Properties of Bottom Plate 10) Bottom Plate 1
The 0 and reticle holders 14 are formed of a conductive plastic resin to which carbon is added. Examples of the plastic resin to which carbon is added include polycarbonate (PC) and polyetheretherketone (PEE).
K), polybutylene terephthalate (PBT), Teflon (registered trademark) (PFA), polypropylene (PP) and the like. The amount of carbon added to these plastic resins was 10 6 Ω ·
cm or less.
【００２５】ここで、添加するカーボンは、ウィスカ
や、アロイ、コーティングなどの添加剤に比べて表面抵
抗が低く、帯電量が非常に低いため、効率的に底皿１０
及びレチクル保持体１４に導電性を導入できる。このよ
うな材質から形成された底皿１０の帯電量（表面電位）
の絶対値は１００Ｖ以下となる。底皿１０とレチクル１
２は、レチクル保持体１４を介して導電性がある状態に
になっている。Here, the carbon to be added has a low surface resistance and a very low charge amount compared to additives such as whiskers, alloys, coatings, etc., so that the bottom plate 10 can be efficiently used.
In addition, conductivity can be introduced into the reticle holder 14. Charge amount (surface potential) of the bottom plate 10 formed of such a material
Is 100 V or less. Bottom plate 10 and reticle 1
2 is in a state of being conductive via the reticle holder 14.
【００２６】（上蓋２０の材質及び電気的性質）一方、
上蓋２０は、カーボンを添加しないプラスチック樹脂に
より形成し、非導電性とする。例えば、そのようなプラ
スチック樹脂としては、ポリカーボネート（ＰＣ）やポ
リメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などがある。このよ
うな材質から形成された上蓋２０の帯電量の絶対値は１
５００Ｖ以上である。(Material and Electrical Properties of Upper Lid 20)
The upper lid 20 is formed of a plastic resin to which carbon is not added, and is made non-conductive. For example, such plastic resins include polycarbonate (PC) and polymethyl methacrylate (PMMA). The absolute value of the charge amount of the upper lid 20 formed of such a material is 1
It is 500 V or more.
【００２７】（パーティクル付着を抑制する機構）次
に、上述した底皿１０が導電性プラスチック樹脂により
形成され、上蓋２０が非導電性プラスチック樹脂により
形成されているレチクルケースが、保管するレチクルへ
のパーティクルの付着を抑制する機構について説明す
る。(Mechanism for Preventing Particle Attachment) Next, a reticle case in which the above-mentioned bottom plate 10 is formed of a conductive plastic resin and the upper lid 20 is formed of a non-conductive plastic resin is mounted on a reticle to be stored. A mechanism for suppressing the adhesion of particles will be described.
【００２８】レチクル１２と接触していない非導電性プ
ラスチック樹脂により形成された上蓋２０の帯電量の絶
対値は１５００Ｖ以上であり、パーティクルは上蓋２０
に静電吸着される。したがって、上蓋２０と向き合うレ
チクル１２のガラス面１６にパーティクルが付着した
り、落下することが抑制される。The absolute value of the charge amount of the upper lid 20 formed of a non-conductive plastic resin not in contact with the reticle 12 is 1500 V or more, and particles are
Is electrostatically attracted. Therefore, particles are prevented from adhering to and falling from the glass surface 16 of the reticle 12 facing the upper lid 20.
【００２９】さらに、底皿１０が金属製ではなく、導電
性プラスチック樹脂により形成されているため、レチク
ル１２自身が損傷することはなく、それによってパーテ
ィクルが発生することもない。金属汚染もない。また、
金属に比べ重量が軽く、運用しやすいという利点もあ
る。Furthermore, since the bottom plate 10 is not made of metal but is formed of a conductive plastic resin, the reticle 12 itself is not damaged and no particles are generated. No metal contamination. Also,
It also has the advantage of being lighter in weight and easier to operate than metal.
【００３０】また、底皿１０の材質を、上蓋２０の材質
にカーボンを添加したプラスチック樹脂とすることによ
り、底皿１０と上蓋２０の硬度をほぼ同じにすることが
できる。これにより、底皿１０と上蓋２０との摩耗によ
るパーティクルの発生が抑制される。Further, by making the material of the bottom plate 10 a plastic resin obtained by adding carbon to the material of the top cover 20, the hardness of the bottom plate 10 and the hardness of the top cover 20 can be made substantially the same. Thereby, generation of particles due to wear between the bottom plate 10 and the upper lid 20 is suppressed.
【００３１】（デバイスパターンの静電破壊を防止する
機構）次に、上述した底皿１０が導電性プラスチック樹
脂により形成され、上蓋２０が非導電性プラスチック樹
脂により形成されたレチクルケースが、レチクル１２の
パターンの静電破壊を防止する機構について説明する。(Mechanism for Preventing Electrostatic Destruction of Device Pattern) Next, a reticle case in which the above-described bottom plate 10 is formed of a conductive plastic resin and the upper lid 20 is formed of a non-conductive plastic resin is provided. A mechanism for preventing electrostatic breakdown of the pattern will be described.
【００３２】レチクル１２と同じ電位にある、導電性プ
ラスチック樹脂により形成された底皿１０の帯電量の絶
対値は１００Ｖ以下である。このため、レチクル１２に
電荷が溜まることはない。したがって、レチクル１２の
パターンが静電破壊されることはない。The absolute value of the charge amount of the bottom plate 10 made of a conductive plastic resin and having the same potential as that of the reticle 12 is 100 V or less. Therefore, no electric charge is accumulated on the reticle 12. Therefore, the pattern of the reticle 12 is not electrostatically damaged.
【００３３】このような底皿１０が導電性プラスチック
樹脂により形成され、上蓋２０が非導電性プラスチック
樹脂により形成されたレチクルケースが、レチクル１２
の静電破壊を防止する実際の効果について、静電破壊の
発生しやすい条件下で従来のレチクルケースと比較し
た。A reticle case in which the bottom plate 10 is formed of a conductive plastic resin and the upper lid 20 is formed of a non-conductive plastic resin is a reticle 12.
The actual effect of preventing electrostatic breakdown was compared with that of a conventional reticle case under conditions that easily cause electrostatic breakdown.
【００３４】具体的には、レチクルケースに収納するレ
チクル１２のパターンとして、静電破壊が発生しやす
い、クロム面積に対してガラス面積の小さい配線層を使
用した。Specifically, as the pattern of the reticle 12 housed in the reticle case, a wiring layer having a smaller glass area than a chrome area, which is liable to cause electrostatic breakdown, was used.
【００３５】まず、底皿１０及び上蓋２０の両者が非導
電性プラスチック樹脂により形成された従来のレチクル
ケースに収納した場合、底皿１０と上蓋２０を２０回ス
ライド及び開閉するとレチクル１２のパターンに静電破
壊が発生した。First, when both the bottom plate 10 and the top cover 20 are housed in a conventional reticle case formed of a non-conductive plastic resin, the bottom plate 10 and the top cover 20 are slid and opened and closed 20 times to form a pattern of the reticle 12. Electrostatic breakdown has occurred.
【００３６】一方、底皿１０が導電性プラスチック樹
脂、上蓋２０が非導電性プラスチック樹脂により形成さ
れたレチクルケースに収納した場合、上記の場合の倍の
４０回スライド及び開閉しても、レチクルパターンには
静電破壊は発生しなかった。On the other hand, when the bottom plate 10 is housed in a reticle case made of conductive plastic resin and the top lid 20 is housed in a reticle case made of non-conductive plastic resin, the reticle pattern is formed even if it is slid and opened and closed 40 times twice the above case. No electrostatic breakdown occurred.
【００３７】このように本実施形態によれば、レチクル
へのパーティクルの付着を防ぎ、かつレチクルのパター
ンの静電破壊を防ぐことができる。As described above, according to the present embodiment, it is possible to prevent particles from adhering to the reticle and to prevent electrostatic damage of the reticle pattern.
【００３８】（ウェーハケースの場合）なお、上記実施
形態では、半導体装置製造用部材の収納運搬ケースとし
てレチクルケースの場合について述べているが、レチク
ルケースに限定されるものではない。(Case of Wafer Case) In the above embodiment, a case of a reticle case is described as a storage and transport case for a member for manufacturing a semiconductor device. However, the present invention is not limited to a reticle case.
【００３９】例えば、ウェーハケース（結晶ケース及び
ポッド（ＰＯＤ））であってもよい。For example, it may be a wafer case (crystal case and pod (POD)).
【００４０】図３は、ウェーハケースの構造を示す断面
図である。図３に示すように、底皿２２には、ウェーハ
キャリア２４を載置するウェーハキャリア保持体２６が
形成されている。ウェーハキャリア２４は、ウェーハキ
ャリア保持体２６を介して、底皿２２と同じ電位になっ
ている。ウェーハ２８は、ウェーハキャリア２４中に、
縦に並べられた状態で収納される。FIG. 3 is a sectional view showing the structure of the wafer case. As shown in FIG. 3, a wafer carrier holder 26 on which a wafer carrier 24 is placed is formed on the bottom plate 22. The wafer carrier 24 has the same potential as the bottom plate 22 via the wafer carrier holder 26. The wafer 28 is placed in the wafer carrier 24,
Stored vertically.
【００４１】このようなウェーハケースの底皿２２及び
ウェーハキャリア保持体２６は、カーボンが添加された
導電性を有するプラスチック樹脂により形成する。カー
ボンを添加するプラスチック樹脂としては、ポリカーボ
ネート（ＰＣ）や、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥ
ＥＫ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、テフ
ロン（ＰＦＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などがある。
これらのプラスチック樹脂へのカーボンの添加量は、底
皿１０としたときに表面抵抗値が１０6Ω・ｃｍ以下に
なるように制御する。このような材質から形成された底
皿１０の帯電量の絶対値は１００Ｖ以下となる。The bottom plate 22 and the wafer carrier holder 26 of the wafer case are formed of a conductive plastic resin to which carbon is added. Examples of the plastic resin to which carbon is added include polycarbonate (PC) and polyetheretherketone (PE).
EK), polybutylene terephthalate (PBT), Teflon (PFA), polypropylene (PP) and the like.
The amount of carbon added to these plastic resins is controlled so that when the bottom plate 10 is used, the surface resistance becomes 10 6 Ω · cm or less. The absolute value of the charge amount of the bottom plate 10 formed of such a material is 100 V or less.
【００４２】また、カーボンは、含有する不純物が少な
く、ケースからの有機物、無機物の脱ガスが抑制され、
収納している間にウェーハ２８の電気的特性及びレート
が変化することもない。Further, carbon contains few impurities and suppresses degassing of organic and inorganic substances from the case,
The electrical characteristics and the rate of the wafer 28 do not change during the storage.
【００４３】底皿２２及びウェーハキャリア保持体２６
を、金属ではなく導電性プラスチック樹脂により形成す
るため、ウェハキャリア２４に傷がつきにくく、したが
ってそこからのパーティクルの発生もない。また、重量
が軽く運用しやすく、成形が容易である。Bottom plate 22 and wafer carrier holder 26
Is formed of a conductive plastic resin instead of a metal, so that the wafer carrier 24 is hardly damaged, and thus there is no generation of particles therefrom. In addition, it is lightweight, easy to operate, and easy to mold.
【００４４】ウェーハケースの上蓋３０は、カーボンを
添加しないプラスチック樹脂により形成し、非導電性と
する。例えば、そのようなプラスチック樹脂としては、
ポリカーボネート（ＰＣ）やポリメタクリル酸メチル
（ＰＭＭＡ）などがある。このような材質から形成され
た上蓋２０の帯電量の絶対値は１５００Ｖ以上である。The upper lid 30 of the wafer case is made of a plastic resin to which carbon is not added, and is made non-conductive. For example, as such a plastic resin,
Examples include polycarbonate (PC) and polymethyl methacrylate (PMMA). The absolute value of the charge amount of the upper lid 20 formed of such a material is 1500 V or more.
【００４５】ウェーハケースにおいては、ウェーハキャ
リア２４の材質も底皿２２と同じ導電性プラスチック樹
脂にすることによって、ウェーハ２８表面へのパーティ
クルの付着の抑制と、そのデバイスパターンの静電破壊
の防止の効果が更に得られる。In the wafer case, the material of the wafer carrier 24 is made of the same conductive plastic resin as that of the bottom plate 22, so as to suppress the adhesion of particles to the surface of the wafer 28 and to prevent the electrostatic breakdown of the device pattern. The effect is further obtained.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、半導体装
置製造用部材を載置する底皿と、底皿に蓋をする上蓋と
を有する半導体装置製造用部材の収納運搬ケースにおい
て、底皿は、カーボンを添加したポリカーボネートによ
り形成され、上蓋は、非導電性プラスチック樹脂により
形成されているので、半導体装置製造用部材へのパーテ
ィクルの付着による汚染を抑制し、かつそれらのデバイ
スパターンの静電破壊を防止することができる。As described above, according to the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing member storage / transport case having a bottom plate on which a semiconductor device manufacturing member is placed and an upper lid for covering the bottom plate. Since the dish is formed of polycarbonate to which carbon is added, and the upper lid is formed of a non-conductive plastic resin, contamination due to adhesion of particles to semiconductor device manufacturing members is suppressed, and static of the device patterns is suppressed. Electric breakdown can be prevented.
【図１】本発明の一実施形態によるレチクルケースの構
造を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a structure of a reticle case according to an embodiment of the present invention.
【図２】レチクルに付着したパーティクルの量を示すグ
ラフである。FIG. 2 is a graph showing the amount of particles attached to a reticle.
【図３】本発明の一実施形態によるウェーハケースの構
造を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a wafer case according to an embodiment of the present invention.
１０…底皿 １２…レチクル １４…レチクル保持体 １６…ガラス面 １８…膜面 ２０…上蓋 ２２…底皿 ２４…ウェーハキャリア ２６…ウェーハキャリア保持体 ２８…ウェーハ ３０…上蓋 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Bottom plate 12 ... Reticle 14 ... Reticle holder 16 ... Glass surface 18 ... Film surface 20 ... Top lid 22 ... Bottom plate 24 ... Wafer carrier 26 ... Wafer carrier holder 28 ... Wafer 30 ... Top lid
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 由博 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BE12 3E096 AA01 AA06 BA15 BB05 CA02 CB03 EA02X FA03 FA07 GA01 5F031 CA02 CA07 DA09 DA12 EA02 EA03 NA18 PA21 PA26 5F046 AA21 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yoshihiro Sato 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa F-term in Fujitsu Limited (reference) 2H095 BE12 3E096 AA01 AA06 BA15 BB05 CA02 CB03 EA02X FA03 FA07 GA01 5F031 CA02 CA07 DA09 DA12 EA02 EA03 NA18 PA21 PA26 5F046 AA21
Claims (4)
と、前記底皿に蓋をする上蓋とを有する半導体装置製造
用部材の収納運搬ケースにおいて、 前記底皿は、カーボンを添加したポリカーボネートによ
り形成され、 前記上蓋は、非導電性プラスチック樹脂により形成され
ていることを特徴とする半導体装置製造用部材の収納運
搬ケース。1. A storage and transport case for a semiconductor device manufacturing member having a bottom plate on which a member for manufacturing a semiconductor device is placed and an upper lid for covering the bottom plate, wherein the bottom plate is made of polycarbonate to which carbon is added. Wherein the upper lid is formed of a non-conductive plastic resin.
と、前記底皿に蓋をする上蓋とを有する半導体装置製造
用部材の収納運搬ケースにおいて、 前記底皿は、導電性プラスチック樹脂により形成され、
帯電量の絶対値が１００Ｖ以下であり、 前記上蓋は、非導電性プラスチック樹脂により形成さ
れ、帯電量の絶対値が１５００Ｖ以上であることを特徴
とする半導体装置製造用部材の収納運搬ケース。2. A semiconductor device manufacturing member storage / transport case having a bottom plate on which a semiconductor device manufacturing member is placed and an upper lid for covering the bottom plate, wherein the bottom plate is made of a conductive plastic resin. Formed,
The storage and transport case for a member for manufacturing a semiconductor device, wherein the absolute value of the charge amount is 100 V or less, and the upper lid is formed of a non-conductive plastic resin, and the absolute value of the charge amount is 1500 V or more.
部材の収納運搬ケースにおいて、 前記底皿の表面抵抗値は１０6Ω・ｃｍ以下であること
を特徴とする半導体装置製造用部材の収納運搬ケース。3. The semiconductor device manufacturing member according to claim 1, wherein the bottom plate has a surface resistance of 10 6 Ω · cm or less. Storage carrying case.
と、前記底皿に蓋をする上蓋とを有する半導体装置製造
用部材の収納運搬ケースにおいて、 前記上蓋は、非導電性プラスチック樹脂により形成さ
れ、 前記底皿は、前記上蓋と同材質の非導電性プラスチック
樹脂にカーボンを添加した材質により形成されているこ
とを特徴とする半導体装置製造用部材の収納運搬ケー
ス。4. A storage and transport case for a member for manufacturing a semiconductor device, comprising: a bottom plate on which a member for manufacturing a semiconductor device is placed; and an upper cover for covering the bottom plate, wherein the upper cover is made of a non-conductive plastic resin. Wherein the bottom plate is formed of a material obtained by adding carbon to a non-conductive plastic resin of the same material as that of the upper lid, and the storage and transport case for a member for manufacturing a semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070401A JP2001253491A (en) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | Case for storing and transporting member for fabricating semiconductor device |
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| JP2000070401A JP2001253491A (en) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | Case for storing and transporting member for fabricating semiconductor device |
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|---|---|
| JP2001253491A true JP2001253491A (en) | 2001-09-18 |
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| JP2000070401A Withdrawn JP2001253491A (en) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | Case for storing and transporting member for fabricating semiconductor device |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001253491A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201341A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Murata Mach Ltd | Tray for sheet transfer |
| JP2007201066A (en) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Murata Mach Ltd | Tray for sheet transfer, and apparatus of storing or transferring tray for sheet transfer |
| KR20220044087A (en) * | 2020-09-30 | 2022-04-06 | 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 | Reticle Pod with Antistatic Capability |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000070401A patent/JP2001253491A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201066A (en) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Murata Mach Ltd | Tray for sheet transfer, and apparatus of storing or transferring tray for sheet transfer |
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| KR20220044087A (en) * | 2020-09-30 | 2022-04-06 | 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 | Reticle Pod with Antistatic Capability |
| KR102546941B1 (en) | 2020-09-30 | 2023-06-23 | 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 | Reticle Pod with Antistatic Capability |
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